JPH1168171A - 赤外線データ通信モジュールおよびその製造方法 - Google Patents

赤外線データ通信モジュールおよびその製造方法

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JPH1168171A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】従来の赤外線データ通信モジュールは、赤外線
の発光素子と受光素子とを同一基板上に並べて実装し、
可視光カット剤入りの樹脂をもって両素子を一体的に封
止しまた両素子の集光レンズも形成していた。しかるに
可視光カット剤は赤外光をも吸収するため発光素子の輝
度を減じてしまうことになり、信号光の到達距離あるい
は発光素子の寿命においてその性能を十分発揮していな
い。 【解決手段】赤外線データ通信モジュールにおいて、受
光素子の前面は可視光カット剤入り封止樹脂で覆われ、
発光素子の前面は可視光カット剤を含まない透明な封止
樹脂で覆われている構造。また発光素子と受光素子の組
を多数組、集合基板上に整列して実装し、発光素子群に
は可視光カット剤を含まない透明な封止樹脂を、受光素
子群には可視光カット剤を含む封止樹脂を適用して、各
々の素子群毎に同一樹脂で一斉に封止した後、前記集合
基板を切断分離する製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は少なくとも赤外線発
光素子と受光素子とを各１個組み込んで、樹脂で一体封
入した、赤外線データ通信モジュールおよびその製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、赤外線を用いた光通信機能を搭載
したパソコン、プリンタ、ＰＤＡ、携帯用通信機器等に
おいて用いられる赤外線データ通信モジュールは、その
小型化、高効率化が強く求められている。従来、通常の
赤外線データ通信モジュールは、発光素子として赤外Ｌ
ＥＤ、受光素子としてフォトダイオード、駆動回路およ
び増幅器が組み込まれたＩＣ、外付電子素子等を１つの
小型基板上に実装し結線してあり、全体は樹脂でモール
ドされており、更に必要に応じてシールド用金属板ケー
スで外側を包んだモジュール構造が一般的である。なお
封止樹脂は赤外線を透過させかつ外乱ノイズ光を減ずる
ため、光の短波長側をカットする色素を透明樹脂に混入
した可視光カット剤入りのエポキシ樹脂等が用いられ、
集光効果をあげるために該樹脂は発光素子および受光素
子を半球形レンズ状に成形されることが多い。またシー
ルドケースは半球形レンズ部及び電極端子の露出部に対
しては穴や切り欠き部を設けてある。
【０００３】発光素子と受光素子は、通信相手の機器の
それぞれと対向して動作するため、同じ基板上に近接し
て並べて配置されている。従って各素子の樹脂の半球形
レンズ部も光軸を平行にして近接して並んでおり、同一
樹脂で同時封止を行うのに適した形状構造をしている。
そして同時封止は当然製造の簡略化になるので、従来格
別な疑問も抱かれずに、両半球形レンズ部は同じ可視光
カット剤入りの樹脂をもって一体的に封止されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし可視光カット剤
は、可視光の波長のみならず、通信に用いる赤外光をも
一部吸収する。本発明者の実験によれば、赤外光の吸収
率は約２０％であった。これは赤外ＬＥＤの発光輝度を
２０％程度減ずることになり、発光素子の本来の性能を
有効に利用していないことになる。
【０００５】またノイズとなる光は発光素子の近傍から
生じることはなく、文字通り外乱光であり、事実上モジ
ュールの外で発生する。従って発光素子を覆う封止樹脂
に可視光カット剤を混入してその輝度を減ずることは全
く無駄である。一方受光素子に対しては、外乱光に含ま
れる可視光成分をカットすることは、信号のＳ／Ｎ比を
向上・維持させるために絶対に必要である。
【０００６】本発明の目的は、複数種類の光素子がある
場合に各々の素子の特性を最大限に発揮できる構造を提
供する事であり、特に光素子が赤外線発光素子と動作波
長範囲が広い受光素子である場合には、上記明らかにさ
れた事実に基づき、発光素子の発光効率を向上させ、従
来よりも通信可能な距離を拡大し、あるいは見かけの輝
度を従来程度に保てば消費電流の削減および発光素子等
の長寿命化を図ることができる赤外線データ通信モジュ
ールと、その合理的かつ量産的な製造方法を提供するこ
とである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
（１） 複数種類の光素子を同一基板上に実装し、各種
類の光素子がそれぞれ材質、機能等の異なる封止樹脂で
覆われていることを特徴とする赤外線データ通信モジュ
ール。 （２） 複数の光素子は赤外線の発光素子と受光素子と
であり、受光素子は可視光カット剤入り封止樹脂で覆わ
れ、発光素子は可視光カット剤を含まない透明な封止樹
脂で覆われている（１）の赤外線データ通信モジュー
ル。 （３） 発光素子と受光素子とは基板の同一面上に実装
され、可視光カット剤入り封止樹脂は受光素子を半球形
レンズ部で覆い、また可視光カット剤を含まない透明な
封止樹脂は発光素子を半球形レンズ部で覆い、それぞれ
並んで成形されており、２種類の樹脂の接合面は２個の
半球形レンズ部を避けた位置に設定されている（２）の
赤外線データ通信モジュール。 （４） 透明な封止樹脂の占める面積は可視光カット剤
入り封止樹脂の占める面積よりも実質的に小さいことを
特徴とする（２）または（３）の赤外線データ通信モジ
ュール。
【０００８】（５） 赤外線の発光素子と受光素子の組
を多数組、集合基板上に整列して実装し、発光素子群に
対しては可視光カット剤を含まない透明な封止樹脂を適
用し、受光素子群に対しては可視光カット剤を含む封止
樹脂を適用して、前記両樹脂を前記集合基板上で１個の
成形型を用いて同時的に、あるいは２個の成形型を逐次
的に用いて２種の樹脂を逐次的に供給することによっ
て、発光素子群と受光素子群とをそれぞれ同一の樹脂で
一斉に封止した後、発光素子と受光素子の組を１組づつ
含むように、集合基板を切断分離する赤外線データ通信
モジュールの製造方法。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態の１例の構造
を図面を参照して説明する。図１はシールドケース付き
の赤外線データ通信モジュールの完成体の斜視図であ
り、金属のシールドケース１０の内部の本体は他の基板
（マザーボード）上の導体パターンに対してＳＭＤ実装
するのに適した電極構成を持っている。図２は完成体か
らシールドケース１０を除去した内部の本体の斜視図、
図３はその水平断面図である。なおシールドケース１０
はモジュールを電気的ノイズからシールドする他、外乱
光もある程度カットする。モジュールの使用条件によっ
ては、シールドケース１０を付けず、本体のみで用いる
こともありうる。
【００１０】各図において１は小型の基板で、ガラス入
りエポキシ樹脂製のプリント基板を所定の形状にカット
したものである。２は赤外線ＬＥＤ等である発光素子、
３はフォトダイオード等である受光素子、４は受・発光
素子の駆動・制御を行うためのＩＣ（集積回路）であ
る。各素子２、３およびＩＣ４は基板１上にダイボンド
でマウントされ、ボンディングワイヤ５にて結線され
る。なお基板１上の配線用銅箔パターンは図示を省略し
た。６は基板１に設けたスルーホールであって、穴の内
面には導体メッキが施され（図示省略）、前記配線パタ
ーンのうち必要なものと導通している。スルーホール６
は中心を通って切断されているので、凹面の半円筒状の
導体メッキ部分が、ＳＭＤ用部品としてマザーボードと
ハンダ付け接続されるための下面電極を形成している。
【００１１】７は発光素子２を覆う透明な封止樹脂で、
可視光カット剤を含まず、無色かつ透明なエポキシ樹脂
等より成る。７１は発光する赤外光をビーム状に絞るた
めの半球状の発光部レンズで、透明封止樹脂の一部をな
している。８は受光素子３およびＩＣ４を覆う可視光カ
ット剤入り封止樹脂で、エポキシ樹脂等より成り、従来
と同じ材料を用いることができる。８１は信号光を集光
するためにそれと一体に成形された半球状の受光部レン
ズである。
【００１２】透明な封止樹脂７と可視光カット剤入り封
止樹脂８とは、基板１上に分離して成形してもよいが、
封止樹脂間の隙間をなくして境界を密着接合させる方
が、赤外線データ通信モジュールの小型化および素子や
回路の環境に対する封止効果を発揮するためには良い。
接合の場合、その境界面９は可視光カット剤入り樹脂材
料の発光素子２の前方への発光を妨げたり、発光素子２
から発光部レンズ７１に向かう円錐状の光路を不都合な
ほど浸食しない位置にあればよい。発光素子部を除き、
赤外線データ通信モジュールの他の部分はなるべく広く
可視光カット剤入り樹脂で封止されることがむしろ望ま
しい。これは透明な封止樹脂７の部分に入射した可視光
線の外乱光が、封止樹脂内を迷光となって受光素子３に
到達する可能性を極力少なくするため、２種の封止樹脂
の境界面９は受光素子３からなるべく遠いことが良いか
らである。
【００１３】そこで、受・発光素子の正面側から基板１
を見たとき、透明な封止樹脂７の基板１上で占める面積
を、可視光カット剤入り封止樹脂８の占める面積よりも
小さくする方がよい。またＩＣ４は光による誤動作の可
能性もあるので、可視光カット剤入り封止樹脂８（また
は他の遮光性の樹脂材料）に覆われていた方がよい。
（ＩＣ４あるいはその他の図示しない外付け電子素子が
基板１の背面に実装される場合もある。）
【００１４】封止樹脂の境界面９を適正な位置に作るに
は、１つの樹脂成形型に２つのゲートから２種の樹脂を
注入して成形する場合は、各注入ゲートの位置、大きさ
を変えたり、成形型内の適当な場所に堤防を設けて樹脂
の流動を制御したり、両樹脂の型への充填速度・温度・
圧力、樹脂成分を調節して流動性等を制御する。あるい
は２つの成形型を順次用い、第１の成形型で第１の樹脂
を注入し、それが固化してから第２の成形型（空洞は第
１の成形型よりも大きく、固化した第１の樹脂を収容し
更に第２の樹脂を充填できる形状である）に交換して第
２の樹脂を注入成形すればよい。
【００１５】図４、図５の各図は、本発明の上記の実施
の形態の１例である赤外線データ通信モジュールの本体
を、いわゆる多数個取りの製法で量産する場合の途中工
程を示した斜視図であって、図４は集合基板１１上に各
素子およびＩＣの実装を完了した封止前の状態、図５は
その上面に２種類の封止樹脂を施して封止を完了した状
態を示す。なお各図は集合基板１１の端部の一部を示
し、全体は図示要部が右方および下方に多数繰り返され
て成っている。
【００１６】図４において、１１は集合基板であり、表
面には銅箔で配線パターンが形成され（図示省略）、ま
た該パターンと接続するメッキ層を円筒状穴の内面に有
するスルーホール６が多数形成されている。１１０はカ
ットラインで、全部の工程が完了した後、集合基板１１
が個々の基板１に分離されて赤外線データ通信モジュー
ルとして完成するための表面における切断位置を示して
いる。カットライン１１０の一部はスルーホール６群の
ほぼ中心を通り、スルーホールの内面のメッキ層を、モ
ジュールをＳＭＤ接続するための電極として露出させ
る。発光素子２、受光素子３、ＩＣ４等は集合基板１１
上の所定の位置に整列的に配置され、配線パターンにボ
ンディングされる。
【００１７】図５においては、透明な封止樹脂７と可視
光カット剤入り封止樹脂８との２種類の樹脂による封止
が終わった状態を示している。上述のように１個の成形
型を用いて２種類の樹脂を同時に注入する場合には、注
入ゲートの位置（図示しないが）を分離前の透明な封止
樹脂７０と分離前の可視光カット剤入り封止樹脂８０と
の図示位置での上辺にそれぞれ設け、樹脂が図示右下方
に走りながら相互に出会って境界面９を作るようにす
る。あるいは注入ゲートを帯状になっている分離前の各
樹脂７０、８０のレンズ部７１、８１を避けた場所に、
各帯毎にいくつかづつ設けるようにしてもよい。あるい
は１個の成形金型内に２種の樹脂を仕切る薄い仕切り壁
（必ずしも基板１の表面にまで達しなくてもよい）を設
けてもよい。ただしこの場合は両樹脂の境界面に溝が形
成されることになる。
【００１８】また別法として、上述のように２つの成形
型を交換して用い、２種類の樹脂をそれぞれの型内に順
次注入して成形してもよい。いずれの製造方法によるに
せよ、透明な封止樹脂７か可視光カット剤入り封止樹脂
８かを多数個含み帯状に交互に並んだ、分離前の透明な
封止樹脂７０と分離前の可視光カット剤入り封止樹脂８
０との各々は、いずれか１方の樹脂で同時に一斉に封止
されることになる。なお、切断されて別個のモジュール
になる場合の、分離前の両樹脂７０および８０の境界
は、図５では接触して描かれているが、仕切り壁によっ
て完全に分離されていてもよい。
【００１９】図６、図７の各図は、本発明の上記実施の
形態の製造方法の全工程をステップ毎に示した２種類の
製造方法の工程図である。各素子・ＩＣの接続が終わっ
た第５工程までは両製法は同じであるが、樹脂封止の第
６工程以後が異なる。図６は１つの成形型を用いて２種
類の樹脂を同時に注入して封止する製法工程を示し、図
７は２つの成形型を順次に用いて２種類の樹脂を順次に
注入して封止する製法工程を示している。各工程の要部
については既に述べたので、これ以上の説明は不要であ
ると考える。
【００２０】以上本発明の実施の形態の１例とその製造
方法について述べたが、本発明の範囲内およびその均等
の技術の範囲内で様々な変更が当然可能である。例えば
他の電子素子（Ｃ、Ｒ等）を付加する、１組の発光素子
と受光素子を構成する各素子の数を変える、基板の表裏
や側面に素子や部品を分けて実装・接続する、異なる接
続方法を用いる、ＳＭＤ以外の接続法に適した電極を設
ける、他種の樹脂を封止に援用しあるいは置換する、可
視光カット剤の種類を選択する、ガラエポ基板に代えて
リードフレームを用いたり、メッキで導電パターンを形
成した立体的表面形状のプラスチック基板等、他種の基
板あるいは基板相当品を用いる、他の工程を付加、ある
いは類似工程に置換する、等々が考えられる。
【００２１】
【発明の効果】本発明においては、複数の光素子をその
特性に応じた封止樹脂で覆ったので、光素子固有の性能
を最大限に発揮させることができる。特に光素子が赤外
線発光素子と感度波長範囲の広い受光素子の場合、発光
素子の前面のみに可視光カット剤を含まない透明な封止
樹脂を用いて封止したので、従来と同等の駆動条件では
発光素子の輝度を大幅に向上させて信号光の送信能力を
高め、あるいは輝度を抑えて発光素子の低消費電力化や
長寿命化を達成でき、かつ外乱光の悪影響は少ない、高
性能の赤外線データ通信モジュールが得られた。またそ
の合理的な製造方法を提供し得た。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の１例における完成斜視図
である。
【図２】本発明の実施の形態の１例における本体の斜視
図である。
【図３】本発明の実施の形態の１例における本体の断面
図である。
【図４】本発明の実施の形態の１例の製造工程において
実装工程を完了した集合基板の斜視図である。
【図５】本発明の実施の形態の１例の製造工程において
封止工程を完了した集合基板の斜視図である。
【図６】本発明の実施の形態の１例における第１の製造
方法の工程図である。
【図７】本発明の実施の形態の１例における第２の製造
方法の工程図である。
【符号の説明】
１ 基板 １１ 集合基板 １１０ カットライン ２ 発光素子 ３ 受光素子 ４ ＩＣ ５ ボンディングワイヤ ６ スルーホール ７ 透明な封止樹脂 ７０ 分離前の透明な封止樹脂 ７１ 発光部レンズ ８ 可視光カット剤入り封止樹脂 ８０ 分離前の可視光カット剤入り封止樹脂 ８１ 受光部レンズ ９ 封止樹脂境界面 １０ シールドケース
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡部 晴美 山梨県富士吉田市上暮地１丁目23番１号 株式会社シチズン電子内 (72)発明者 渡辺 淳一 山梨県富士吉田市上暮地１丁目23番１号 株式会社シチズン電子内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数種類の光素子を同一基板上に実装
    し、各種類の前記光素子がそれぞれ材質、機能等の異な
    る封止樹脂で覆われていることを特徴とする赤外線デー
    タ通信モジュール。
  2. 【請求項２】 前記複数の光素子は赤外線の発光素子と
    受光素子とであり、前記受光素子は可視光カット剤入り
    封止樹脂で覆われ、前記発光素子は可視光カット剤を含
    まない透明な封止樹脂で覆われていることを特徴とする
    請求項１の赤外線データ通信モジュール。
  3. 【請求項３】 前記発光素子と前記受光素子とは前記基
    板の同一面上に実装され、前記可視光カット剤入り封止
    樹脂は前記受光素子を半球形レンズ部で覆い、また前記
    可視光カット剤を含まない透明な封止樹脂は前記発光素
    子を半球形レンズ部で覆い、それぞれの半球形レンズ部
    は並んで成形されており、前記２種類の樹脂の接合面は
    前記２個の半球形レンズ部を避けた位置に設定されてい
    ることを特徴とする請求項２の赤外線データ通信モジュ
    ール。
  4. 【請求項４】 前記透明な封止樹脂の占める面積は、前
    記可視光カット剤入り封止樹脂の占める面積よりも実質
    的に小さいことを特徴とする請求項２または３の赤外線
    データ通信モジュール。
  5. 【請求項５】 赤外線の発光素子と受光素子の組を多数
    組、集合基板上に整列して実装し、発光素子群に対して
    は可視光カット剤を含まない透明な封止樹脂を適用し、
    受光素子群に対しては可視光カット剤を含む封止樹脂を
    適用して、前記両樹脂を前記集合基板上で１個の成形型
    を用いて同時的に、あるいは２個の成形型を逐次的に用
    いて前記両樹脂を逐次的に供給することによって、前記
    発光素子群と前記受光素子群とをそれぞれ同一樹脂で一
    斉に封止した後、前記発光素子と受光素子を含む１組づ
    つに、前記集合基板を切断分離することを特徴とする赤
    外線データ通信モジュールの製造方法。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001282118A (ja) * 2000-03-29 2001-10-12 Miyota Kk 直下型バックライトの製造方法
JP2002324916A (ja) * 2001-04-24 2002-11-08 Rohm Co Ltd 赤外線データ通信モジュールおよびその製造方法
US6590152B1 (en) 1999-08-26 2003-07-08 Rohm Co., Ltd. Electromagnetic shield cap and infrared data communication module
JP2007088026A (ja) * 2005-09-20 2007-04-05 Rohm Co Ltd 光通信モジュールおよびその製造方法
WO2010140604A1 (ja) * 2009-06-05 2010-12-09 先端フォトニクス株式会社 サブマウント、これを備えた光モジュール、及びサブマウントの製造方法
WO2012175631A3 (de) * 2011-06-22 2013-02-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum herstellen einer mehrzahl von optoelektronischen halbleiterbauelementen im verbund, derart hergestelltes halbleiterbauelement und dessen verwendung
JP2014220422A (ja) * 2013-05-09 2014-11-20 東芝ライテック株式会社 照明装置
CN106024649A (zh) * 2016-07-12 2016-10-12 希睿（厦门）科技有限公司 一种超薄环境光与接近传感器的晶圆级封装及其封装方法
WO2019202021A1 (de) * 2018-04-18 2019-10-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares bauteil

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6590152B1 (en) 1999-08-26 2003-07-08 Rohm Co., Ltd. Electromagnetic shield cap and infrared data communication module
DE10041857B4 (de) * 1999-08-26 2006-10-05 Rohm Co. Ltd. Elektromagnetische Abschirmabdeckung und Infrarotdatenkommunikationsmodul
JP2001282118A (ja) * 2000-03-29 2001-10-12 Miyota Kk 直下型バックライトの製造方法
JP2002324916A (ja) * 2001-04-24 2002-11-08 Rohm Co Ltd 赤外線データ通信モジュールおよびその製造方法
JP2007088026A (ja) * 2005-09-20 2007-04-05 Rohm Co Ltd 光通信モジュールおよびその製造方法
WO2010140604A1 (ja) * 2009-06-05 2010-12-09 先端フォトニクス株式会社 サブマウント、これを備えた光モジュール、及びサブマウントの製造方法
WO2012175631A3 (de) * 2011-06-22 2013-02-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum herstellen einer mehrzahl von optoelektronischen halbleiterbauelementen im verbund, derart hergestelltes halbleiterbauelement und dessen verwendung
US9269848B2 (en) 2011-06-22 2016-02-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing a plurality of optoelectronic semiconductor components in combination, semiconductor component produced in such a way, and use of said semiconductor component
JP2014220422A (ja) * 2013-05-09 2014-11-20 東芝ライテック株式会社 照明装置
CN106024649A (zh) * 2016-07-12 2016-10-12 希睿（厦门）科技有限公司 一种超薄环境光与接近传感器的晶圆级封装及其封装方法
WO2019202021A1 (de) * 2018-04-18 2019-10-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares bauteil

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