JPH1161394A - スパッタリングターゲット盤 - Google Patents
スパッタリングターゲット盤Info
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- JPH1161394A JPH1161394A JP9231572A JP23157297A JPH1161394A JP H1161394 A JPH1161394 A JP H1161394A JP 9231572 A JP9231572 A JP 9231572A JP 23157297 A JP23157297 A JP 23157297A JP H1161394 A JPH1161394 A JP H1161394A
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- silicon carbide
- sintered body
- temperature
- sputtering target
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
- C04B35/565—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
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- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 各種電子デバイス部品に好適な高純度の
薄膜を形成しうるスパッタリング処理に適する、機械的
特性及び電気的特性に優れ、また偏摩耗に対する耐久性
が良好な、スパッタリングターゲット盤を提供する。 【解決手段】 密度が２．９ｇ／ｃｍ3 以上であり、且
つ炭化ケイ素粉末と非金属系焼結助剤とが均質に混合さ
れた混合物を焼結することにより得られた炭化ケイ素焼
結体で形成されたことを特徴とする。この炭化ケイ素焼
結体は前記混合物を非酸化性雰囲気下でホットプレスす
ることにより得られたものであることが好ましく、炭化
ケイ素焼結体に含まれる不純物元素の総含有量が１ｐｐ
ｍ以下であることが好ましい。
薄膜を形成しうるスパッタリング処理に適する、機械的
特性及び電気的特性に優れ、また偏摩耗に対する耐久性
が良好な、スパッタリングターゲット盤を提供する。 【解決手段】 密度が２．９ｇ／ｃｍ3 以上であり、且
つ炭化ケイ素粉末と非金属系焼結助剤とが均質に混合さ
れた混合物を焼結することにより得られた炭化ケイ素焼
結体で形成されたことを特徴とする。この炭化ケイ素焼
結体は前記混合物を非酸化性雰囲気下でホットプレスす
ることにより得られたものであることが好ましく、炭化
ケイ素焼結体に含まれる不純物元素の総含有量が１ｐｐ
ｍ以下であることが好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種電子デバイス
部品の保護膜や機能性膜に適する薄膜、及び各種治工具
等の耐久性を向上させる為に有用な表面処理薄膜等を形
成する為のスパッタリング処理における炭化ケイ素製ス
パッタリングターゲット盤に関する。
部品の保護膜や機能性膜に適する薄膜、及び各種治工具
等の耐久性を向上させる為に有用な表面処理薄膜等を形
成する為のスパッタリング処理における炭化ケイ素製ス
パッタリングターゲット盤に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、基板材料上へのある種の薄膜形成
は、磁性、絶縁性、誘電性等の機能を持たせたり、また
高強度や高硬度等の機械的特性や耐腐食性などの化学的
特性を保有させるために、例えば電子機械工業等の種々
の分野において活用されている。
は、磁性、絶縁性、誘電性等の機能を持たせたり、また
高強度や高硬度等の機械的特性や耐腐食性などの化学的
特性を保有させるために、例えば電子機械工業等の種々
の分野において活用されている。
【０００３】この薄膜形成のための方法としては、主に
非酸化性雰囲気中に各種原料ガスを導入し、反応させな
がら析出させる化学的気相蒸着法（ＣＶＤ法）と成膜し
たい材料をターゲット盤とし、イオンを衝突させること
により、該材料を対向して置いて基板上に生成させる物
理的気相蒸着法（スパッタリング法、又はＰＶＤ法）の
二者があるが、スパッタリング法の方が、ＣＶＤ法に比
較して、製造コストや量産性に優れ、また基板材料の依
存性も低いという点で非常に有利である。
非酸化性雰囲気中に各種原料ガスを導入し、反応させな
がら析出させる化学的気相蒸着法（ＣＶＤ法）と成膜し
たい材料をターゲット盤とし、イオンを衝突させること
により、該材料を対向して置いて基板上に生成させる物
理的気相蒸着法（スパッタリング法、又はＰＶＤ法）の
二者があるが、スパッタリング法の方が、ＣＶＤ法に比
較して、製造コストや量産性に優れ、また基板材料の依
存性も低いという点で非常に有利である。
【０００４】一方、本発明で示す炭化ケイ素材は、セラ
ミックス材料の中でも、耐熱性、熱伝導性、また表面硬
度や耐腐食性に最も優れるものであり、この材料を各種
基板材料上に薄膜として生成させたものは、各種電子デ
バイス部品、各種部品組立用治工具や金型類などに非常
に好適に用いられる。とくに電子デバイス部品において
は、高硬度と高摺動性を活かし、コンピュータ周辺機器
であるハードディスク装置のヘッドやディスク盤あるい
は光磁気ディスク盤の保護膜として利用され、また高熱
伝導性を活かし機能素子の分離膜等に用いられる。
ミックス材料の中でも、耐熱性、熱伝導性、また表面硬
度や耐腐食性に最も優れるものであり、この材料を各種
基板材料上に薄膜として生成させたものは、各種電子デ
バイス部品、各種部品組立用治工具や金型類などに非常
に好適に用いられる。とくに電子デバイス部品において
は、高硬度と高摺動性を活かし、コンピュータ周辺機器
であるハードディスク装置のヘッドやディスク盤あるい
は光磁気ディスク盤の保護膜として利用され、また高熱
伝導性を活かし機能素子の分離膜等に用いられる。
【０００５】さてこの炭化ケイ素薄膜の生成法は、上述
したように、ターゲット盤を用いたスパッタリング法に
て形成するのが最適であると言えるが、その為には、高
性能な炭化ケイ素製スパッタリングターゲット盤が必要
とされる。
したように、ターゲット盤を用いたスパッタリング法に
て形成するのが最適であると言えるが、その為には、高
性能な炭化ケイ素製スパッタリングターゲット盤が必要
とされる。
【０００６】従来薄膜形成に用いられてきたターゲット
盤は、一般的に炭化ケイ素粉末を焼成して高密度の焼結
体を得るために、アルミナやホウ素を焼結助剤として添
加して作製した焼結体や焼結助剤を添加せず、そのまま
焼結した多孔質焼結体によるものが主流であった。しか
し、前者のアルミナ等金属系の焼結助剤を添加したもの
は、その助剤成分が不純物となり、電子部品関連用途へ
の適用には問題があり、また後者の多孔質焼結体は、ス
パッタリング時のイオンスパッタに不均一性が発生し易
く、偏った摩耗が進行するため寿命が短く、同時に粒子
の脱落によるパーティクル発生が問題視され、また機械
的強度や耐熱衝撃性が低いため、パッキングプレートと
の接合時に割れが起こり易く、装置への取り付け時の破
壊も散見される傾向があった。
盤は、一般的に炭化ケイ素粉末を焼成して高密度の焼結
体を得るために、アルミナやホウ素を焼結助剤として添
加して作製した焼結体や焼結助剤を添加せず、そのまま
焼結した多孔質焼結体によるものが主流であった。しか
し、前者のアルミナ等金属系の焼結助剤を添加したもの
は、その助剤成分が不純物となり、電子部品関連用途へ
の適用には問題があり、また後者の多孔質焼結体は、ス
パッタリング時のイオンスパッタに不均一性が発生し易
く、偏った摩耗が進行するため寿命が短く、同時に粒子
の脱落によるパーティクル発生が問題視され、また機械
的強度や耐熱衝撃性が低いため、パッキングプレートと
の接合時に割れが起こり易く、装置への取り付け時の破
壊も散見される傾向があった。
【０００７】そのような背景のもとに、高緻密性でかつ
不純物が少ない炭化ケイ素製ターゲット盤が求められて
おり、このために、従来の金属系焼結助剤を用いず、高
密度の焼結体を得ることが検討され、例えば、ケイ素及
び炭素を含むガスや溶液を原料として、１）気相成長
（ＣＶＤ法）により微細な粉末を形成し、形成された粉
末を原料とし無助剤で焼結体を作製する方法、２）気相
成長（ＣＶＤ法）により直接板状の成形体を作製する方
法等が提案されている。
不純物が少ない炭化ケイ素製ターゲット盤が求められて
おり、このために、従来の金属系焼結助剤を用いず、高
密度の焼結体を得ることが検討され、例えば、ケイ素及
び炭素を含むガスや溶液を原料として、１）気相成長
（ＣＶＤ法）により微細な粉末を形成し、形成された粉
末を原料とし無助剤で焼結体を作製する方法、２）気相
成長（ＣＶＤ法）により直接板状の成形体を作製する方
法等が提案されている。
【０００８】しかし、これらの方法は生産性が非常に悪
く、コストが高いという欠点を有しており、さらに上記
１）の方法は、粉末が微細すぎて、精密電子部品用途に
使用する場合、焼結後もパーティクルが発生し易く、
２）の方法では肉厚の成形体を作製し難く、またスパッ
タリング法は直流スパッタリングと高周波スパッタリン
グの二つの方法があるが、この２）の方法によっては直
流スパッタリング法に適する導電性レベルが得られ難い
という欠点を保有していた。
く、コストが高いという欠点を有しており、さらに上記
１）の方法は、粉末が微細すぎて、精密電子部品用途に
使用する場合、焼結後もパーティクルが発生し易く、
２）の方法では肉厚の成形体を作製し難く、またスパッ
タリング法は直流スパッタリングと高周波スパッタリン
グの二つの方法があるが、この２）の方法によっては直
流スパッタリング法に適する導電性レベルが得られ難い
という欠点を保有していた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事実を考
慮してなされたものであり、本発明の目的は、各種電子
デバイス部品の保護膜や機能性膜に適する薄膜、及び各
種治工具等の耐久性を向上させる為に有用な表面処理薄
膜等の高純度の薄膜を形成しうるスパッタリング処理に
適する、機械的特性及び電気的特性に優れ、また偏摩耗
に対する耐久性が良好な、炭化ケイ素製スパッタリング
ターゲット盤を提供することにある。
慮してなされたものであり、本発明の目的は、各種電子
デバイス部品の保護膜や機能性膜に適する薄膜、及び各
種治工具等の耐久性を向上させる為に有用な表面処理薄
膜等の高純度の薄膜を形成しうるスパッタリング処理に
適する、機械的特性及び電気的特性に優れ、また偏摩耗
に対する耐久性が良好な、炭化ケイ素製スパッタリング
ターゲット盤を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意検討
した結果、特定の製造方法により得られた炭化ケイ素の
焼結体をスパッタリングターゲット盤として使用したと
きに、非常に優れた特性を発揮し得ることを見出し、本
発明を完成した。
した結果、特定の製造方法により得られた炭化ケイ素の
焼結体をスパッタリングターゲット盤として使用したと
きに、非常に優れた特性を発揮し得ることを見出し、本
発明を完成した。
【００１１】即ち、本発明のスパッタリングターゲット
盤は、密度が２．９ｇ／ｃｍ3 以上であり、且つ炭化ケ
イ素粉末と非金属系焼結助剤とが均質に混合された混合
物を焼結することにより得られた炭化ケイ素焼結体で形
成されたことを特徴とする。
盤は、密度が２．９ｇ／ｃｍ3 以上であり、且つ炭化ケ
イ素粉末と非金属系焼結助剤とが均質に混合された混合
物を焼結することにより得られた炭化ケイ素焼結体で形
成されたことを特徴とする。
【００１２】ここで、前記非金属系焼結助剤が、加熱に
より炭素を生成する有機化合物であることが好ましく、
この非金属系焼結助剤は、炭化ケイ素粉末表面を被覆し
てた状態で存在していてもよい。
より炭素を生成する有機化合物であることが好ましく、
この非金属系焼結助剤は、炭化ケイ素粉末表面を被覆し
てた状態で存在していてもよい。
【００１３】この炭化ケイ素焼結体は、前記混合物を非
酸化性雰囲気下でホットプレスすることにより得られた
ものとすることができる。
酸化性雰囲気下でホットプレスすることにより得られた
ものとすることができる。
【００１４】また、前記炭化ケイ素粉末は、少なくとも
１種以上の液状のケイ素化合物を含むケイ素源と、加熱
により炭素を生成する少なくとも１種以上の液状の有機
化合物を含む炭素源と、重合又は架橋触媒とを混合して
得られた混合物を固化して固形物を得る固化工程と、得
られた固形物を非酸化性雰囲気下で加熱炭化した後、さ
らに非酸化性雰囲気で焼成する焼成工程とを含む製造方
法により製造することができる。
１種以上の液状のケイ素化合物を含むケイ素源と、加熱
により炭素を生成する少なくとも１種以上の液状の有機
化合物を含む炭素源と、重合又は架橋触媒とを混合して
得られた混合物を固化して固形物を得る固化工程と、得
られた固形物を非酸化性雰囲気下で加熱炭化した後、さ
らに非酸化性雰囲気で焼成する焼成工程とを含む製造方
法により製造することができる。
【００１５】前記炭化ケイ素焼結体に含まれる不純物元
素の総含有量が１ｐｐｍ以下であることが好ましい。
素の総含有量が１ｐｐｍ以下であることが好ましい。
【００１６】本発明によれば、炭化ケイ素粉末を焼結す
るに当たり、焼結助剤としてホウ素、アルミニウム、ベ
リリウム等の金属やその化合物である金属系焼結助剤
や、カーボンブラック、グラファイト等の炭素系焼結助
剤等は用いずに、非金属系焼結助剤のみを用いるため、
焼結体の純度が高く、また結晶粒界での異物が少なく、
熱伝導性に優れ、且つ炭化ケイ素本来の性質として炭素
材料に比し耐汚染性、耐摩耗性に優れた、各種電子デバ
イス部品の保護膜や機能性膜に適する薄膜、及び各種治
工具等の耐久性を向上させる為に有用な表面処理薄膜等
を形成しうるスパッタリングターゲット盤が提供され
る。
るに当たり、焼結助剤としてホウ素、アルミニウム、ベ
リリウム等の金属やその化合物である金属系焼結助剤
や、カーボンブラック、グラファイト等の炭素系焼結助
剤等は用いずに、非金属系焼結助剤のみを用いるため、
焼結体の純度が高く、また結晶粒界での異物が少なく、
熱伝導性に優れ、且つ炭化ケイ素本来の性質として炭素
材料に比し耐汚染性、耐摩耗性に優れた、各種電子デバ
イス部品の保護膜や機能性膜に適する薄膜、及び各種治
工具等の耐久性を向上させる為に有用な表面処理薄膜等
を形成しうるスパッタリングターゲット盤が提供され
る。
【００１７】また、炭化ケイ素粉末として、請求項５記
載の製造方法により得られた粉末を用いれば、さらに純
度が高い焼結体が得られ、不純物元素の総含有量を１ｐ
ｐｍ以下にすることが可能となる。
載の製造方法により得られた粉末を用いれば、さらに純
度が高い焼結体が得られ、不純物元素の総含有量を１ｐ
ｐｍ以下にすることが可能となる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下に、本発明をさらに詳細に説
明する。
明する。
【００１９】本発明の炭化ケイ素製スパッタリングター
ゲット盤の原料として用いられる炭化ケイ素粉末は、α
型、β型、非晶質或いはこれらの混合物等が挙げられる
が、特に、β型炭化ケイ素粉末が好適に使用される。こ
のβ型炭化ケイ素粉末のグレードには特に制限はなく、
例えば、一般に市販されているβ型炭化ケイ素粉末を用
いることができる。この炭化ケイ素粉末の粒径は、高密
度化の観点からは小さいことが好ましく、０．０１〜５
μｍ程度、さらには、０．０５〜３μｍ程度であること
が好ましい。粒径が０．０１μｍ未満であると、計量、
混合などの処理工程における取扱が困難となり、５μｍ
を超えると比表面積が小さく、即ち、隣接する粉体との
接触面積が小さくなり、高密度化が困難となるため、好
ましくない。
ゲット盤の原料として用いられる炭化ケイ素粉末は、α
型、β型、非晶質或いはこれらの混合物等が挙げられる
が、特に、β型炭化ケイ素粉末が好適に使用される。こ
のβ型炭化ケイ素粉末のグレードには特に制限はなく、
例えば、一般に市販されているβ型炭化ケイ素粉末を用
いることができる。この炭化ケイ素粉末の粒径は、高密
度化の観点からは小さいことが好ましく、０．０１〜５
μｍ程度、さらには、０．０５〜３μｍ程度であること
が好ましい。粒径が０．０１μｍ未満であると、計量、
混合などの処理工程における取扱が困難となり、５μｍ
を超えると比表面積が小さく、即ち、隣接する粉体との
接触面積が小さくなり、高密度化が困難となるため、好
ましくない。
【００２０】好適な炭化ケイ素原料粉体の態様として
は、粒径が０．０５〜１μｍ、比表面積が５ｍ2 ／ｇ以
上、遊離炭素１％以下、酸素含有量１％以下のものが好
適に用いられる。また、用いられる炭化ケイ素粉末の粒
度分布は特に制限されず、炭化ケイ素焼結体の製造時に
おいて、粉体の充填密度を向上させること及び炭化ケイ
素の反応性の観点から、２つ以上の極大値を有するもの
も使用しうる。
は、粒径が０．０５〜１μｍ、比表面積が５ｍ2 ／ｇ以
上、遊離炭素１％以下、酸素含有量１％以下のものが好
適に用いられる。また、用いられる炭化ケイ素粉末の粒
度分布は特に制限されず、炭化ケイ素焼結体の製造時に
おいて、粉体の充填密度を向上させること及び炭化ケイ
素の反応性の観点から、２つ以上の極大値を有するもの
も使用しうる。
【００２１】スパッタリングターゲット盤に用いる炭化
ケイ素焼結体は高純度であることが好ましく、高純度の
炭化ケイ素焼結体を得るためには、原料の炭化ケイ素粉
末として、高純度の炭化ケイ素粉体を用いればよい。
ケイ素焼結体は高純度であることが好ましく、高純度の
炭化ケイ素焼結体を得るためには、原料の炭化ケイ素粉
末として、高純度の炭化ケイ素粉体を用いればよい。
【００２２】高純度の炭化ケイ素粉末は、例えば、少な
くとも１種以上の液状のケイ素化合物を含むケイ素源
と、加熱により炭素を生成する少なくとも１種以上の液
状の有機化合物を含む炭素源と、重合又は架橋触媒と、
を均質に混合して得られた固形物を非酸化性雰囲気下で
加熱炭化した後、さらに、非酸化性雰囲気下で焼成する
焼成工程とを含む製造方法により得ることができる。
くとも１種以上の液状のケイ素化合物を含むケイ素源
と、加熱により炭素を生成する少なくとも１種以上の液
状の有機化合物を含む炭素源と、重合又は架橋触媒と、
を均質に混合して得られた固形物を非酸化性雰囲気下で
加熱炭化した後、さらに、非酸化性雰囲気下で焼成する
焼成工程とを含む製造方法により得ることができる。
【００２３】高純度の炭化ケイ素粉末の製造に用いられ
るケイ素化合物（以下、適宜、ケイ素源と称する）とし
ては、液状のものと固体のものとを併用することができ
るが、少なくとも一種は液状のものから選ばれなくては
ならない。液状のものとしては、アルコキシシラン（モ
ノ−、ジ−、トリ−、テトラ−）及びテトラアルコキシ
シランの重合体が用いられる。アルコキシシランの中で
はテトラアルコキシシランが好適に用いられ、具体的に
は、メトキシシラン、エトキシシラン、プロポキシシラ
ン、ブトキシシラン等が挙げられるが、ハンドリングの
点からはエトキシシランが好ましい。また、テトラアル
コキシシランの重合体としては、重合度が２〜１５程度
の低分子重量合体（オリゴマー）及びさらに重合度が高
いケイ酸ポリマーで液状のものが挙げられる。これらと
併用可能な固体状のものとしては、酸化ケイ素が挙げら
れる。本発明において酸化ケイ素とは、ＳｉＯの他、シ
リカゾル（コロイド状超微細シリカ含有液、内部にＯＨ
基やアルコキシル基を含む）、二酸化ケイ素（シリカゲ
ル、微細シリカ、石英粉体）等を含む。
るケイ素化合物（以下、適宜、ケイ素源と称する）とし
ては、液状のものと固体のものとを併用することができ
るが、少なくとも一種は液状のものから選ばれなくては
ならない。液状のものとしては、アルコキシシラン（モ
ノ−、ジ−、トリ−、テトラ−）及びテトラアルコキシ
シランの重合体が用いられる。アルコキシシランの中で
はテトラアルコキシシランが好適に用いられ、具体的に
は、メトキシシラン、エトキシシラン、プロポキシシラ
ン、ブトキシシラン等が挙げられるが、ハンドリングの
点からはエトキシシランが好ましい。また、テトラアル
コキシシランの重合体としては、重合度が２〜１５程度
の低分子重量合体（オリゴマー）及びさらに重合度が高
いケイ酸ポリマーで液状のものが挙げられる。これらと
併用可能な固体状のものとしては、酸化ケイ素が挙げら
れる。本発明において酸化ケイ素とは、ＳｉＯの他、シ
リカゾル（コロイド状超微細シリカ含有液、内部にＯＨ
基やアルコキシル基を含む）、二酸化ケイ素（シリカゲ
ル、微細シリカ、石英粉体）等を含む。
【００２４】これらケイ素源のなかでも、均質性やハン
ドリング性が良好な観点から、テトラエトキシシランの
オリゴマー及びテトラエトキシシランのオリゴマーと微
粉体シリカとの混合物等が好適である。また、これらの
ケイ素源は高純度の物質が用いられ、初期の不純物含有
量が２０ｐｐｍ以下であることが好ましく、５ｐｐｍ以
下であることがさらに好ましい。
ドリング性が良好な観点から、テトラエトキシシランの
オリゴマー及びテトラエトキシシランのオリゴマーと微
粉体シリカとの混合物等が好適である。また、これらの
ケイ素源は高純度の物質が用いられ、初期の不純物含有
量が２０ｐｐｍ以下であることが好ましく、５ｐｐｍ以
下であることがさらに好ましい。
【００２５】また、炭化ケイ素粉末の製造に使用される
加熱により炭素を生成する有機化合物としては、液状の
ものの他、液状のものと固体のものとを併用して使用す
ることができ、残炭率が高く、且つ触媒若しくは加熱に
より重合又は架橋する有機化合物、例えば、フェノール
樹脂、フラン樹脂、ポリイミド、ポリウレタン、ポリビ
ニルアルコール等の樹脂のモノマーやプレポリマーが好
ましく、その他、セルロース、しょ糖、ピッチ、タール
等の液状物も用いられ、特にレゾール型フェノール樹脂
が好ましい。また、その純度は目的により適宜制御選択
が可能であるが、特に高純度の炭化ケイ素粉末が必要な
場合には、各金属を５ｐｐｍ以上含有していない有機化
合物を用いることが望ましい。
加熱により炭素を生成する有機化合物としては、液状の
ものの他、液状のものと固体のものとを併用して使用す
ることができ、残炭率が高く、且つ触媒若しくは加熱に
より重合又は架橋する有機化合物、例えば、フェノール
樹脂、フラン樹脂、ポリイミド、ポリウレタン、ポリビ
ニルアルコール等の樹脂のモノマーやプレポリマーが好
ましく、その他、セルロース、しょ糖、ピッチ、タール
等の液状物も用いられ、特にレゾール型フェノール樹脂
が好ましい。また、その純度は目的により適宜制御選択
が可能であるが、特に高純度の炭化ケイ素粉末が必要な
場合には、各金属を５ｐｐｍ以上含有していない有機化
合物を用いることが望ましい。
【００２６】本発明に使用される原料粉体である炭化ケ
イ素粉体を製造するにあたっての、炭素とケイ素の比
（以下、Ｃ／Ｓｉ比と略記）は、混合物を炭化して得ら
れる炭化物中間体を、元素分析することにより定義され
る。化学量論的には、Ｃ／Ｓｉ比が３．０の時に生成炭
化ケイ素中の遊離炭素が０％となるはずであるが、実際
には同時に生成するＳｉＯガスの揮散により低Ｃ／Ｓｉ
比において遊離炭素が発生する。この生成炭化ケイ素粉
体中の遊離炭素量が焼結体等の製造用途に適当でない量
にならないように予め配合を決定することが重要であ
る。通常、１気圧近傍で１６００℃以上での焼成では、
Ｃ／Ｓｉ比を２．０〜２．５にすると遊離炭素を抑制す
ることができ、この範囲を好適に用いることができる。
Ｃ／Ｓｉ比を２．５以上にすると遊離炭素が顕著に増加
するが、この遊離炭素は粒成長を抑制する効果を持つた
め、粒子形成の目的に応じて適宜選択しても良い。但
し、雰囲気の圧力を低圧又は高圧で焼成する場合は、純
粋な炭化ケイ素を得るためのＣ／Ｓｉ比は変動するの
で、この場合は必ずしも前記Ｃ／Ｓｉ比の範囲に限定す
るものではない。
イ素粉体を製造するにあたっての、炭素とケイ素の比
（以下、Ｃ／Ｓｉ比と略記）は、混合物を炭化して得ら
れる炭化物中間体を、元素分析することにより定義され
る。化学量論的には、Ｃ／Ｓｉ比が３．０の時に生成炭
化ケイ素中の遊離炭素が０％となるはずであるが、実際
には同時に生成するＳｉＯガスの揮散により低Ｃ／Ｓｉ
比において遊離炭素が発生する。この生成炭化ケイ素粉
体中の遊離炭素量が焼結体等の製造用途に適当でない量
にならないように予め配合を決定することが重要であ
る。通常、１気圧近傍で１６００℃以上での焼成では、
Ｃ／Ｓｉ比を２．０〜２．５にすると遊離炭素を抑制す
ることができ、この範囲を好適に用いることができる。
Ｃ／Ｓｉ比を２．５以上にすると遊離炭素が顕著に増加
するが、この遊離炭素は粒成長を抑制する効果を持つた
め、粒子形成の目的に応じて適宜選択しても良い。但
し、雰囲気の圧力を低圧又は高圧で焼成する場合は、純
粋な炭化ケイ素を得るためのＣ／Ｓｉ比は変動するの
で、この場合は必ずしも前記Ｃ／Ｓｉ比の範囲に限定す
るものではない。
【００２７】なお、遊離炭素の焼結の際の作用は、本発
明で用いられる炭化ケイ素粉体の表面に被覆された非金
属系焼結助剤に由来する炭素によるものに比較して非常
に弱いため、基本的には無視することができる。
明で用いられる炭化ケイ素粉体の表面に被覆された非金
属系焼結助剤に由来する炭素によるものに比較して非常
に弱いため、基本的には無視することができる。
【００２８】また、本発明においてケイ素源と加熱によ
り炭素を生成する有機化合物とを均質に混合した固形物
を得るために、ケイ素源と該有機化合物の混合物を硬化
させて固形物とすることも必要に応じて行われる。硬化
の方法としては、加熱により架橋する方法、硬化触媒に
より硬化する方法、電子線や放射線による方法が挙げら
れる。硬化触媒としては、炭素源に応じて適宜選択でき
るが、フェノール樹脂やフラン樹脂の場合には、トルエ
ンスルホン酸、トルエンカルボン酸、酢酸、しゅう酸、
塩酸、硫酸等の酸類、ヘキサミン等のアミン類等を用い
る。
り炭素を生成する有機化合物とを均質に混合した固形物
を得るために、ケイ素源と該有機化合物の混合物を硬化
させて固形物とすることも必要に応じて行われる。硬化
の方法としては、加熱により架橋する方法、硬化触媒に
より硬化する方法、電子線や放射線による方法が挙げら
れる。硬化触媒としては、炭素源に応じて適宜選択でき
るが、フェノール樹脂やフラン樹脂の場合には、トルエ
ンスルホン酸、トルエンカルボン酸、酢酸、しゅう酸、
塩酸、硫酸等の酸類、ヘキサミン等のアミン類等を用い
る。
【００２９】この原料混合固形物の加熱炭化は、窒素又
はアルゴン等の非酸化性雰囲気中８００℃〜１０００℃
にて３０分〜１２０分間該固形物を加熱することにより
行われる。
はアルゴン等の非酸化性雰囲気中８００℃〜１０００℃
にて３０分〜１２０分間該固形物を加熱することにより
行われる。
【００３０】さらに、この炭化物をアルゴン等の非酸化
性雰囲気中１３５０℃以上２０００℃以下で加熱するこ
とにより炭化ケイ素が生成する。焼成温度と時間は希望
する粒径等の特性に応じて適宜選択できるが、より効率
的な生成のためには１６００℃〜１９００℃での焼成が
望ましい。
性雰囲気中１３５０℃以上２０００℃以下で加熱するこ
とにより炭化ケイ素が生成する。焼成温度と時間は希望
する粒径等の特性に応じて適宜選択できるが、より効率
的な生成のためには１６００℃〜１９００℃での焼成が
望ましい。
【００３１】また、より高純度の粉体を必要とする時に
は、前述の焼成時に２０００〜２１００℃にて５〜２０
分間加熱処理を施すことにより不純物をさらに除去でき
る。
は、前述の焼成時に２０００〜２１００℃にて５〜２０
分間加熱処理を施すことにより不純物をさらに除去でき
る。
【００３２】以上より、特に高純度の炭化ケイ素粉末を
得る方法としては、本願出願人が先に特願平７−２４１
８５６号として出願した単結晶の製造方法に記載された
原料粉体の製造方法、即ち、高純度のテトラアルコキシ
シラン、テトラアルコキシシラン重合体、酸化ケイ素か
ら選択される１種以上をケイ素源とし、加熱により炭素
を生成する高純度有機化合物を炭素源とし、これらを均
質に混合して得られた混合物を非酸化性雰囲気下におい
て加熱焼成して炭化ケイ素粉体を得る炭化ケイ素生成工
程と、得られた炭化ケイ素粉体を、１７００℃以上２０
００℃未満の温度に保持し、該温度の保持中に、２００
０℃〜２１００℃の温度において５〜２０分間にわたり
加熱する処理を少なくとも１回行う後処理工程とを含
み、前記２工程を行うことにより、各不純物元素の含有
量が０．５ｐｐｍ以下である炭化ケイ素粉体を得るこ
と、を特徴とする高純度炭化ケイ素粉末の製造方法等を
利用することができる。
得る方法としては、本願出願人が先に特願平７−２４１
８５６号として出願した単結晶の製造方法に記載された
原料粉体の製造方法、即ち、高純度のテトラアルコキシ
シラン、テトラアルコキシシラン重合体、酸化ケイ素か
ら選択される１種以上をケイ素源とし、加熱により炭素
を生成する高純度有機化合物を炭素源とし、これらを均
質に混合して得られた混合物を非酸化性雰囲気下におい
て加熱焼成して炭化ケイ素粉体を得る炭化ケイ素生成工
程と、得られた炭化ケイ素粉体を、１７００℃以上２０
００℃未満の温度に保持し、該温度の保持中に、２００
０℃〜２１００℃の温度において５〜２０分間にわたり
加熱する処理を少なくとも１回行う後処理工程とを含
み、前記２工程を行うことにより、各不純物元素の含有
量が０．５ｐｐｍ以下である炭化ケイ素粉体を得るこ
と、を特徴とする高純度炭化ケイ素粉末の製造方法等を
利用することができる。
【００３３】また、本発明のスパッタリングターゲット
盤に好適に使用し得る炭化ケイ素焼結体を製造するにあ
たって、前記炭化ケイ素粉末と混合されて用いられる非
金属系焼結助剤としては、加熱により炭素を生成する、
所謂炭素源と称される物質が用いられ、加熱により炭素
を生成する有機化合物又はこれらで表面を被覆された炭
化ケイ素粉末（粒径：０．０１〜１μｍ程度）が挙げら
れ、効果の観点からは前者が好ましい。
盤に好適に使用し得る炭化ケイ素焼結体を製造するにあ
たって、前記炭化ケイ素粉末と混合されて用いられる非
金属系焼結助剤としては、加熱により炭素を生成する、
所謂炭素源と称される物質が用いられ、加熱により炭素
を生成する有機化合物又はこれらで表面を被覆された炭
化ケイ素粉末（粒径：０．０１〜１μｍ程度）が挙げら
れ、効果の観点からは前者が好ましい。
【００３４】また、本発明において、前記炭化ケイ素粉
末と混合される、加熱により炭素を生成する有機化合物
（以下、適宜、炭素源と称する）として用いられる物質
は、従来の焼結助剤に代えて、非金属系焼結助剤として
添加されることにより反応を促進させる機能を有する物
質であり、具体的には、残炭率の高いコールタールピッ
チ、フェノール樹脂、フラン樹脂、エポキシ樹脂、フェ
ノキシ樹脂やグルコース等の単糖類、蔗糖等の少糖類、
セルロース、デンプン等の多糖類などの等の各種糖類が
挙げられる。これらは炭化ケイ素粉末と均質に混合する
という目的から、常温で液状のもの、溶媒に溶解するも
の、熱可塑性或いは熱融解性のように加熱することによ
り軟化するもの或いは液状となるものが好適に用いられ
るが、なかでも、得られる成形体の強度が高いフェノー
ル樹脂、特に、レゾール型フェノール樹脂が好適であ
る。
末と混合される、加熱により炭素を生成する有機化合物
（以下、適宜、炭素源と称する）として用いられる物質
は、従来の焼結助剤に代えて、非金属系焼結助剤として
添加されることにより反応を促進させる機能を有する物
質であり、具体的には、残炭率の高いコールタールピッ
チ、フェノール樹脂、フラン樹脂、エポキシ樹脂、フェ
ノキシ樹脂やグルコース等の単糖類、蔗糖等の少糖類、
セルロース、デンプン等の多糖類などの等の各種糖類が
挙げられる。これらは炭化ケイ素粉末と均質に混合する
という目的から、常温で液状のもの、溶媒に溶解するも
の、熱可塑性或いは熱融解性のように加熱することによ
り軟化するもの或いは液状となるものが好適に用いられ
るが、なかでも、得られる成形体の強度が高いフェノー
ル樹脂、特に、レゾール型フェノール樹脂が好適であ
る。
【００３５】この有機化合物は加熱されると粒子表面
（近傍）においてカーボンブラックやグラファイトの如
き無機炭素系化合物を生成し、焼結中に炭化ケイ素の表
面酸化被膜を効率的に除去する焼結助剤として有効に作
用すると考えられる。なお、カーボンブラックやグラフ
ァイト粉末等従来より炭素系焼結助剤として知られてい
るものを焼結助剤として添加しても、前記非金属系焼結
助剤を添加して得られるような本発明の効果を達成する
ことはできない。
（近傍）においてカーボンブラックやグラファイトの如
き無機炭素系化合物を生成し、焼結中に炭化ケイ素の表
面酸化被膜を効率的に除去する焼結助剤として有効に作
用すると考えられる。なお、カーボンブラックやグラフ
ァイト粉末等従来より炭素系焼結助剤として知られてい
るものを焼結助剤として添加しても、前記非金属系焼結
助剤を添加して得られるような本発明の効果を達成する
ことはできない。
【００３６】本発明において、炭化ケイ素粉末と非金属
系焼結助剤との混合物を得る際に、非金属系焼結助剤を
溶媒に溶解又は分散させて混合することが好ましい。溶
媒は、非金属系焼結助剤として使用する化合物に対して
好適なもの、具体的には、好適な加熱により炭素を生成
する有機化合物であるフェノール樹脂に対しては、エチ
ルアルコール等の低級アルコール類やエチルエーテル、
アセトン等を選択することができる。また、この非金属
系焼結助剤及び溶媒についても不純物の含有量が低いも
のを使用することが好ましい。
系焼結助剤との混合物を得る際に、非金属系焼結助剤を
溶媒に溶解又は分散させて混合することが好ましい。溶
媒は、非金属系焼結助剤として使用する化合物に対して
好適なもの、具体的には、好適な加熱により炭素を生成
する有機化合物であるフェノール樹脂に対しては、エチ
ルアルコール等の低級アルコール類やエチルエーテル、
アセトン等を選択することができる。また、この非金属
系焼結助剤及び溶媒についても不純物の含有量が低いも
のを使用することが好ましい。
【００３７】炭化ケイ素粉末と混合される非金属系焼結
助剤の添加量は少なすぎると焼結体の密度が上がらず、
多過ぎると焼結体に含まれる遊離炭素が増加するため高
密度化を阻害する虞があるため、使用する非金属系焼結
助剤の種類にもよるが、一般的には、１０重量％以下、
好ましくは２〜５重量％となるように添加量を調整する
ことが好ましい。この量は、予め炭化ケイ素粉末の表面
のシリカ（酸化ケイ素）量をフッ酸を用いて定量し、化
学量論的にその還元に充分な量を計算することにより決
定することができる。
助剤の添加量は少なすぎると焼結体の密度が上がらず、
多過ぎると焼結体に含まれる遊離炭素が増加するため高
密度化を阻害する虞があるため、使用する非金属系焼結
助剤の種類にもよるが、一般的には、１０重量％以下、
好ましくは２〜５重量％となるように添加量を調整する
ことが好ましい。この量は、予め炭化ケイ素粉末の表面
のシリカ（酸化ケイ素）量をフッ酸を用いて定量し、化
学量論的にその還元に充分な量を計算することにより決
定することができる。
【００３８】なお、ここでいう炭素としての添加量と
は、上記の方法により定量されたシリカが非金属系焼結
助剤に由来する炭素で、下記の化学反応式により還元さ
れるものとし非金属系焼結助剤の熱分解後の残炭率（非
金属系焼結助剤中で炭素を生成する割合）などを考慮し
て得られる値である。
は、上記の方法により定量されたシリカが非金属系焼結
助剤に由来する炭素で、下記の化学反応式により還元さ
れるものとし非金属系焼結助剤の熱分解後の残炭率（非
金属系焼結助剤中で炭素を生成する割合）などを考慮し
て得られる値である。
【００３９】
【化１】ＳｉＯ2 ＋ ３Ｃ → ＳｉＣ ＋ ２ＣＯ また、本発明に係る炭化ケイ素焼結体においては、炭化
ケイ素焼結体中に含まれる炭化ケイ素に由来する炭素原
子及び非金属系焼結助剤に由来する炭素原子の合計が３
０重量％を超え、４０重量％以下であることが好まし
い。含有量が３０重量％以下であると、焼結体中に含ま
れる不純物の割合が多くなり、４０重量％を超えると炭
素含有量が多くなり得られる焼結体の密度が低下し、焼
結体の強度、耐酸化性等の諸特性が悪化するため好まし
くない。
ケイ素焼結体中に含まれる炭化ケイ素に由来する炭素原
子及び非金属系焼結助剤に由来する炭素原子の合計が３
０重量％を超え、４０重量％以下であることが好まし
い。含有量が３０重量％以下であると、焼結体中に含ま
れる不純物の割合が多くなり、４０重量％を超えると炭
素含有量が多くなり得られる焼結体の密度が低下し、焼
結体の強度、耐酸化性等の諸特性が悪化するため好まし
くない。
【００４０】本発明に係わる炭化ケイ素焼結体を製造す
るにあたって、まず、炭化ケイ素粉末と、非金属系焼結
助剤とを均質に混合するが、前述の如く、非金属系焼結
助剤であるフェノール樹脂をエチルアルコールなどの溶
媒に溶解し、炭化ケイ素粉末と十分に混合する。混合は
公知の混合手段、例えば、ミキサー、遊星ボールミルな
どによって行うことができる。混合は、１０〜３０時
間、特に、１６〜２４時間にわたって行うことが好まし
い。十分に混合した後は、溶媒の物性に適合する温度、
例えば、先に挙げたエチルアルコールの場合には５０〜
６０℃の温度、で溶媒を除去し、混合物を蒸発乾固させ
たのち、篩にかけて混合物の原料粉体を得る。なお、高
純度化の観点からは、ボールミル容器及びボールの材質
を金属をなるべく含まない合成樹脂にする必要がある。
また、乾燥にあたっては、スプレードライヤーなどの造
粒装置を用いてもよい。
るにあたって、まず、炭化ケイ素粉末と、非金属系焼結
助剤とを均質に混合するが、前述の如く、非金属系焼結
助剤であるフェノール樹脂をエチルアルコールなどの溶
媒に溶解し、炭化ケイ素粉末と十分に混合する。混合は
公知の混合手段、例えば、ミキサー、遊星ボールミルな
どによって行うことができる。混合は、１０〜３０時
間、特に、１６〜２４時間にわたって行うことが好まし
い。十分に混合した後は、溶媒の物性に適合する温度、
例えば、先に挙げたエチルアルコールの場合には５０〜
６０℃の温度、で溶媒を除去し、混合物を蒸発乾固させ
たのち、篩にかけて混合物の原料粉体を得る。なお、高
純度化の観点からは、ボールミル容器及びボールの材質
を金属をなるべく含まない合成樹脂にする必要がある。
また、乾燥にあたっては、スプレードライヤーなどの造
粒装置を用いてもよい。
【００４１】本発明のスパッタリングターゲット盤を製
造する製造方法において必須の工程である焼結工程は、
粉体の混合物又は後記の成形工程により得られた粉体の
混合物の成形体を、温度２０００〜２４００℃、圧力３
００〜７００ｋｇｆ／ｃｍ2、非酸化性雰囲気下で成形
金型中に配置し、ホットプレスする工程である。
造する製造方法において必須の工程である焼結工程は、
粉体の混合物又は後記の成形工程により得られた粉体の
混合物の成形体を、温度２０００〜２４００℃、圧力３
００〜７００ｋｇｆ／ｃｍ2、非酸化性雰囲気下で成形
金型中に配置し、ホットプレスする工程である。
【００４２】ここで使用する成形金型は、得られる焼結
体の純度の観点から、成形体と金型の金属部とが直接接
触しないように、型の一部又は全部に黒鉛製等の材料を
使用するか、金型内にテフロンシート等を介在させるこ
とが好ましい。
体の純度の観点から、成形体と金型の金属部とが直接接
触しないように、型の一部又は全部に黒鉛製等の材料を
使用するか、金型内にテフロンシート等を介在させるこ
とが好ましい。
【００４３】本発明においてホットプレスの圧力は３０
０〜７００ｋｇｆ／ｃｍ2 の条件で加圧ことができる
が、特に、４００ｋｇｆ／ｃｍ2 以上の加圧した場合に
は、ここで使用するホットプレス部品、例えば、ダイ
ス、パンチ等は耐圧性の良好なものを選択する必要があ
る。
０〜７００ｋｇｆ／ｃｍ2 の条件で加圧ことができる
が、特に、４００ｋｇｆ／ｃｍ2 以上の加圧した場合に
は、ここで使用するホットプレス部品、例えば、ダイ
ス、パンチ等は耐圧性の良好なものを選択する必要があ
る。
【００４４】ここで、焼結工程を詳細に説明するが、焼
結体を製造するためのホットプレス工程の前に以下の条
件で加熱、昇温を行って不純物を十分に除去し、炭素源
の炭化を完全に行わせしめた後、前記条件のホットプレ
ス加工を行うことが好ましい。
結体を製造するためのホットプレス工程の前に以下の条
件で加熱、昇温を行って不純物を十分に除去し、炭素源
の炭化を完全に行わせしめた後、前記条件のホットプレ
ス加工を行うことが好ましい。
【００４５】即ち、以下の２段階の昇温工程を行うこと
が好ましい。まず、炉内を真空下、室温から７００℃に
至るまで、緩やかに加熱する。ここで、高温炉の温度制
御が困難な場合には、７００℃まで昇温を連続的に行っ
てもよいが、好ましくは、炉内を１０-4ｔｏｒｒにし
て、室温から２００℃まで緩やかに昇温し、該温度にお
いて一定時間保持する。その後、さらに緩やかに昇温を
続け、７００℃まで加熱する。さらに７００℃前後の温
度にて一定時間保持する。この第１の昇温工程におい
て、吸着水分や結合剤の分解が行われ、炭素源の熱分解
による炭化が行われる。２００℃前後或いは７００℃前
後の温度に保持する時間は結合剤の種類、焼結体のサイ
ズによって好適な範囲が選択される。保持時間が十分で
あるか否かは真空度の低下がある程度少なくなる時点を
めやすにすることができる。この段階で急激な加熱を行
うと、不純物の除去や炭素源の炭化が十分に行われず、
成形体に亀裂や空孔を生じさせる虞があるため好ましく
ない。
が好ましい。まず、炉内を真空下、室温から７００℃に
至るまで、緩やかに加熱する。ここで、高温炉の温度制
御が困難な場合には、７００℃まで昇温を連続的に行っ
てもよいが、好ましくは、炉内を１０-4ｔｏｒｒにし
て、室温から２００℃まで緩やかに昇温し、該温度にお
いて一定時間保持する。その後、さらに緩やかに昇温を
続け、７００℃まで加熱する。さらに７００℃前後の温
度にて一定時間保持する。この第１の昇温工程におい
て、吸着水分や結合剤の分解が行われ、炭素源の熱分解
による炭化が行われる。２００℃前後或いは７００℃前
後の温度に保持する時間は結合剤の種類、焼結体のサイ
ズによって好適な範囲が選択される。保持時間が十分で
あるか否かは真空度の低下がある程度少なくなる時点を
めやすにすることができる。この段階で急激な加熱を行
うと、不純物の除去や炭素源の炭化が十分に行われず、
成形体に亀裂や空孔を生じさせる虞があるため好ましく
ない。
【００４６】一例を挙げれば、５〜１０ｇ程度の試料に
関しては、１０-4ｔｏｒｒにして、室温から２００℃ま
で緩やかに昇温し、該温度において約３０分間保持し、
その後、さらに緩やかに昇温を続け、７００℃まで加熱
するが、室温から７００℃に至るまでの時間は６〜１０
時間程度、好ましくは８時間前後である。さらに７００
℃前後の温度にて２〜５時間程度保持することが好まし
い。
関しては、１０-4ｔｏｒｒにして、室温から２００℃ま
で緩やかに昇温し、該温度において約３０分間保持し、
その後、さらに緩やかに昇温を続け、７００℃まで加熱
するが、室温から７００℃に至るまでの時間は６〜１０
時間程度、好ましくは８時間前後である。さらに７００
℃前後の温度にて２〜５時間程度保持することが好まし
い。
【００４７】真空中で、さらに７００℃から１５００℃
に至るまで、前記の条件であれば６〜９時間ほどかけて
昇温し、１５００℃の温度で１〜５時間ほど保持する。
この工程では二酸化ケイ素、酸化ケイ素の還元反応が行
われると考えられる。ケイ素と結合した酸素を除去する
ため、この還元反応を十分に完結させることが重要であ
り、１５００℃の温度における保持時間は、この還元反
応による副生物である一酸化炭素の発生が完了するま
で、即ち、真空度の低下が少なくなり、還元反応開始前
の温度である１３００℃付近における真空度に回復する
まで、行うことが必要である。この第２の昇温工程にお
ける還元反応により、炭化ケイ素粉体表面に付着して緻
密化を阻害し、大粒成長の原因となる二酸化ケイ素が除
去される。この還元反応中に発生するＳｉＯ、ＣＯを含
む気体は不純物元素を伴っているが、真空ポンプにより
これらの発生気体が反応炉へ絶えず排出され、除去され
るため、高純度化の観点からもこの温度保持を十分に行
うことが好ましい。
に至るまで、前記の条件であれば６〜９時間ほどかけて
昇温し、１５００℃の温度で１〜５時間ほど保持する。
この工程では二酸化ケイ素、酸化ケイ素の還元反応が行
われると考えられる。ケイ素と結合した酸素を除去する
ため、この還元反応を十分に完結させることが重要であ
り、１５００℃の温度における保持時間は、この還元反
応による副生物である一酸化炭素の発生が完了するま
で、即ち、真空度の低下が少なくなり、還元反応開始前
の温度である１３００℃付近における真空度に回復する
まで、行うことが必要である。この第２の昇温工程にお
ける還元反応により、炭化ケイ素粉体表面に付着して緻
密化を阻害し、大粒成長の原因となる二酸化ケイ素が除
去される。この還元反応中に発生するＳｉＯ、ＣＯを含
む気体は不純物元素を伴っているが、真空ポンプにより
これらの発生気体が反応炉へ絶えず排出され、除去され
るため、高純度化の観点からもこの温度保持を十分に行
うことが好ましい。
【００４８】これらの昇温工程が終了した後に、高圧ホ
ットプレスを行うことが好ましい。温度が１５００℃よ
り高温に上昇すると焼結が開始するが、その際、異常粒
成長を押さえるために３００〜７００ｋｇｆ／ｃｍ2 程
度までをめやすとして加圧を開始する。その後、炉内を
非酸化性雰囲気とするために不活性ガスを導入する。こ
の不活性ガスとしては、窒素あるいは、アルゴンなどを
用いるが、高温においても非反応性であることから、ア
ルゴンガスを用いることが望ましい。
ットプレスを行うことが好ましい。温度が１５００℃よ
り高温に上昇すると焼結が開始するが、その際、異常粒
成長を押さえるために３００〜７００ｋｇｆ／ｃｍ2 程
度までをめやすとして加圧を開始する。その後、炉内を
非酸化性雰囲気とするために不活性ガスを導入する。こ
の不活性ガスとしては、窒素あるいは、アルゴンなどを
用いるが、高温においても非反応性であることから、ア
ルゴンガスを用いることが望ましい。
【００４９】炉内を非酸化性雰囲気とした後、温度を２
０００〜２４００℃、圧力３００〜７００ｋｇｆ／ｃｍ
2 となるように加熱、加圧をおこなう。プレス時の圧力
は原料粉体の粒径によって選択することができ、原料粉
体の粒径が小さいものは加圧時の圧力が比較的小さくて
も好適な焼結体が得られる。また、ここで１５００℃か
ら最高温度である２０００〜２４００℃までへの昇温は
２〜４時間かけて行うが、焼結は１８５０〜１９００℃
で急速に進行する。さらに、この最高温度で１〜３時間
保持し、焼結を完了する。
０００〜２４００℃、圧力３００〜７００ｋｇｆ／ｃｍ
2 となるように加熱、加圧をおこなう。プレス時の圧力
は原料粉体の粒径によって選択することができ、原料粉
体の粒径が小さいものは加圧時の圧力が比較的小さくて
も好適な焼結体が得られる。また、ここで１５００℃か
ら最高温度である２０００〜２４００℃までへの昇温は
２〜４時間かけて行うが、焼結は１８５０〜１９００℃
で急速に進行する。さらに、この最高温度で１〜３時間
保持し、焼結を完了する。
【００５０】ここで最高温度が２０００℃未満であると
高密度化が不十分となり、２４００℃を超えると成形体
原料が昇華（分解）する虞があるため好ましくない。ま
た、加圧条件が５００ｋｇｆ／ｃｍ2 未満であると高密
度化が不十分となり、７００ｋｇｆ／ｃｍ2 を超えると
黒鉛型などの成形型の破損の原因となり、製造の効率か
ら好ましくない。
高密度化が不十分となり、２４００℃を超えると成形体
原料が昇華（分解）する虞があるため好ましくない。ま
た、加圧条件が５００ｋｇｆ／ｃｍ2 未満であると高密
度化が不十分となり、７００ｋｇｆ／ｃｍ2 を超えると
黒鉛型などの成形型の破損の原因となり、製造の効率か
ら好ましくない。
【００５１】この焼結工程においても、得られる焼結体
の純度保持の観点から、ここで用いられる黒鉛型や加熱
炉の断熱材等は、高純度の黒鉛原料を用いることが好ま
しく、黒鉛原料は高純度処理されたものが用いられる
が、具体的には、２５００℃以上の温度で予め十分ベー
キングされ、焼結温度で不純物の発生がないものが望ま
しい。さらに、使用する不活性ガスについても、不純物
が少ない高純度品を使用することが好ましい。
の純度保持の観点から、ここで用いられる黒鉛型や加熱
炉の断熱材等は、高純度の黒鉛原料を用いることが好ま
しく、黒鉛原料は高純度処理されたものが用いられる
が、具体的には、２５００℃以上の温度で予め十分ベー
キングされ、焼結温度で不純物の発生がないものが望ま
しい。さらに、使用する不活性ガスについても、不純物
が少ない高純度品を使用することが好ましい。
【００５２】本発明では、前記焼結工程を行うことによ
り優れた特性を有する炭化ケイ素焼結体が得られるが、
最終的に得られる焼結体の高密度化の観点から、この焼
結工程に先立って以下に述べる成形工程を実施してもよ
い。以下にこの焼結工程に先立って行うことができる成
形工程について説明する。ここで、成形工程とは、炭化
ケイ素粉末と、炭素源とを均質に混合して得られた原料
粉体を成形金型内に配置し、８０〜３００℃の温度範囲
で、５〜６０分間にわたり加熱、加圧して予め成形体を
調整する工程である。ここで、原料粉体の金型への充填
は極力密に行うことが、最終的な焼結体の高密度化の観
点から好ましい。この成形工程を行うと、ホットプレス
のために試料を充填する際に嵩のある粉体を予めコンパ
クトになしうるので、繰り返しにより高密度の成形体や
厚みの大きい成形体を製造し易くなる。
り優れた特性を有する炭化ケイ素焼結体が得られるが、
最終的に得られる焼結体の高密度化の観点から、この焼
結工程に先立って以下に述べる成形工程を実施してもよ
い。以下にこの焼結工程に先立って行うことができる成
形工程について説明する。ここで、成形工程とは、炭化
ケイ素粉末と、炭素源とを均質に混合して得られた原料
粉体を成形金型内に配置し、８０〜３００℃の温度範囲
で、５〜６０分間にわたり加熱、加圧して予め成形体を
調整する工程である。ここで、原料粉体の金型への充填
は極力密に行うことが、最終的な焼結体の高密度化の観
点から好ましい。この成形工程を行うと、ホットプレス
のために試料を充填する際に嵩のある粉体を予めコンパ
クトになしうるので、繰り返しにより高密度の成形体や
厚みの大きい成形体を製造し易くなる。
【００５３】加熱温度は、８０〜３００℃、好ましくは
１２０〜１４０℃の範囲、圧力６０〜１００ｋｇｆ／ｃ
ｍ2 の範囲で、充填された原料粉体の密度を１．５ｇ／
ｃｍ 3 以上、好ましくは、１．９ｇ／ｃｍ3 以上とする
ようにプレスして、加圧状態で５〜６０分間、好ましく
は２０〜４０分間保持して原料粉体からなる成形体を得
る。ここで成形体の密度は、粉体の平均粒径が小さくな
る程高密度にしにくくなり、高密度化するためには成形
金型内に配置する際に振動充填等の方法をとることが好
ましい。具体的には、平均粒径が１μｍ程度の粉体では
密度が１．８ｇ／ｃｍ3 以上、平均粒径が０．５μｍ程
度の粉体では密度が１．５ｇ／ｃｍ3 以上であることが
より好ましい。それぞれの粒径において密度が１．５ｇ
／ｃｍ3又は１．８ｇ／ｃｍ3 未満であると、最終的に
得られる焼結体の高密度化が困難となる。
１２０〜１４０℃の範囲、圧力６０〜１００ｋｇｆ／ｃ
ｍ2 の範囲で、充填された原料粉体の密度を１．５ｇ／
ｃｍ 3 以上、好ましくは、１．９ｇ／ｃｍ3 以上とする
ようにプレスして、加圧状態で５〜６０分間、好ましく
は２０〜４０分間保持して原料粉体からなる成形体を得
る。ここで成形体の密度は、粉体の平均粒径が小さくな
る程高密度にしにくくなり、高密度化するためには成形
金型内に配置する際に振動充填等の方法をとることが好
ましい。具体的には、平均粒径が１μｍ程度の粉体では
密度が１．８ｇ／ｃｍ3 以上、平均粒径が０．５μｍ程
度の粉体では密度が１．５ｇ／ｃｍ3 以上であることが
より好ましい。それぞれの粒径において密度が１．５ｇ
／ｃｍ3又は１．８ｇ／ｃｍ3 未満であると、最終的に
得られる焼結体の高密度化が困難となる。
【００５４】この成形体は、次の焼結工程に付す前に、
予め用いるホットプレス型に適合するように切削加工を
行うことができる。この成形体を前記の温度２０００〜
２４００℃、圧力３００〜７００ｋｇｆ／ｃｍ2 、非酸
化性雰囲気下で成形金型中に配置し、ホットプレスする
工程即ち焼成工程に付して、高密度、高純度の炭化ケイ
素焼結体を得るものである。
予め用いるホットプレス型に適合するように切削加工を
行うことができる。この成形体を前記の温度２０００〜
２４００℃、圧力３００〜７００ｋｇｆ／ｃｍ2 、非酸
化性雰囲気下で成形金型中に配置し、ホットプレスする
工程即ち焼成工程に付して、高密度、高純度の炭化ケイ
素焼結体を得るものである。
【００５５】以上により生成した炭化ケイ素焼結体は、
十分に高密度化されており、密度は２．９ｇ／ｃｍ3 以
上である。得られた焼結体の密度が２．９ｇ／ｃｍ3 未
満であると、曲げ強度、破壊強度などの力学的特性や電
気的な物性が低下し、さらに、パーティクルが増大し、
汚染性が悪化するため好ましくない。炭化ケイ素焼結体
の密度は、３．０ｇ／ｃｍ3 以上であることがより好ま
しい。
十分に高密度化されており、密度は２．９ｇ／ｃｍ3 以
上である。得られた焼結体の密度が２．９ｇ／ｃｍ3 未
満であると、曲げ強度、破壊強度などの力学的特性や電
気的な物性が低下し、さらに、パーティクルが増大し、
汚染性が悪化するため好ましくない。炭化ケイ素焼結体
の密度は、３．０ｇ／ｃｍ3 以上であることがより好ま
しい。
【００５６】また、得られた焼結体が多孔質体である
と、耐熱性、耐酸化性、耐薬品性や機械強度に劣る、洗
浄が困難である、微小割れが生じて微小片が汚染物質と
なる、ガス透過性を有する等の物性的に劣る点を有する
ことになり、用途が限定されるなどの問題点も生じてく
る。
と、耐熱性、耐酸化性、耐薬品性や機械強度に劣る、洗
浄が困難である、微小割れが生じて微小片が汚染物質と
なる、ガス透過性を有する等の物性的に劣る点を有する
ことになり、用途が限定されるなどの問題点も生じてく
る。
【００５７】本発明で得られる炭化ケイ素焼結体の不純
物元素の総含有量は、５ｐｐｍ以下、好ましくは３ｐｐ
ｍ以下、より好ましくは１ｐｐｍ以下であるが、例え
ば、電子部品又は半導体工業分野への適用の観点から
は、これらの化学的な分析による不純物含有量は参考値
としての意味を有するに過ぎない。実用的には、不純物
が均一に分布しているか、局所的に偏在しているかによ
っても、評価が異なってくる。例えば、半導体工業での
当業者は一般的に実用装置を用いて所定の加熱条件のも
とで不純物がどの程度ウェハを汚染するかを種々の手段
により評価している。なお、液状のケイ素化合物と、加
熱により炭素を生成する液状の有機化合物と、重合又は
架橋触媒と、を均質に混合して得られた固形物を非酸化
性雰囲気下で加熱炭化した後、さらに、非酸化性雰囲気
下で焼成する焼成工程とを含む製造方法によれば、炭化
ケイ素焼結体の不純物元素の総含有量を１ｐｐｍ以下に
することができる。ここで不純物元素とは、１９８９年
ＩＵＰＡＣ無機化学命名法改訂版の周期律表における１
族から１６族元素に属し、且つ、原子番号３以上であ
り、原子番号６〜８及び同１４〜１６の元素を除く元素
をいう。
物元素の総含有量は、５ｐｐｍ以下、好ましくは３ｐｐ
ｍ以下、より好ましくは１ｐｐｍ以下であるが、例え
ば、電子部品又は半導体工業分野への適用の観点から
は、これらの化学的な分析による不純物含有量は参考値
としての意味を有するに過ぎない。実用的には、不純物
が均一に分布しているか、局所的に偏在しているかによ
っても、評価が異なってくる。例えば、半導体工業での
当業者は一般的に実用装置を用いて所定の加熱条件のも
とで不純物がどの程度ウェハを汚染するかを種々の手段
により評価している。なお、液状のケイ素化合物と、加
熱により炭素を生成する液状の有機化合物と、重合又は
架橋触媒と、を均質に混合して得られた固形物を非酸化
性雰囲気下で加熱炭化した後、さらに、非酸化性雰囲気
下で焼成する焼成工程とを含む製造方法によれば、炭化
ケイ素焼結体の不純物元素の総含有量を１ｐｐｍ以下に
することができる。ここで不純物元素とは、１９８９年
ＩＵＰＡＣ無機化学命名法改訂版の周期律表における１
族から１６族元素に属し、且つ、原子番号３以上であ
り、原子番号６〜８及び同１４〜１６の元素を除く元素
をいう。
【００５８】その他、本発明で得られる炭化ケイ素焼結
体の好ましい物性について検討するに、例えば、室温に
おける曲げ強度は５０．０〜６５．０ｋｇｆ／ｍｍ2 、
１５００℃における曲げ強度は５５．０〜８０．０ｋｇ
ｆ／ｍｍ2 、ヤング率は３．５×１０4 〜４．５×１０
4 、ビッカース硬度は２０００ｋｇｆ／ｍｍ2 以上、ポ
アソン比は０．１４〜０．２１、熱膨張係数は３．８×
１０-6〜４．２×１０ -6（℃-1）、熱伝導率は１５０Ｗ
／ｍ・ｋ以上、比熱は０．１５〜０．１８ｃａｌ／ｇ・
℃、耐熱衝撃性は５００〜７００ΔＴ℃、体積抵抗率は
１Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。
体の好ましい物性について検討するに、例えば、室温に
おける曲げ強度は５０．０〜６５．０ｋｇｆ／ｍｍ2 、
１５００℃における曲げ強度は５５．０〜８０．０ｋｇ
ｆ／ｍｍ2 、ヤング率は３．５×１０4 〜４．５×１０
4 、ビッカース硬度は２０００ｋｇｆ／ｍｍ2 以上、ポ
アソン比は０．１４〜０．２１、熱膨張係数は３．８×
１０-6〜４．２×１０ -6（℃-1）、熱伝導率は１５０Ｗ
／ｍ・ｋ以上、比熱は０．１５〜０．１８ｃａｌ／ｇ・
℃、耐熱衝撃性は５００〜７００ΔＴ℃、体積抵抗率は
１Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。
【００５９】上記の製造方法により得られた焼結体は、
使用目的に合わせて、加工、研磨、洗浄等の処理を行な
われ、スパッタリングターゲット盤への使用に供され
る。
使用目的に合わせて、加工、研磨、洗浄等の処理を行な
われ、スパッタリングターゲット盤への使用に供され
る。
【００６０】上記の本発明のスパッタリングターゲット
盤を製造する方法においては、前記加熱条件を満たしう
るものであれば、特に製造装置等に制限はなく、焼結用
の型の耐圧性を考慮すれば、公知の加熱炉内や反応装置
を使用することができる。
盤を製造する方法においては、前記加熱条件を満たしう
るものであれば、特に製造装置等に制限はなく、焼結用
の型の耐圧性を考慮すれば、公知の加熱炉内や反応装置
を使用することができる。
【００６１】本発明の原料粉体である炭化ケイ素粉体及
び原料粉体を製造するためのケイ素源と炭素源、さら
に、非酸化性雰囲気とするために用いられる不活性ガ
ス、それぞれの純度は、各不純物元素含有量５ｐｐｍ以
下であることが好ましいが、加熱、焼結工程における純
化の許容範囲内であれば必ずしもこれに限定するもので
はない。また、その際、上記原料は、得られる炭化ケイ
素焼結体の所望の純度に応じて、適当な純度の物質を選
択する必要がある。ここで不純物元素とは、１９８９年
ＩＵＰＡＣ無機化学命名法改訂版の周期律表における１
族から１６族元素に属し、且つ、原子番号３以上であ
り、原子番号６〜８及び同１４の元素を除く元素をい
う。
び原料粉体を製造するためのケイ素源と炭素源、さら
に、非酸化性雰囲気とするために用いられる不活性ガ
ス、それぞれの純度は、各不純物元素含有量５ｐｐｍ以
下であることが好ましいが、加熱、焼結工程における純
化の許容範囲内であれば必ずしもこれに限定するもので
はない。また、その際、上記原料は、得られる炭化ケイ
素焼結体の所望の純度に応じて、適当な純度の物質を選
択する必要がある。ここで不純物元素とは、１９８９年
ＩＵＰＡＣ無機化学命名法改訂版の周期律表における１
族から１６族元素に属し、且つ、原子番号３以上であ
り、原子番号６〜８及び同１４の元素を除く元素をい
う。
【００６２】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明
するが、本発明の主旨を超えない限り本実施例に限定さ
れるものではない。
するが、本発明の主旨を超えない限り本実施例に限定さ
れるものではない。
【００６３】（実施例１）成形体の製造 市販のβ型炭化ケイ素粉体（Ｇｒａｄｅ Ｂ−ＨＰ、
Ｈ．Ｃ．シュタルク社製、平均粒径２μｍ）１４１０ｇ
と含水率２０％の高純度液体レゾール型フェノール樹脂
９０ｇをエタノール２０００ｇに溶解したものとを、遊
星ボールミルで１８時間攪拌し、十分に混合した。その
後、５０〜６０℃に加温してエタノールを蒸発乾固さ
せ、５００μｍの篩にかけて均質な炭化ケイ素原料粉体
を得た。この原料粉体１０００ｇを金型に充填し１３０
℃で２０分間プレスして、密度２．２ｇ／ｃｍ3 の成形
体を得た。
Ｈ．Ｃ．シュタルク社製、平均粒径２μｍ）１４１０ｇ
と含水率２０％の高純度液体レゾール型フェノール樹脂
９０ｇをエタノール２０００ｇに溶解したものとを、遊
星ボールミルで１８時間攪拌し、十分に混合した。その
後、５０〜６０℃に加温してエタノールを蒸発乾固さ
せ、５００μｍの篩にかけて均質な炭化ケイ素原料粉体
を得た。この原料粉体１０００ｇを金型に充填し１３０
℃で２０分間プレスして、密度２．２ｇ／ｃｍ3 の成形
体を得た。
【００６４】焼結体の製造 この成形体を黒鉛製型に入れ、以下の条件でホットプレ
スを行った。ホットプレス装置としては、高周波誘導加
熱式１００ｔホットプレスを用いた。（焼結工程の条
件）１０-5〜１０-4ｔｏｒｒの真空条件下で、室温から
７００℃まで６時間かけて昇温し、５時間その温度に保
持した。（第１の昇温工程） 真空条件下で、７００℃〜１２００℃まで３時間で昇温
し、さらに、１２００℃〜１５００℃まで３時間で昇温
し、１時間その温度に保持した。（第２の昇温工程） さらに、５００ｋｇｆ／ｃｍ2 の圧力で加圧し、アルゴ
ン雰囲気下にて１５００℃〜２２００℃まで３時間で昇
温し、１時間その温度に保持した。（ホットプレス工
程） （実施例２）高純度炭化ケイ素粉末の製造 シリカ含有率４０％の高純度エチルシリケートオリゴマ
ー６８００ｇと含水率２０％の高純度液体レゾール型フ
ェノール樹脂３０５０ｇを混合し、触媒として高純度ト
ルエンスルホン酸２８％水溶液１３７０ｇを加えて硬化
乾燥し、均質な樹脂状固形物を得た。これを窒素雰囲気
下９００℃で１時間炭化させた。得られた炭化物のＣ／
Ｓｉは元素分析の結果２．４であった。この炭化物４０
００ｇを炭素製容器に入れ、アルゴン雰囲気下で１８５
０℃まで昇温し１０分間保持した後２０５０℃まで昇温
して５分間保持してから降温して平均粒径１．３μｍの
粉末を得た。不純物含有量は各元素０．５ｐｐｍ以下と
なった。
スを行った。ホットプレス装置としては、高周波誘導加
熱式１００ｔホットプレスを用いた。（焼結工程の条
件）１０-5〜１０-4ｔｏｒｒの真空条件下で、室温から
７００℃まで６時間かけて昇温し、５時間その温度に保
持した。（第１の昇温工程） 真空条件下で、７００℃〜１２００℃まで３時間で昇温
し、さらに、１２００℃〜１５００℃まで３時間で昇温
し、１時間その温度に保持した。（第２の昇温工程） さらに、５００ｋｇｆ／ｃｍ2 の圧力で加圧し、アルゴ
ン雰囲気下にて１５００℃〜２２００℃まで３時間で昇
温し、１時間その温度に保持した。（ホットプレス工
程） （実施例２）高純度炭化ケイ素粉末の製造 シリカ含有率４０％の高純度エチルシリケートオリゴマ
ー６８００ｇと含水率２０％の高純度液体レゾール型フ
ェノール樹脂３０５０ｇを混合し、触媒として高純度ト
ルエンスルホン酸２８％水溶液１３７０ｇを加えて硬化
乾燥し、均質な樹脂状固形物を得た。これを窒素雰囲気
下９００℃で１時間炭化させた。得られた炭化物のＣ／
Ｓｉは元素分析の結果２．４であった。この炭化物４０
００ｇを炭素製容器に入れ、アルゴン雰囲気下で１８５
０℃まで昇温し１０分間保持した後２０５０℃まで昇温
して５分間保持してから降温して平均粒径１．３μｍの
粉末を得た。不純物含有量は各元素０．５ｐｐｍ以下と
なった。
【００６５】成形体の製造 上記方法により得られた高純度炭化ケイ素粉末１４１０
ｇと含水率２０％の高純度液体レゾール型フェノール樹
脂９０ｇをエタノール２０００ｇに溶解したものとを、
遊星ボールミルで１８時間攪拌し、十分に混合した。そ
の後、５０〜６０℃に加温してエタノールを蒸発乾固さ
せ、５００μｍの篩にかけて均質な炭化ケイ素原料粉体
を得た。この原料粉体１０００ｇを金型に充填し１３０
℃で２０分間プレスして、密度２．１ｇ／ｃｍ3 の成形
体を得た。
ｇと含水率２０％の高純度液体レゾール型フェノール樹
脂９０ｇをエタノール２０００ｇに溶解したものとを、
遊星ボールミルで１８時間攪拌し、十分に混合した。そ
の後、５０〜６０℃に加温してエタノールを蒸発乾固さ
せ、５００μｍの篩にかけて均質な炭化ケイ素原料粉体
を得た。この原料粉体１０００ｇを金型に充填し１３０
℃で２０分間プレスして、密度２．１ｇ／ｃｍ3 の成形
体を得た。
【００６６】焼結体の製造 この成形体を黒鉛製型に入れ、以下の条件でホットプレ
スを行った。ホットプレス装置としては、高周波誘導加
熱式１００ｔホットプレスを用いた。 （焼結工程の条件）１０-5〜１０-4ｔｏｒｒの真空条件
下で、室温から７００℃まで６時間かけて昇温し、５時
間その温度に保持した。（第１の昇温工程） 真空条件下で、７００℃〜１２００℃まで３時間で昇温
し、さらに、１２００℃〜１５００℃まで３時間で昇温
し、１時間その温度に保持した。（第２の昇温工程） さらに５００ｋｇｆ／ｃｍ2 の圧力で加圧し、アルゴン
雰囲気下にて１５００℃〜２２００℃まで３時間で昇温
し、１時間その温度に保持した。（ホットプレス工程） （比較例１）成形体の製造 市販のβ型炭化ケイ素粉体（Ｇｒａｄｅ Ｂ−ＨＰ、
Ｈ．Ｃ．シュタルク社製、平均粒径２μｍ）１４１０ｇ
と炭化ホウ素（Ｂ4 Ｃ）１１ｇと含水率２０％の高純度
液体レゾール型フェノール樹脂９０ｇをエタノール２０
００ｇに溶解したものを、遊星ボールミルで１８時間攪
拌し、十分に混合した。その後、５０〜６０℃に加温し
てエタノールを除去、蒸発乾固させ、５００μｍの篩に
かけて均質な炭化ケイ素原料粉体を得た。この原料粉体
１０００ｇを金型に充填し１３０℃で２０分間プレスし
て、密度２．２ｇ／ｃｍ3 の成形体を得た。
スを行った。ホットプレス装置としては、高周波誘導加
熱式１００ｔホットプレスを用いた。 （焼結工程の条件）１０-5〜１０-4ｔｏｒｒの真空条件
下で、室温から７００℃まで６時間かけて昇温し、５時
間その温度に保持した。（第１の昇温工程） 真空条件下で、７００℃〜１２００℃まで３時間で昇温
し、さらに、１２００℃〜１５００℃まで３時間で昇温
し、１時間その温度に保持した。（第２の昇温工程） さらに５００ｋｇｆ／ｃｍ2 の圧力で加圧し、アルゴン
雰囲気下にて１５００℃〜２２００℃まで３時間で昇温
し、１時間その温度に保持した。（ホットプレス工程） （比較例１）成形体の製造 市販のβ型炭化ケイ素粉体（Ｇｒａｄｅ Ｂ−ＨＰ、
Ｈ．Ｃ．シュタルク社製、平均粒径２μｍ）１４１０ｇ
と炭化ホウ素（Ｂ4 Ｃ）１１ｇと含水率２０％の高純度
液体レゾール型フェノール樹脂９０ｇをエタノール２０
００ｇに溶解したものを、遊星ボールミルで１８時間攪
拌し、十分に混合した。その後、５０〜６０℃に加温し
てエタノールを除去、蒸発乾固させ、５００μｍの篩に
かけて均質な炭化ケイ素原料粉体を得た。この原料粉体
１０００ｇを金型に充填し１３０℃で２０分間プレスし
て、密度２．２ｇ／ｃｍ3 の成形体を得た。
【００６７】焼結体の製造 この成形体を黒鉛製型に入れ、以下の条件でホットプレ
スを行った。ホットプレス装置としては、高周波誘導加
熱式１００ｔホットプレスを用いた。 （焼結工程の条件）１０-5〜１０-4ｔｏｒｒの真空条件
下で、室温から７００℃まで６時間かけて昇温し、５時
間その温度に保持した。（第１の昇温工程） 真空条件下で、７００℃〜１２００℃まで３時間で昇温
し、さらに、１２００℃〜１５００℃まで３時間で昇温
し、１時間その温度に保持した。（第２の昇温工程） さらに、１５０ｋｇｆ／ｃｍ2 の圧力で加圧し、アルゴ
ン雰囲気下にて１５００℃〜２２００℃まで３時間で昇
温し、１時間その温度に保持した。（ホットプレス工
程） （比較例２）高純度炭化ケイ素粉末の製造 シリカ含有率４０％の高純度エチルシリケートオリゴマ
ー６８００ｇと含水率２０％の高純度液体レゾール型フ
ェノール樹脂３０５０ｇを混合し、触媒として高純度ト
ルエンスルホン酸２８％水溶液１３７０ｇを加えて硬化
乾燥し、均質な樹脂状固形物を得た。これを窒素雰囲気
下９００℃で１時間炭化させた。得られた炭化物のＣ／
Ｓｉは元素分析の結果２．４であった。この炭化物４０
００ｇを炭素製容器に入れ、アルゴン雰囲気下で１８５
０℃まで昇温し１０分間保持した後２０５０℃まで昇温
して５分間保持してから降温して平均粒径１．３μｍの
粉末を得た。不純物含有量は各元素０．５ｐｐｍ以下と
なった。
スを行った。ホットプレス装置としては、高周波誘導加
熱式１００ｔホットプレスを用いた。 （焼結工程の条件）１０-5〜１０-4ｔｏｒｒの真空条件
下で、室温から７００℃まで６時間かけて昇温し、５時
間その温度に保持した。（第１の昇温工程） 真空条件下で、７００℃〜１２００℃まで３時間で昇温
し、さらに、１２００℃〜１５００℃まで３時間で昇温
し、１時間その温度に保持した。（第２の昇温工程） さらに、１５０ｋｇｆ／ｃｍ2 の圧力で加圧し、アルゴ
ン雰囲気下にて１５００℃〜２２００℃まで３時間で昇
温し、１時間その温度に保持した。（ホットプレス工
程） （比較例２）高純度炭化ケイ素粉末の製造 シリカ含有率４０％の高純度エチルシリケートオリゴマ
ー６８００ｇと含水率２０％の高純度液体レゾール型フ
ェノール樹脂３０５０ｇを混合し、触媒として高純度ト
ルエンスルホン酸２８％水溶液１３７０ｇを加えて硬化
乾燥し、均質な樹脂状固形物を得た。これを窒素雰囲気
下９００℃で１時間炭化させた。得られた炭化物のＣ／
Ｓｉは元素分析の結果２．４であった。この炭化物４０
００ｇを炭素製容器に入れ、アルゴン雰囲気下で１８５
０℃まで昇温し１０分間保持した後２０５０℃まで昇温
して５分間保持してから降温して平均粒径１．３μｍの
粉末を得た。不純物含有量は各元素０．５ｐｐｍ以下と
なった。
【００６８】成形体の製造 上記方法により得られた高純度炭化ケイ素粉末１０００
ｇを金型に充填し１３０℃で２０分間プレスして、密度
１．９ｇ／ｃｍ3 の成形体を得た。
ｇを金型に充填し１３０℃で２０分間プレスして、密度
１．９ｇ／ｃｍ3 の成形体を得た。
【００６９】焼結体の製造 この成形体を黒鉛製型に入れ、以下の条件でホットプレ
スを行った。ホットプレス装置としては、高周波誘導加
熱式１００ｔホットプレスを用いた。 （焼結工程の条件）１０-5〜１０-4ｔｏｒｒの真空条件
下で、室温から７００℃まで６時間かけて昇温し、５時
間その温度に保持した。（第１の昇温工程） 真空条件下で、７００℃〜１２００℃まで３時間で昇温
し、さらに、１２００℃〜１５００℃まで３時間で昇温
し、１時間その温度に保持した。（第２の昇温工程） さらに５００ｋｇｆ／ｃｍ2 の圧力で加圧し、アルゴン
雰囲気下にて１５００℃〜２２００℃まで３時間で昇温
し、１時間その温度に保持した。（ホットプレス工程）
スを行った。ホットプレス装置としては、高周波誘導加
熱式１００ｔホットプレスを用いた。 （焼結工程の条件）１０-5〜１０-4ｔｏｒｒの真空条件
下で、室温から７００℃まで６時間かけて昇温し、５時
間その温度に保持した。（第１の昇温工程） 真空条件下で、７００℃〜１２００℃まで３時間で昇温
し、さらに、１２００℃〜１５００℃まで３時間で昇温
し、１時間その温度に保持した。（第２の昇温工程） さらに５００ｋｇｆ／ｃｍ2 の圧力で加圧し、アルゴン
雰囲気下にて１５００℃〜２２００℃まで３時間で昇温
し、１時間その温度に保持した。（ホットプレス工程）
【００７０】
【表１】
【００７１】本発明の効果を確認する為に、上記実施例
及び比較例の焼結体により下記サイズの炭化ケイ素製の
円盤を作製し、そして所定のスパッタリング装置に合致
するパッキングプレートに該円盤をインジウムを接着材
として貼り付け、スパッタリングターゲット盤を作製し
た。そして、ターゲット素材としての適正を知るため
の、機械的特性及び電気特性、スパッタリング装置で運
転したときの耐久寿命、及び電子部品に使用した場合を
考慮して形成した薄膜の純度レベルについて、以下の方
法で評価した。
及び比較例の焼結体により下記サイズの炭化ケイ素製の
円盤を作製し、そして所定のスパッタリング装置に合致
するパッキングプレートに該円盤をインジウムを接着材
として貼り付け、スパッタリングターゲット盤を作製し
た。そして、ターゲット素材としての適正を知るため
の、機械的特性及び電気特性、スパッタリング装置で運
転したときの耐久寿命、及び電子部品に使用した場合を
考慮して形成した薄膜の純度レベルについて、以下の方
法で評価した。
【００７２】スパッタリングターゲット盤サイズ：１０
インチ径（２５０mmφ）×５mm厚（ターゲット素材とし
ての適応性：機械的特性・電気的特性の評価） 上記のスパッタリングターゲット盤のパッキングプレー
トに接着する前のターゲット素材について、焼結体密
度、曲げ強度（室温下）、体積抵抗率について測定し、
直流型及び高周波型のスパッタリング装置に対する適応
性を評価した。 （ターゲット盤の耐久寿命の評価）高周波型スパッタリ
ング装置に、上記素材より成るスパッタリングターゲッ
ト盤を取り付け、アルゴンガスの導入により各材料に対
し、同一印加電力の下で薄膜形成を行った。
インチ径（２５０mmφ）×５mm厚（ターゲット素材とし
ての適応性：機械的特性・電気的特性の評価） 上記のスパッタリングターゲット盤のパッキングプレー
トに接着する前のターゲット素材について、焼結体密
度、曲げ強度（室温下）、体積抵抗率について測定し、
直流型及び高周波型のスパッタリング装置に対する適応
性を評価した。 （ターゲット盤の耐久寿命の評価）高周波型スパッタリ
ング装置に、上記素材より成るスパッタリングターゲッ
ト盤を取り付け、アルゴンガスの導入により各材料に対
し、同一印加電力の下で薄膜形成を行った。
【００７３】スパッタリング条件→アルゴンガス圧：１
Ｐａ、印加電力：１Ｋｗ スパッタリングによるターゲット盤の摩耗状況を定期的
にチェックし、偏摩耗等により最も窪んだ部分が２．５
ｍｍ（初期厚みの５０％）となる迄の寿命を確認し、実
施例１を１００として指数で示した。数値が大きいほど
耐久性に優れていることを示す。 （形成薄膜の純度レベルの評価）高周波型スパッタリン
グ装置に上記素材より成るスパッタリングターゲット盤
を取り付け、薄膜形成を行い、その後薄膜表面部分につ
いて、鉄の原子数を確認した。
Ｐａ、印加電力：１Ｋｗ スパッタリングによるターゲット盤の摩耗状況を定期的
にチェックし、偏摩耗等により最も窪んだ部分が２．５
ｍｍ（初期厚みの５０％）となる迄の寿命を確認し、実
施例１を１００として指数で示した。数値が大きいほど
耐久性に優れていることを示す。 （形成薄膜の純度レベルの評価）高周波型スパッタリン
グ装置に上記素材より成るスパッタリングターゲット盤
を取り付け、薄膜形成を行い、その後薄膜表面部分につ
いて、鉄の原子数を確認した。
【００７４】これらの評価結果を下記表２に示す。
【００７５】
【表２】
【００７６】前記の各実施例及び比較例に明らかなよう
に、本発明の方法により得られた実施例の炭化珪素製ス
パッタリングターゲット盤は、機械的特性及び電気的特
性に優れ、また偏摩耗に対する耐久寿命が長く、かつ形
成された薄膜の純度も電子デバイスでも全く問題を引き
起こさない結果であり、非常に優れた性能を保有するも
のであった。
に、本発明の方法により得られた実施例の炭化珪素製ス
パッタリングターゲット盤は、機械的特性及び電気的特
性に優れ、また偏摩耗に対する耐久寿命が長く、かつ形
成された薄膜の純度も電子デバイスでも全く問題を引き
起こさない結果であり、非常に優れた性能を保有するも
のであった。
【００７７】
【発明の効果】本発明によれば、各種電子デバイス部品
に好適な高純度の薄膜を形成しうるスパッタリング処理
に適する、機械的特性及び電気的特性に優れ、また偏摩
耗に対する耐久性が良好な、炭化ケイ素製スパッタリン
グターゲット盤を得ることができる。
に好適な高純度の薄膜を形成しうるスパッタリング処理
に適する、機械的特性及び電気的特性に優れ、また偏摩
耗に対する耐久性が良好な、炭化ケイ素製スパッタリン
グターゲット盤を得ることができる。
Claims (6)
- 【請求項１】 密度が２．９ｇ／ｃｍ3 以上であり、且
つ炭化ケイ素粉末と非金属系焼結助剤とが均質に混合さ
れた混合物を焼結することにより得られた炭化ケイ素焼
結体で形成されたことを特徴とするスパッタリングター
ゲット盤。 - 【請求項２】 前記非金属系焼結助剤が、加熱により炭
素を生成する有機化合物であること、を特徴とする請求
項１に記載のスパッタリングターゲット盤。 - 【請求項３】 前記非金属系焼結助剤が、炭化ケイ素粉
末表面を被覆していること、を特徴とする請求項１又は
２に記載のスパッタリングターゲット盤。 - 【請求項４】 前記炭化ケイ素焼結体は前記混合物を非
酸化性雰囲気下でホットプレスすることにより得られた
ものであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか
１項に記載のスパッタリングターゲット盤。 - 【請求項５】 前記炭化ケイ素粉末が、少なくとも１種
以上の液状のケイ素化合物を含むケイ素源と、加熱によ
り炭素を生成する少なくとも１種以上の液状の有機化合
物を含む炭素源と、重合又は架橋触媒とを混合して得ら
れた混合物を固化して固形物を得る固化工程と、得られ
た固形物を非酸化性雰囲気下で加熱炭化した後、さらに
非酸化性雰囲気で焼成する焼成工程とを含む製造方法に
より得られたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれ
か１項に記載のスパッタリングターゲット盤。 - 【請求項６】 前記炭化ケイ素焼結体に含まれる不純物
元素の総含有量が１ｐｐｍ以下であることを特徴とする
請求項１乃至５のいずれか１項に記載のスパッタリング
ターゲット盤。
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|---|---|---|---|
| JP23157297A JP4012287B2 (ja) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | スパッタリングターゲット盤 |
| US09/137,749 US6217969B1 (en) | 1997-08-27 | 1998-08-21 | Sputtering target disk |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23157297A JP4012287B2 (ja) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | スパッタリングターゲット盤 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1161394A true JPH1161394A (ja) | 1999-03-05 |
| JP4012287B2 JP4012287B2 (ja) | 2007-11-21 |
Family
ID=16925625
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP23157297A Expired - Lifetime JP4012287B2 (ja) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | スパッタリングターゲット盤 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6217969B1 (ja) |
| JP (1) | JP4012287B2 (ja) |
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| US6800182B2 (en) | 1999-10-13 | 2004-10-05 | Asahi Glass Company, Limited | Sputtering target, process for its production and film forming method |
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| JP2002226274A (ja) * | 2001-01-25 | 2002-08-14 | Ngk Insulators Ltd | 耐蝕性セラミック材料、その製造方法および半導体製造用製品 |
| DE10146393A1 (de) * | 2001-09-20 | 2003-04-17 | Wacker Chemie Gmbh | Unmagnetischer Sinterkörper auf Basis von SiC und seine Verwendung |
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| TWI341337B (en) * | 2003-01-07 | 2011-05-01 | Cabot Corp | Powder metallurgy sputtering targets and methods of producing same |
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| US7127367B2 (en) | 2003-10-27 | 2006-10-24 | Applied Materials, Inc. | Tailored temperature uniformity |
| US7824498B2 (en) * | 2004-02-24 | 2010-11-02 | Applied Materials, Inc. | Coating for reducing contamination of substrates during processing |
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| JP5580972B2 (ja) * | 2008-06-06 | 2014-08-27 | デクセリアルズ株式会社 | スパッタリング複合ターゲット |
| US8111978B2 (en) * | 2008-07-11 | 2012-02-07 | Applied Materials, Inc. | Rapid thermal processing chamber with shower head |
| CN115611631B (zh) * | 2022-10-21 | 2023-09-08 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种碳化硅复合粉体及其制备方法与应用 |
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|---|---|---|---|---|
| US4525461A (en) * | 1983-12-14 | 1985-06-25 | Kennecott Corporation | Sintered silicon carbide/graphite/carbon composite ceramic body having ultrafine grain microstructure |
| JP3233160B2 (ja) | 1990-04-23 | 2001-11-26 | 住友大阪セメント株式会社 | 炭化珪素スパッタリング用ターゲット及びその製造方法 |
| JP3154735B2 (ja) | 1991-03-07 | 2001-04-09 | 住友大阪セメント株式会社 | スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 |
| JPH0649632A (ja) | 1992-02-05 | 1994-02-22 | Sumitomo Cement Co Ltd | スパッタリング用ターゲット及びその製造方法 |
| CA2180665A1 (en) * | 1994-01-21 | 1995-07-27 | Irving B. Ruppel | Silicon carbide sputtering target |
-
1997
- 1997-08-27 JP JP23157297A patent/JP4012287B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-08-21 US US09/137,749 patent/US6217969B1/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6217969B1 (en) | 2001-04-17 |
| JP4012287B2 (ja) | 2007-11-21 |
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