JPH1154808A - 積層一体成形熱電素子及びその製造法 - Google Patents
積層一体成形熱電素子及びその製造法Info
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- JPH1154808A JPH1154808A JP9213555A JP21355597A JPH1154808A JP H1154808 A JPH1154808 A JP H1154808A JP 9213555 A JP9213555 A JP 9213555A JP 21355597 A JP21355597 A JP 21355597A JP H1154808 A JPH1154808 A JP H1154808A
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- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の課題は、高い機械的強度をもち、発
電効率の高くしかも設計自由度の高い積層一体成形熱電
素子を低コストで提供できるようにすることにある。 【解決手段】 本発明による積層一体成形熱電素子にお
いてはｎ型及びｐ型のシリコンゲルマニウム等の熱電材
料の粉末原料を予備成形して形成した複数のｎ型及びｐ
型の予備成形体を有し、これらの予備成形体は複数段交
互に積層され、一体成形焼結される。また本発明の製造
法は、ｎ型及びｐ型のシリコンゲルマニウム等の熱電材
料の粉末原料を加圧成形してｎ型及びｐ型の予備成形体
を形成し、こうして得られたこれらのｎ型及びｐ型の予
備成形体を交互に積層して互いに一体成形焼結すること
から成る。
電効率の高くしかも設計自由度の高い積層一体成形熱電
素子を低コストで提供できるようにすることにある。 【解決手段】 本発明による積層一体成形熱電素子にお
いてはｎ型及びｐ型のシリコンゲルマニウム等の熱電材
料の粉末原料を予備成形して形成した複数のｎ型及びｐ
型の予備成形体を有し、これらの予備成形体は複数段交
互に積層され、一体成形焼結される。また本発明の製造
法は、ｎ型及びｐ型のシリコンゲルマニウム等の熱電材
料の粉末原料を加圧成形してｎ型及びｐ型の予備成形体
を形成し、こうして得られたこれらのｎ型及びｐ型の予
備成形体を交互に積層して互いに一体成形焼結すること
から成る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、300℃〜1000℃程
度の比較的高温域を熱源として利用することのできるｎ
型及びｐ型のシリコンゲルマニウム素子対から成る熱電
変換素子及びその製造法に関するものである。
度の比較的高温域を熱源として利用することのできるｎ
型及びｐ型のシリコンゲルマニウム素子対から成る熱電
変換素子及びその製造法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の熱電変換素子としては種
々の形式のものが提案されている。添付図面の図４には
そのような従来の熱電変換素子の一例を示す。図４に示
す熱電変換素子は、ｐ型のシリコンゲルマニウム素子Ａ
と、ｎ型のシリコンゲルマニウム素子Ｂと、これら素子
の一端を互いに接合する高温受熱端電極Ｃと、各素子
Ａ、Ｂの他端に設けられる低温端電極Ｄ、Ｅとから構成
されている。高温受熱端電極Ｃは、板状のSi−Mo共晶合
金または金属シリコン板から成っている。高温受熱端電
極Ｃとｐ型、ｎ型シリコンゲルマニウム素子Ａ、Ｂの各
々との接合は拡散接合等によって行われ、また、低温端
電極Ｄ、Ｅとｐ型、ｎ型シリコンゲルマニウム素子Ａ、
Ｂとの接合は拡散接合またはロー付け等によって行われ
ている。
々の形式のものが提案されている。添付図面の図４には
そのような従来の熱電変換素子の一例を示す。図４に示
す熱電変換素子は、ｐ型のシリコンゲルマニウム素子Ａ
と、ｎ型のシリコンゲルマニウム素子Ｂと、これら素子
の一端を互いに接合する高温受熱端電極Ｃと、各素子
Ａ、Ｂの他端に設けられる低温端電極Ｄ、Ｅとから構成
されている。高温受熱端電極Ｃは、板状のSi−Mo共晶合
金または金属シリコン板から成っている。高温受熱端電
極Ｃとｐ型、ｎ型シリコンゲルマニウム素子Ａ、Ｂの各
々との接合は拡散接合等によって行われ、また、低温端
電極Ｄ、Ｅとｐ型、ｎ型シリコンゲルマニウム素子Ａ、
Ｂとの接合は拡散接合またはロー付け等によって行われ
ている。
【０００３】また本願の発明者等は先に特開平７−3815
8号公報に開示されているように、ｐ型及びｎ型のシリ
コンゲルマニウム粉末原料を半々ずつ分離充填した後、
加圧焼結を行い一体に成形した後、所定の熱電素子形状
に切断し、低温端側に電極をロー付けすることにより構
成した熱電素子及びその製造法を提案した。すなわちこ
の先に提案した熱電素子は図５に示すように、薄板状の
ｐ型のシリコンゲルマニウム素子ａと、このｐ型のシリ
コンゲルマニウム素子ａと対称の形状をもちかつ互いに
直接接合されたｎ型のシリコンゲルマニウム素子ｂとか
ら成り、両素子ａ、ｂの一端は互いに直接接合されｐｎ
接合部ｃを構成して、高温端電極ｄを形成し、また両素
子ａ、ｂの他端すなわち低温端にはそれぞれ低温端電極
ｅ、ｆが接合されている。
8号公報に開示されているように、ｐ型及びｎ型のシリ
コンゲルマニウム粉末原料を半々ずつ分離充填した後、
加圧焼結を行い一体に成形した後、所定の熱電素子形状
に切断し、低温端側に電極をロー付けすることにより構
成した熱電素子及びその製造法を提案した。すなわちこ
の先に提案した熱電素子は図５に示すように、薄板状の
ｐ型のシリコンゲルマニウム素子ａと、このｐ型のシリ
コンゲルマニウム素子ａと対称の形状をもちかつ互いに
直接接合されたｎ型のシリコンゲルマニウム素子ｂとか
ら成り、両素子ａ、ｂの一端は互いに直接接合されｐｎ
接合部ｃを構成して、高温端電極ｄを形成し、また両素
子ａ、ｂの他端すなわち低温端にはそれぞれ低温端電極
ｅ、ｆが接合されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図４に示すような従来
のシリコンゲルマニウム熱電変換素子においては、ｐ型
のシリコンゲルマニウム素子とｎ型のシリコンゲルマニ
ウム素子とを焼結等によって別々に成形し、その後、そ
れらのｐ型及びｎ型材料と高温側、低温側電極材料をロ
ー付け等の方法で接合して１対の熱電素子としている。
そのために、接合時のダメージなどに対して、接合部、
電極材や素子材料にある程度以上の機械的強度が必要と
なるが、受熱部の熱伝導をよくするために電極材は薄く
する必要があり、しかも受熱部の機械的強度は電極板の
曲げ強度に依存するので、熱電変換素子自体極めて脆弱
な構造となっている。また、接合時にロー材などを使用
する場合は、耐熱性の検討も必要となる。すなわち、熱
電変換素子の発電効率を向上させるため内部抵抗を小さ
くする観点から、電極板として耐熱性で電気抵抗の小さ
い金属材料を用い、ロー付けされているが、シリコンゲ
ルマニウムの耐熱性に比べて金属材料またはロー材の耐
熱性の方が低く、耐熱性の点で劣化することになる。さ
らに、ｐ型及びｎ型のシリコンゲルマニウム素子のそれ
ぞれと高温端電極との接合工程及び低温端電極との接合
工程が必要となり、製造工程が多く、製造コストがかさ
むという問題がある。
のシリコンゲルマニウム熱電変換素子においては、ｐ型
のシリコンゲルマニウム素子とｎ型のシリコンゲルマニ
ウム素子とを焼結等によって別々に成形し、その後、そ
れらのｐ型及びｎ型材料と高温側、低温側電極材料をロ
ー付け等の方法で接合して１対の熱電素子としている。
そのために、接合時のダメージなどに対して、接合部、
電極材や素子材料にある程度以上の機械的強度が必要と
なるが、受熱部の熱伝導をよくするために電極材は薄く
する必要があり、しかも受熱部の機械的強度は電極板の
曲げ強度に依存するので、熱電変換素子自体極めて脆弱
な構造となっている。また、接合時にロー材などを使用
する場合は、耐熱性の検討も必要となる。すなわち、熱
電変換素子の発電効率を向上させるため内部抵抗を小さ
くする観点から、電極板として耐熱性で電気抵抗の小さ
い金属材料を用い、ロー付けされているが、シリコンゲ
ルマニウムの耐熱性に比べて金属材料またはロー材の耐
熱性の方が低く、耐熱性の点で劣化することになる。さ
らに、ｐ型及びｎ型のシリコンゲルマニウム素子のそれ
ぞれと高温端電極との接合工程及び低温端電極との接合
工程が必要となり、製造工程が多く、製造コストがかさ
むという問題がある。
【０００５】一方、図５に示す先に提案したような、平
面的なｐ型及びｎ型のシリコンゲルマニウムー体化成形
構造では、複数対素子の一体成形を行う場合に、加圧焼
結装置の大型化が必要となり、製造コスト増大の要因と
なっている。また、原料粉末の分離充填も熟練を要する
作業であり、再現性の確保が困難であると共に、一体成
形熱電素子の大きさ及び形状は、加圧焼結装置のサイズ
に規定され、その結果熱電素子設計の自由度が奪われる
という問題がある。
面的なｐ型及びｎ型のシリコンゲルマニウムー体化成形
構造では、複数対素子の一体成形を行う場合に、加圧焼
結装置の大型化が必要となり、製造コスト増大の要因と
なっている。また、原料粉末の分離充填も熟練を要する
作業であり、再現性の確保が困難であると共に、一体成
形熱電素子の大きさ及び形状は、加圧焼結装置のサイズ
に規定され、その結果熱電素子設計の自由度が奪われる
という問題がある。
【０００６】そこで、本発明は、上記の問題点を解決し
て機械的強度にすぐれしかも設計の自由度の大きい積層
一体成形熱電素子を提供することを目的としている。ま
た本発明の別の目的は、上記の積層一体成形熱電素子を
低コストで製造できる製造法を提供することにある。
て機械的強度にすぐれしかも設計の自由度の大きい積層
一体成形熱電素子を提供することを目的としている。ま
た本発明の別の目的は、上記の積層一体成形熱電素子を
低コストで製造できる製造法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明においては、シリコンゲルマニウム等の熱
電材料のｐ型及びｎ型粉末をそれぞれ予備成形した後、
それらのｐ型及びｎ型の予備成形体を、複数段交互に積
層し、焼結により同時一体成形を行うことにしている。
めに、本発明においては、シリコンゲルマニウム等の熱
電材料のｐ型及びｎ型粉末をそれぞれ予備成形した後、
それらのｐ型及びｎ型の予備成形体を、複数段交互に積
層し、焼結により同時一体成形を行うことにしている。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の一つの実施の形態によれ
ば、ｎ型及びｐ型のシリコンゲルマニウム等の熱電材料
の粉末原料を予備成形して形成した複数のｎ型及びｐ型
の予備成形体を有し、これらの予備成形体を複数段交互
に積層し、一体成形焼結したことを特徴とする積層一体
成形熱電素子が提供される。この場合、積層一体成形熱
電素子の幅は、予備成形体の厚さを変えることにより任
意に設定することができる。積層一体成形熱電素子は好
ましい実施の態様によれば、二枚のｎ型予備成形体と二
枚のｐ型の予備成形体とを交互に積層し、一体成形して
二対の積層一体成形熱電素子として構成され得る。
ば、ｎ型及びｐ型のシリコンゲルマニウム等の熱電材料
の粉末原料を予備成形して形成した複数のｎ型及びｐ型
の予備成形体を有し、これらの予備成形体を複数段交互
に積層し、一体成形焼結したことを特徴とする積層一体
成形熱電素子が提供される。この場合、積層一体成形熱
電素子の幅は、予備成形体の厚さを変えることにより任
意に設定することができる。積層一体成形熱電素子は好
ましい実施の態様によれば、二枚のｎ型予備成形体と二
枚のｐ型の予備成形体とを交互に積層し、一体成形して
二対の積層一体成形熱電素子として構成され得る。
【０００９】また本発明の別つの実施の形態によれば、
ｎ型及びｐ型のシリコンゲルマニウム等の熱電材料の粉
末原料を加圧成形してｎ型及びｐ型の予備成形体を形成
し、こうして得られたこれらのｎ型及びｐ型の予備成形
体を交互に積層して互いに一体成形焼結することを特徴
とする積層一体成形熱電素子の製造法が提供される。本
発明の製造方法においては、予備成形体を積層するとい
う概念を導入したことにより、従来の技術では非常に制
約のあった複数対の一体成形熱電素子を容易に製造する
ことができるようになる。
ｎ型及びｐ型のシリコンゲルマニウム等の熱電材料の粉
末原料を加圧成形してｎ型及びｐ型の予備成形体を形成
し、こうして得られたこれらのｎ型及びｐ型の予備成形
体を交互に積層して互いに一体成形焼結することを特徴
とする積層一体成形熱電素子の製造法が提供される。本
発明の製造方法においては、予備成形体を積層するとい
う概念を導入したことにより、従来の技術では非常に制
約のあった複数対の一体成形熱電素子を容易に製造する
ことができるようになる。
【００１０】本発明による製造法の好ましい実施の態様
においては、一体成形焼結して形成したｎ型及びｐ型の
積層体の各ｐｎ接合部は部分的に切削或いは切断加工に
より部分的に分離される。さらに本発明による製造法の
好ましい実施の態様においては、切削或いは切断加工に
より部分的に分離した最外方のｎ型及びｐ型の層の端部
には、低温端電極が接合される。
においては、一体成形焼結して形成したｎ型及びｐ型の
積層体の各ｐｎ接合部は部分的に切削或いは切断加工に
より部分的に分離される。さらに本発明による製造法の
好ましい実施の態様においては、切削或いは切断加工に
より部分的に分離した最外方のｎ型及びｐ型の層の端部
には、低温端電極が接合される。
【００１１】
【実施例】以下添付図面の図１〜図３を参照して本発明
の実施例について説明する。本発明の積層一体成形熱電
素子を製造するのに使用される図１に示す積層一体成形
焼結体１を作るために、組成比として、シリコン80原子
％−ゲルマニウム20原子％に対して、ｎ型材料としてリ
ンをO.3原子％添加した材料と、ｐ型材料としてボロン
をO.2原子％添加した材料を別個に誘導加熱溶解し、イ
ンゴットを作製、これを別個に粉砕し、５μｍ以下の微
粉末とした。こうして用意したそれぞれ微粉末を、圧力
18ＭPa程度で予備成形して、直径50mm、厚さ８mm程度の
ｐ型及びｎ型の予備成形体２、３を作成した。ｐ型及び
ｎ型の予備成形体２、３を、交互に２個づつ積層させて
ダイス（図示してない）内にセットし、13.3Pa以下の真
空中で圧力24.5MPa程度、温度1000℃以上の条件下で、
放電プラズマ焼結機を使用して、一体成形焼結し、図１
に示すような積層一体成形焼結体１を作った。
の実施例について説明する。本発明の積層一体成形熱電
素子を製造するのに使用される図１に示す積層一体成形
焼結体１を作るために、組成比として、シリコン80原子
％−ゲルマニウム20原子％に対して、ｎ型材料としてリ
ンをO.3原子％添加した材料と、ｐ型材料としてボロン
をO.2原子％添加した材料を別個に誘導加熱溶解し、イ
ンゴットを作製、これを別個に粉砕し、５μｍ以下の微
粉末とした。こうして用意したそれぞれ微粉末を、圧力
18ＭPa程度で予備成形して、直径50mm、厚さ８mm程度の
ｐ型及びｎ型の予備成形体２、３を作成した。ｐ型及び
ｎ型の予備成形体２、３を、交互に２個づつ積層させて
ダイス（図示してない）内にセットし、13.3Pa以下の真
空中で圧力24.5MPa程度、温度1000℃以上の条件下で、
放電プラズマ焼結機を使用して、一体成形焼結し、図１
に示すような積層一体成形焼結体１を作った。
【００１２】こうして得られた積層一体成形焼結体１
は、図示してない放電加工機により図２に示すように、
各ｐｎ接合境界部に沿って一側から他側へ向って、他側
から一側へ向って交互に切削または切断加工して分離部
４を形成すると共に各外側部を切断して図したような矩
形の二対の熱電素子に加工した。そして得られた熱電素
子の低温端部５、６には電極７、８がロー付けされる。
は、図示してない放電加工機により図２に示すように、
各ｐｎ接合境界部に沿って一側から他側へ向って、他側
から一側へ向って交互に切削または切断加工して分離部
４を形成すると共に各外側部を切断して図したような矩
形の二対の熱電素子に加工した。そして得られた熱電素
子の低温端部５、６には電極７、８がロー付けされる。
【００１３】図３には、図示実施例による二対の熱電素
子の熱伝特性を従来の一対の熱電素子と比較して示す。
二対の熱電素子の電極に温度差70O℃を与えたところ、
熱起電力620mVが得られた。これは図３のグラフから認
められるように一対の熱電素子の場合の二倍の値であ
り、また積層一体形成による熱電特性の劣化のないいこ
とが確認された。
子の熱伝特性を従来の一対の熱電素子と比較して示す。
二対の熱電素子の電極に温度差70O℃を与えたところ、
熱起電力620mVが得られた。これは図３のグラフから認
められるように一対の熱電素子の場合の二倍の値であ
り、また積層一体形成による熱電特性の劣化のないいこ
とが確認された。
【００１４】ところで、図示実施例では、シリコンゲル
マニウム熱電素子での複数対一体成形を行ったが、ホッ
トプレスや放電プラズマ焼結装置などの加圧焼結装置を
使用する、粉末焼結法で製造される熱電素子（例とし
て、鉄シリコン系材料、鉛テルル系材料、ビスマステル
ル系材料等）にも適応できる。
マニウム熱電素子での複数対一体成形を行ったが、ホッ
トプレスや放電プラズマ焼結装置などの加圧焼結装置を
使用する、粉末焼結法で製造される熱電素子（例とし
て、鉄シリコン系材料、鉛テルル系材料、ビスマステル
ル系材料等）にも適応できる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明におい
ては、ｐ型、ｎ型の予備成形体を複数対積層させること
により、接合工程を必要とせずしかも複数対の熱電素子
を、十分な機械強度で形成することが可能となるので、
特に摂氏数百度以上の温度領域において、それによく耐
えるロー材が非常に少ないことを勘案すると、高温端の
接合が不要となることにより、熱電素子の適用範囲を拡
大することが可能となる。また、ｐ型、ｎ型の予備成形
体の厚さを変えることにより、任意の素子幅の熱電素子
を製造することが可能となり、このことにより熱電素子
設計の自由度が広がると同時に安価に熱電素子を提供で
きるようになる。さらに、接合工程が不要になることや
複数対の一体成形による量産性の効果により、 製造コス
トを低減することができ、その結果熱電素子の普及に大
いに貢献することができるようになる。
ては、ｐ型、ｎ型の予備成形体を複数対積層させること
により、接合工程を必要とせずしかも複数対の熱電素子
を、十分な機械強度で形成することが可能となるので、
特に摂氏数百度以上の温度領域において、それによく耐
えるロー材が非常に少ないことを勘案すると、高温端の
接合が不要となることにより、熱電素子の適用範囲を拡
大することが可能となる。また、ｐ型、ｎ型の予備成形
体の厚さを変えることにより、任意の素子幅の熱電素子
を製造することが可能となり、このことにより熱電素子
設計の自由度が広がると同時に安価に熱電素子を提供で
きるようになる。さらに、接合工程が不要になることや
複数対の一体成形による量産性の効果により、 製造コス
トを低減することができ、その結果熱電素子の普及に大
いに貢献することができるようになる。
【図１】 本発明の一実施例による積層一体成形熱電素
子を製造するのに使用される積層一体成形焼結体を示す
概略斜視図。
子を製造するのに使用される積層一体成形焼結体を示す
概略斜視図。
【図２】 本発明の一実施例による積層一体成形熱電素
子を示す概略斜視図。
子を示す概略斜視図。
【図３】 本発明の熱電素子の熱電特性を従来構造の熱
電素子と比較して示すグラフ。
電素子と比較して示すグラフ。
【図４】 従来のシリコンゲルマニウム熱電変換素子を
示す概略正面図。
示す概略正面図。
【図５】 先に提案した一体化焼結型シリコンゲルマニ
ウム熱電変換素子を示す概略正面図。
ウム熱電変換素子を示す概略正面図。
１：積層一体成形焼結体 ２：ｐ型の予備成形体 ３：ｎ型の予備成形体 ４：分離部 ５：低温端部 ６：低温端部 ７：電極 ８：電極
Claims (5)
- 【請求項１】 ｎ型及びｐ型のシリコンゲルマニウム等
の熱電材料の粉末原料を予備成形して形成した複数のｎ
型及びｐ型の予備成形体を有し、これらの予備成形体を
複数段交互に積層し、一体成形焼結したことを特徴とす
る積層一体成形熱電素子。 - 【請求項２】 二枚のｎ型予備成形体と二枚のｐ型の予
備成形体とを交互に積層し、一体成形して二対の積層一
体成形熱電素子として構成した請求項１に記載の積層一
体成形熱電素子。 - 【請求項３】 ｎ型及びｐ型のシリコンゲルマニウム等
の熱電材料の粉末原料を加圧成形してｎ型及びｐ型の予
備成形体を形成し、こうして得られたこれらのｎ型及び
ｐ型の予備成形体を交互に積層して互いに一体成形焼結
することを特徴とする積層一体成形熱電素子の製造法。 - 【請求項４】 ｎ型及びｐ型のシリコンゲルマニウム等
の熱電材料の粉末原料を加圧成形してｎ型及びｐ型の予
備成形体を形成し、こうして得られたこれらのｎ型及び
ｐ型の予備成形体を交互に積層して互いに一体成形焼結
し、一体成形焼結して形成したｎ型及びｐ型の積層体の
各ｐｎ接合部を部分的に切削或いは切断加工により分離
することを特徴とする積層一体成形熱電素子の製造法。 - 【請求項５】 ｎ型及びｐ型のシリコンゲルマニウム等
の熱電材料の粉末原料を加圧成形してｎ型及びｐ型の予
備成形体を形成し、こうして得られたこれらのｎ型及び
ｐ型の予備成形体を交互に積層して互いに一体成形焼結
し、一体成形焼結して形成したｎ型及びｐ型の積層体の
各ｐｎ接合部を部分的に切削或いは切断加工により分離
し、さらに、分離した最外方のｎ型及びｐ型の層の端部
に、低温端電極を接合することを特徴とする積層一体成
形熱電素子の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9213555A JPH1154808A (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | 積層一体成形熱電素子及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9213555A JPH1154808A (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | 積層一体成形熱電素子及びその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154808A true JPH1154808A (ja) | 1999-02-26 |
Family
ID=16641154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9213555A Pending JPH1154808A (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | 積層一体成形熱電素子及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1154808A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008038519A1 (fr) * | 2006-09-28 | 2008-04-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Élément de conversion thermoélectrique, module de conversion thermoélectrique et procédé de production d'élément de conversion thermoélectrique |
| JP2014090101A (ja) * | 2012-10-30 | 2014-05-15 | Shigeyuki Tsurumi | 熱電変換素子 |
-
1997
- 1997-08-07 JP JP9213555A patent/JPH1154808A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008038519A1 (fr) * | 2006-09-28 | 2008-04-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Élément de conversion thermoélectrique, module de conversion thermoélectrique et procédé de production d'élément de conversion thermoélectrique |
| JP2014090101A (ja) * | 2012-10-30 | 2014-05-15 | Shigeyuki Tsurumi | 熱電変換素子 |
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