JPH0738158A - 一体化焼結型シリコンゲルマニウム熱電変換素子及びその製造法 - Google Patents
一体化焼結型シリコンゲルマニウム熱電変換素子及びその製造法Info
- Publication number
- JPH0738158A JPH0738158A JP5176732A JP17673293A JPH0738158A JP H0738158 A JPH0738158 A JP H0738158A JP 5176732 A JP5176732 A JP 5176732A JP 17673293 A JP17673293 A JP 17673293A JP H0738158 A JPH0738158 A JP H0738158A
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- JP
- Japan
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- silicon germanium
- type
- type silicon
- thermoelectric conversion
- sintered
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高い機械的強度をもちしかも発電効率の高い
一体化焼結型シリコンゲルマニウム熱電変換素子を低コ
ストで提供すること。 【構成】 一体化焼結したｎ型及びｐ型のシリコンゲル
マニウム素子から成り、ｐｎ接合部自体で高温受熱部が
形成される。また本発明の製造法は、ｎ型及びｐ型のシ
リコンゲルマニウム粉末原料を一体化焼結してｎ型及び
ｐ型のシリコンゲルマニウム素子を形成し、これを切削
或いは切断加工して一端に高温受熱端部を形成し、他端
に低温端電極を接合することから成る。
一体化焼結型シリコンゲルマニウム熱電変換素子を低コ
ストで提供すること。 【構成】 一体化焼結したｎ型及びｐ型のシリコンゲル
マニウム素子から成り、ｐｎ接合部自体で高温受熱部が
形成される。また本発明の製造法は、ｎ型及びｐ型のシ
リコンゲルマニウム粉末原料を一体化焼結してｎ型及び
ｐ型のシリコンゲルマニウム素子を形成し、これを切削
或いは切断加工して一端に高温受熱端部を形成し、他端
に低温端電極を接合することから成る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、 300℃〜1000℃程度の
比較的高温を熱源として利用することのできるｎ型及び
ｐ型のシリコンゲルマニウム半導体素子対から成る熱電
変換素子及びその製造法に関するものである。
比較的高温を熱源として利用することのできるｎ型及び
ｐ型のシリコンゲルマニウム半導体素子対から成る熱電
変換素子及びその製造法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の熱電変換素子としては種
々の形式のものが提案されており、添付図面の図５にそ
の一例を示す。図５に示す熱電変換素子は、ｐ型のシリ
コンゲルマニウム素子Ａと、ｎ型のシリコンゲルマニウ
ム素子Ｂと、これら素子の一端を互いに接合する高温受
熱端電極Ｃと、各素子Ａ、Ｂの他端に設けられる低温端
電極Ｄ、Ｅとから構成されている。高温受熱端電極Ｃ
は、板状のSi−Mo共晶合金または金属シリコン板から成
っている。高温受熱端電極Ｃとｐ型、ｎ型シリコンゲル
マニウム素子Ａ、Ｂの各々との接合は拡散接合等によっ
て行われ、また、低温端電極Ｄ、Ｅとｐ型、ｎ型シリコ
ンゲルマニウム素子Ａ、Ｂとの接合は拡散接合またはロ
ー付け等によって行われている。一方、このようなシリ
コンゲルマニウム熱電変換素子の製造は、まずｐ型及び
ｎ型のシリコンゲルマニウム素子それぞれ焼結により作
り、焼結で作られた素各子を成形加工し兎所望の形状に
加工し、こうして得られたｐ型及びｎ型のシリコンゲル
マニウム素子の一端に高温受熱端電極板を接合し、他端
にそれぞれ低温端電極板を接合することによって行われ
ている。
々の形式のものが提案されており、添付図面の図５にそ
の一例を示す。図５に示す熱電変換素子は、ｐ型のシリ
コンゲルマニウム素子Ａと、ｎ型のシリコンゲルマニウ
ム素子Ｂと、これら素子の一端を互いに接合する高温受
熱端電極Ｃと、各素子Ａ、Ｂの他端に設けられる低温端
電極Ｄ、Ｅとから構成されている。高温受熱端電極Ｃ
は、板状のSi−Mo共晶合金または金属シリコン板から成
っている。高温受熱端電極Ｃとｐ型、ｎ型シリコンゲル
マニウム素子Ａ、Ｂの各々との接合は拡散接合等によっ
て行われ、また、低温端電極Ｄ、Ｅとｐ型、ｎ型シリコ
ンゲルマニウム素子Ａ、Ｂとの接合は拡散接合またはロ
ー付け等によって行われている。一方、このようなシリ
コンゲルマニウム熱電変換素子の製造は、まずｐ型及び
ｎ型のシリコンゲルマニウム素子それぞれ焼結により作
り、焼結で作られた素各子を成形加工し兎所望の形状に
加工し、こうして得られたｐ型及びｎ型のシリコンゲル
マニウム素子の一端に高温受熱端電極板を接合し、他端
にそれぞれ低温端電極板を接合することによって行われ
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のシリ
コンゲルマニウム熱電変換素子においては、高温受熱部
は、ｐ型のシリコンゲルマニウム素子、ｎ型のシリコン
ゲルマニウム素子及びこれらの素子を接続するため耐熱
性の電極材であるSi−Mo共晶合金や金属シリコン板を拡
散接合した電極板により構成されており、受熱部の熱伝
導をよくするために電極板は薄く、しかも、受熱部の機
械的強度は電極板の曲げ強度に依存するので、熱電変換
素子自体極めて脆弱な構造となっている。また、熱電変
換素子の発電効率を向上させるためには内部抵抗を小さ
くする必要があるが、接合部の電気抵抗値が熱電変換素
子全体の電気抵抗値の大部分を占めているので、内部抵
抗を小さくする上で問題がある。この問題を改善するた
め、耐熱性で電気抵抗の小さい金属材料を電極板として
用い、ロー付けすることも考えられるが、シリコンゲル
マニウムの耐熱性に比べて金属材料またはロー材の耐熱
性の方が低く、耐熱性の点で劣化することになり、有効
な改善手段とはならない。また、従来のシリコンゲルマ
ニウム熱電変換素子の製造法はｐ型のシリコンゲルマニ
ウム素子とｎ型のシリコンゲルマニウム素子とを別個に
焼結して、それらを電極材に接合しているので、ｐ型及
びｎ型のそれぞれのシリコンゲルマニウム素子の焼結及
び成形加工工程、ｐ型及びｎ型のシリコンゲルマニウム
素子のそれぞれと高温受熱電極との接合工程及び低温端
電極との接合工程が必要となり、製造工程が多く、製造
コストがかさむという問題がある。
コンゲルマニウム熱電変換素子においては、高温受熱部
は、ｐ型のシリコンゲルマニウム素子、ｎ型のシリコン
ゲルマニウム素子及びこれらの素子を接続するため耐熱
性の電極材であるSi−Mo共晶合金や金属シリコン板を拡
散接合した電極板により構成されており、受熱部の熱伝
導をよくするために電極板は薄く、しかも、受熱部の機
械的強度は電極板の曲げ強度に依存するので、熱電変換
素子自体極めて脆弱な構造となっている。また、熱電変
換素子の発電効率を向上させるためには内部抵抗を小さ
くする必要があるが、接合部の電気抵抗値が熱電変換素
子全体の電気抵抗値の大部分を占めているので、内部抵
抗を小さくする上で問題がある。この問題を改善するた
め、耐熱性で電気抵抗の小さい金属材料を電極板として
用い、ロー付けすることも考えられるが、シリコンゲル
マニウムの耐熱性に比べて金属材料またはロー材の耐熱
性の方が低く、耐熱性の点で劣化することになり、有効
な改善手段とはならない。また、従来のシリコンゲルマ
ニウム熱電変換素子の製造法はｐ型のシリコンゲルマニ
ウム素子とｎ型のシリコンゲルマニウム素子とを別個に
焼結して、それらを電極材に接合しているので、ｐ型及
びｎ型のそれぞれのシリコンゲルマニウム素子の焼結及
び成形加工工程、ｐ型及びｎ型のシリコンゲルマニウム
素子のそれぞれと高温受熱電極との接合工程及び低温端
電極との接合工程が必要となり、製造工程が多く、製造
コストがかさむという問題がある。
【０００４】そこで、本発明は、上記の問題点を解決し
て機械的強度にすぐれしかも発電効率の高い一体化焼結
型シリコンゲルマニウム熱電変換素子を提供することを
目的としている。また本発明の別の目的は、上記の一体
化焼結型シリコンゲルマニウム熱電変換素子を少ない工
程数で低コストに製造できる製造法を提供することにあ
る。
て機械的強度にすぐれしかも発電効率の高い一体化焼結
型シリコンゲルマニウム熱電変換素子を提供することを
目的としている。また本発明の別の目的は、上記の一体
化焼結型シリコンゲルマニウム熱電変換素子を少ない工
程数で低コストに製造できる製造法を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の第１の目的を達成
するために、本発明による一体化焼結型シリコンゲルマ
ニウム熱電変換素子は、ｎ型及びｐ型のシリコンゲルマ
ニウム粉末原料を互いに一体化焼結して成るｎ型及びｐ
型のシリコンゲルマニウム素子を有し、ｎ型及びｐ型の
シリコンゲルマニウム素子の一端に直接接合したｐｎ接
合部を形成し、他端に互いに分離した低温端を形成した
ことを特徴としている。また本発明による一体化焼結型
シリコンゲルマニウム熱電変換素子に用いられるｎ型及
びｐ型のシリコンゲルマニウム素子は、ｎ型及びｐ型の
シリコンゲルマニウム素子用粉末原料を同時加圧焼結に
より互いに一体化焼結して間に直接接合したｐｎ接合部
を備えるように形成される。また、上記の別の目的を達
成するために、本発明による一体化焼結型シリコンゲル
マニウム熱電変換素子の製造法は、ｎ型及びｐ型のシリ
コンゲルマニウム素子用粉末原料を同時加圧焼結により
互いに一体化焼結して間に直接接合したｐｎ接合部を備
えたｎ型及びｐ型のシリコンゲルマニウム素子を形成
し、一体化焼結して形成したｎ型及びｐ型のシリコンゲ
ルマニウム素子の一端にｐｎ接合部を残してｎ型及びｐ
型のシリコンゲルマニウム素子を切削或いは切断加工に
より分離することから成る。本発明による製造法におい
ては、分離したｎ型及びｐ型のシリコンゲルマニウム素
子の端に、切削或いは切断加工により低温端電極接続用
切り込みが形成され、各切り込みに低温端電極が接合さ
れ得る。
するために、本発明による一体化焼結型シリコンゲルマ
ニウム熱電変換素子は、ｎ型及びｐ型のシリコンゲルマ
ニウム粉末原料を互いに一体化焼結して成るｎ型及びｐ
型のシリコンゲルマニウム素子を有し、ｎ型及びｐ型の
シリコンゲルマニウム素子の一端に直接接合したｐｎ接
合部を形成し、他端に互いに分離した低温端を形成した
ことを特徴としている。また本発明による一体化焼結型
シリコンゲルマニウム熱電変換素子に用いられるｎ型及
びｐ型のシリコンゲルマニウム素子は、ｎ型及びｐ型の
シリコンゲルマニウム素子用粉末原料を同時加圧焼結に
より互いに一体化焼結して間に直接接合したｐｎ接合部
を備えるように形成される。また、上記の別の目的を達
成するために、本発明による一体化焼結型シリコンゲル
マニウム熱電変換素子の製造法は、ｎ型及びｐ型のシリ
コンゲルマニウム素子用粉末原料を同時加圧焼結により
互いに一体化焼結して間に直接接合したｐｎ接合部を備
えたｎ型及びｐ型のシリコンゲルマニウム素子を形成
し、一体化焼結して形成したｎ型及びｐ型のシリコンゲ
ルマニウム素子の一端にｐｎ接合部を残してｎ型及びｐ
型のシリコンゲルマニウム素子を切削或いは切断加工に
より分離することから成る。本発明による製造法におい
ては、分離したｎ型及びｐ型のシリコンゲルマニウム素
子の端に、切削或いは切断加工により低温端電極接続用
切り込みが形成され、各切り込みに低温端電極が接合さ
れ得る。
【０００６】
【作用】このように構成された本発明による一体化焼結
型シリコンゲルマニウム熱電変換素子においては、ｎ型
及びｐ型のシリコンゲルマニウム素子が直接接合され、
受熱部に電極材がないので、機械的強度は直接接合部に
依存することになり、それぞれのシリコンゲルマニウム
素子と同等の強度が得られることになる。またこの強度
は接合部の断面積で決まりしかも断面積を大きく取るこ
とができるので、十分な機械的強度を得ることができる
ようになるとと同時に、接合部の電気抵抗も大幅に小さ
くなり、その結果、熱電変換素子全体としての内部抵抗
も小さくなり、発電効率が改善されることなる。さら
に、受熱部はシリコンゲルマニウム合金のみから成って
いるので、耐熱性はシリコンゲルマニウム合金の耐熱性
に依存することになる。また、本発明の製造法によれ
ば、ｎ型及びｐ型のシリコンゲルマニウム素子の同時一
体化焼結工程と、切削或いは切断加工工程と、低温端電
極の接合工程とから成っているので、製造工程が大幅に
削減でき、製造コストを低く抑えることができるように
なる。
型シリコンゲルマニウム熱電変換素子においては、ｎ型
及びｐ型のシリコンゲルマニウム素子が直接接合され、
受熱部に電極材がないので、機械的強度は直接接合部に
依存することになり、それぞれのシリコンゲルマニウム
素子と同等の強度が得られることになる。またこの強度
は接合部の断面積で決まりしかも断面積を大きく取るこ
とができるので、十分な機械的強度を得ることができる
ようになるとと同時に、接合部の電気抵抗も大幅に小さ
くなり、その結果、熱電変換素子全体としての内部抵抗
も小さくなり、発電効率が改善されることなる。さら
に、受熱部はシリコンゲルマニウム合金のみから成って
いるので、耐熱性はシリコンゲルマニウム合金の耐熱性
に依存することになる。また、本発明の製造法によれ
ば、ｎ型及びｐ型のシリコンゲルマニウム素子の同時一
体化焼結工程と、切削或いは切断加工工程と、低温端電
極の接合工程とから成っているので、製造工程が大幅に
削減でき、製造コストを低く抑えることができるように
なる。
【０００７】
【実施例】以下図面の図１〜図４を参照して本発明の実
施例について説明する。図１には本発明の一実施例によ
る一体化焼結型シリコンゲルマニウム熱電変換素子を示
し、この一体化焼結型シリコンゲルマニウム熱電変換素
子は薄板状のｐ型のシリコンゲルマニウム素子１と、こ
のｐ型のシリコンゲルマニウム素子１と対称の形状をも
ちかつ互いに直接接合されたｎ型のシリコンゲルマニウ
ム素子２とから成り、両素子１、２の一端は互いに直接
接合されて、高温受熱端電極３を形成している。高温受
熱端電極３におけるｐｎ接合部４の長さすなわち断面積
は熱電変換素子の機械的強度を考慮して任意に設定する
ことができる。また両素子１、２の他端すなわち低温端
にはそれぞれ低温端電極５、６が接合されている。
施例について説明する。図１には本発明の一実施例によ
る一体化焼結型シリコンゲルマニウム熱電変換素子を示
し、この一体化焼結型シリコンゲルマニウム熱電変換素
子は薄板状のｐ型のシリコンゲルマニウム素子１と、こ
のｐ型のシリコンゲルマニウム素子１と対称の形状をも
ちかつ互いに直接接合されたｎ型のシリコンゲルマニウ
ム素子２とから成り、両素子１、２の一端は互いに直接
接合されて、高温受熱端電極３を形成している。高温受
熱端電極３におけるｐｎ接合部４の長さすなわち断面積
は熱電変換素子の機械的強度を考慮して任意に設定する
ことができる。また両素子１、２の他端すなわち低温端
にはそれぞれ低温端電極５、６が接合されている。
【０００８】図２〜図４には図１に示す一体化焼結型シ
リコンゲルマニウム熱電変換素子の製造法を示す。ホッ
トプレスまたは放電プラズマ焼結装置等の加圧焼結装置
のダイス（図示してない）にｐ型及びｎ型のシリコンゲ
ルマニウム粉末原料を半々ずつ分離充填して加圧焼結す
ることにより、図３に示すような円板状の一体化焼結体
10を形成する。こうして得られた円板状の一体化焼結体
10は、直径上で互いに直接接合された状半円状のｐ型の
シリコンゲルマニウム焼結体11と半円状のｎ型のシリコ
ンゲルマニウム焼結体11とから成っており、加圧焼結装
置のダイスから取出し後、ｐｎ接合境界部13の位置を確
認し、このｐｎ接合境界部13に沿って一側から他側に向
かって切断加工すると共に各外側部を切断して図４に示
すような形状のｐｎ一体化焼結シリコンゲルマニウム素
子を形成する。こうして得られたｐｎ一体化焼結シリコ
ンゲルマニウム素子の他端に図示したように低温端電極
挿入用の切り込み14、15をそれぞれ設ける。各切り込み
14、15に低温端電極を挿入しはんだ付けまたはロー付け
により接合することによって図１に示すような一体化焼
結型シリコンゲルマニウム熱電変換素子が得られる。
リコンゲルマニウム熱電変換素子の製造法を示す。ホッ
トプレスまたは放電プラズマ焼結装置等の加圧焼結装置
のダイス（図示してない）にｐ型及びｎ型のシリコンゲ
ルマニウム粉末原料を半々ずつ分離充填して加圧焼結す
ることにより、図３に示すような円板状の一体化焼結体
10を形成する。こうして得られた円板状の一体化焼結体
10は、直径上で互いに直接接合された状半円状のｐ型の
シリコンゲルマニウム焼結体11と半円状のｎ型のシリコ
ンゲルマニウム焼結体11とから成っており、加圧焼結装
置のダイスから取出し後、ｐｎ接合境界部13の位置を確
認し、このｐｎ接合境界部13に沿って一側から他側に向
かって切断加工すると共に各外側部を切断して図４に示
すような形状のｐｎ一体化焼結シリコンゲルマニウム素
子を形成する。こうして得られたｐｎ一体化焼結シリコ
ンゲルマニウム素子の他端に図示したように低温端電極
挿入用の切り込み14、15をそれぞれ設ける。各切り込み
14、15に低温端電極を挿入しはんだ付けまたはロー付け
により接合することによって図１に示すような一体化焼
結型シリコンゲルマニウム熱電変換素子が得られる。
【０００９】図４において、各素子の幅W1、W2、両素子
間の間隔Ｘ、各素子の長さＬ及び高温受熱端電極の高さ
Ｈの寸法は任意に変えることができ、また厚さは粉末原
料の充填量を調整することにより１mm程度から数10mm程
度までに設定することができる。図４の形状に構成した
一体化焼結型シリコンゲルマニウム熱電変換素子の特性
を以下に例示する。 各部の寸法(mm) W1＝W2＝8.5 Ｘ＝３ Ｌ＝42 Ｄ＝８ 厚さ＝4.5 高温受熱端温度 800℃ 低温端温度 100℃ 熱起電力 0.35Ｖ 内部抵抗 70ｍΩ 単位重量当りの発電電力 38Ｗ／kg
間の間隔Ｘ、各素子の長さＬ及び高温受熱端電極の高さ
Ｈの寸法は任意に変えることができ、また厚さは粉末原
料の充填量を調整することにより１mm程度から数10mm程
度までに設定することができる。図４の形状に構成した
一体化焼結型シリコンゲルマニウム熱電変換素子の特性
を以下に例示する。 各部の寸法(mm) W1＝W2＝8.5 Ｘ＝３ Ｌ＝42 Ｄ＝８ 厚さ＝4.5 高温受熱端温度 800℃ 低温端温度 100℃ 熱起電力 0.35Ｖ 内部抵抗 70ｍΩ 単位重量当りの発電電力 38Ｗ／kg
【００１０】ところで図示実施例では円盤状の焼結体を
用いて熱電変換素子を製作しているが、使用する加圧焼
結装置のダイスの形状を変えることにより長方形または
矩形或いは多角形の形状に一体化焼結してそれを切削加
工して任意の形状に構成することもできる。
用いて熱電変換素子を製作しているが、使用する加圧焼
結装置のダイスの形状を変えることにより長方形または
矩形或いは多角形の形状に一体化焼結してそれを切削加
工して任意の形状に構成することもできる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明による
一体化焼結型シリコンゲルマニウム熱電変換素子におい
ては、ｎ型及びｐ型のシリコンゲルマニウム素子を一体
化焼結し、ｐｎ接合部自体で高温受熱部を構成している
ので、高温受熱部の機械的脆弱性を改善でき、しかもｐ
ｎ接合部の断面積を大きく取ることができ、それにより
高温受熱端付近で10kgf/mm2 程度の抗折力を得ることが
できるようになる。また高温受熱部に別個の電極材を用
いていないので、高温受熱部の内部抵抗を従来の電極板
を用いた構造に比較して１／10程度以下に抑えることが
でき、その結果、発電効率を大幅に向上させることがで
きるようになり、単位重量当りの発電電力は従来の２〜
３倍にできる。さらに、高温受熱部にはシリコンゲルマ
ニウム以外の材質を使用していないので、耐熱温度はシ
リコンゲルマニウム合金自体の温度で決まることにな
り、耐熱性を大幅に向上させることが可能となる。ま
た、本発明による製造法によれば、一体化焼結工程と、
切削或いは切断加工工程と、低温端電極の接合工程とか
ら成っているので、従来のシリコンゲルマニウム熱電変
換素子の製造法に比べて、工程数を大幅に簡略化するこ
とができ、その結果、上述のような格別の機能を備えた
一体化焼結型シリコンゲルマニウム熱電変換素子を低コ
ストで提供することができるようになる。
一体化焼結型シリコンゲルマニウム熱電変換素子におい
ては、ｎ型及びｐ型のシリコンゲルマニウム素子を一体
化焼結し、ｐｎ接合部自体で高温受熱部を構成している
ので、高温受熱部の機械的脆弱性を改善でき、しかもｐ
ｎ接合部の断面積を大きく取ることができ、それにより
高温受熱端付近で10kgf/mm2 程度の抗折力を得ることが
できるようになる。また高温受熱部に別個の電極材を用
いていないので、高温受熱部の内部抵抗を従来の電極板
を用いた構造に比較して１／10程度以下に抑えることが
でき、その結果、発電効率を大幅に向上させることがで
きるようになり、単位重量当りの発電電力は従来の２〜
３倍にできる。さらに、高温受熱部にはシリコンゲルマ
ニウム以外の材質を使用していないので、耐熱温度はシ
リコンゲルマニウム合金自体の温度で決まることにな
り、耐熱性を大幅に向上させることが可能となる。ま
た、本発明による製造法によれば、一体化焼結工程と、
切削或いは切断加工工程と、低温端電極の接合工程とか
ら成っているので、従来のシリコンゲルマニウム熱電変
換素子の製造法に比べて、工程数を大幅に簡略化するこ
とができ、その結果、上述のような格別の機能を備えた
一体化焼結型シリコンゲルマニウム熱電変換素子を低コ
ストで提供することができるようになる。
【図１】 本発明の一実施例による一体化焼結型シリコ
ンゲルマニウム熱電変換素子を示す概略正面図。
ンゲルマニウム熱電変換素子を示す概略正面図。
【図２】 本発明の製造法の工程を示す図。
【図３】 本発明の製造法に従って製作した円板状のｐ
ｎ一体化焼結シリコンゲルマニウム素材を示す概略斜視
図
ｎ一体化焼結シリコンゲルマニウム素材を示す概略斜視
図
【図４】 図３に示す素材に切断加工工程を施した状態
を示す概略正面図。
を示す概略正面図。
【図５】 従来のシリコンゲルマニウム熱電変換素子を
示す概略正面図。
示す概略正面図。
１：ｐ型のシリコンゲルマニウム素子 ２：ｎ型のシリコンゲルマニウム素子 ３：高温受熱端電極 ４：ｐｎ接合部 ５：低温端電極 ６：低温端電極
Claims (4)
- 【請求項１】 ｎ型及びｐ型のシリコンゲルマニウム粉
末原料を互いに一体化焼結して成るｎ型及びｐ型のシリ
コンゲルマニウム素子を有し、ｎ型及びｐ型のシリコン
ゲルマニウム素子の一端に直接接合したｐｎ接合部を形
成し、他端に互いに分離した低温端を形成したことを特
徴とする一体化焼結型シリコンゲルマニウム熱電変換素
子。 - 【請求項２】 ｎ型及びｐ型のシリコンゲルマニウム素
子用粉末原料を同時加圧焼結により互いに一体化焼結し
て間に直接接合したｐｎ接合部を備えたｎ型及びｐ型の
シリコンゲルマニウム素子を形成することを特徴とする
一体化焼結型シリコンゲルマニウム素子の製造法。 - 【請求項３】 ｎ型及びｐ型のシリコンゲルマニウム素
子用粉末原料を同時加圧焼結により互いに一体化焼結し
て間に直接接合したｐｎ接合部を備えたｎ型及びｐ型の
シリコンゲルマニウム素子を形成し、一体化焼結して形
成したｎ型及びｐ型のシリコンゲルマニウム素子の一端
にｐｎ接合部を残してｎ型及びｐ型のシリコンゲルマニ
ウム素子を切削或いは切断加工により分離することを特
徴とする一体化焼結型シリコンゲルマニウム熱電変換素
子の製造法。 - 【請求項４】 ｎ型及びｐ型のシリコンゲルマニウム素
子用粉末原料を同時加圧焼結により互いに一体化焼結し
て間に直接接合したｐｎ接合部を備えたｎ型及びｐ型の
シリコンゲルマニウム素子を形成し、一体化焼結して形
成したｎ型及びｐ型のシリコンゲルマニウム素子の一端
にｐｎ接合部を残してｎ型及びｐ型のシリコンゲルマニ
ウム素子を切削或いは切断加工により分離し、さらに、
分離したｎ型及びｐ型のシリコンゲルマニウム素子の端
に、切削或いは切断加工により低温端電極接続用切り込
みを形成し、各切り込みに低温端電極を接合することを
特徴とする一体化焼結型シリコンゲルマニウム熱電変換
素子の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5176732A JPH0738158A (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | 一体化焼結型シリコンゲルマニウム熱電変換素子及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5176732A JPH0738158A (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | 一体化焼結型シリコンゲルマニウム熱電変換素子及びその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0738158A true JPH0738158A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16018822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5176732A Pending JPH0738158A (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | 一体化焼結型シリコンゲルマニウム熱電変換素子及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0738158A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT410492B (de) * | 2000-05-02 | 2003-05-26 | Span Gerhard Dipl Ing Dr | Thermoelektrisches element mit mindestens einer n-schicht und mindestens einer p-schicht |
| JP2011014862A (ja) * | 2009-07-06 | 2011-01-20 | Korea Electronics Telecommun | 熱電素子及びその製造方法 |
| GB2521942A (en) * | 2014-12-23 | 2015-07-08 | Daimler Ag | Air intake system for an internal combustion engine of a vehicle |
-
1993
- 1993-07-16 JP JP5176732A patent/JPH0738158A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT410492B (de) * | 2000-05-02 | 2003-05-26 | Span Gerhard Dipl Ing Dr | Thermoelektrisches element mit mindestens einer n-schicht und mindestens einer p-schicht |
| US6762484B2 (en) | 2000-05-02 | 2004-07-13 | Gerhard Span | Thermoelectric element |
| JP2011014862A (ja) * | 2009-07-06 | 2011-01-20 | Korea Electronics Telecommun | 熱電素子及びその製造方法 |
| US8940995B2 (en) | 2009-07-06 | 2015-01-27 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Thermoelectric device and method for fabricating the same |
| GB2521942A (en) * | 2014-12-23 | 2015-07-08 | Daimler Ag | Air intake system for an internal combustion engine of a vehicle |
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