JPH11507877A - 材料照射装置並びに材料照射装置を駆動する方法 - Google Patents

材料照射装置並びに材料照射装置を駆動する方法

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JPH11507877A JP9531483A JP53148397A JPH11507877A JP H11507877 A JPH11507877 A JP H11507877A JP 9531483 A JP9531483 A JP 9531483A JP 53148397 A JP53148397 A JP 53148397A JP H11507877 A JPH11507877 A JP H11507877A
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Abstract

(57)【要約】 本発明は、加工ビームを発生させるビーム源と、ビーム源の後段のビーム分割装置とを有し、前記ビーム分割装置によって加工ビームが多数の部分ビームに分割され、その場合に各部分ビームをそれのみに付設されている偏向装置によって他の部分ビームとは関係なく少なくとも1つの加工すべき工作物上の異なる箇所へ案内することができ、かつ加工すべき工作物が少なくとも1つの軸内で移動できる工作物移動装置上に載置されている、材料照射装置に関する。本発明によれば、加工ビームは多数のビーム分割装置上へ次々と入射し、ビーム分割装置はその上に入射する加工ビームの軸内に移動可能に配置されており、ビーム分割装置から出射する部分ビームが工作物移動装置上の工作物の表面へ同時に入射し、かつ工作物移動装置が、少なくともビーム分割装置の移動軸から変位している座標方向に移動可能に配置されている。材料照射装置を駆動する本発明による方法は、部分ビームの偏向装置が少なくとも2本、好ましくは少なくとも4本の部分ビームを同時に工作物の表面上の少なくとも1つの点上へ案内することができることを特徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】 材料照射装置並びに材料照射装置を駆動する方法 本発明は、加工ビームを発生するビーム源と、ビーム源の後方のビーム分割装 置とを有し、そのビーム分割装置によって加工ビームが多数の部分ビームに分割 され、その場合に各部分ビームをそれ自体にのみ対応している偏向装置によって 、他の部分ビームとは関係なく加工すべき少なくとも1つの工作物上の異なる箇 所へ偏向させることができ、かつその場合に加工すべき工作物が軸内で移動する ことのできる少なくとも1つの工作物移動装置上に載置されている、材料照射装 置並びにこの種の材料照射装置を駆動する方法に関するものである。 照射装置は様々な利用目的のためにずっと以前から必要とされて、様々な実施 形態で知られている。 特にワンビームのレーザーボール機械が知られているが、これは常にある定ま った孔直径しか形成することができない。この装置は比較的低速であって(各孔 を個別に)、柔軟ではない(孔直径を自動的に調節することができず、ないしは より大きい孔直径はトレパン方法で(すなわち多数のより小さい孔直径を互いに 接するように並べることによって)しか形成できない)。 X−および/またはY−工作物移動装置に設けられたマルチスピンドルのガイ ドプレートボール機械も知られており、その場合にここのボールスピンドルはキ ャリッジ上に取り付けられており、別々のy−軸移動とz−軸移動を実施するこ とができる。その場合に個々の孔直径のためには、この機械の場合にはボーラー 交換が行われる。 US5、268、554からは、レーザービームを位置決めするシステムが知 られており、このシステムにおいてはレーザービームは工作物表面上で位置決め される。位置決めは、調節可能なミラーを用いて行われる。工作物表面上の極め て多数の箇所で同時に作業をしようとする場合には、それに応じて多数のこの種 のシステムを必要とし、そのシステムは互いに空間的にじゃまし合ってしまう。 このように構成された装置は、極めて複雑でもある。 JP54−102695からは、レーザー加工システムが知られており、その システムにおいては予め与えられた輪郭がレーザーによって他の工作物上へ移さ れる。 US4、670、639からは、縦長細片を形成する方法が知られており、そ こではレーザービームは多数の分割ミラーを通過し、その分割ミラーがレーザー ビームを工作物上のそれぞれ異なる箇所へ偏向させる。その場合に工作物は照射 軸内で移動する。分割ミラーは一度調節されて、一緒になって所望の縦長細片を 形成する。この装置は、開示されている形状においてはまったく柔軟ではない。 DE2014448からは、レーザーエネルギーを用いて工作物を加工する装 置が知られており、この装置においてはレーザービームはビームスプリッターに よって2つの分離されたビームに分割されて、偏向ミラーによって共通の対物レ ンズを通して工作物表面上へ偏向される。その場合に1つの対物レンズを使用す ることによって、工作物上の照射面が著しく制限される。 US3、256、524からは、レーザー描画装置が知られており、この装置 においてはレーザービームはビームスプリッターによって多数の部分ビームに分 割されて、偏回ミラーを介してこの偏向ミラーに付設されている対物レンズによ って照射すべき表面上へ結像される。 US4、950、862からは、レーザー加工機械が知られており、そこにお いてはレーザービームはミラーを介して2次元のレンズアレイによって工作物表 面上へ偏向され、その場合に工作物はX−Y−テーブル上に配置されている。 US4、701、591からは、唯一のレーザービームによって多数の工作物 表面を加工する機械が知られており、その場合にはレーザービームは多数の部分 ビームに分割される。 US5、373、137からはレーザー加工機械が知られており、その機械に おいてはレーザービームはレンズアレイによって多数の部分ビームに分割され、 その部分ビームが偏向ミラーとそれぞれ非連続の光学系を介して工作物表面上に 結像されて、そこで線型パターンを形成する。 US5、302、798とUS5、113、055からはレーザーボール機械 が知られており、その機械においては偏向ミラーがレーザービームを次々とそれ ぞれ非連続の対物レンズを通して工作物表面上へ偏向させる。ここでは加工は並 行してではなく、順次行われる。 US5、290、992からは照射装置が知られており、この装置においては レーザービームはビームスプリッターによってそれぞれ異なる方向へ偏向されて 、それによって多数の工作物を同時に加工することができる。 US5、063、280からは、個別ビームレーザーボーラーが知られており 、ここでは孔の形成が最適化されている。 US5、481、407からは個別ビームレーザー露光機械が知られており、 この機械においては2つのフレネルレンズアレイがz−軸内で移動する対物レン ズの課題を引き受け、2つのアレイは互いに対して水平に送られて、それによっ てレーザービームのそれぞれ所望の合焦が得られる。 WO94/16875からは、3次元の対象を形成する照射装置が知られてお り、ここにおいてはビームが多数の部分ビームに分割されて、その部分ビームが その後異なる箇所で一緒に形成すべき対象上に入射する。その場合にビーム成形 は行われない。 上述の様々な種類の材料照射装置は、特にボーリングにも使用される。特に、 たとえば両側がたとえば17μmの銅でラミネートされており(プリント基板産 業の材料製品であって、現在すでにレーザー技術で加工されている)、その中に いわゆる袋孔が形成され、その袋孔が上方の銅層とポリイミドを貫通し、かつ底 としての下方の銅層を有する50μmの厚みのポリイミド箔などのラミネート( 図1を参照)については、現在ではレーザーによって次の可能性がある: 従来技術に基づく第1の方法においては、上方の銅層の入口孔の形成は、写真 技術−化学的な方法で行われる。その後孔の開いた銅を通して、ポリイミドは良 好に加工するが、銅にはまだ作用しないたとえば0.7J/cm2のエネルギー 密度によってポリイミドにレーザーで孔を開けることによって、ポリイミドが除 去される。その場合に下方の銅層はレーザーを止めるストッパー層として作用す る。その場合に代表的なレーザーとして、脈動されるUVレーザーが使用される 。 この方法の欠点は、レーザーによる照射の他に、写真技術−化学的な方法で上 方の銅層に入口孔を形成するための付加的な作業プロセスが必要となることに見 られる。 従来技術に基づく第2の公知の方法は、第1のものと同様であるが、銅によっ て反射され、従って銅に作用しないレーザーが使用される。それによってより高 いエネルギー密度と従って幾分速いポリイミドの加工が可能になる。しかしエネ ルギー密度の増大には限界が設定されている(約2J/cm2)。というのはそ うでない場合にはポリイミドが熱によって損傷され、孔の縁が消失してしまい、 その場合にはもはや金属化できないからである。この方法を実施するための代表 的なレーザーは脈動されるCO2レーザーである。 この方法の欠点は、写真技術−化学的な方法で上方の銅層に入口開口部を形成 するための付加的な作業プロセスが必要となることに見られる。さらに下方の銅 底上に約0、7μm厚みのポリイミド被覆が残される。 従来技術に基づく第3の方法は、銅層とポリイミドを除去するために異なるレ ーザーを使用している。たとえば上方の銅層に孔を開けるために高いエネルギー 密度(たとえば20J/cm2)を有するNd−YAGレーザーが、そしてポリ イミドに孔を開けるためにUVまたはCO2レーザーが使用される。 この方法の欠点は、2つの異なるレーザーが必要であって、使用される光学系 を両方の波長に合せて設計しなければならないことに見られる。 従来技術に基づく第4の方法においては、UVレーザーによるラミネートの加 工は、高いエネルギー密度で上方の銅層に孔があけられ、その後ビームの焦点を ぼかすことにより、あるいはフィルタを差し入れることによってエネルギー密度 が、ビームがポリイミドは加工するが、もはや銅には作用しないように低下され るように行われる。 この方法も欠点を有する。レーザーのエネルギー放射は制御されないので、こ こではポリイミドを加工する際にエネルギーが浪費される。結果としてレーザー の能力を十分に利用することができず、それは最終的に生産性の低下を意味して いる。 本発明の課題は、最小の技術的コストを使用して最大の機能性をもたらす材料 照射装置を提供し、かつ材料照射装置を使用するためのエネルギー的に好ましい 方法を見出すことである。 この課題は本発明によれば、材料照射装置については請求項1の特徴部分によ って、そして方法については請求項20の特徴部分によって解決される。 本発明による照射装置は、極めて単純に構成されており、それにもかかわらず 極めて高い柔軟性を有することを特徴としている。 好ましくは各部分ビームのビーム断面積を異なるように合焦させることができ (好ましくはビーム分割後に)、それによって様々な課題を満たすことができる 。 工作物移動装置(これは本来1つの軸内でのみ工作物の移動を可能にするだけ でよく、従って走行ベルトとして形成することができる)とビーム分割装置およ び/または付加的なビーム偏向装置との間の協働によって、工作物の表面上の各 面積片を材料照射装置によって加工することができ、その場合に加工の種類(た とえば加熱、露光、孔開けなど)を1つの同じ工作物上で異なるようにすること ができる。 この種の装置は比較的単純に構成されており、制御装置と接続するのに理想的 に適している。さらにある点または面上で様々な種類の加工を同時に行うことが できる。たとえば極めてシャープに合焦されたビームを用いて孔を開けること、 そして同時に工作物表面と吹付けられたまたは載置された導電材料(たとえばプ リント基板用)との良好な結合を保証するために開けた孔の周囲を加熱すること が考えられる。 部分ビームの数は原理的には無制限であって、その場合に同時に多数の部分ビ ームを互いに平行に工作物の1つの箇所または異なる箇所に入射させることがで きる。 その場合に多数の同種の装置を並べて配置することができるので、同時に面積 全体の異なる箇所を一重に、あるいはまた同時に多重に並行して加工することも 可能である。 部分ビームの数が多くなるほど、ビーム源の出力を大きくしなければならない 。従って多くの場合にビーム源としてレーザーを使用しなければならない。 装置の簡単かつフレキシブルな構成を得るために、ビーム源からの光学軸はで きる限り部分ビームの光学軸とは一緒でなく、1つの方向に延びるようにすべき である。 部分ビームを発生させるのに、特にビームスプリッターが適しており、このビ ームスプリッターはある部分ビームを妨げられずに通過させ、他の部分ビームは 偏向させる。その場合に特に部分透過性のビームスプリッター(ビームスプリッ ターキューブ)が考えられる。しかしビーム源から出射したビームは、ビーム分 割前にすでに適当なビーム断面を持たなければならず、必要な場合にはその発散 が適合される。 本発明の他の好ましい特徴が、従属請求項に記載されている。 本発明による方法の利点が、以下の説明に示されている。 次に、図面を用いて本発明の例を説明し、その場合に他の主要な特徴並びに理 解しやすくするために用いられる本発明の考えの説明と実施形態を説明する。 その場合に図示するものは: 図1は、本発明による照射装置、 図2は、図1に示す本発明による照射装置の変形例、 図3は、図1に示す本発明による照射装置の他の変形例、 図4は、本発明により修正されたビームスプリッターキューブ、 図5は、本発明により修正されたビームスプリッターキューブの他の変形例、 図6は、本発明による照射装置の変形例、 図7は、図6におけるビームスプリッターの詳細な図、 図8は、図6に示す個別ビームの位置を求めるコントロール装置、 図9は、図6に示す照射装置の制御、 図10は、図6に示す照射装置のためのビーム改良装置である。 図1に例示する照射装置は、ビーム源(1)としてエキシマレーザーを有する 。しかしまた各任意の脈動されるレーザーまたは連続波レーザー(好ましくは1 90と3000nmの間の波長を有する、しかしまたCO2レーザーも一部効果 的である)とすることもでき、その場合にそれぞれ波長に従って特にその波長に 適した光学的要素(レンズ、ミラー、など)が選択されて、それらがレーザービ ームを特別に案内して成形することができる。 ビーム源(1)から射出された加工ビーム(2)は光学軸(3)を有し、その 光学軸上にほぼすべての他の光学的構成部品が配置されている。 ビーム源(1)の後方には、ビーム断面軸内で加工ビーム(2)を最初に成形 する第1の円柱レンズグループ(4、5)が配置されている。2つのレンズ(4 、5)の間には、第1のギャップ形状の発散フィルタ(8)が配置されており、 それによってビーム断面軸内での加工ビーム(2)の発散が行われる。 この第1の円柱レンズグループ(4、5)の後方に、第1の軸に対して垂直の 方向軸内で加工ビーム(2)をさらに成形するために第2の円柱レンズグループ (6、7)が設けられている。2つのレンズ(6、7)の間には第2のギャップ 形状の発散フィルタ(9)が配置されており、それによって第1の軸に対して垂 直なビーム断面軸内での加工ビーム(2)の発散が行われる。 第2の円柱レンズグループの後方には、ビーム断面を変化させるために、ズー ム対物レンズ(18)が挿入されている。 加工ビーム(2)がビーム断面においても軸方向の発散においても所望かつ予 め設定された値を満たした後に、加工ビームは、その内部にビーム分割層を備え たビーム分割キューブ(11A)を有する第1のビーム分割装置(10A)へ入 射する。ビーム分割装置(10A)の光学軸(3)の領域には然るべき大きさの 開口部が形成されており、加工ビーム(2)はその開口部を妨げられずに貫通す ることができる。 ビーム分割キューブ(11A)が光学軸(3)上にある場合には、ビーム分割 キューブは自らの上に入射する加工ビーム(2)の一部を妨げずに通過させる。 しかし他の加工部分ビーム(12A)はビーム分割キューブによって部分ビーム として加工ビーム(2)から分離されて、コンベアベルト(14A)上に載置さ れている加工すべき工作物(13A)上へ放射する。 このコンベアベルト(14A)は、工作物(13A)を図面平面に対して垂直 に移動させることができる。ビーム分割装置(10A)は光学軸(3)に対して 平行に、従ってコンベアベルト(14A)の移動軸に対して垂直に移動すること ができるので、2つの移動の組合わせによって、工作物(13A)の表面の各領 域に加工部分ビーム(12A)が到達できることが保証される。 同様なことが、次のビーム分割装置(10B、10C、10D)、ビーム分割 キューブ(11B、11C、11D)、加工部分ビーム(12B、12C、12 D)、工作物(13B、13C、13D)およびコンベアベルト(14B、14 C、14D)についても該当する。しかしその場合に最後のビーム分割キューブ (11D)は、ビーム分割層の代わりにミラーコート層を有するようにしてもよ い。 最後のビーム分割装置(10D)の後方にさらに、ビーム吸収壁(15)が配 置されている。このビーム吸収壁(15)は、すべてのビーム分割キューブ(1 1A、11B、11C、11D)がビーム分割装置(10A、10B、10C、 10D)内で、特に該当する加工部分ビーム(12A、12B、12C、12D )が不要な場合に、光学軸(3)から除去可能であるので、必要とされる。(も ちろん、図1の図示とは異なり、これを最後のビーム分割装置(10D)の構成 部分としてもよい。) なお、図面は例でしかないので、ビーム分割装置(10)並びに対応する他の 構成部材の数は、図面に示されているよりも多くても少なくてもよい。 材料照射装置にはさらに制御装置(16)も含まれており、その制御装置は制 御すべきすべての構成部品および構成グループ(1、10A、10B、10C、 10D、14A、14B、14C、14D、18)と導線(17.1、17.7 、17.10A、17.10B、17.10C、17.10D、17.14A、 17.14B、17.14C、17.14D)を介して接続されている。その場 合に制御装置(16)は選択的に特に、ビーム源(1)、ズーム対物レンズ(1 8)の相対移動、ビーム分割装置(10A、10B、10C、10D)内でのビ ーム分割キューブ(11A、11B、11C、11D)の昇降動作およびコンベ アベルト(14A、14B、14C、14D)の前進ないし後退移動を制御する 。 図2には、図1に示す材料照射装置の少し変った変形例が図示されている。図 1に示す装置と異なり、ここでは第1のビーム分割キューブ(211A)の前に 公知の従来技術に基づくビーム均質化装置(26)が配置されており、それによ って加工ビーム(22)の断面のエネルギー分布が均質化される。 さらにビーム分割キューブ(211A)と工作物(213A)との間に他のビ ーム分割キューブ(20’)が配置されており、それが部分ビーム束のわずかな 部分をフォトダイオード(20)上へ案内する。このフォトダイオード(20) は加工部分ビーム束の強度を測定し、その後この測定結果が図には図示されてい ない制御装置(図1の16)へ供給されて、制御装置が測定結果をビーム源(2 1)の出力放出を調節するために使用する。 他の変形は、その内部に内蔵された発散フィルタ(28)を有するレンズグル ープ(24、25)に関する。レンズグループ(24、25)のレンズは、ここ では球面で形成されており、発散フィルタ(28)はアパーチャープレートとし て形成されている。 さらにビーム分割キューブ(211A)は部分ビーム用のビーム出口面(23 )を有し、そのビーム出口面がそこらか出射する部分ビームを合焦させる。 工作物移動装置(214A)は、少なくとも図面平面に対して垂直の軸内で工 作物(213A)の移動を可能にする座標テーブルとして形成されている。 図3においては、レンズグループ(34、35)の回転対称のレンズが互いに 対して固定され、発散フィルタ(38)が調節可能なアパーチャーとして形成さ れている。 ビーム分割キューブ(311A)は常に加工ビーム(32)の光学軸内に留ま る。加工ビーム(32)から分離された部分ビームを遮断しようとする場合には 、図3に示す材料照射装置のこの変形例においては、ビーム吸収壁(36)がビ ーム分割装置(310A)の前へ揺動される。 ビーム分割キューブ(311A)の後方には対物レンズ(39)が配置されて おり、この対物レンズは制御装置(図1の16)から移動指令を受け取る。ビー ム吸収壁(36)は、ビーム分割キューブ(311A)の後段かつ対物レンズ( 39)の前ないし後ろに揺動して離れることができるように配置されなければな らない。 図4には、修正されたビーム分割キューブ(411A)が図示されている。こ のビームスプリッターキューブ(411A)は必要であるよりも大きく形成され ているので、加工ビーム(42、42’)は異なる箇所から出てゆくことができ る。加工ビーム(42、42’)は常に平坦な面でビームスプリッターキューブ (411A)へ入射し、ビームスプリッターキューブ(411A)の出口面(4 1A、41B、41C、41D)はレンズ状に形成されており、それによってこ こには記載されていない加工すべき工作物の方向に出射した部分ビームを工作物 表面上へ合焦させることができる。 加工ビーム(42)がビームスプリッター層の上方の領域でビームスプリッタ ーキューブ(411A)へ入射すると、部分ビームはビーム出口面(41A)に よって合焦される。それに対して加工ビーム(42)がビームスプリッター層の 下方の領域でビームスプリッターキューブ(411A)へ入射すると、部分ビー ムはビーム出口面(41C)によって合焦される。部分ビームが工作物表面を照 射するのを阻止するために、場合によっては1つまたは複数のビーム出口面(4 1D)をビーム吸収壁として形成することができる。 それぞれ所望のビーム出口面(41)の選択は、ビームスプリッターキューブ (411A)を加工ビーム(42)の光学軸(43)に対して上昇または下降さ せることによって(それぞれビームスプリッターキューブ(411A)の仕様に 応じて側方の変位によっても)行われる。 図5には、ビームスプリッターキューブ(511A)の他の変形例が図示され ている。その場合にビームスプリッター層は2つのセクションAとBに分割され ている。 加工ビーム(52)がビームスプリッター層の上方の領域のセクションAでビ ームスプリッターキューブ(511A)へ入射すると、部分ビームはビーム出口 面(41A)を通してこの図には図示されていない工作物表面上へ垂直になる。 それに対して加工ビーム(52)がビームスプリッター層の下方の領域のセクシ ョンBでビームスプリッターキューブ(411A)へ入射すると、部分ビームは ビーム分割装置のビーム吸収壁として形成されている壁へ案内される。 図示されていないビームスプリッターキューブは、図4におけるように必要で あるよりも大きく形成されており、互いに順を追って配置された、異なる分離度 合を有する多数のゾーンを有する。 種々のゾーンは、図4または図5に示す破線に沿って配置することができるが 、ビームスプリッターキューブが側方へ少ししか移動できないという欠点を合せ 持つ。 しかしその代わりに、種々のゾーンを側方に(すなわち図4においては図面平 面に)配置することも可能であって、それによってビーム分割装置内でビームス プリッターキューブがさらに側方へ移動できるようになる。 同様な考えはもちろん、図4に示すビームスプリッターキューブ(411A) にも該当する。見やすくするために、この変形例の図示は省いてある。 図6に示す本発明による照射装置(56)の変形例は、主要な要素としてレー ザー(60)、1つないし多数の部分ビーム発生装置(60.x0、57)、各 部分ビーム(62.11、62.12、62.13、62.14)のためのビー ム偏向装置(62.x14、62.x24、62.x34、62.x44)、キ ャッチアパーチャー(63)および投影対物レンズ(64)並びに観察ユニット (66)を有する。公知のワンビームー、多重ワンビームーおよびマルチビーム 照射装置とは異なり、本発明に基づく照射装置(56)によってずっと簡単な装 置が得られ、その装置は場合によってはビーム均質化装置とマイクロレンズアレ イなしでワンビームの機械のような組立て体積で多ビームで(好ましくはたとえ ば4ビームで)作動し、さらにわずかな手間で再び解体することができる。 使用されている、従来技術に基づいて適した光学的品質にされた出力レーザー (60)は好ましくは190nmから1000nmを越える波長を有し、それぞ れ照射装置(56)の使用目的に応じて数mWから数ワットの平均出力を有する 。 レーザー(60)ないしビーム改良装置(61)から出射されたレーザービー ム(62)(図10を参照)は、ビームスプリッターとして、または反射体とし て形成されている第1の装置(62.x0)へ入射する。この装置(62.x0 )が反射体として形成されている場合には(装置(62.x0)の後方に他のビ ームスプリッターが設けられていない場合には)、反射体(62.x0)は好ま しくは90°ビーム偏向のための45°ミラーを有する。 装置(62.x0)がビームスプリッターとして形成されている場合には、レ ーザービーム(62.0)の一部は妨げられずに装置(62.0)を通過して、 それによって装置(62.x0)に対応する1つまたは多数の他の装置へ入射す る。その場合に装置の最後のものは反射体として形成される。装置(62.x0 )のビーム偏向角度は好ましくは90°であるが、それぞれ装置仕様に応じてそ れぞれ他の角度を有することもできる。 しかし、このレーザービーム(62.0)は、ビーム分割装置(62.x0) におけるビーム分割によって、その強さが弱くなる。弱化の程度は、該当する照 射装置(56)に対応しており、ビーム分割装置(62.x0)の後方の該当す る照射装置(56)内でレーザービーム(62)のビーム分割の数から得られる 。その場合にレーザー(60)は、加工すべき工作物(67)の表面上でレーザ ービーム(62)の発生された部分ビーム(62.112、62.122、62 .132、62.142)がまだ、工作物(67)の加工を可能にするために十 分に高い強さを有するように、設計されなければならない。 好ましくは軸内で調節可能な装置によって偏向されたレーザービーム(62. 1)が、部分ビーム(62.11、62.12、62.13、62.14)を発 生させる装置(57)へ入射し、その装置はここに図示されている例においては 4つのビーム分割キューブ(62.x1、62.x2、62.x3、62.x4 )からなる。その場合に45°で傾斜しているコーティング面(62.x1’、 62.x2’、62.x3’)は、発生する部分ビーム(62.11、62.1 2、62.13、62.14)のそれぞれが等しいエネルギーを有するように、 設計されている。 軸内に相前後して積み重ねられているビーム分割キューブ(62.x1、62 .x2、62.x3)のそれぞれが、自らによって発生された部分ビーム(62 .11、62.12、62.13)を好ましくは90°の角度で偏向装置(62 .x14、62.x24、62.x34)の2軸の偏向ミラー(62.x11、 62.x21、62.x31)上へ偏向させ、その場合にこの偏向ミラー(62 .x11、62.x21、62.x31)の大きさは好ましくは0.25から4 cm2である。部分ビームを発生させる装置の端部に反射体(62.x4)が配 置されており、その反射体は最後の部分ビーム(62.14)を他の2軸の偏向 装置(62.x44)の偏向ミラー(62.x41)上へ偏向させ、その場合に この偏向ミラー(62.x41)の大きさも好ましくは0.25から4cm2で ある。 ビームスプリッター(62.x1、62.x2、62.x3)なしいは反射体 (62.x4)によって2軸の偏向ミラー(62.x11、62.x21、62 .x31、62.x41)上へ偏向された部分ビーム(62.11、62.12 、 62.13、62.14)は、この偏向ミラー(62.x11、62.x21、 62.x31、62.x41)によって反射されて、このビーム(62.111 、62.121、62.131、62.141)はキャッチアパーチャー(63 )の孔を通して投影対物レンズ(64)へ入射し、その場合に断面がほぼ一定に 留まるこの部分ビーム(62.11、62.21、62.31、62.14)の 大きさは好ましくは0.25から4cm2である。 2軸の揺動ミラー(62.x11、62.x21、62.x31、62.x4 1)の後ろ側には揺動装置(62.x12、62.x22、62.x32、62 .x42)が設けられており、その揺動装置は揺動装置(62.x12、62. x22、62.x32、62.x42)用の駆動装置(62.x13、62.x 23、62.x33、62.x43)と接続されている。 投影対物レンズ(64)から合焦されて出射するビームは、好ましくは出入り 可能なビームスプリッター(65)へ入射し、このビームスプリッターは弱い部 分ビーム(62.113、62.123、62.133、62.143)を個別 ビーム位置を決定するための対物レンズとCCDカメラとを有する観察ユニット (66)の方向へ偏向する(図8を参照)。ビームスプリッター(65)を通し て入射する、ないしはビームスプリッター(65)が存在しない場合に生じる部 分ビーム(62.112、62.122、62.132、62.142)は、少 なくとも1つの軸内で調節可能なテーブル(68)上の工作物(67)の表面へ 達する。そのテーブルの調節軸は装置(62.x0)の調節軸に対して好ましく は垂直に方向付けされている。図6にはまたは、加工ステップの際の部分ビーム (62.112、62.122、62.132、62.142)の作業領域(6 9)が図示されている。 レーザー(60)、X−Y−テーブル(68)、観察ユニット(66)および 揺動ミラー(62.x11、62.x21、62.x31、62.x41)は制 御装置(70)を介して制御される(このような制御装置が図9に図示されてい る)。 上述の要素と制御装置の間並びに上述の個々の要素への電流線は、これらの図 面では見やすさを考慮して省いてある。制御装置への接続とエネルギー伝達は従 来技術に基づいて形成されており、特にワイヤによる、あるいはワイヤレスの接 続が可能である。 図7にはレーザー(60)から来る、ないしはビーム改良装置(61)から出 射するレーザービーム(62)のビームスプリッターないしは反射体(62.x 0、57)におけるビーム案内が再度詳細かつ一見してわかるように図示されて いる。 第1の部分ビーム発生装置(62.x0)は反射体またはビームスプリッター であって、従来技術に基づいて構成されている。装置(62.x0)が反射体で ある場合には、部分ビーム発生装置(57)のみが設けられる。 しかし通常の場合には多数の部分ビーム発生装置(62.x0)がレーザービ ーム(62)の光軸上に相前後して配置されており、それによって1つまたは多 数の工作物(67)、場合によっては異なる工作物(図6−10には図示されて いない)の多数の箇所を同時に加工することができる。 この部分ビーム発生装置(62.x0)は1つまたは多数の装置軸上に配置す ることも可能であって、その場合に後者の場合においてはある装置軸から他の装 置軸へ交替する場合に、レーザービーム(62.0)を転向させる少なくとも1 つの転向部材(図では図示されていない)が必要になる。 部分ビーム発生装置(62.x0)はその装置軸上で軸方向に摺動可能であっ て、その場合に摺動は図9に示される制御装置(70)によって、あるいは制御 装置(70)とは関係のない他の制御装置によってもたらされる。 多数の部分ビーム発生装置(62.x0)が相前後して配置されている場合に は、最後の部分ビーム発生装置は反射体としなければならず、それによって照射 装置(56)からビームがコントロールされずに、または無用に射出されること はない。 図7に示す部分ビーム発生装置(62.x0)はビームスプリッターであって 、そのビーム分割層(62.x0’)はレーザービーム(62)の一部を部分ビ ーム発生装置(57)上へ転向させる。レーザービーム(62.0)の転向され ない部分はビームスプリッター(62.x0)を妨げられずに通過して、1つの 、または他の部分ビーム発生装置(図6から10には図示されていない)へ入射 す る。レーザービーム(62)のエネルギーとビームスプリッター(62.x0) のビーム分割層(62.x0’)によるエネルギー分岐は、工作物(67)上へ 当接する部分ビームがそこでまだ所望の効果を発生させることができるような大 きさにされる。 部分ビーム発生装置(62.x0)によって偏向されたレーザービーム(62 .1)は他の部分ビーム発生装置(57)上へ入射し、この部分ビーム発生装置 は1つまたは多数のビームスプリッター(62.x1、62.x2、62.x3 )とその端部に設けられた反射体(62.x4)から構成されている。 各ビームスプリッター(62.x1、62.x2、62.x3)と部分ビーム 発生装置(57)の端部に設けられた反射体(62.x4)はそのビーム分割表 面(62.x1’、62.x2’、62.x3’)ないし反射表面(62.x4 ’)においてそれぞれ部分ビーム(62.11、62.12、62.13、62 .14)を発生する。これら部分ビーム(62.11、62.12、62.13 、62.14)はその後少なくとも1軸の偏向装置(62.x11、62.x1 2、62.x13、62.x14、図6を参照)へ入射するが、この偏向装置は 2軸(工作物表面上で部分ビームの平面的な移動が可能)、あるいは3軸(さら に各個別部分ビームの合焦が可能)であってもよい。 ビームスプリッター(62.x1、62.x2、62.x3)と反射体(62 x4)は、それらによって発生された部分ビーム(62.11、62.12、6 2.13、62.14)が部分ビーム発生装置(57)を同じ角度で出てゆくこ とのないように、配置されている。それによって、偏向装置(62.x11、6 2.x12、62.x13、62.x14、図6を参照)を部分ビーム発生装置 (57)の回りに配置することが可能になり、従ってコンパクトな装置構造を得 ることができる、という効果がもたらされる。その場合に部分ビーム(62.1 1、62.12、62.13、62.14)間の角度は装置固有および/または ビームスプリッター(62.x1、62.x2、62.x3)と反射体(62. x4)の数に従って選択される。 例示されている例においてはビームスプリッターの数は3つであって、さらに 反射体が設けられているので、4本の部分ビーム(62.11、62.12、6 2.13、62.14)のための好ましい角度として、90°の角度が得られる 。 部分ビーム発生装置(57)によって発生される部分ビーム(62.11、6 2.12、62.13、62.14)の光軸は一致せず、高さが互いに少しずれ ている。もちろん、部分ビーム(62.11、62.12、62.13、62. 14)の光軸は部分ビーム装置(57)の軸に対して必ずしも垂直である必要は なく、それに対して任意の各角度を有することができる。 図8には、投影対物レンズ(64)の後の部分ビームのビーム通路が再度詳細 に図示されている。観察ユニット(66)は多数の光学的素子(66.1、66 .2、66.3)(ここで図示されている例においてはレンズである)を有する 対物レンズからなり、その後ろ側に画像記録装置(66.4)(図示の例ではC CDカメラからなる)が取り付けられている。 テレセントリック対物レンズ(64)上にキャッチアパーチャー(63)の孔 を通して入射する部分ビーム(62.111、62.121、62.131、6 2.141)は軸平行である。図8に図示する例においては4本の部分ビームの うちの1本(62.141)は不要であって、2軸の揺動ミラー(62.x41 )によってキャッチアパーチャー(63)の表面へ導かれるので、加工すべき工 作物(67)の表面で作用を展開することはできない。キャッチアパーチャー( 63)の表面の少なくとも部分ビーム発生装置(57)の側が、少なくとも使用 されるレーザービームに関してビームを吸収するように構成されており、アパー チャー(63)は部分ビーム発生装置(57)のすべての部分ビーム(62.1 11、62.121、62.131、62.141)がアパーチャーの上へ入射 した場合でも所定の期間は破壊されないようなアパーチャーとして形成されてい る。 投影対物レンズ(64)自体は、1つまたは多数の光学素子(64.1、64 .2)から構成することができ(図8においてはたとえば2つのレンズである) 、かつ従来技術に基づく光学的仕様を有する。 キャッチアパーチャー(63)の孔を通して投影対物レンズ(64)へ入射す る軸平行の部分ビーム(62.111、62.121、62.131)は投影対 物レンズ(64)の光学素子(64.1、64.2)によってX−Y−テーブル (68)上の工作物(67)の表面上へ、部分ビーム(62.112、62.1 22、62.132)がそこで投影対物レンズ(64)の光学軸に対して少なく ともほぼ垂直に入射するように、合焦される。 しかし、ビームスプリッター(65)が揺動して差し込まれると、この部分ビ ーム(62.112、62.122、62.132)はまず予めその上へ入射し て、その場合にその後エネルギーの弱い部分ビーム(62.113、62.12 3、62.133)が発生されて、それが観察ユニット(66)へ入射する。観 察ユニット(66)自体の光学素子(66.1、66.2、66.3)は1つま たは多数の光学素子から構成することができ(図8においてはこれはたとえば3 つのレンズである)、かつ従来技術に基づく光学的仕様を有する。その場合に光 学素子(66.1、66.2、66.3)の後方に画像記録装置(66.4)が 設けられ、その画像記録装置はその上に入射するレーザー部分ビーム(62.1 12、62.122、62.132)によって破壊されず、かつ具体的な装置構 成に従ってレーザービーム(62.112、62.122、62.132)の位 置の画像評価を可能にする。 部分ビーム発生装置(62.x0)をビームスプリッター(62.x1、62 .x2、62.x3)および反射体(62.x4)、偏向装置(62.x11、 62.x12、62.x13、62.x14)、キャッチアパーチャー(63) 、投影対物レンズ(64)並びに観察ユニット(66)と共にビーム発生ユニッ トとしてまとめることも可能である。というのは、それらは部分ビーム発生装置 (62.x0)の軸上で調節する際に共通に移動され、好ましくは図面に図示さ れていない共通のハウジング内に収容されているからである。従ってビーム発生 ユニットは極めてコンパクトであって、多数のビーム発生ユニットを共通の、あ るいは異なる移動軸上に相前後して並べることができる。 図9に示す制御装置(70)は、データ入力部(70.0)(これはたとえば コンピュータに接続されており、あるいはキーボードからなる)と少なくとも4 つのデータ入出力(70.1、70.2、70.3、70.4)を有し、これら がレーザー(60)、X−Y−テーブル(68)、観察ユニット(66)並びに ビーム発生ユニットに通じている。しかし制御装置はさらに、照射装置(56) の照射の遂行と関連する(たとえばビーム(62)によって設定されているその 移動軸上でのビーム発生装置の移動)他の目的のためにも使用することができる 。 図10には、ビーム改良装置(61)が再度詳細に図示されている。このビー ム改良装置(61)はレーザー(60)の後方に配置され、大体において2つの アパーチャー(61.11、61.12)と4つの円柱レンズ(61.21、6 1.22、61.23、61.24)からなる。その場合にそれぞれ2つの円柱 レンズ(61.21、61.22;61.23、61.24)の間にアパーチャ ー(61.11;61.12)が配置されている。 レーザー(60)から出た軸平行のレーザービーム(62’)は第1の円柱レ ンズ(61.21)によって軸内で合焦される。焦点内に第1のアパーチャー( 61.11)が配置されており、それが望ましくないビーム成分を除去する。そ の後レーザービームは再び広がって、第1のレンズと同様に整合された第2の円 柱レンズ(61.22)へ入射するので、この第2の円柱レンズ(61.22) の後方では再びそれを通って出てゆくレーザービーム(62”)のための平行な ビーム通路が形成される。この配置(61.21、61.11、61.22)に よってレーザービーム(62)の断面も軸内で必要な寸法に適合される。 レーザービーム(62”)は第2の配置(61.23、61.12、61.2 4)の第1の円柱レンズ(61.23)へ入射し、それがレーザービーム(62 ”)を第1の合焦軸に対して垂直に合焦させる。焦点内に第2のアパーチャー( 61.12)が配置されており、それが他の望ましくないビーム成分を除去する 。その後次の円柱レンズ(61.24)が再び軸平行のレーザービーム(62) を形成し、それがビーム改良装置(61)から出射する。この第2の配置(61 .23、61.12、61.24)によってもレーザービーム(62)の断面が 、第1の断面適合軸に対して垂直に整合されている他の軸内で必要な寸法に適合 される。 このようにして得られたレーザービーム(62)は、ビーム改良装置(61) を通過する際にそのビーム品質とビーム断面が、照射装置(6)で使用するのに 必要なように適合されている。 補正されたレーザービームの寸法は代表的に、工作物上に入射する部分ビーム 当り約1ワットまでを有する1*1cm2である。その場合にすべてのビームス プ リッターと反射体は、代表的に1*1*1cm3の大きさであって、その場合に 揺動ミラーが代表的に1*1cm2の面積を有し、偏向装置(62.x11、6 2.x12、62.x13、62.x14)の組立て長さは約5cmである。投 影対物レンズ(64)と観察ユニット(66)の対物レンズはその場合には20 −40mmの直径を有する。ビームスプリッター(62.x1、62.x2、6 2.x3)と反射体(62.x4)および偏向装置(62.x11)62.x1 2、62.x13、62.x14)の間の距離は、約1cmしか必要とされず、 ビームスプリッター(62.x1、62.x2、62.x3)と投影対物レンズ (64)の対物レンズ入口レンズとの間の距離は約25cmである。しかし、そ れぞれ装置仕様に応じて、ここで行った記載よりも多いあるいは少ない寸法偏差 も可能である。 原則的に、たとえばプリント基板産業で一般的であるような金属−プラスチッ ク−ラミネートのレーザー加工は、異なるエネルギー密度を必要とする(金属: 高いエネルギー密度、プラスチック:低いエネルギー密度)。エネルギー密度が 低いと金属の場合には加工ができず、プラスチックはエネルギー密度が高いと熱 で損傷されてしまう。 同時に存在する、幾何学的に適宜互いに並べられかつ位置決め可能な多数の( 部分)レーザービームを用いて、加工平面内で7J/cm2以上のエネルギー密 度を発生させるために7本までの個別ビームを適宜まとめて案内することによっ て、この問題を効果的に解決することができる。 上方の銅層と、中央のポリイミド層と下方の銅層とからなるラミネートを加工 する場合に、加工は大体において2ステップで行われる。 まず、金属の加工を行わなければならない。多数のレーザー(部分)ビームが 銅上の、孔を形成すべき同じ位置へテレセントリックに向けられる。そのように してたとえば0.7J/cm2を有する5本の個別ビームから3.5J/cm2を 有する共通のレーザービームが発生され、それによって金属加工が可能になる。 このようにして上方のラミネートの金属にすべての孔が形成された後に、次の ステップとしてプラスチックの加工が来る。その場合にまとめて案内されたレー ザービームが再び互いに離れるように案内されて、各個別ビームがそれ以前に金 属層に形成されている孔を通してプラスチックの孔を別々に形成する。その場合 に第2の金属層はストッパー層として作用する。 必要な場合には、第2の金属層にも多数の個別(部分)ビームをまとめて案内 することによって孔を開けることができる。 実際には工作物に形成すべき孔の数は使用に供される個別(部分)ビームの数 よりも常にずっと大きいので(たとえば100または1000本の部分ビームに 対して1000000箇の孔)、プラスチックに孔を開けるために個別(部分) ビームも常に効果的に利用される(そしてかならずしも遮断する必要はない。そ れは最終的にエネルギー的に好ましくなく、かつ加工時間を長引かせる)。 この本発明による解決の利点は、次のことに見られる、すなわち、 −個々のレーザービームをまとめて案内することによって、作用するビームの 加工エネルギー密度を個別ビームの加工エネルギー密度の整数倍として極めて細 かく配量することができ、それによってそれぞれ加工すべき材料の理想的な加工 エネルギー密度に適合させることができ、 −レーザーエネルギーが消失せず、したがって使用されるレーザーの最大の効 率とそれに伴って最大の生産性が得られ、 −ワット数の少ない初期出力によるレーザーによる個別ビーム処理に比較して 、たとえば50Wの初期出力を有する出力の強いレーザーを効果的に使用するこ とができ、かつ −従来技術に基づく照射装置の上述の欠点が例外なく回避される。 本発明による方法はエネルギー的に極めて好ましく、材料照射装置の極めて効 果的な使用を可能にし、それは公知の従来技術によっては従来まだ知られていな かったものである。
───────────────────────────────────────────────────── 【要約の続き】 る。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.加工ビーム(2、22、32、42、52)を発生させるビーム源(1、 21、31)と、ビーム源(1、21、31)の後方のビーム分割装置(10A 、10B、10C、10D、310A)とを有し、前記ビーム分割装置によって 加工ビーム(2、22、32、42、52)が多数の部分ビーム(12A、12 B、12C、12D)に分割され、その場合に各部分ビーム(12A、12B、 12C、12D)をそれのみに付設されている偏向装置によって他の部分ビーム (12A、12B、12C、12D)とは関係なく加工すべき少なくとも1つの 工作物(13A、13B、13C、13D、213A、313A)上の異なる箇 所へ案内することができ、かつその場合に加工すべき工作物(13A、13B、 13C、13D、213A、313A)が少なくとも1つの軸内で移動可能な工 作物移動装置(14A、14B、14C、14D、214A、314A)に載置 されている、材料照射装置において、 加工ビーム(2、22、32、42、52)が多数のビーム分割装置(10A 、10B、10C、211A、311A)上へ次々と入射し、 ビーム分割装置(10A、10B、10C、211A、311A)がそれへ入 射する加工ビーム(2、22、32、42、52)の軸内に移動可能に配置され ており、 ビーム分割装置(10A、10B、10C、310A)から出射する部分ビー ムが工作物移動装置(14A、14B、14C、14D、214A、314A) 上の工作物の表面へ同時に入射し、 工作物移動装置(14A、14B、14C、14D、214A、314A)が 、少なくともビーム分割装置(10A、10B、10C、310A)の移動軸か ら変位している座標方向に移動可能に配置されている、 ことを特徴とする材料照射装置。 2.材料照射装置内に、各部分ビーム(12A、12B、12C、12D)に 非連続に付設されている、合焦用の光学装置(23、39、41A、41B、4 1C、41D)が取り付けられていることを特徴とする請求項1に記載の材料照 射装置。 3.材料照射装置内に、工作物移動装置(14A、14B、14C、14D、 214A、314A)の移動、ビーム分割装置(10A、10B、10C、31 0A)および/またはビーム転向装置(10D)の移動と場合によってはビーム 源(1、21、31)の出力を制御する制御装置(16)が設けられていること を特徴とする請求項1または2に記載の材料照射装置。 4.多数のビーム分割装置(10A、10B、10C、310A)が1つのビ ーム軸上に配置されていることを特徴とする請求項1−3のいずれか1項に記載 の材料照射装置。 5.ビーム分割装置(10A、10B、10C、310A)の移動軸が、工作 物移動装置(14A、14B、14C、14D、214A、314A)の主移動 軸上に垂直に配置されていることを特徴とする請求項4に記載の材料照射装置。 6.ビーム源(1、21、31)が、レーザービームを発生させるレーザーで あることを特徴とする請求項1−5のいずれか1項に記載の材料照射装置。 7.部分ビーム(12A、12B、12C、12D)の光学軸が、ビーム分割 装置(10A、10B、10C、310A)に入射する光学軸(3、33、42 、42’、52、52’)から変位していることを特徴とする請求項1−6のい ずれか1項に記載の材料照射装置。 8.ビーム分割装置(10A、10B、10C、310A)が少なくとも1つ の部分透過ビームスプリッター(11A、11B、11C、211A、311A 、411A、511A)から構成されていることを特徴とする請求項1−7のい ずれか1項に記載の材料照射装置。 9.部分ビーム(12A、12B、12C、12D)が各ビーム分割後に非連 続で合焦されることを特徴とする請求項2に記載の材料照射装置。 10.ビーム源(1、21、31)の後方でビーム分割装置(10A、10B 、10C、310A)の前にビーム断面適合光学装置(4、5;6、7;18; 24、25;34、35)が配置されていることを特徴とする請求項1−9のい ずれか1項に記載の材料照射装置。 11.ビーム分割装置(10A、10B、10C、310A)内ないしはその 後方にビーム遮蔽装置(36、41D、B)が配置されていることを特徴とする 請求項1−10のいずれか1項に記載の材料照射装置。 12.工作物(13A、13B、13C、13D、213A、313A)がプ リント基板であることを特徴とする請求項1−11のいずれか1項に記載の材料 照射装置。 13.ビーム断面適合光学装置(4、5;6、7;24、25;34、35) 内に発散フィルタ(8、9、28、38)が含まれており、その発散フィルタが 好ましくは制御可能であり、さらに好ましくは制御装置(16)によって制御可 能であることを特徴とする請求項1−12のいずれか1項に記載の材料照射装置 。 14.各部分ビーム(12A、12B、12C、12D)に付設されている光 学装置(20’、20;23、39、41A、41B、41C、41D)が、そ れが移動する際にそれぞれのビーム分割装置(10A、10B、10C、310 A)および/またはビーム偏向装置(10D)と堅固に結合されていることを特 徴とする請求項2に記載の材料照射装置。 15.光学装置(39)が対物レンズであることを特徴とする請求項14に記 載の材料照射装置。 16.対物レンズ(39)によって、工作物(13A、13B、13C、13 D、213A、313A)上で部分ビーム(12A、12B、12C、12D) の合焦直径の変更が可能であることを特徴とする請求項15に記載の材料照射装 置。 17.対物レンズ(39)がズーム対物レンズであることを特徴とする請求項 15または16に記載の材料照射装置。 18.制御装置(16)が、光学装置(18、39、20’20;23、39 、41A41B、41C、41D)の移動および好ましくは内部制御のための権 限も有することを特徴とする請求項3に記載の材料照射装置。 19.ビーム源(1、21、31、60)が、好ましくは190と3000n mの間の波長を有する脈動されるあるいは連続波のレーザーであることを特徴と する請求項1−18のいずれか1項に記載の材料照射装置。 20.ビーム源(1、21、31、60)がエキシマレーザーであることを特 徴とする請求項19に記載の材料照射装置。 21.ビーム源(1、21、31、60)が、周波数3倍または周波数4倍さ れたNeodym−YAG−レーザーであることを特徴とする請求項19に記載 の材料照射装置。 22.ビーム源(1、21、31、60)がCO2レーザーであって、 光学要素の材料がCO2レーザーの波長に適していることを特徴とする請求項 1−18のいずれか1項に記載の材料照射装置。 23.加工ビーム(62)を発生させるビーム源(60)と、ビーム源(60 )の後段のビーム分割装置(63.x0、57)とを有し、前記ビーム分割装置 によって加工ビーム(62.1)が多数の部分ビーム(62.11、62.12 、62.13、62.14)に分割され、その場合に各部分ビーム(62.11 、62.12、62.13、62.14)をそれのみに付設されている偏向装置 (62.x11、62.x12、62.x13、62.x14)によって他の部 分ビーム(62.11、62.12、62.13、62.14)とは関係なく少 なくとも1つの加工すべき工作物(67)上の異なる箇所へ案内することができ 、かつその場合に加工すべき工作物(67)が少なくとも1つの軸内で移動でき る工作物移動装置(68)上に載置されている、材料照射装置(56)を駆動す る方法において、 部分ビーム(62.11、62.12、62.13、62.14)の偏向装置 が少なくとも2本、好ましくは少なくとも4本の部分ビーム(62.11、62 .12、62.13、62.14)を同時に工作物(67)の表面上の少なくと も1点へ案内することができることを特徴とする材料照射装置を駆動する方法。 24.前記点が、工作物(67)の表面上で一体化すべきすべての部分ビーム (62.11、62.12、62.13、62.14)の平面的な作業領域(6 9)内に存在していることを特徴とする請求項23に記載の材料照射装置を駆動 する方法。
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