JPH11504387A - 高い破壊電圧を有する陽極酸化アルミニウム基板 - Google Patents
高い破壊電圧を有する陽極酸化アルミニウム基板Info
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Abstract
(57)【要約】
高い破壊電圧を有する陽極酸化性アルミニウム基板(12)が提供される。破壊電圧の増大は、適切なアルミニウム合金と適切な加工パラメータを選択することにより達成される。陽極膜(14)を目止めすると、腐食が減少することにより破壊電圧が増大される。好ましい目止め剤(30)は低室温粘度を有する、高度に架橋されたポリマーに硬化するエポキシクレゾール・ノボラックである。
Description
【発明の詳細な説明】
高い破壊電圧を有する陽極酸化アルミニウム基板
本発明はエレクトロニックパッケージ(electronic package)と印刷回路板の
用途のための陽極酸化されたアルミニウム基板に関する。更に詳しくは、陽極膜
(アノード皮膜)の破壊電圧は、アルミニウムコアの選択と加工により、及びそ
の陽極膜の細孔を目止めすることにより高められる。
陽極酸化アルミニウム基板は、マフリカー(Mahulikar)等の米国特許第4,
939,316号明細書に開示されるエレクトロニックパッケージング(electr
onic packaging)用途で使用される。マフリカー等は陽極酸化アルミニウム基材
とカバー部品とを有する、接着目止めされたエレクトロニックパッケージを開示
している。その基材とカバーとの間にはリードフレームが配置され、それら両者
に結合されている。このパッケージ基材か又は介在するダイ パドル(die padd
le)のいずれかに集積回路デバイスが接着結合される。
破壊電圧はエレクトロニックパッケージの設計者にとって興味のある1つの性
質である。破壊電圧は、電圧が誘電体層を横切って印加されたときその誘電体層
に不可逆的な分解を引き起こす電圧のことで、それには数桁の導電率の増大が伴
われる。
破壊電圧は、米国特許第4,939,316号明細書に開示されるタイプのエ
レクトロニックパッケージでは、厚いポリマー層が回路とリードフレームとを陽
極酸化基板から分離しているので、決定的に重要と言う訳ではない。しかし、最
近のエレクトロニックパッケージの設計品は、電子回路要素を直接記録法、スク
リーン印刷法、電解メッキ法、無電解メッキ法、気化法、スパッタリング法及び
蒸着法など、多種多様の方法で陽極酸化層の上に直接配設して含む。陽極酸化層
上に直接形成された回路では、破壊電圧は上記米国特許の場合よりはるかに重要
になる。
導電性回路要素が陽極酸化層上に直接形成されているエレクトロニックパッケ
ージの例は、「エッジ接続可能なエレクトロニックパッケージ(Edge
Connectable Electronic Package)」と題され、1995年4月20日に公開さ
れた、ホフマン(Hoffman)等によるPCT国際公開第WO95/10853号
、及び「一体取り付けエレクトロニックパッケージ部品(Integrally Bumped El
ectronic Package Components)」と題され、1996年2月1日に公開された
、マフリカー等によるPCT国際公開第WO96/03020号明細書に開示さ
れている。
破壊電圧を最大限に大きくすることが、今やエレクトロニックパッケージの設
計の1つの目的となっている。図1に破壊電圧に影響を及ぼす幾つかのファクタ
ーが示される。陽極酸化アルミニウム部材10は、典型的な厚さが約0.013
〜約0.075mm(0.0005〜0.003インチ)である陽極酸化層14
で被覆されたアルミニウム又はアルミニウム合金のコア12を有する。その陽極
酸化層はこの技術分野で知られている電解法で電着されている。1つのこのよう
な方法である一体着色陽極酸化(integral color anodization)がパスクアロニ
ー(Pasqualoni)等の米国特許第5,066,368号明細書に開示される。陽
極酸化層は、アルミニウム合金を1〜4g/lの硫酸と50〜120g/lのス
ルホサリチル酸を含有する電解液に浸漬することにより形成される。次に、電解
液を横断して陽極としてのアルミニウム合金に直流電流を、所望厚さの陽極膜を
形成するのに有効な時間印加する。
破壊電圧を低下させる共通の欠陥に、金属間化合物(intermetallics)16と
表面欠陥18がある。気孔(細孔)20は陽極膜を腐食する可能性のある汚染物
質22を取り込み、破壊電圧を更に低下させる。
金属間化合物16の最長軸に沿う長さは平均20μmまでであり、Al−Fe
−Si、FeAl3及びMnAl6のような非陽極酸化性の導電性合金成分を含有
するだろう。
陽極膜14は薄く、その中に表面欠陥は完全には塞ぎ込まれない。その結果、
破壊電圧を低下させる割れ目又はピットが存在することになる。
陽極膜の厚さを大きくすると破壊電圧は高くなるが、それは有効な解決法では
ない。厚い陽極膜は、その膜からアルミニウムコアへの放熱を減少させ、陽極膜
がひび割れする傾向を大きくする。更に、陽極膜の厚さを大きくすると、陽極酸
化時間と所要電力量が大きくなり、その部品コストが高くなる。
それ故、破壊電圧を最大限に大きくするには、上記の欠陥並びにその他の欠陥
を少なくすることが望ましい。
従って、本発明の1つの目的は、高破壊電圧を有する陽極酸化されたアルミニ
ウム部材を提供することである。アルミニウムコアと陽極膜の両者の欠陥を、そ
のアルミニウムコアの適正な選択、そのコアの熱処理、そのコアの研磨及びその
陽極膜中の細孔の目止めにより取り除くことによって、破壊電圧を増加させると
言うのが、本発明の1つの特徴である。
本発明の1つの利点は、破壊電圧を高めるとエレクトロニックパッケージと印
刷回路板の電気的性能が改善されることである。
本発明によれば、エレクトロニックパッケージ用部品が提供される。この部材
は、陽極酸化性金属コアとそのコアの少なくとも一部分を被覆する陽極膜を有す
る。次の条件の少なくとも1つを満足する:コア中の金属間化合物の平均最長軸
が約8μm以下であること、コアの平均表面荒さが約3μm以下であること、又
は陽極膜がその表面荒さを効果的に減らす厚さが約2μm以下のポリマーで目止
めされていること。
陽極膜を目止めするのに好ましいポリマーは、エポキシクレゾール・ノボラッ
ク約58%〜約88%、多官能性を有する実質的に芳香性の硬化剤約10%〜約
40%、促進剤約0.1%〜約1.0%及び界面活性剤、脱泡剤、レベリング剤
及びそれらの混合物より成る群から選ばれる添加剤約0.001%〜約1%より
本質的に成るエポキシ樹脂である。
上記の目的、特徴及び利点は次の明細及び図面から明らかになるであろう。
図1は、従来技術による陽極酸化基板の破壊電圧を低下させる欠陥を示す断面
図である。
図2は、高分子溶液で目止めされた陽極酸化基板を示す断面図である。
図3〜5は、本発明の基板から形成された印刷回路板の集成体を示す断面図で
ある。
図6は、本発明の基板から形成された多層印刷回路板を示す断面図である。
図7は、本発明の基板から形成されたエレクトロニックパッケージを示す断面
図である。
図8は、破壊電圧を測定するための装置を説明する。
図1を参照すると、破壊電圧は陽極膜14中の金属間化合物の粒子の大きさ、
組成又は数を変えることによって増大する。金属間化合物の粒子16の大きさは
コアの加工法を変えることによって小さくなる。アルミニウム合金A3003(
公称組成:銅0.05〜0.20重量%、マンガン1.0〜1.5重量%で、残
余がアルミニウム)を直接チル鋳造し、次いで所定ゲージまで圧延すると、金属
間化合物の粒子はその最長軸に沿う長さが約20μmまでとなる。所定ゲージに
近いところまでストリップ鋳造することにより、金属間化合物の粒子の最長軸に
沿う長さは約10μm以下となる。金属間化合物の粒子16には約5〜約8μm
より長い長さを持つ軸がないのが好ましい。
コア12が実質的にマグネシウムのような電解液に溶ける合金成分を主として
含み、しかも鉄のような電解液に溶けない合金成分を実質的に含んでいないと、
金属間化合物16の大きさが減少されるのではなく、それら粒子の導電性が有意
に低下する。好ましいアルミニウム合金は、アルミニウムアソシエーションイン
コーポレーテッド(Aluminum Association Incorporated)による表示で100
0シリーズ、5000シリーズ及び6000シリーズのものである。
1000シリーズの合金はアルミニウムが99重量%以上である。
5000シリーズの合金はマグネシウムを含み、そして通常はクロムも含む。
6000シリーズの合金はケイ素とマグネシウムとを近似した割合で含み、ケ
イ化マグネシウムを形成している。
1000シリーズの合金は、その降伏強さが、焼き戻しに依存するが、34.
5〜138MPa(5〜20ksi)の範囲であって、低すぎるので、印刷回路
板及びエレクトロニックパッケージ部品のようなエレクトロニックパッケージ用
途には適していない。1000シリーズ合金から形成された部品を加工すると、
表面損傷、そり及び曲げがもたらされる。電子部品を満足できるように加工する
には、少なくとも207MPa(30ksi)、好ましくは276MPa(40
ksi)を越える降伏強さが必要とされる。
5000シリーズ及び6000シリーズの合金は満足できる降伏強さと陽極酸
化能を有する。アルミニウム合金6061(公称組成:ケイ素0.4〜0.8重
量%、銅0.15〜0.4重量%、マグネシウム0.8〜1.2重量%、クロム
0.04〜0.35重量%で、残余がアルミニウム)が特に好ましい。T6焼戻
し(析出硬化のために溶液熱処理及び時効処理)では、その降伏強さは290M
Pa(42ksi)を越え、かつ破壊電圧は厚さ0.025mm(0.001イ
ンチ)の陽極膜で200ボルトを越える。一体着色陽極酸化を行う際のような、
定電圧で陽極酸化を行う場合は、アルミニウム合金6061はより速い速度で陽
極酸化され、所定時間でアルミニウム合金3003上に形成されるものよりも厚
い酸化物が形成される。
アルミニウム合金6061のこの高い降伏強さは、表面欠陥18がそのアルミ
ニウム合金の加工、取り扱い中に形成される可能性が小さくなっていることを意
味する。
アルミニウム合金6061に添加される主要合金形成性金属はマグネシウムで
、これは硫酸系電解液に溶ける。アルミニウム合金6061上に形成される酸化
物の中に含まれる金属間化合物の粒子の容積分率は、アルミニウム合金3003
上に形成される酸化物中のそれより小さい。これはアルミニウム合金6061上
に形成される陽極膜の固有抵抗と破壊電圧を共に一層増大させる。
表面欠陥18がコア12中にできると、その表面に陽極酸化層14と金属被覆
層24の条痕ができる。金属被覆層24とコア12との間の距離26が小さくな
り、破壊電圧を低下させる。ドイツ(Germany)、ミュンヘン(Munich)のロー
デンシュトック社(Rodenstock)製のローデンシュトックモデルRM600のよ
うなレーザー式表面プロフィロメーターで測定した、陽極酸化前の、コア12の
、最適性能にとっての平均表面荒さは約1.5μm以下、好ましくは約0.3μ
m未満である。
アルミニウム合金のコアから部品を打ち抜いた後、それら部品を研磨媒体中で
バレル研磨することによりそのばりを取る。このバレル研磨で同時に部品表面の
荒さも増す。湿式ばり取りが表面荒さを増加させる程度が最も小さく、破壊電圧
を最大限に大きくするには湿式ばり取りの方が好ましい。1つの適した湿式ばり
取り法は、部品を振幅が約0.4mm(1/64インチ)から約6.4mm(1
/4インチ)までの振動ボールに入れることを含む。色々な大きさの研磨媒体の
組み合わせを流動性媒体のままで加える。典型的には、流動性媒体は石鹸水溶液
であり、研磨材は大きな(4.8×8.7mm)セラミック柱状体と、直径の小
さい(6mm)球体と、減摩性を与える細かい(200メッシュ)粉末との混合
物である。
陽極(アノード)としてアルミニウム合金のコアを用い、硫酸電解液(硫酸1
0〜20重量%)中で、直流電流約0.93〜1.4A/m2(10〜15アン
ペア/平方フィート)において硬質陽極酸化することによって、より滑らかな部
材が得られる。陽極膜は透明であるが、一体着色を必要としない若干の用途もあ
る。
一体着色陽極酸化で形成された陽極膜の色は、その陽極膜中に光の多重反射を
引き起こす金属間化合物の存在によるものである。これらの金属間化合物は破壊
電圧を低下させる。更に、陽極酸化中にその酸化物に金属間化合物が混入すると
、それは酸化物−金属界面と酸化物の表面の両者を粗にする原因となる。
高い破壊電圧を有する非常に滑らかな表面は、アルミニウム合金5252(公
称組成:マグネシウム2.2〜2.8重量%で、残余がアルミニウム)、アルミ
ニウム合金5657(マグネシウム0.6〜1.0%で、残余がアルミニウム)
及びアルミニウム合金5457(マグネシウム0.08〜1.2%、マンガン0
.15〜0.45%で、残余がアルミニウム)のような5000シリーズのアル
ミニウム合金を硬質陽極酸化することにより得られる。
この5000シリーズの合金はそれらを圧延機の光沢ロールに通し、通過させ
ることにより最終ゲージまで薄くされる。部品を打ち抜いた後、それら部品に、
それらをリン酸95重量%、硝酸5重量%の95〜100℃に加熱された溶液に
浸漬することにより化学的研磨処理を施す。研磨溶液中の浸漬時間は約4分であ
る。
陽極酸化は、硫酸を約5〜約20重量%、好ましくは約10〜約15重量%含
有する水溶液中で行われる。これよりもっと希薄な電解液は、より硬質でより滑
らかな陽極膜を生成させる。
一体着色陽極酸化中にアルミニウム合金上に形成される陽極膜は性質が両面性
で、金属コアに隣接している薄いバリヤー層28とそのバリヤー層に隣接してい
る厚い外層とより成る。その厚い外層は直径が75〜200Åの範囲にある細孔
を高い割合で含む。金属被覆処理中に、その金属被覆、又はホトレジスト若しく
は現像剤のような化学薬品がそれら細孔中に沈着する可能性がある。これらの化
学薬品は陽極膜を腐食し、破壊電圧を低下させる。
破壊電圧はそれら細孔を任意、適当なあらゆる方法で目止めすることによって
高められる。1つの適した方法は、その部品を5g/lの酢酸ニッケル及び5g
/lの硼酸を含有する水溶液に浸漬することにより化学的に目止めする方法であ
る。この水溶液は80℃に加熱され、部品は約5分間浸漬される。普通は、その
部品は次いで沸騰水中に更に20分間浸漬される。
第二の適した目止め法は物理的目止め法であって、陽極膜の表面を誘電体ポリ
マーのような第二層で被覆するものである。この誘電体ポリマーは細孔を目止め
し、表面の荒さを減少させ、そして破壊電圧を増加させる。
誘電体ポリマー30は図2に説明されている。ポリマー30は、金属被覆層2
4がコア12にポリマー30の厚さより小さい距離は近づかないことを保証する
ために、陽極酸化層14と金属被覆層24との間に配置される。ポリマー30は
、1つ以上の半導体デバイスが基板10’の上に取り付けられる場合、熱絶縁体
となる。その半導体デバイスから熱を除去するには、熱抵抗を最少限に抑えるこ
とが望ましい。それ故、ポリマー層30の厚さは約0.0025〜約0.051
mm(0.0001〜0.002インチ)、好ましくは約0.005〜約0.0
15mm(0.0002〜0.0006インチ)となす。
ポリマーのこの所望とされる厚さは、陽極膜に対する接着性が大きい被膜に熱
硬化し、そして熱、水分、溶媒及び化学薬品に抵抗する自己レベリング性の液体
誘電体ポリマーによって達成される。この好ましい被膜は、エポキシクレゾール
・ノボラック基材を多官能性を持つ芳香族系硬化剤と組み合わせたエポキシ樹脂
である。
得られる被膜は、そのヒドロキシル基に因り接着性が大きく、被膜を疎水性に
する芳香族含有量が高いことに因り300℃までの温度における熱と水分に対す
る抵抗が大きく、そして高度に架橋されていることにより溶媒と化学薬品に対す
る抵抗が大きい。アミン、アミド、カルボン酸及び酸無水物のような普通の硬化
剤は好ましくない。これらの硬化剤は、親水性であることに加えて、エポキシ樹
脂被膜の水分、熱及び化学薬品に対する抵抗を低下させる。
この被膜には界面活性剤、脱泡剤、レベリング剤及びそれらの混合物のような
、選択して加えられる添加剤も存在し得るが、それらは最少限に保つようにされ
る。これらの添加剤は、典型的には、被膜の性能を落とさないように、約2重量
%以下の量で存在する。一般的には、上記エポキシ樹脂の溶液が陽極膜に塗布さ
れるとき、表面の濡れは十分で、界面活性剤は不要であるが、但し0.001〜
0.01%のオーダーの少量が有利である。このエポキシ樹脂を金属表面に直接
適用する場合は、フルオロ−脂肪族ポリマーエステルのような界面活性剤を含め
ることが望ましい。1つのそのような界面活性剤はミネソタ州(Minnesota)、
セントポール(St.Paul)の3M社が製造するFC−430である。
約100〜約200℃の温度範囲で反応速度を上げるために、イミダゾール誘
導体のような促進剤を加えることができる。
上記高分子溶液は約10〜約1000センチポイズ、好ましくは約15〜約5
00センチポイズのオーダーの低い室温(20℃)粘度を有する。この粘度は溶
媒の選択と存在する固形分の割合に依存する。その溶液中の固形分の割合は比較
的低く保たれる、即ち固形分約15〜約70%、好ましくは約20〜約60%の
オーダーに保たれる。
粘度と固形分の割合を低い水準に保つことの利点は、第一に、そのポリマー溶
液が直ちに陽極膜により吸収されて細孔、割れ目、その他の欠陥を塞ぐことであ
る。第二は、それによって、浸漬又は噴霧などの適当なあらゆる方法で1〜2μ
mのオーダーの非常に薄いフィルムの付着が可能になることである。第三は、そ
の液体ポリマーは自己レベリング性であって、部品10’の見かけの表面荒さを
減少させることである。第四は、その液体ポリマーは非常に薄い厚さで連続フィ
ルムを容易に形成することである。
適したポリマー複合物は、重量で、エポキシクレゾール・ノボラックが約58
〜約88%;多官能性を有する実質的に芳香族の硬化剤が約30〜約40%;促
進剤が約0.1〜約1%;並びに界面活性剤、脱泡剤、レベリング剤及びそれら
の混合物より成る群から選ばれる添加剤が約0.001〜約1%である。
好ましいポリマー複合物は、エポキシクレゾール・ノボラックが約60.5〜
約68.5重量%;多官能性を有する実質的に芳香族の硬化剤が約10〜約40
重量%;促進剤が約0.5〜約0.6重量%;及び界面活性剤が約0.001〜
約0.002重量%である。溶媒で約50%に希釈された1つの好ましいポリマ
ー組成物は重量で次の組成を持つものである:
エポキシクレゾール・ノボラック 33.5%
クレゾール・ノボラック硬化剤 15.2%
2メチルイミダゾール 0.3%
フロラド(florad)界面活性剤 0.001%
アセトン 50.999%
ECN9511(エポキシクレゾール・ノボラック樹脂)、HT9690(ク
レゾール・ノボラック硬化剤)及び2メチルイミダゾールは、ニューヨーク州(
New York)、アーズレイ(Ardsley)のシバ−ガイギー社(Ciba-Geigy)か15ら
入手できる。FC−430(フロラド界面活性剤)は3M社から入手できる。
このポリマーは約150〜約200℃に約30分〜約2時間加熱することによ
り硬化される。
本発明の陽極酸化されたアルミニウム部品は、印刷回路板とエレクトロニック
パッケージに特に適している。図3〜5は印刷回路板の製造を説明する。図3に
示されるように、1つ以上の貫通孔32を含んでいてもよいアルミニウム合金の
コア12が与えられる。
アルミニウム合金コア12と貫通孔32の壁は、図4に示されるように、陽極
酸化層14で被覆されている。陽極酸化層14は約0.0025〜約0.13m
m(0.0001〜0.003インチ)、好ましくは約0.013〜約0.07
5mm(0.0005〜0.003インチ)の厚さを有する。いかなる陽極酸化
法も満足できるが、一体着色陽極酸化が好ましい。
銅又は銅合金金属被覆層24のような電子回路要素は、図5に示されるように
、陽極酸化層14の上に、又は図2に示される介在ポリマー層の上に形成される
。図5に戻って説明すると、金属被覆は1つ以上の陽極酸化表面の上に回路トレ
ー
ス(circuit traces)24を形成し、貫通孔32があればそのいずれをも通って
連続的に延在して導電性路36を形成している。金属被覆層は、シュミット(Sc
hmitt),III等の米国特許第5,256,205号明細書に開示される、蒸
発法、スパッタリング法、無電解メッキ法、プラズマ蒸着法又はジェット蒸着法
のような適当なあらゆる方法で適用される。
回路トレース24は、全ての露出回路を金属被覆層により被覆し、その導電性
金属の上にそれを覆って適当なホトレジストを適用し、そして光画像形成して所
望とされる回路パターンを露出させる減色法で形成することができる。次いで、
陽極酸化膜を腐食することなく露出した金属被覆層を除去するものである適当な
エッチング剤、例えば、金属被覆層が銅である場合は、水酸化アンモニウム系エ
ッチング剤が所望とされない金属被覆層を除去して、所望とされる回路トレース
24のパターンを形成する。残っているホトレジストが次いで適当な溶媒により
除去される。
図6に示されるように、多層金属層の印刷回路板40は、誘電体層42を回路
トレース24の第一パターンの上にそれを覆って適用し、そしてその誘電体層4
2の上にそれを覆って回路トレース44の第二層を形成することによって製造さ
れる。これら2つ以上の回路トレース層を相互に電気的に接続するのに導電性バ
イアス46を用いることができる。図6はアルミニウム合金コア12の一方の側
だけの上の多層構造体を説明しているが、そのコアの両側に多層構造体を与え、
そして、図5で例証されるように、導電性バイアスをコアを貫通して延在させる
ことも本発明の範囲に入るものである。
本発明の陽極酸化アルミニウム部品は、また、図7に説明されるエレクトロニ
ックパッケージ部品にも適している。エレクトロニックパッケージ50は基礎構
成品52とカバー部品54を有し、この両部品は熱硬化性エポキシ樹脂のような
適切な接着剤56で一緒に接合されている。陽極酸化層14が基礎部品52とカ
バー部品54の両部品を被覆して電気的分離をもたらすようにするのが好ましい
。集積回路デバイス58は、それら基礎部品52とカバー部品54とで画される
キャビティ60内に収容される。この集積回路デバイス58は、陽極酸化層14
の上に形成された回路トレース34に電気的に相互接続される。ワイヤーボンド
、
半導体デバイス上の電気的に活性な入力/出力パッドをフリップチップ・ボンデ
ィングで用いられる回路にテープ自動接着し、そして直接はんだ付けする際に用
いられる銅箔の薄いストリップを含めて、適当なあらゆる電気的接続が採用でき
る。フリップチップ・ボンディングには、鉛/錫合金から造られたコラプシブル
ろうボール(collapsible solder balls)62が特に適している。
図7はエッジ接続可能なエレクトロニックパッケージを説明するものであるが
、本発明はリード線付き(leaded)パッケージ、リード線なし(leadless)パッ
ケージ及び配列タイプのパッケージを含めてあらゆるタイプのエレクトロニック
パッケージに適用可能であり、ここで配列タイプのパッケージには、ピングリッ
ド配列、ボールグリッド配列及びパッドグリッド配列のものがある。
本発明の利点は次に述べる例から更に明らかになるであろう。
例
陽極酸化されたアルミニウム部品10の破壊電圧を、図8に例示される装置を
用いて測定した。電力制御器63をアンペア計64と電気的に直列で接続した。
第一プローブ66を銀充填エポキシ樹脂68で陽極膜14に結合した。銀充填エ
ポキシ樹脂68と陽極膜14との接触面積を精確に測定して、電圧が印加される
面積を正確に測定できるようにした。第二プローブ70をアルミニウム合金コア
12に直接電気的に接続した。次に、電力制御器62で与えられる電圧を、アン
ペア計64が陽極膜14を通る電流を自記するまで徐々に高めた。電流の最低電
圧が破壊電圧であった。
表1は、一体着色陽極酸化で形成された0.025mm(0.001インチ)
の陽極膜で被覆されたアルミニウム合金部品の破壊電圧を比較するものである。
直接チル(D.C.)鋳造合金A3003は、平均最大軸長が16μmの金属間
化合物を含んでいた。ストリップ鋳造アルミニウム合金A3003は、平均最大
軸長が8μmの金属間化合物を含んでいた。アルミニウム合金A6061はD.
C.鋳造されたもので、それは硫酸系電解液に実質的に溶ける金属間化合物を含
み、また陽極膜は金属間化合物を本質的に含んでいなかった。
表2は2つのアルミニウム合金5252部品の破壊電圧を比較するもので、一
体着色陽極酸化アルミニウム合金6061部品に比較して、より滑らかなコア表
面と硬質陽極酸化により高い破壊電圧が達成されることを例証している。
光沢ロール試料は圧延機中の一対の光沢ロールを通過させることによって最終
ゲージまで薄くされたものである。化学的艶出し試料は圧延機中の一対の光沢ロ
ールを通過させることによって最終ゲージまで薄くされ、次いでリン酸95重量
%、硝酸5重量%の溶液中に95〜100℃の溶液温度において4分間浸漬する
ことにより艶出しされたものである。
表3は、陽極膜の気孔を目止めすると、ホトレジストによる被覆又は金属被覆
のような後続の加工処理の後に破壊電圧がどのように改善されるかを例証するも
のである。
アルミニウム合金6061−T6部品(32×32mm)の試料56個をスル
ホサリチル酸60g/lと硫酸4.5g/lの水溶液中で12〜14℃の温度に
おいて陽極酸化した。陽極酸化は、電流密度を9.3A/m2(100アンペア
/フィート2)まで2分間で直線的に増加させることにより開始された。次いで
、直流電圧を68ボルトまで上げ、そして電流を減衰させながら15分間定電圧
に保持した。それらの試料を次いで風乾した。陽極膜は0.018mmの厚さを
有していた。
次に、上記部品試料の半数に、酢酸ニッケル溶液中に85℃、pH5.8で1
7分間浸漬し、続いて水中で70℃、pH5.8において洗浄することによって
目止め処理を施した。上記部品試料の他方の半数は、目止め処理しないままで保
持された。
これらの試料を、次に、リン酸三ナトリウムとメタケイ酸ナトリウムとの混合
物を含有する50%ホトレジスト現像液にpH約13において4分間浸漬した。
これら試料を次いで水洗し、そしてアセトン中で乾燥した。
表4は本発明の希薄エポキシクレゾール・ノボラックのレベリング効果を例証
するものである。このエポキシ樹脂は固形分が8.7重量%から26重量%まで
含有するようにアセトンで希釈された。表4は、過度の希釈は表面の荒さと陽極
膜の細孔の目止めにマイナスの影響を及ぼすことを例証している。
表5は、エポキシ樹脂被膜が破壊電圧と、エポキシ結合スタッドを基板から分
離するのに必要な力の両者を高めることを例証している。この改善は陽極酸化A
6061をエポキシ被覆された陽極酸化A6061と比較すると分かる。この改
善は、また、陽極酸化A6061上の銅又はニッケルのジェット蒸着金属被覆層
をエポキシ被覆された陽極酸化A6061上の同じ金属被覆層と比較しても分か
る。ジェット蒸着法に認められた金属化基板の改善された接着性は、スパッタリ
ング法、蒸発法及びこれらに類する方法のような他の蒸着法にも等しく当てはま
ると考えられる。
本発明を陽極酸化アルミニウムに絞って述べて来たが、本発明はチタン、マグ
ネシウム及びそれらの合金のような他の陽極酸化性材料にも等しく適用可能であ
ると考えられる。前記エポキシクレゾール・ノボラックの利点は全ての金属基板
に、それらが陽極酸化されていようと、さもなければ被覆されていようと、或い
は裸の金属であろうとにかかわらず、当てはまると考えられる。
印刷回路板とエレクトロニックパッケージ部品の両者に特に有用な、前記の目
的、手段及び利点を十分に満足する基板を作る、増加した破壊電圧を有する陽極
酸化アルミニウム基板が、本発明により提供されることは明白である。本発明を
その態様と組み合わせて説明したが、以上の説明に照らして、当業者には、本発
明の多くの代替、修正及び変更が明白であろうことは明らかである。従って、本
発明には添付の請求の範囲の精神とその広い範囲に入る全てのそのような代替、
修正及び変更が包含される。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE,
DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,IT,L
U,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF
,CG,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE,
SN,TD,TG),UA(AM,AZ,BY,KG,K
Z,MD,RU,TJ,TM),AL,AM,AU,A
Z,BB,BG,BR,BY,CA,CN,CZ,EE
,FI,GB,GE,HU,IS,JP,KE,KG,
KP,KR,KZ,LK,LR,LS,LT,LV,M
D,MG,MK,MN,MW,MX,NO,NZ,PL
,RO,RU,SD,SG,SI,SK,TJ,TM,
TR,TT,UA,UG,UZ,VN
(72)発明者 パラササラティ,アルビンド
アメリカ合衆国 06471 コネチカット州
ノース ブランフォード,リンスレイ レ
イク ロード 152
(72)発明者 ジャロタ,サティシュ
アメリカ合衆国 06492 コネチカット州
ウォーリングフォード,ブロードビュー
ドライブ 43
(72)発明者 ブロック,アンドリュー ジェイ.
アメリカ合衆国 06410 コネチカット州
チェシャー,ロイヤルウッド コート 44
(72)発明者 ホルムズ,マイケル エイ.
アメリカ合衆国 95336 カリフォルニア
州リポン,ジョセフ コート 1172
(72)発明者 シュレイター,ジェフリー エム.
アメリカ合衆国 95361 カリフォルニア
州オークデイル,マン コート 766
(72)発明者 ラミレズ,ジャーマン ジェイ.
アメリカ合衆国 94509 カリフォルニア
州アンティオッチ,ベルフォード ピーク
ウェイ 4804
(72)発明者 リアング,デクシン
アメリカ合衆国 94539 カリフォルニア
州フレモント,ハバス ストリート
47330
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.陽極酸化性金属コア(12)と、 該陽極酸化性金属コア(12)の少なくとも一部分を被覆する陽極膜(14) とを含んで成り、該金属コア(12)内の金属間化合物(16)が約10μm未 満の平均最長軸長を有することを特徴とする、電子部品(10)。 2.ストリップ鋳造の微細構造を有する、請求項1記載の部品(10)。 3.金属コア(12)が約207MPaを越える降伏強さを有する、請求項1 又は2に記載の部品。 4.約207MPaを越える降伏強さを有する陽極酸化性金属コア(12)と 、 該金属コア(12)の少なくとも一部分を被覆している陽極膜(14)とを含 んで成り、該陽極酸化性金属コア(12)内の合金成分が陽極酸化用電解液に実 質的に可溶であって、それにより破壊電圧が高められる、電子部品(10)。 5.合金成分が硫酸系電解液に実質的に可溶である、請求項4記載の部品(1 0)。 6.主たる合金成分がマグネシウムである、請求項5記載の部品(10)。 7.金属コア(12)が5000シリーズのアルミニウム合金である、請求項 6記載の部品(10)。 8.金属コア(12)が、 2.2〜2.8重量%のマグネシウム及び残余のアルミニウム; 0.6〜1.0重量%のマグネシウム及び残余のアルミニウム;並びに 0.08〜1.2%のマグネシウム、0.15〜0.45%のマンガン及び残 余のアルミニウム より成る群から選ばれる、請求項7記載の部品。 9.平均表面荒さが約1.5μm未満である陽極酸化性金属コア(12)と、 該コア(12)の少なくとも一部分を被覆している陽極膜(14)と を特徴とする、電子用途のための部品(10)。 10.コア(12)が湿式ばり取りにより得られた表面仕上げを有する、請求 項9記載の部品(10)。 11.陽極酸化性金属コア(12)と、 第一と第二の対向する表面を有し、該第一表面が該金属コアと一体になってい る陽極膜(14)と、 該第二表面を約0.0025〜約0.051mmの平均厚さまで被覆している 誘電体ポリマー(42)であって、該部品の平均表面荒さを効果的に低下させる 該誘電体ポリマー(42) を特徴とする、電子用途のための部品(40)。 12.金属コア(12)と、 該部品(40)の平均表面荒さを効果的に低下させる約0.0025〜約0. 051mmの厚さを有する、該金属コア(12)を被覆するポリマー(42)を 特徴とする、電子用途のための部品(40)。 13.ポリマー(42)がエポキシクレゾール・ノボラックである、請求項1 1又は12記載の部品(40)。 14.約58〜約88%のエポキシクレゾール・ノボラックと、 約10〜約40%の、多官能性を有する実質的に芳香族の硬化剤と、 約0.1〜約1.0%の促進剤と、 約0.001〜約1.0%の、界面活性剤、脱泡剤、レベリング剤等の添加剤 より本質的に成るエポキシ樹脂(42)。 15.約60.5〜約68.5%のエポキシクレゾール・ノボラック樹脂と、 約30〜約40%の、多官能性を有する実質的に芳香族の硬化剤と、 約0.5〜約0.6%の促進剤と、 約0.001〜約0.002%の界面活性剤 より本質的に成る、請求項14記載のエポキシ樹脂(42)。 16.界面活性剤がフルオロ−脂肪族ポリマーエステルである、請求項15記 載のエポキシ樹脂(42)。 17.エポキシ樹脂(42)がケトン、モノ及びジエチレングリコールモノブ チルエーテルより成る群から選ばれる溶媒で約40〜85重量%まで希釈されて いる、請求項15又は16に記載のエポキシ樹脂(42)。 18.希釈剤がアセトンである、請求項17記載のエポキシ樹脂(42)。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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US08/427,921 US5534356A (en) | 1995-04-26 | 1995-04-26 | Anodized aluminum substrate having increased breakdown voltage |
US427,921 | 1995-04-26 | ||
PCT/US1996/004875 WO1996033863A1 (en) | 1995-04-26 | 1996-04-10 | Anodized aluminum substrate having increased breakdown voltage |
Publications (1)
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---|---|
JPH11504387A true JPH11504387A (ja) | 1999-04-20 |
Family
ID=23696850
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Country | Link |
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US (2) | US5534356A (ja) |
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JP (1) | JPH11504387A (ja) |
KR (1) | KR19990008009A (ja) |
AU (1) | AU5538596A (ja) |
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EP0822894A4 (en) | 2000-09-20 |
US5534356A (en) | 1996-07-09 |
TW324849B (en) | 1998-01-11 |
US5688606A (en) | 1997-11-18 |
KR19990008009A (ko) | 1999-01-25 |
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