JPH1150252A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
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- JPH1150252A JPH1150252A JP21579097A JP21579097A JPH1150252A JP H1150252 A JPH1150252 A JP H1150252A JP 21579097 A JP21579097 A JP 21579097A JP 21579097 A JP21579097 A JP 21579097A JP H1150252 A JPH1150252 A JP H1150252A
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Abstract
る。 【解決手段】この真空処理装置3の真空槽11内に、水
平姿勢と起立姿勢になれる基板ホルダ41、42を複数台
設け、いずれか一台の基板ホルダ41を水平姿勢にし、
他の基板ホルダ42を起立姿勢にすると、水平姿勢の基
板ホルダ41と基板昇降機構との間で基板6の受け渡し
ができるように構成する。水平姿勢で基板を載置した
後、その基板ホルダ41を起立姿勢にすると、基板6は
垂直になるので、複数の基板を垂直な状態にしてスパッ
タリングを行うことができる。ダストが付着せず、欠陥
が無い薄膜を効率よく形成できる。
Description
を処理する真空処理装置の技術分野にかかり、特に、垂
直状態の基板を処理する真空処理装置に関する。
せる場合には、基板搬送ロボットを用い、水平状態でハ
ンド上に載置した基板を水平方向に搬送しているが、ス
パッタリング法等によって基板表面に薄膜を形成する場
合には、ダストが付着しないように、真空処理装置内で
基板を垂直状態にしてターゲットと対向配置させる方が
望ましい。
直状態にして表面に薄膜を形成する従来技術の真空処理
装置であり、搬送室110と真空槽111とを有してい
る。搬送室110内には基板搬送ロボット112が配置
されており、真空槽111内には、ホットプレート兼用
の基板ホルダ104が配置されている。
在なアーム116を有しており、該アーム116先端部
分のハンド117上に、水平状態の基板106を載置す
ると、基板106を水平方向に搬送することができ、水
平姿勢にある基板ホルダ104上の所定位置まで移動さ
せられるように構成されている。
ており、基板ホルダ104が水平姿勢にある場合には、
各孔内には、基板昇降機構120が有する複数のピン1
05が収納されている。
せた状態で、基板昇降機構120を動作させ、ピン10
5を上方に移動させると、基板106はピン105先端
に乗せられる。その状態でアーム116を縮ませ、ハン
ド117を基板106と基板ホルダ104の間から抜き
取り、搬送室110内に戻した後、ピン105を下方に
移動させ、各ピン105を基板ホルダ104の孔内に収
納すると、基板106はハンド117から基板ホルダ1
04に移し替えられる。
板保持機構を動作させ、基板106を基板ホルダ104
表面に密着保持させ、回転軸124を回転させて基板ホ
ルダ104を起立させると、基板106は基板ホルダ1
04と一緒に起立し、垂直状態になる。
設けられており、基板106が基板ホルダ104に密着
した状態で垂直状態になると、その基板106は、カソ
ード108内に配置されたターゲットと平行に対向配置
される。
ると、ターゲットがスパッタリングされ、垂直状態の基
板106表面に薄膜が形成される。
板106が移動や起立する際に摺動しないため、真空槽
111内でのダストの発生はなく、また、垂直状態で基
板106表面に薄膜が形成されるので、ターゲットやそ
の近傍からダストが発生した場合でも基板106表面に
付着しないので、欠陥のない高品質の薄膜が得られるよ
うになっている。
03では、真空槽111に1台のカソード108しか設
けることができないため、同時に複数枚の基板を処理す
ることができない。近年では、高品質であるばかりでな
く、高スループットの真空処理装置が求められている。
の要求に応じるために創作されたものであり、その目的
は、垂直状態の複数枚の基板を処理できる真空処理装置
を提供することにある。
に、請求項1記載の発明は、真空槽を有し、前記真空槽
内には基板昇降機構と複数の基板ホルダとが配置された
真空処理装置であって、前記各基板ホルダは水平姿勢と
起立姿勢になれるように構成され、前記基板昇降機構が
上下動すると、前記各基板ホルダのうち、水平姿勢にあ
る基板ホルダとの間で水平状態の基板を受け渡しをでき
るように構成され、前記水平姿勢にある基板ホルダは、
前記基板を保持した状態で起立姿勢になれるように構成
されたことを特徴とする。
前記基板昇降機構に上下動可能な複数のピンを設け、前
記基板ホルダが水平姿勢になったときに、前記複数のピ
ンは、前記基板ホルダに設けられた孔内に収納できるよ
うに構成するとよい。
枚の基板を水平状態にして上下に配置できるように構成
された分離型チャンバーと、上下動と水平動が可能に構
成されたアームを有する基板搬送ロボットとを設け、前
記基板搬送ロボットを動作させ、前記アーム先端に基板
を乗せると、前記分離型チャンバーと前記基板昇降機構
との間で、前記基板の搬送をできるように構成すること
もできる。
れか1項記載の真空処理装置については、請求項4記載
の発明のように、前記真空槽にターゲットを有するカソ
ードを複数設け、前記基板ホルダに基板を保持させて起
立姿勢にすると、前記基板と前記ターゲットとが、前記
真空槽に設けられた窓を介して、平行に対向配置される
ように構成することもできる。
装置の真空槽内に基板昇降機構と複数の基板ホルダが配
置されており、各基板昇降機構は水平姿勢と起立姿勢に
なれるように構成されている。
基板ホルダのうち、水平姿勢にあるものと基板昇降機構
との間で基板の受け渡しをできるように構成されてお
り、更に、その基板ホルダは水平姿勢で基板を保持し、
起立姿勢になれるように構成されている。
し、基板昇降機構によって基板を受け渡し、起立姿勢に
すると、今度は別の基板ホルダを水平姿勢にして基板を
受け渡すことが可能であり、このように、一台の基板昇
降機構により、複数枚の基板を起立させて垂直状態にで
きるので、小型、低コストでスループットの高い真空処
理を得ることができる。
き、基板昇降機構に設けたピンを水平姿勢にある基板ホ
ルダの孔内で上下させ、その基板ホルダと基板昇降機構
の間で基板の受け渡しを行わせると、基板昇降機構の構
造が簡単になる。
に配置できる分離チャンバーを設ける場合、上下動と水
平動が可能なアームを有する基板搬送ロボットを設けて
おくと、アーム先端を分離チャンバーの所望位置に挿入
することで、基板搬送ロボットと、分離チャンバーとの
間で基板の受け渡しができるようになる。その基板搬送
ロボットと基板昇降機構との間では基板の受け渡しがで
きるので、結局、分離チャンバーと基板昇降機構との間
の基板搬送が可能になる。
ゲットを有するカソードを真空槽に複数設け、基板ホル
ダに基板を保持させた状態で起立姿勢にさせた場合に
は、その基板ホルダと一緒に起立して垂直状態になった
基板とカソード内のターゲットとが、真空槽に設けられ
た窓を介して、平行に対向配置させられるので、複数枚
の基板を垂直状態にして同時にスパッタリングすること
が可能となり、小型、低コストで高スループットのスパ
ッタリング装置が得られる。
真空処理装置の一実施形態であり、真空槽11と分離型
チャンバー10とを有している。真空槽11内には、基
板搬送ロボット12と、二台の基板ホルダ41、42が設
けられており、図示しない真空ポンプによって、内部を
真空排気できるように構成されている。
91、92が一個ずつ設けられており、各窓91、92には
2台のカソード81、82が装着されている。各カソード
81、82内には、ターゲットが設けられており(図示せ
ず)、各ターゲット表面は、窓91、92から真空槽11
内に面するように構成されている。
成された昇降軸15と、該昇降軸15の上部に取り付け
られたアーム16と、該アーム16の先端部分であるハ
ンド17とを有しており、図示しないモータを動作させ
ると、アーム16は回転動と伸縮動が可能なように構成
されている。その回転動と伸縮動によって先端部分が水
平方向に移動し、ハンド17を所望の場所に位置させら
れるようになっている。
れており(図示せず)、該基板昇降機構には、複数のピン
5が上下動可能に設けられている。また、真空槽11内
には、2本の回転軸241、242が、相対する二壁面に
沿って平行に横設されており、前述の基板ホルダ41、
42は、各回転軸241、242にそれぞれ取り付けられ
ている。
よって個別に回転できるように構成されており、ピン5
を全部下方に移動させた状態で、回転軸241、242を
回転させると、基板ホルダ41、42は水平姿勢にも起立
姿勢にもなれるように構成されている。
板ホルダ41、42は真空槽11内の同じ場所、同じ高さ
で静止するように構成されている。従って、各基板ホル
ダ41、42は同時に起立姿勢になれるが、図1に示すよ
うに、一方の基板ホルダ41が水平姿勢で静止している
場合には、他方の基板ホルダ42は起立姿勢にしかなれ
ない。
けられており、いずれか一方の基板ホルダ41、42を水
平姿勢にし、ピン5を上方に移動させると、各ピン5は
孔7内に挿通され、先端は、基板ホルダ41、42の上方
に位置するように構成されている。
下部チャンバー101と上段の上部チャンバー102が設
けられており、二台の基板ホルダ41、42に基板を載置
する場合には、先ず、下部チャンバー101と上部チャ
ンバー102内に基板を1枚ずつ配置し、基板搬送ロボ
ット12の昇降軸15を下げた状態にしてアーム16を
伸縮させ、先端部分のハンド17を下部チャンバー10
1内に挿入し、内部に配置された基板6をハンド17上
に乗せた後、ハンド17を抜き出す。
ーム16を水平回転させ、ハンド17上の基板6を基板
ホルダ41、42側に向ける。このとき、予め一方の基板
ホルダ41を水平姿勢に、他方の基板ホルダ42を起立姿
勢にしておく。
は、下方に移動されたピン5が収納されており、その状
態でアーム16を伸ばし、ハンド17上の基板6を、基
板ホルダ41上の所定位置まで移動させる。次いで、ピ
ン5を上方に移動させると、各ピン5先端に設けられた
フックが基板6の裏面に当接され、基板6がハンド17
上から持ち上げられる。
41と基板6の間から逃がした後、ピン5を下方に移動
させると、基板6は基板ホルダ41上に載置され、かく
て基板昇降機構から基板ホルダ41への基板6の受け渡
しが行われる。
板保持機構が設けられており、その基板保持機構を動作
させると、載置された基板6は、基板ホルダ41表面に
密着保持された状態になる。その状態で回転軸241を
回転させ、基板ホルダ41を起立姿勢にすると、基板6
は垂直状態になる。
2は、両方とも起立姿勢になっており、基板ホルダ41に
保持された基板6は、窓91を介してカソード81内のタ
ーゲットと平行に対向配置される。
兼用するように構成されており、起立姿勢の基板ホルダ
41は、基板6を垂直状態で保持したまま、所定温度ま
で加熱する。
あった基板ホルダ41上からハンド17を逃がした後、
昇降軸15を上方に動かしており、それに伴って上方に
移動したアーム16'を回転動と伸縮動させ、上部チャ
ンバ102内に挿入し、内部に配置されていた未処理の
基板6'をハンド17'上に乗せる。
元の高さに戻ったアーム16を回転動と伸縮動させ、ハ
ンド17と、該ハンド17上の未処理の基板6とを基板
ホルダ41、42側に向ける。
示すように水平姿勢にし、ハンド17を、その基板ホル
ダ42上の所定位置まで移動させ、上述したのと同様の
手順により、基板6を基板ホルダ42上に載置し、密着
保持させる。そして、その基板ホルダ42を起立姿勢に
し、窓92を介してカソード82内のターゲットに対向配
置させる。
の基板ホルダ41、42は両方とも起立姿勢にある。各基
板ホルダ41、42に垂直状態で保持された基板6は、カ
ソード81、82内のターゲットと平行に対向配置されて
おり、各基板6と各ターゲットの間にスパッタリングガ
スを導入し、カソード81、82に電力を投入するとスパ
ッタリングが開始され、ターゲットから飛び出した粒子
が垂直状態の基板6表面に入射し、ダストが付着しない
状態で薄膜が形成される。
は、基板6が先に所定温度まで加熱されるため、後で起
立姿勢にした基板ホルダ42よりも先にスパッタリング
を開始させており、所定膜厚の薄膜が形成されると、そ
の基板ホルダ41側のスパッタリングを終了させ、ピン
5を下方に移動させた状態で基板ホルダ41を水平姿勢
にする。
が乗せられており、基板ホルダ41の基板保持機構を解
除した後、孔7内に収納されたピン5のうち、一部のピ
ン5を上方に移動させ、薄膜が形成された基板6を持ち
上げる。
形成されており、基板6はフックに引っかけられた状態
で持ち上げられるため、上方に移動したピン5の間にも
他の基板を挿入できるようになっており、アーム16を
伸ばし、持ち上げられた基板6と基板ホルダ41の間に
ハンド17を挿入すると、ハンド17上の未処理の基板
がピン5間に挿入される。
動させると、ハンド17上から未処理の基板が持ち上げ
られる。次いで、持ち上げられた基板と基板ホルダ41
の間からハンド17を逃がし、各ピン5を下方に移動さ
せると、未処理の基板が基板ホルダ41上に載置され
る。
は、一部のピン5上に乗せられており、その基板6と基
板ホルダ41上に載置された基板との間にハンド17を
挿入し、ピン5を下方に移動させると、薄膜が形成され
た基板6はハンド17上に移し替えられる。アーム17
の回転動と伸縮動により、薄膜が形成された基板6を下
部チャンバ101内に搬送すると、その基板6は分離チ
ャンバ10内に収納される。
基板を密着保持させ、起立姿勢にすると、未処理の基板
は垂直状態でカソード81内のターゲットと対向配置さ
れ、スパッタリングができる状態になる。
ッタリング作業が終了した基板ホルダ42を水平姿勢に
し、上述したのと同様の手順により、薄膜が形成された
基板と未処理の基板とを交換する。
置3では、複数枚の基板を同時に垂直状態にしてスパッ
タリングを行い、薄膜が形成された基板を未処理の基板
と次々交換できるので、薄膜形成を連続的に行うことが
可能になっている。
同じピン5を用い、一台の基板搬送ロボット12と二台
の基板ホルダ41、42との間で基板の受け渡しを行わせ
られるので、真空槽11の体積が小さくて済み、また、
基板昇降機構も一台で済むので、小型、低コストであ
る。スパッタリング装置に対して本発明の真空処理装置
を適用すれば、小型、高スループットで欠陥のない薄膜
を形成できるようになる。
ング装置等の薄膜形成装置に限定されるものではなく、
真空雰囲気内で基板を水平状態から垂直状態にして処理
を行う装置に広く用いることができる。
基板6(6')に対応するため、矩形の真空槽11内の相
対する壁面に二台の基板ホルダ41、42を設けたが、正
方形の基板であれば、三壁面にそれぞれ三台設けること
ができる。更に、ピン5及びそのピン5を上下動させる
基板昇降機構を水平回転できるように構成しておくと、
多角形形状の真空槽の壁面に四台以上の基板ホルダを設
けることが可能になる。
になったときに、同じ場所、同じ高さに位置していた
が、異なる高さで静止するようにしてもよい。
得られる。特に、スパッタリング装置に適用した場合に
は、無欠陥の薄膜を効率よく形成できるようになる。基
板昇降機構が一台で済むので、経済的である。
ための図
勢になった状態を示す図
……ピン 6、6'……基板 81、82……カソー
ド 10……分離型チャンバ 11……真空槽
Claims (4)
- 【請求項1】真空槽を有し、前記真空槽内には基板昇降
機構と複数の基板ホルダとが配置された真空処理装置で
あって、 前記各基板ホルダは水平姿勢と起立姿勢になれるように
構成され、 前記基板昇降機構が上下動すると、前記各基板ホルダの
うち、水平姿勢にある基板ホルダとの間で水平状態の基
板を受け渡しをできるように構成され、 前記水平姿勢にある基板ホルダは、前記基板を保持した
状態で起立姿勢になれるように構成されたことを特徴と
する真空処理装置。 - 【請求項2】前記基板昇降機構は上下動可能な複数のピ
ンを有し、前記基板ホルダが水平姿勢になったときに、
前記複数のピンは、前記基板ホルダに設けられた孔内に
収納できるように構成されたことを特徴とする請求項1
記載の真空処理装置。 - 【請求項3】複数枚の基板を水平状態にして上下に配置
できるように構成された分離型チャンバーと、 上下動と水平動が可能に構成されたアームを有する基板
搬送ロボットとが設けられ、 前記基板搬送ロボットを動作させ、前記アーム先端に基
板を乗せると、前記分離型チャンバーと前記基板昇降機
構との間で、前記基板の搬送ができるように構成された
ことを特徴とする請求項1又は請求項2のいずれか1項
記載の真空処理装置。 - 【請求項4】前記真空槽にはターゲットを有するカソー
ドが複数設けられ、 前記基板ホルダに基板を保持させて起立姿勢にすると、
前記基板と前記ターゲットとが、前記真空槽に設けられ
た窓を介して、平行に対向配置されるように構成された
ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項
記載の真空処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21579097A JP3664854B2 (ja) | 1997-07-25 | 1997-07-25 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21579097A JP3664854B2 (ja) | 1997-07-25 | 1997-07-25 | 真空処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1150252A true JPH1150252A (ja) | 1999-02-23 |
JP3664854B2 JP3664854B2 (ja) | 2005-06-29 |
Family
ID=16678290
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21579097A Expired - Fee Related JP3664854B2 (ja) | 1997-07-25 | 1997-07-25 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3664854B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006077279A (ja) * | 2004-09-08 | 2006-03-23 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置 |
KR100974846B1 (ko) * | 2001-10-26 | 2010-08-11 | 가부시키가이샤 알박 | 스퍼터링 방법 |
JP2013249545A (ja) * | 2013-09-02 | 2013-12-12 | Hitachi High-Technologies Corp | 成膜装置 |
KR20180058459A (ko) | 2016-11-24 | 2018-06-01 | 한국알박(주) | 막 증착 방법 |
-
1997
- 1997-07-25 JP JP21579097A patent/JP3664854B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100974846B1 (ko) * | 2001-10-26 | 2010-08-11 | 가부시키가이샤 알박 | 스퍼터링 방법 |
JP2006077279A (ja) * | 2004-09-08 | 2006-03-23 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置 |
JP2013249545A (ja) * | 2013-09-02 | 2013-12-12 | Hitachi High-Technologies Corp | 成膜装置 |
KR20180058459A (ko) | 2016-11-24 | 2018-06-01 | 한국알박(주) | 막 증착 방법 |
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---|---|
JP3664854B2 (ja) | 2005-06-29 |
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