JPH1138596A - フォトマスクの保証方法 - Google Patents

フォトマスクの保証方法

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JPH1138596A
JPH1138596A JP19011797A JP19011797A JPH1138596A JP H1138596 A JPH1138596 A JP H1138596A JP 19011797 A JP19011797 A JP 19011797A JP 19011797 A JP19011797 A JP 19011797A JP H1138596 A JPH1138596 A JP H1138596A
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JP
Japan
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foreign matter
photomask
shielding film
light
light shielding
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Withdrawn
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JP19011797A
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English (en)
Inventor
Hitoshi Iida
仁 飯田
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 フォトマスク上に付着した異物によるパター
ン欠陥の抑止に関する。 【解決手段】 透明基板11と、透明基板11上に形成
された遮光膜12とからなるフォトマスクの保証方法で
あって、遮光膜12上に付着した異物13を、遮光膜1
3上に固着する工程を有すること。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトマスクの保
証方法に関し、更に詳しくいえば、フォトマスクの遮光
膜上に異物が付着した場合に、この異物がガラス基板に
飛散して、その後の露光工程においてパターンに欠陥が
生じることを防止する方法の改善に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の製造プロセスのパターニン
グ工程においては、レジストの露光工程が必須である
が、この露光工程にはフォトマスクが用いられる。フォ
トマスクは透光性を有するガラス基板上に、転写するパ
ターンに合せてパターニングされた遮光性を有する金属
膜(例えばクロム、マンガン等)が形成されてなる。
【0003】フォトマスクの表面に異物が付着した場合
には、何らかの異物がガラス基板上に付着した場合に
は、異物によって遮光されてしまうので、露光工程にお
いてウエハ上にパターンを転写した場合に露光パターン
に欠陥が生じてしまう。このため、露光工程の前に行う
現状のフォトマスクの検査工程ではパターン上に欠陥が
無いことを保証するため、フォトマスクの遮光部とガラ
ス部に付着している異物を検出し、検出された異物を除
去するためにフォトマスクの洗浄を繰り返し行ってい
る。
【0004】この際には、フォトマスク上の異物を硫酸
やアンモニア等の薬液を用いたウエット式の洗浄やブラ
シ等で除去し、洗浄後のフォトマスク上の異物の有無を
異物検査機で検査する方法が一般的であった。ところ
で、フォトマスクの遮光膜上に付着した異物は、そのま
まではパターン欠陥の原因とならないので、パターンの
転写には影響しない。しかし、この異物が何らかの理由
でガラス基板上に飛散して付着した場合には、パターン
欠陥を作る原因となる。このため、完全に異物のないフ
ォトマスクを提供するまでにはフォトマスクの洗浄と検
査を何度も繰り返す必要があった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、現
在のフォトマスクの洗浄、検査工程においてはパターン
上に異物のない製品を作るまでにきわめて多くの工数を
必要とするという問題が生じていた。本発明はかかる問
題点に鑑みて創作されたものであり、フォトマスクの遮
光膜上に付着した異物がガラス基板上に飛散して、パタ
ーン転写に影響を及ぼすことを抑止し、フォトマスクの
洗浄、検査工程での負担を軽減するフォトマスクの保証
方法を提供することを目的とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記した課題は、透明基
板と、前記透明基板上に形成された遮光膜とからなるフ
ォトマスクの保証方法であって、前記遮光膜上に付着し
た異物を、前記遮光膜上に固着する工程を有することを
特徴とするフォトマスクの保証方法により解決し、前記
異物を前記遮光膜上に固着する工程は、前記異物上にイ
オンビームを照射し、これによって前記異物上に形成さ
れる薄膜によって前記異物を前記遮光膜に固着すること
を特徴とする本発明に係るフォトマスクの保証方法によ
り解決する。
【0007】引き続いて、本発明の作用について説明す
る。本発明によれば、例えば異物上にイオンビームを照
射し、異物上に形成される薄膜によって異物を前記遮光
膜に固着するというようにして、遮光膜に付着した異物
を遮光膜上に強く固着している。このため、多少の衝撃
などが加わっても、遮光膜上に付着した異物が透明基板
の上に飛散して、のちの露光工程の際にパターン欠陥が
生じるということを極力抑止することができる。
【0008】従って、露光工程の前準備としてのフォト
マスクの洗浄、検査工程での負担を軽減することが可能
になる。
【0009】
【発明の実施の形態】以下で本発明の実施形態に係るフ
ォトマスクの保証方法について図面を参照しながら説明
する。図1は、本実施形態のフォトマスクの保証方法を
説明する図であり、図2は本実施形態において、異物を
遮光膜上に固着する方法について説明する図である。
【0010】図1において1は異物検査機であって、2
は洗浄機である。また3は異物を遮光膜上に固着させる
装置である。まず、洗浄機2にフォトマスクを搬送し、
ここで薬液、あるいはブラシ等によって表面に付着した
異物の除去を行う。洗浄後のフォトマスクは異物検査機
1に自動搬送され、ここでガラス基板上の異物の検出を
行う。
【0011】ここでフォトマスクのガラス基板上に異物
が検出された場合は、洗浄機2にこれを搬送してフォト
マスクを再洗浄する。以上の工程を繰り返してガラス基
板上の異物が除去された段階においても、遮光膜上に異
物が付着していることが異物検査機1によって確認され
た場合には、これを異物の固着装置3に搬送し、遮光膜
上の異物を遮光膜上に固着させる。以上により、パター
ン欠陥のないフォトマスクを得ることができる。
【0012】以下で、遮光膜上に異物を固着する具体的
な方法について図2を参照しながら説明する。図2中1
1はフォトマスクを構成するガラス基板であり、12は
クロム膜などからなる遮光膜である。まず、図2(a)
に示すように、洗浄後遮光膜12上に異物13が付着し
ているかどうかを異物検査機1によって調べる。洗浄後
も遮光膜12上に異物13が付着していた場合には、図
2(b)に示すように、異物13上に、不図示のイオン
銃でカーボンのイオンビーム14を照射する。
【0013】このとき、異物検査機1で検出した座標が
異物の固着装置3に出力され、イオン銃の照射領域内に
異物が収まるように位置合せされたのちにイオン銃から
イオンが異物に向けて照射されることになる。すると、
図2(c)に示すように、異物13上にカーボンからな
る薄膜15が形成され、これによって異物13が遮光膜
12上に固着される。
【0014】これにより、異物13がガラス基板11上
に飛散してしまうことを防止できる。異物13の遮光膜
12上への固着の強さに関しては、固着に使用する薄膜
15の種類や形状には依存しない。また、この膜厚に関
しては、概ね固着する異物13の高さと同程度で有るこ
とが望ましい。しかし、本発明において異物13の固着
の強さを決定するのは異物13/薄膜15/遮光膜12
の吸着力であるため、実際の薄膜15の膜厚が異物13
の高さより薄い場合であっても、実用上問題のない効果
が得られる。実際には、精密洗浄後、フォトマスクの遮
光膜上に付着している異物の大きさは1μm程度の場合
が多いことが経験上わかっているため、あらかじめ、薄
膜15の最終膜厚が1μm程度になるような条件で固定
しておけば、洗浄後に遮光膜12上で検出された全ての
異物13に対して同条件での固着が可能となる。
【0015】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、イオンビーム14を異物13上に照射して薄膜15
を形成し、異物13を遮光膜12上に固着しているの
で、このような異物がガラス基板11上に飛散して付着
してしまうことを防止することができる。これにより、
フォトマスクの洗浄、検査工程では、ガラス基板上に付
着した異物のみを考慮すればよくなるため、工程の負担
が大幅に軽減される。
【0016】このため、フォトマスク製造工程における
洗浄と検査にかかる負担を大幅に低減することが可能と
なり、フォトマスクの製作工程の短縮と、信頼性の向上
に大きく寄与する。なお、本実施形態ではイオンビーム
を用いて異物上にカーボンからなる薄膜を形成し、異物
を遮光膜上に固着したが、本発明はこれに限らず、固着
させる方法としては別の手段を用いてもよい。
【0017】例えば有機系化合物からなる異物にレーザ
光を照射して遮光膜上に焼き付ける方法や、物理的に異
物を遮光膜上に圧着する方法などを採用してもよい。ま
た、イオンビームを用いた方法についても、本実施形態
ではカーボンのイオンビームを照射しているが、本発明
はこれに限らず、薄膜が形成されるようなものであれば
同様の効果を奏し、例えば金属膜などを用いてもよい。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように本発明のフォトマス
クの保証方法によれば、例えば異物上にイオンビームを
照射し、異物上に形成される薄膜によって異物を前記遮
光膜に固着するというようにして、遮光膜に付着した異
物を遮光膜上に強く固着している。
【0019】このため、多少の衝撃などが加わっても、
遮光膜上に付着した異物が透明基板の上に飛散して、露
光の際にパターン欠陥が生じるということを極力抑止す
ることができる。従って、露光工程の前準備としてのフ
ォトマスクの洗浄、検査工程での負担を軽減することが
可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係るフォトマスクの保証方
法について説明する図である。
【図2】本発明の実施形態について異物を遮光膜上に固
着する方法について説明する断面図である。
【符号の説明】
1 異物検査機 2 洗浄機 3 異物の固着装置 11 ガラス基板(透明基板) 12 遮光膜 13 異物 14 イオンビーム 15 薄膜

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 透明基板と、前記透明基板上に形成され
    た遮光膜とからなるフォトマスクの保証方法であって、 前記遮光膜上に付着した異物を、前記遮光膜上に固着す
    る工程を有することを特徴とするフォトマスクの保証方
    法。
  2. 【請求項2】 前記異物を前記遮光膜上に固着する工程
    は、 前記異物上にイオンビームを照射し、これによって前記
    異物上に形成される薄膜によって前記異物を前記遮光膜
    に固着する工程であることを特徴とする請求項1記載の
    フォトマスクの保証方法。
JP19011797A 1997-07-15 1997-07-15 フォトマスクの保証方法 Withdrawn JPH1138596A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007057821A (ja) * 2005-08-24 2007-03-08 Toshiba Corp マスク欠陥修正方法及び半導体装置の製造方法
JP2020086280A (ja) * 2018-11-29 2020-06-04 大日本印刷株式会社 異物の除去方法、および、フォトマスクの製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2007057821A (ja) * 2005-08-24 2007-03-08 Toshiba Corp マスク欠陥修正方法及び半導体装置の製造方法
JP4607705B2 (ja) * 2005-08-24 2011-01-05 株式会社東芝 マスク欠陥修正方法及び半導体装置の製造方法
JP2020086280A (ja) * 2018-11-29 2020-06-04 大日本印刷株式会社 異物の除去方法、および、フォトマスクの製造方法

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