JPH1136033A - 電解コンデンサ用アルミニウム材 - Google Patents
電解コンデンサ用アルミニウム材Info
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- JPH1136033A JPH1136033A JP19023497A JP19023497A JPH1136033A JP H1136033 A JPH1136033 A JP H1136033A JP 19023497 A JP19023497 A JP 19023497A JP 19023497 A JP19023497 A JP 19023497A JP H1136033 A JPH1136033 A JP H1136033A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 表面積の拡大が大きく、高い静電容量が得ら
れる高圧用電解コンデンサの陽極用アルミニウム箔を提
供することである。 【解決手段】 純度９９．９ｗｔ％以上のアルミニウム
材であって、Ｎａ含有量が０．０１ｐｐｍ以上、１０ｐ
ｐｍ未満、Ｍｇ含有量が０．１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ
未満の電解コンデンサ用アルミニウム材。
れる高圧用電解コンデンサの陽極用アルミニウム箔を提
供することである。 【解決手段】 純度９９．９ｗｔ％以上のアルミニウム
材であって、Ｎａ含有量が０．０１ｐｐｍ以上、１０ｐ
ｐｍ未満、Ｍｇ含有量が０．１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ
未満の電解コンデンサ用アルミニウム材。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特に、高圧用電解コン
デンサの陽極として好適な静電容量を持つアルミニウム
箔に関する。
デンサの陽極として好適な静電容量を持つアルミニウム
箔に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、高圧用電解コンデンサの陽極と
して用いられるアルミニウム箔は、高い静電容量を得る
為、例えば塩酸を主体とした水溶液中で直流電源を用い
た電気化学的なエッチングによる粗面化（表面積拡大）
処理が行われている。このような処理により形成される
エッチングのピットは、微細なキャピラリ状である。そ
して、粗面化率はピットの密度によって決まる。従っ
て、高い静電容量を得る為には、ピットの形成が均一、
かつ、高密度である必要がある。
して用いられるアルミニウム箔は、高い静電容量を得る
為、例えば塩酸を主体とした水溶液中で直流電源を用い
た電気化学的なエッチングによる粗面化（表面積拡大）
処理が行われている。このような処理により形成される
エッチングのピットは、微細なキャピラリ状である。そ
して、粗面化率はピットの密度によって決まる。従っ
て、高い静電容量を得る為には、ピットの形成が均一、
かつ、高密度である必要がある。
【０００３】このような均一、かつ、高密度のピットを
形成する為、従来より、各種の提案がなされている。例
えば、特公昭６２−４２３７０号公報や特開平１−１２
８４１９号公報では、Ｐｂ，Ｂｉ，Ｉｎ，Ｓｎ等の元素
をアルミニウム箔の表面に濃縮させる方法が提案されて
いる。すなわち、アルミニウム箔の表面に前記元素を高
濃度に存在させていると、酸化皮膜が化学的に不安定な
ものになり、表面の溶解性を高めると謳われている。
形成する為、従来より、各種の提案がなされている。例
えば、特公昭６２−４２３７０号公報や特開平１−１２
８４１９号公報では、Ｐｂ，Ｂｉ，Ｉｎ，Ｓｎ等の元素
をアルミニウム箔の表面に濃縮させる方法が提案されて
いる。すなわち、アルミニウム箔の表面に前記元素を高
濃度に存在させていると、酸化皮膜が化学的に不安定な
ものになり、表面の溶解性を高めると謳われている。
【０００４】又、特開平６−６５６６４号公報では、Ａ
ｌ純度が９９．５ｗｔ％以上であって、Ｓｉを含有する
と共に、Ｚｎ０．００１〜０．０５ｗｔ％、Ｃｕ０．０
０１〜０．０１ｗｔ％、Ｔｉ≦０．００１ｗｔ％、Ｎｉ
≦０．００２ｗｔ％、及びその他不可避不純物を含有
し、かつ、酸化皮膜中のＳｉ析出量と酸化皮膜外におけ
るＳｉ析出量との比が、〔（酸化皮膜中のＳｉ析出量／
酸化皮膜外におけるＳｉ析出量）〕≦１であり、そして
Ｍｇ，Ｌｉ，及びＮａよりなる群から選ばれた少なくと
も一種の元素を０．００１〜０．１０ｗｔ％含有し、該
元素の酸化皮膜中における含有量は該元素の総量に対し
て５〜５０％である電解コンデンサ電極用アルミニウム
合金箔が提案されている。これによれば、Ｓｉ，Ｚｎ，
Ｃｕ，Ｔｉ，Ｎｉを上記のような割合にしたので、表面
酸化皮膜のエッチング性が向上し、表面積の拡大が図
れ、高い静電容量の電解コンデンサが得られると謳われ
ている。又、Ｍｇ，Ｌｉ，及びＮａよりなる群から選ば
れた少なくとも一種の元素を０．００１〜０．１０ｗｔ
％含有していると、Ｓｉの析出を抑制し、エッチング性
が向上すると記載されている。
ｌ純度が９９．５ｗｔ％以上であって、Ｓｉを含有する
と共に、Ｚｎ０．００１〜０．０５ｗｔ％、Ｃｕ０．０
０１〜０．０１ｗｔ％、Ｔｉ≦０．００１ｗｔ％、Ｎｉ
≦０．００２ｗｔ％、及びその他不可避不純物を含有
し、かつ、酸化皮膜中のＳｉ析出量と酸化皮膜外におけ
るＳｉ析出量との比が、〔（酸化皮膜中のＳｉ析出量／
酸化皮膜外におけるＳｉ析出量）〕≦１であり、そして
Ｍｇ，Ｌｉ，及びＮａよりなる群から選ばれた少なくと
も一種の元素を０．００１〜０．１０ｗｔ％含有し、該
元素の酸化皮膜中における含有量は該元素の総量に対し
て５〜５０％である電解コンデンサ電極用アルミニウム
合金箔が提案されている。これによれば、Ｓｉ，Ｚｎ，
Ｃｕ，Ｔｉ，Ｎｉを上記のような割合にしたので、表面
酸化皮膜のエッチング性が向上し、表面積の拡大が図
れ、高い静電容量の電解コンデンサが得られると謳われ
ている。又、Ｍｇ，Ｌｉ，及びＮａよりなる群から選ば
れた少なくとも一種の元素を０．００１〜０．１０ｗｔ
％含有していると、Ｓｉの析出を抑制し、エッチング性
が向上すると記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記提案の技
術は、エッチングピットの密度が増加するものの、エッ
チングピット以外の部分の表面溶解も激しく、電流がエ
ッチングピットの成長に有効に使われなかったり、箔厚
の減少によりピットの長さが不十分と言った問題が残さ
れている。すなわち、表面積拡大が十分ではない。
術は、エッチングピットの密度が増加するものの、エッ
チングピット以外の部分の表面溶解も激しく、電流がエ
ッチングピットの成長に有効に使われなかったり、箔厚
の減少によりピットの長さが不十分と言った問題が残さ
れている。すなわち、表面積拡大が十分ではない。
【０００６】従って、本発明が解決しようとする課題
は、表面積の拡大が大きく、高い静電容量が得られる高
圧用電解コンデンサの陽極用アルミニウム箔を提供する
ことである。
は、表面積の拡大が大きく、高い静電容量が得られる高
圧用電解コンデンサの陽極用アルミニウム箔を提供する
ことである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記の課題は、純度９
９．９ｗｔ％以上のアルミニウム材であって、Ｎａ含有
量が０．０１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満、Ｍｇ含有量
が０．１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満であることを特徴
とする電解コンデンサ用アルミニウム材によって解決さ
れる。
９．９ｗｔ％以上のアルミニウム材であって、Ｎａ含有
量が０．０１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満、Ｍｇ含有量
が０．１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満であることを特徴
とする電解コンデンサ用アルミニウム材によって解決さ
れる。
【０００８】又、純度９９．９ｗｔ％以上のアルミニウ
ム材であって、Ｎａ含有量が０．０１ｐｐｍ以上、１０
ｐｐｍ未満、Ｍｇ含有量が０．１ｐｐｍ以上、１０ｐｐ
ｍ未満であり、表面から深さ１μｍまでの層におけるＮ
ａの平均濃度、Ｍｇの平均濃度が、各々、深さ１μｍよ
り内部の層におけるＮａの平均濃度、Ｍｇの平均濃度よ
り大きいことを特徴とする電解コンデンサ用アルミニウ
ム材によって解決される。
ム材であって、Ｎａ含有量が０．０１ｐｐｍ以上、１０
ｐｐｍ未満、Ｍｇ含有量が０．１ｐｐｍ以上、１０ｐｐ
ｍ未満であり、表面から深さ１μｍまでの層におけるＮ
ａの平均濃度、Ｍｇの平均濃度が、各々、深さ１μｍよ
り内部の層におけるＮａの平均濃度、Ｍｇの平均濃度よ
り大きいことを特徴とする電解コンデンサ用アルミニウ
ム材によって解決される。
【０００９】又、更に、Ｓｉ含有量が１ｐｐｍ以上、１
００ｐｐｍ以下であり、上記特徴を有する電解コンデン
サ用アルミニウム材によって解決される。又、更に、Ｆ
ｅ含有量が１ｐｐｍ以上、１００ｐｐｍ以下であり、上
記特徴を有する電解コンデンサ用アルミニウム材によっ
て解決される。又、更に、Ｃｕ含有量が１ｐｐｍ以上、
１００ｐｐｍ以下であり、上記特徴を有する電解コンデ
ンサ用アルミニウム材によって解決される。
００ｐｐｍ以下であり、上記特徴を有する電解コンデン
サ用アルミニウム材によって解決される。又、更に、Ｆ
ｅ含有量が１ｐｐｍ以上、１００ｐｐｍ以下であり、上
記特徴を有する電解コンデンサ用アルミニウム材によっ
て解決される。又、更に、Ｃｕ含有量が１ｐｐｍ以上、
１００ｐｐｍ以下であり、上記特徴を有する電解コンデ
ンサ用アルミニウム材によって解決される。
【００１０】又、更に、Ｐｂ含有量が０．１ｐｐｍ以
上、１０ｐｐｍ以下であり、上記特徴を有する電解コン
デンサ用アルミニウム材によって解決される。本発明に
おいて、純度９９．９ｗｔ％以上のアルミニウムを用い
たのは、純度が９９．９ｗｔ％未満に低下し、不純物の
量が増加すると、エッチングによる溶解性が高くなり、
ピットの分布が不均一になるからである。従って、純度
９９．９ｗｔ％以上のアルミニウムを用いるのが大事で
ある。好ましくは、９９．９８ｗｔ％以上である。
上、１０ｐｐｍ以下であり、上記特徴を有する電解コン
デンサ用アルミニウム材によって解決される。本発明に
おいて、純度９９．９ｗｔ％以上のアルミニウムを用い
たのは、純度が９９．９ｗｔ％未満に低下し、不純物の
量が増加すると、エッチングによる溶解性が高くなり、
ピットの分布が不均一になるからである。従って、純度
９９．９ｗｔ％以上のアルミニウムを用いるのが大事で
ある。好ましくは、９９．９８ｗｔ％以上である。
【００１１】本発明において、Ｍｇを必須成分とするの
は、Ｍｇがピットの起点となり得る酸化皮膜の欠陥を多
くする作用があるからによる。しかし、Ｍｇは、皮膜の
溶解性を著しく低下させる。この為、Ｍｇに起因する欠
陥が全てピットの起点になる訳ではない。一方、Ｎａ
は、表面溶解性を高め、ピットの発生を容易にする作用
がある。しかし、表面積拡大に寄与しない表面溶解も促
進させる。
は、Ｍｇがピットの起点となり得る酸化皮膜の欠陥を多
くする作用があるからによる。しかし、Ｍｇは、皮膜の
溶解性を著しく低下させる。この為、Ｍｇに起因する欠
陥が全てピットの起点になる訳ではない。一方、Ｎａ
は、表面溶解性を高め、ピットの発生を容易にする作用
がある。しかし、表面積拡大に寄与しない表面溶解も促
進させる。
【００１２】従って、ＭｇとＮａとを共存させ、これら
の量を微妙に制御することによって、上手く表面積の拡
大を図ることが出来る。すなわち、Ｍｇの添加によって
導入された酸化皮膜の欠陥の殆どがＮａの作用によって
活性になり、その他の部分はＭｇの作用によって相対的
に不活性となる為、ピットが高密度で、かつ、均一に発
生し、表面積の拡大に寄与しない表面溶解を最小限に抑
えつつ、表面積の拡大に有効なトンネル状ピットが成長
する。
の量を微妙に制御することによって、上手く表面積の拡
大を図ることが出来る。すなわち、Ｍｇの添加によって
導入された酸化皮膜の欠陥の殆どがＮａの作用によって
活性になり、その他の部分はＭｇの作用によって相対的
に不活性となる為、ピットが高密度で、かつ、均一に発
生し、表面積の拡大に寄与しない表面溶解を最小限に抑
えつつ、表面積の拡大に有効なトンネル状ピットが成長
する。
【００１３】このようなＭｇとＮａとの微妙な共同作用
は、Ｍｇが０．１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満、かつ、
Ｎａが０．０１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満の場合に発
揮される。好ましくは、Ｍｇが０．２〜７ｐｐｍ、Ｎａ
が０．０２〜７ｐｐｍである。尚、Ｎａが１０ｐｐｍ以
上になると、Ｍｇ共存下でも表面溶解性が高くなり、表
面積の拡大効果が低下し、又、Ｍｇが１０ｐｐｍ以上に
なると、Ｎａ共存下でも皮膜の欠陥部の活性度が低下
し、表面積の拡大効果が低下する。又、Ｍｇが０．１ｐ
ｐｍ未満であると、ピットの起点となり得る酸化皮膜の
欠陥が少なく、表面積の拡大効果が得られない。又、Ｎ
ａが０．０１ｐｐｍ未満であると、表面溶解性が低く、
表面積の拡大効果が得られない。
は、Ｍｇが０．１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満、かつ、
Ｎａが０．０１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満の場合に発
揮される。好ましくは、Ｍｇが０．２〜７ｐｐｍ、Ｎａ
が０．０２〜７ｐｐｍである。尚、Ｎａが１０ｐｐｍ以
上になると、Ｍｇ共存下でも表面溶解性が高くなり、表
面積の拡大効果が低下し、又、Ｍｇが１０ｐｐｍ以上に
なると、Ｎａ共存下でも皮膜の欠陥部の活性度が低下
し、表面積の拡大効果が低下する。又、Ｍｇが０．１ｐ
ｐｍ未満であると、ピットの起点となり得る酸化皮膜の
欠陥が少なく、表面積の拡大効果が得られない。又、Ｎ
ａが０．０１ｐｐｍ未満であると、表面溶解性が低く、
表面積の拡大効果が得られない。
【００１４】ＭｇとＮａとを共存させる技術思想は、前
記した特開平６−６５６６４号公報には認められない。
特開平６−６５６６４号公報にあっては、Ｍｇ又はＮａ
はＳｉの析出を抑制する作用に着目して含有させられた
ものであり、本発明者が着目したＭｇとＮａとの共同作
用については全く触れる処がない。因みに、発明のベス
トモードを記載した実施例にあっても、特開平６−６５
６６４号公報ではＭｇとＮａとを共存させた例が挙げら
れていない。又、Ｍｇを含有させた電解コンデンサ用ア
ルミニウム箔の例として特許第２５７２４７９号明細書
があるが、これにおいてもＮａを共存させる技術思想は
ない。Ｎａを含有させた電解コンデンサ用アルミニウム
箔の例としては特開平８−２７５４９号公報や特開平８
−１４８３８７号公報があるが、これ等においてもＭｇ
を共存させる技術思想はない。
記した特開平６−６５６６４号公報には認められない。
特開平６−６５６６４号公報にあっては、Ｍｇ又はＮａ
はＳｉの析出を抑制する作用に着目して含有させられた
ものであり、本発明者が着目したＭｇとＮａとの共同作
用については全く触れる処がない。因みに、発明のベス
トモードを記載した実施例にあっても、特開平６−６５
６６４号公報ではＭｇとＮａとを共存させた例が挙げら
れていない。又、Ｍｇを含有させた電解コンデンサ用ア
ルミニウム箔の例として特許第２５７２４７９号明細書
があるが、これにおいてもＮａを共存させる技術思想は
ない。Ｎａを含有させた電解コンデンサ用アルミニウム
箔の例としては特開平８−２７５４９号公報や特開平８
−１４８３８７号公報があるが、これ等においてもＭｇ
を共存させる技術思想はない。
【００１５】Ｎａ，Ｍｇは表面層に高濃度で存在してい
るのが好ましい。つまり、表面から１μｍ以内の表面層
におけるＮａ濃度やＭｇ濃度と、前記より深い内部にお
けるＮａ濃度やＭｇ濃度とを比べた場合、表面層におけ
るＮａ濃度＞内部におけるＮａ濃度、表面層におけるＭ
ｇ濃度＞内部におけるＭｇ濃度であるのが好ましい。す
なわち、表面から深さ１μｍまでの層におけるＮａの平
均濃度＞深さ１μｍより内部の層におけるＮａの平均濃
度、表面から深さ１μｍまでの層におけるＭｇの平均濃
度＞深さ１μｍより内部の層におけるＭｇの平均濃度で
ある場合、エッチングによる表面積の拡大効果が一層大
きい。
るのが好ましい。つまり、表面から１μｍ以内の表面層
におけるＮａ濃度やＭｇ濃度と、前記より深い内部にお
けるＮａ濃度やＭｇ濃度とを比べた場合、表面層におけ
るＮａ濃度＞内部におけるＮａ濃度、表面層におけるＭ
ｇ濃度＞内部におけるＭｇ濃度であるのが好ましい。す
なわち、表面から深さ１μｍまでの層におけるＮａの平
均濃度＞深さ１μｍより内部の層におけるＮａの平均濃
度、表面から深さ１μｍまでの層におけるＭｇの平均濃
度＞深さ１μｍより内部の層におけるＭｇの平均濃度で
ある場合、エッチングによる表面積の拡大効果が一層大
きい。
【００１６】Ｓｉ，Ｆｅ，Ｃｕは、強度の付与及び（１
００）面占有率を高める為に添加される。エッチングに
よる表面積の拡大効果を一層大きなものとする為には、
Ｓｉ，Ｆｅ，Ｃｕは１ｐｐｍ以上とする必要がある。し
かし、１００ｐｐｍを越えた含有量では、不均一溶解の
原因になる。従って、Ｓｉ，Ｆｅ，Ｃｕは、各々、１〜
１００ｐｐｍとした。好ましくは、Ｓｉが５〜３０ｐｐ
ｍ、Ｆｅが５〜３０ｐｐｍ、Ｃｕが１０〜７０ｐｐｍで
ある。
００）面占有率を高める為に添加される。エッチングに
よる表面積の拡大効果を一層大きなものとする為には、
Ｓｉ，Ｆｅ，Ｃｕは１ｐｐｍ以上とする必要がある。し
かし、１００ｐｐｍを越えた含有量では、不均一溶解の
原因になる。従って、Ｓｉ，Ｆｅ，Ｃｕは、各々、１〜
１００ｐｐｍとした。好ましくは、Ｓｉが５〜３０ｐｐ
ｍ、Ｆｅが５〜３０ｐｐｍ、Ｃｕが１０〜７０ｐｐｍで
ある。
【００１７】Ｐｂはピット密度を増加させる作用があ
る。エッチングによる表面積の拡大効果を一層大きなも
のとする為には、Ｐｂは０．１ｐｐｍ以上とする必要が
ある。しかし、１０ｐｐｍを越えた含有量では、不均一
溶解の原因になる。従って、Ｐｂは、０．１〜１０ｐｐ
ｍとした。好ましくは、Ｐｂが０．２〜２ｐｐｍであ
る。
る。エッチングによる表面積の拡大効果を一層大きなも
のとする為には、Ｐｂは０．１ｐｐｍ以上とする必要が
ある。しかし、１０ｐｐｍを越えた含有量では、不均一
溶解の原因になる。従って、Ｐｂは、０．１〜１０ｐｐ
ｍとした。好ましくは、Ｐｂが０．２〜２ｐｐｍであ
る。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明になる電解コンデンサ用ア
ルミニウム材（箔）は、純度９９．９ｗｔ％以上のアル
ミニウム材（箔）であって、Ｎａ含有量が０．０１ｐｐ
ｍ以上、１０ｐｐｍ未満（特に、０．０２〜７ｐｐ
ｍ）、Ｍｇ含有量が０．１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満
（特に、０．２〜７ｐｐｍ）である。又、純度９９．９
ｗｔ％以上のアルミニウム材（箔）であって、Ｎａ含有
量が０．０１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満（特に、０．
０２〜７ｐｐｍ）、Ｍｇ含有量が０．１ｐｐｍ以上、１
０ｐｐｍ未満（特に、０．２〜７ｐｐｍ）であり、表面
から深さ１μｍまでの層におけるＮａの平均濃度、Ｍｇ
の平均濃度が、各々、深さ１μｍより内部の層における
Ｎａの平均濃度、Ｍｇの平均濃度より大きいものであ
る。
ルミニウム材（箔）は、純度９９．９ｗｔ％以上のアル
ミニウム材（箔）であって、Ｎａ含有量が０．０１ｐｐ
ｍ以上、１０ｐｐｍ未満（特に、０．０２〜７ｐｐ
ｍ）、Ｍｇ含有量が０．１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満
（特に、０．２〜７ｐｐｍ）である。又、純度９９．９
ｗｔ％以上のアルミニウム材（箔）であって、Ｎａ含有
量が０．０１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満（特に、０．
０２〜７ｐｐｍ）、Ｍｇ含有量が０．１ｐｐｍ以上、１
０ｐｐｍ未満（特に、０．２〜７ｐｐｍ）であり、表面
から深さ１μｍまでの層におけるＮａの平均濃度、Ｍｇ
の平均濃度が、各々、深さ１μｍより内部の層における
Ｎａの平均濃度、Ｍｇの平均濃度より大きいものであ
る。
【００１９】又、純度９９．９ｗｔ％以上のアルミニウ
ム材（箔）であって、Ｎａ含有量が０．０１ｐｐｍ以
上、１０ｐｐｍ未満（特に、０．０２〜７ｐｐｍ）、Ｍ
ｇ含有量が０．１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満（特に、
０．２〜７ｐｐｍ）、Ｓｉ含有量が１ｐｐｍ以上、１０
０ｐｐｍ以下（特に、５〜３０ｐｐｍ）である。又、純
度９９．９ｗｔ％以上のアルミニウム材（箔）であっ
て、Ｎａ含有量が０．０１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満
（特に、０．０２〜７ｐｐｍ）、Ｍｇ含有量が０．１ｐ
ｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満（特に、０．２〜７ｐｐ
ｍ）、Ｓｉ含有量が１ｐｐｍ以上、１００ｐｐｍ以下
（特に、５〜３０ｐｐｍ）であり、表面から深さ１μｍ
までの層におけるＮａの平均濃度、Ｍｇの平均濃度が、
各々、深さ１μｍより内部の層におけるＮａの平均濃
度、Ｍｇの平均濃度より大きいものである。
ム材（箔）であって、Ｎａ含有量が０．０１ｐｐｍ以
上、１０ｐｐｍ未満（特に、０．０２〜７ｐｐｍ）、Ｍ
ｇ含有量が０．１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満（特に、
０．２〜７ｐｐｍ）、Ｓｉ含有量が１ｐｐｍ以上、１０
０ｐｐｍ以下（特に、５〜３０ｐｐｍ）である。又、純
度９９．９ｗｔ％以上のアルミニウム材（箔）であっ
て、Ｎａ含有量が０．０１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満
（特に、０．０２〜７ｐｐｍ）、Ｍｇ含有量が０．１ｐ
ｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満（特に、０．２〜７ｐｐ
ｍ）、Ｓｉ含有量が１ｐｐｍ以上、１００ｐｐｍ以下
（特に、５〜３０ｐｐｍ）であり、表面から深さ１μｍ
までの層におけるＮａの平均濃度、Ｍｇの平均濃度が、
各々、深さ１μｍより内部の層におけるＮａの平均濃
度、Ｍｇの平均濃度より大きいものである。
【００２０】又、純度９９．９ｗｔ％以上のアルミニウ
ム材（箔）であって、Ｎａ含有量が０．０１ｐｐｍ以
上、１０ｐｐｍ未満（特に、０．０２〜７ｐｐｍ）、Ｍ
ｇ含有量が０．１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満（特に、
０．２〜７ｐｐｍ）、Ｆｅ含有量が１ｐｐｍ以上、１０
０ｐｐｍ以下（特に、５〜３０ｐｐｍ）である。又、純
度９９．９ｗｔ％以上のアルミニウム材（箔）であっ
て、Ｎａ含有量が０．０１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満
（特に、０．０２〜７ｐｐｍ）、Ｍｇ含有量が０．１ｐ
ｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満（特に、０．２〜７ｐｐ
ｍ）、Ｆｅ含有量が１ｐｐｍ以上、１００ｐｐｍ以下
（特に、５〜３０ｐｐｍ）であり、表面から深さ１μｍ
までの層におけるＮａの平均濃度、Ｍｇの平均濃度が、
各々、深さ１μｍより内部の層におけるＮａの平均濃
度、Ｍｇの平均濃度より大きいものである。
ム材（箔）であって、Ｎａ含有量が０．０１ｐｐｍ以
上、１０ｐｐｍ未満（特に、０．０２〜７ｐｐｍ）、Ｍ
ｇ含有量が０．１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満（特に、
０．２〜７ｐｐｍ）、Ｆｅ含有量が１ｐｐｍ以上、１０
０ｐｐｍ以下（特に、５〜３０ｐｐｍ）である。又、純
度９９．９ｗｔ％以上のアルミニウム材（箔）であっ
て、Ｎａ含有量が０．０１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満
（特に、０．０２〜７ｐｐｍ）、Ｍｇ含有量が０．１ｐ
ｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満（特に、０．２〜７ｐｐ
ｍ）、Ｆｅ含有量が１ｐｐｍ以上、１００ｐｐｍ以下
（特に、５〜３０ｐｐｍ）であり、表面から深さ１μｍ
までの層におけるＮａの平均濃度、Ｍｇの平均濃度が、
各々、深さ１μｍより内部の層におけるＮａの平均濃
度、Ｍｇの平均濃度より大きいものである。
【００２１】又、純度９９．９ｗｔ％以上のアルミニウ
ム材（箔）であって、Ｎａ含有量が０．０１ｐｐｍ以
上、１０ｐｐｍ未満（特に、０．０２〜７ｐｐｍ）、Ｍ
ｇ含有量が０．１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満（特に、
０．２〜７ｐｐｍ）、Ｃｕ含有量が１ｐｐｍ以上、１０
０ｐｐｍ以下（特に、１０〜７０ｐｐｍ）である。又、
純度９９．９ｗｔ％以上のアルミニウム材（箔）であっ
て、Ｎａ含有量が０．０１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満
（特に、０．０２〜７ｐｐｍ）、Ｍｇ含有量が０．１ｐ
ｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満（特に、０．２〜７ｐｐ
ｍ）、Ｃｕ含有量が１ｐｐｍ以上、１００ｐｐｍ以下
（特に、１０〜７０ｐｐｍ）であり、表面から深さ１μ
ｍまでの層におけるＮａの平均濃度、Ｍｇの平均濃度
が、各々、深さ１μｍより内部の層におけるＮａの平均
濃度、Ｍｇの平均濃度より大きいものである。
ム材（箔）であって、Ｎａ含有量が０．０１ｐｐｍ以
上、１０ｐｐｍ未満（特に、０．０２〜７ｐｐｍ）、Ｍ
ｇ含有量が０．１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満（特に、
０．２〜７ｐｐｍ）、Ｃｕ含有量が１ｐｐｍ以上、１０
０ｐｐｍ以下（特に、１０〜７０ｐｐｍ）である。又、
純度９９．９ｗｔ％以上のアルミニウム材（箔）であっ
て、Ｎａ含有量が０．０１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満
（特に、０．０２〜７ｐｐｍ）、Ｍｇ含有量が０．１ｐ
ｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満（特に、０．２〜７ｐｐ
ｍ）、Ｃｕ含有量が１ｐｐｍ以上、１００ｐｐｍ以下
（特に、１０〜７０ｐｐｍ）であり、表面から深さ１μ
ｍまでの層におけるＮａの平均濃度、Ｍｇの平均濃度
が、各々、深さ１μｍより内部の層におけるＮａの平均
濃度、Ｍｇの平均濃度より大きいものである。
【００２２】又、純度９９．９ｗｔ％以上のアルミニウ
ム材（箔）であって、Ｎａ含有量が０．０１ｐｐｍ以
上、１０ｐｐｍ未満（特に、０．０２〜７ｐｐｍ）、Ｍ
ｇ含有量が０．１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満（特に、
０．２〜７ｐｐｍ）、Ｐｂ含有量が０．１ｐｐｍ以上、
１０ｐｐｍ以下（特に、０．２〜２ｐｐｍ）である。
又、純度９９．９ｗｔ％以上のアルミニウム材（箔）で
あって、Ｎａ含有量が０．０１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ
未満（特に、０．０２〜７ｐｐｍ）、Ｍｇ含有量が０．
１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満（特に、０．２〜７ｐｐ
ｍ）、Ｐｂ含有量が０．１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ以下
（特に、０．２〜２ｐｐｍ）であり、表面から深さ１μ
ｍまでの層におけるＮａの平均濃度、Ｍｇの平均濃度
が、各々、深さ１μｍより内部の層におけるＮａの平均
濃度、Ｍｇの平均濃度より大きいものである。
ム材（箔）であって、Ｎａ含有量が０．０１ｐｐｍ以
上、１０ｐｐｍ未満（特に、０．０２〜７ｐｐｍ）、Ｍ
ｇ含有量が０．１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満（特に、
０．２〜７ｐｐｍ）、Ｐｂ含有量が０．１ｐｐｍ以上、
１０ｐｐｍ以下（特に、０．２〜２ｐｐｍ）である。
又、純度９９．９ｗｔ％以上のアルミニウム材（箔）で
あって、Ｎａ含有量が０．０１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ
未満（特に、０．０２〜７ｐｐｍ）、Ｍｇ含有量が０．
１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満（特に、０．２〜７ｐｐ
ｍ）、Ｐｂ含有量が０．１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ以下
（特に、０．２〜２ｐｐｍ）であり、表面から深さ１μ
ｍまでの層におけるＮａの平均濃度、Ｍｇの平均濃度
が、各々、深さ１μｍより内部の層におけるＮａの平均
濃度、Ｍｇの平均濃度より大きいものである。
【００２３】又、純度９９．９ｗｔ％以上のアルミニウ
ム材（箔）であって、Ｎａ含有量が０．０１ｐｐｍ以
上、１０ｐｐｍ未満（特に、０．０２〜７ｐｐｍ）、Ｍ
ｇ含有量が０．１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満（特に、
０．２〜７ｐｐｍ）、Ｓｉ含有量が１ｐｐｍ以上、１０
０ｐｐｍ以下（特に、５〜３０ｐｐｍ）、Ｆｅ含有量が
１ｐｐｍ以上、１００ｐｐｍ以下（特に、５〜３０ｐｐ
ｍ）、Ｃｕ含有量が１ｐｐｍ以上、１００ｐｐｍ以下
（特に、１０〜７０ｐｐｍ）、Ｐｂ含有量が０．１ｐｐ
ｍ以上、１０ｐｐｍ以下（特に、０．２〜２ｐｐｍ）で
ある。又、純度９９．９ｗｔ％以上のアルミニウム材
（箔）であって、Ｎａ含有量が０．０１ｐｐｍ以上、１
０ｐｐｍ未満（特に、０．０２〜７ｐｐｍ）、Ｍｇ含有
量が０．１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満（特に、０．２
〜７ｐｐｍ）、Ｓｉ含有量が１ｐｐｍ以上、１００ｐｐ
ｍ以下（特に、５〜３０ｐｐｍ）、Ｆｅ含有量が１ｐｐ
ｍ以上、１００ｐｐｍ以下（特に、５〜３０ｐｐｍ）、
Ｃｕ含有量が１ｐｐｍ以上、１００ｐｐｍ以下（特に、
１０〜７０ｐｐｍ）、Ｐｂ含有量が０．１ｐｐｍ以上、
１０ｐｐｍ以下（特に、０．２〜２ｐｐｍ）であり、表
面から深さ１μｍまでの層におけるＮａの平均濃度、Ｍ
ｇの平均濃度が、各々、深さ１μｍより内部の層におけ
るＮａの平均濃度、Ｍｇの平均濃度より大きいものであ
る。
ム材（箔）であって、Ｎａ含有量が０．０１ｐｐｍ以
上、１０ｐｐｍ未満（特に、０．０２〜７ｐｐｍ）、Ｍ
ｇ含有量が０．１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満（特に、
０．２〜７ｐｐｍ）、Ｓｉ含有量が１ｐｐｍ以上、１０
０ｐｐｍ以下（特に、５〜３０ｐｐｍ）、Ｆｅ含有量が
１ｐｐｍ以上、１００ｐｐｍ以下（特に、５〜３０ｐｐ
ｍ）、Ｃｕ含有量が１ｐｐｍ以上、１００ｐｐｍ以下
（特に、１０〜７０ｐｐｍ）、Ｐｂ含有量が０．１ｐｐ
ｍ以上、１０ｐｐｍ以下（特に、０．２〜２ｐｐｍ）で
ある。又、純度９９．９ｗｔ％以上のアルミニウム材
（箔）であって、Ｎａ含有量が０．０１ｐｐｍ以上、１
０ｐｐｍ未満（特に、０．０２〜７ｐｐｍ）、Ｍｇ含有
量が０．１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満（特に、０．２
〜７ｐｐｍ）、Ｓｉ含有量が１ｐｐｍ以上、１００ｐｐ
ｍ以下（特に、５〜３０ｐｐｍ）、Ｆｅ含有量が１ｐｐ
ｍ以上、１００ｐｐｍ以下（特に、５〜３０ｐｐｍ）、
Ｃｕ含有量が１ｐｐｍ以上、１００ｐｐｍ以下（特に、
１０〜７０ｐｐｍ）、Ｐｂ含有量が０．１ｐｐｍ以上、
１０ｐｐｍ以下（特に、０．２〜２ｐｐｍ）であり、表
面から深さ１μｍまでの層におけるＮａの平均濃度、Ｍ
ｇの平均濃度が、各々、深さ１μｍより内部の層におけ
るＮａの平均濃度、Ｍｇの平均濃度より大きいものであ
る。
【００２４】本発明になる電解コンデンサ用アルミニウ
ム箔は、上記した元素が上記した割合になるアルミニウ
ム合金の鋳塊を均質化処理、面削、熱間圧延を行った
後、適宜中間焼鈍を加えながら冷間圧延を施し、８０〜
１１０μｍの厚さのアルミニウム箔を得る。この後、圧
延油を綺麗に除去する為、脱脂処理を行う。脱脂処理は
公知の方法を用いることが出来る。例えば、アルカリ性
浴を用いた脱脂処理、酸性浴を用いた脱脂処理、或いは
有機溶剤を用いた脱脂処理を適宜採用できる。
ム箔は、上記した元素が上記した割合になるアルミニウ
ム合金の鋳塊を均質化処理、面削、熱間圧延を行った
後、適宜中間焼鈍を加えながら冷間圧延を施し、８０〜
１１０μｍの厚さのアルミニウム箔を得る。この後、圧
延油を綺麗に除去する為、脱脂処理を行う。脱脂処理は
公知の方法を用いることが出来る。例えば、アルカリ性
浴を用いた脱脂処理、酸性浴を用いた脱脂処理、或いは
有機溶剤を用いた脱脂処理を適宜採用できる。
【００２５】脱脂処理後、水洗する。水洗後、必要に応
じて、アルミニウム箔を次亜塩素酸ソーダ等の次亜塩素
酸塩及び苛性ソーダ等のアルカリを含有する水溶液中に
浸漬する。これらの含有量は、水溶液のｐＨが９〜１
２、特に１０〜１１、電気伝導率が１〜１０ｍＳ／ｃ
ｍ、特に５〜７ｍＳ／ｃｍになるよう設定されたもので
ある。具体的には、次亜塩素酸ソーダが１×１０-3〜５
×１０-1ｍｏｌ／ｌ、苛性ソーダが５×１０-4〜１×１
０-2ｍｏｌ／ｌである。上記浸漬時の温度は、４０〜８
０℃、特に５０〜６５℃であり、浸漬時間は１５〜６０
０秒、特に３０〜１８０秒である。
じて、アルミニウム箔を次亜塩素酸ソーダ等の次亜塩素
酸塩及び苛性ソーダ等のアルカリを含有する水溶液中に
浸漬する。これらの含有量は、水溶液のｐＨが９〜１
２、特に１０〜１１、電気伝導率が１〜１０ｍＳ／ｃ
ｍ、特に５〜７ｍＳ／ｃｍになるよう設定されたもので
ある。具体的には、次亜塩素酸ソーダが１×１０-3〜５
×１０-1ｍｏｌ／ｌ、苛性ソーダが５×１０-4〜１×１
０-2ｍｏｌ／ｌである。上記浸漬時の温度は、４０〜８
０℃、特に５０〜６５℃であり、浸漬時間は１５〜６０
０秒、特に３０〜１８０秒である。
【００２６】所定時間経過後、アルミニウム箔を取り出
し、４８０〜６２０℃（特に、５２０〜５８０℃）の温
度で焼鈍する。焼鈍時間は、１〜１２時間（特に、１〜
８時間）である。焼鈍は、非酸化性雰囲気、例えば真空
中または不活性ガス（ＡｒやＮ2 ガス）雰囲気中で行わ
れる。焼鈍の後、アルミニウム箔を１００℃以下（特
に、７０℃以下）の温度に冷却する。
し、４８０〜６２０℃（特に、５２０〜５８０℃）の温
度で焼鈍する。焼鈍時間は、１〜１２時間（特に、１〜
８時間）である。焼鈍は、非酸化性雰囲気、例えば真空
中または不活性ガス（ＡｒやＮ2 ガス）雰囲気中で行わ
れる。焼鈍の後、アルミニウム箔を１００℃以下（特
に、７０℃以下）の温度に冷却する。
【００２７】１００℃以下に冷却した後、アルミニウム
箔を２００〜３００℃（特に、２２０〜２８０℃）の温
度に加熱処理する。この加熱処理は、１０秒〜８時間で
ある。加熱処理は、真空中または不活性ガス雰囲気中と
言った非酸化性雰囲気下で行うのみならず、大気中で行
うことも出来る。そして、加熱処理後、アルミニウム箔
に公知の電解エッチング処理を施し、高圧用電解コンデ
ンサの陽極用アルミニウム箔を得る。
箔を２００〜３００℃（特に、２２０〜２８０℃）の温
度に加熱処理する。この加熱処理は、１０秒〜８時間で
ある。加熱処理は、真空中または不活性ガス雰囲気中と
言った非酸化性雰囲気下で行うのみならず、大気中で行
うことも出来る。そして、加熱処理後、アルミニウム箔
に公知の電解エッチング処理を施し、高圧用電解コンデ
ンサの陽極用アルミニウム箔を得る。
【００２８】以下、具体的実施例を挙げて本発明を説明
する。
する。
【００２９】
【実施例１〜１４】半連続鋳造法により下記の表−１，
２に示す組成のものとなるスラブを作製し、そして通常
の条件で均質化処理、面削、熱間圧延を行った後、適宜
中間焼鈍を加えながら、冷間圧延を行って厚さ０．１ｍ
ｍのアルミニウム箔を得た。この後、脱脂、水洗などを
経た後、Ａｒガス雰囲気下で５５０℃に５時間保持して
焼鈍を加えた。
２に示す組成のものとなるスラブを作製し、そして通常
の条件で均質化処理、面削、熱間圧延を行った後、適宜
中間焼鈍を加えながら、冷間圧延を行って厚さ０．１ｍ
ｍのアルミニウム箔を得た。この後、脱脂、水洗などを
経た後、Ａｒガス雰囲気下で５５０℃に５時間保持して
焼鈍を加えた。
【００３０】このようにして得られたアルミニウム箔
に、７５℃の電解エッチング液（ＨＣｌ；１ｍｏｌ／
ｌ，Ｈ2 ＳＯ4 ；２ｍｏｌ／ｌ）中で電流密度０．１Ａ
／ｃｍ2、時間６００秒の条件下で第１段直流電解エッ
チングを行い、次いで８５℃のエッチング液（ＨＮ
Ｏ3 ；０．５ｍｏｌ／ｌ）中に６００秒浸漬の化学エッ
チングを行った。
に、７５℃の電解エッチング液（ＨＣｌ；１ｍｏｌ／
ｌ，Ｈ2 ＳＯ4 ；２ｍｏｌ／ｌ）中で電流密度０．１Ａ
／ｃｍ2、時間６００秒の条件下で第１段直流電解エッ
チングを行い、次いで８５℃のエッチング液（ＨＮ
Ｏ3 ；０．５ｍｏｌ／ｌ）中に６００秒浸漬の化学エッ
チングを行った。
【００３１】この後、１０％アジピン酸アンモニウム溶
液中で２００ｖの化成処理を施した。そして、上記のよ
うにして得たアルミニウム箔を用いて高圧用電解コンデ
ンサを得た。 表−１ 化学組成（ｐｐｍ） Ｎｏ Ｎａ Ｍｇ Ｓｉ Ｆｅ Ｃｕ Ｐｂ Ａｌ １ ０．０１ ３．２ １０ １１ ３４ ０．８ 残り ２ ４．９ １．８ ７ ９ ４９ ０．４ 残り ３ ９．７ ４．８ １５ ９ ２６ ０．３ 残り ４ ６．２ ０．１ ６ １０ ５５ ０．９ 残り ５ ３．２ ９．８ ５ ５ １０ １．２ 残り ６ ０．０３ ７．５ ２０ ６４ ９７ ９．４ 残り ７ ８．５ ０．４ ８８ ３５ ６８ ４．６ 残り ８ ６．１ ６．５ ３２ ３８ ７０ ０．６ 残り ９ １．４ ２．７ １８ １４ ３０ １．８ 残り 10 ０．０１ ３．２ １０ １１ ３４ ０．８ 残り 11 ４．９ １．８ ７ ９ ４９ ０．４ 残り 12 ９．７ ４．８ １５ ９ ２６ ０．３ 残り 13 ６．２ ０．１ ６ １０ ５５ ０．９ 残り 14 ３．２ ９．８ ５ ５ １０ １．２ 残り 表−２ 表面から深さ１μｍまでの層における平均濃度（ｐｐｍ） Ｎｏ Ｎａ Ｍｇ １ ２６００ ２４００ ２ ２２０００ １５０００ ３ ５４００ １４００ ４ ８００ ５００ ５ ３７００ ８０００ ６ ２４０ １５０ ７ １５００ ３８００ ８ １３０００ ６０００ ９ ７２００ ４０００ 10 ０．０１ ３．２ 11 ４．９ １．８ 12 ９．７ ４．８ 13 ６．２ ０．１ 14 ３．２ ９．８ ＊グロー放電質量分析装置を用いて放電条件０．５ｍＡ，０．５ｋｖで測定
液中で２００ｖの化成処理を施した。そして、上記のよ
うにして得たアルミニウム箔を用いて高圧用電解コンデ
ンサを得た。 表−１ 化学組成（ｐｐｍ） Ｎｏ Ｎａ Ｍｇ Ｓｉ Ｆｅ Ｃｕ Ｐｂ Ａｌ １ ０．０１ ３．２ １０ １１ ３４ ０．８ 残り ２ ４．９ １．８ ７ ９ ４９ ０．４ 残り ３ ９．７ ４．８ １５ ９ ２６ ０．３ 残り ４ ６．２ ０．１ ６ １０ ５５ ０．９ 残り ５ ３．２ ９．８ ５ ５ １０ １．２ 残り ６ ０．０３ ７．５ ２０ ６４ ９７ ９．４ 残り ７ ８．５ ０．４ ８８ ３５ ６８ ４．６ 残り ８ ６．１ ６．５ ３２ ３８ ７０ ０．６ 残り ９ １．４ ２．７ １８ １４ ３０ １．８ 残り 10 ０．０１ ３．２ １０ １１ ３４ ０．８ 残り 11 ４．９ １．８ ７ ９ ４９ ０．４ 残り 12 ９．７ ４．８ １５ ９ ２６ ０．３ 残り 13 ６．２ ０．１ ６ １０ ５５ ０．９ 残り 14 ３．２ ９．８ ５ ５ １０ １．２ 残り 表−２ 表面から深さ１μｍまでの層における平均濃度（ｐｐｍ） Ｎｏ Ｎａ Ｍｇ １ ２６００ ２４００ ２ ２２０００ １５０００ ３ ５４００ １４００ ４ ８００ ５００ ５ ３７００ ８０００ ６ ２４０ １５０ ７ １５００ ３８００ ８ １３０００ ６０００ ９ ７２００ ４０００ 10 ０．０１ ３．２ 11 ４．９ １．８ 12 ９．７ ４．８ 13 ６．２ ０．１ 14 ３．２ ９．８ ＊グロー放電質量分析装置を用いて放電条件０．５ｍＡ，０．５ｋｖで測定
【００３２】
【比較例１〜４】半連続鋳造法により下記の表−３，４
に示す組成のものとなるスラブを作製し、そして通常の
条件で均質化処理、面削、熱間圧延を行った後、適宜中
間焼鈍を加えながら、冷間圧延を行って厚さ０．１ｍｍ
のアルミニウム箔を得た。この後、脱脂、水洗などを経
た後、Ａｒガス雰囲気下で５５０℃に５時間保持して焼
鈍を加えた。
に示す組成のものとなるスラブを作製し、そして通常の
条件で均質化処理、面削、熱間圧延を行った後、適宜中
間焼鈍を加えながら、冷間圧延を行って厚さ０．１ｍｍ
のアルミニウム箔を得た。この後、脱脂、水洗などを経
た後、Ａｒガス雰囲気下で５５０℃に５時間保持して焼
鈍を加えた。
【００３３】このようにして得られたアルミニウム箔
に、７５℃の電解エッチング液（ＨＣｌ；１ｍｏｌ／
ｌ，Ｈ2 ＳＯ4 ；２ｍｏｌ／ｌ）中で電流密度０．１Ａ
／ｃｍ2、時間６００秒の条件下で第１段直流電解エッ
チングを行い、次いで８５℃のエッチング液（ＨＮ
Ｏ3 ；０．５ｍｏｌ／ｌ）中に６００秒浸漬の化学エッ
チングを行った。
に、７５℃の電解エッチング液（ＨＣｌ；１ｍｏｌ／
ｌ，Ｈ2 ＳＯ4 ；２ｍｏｌ／ｌ）中で電流密度０．１Ａ
／ｃｍ2、時間６００秒の条件下で第１段直流電解エッ
チングを行い、次いで８５℃のエッチング液（ＨＮ
Ｏ3 ；０．５ｍｏｌ／ｌ）中に６００秒浸漬の化学エッ
チングを行った。
【００３４】この後、１０％アジピン酸アンモニウム溶
液中で２００ｖの化成処理を施した。そして、上記のよ
うにして得たアルミニウム箔を用いて高圧用電解コンデ
ンサを得た。 表−３ 化学組成（ｐｐｍ） Ｎｏ Ｎａ Ｍｇ Ｓｉ Ｆｅ Ｃｕ Ｐｂ Ａｌ １ ０．００ ５．０ １２ ２１ ３９ ０．６ 残り ２ １２ ５．２ １４ １７ ４５ ０．３ 残り ３ ５．３ ０．０ ２０ １３ ２９ １．１ 残り ４ ５．４ １３ ９ ７ ３３ ０．９ 残り 表−４ 表面から深さ１μｍまでの層における平均濃度（ｐｐｍ） Ｎｏ Ｎａ Ｍｇ １ ０．００ ５．０ ２ １２ ５．２ ３ ５．３ ０．０ ４ ５．４ １３ ＊グロー放電質量分析装置を用いて放電条件０．５ｍＡ，０．５ｋｖで測定
液中で２００ｖの化成処理を施した。そして、上記のよ
うにして得たアルミニウム箔を用いて高圧用電解コンデ
ンサを得た。 表−３ 化学組成（ｐｐｍ） Ｎｏ Ｎａ Ｍｇ Ｓｉ Ｆｅ Ｃｕ Ｐｂ Ａｌ １ ０．００ ５．０ １２ ２１ ３９ ０．６ 残り ２ １２ ５．２ １４ １７ ４５ ０．３ 残り ３ ５．３ ０．０ ２０ １３ ２９ １．１ 残り ４ ５．４ １３ ９ ７ ３３ ０．９ 残り 表−４ 表面から深さ１μｍまでの層における平均濃度（ｐｐｍ） Ｎｏ Ｎａ Ｍｇ １ ０．００ ５．０ ２ １２ ５．２ ３ ５．３ ０．０ ４ ５．４ １３ ＊グロー放電質量分析装置を用いて放電条件０．５ｍＡ，０．５ｋｖで測定
【００３５】
【特性】上記各実施例および比較例で得た電解コンデン
サについて、その静電容量を測定したので、その結果を
表−５に示す。 表−５ 静電容量（μＦ／ｃｍ2 ） 実施例Ｎｏ１ １．３２ 実施例Ｎｏ２ １．３７ 実施例Ｎｏ３ １．３５ 実施例Ｎｏ４ １．３０ 実施例Ｎｏ５ １．３６ 実施例Ｎｏ６ １．３４ 実施例Ｎｏ７ １．３８ 実施例Ｎｏ８ １．３７ 実施例Ｎｏ９ １．３８ 実施例Ｎｏ１０ １．２１ 実施例Ｎｏ１１ １．２５ 実施例Ｎｏ１２ １．２７ 実施例Ｎｏ１３ １．２２ 実施例Ｎｏ１４ １．２６ 比較例Ｎｏ１ ０．９４ 比較例Ｎｏ２ ０．９８ 比較例Ｎｏ３ ０．９２ 比較例Ｎｏ４ ０．９９ この表−５から、Ｎａ含有量が０．０１ｐｐｍ以上、１
０ｐｐｍ未満、Ｍｇ含有量が０．１ｐｐｍ以上、１０ｐ
ｐｍ未満の純度が９９．９ｗｔ％以上のアルミニウム箔
は、静電容量が大きなことが判る。
サについて、その静電容量を測定したので、その結果を
表−５に示す。 表−５ 静電容量（μＦ／ｃｍ2 ） 実施例Ｎｏ１ １．３２ 実施例Ｎｏ２ １．３７ 実施例Ｎｏ３ １．３５ 実施例Ｎｏ４ １．３０ 実施例Ｎｏ５ １．３６ 実施例Ｎｏ６ １．３４ 実施例Ｎｏ７ １．３８ 実施例Ｎｏ８ １．３７ 実施例Ｎｏ９ １．３８ 実施例Ｎｏ１０ １．２１ 実施例Ｎｏ１１ １．２５ 実施例Ｎｏ１２ １．２７ 実施例Ｎｏ１３ １．２２ 実施例Ｎｏ１４ １．２６ 比較例Ｎｏ１ ０．９４ 比較例Ｎｏ２ ０．９８ 比較例Ｎｏ３ ０．９２ 比較例Ｎｏ４ ０．９９ この表−５から、Ｎａ含有量が０．０１ｐｐｍ以上、１
０ｐｐｍ未満、Ｍｇ含有量が０．１ｐｐｍ以上、１０ｐ
ｐｍ未満の純度が９９．９ｗｔ％以上のアルミニウム箔
は、静電容量が大きなことが判る。
【００３６】これに対して、Ｍｇ含有量が０．１ｐｐｍ
以上、１０ｐｐｍ未満であっても、Ｎａ含有量が０．０
１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満の要件が外れたアルミニ
ウム箔は、比較例１，２が示す通り、静電容量が小さ
い。又、Ｎａ含有量が０．０１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ
未満であっても、Ｍｇ含有量が０．１ｐｐｍ以上、１０
ｐｐｍ未満の要件が外れたアルミニウム箔は、比較例
３，４が示す通り、静電容量が小さい。
以上、１０ｐｐｍ未満であっても、Ｎａ含有量が０．０
１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満の要件が外れたアルミニ
ウム箔は、比較例１，２が示す通り、静電容量が小さ
い。又、Ｎａ含有量が０．０１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ
未満であっても、Ｍｇ含有量が０．１ｐｐｍ以上、１０
ｐｐｍ未満の要件が外れたアルミニウム箔は、比較例
３，４が示す通り、静電容量が小さい。
【００３７】すなわち、比較例１，２，３，４と実施例
との対比から、ＮａとＭｇとの共同作用、特に０．０１
ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満のＮａと０．１ｐｐｍ以
上、１０ｐｐｍ未満のＭｇとの共同作用により、静電容
量が著しく大きなアルミニウム箔が得られることが判
る。又、実施例１〜９と実施例１０〜１４とを対比する
と、表面から深さ１μｍまでの層におけるＮａの平均濃
度、Ｍｇの平均濃度が、各々、深さ１μｍより内部の層
におけるＮａの平均濃度、Ｍｇの平均濃度より大きい場
合の方が、一層大きな静電容量を持つものとなってい
る。
との対比から、ＮａとＭｇとの共同作用、特に０．０１
ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満のＮａと０．１ｐｐｍ以
上、１０ｐｐｍ未満のＭｇとの共同作用により、静電容
量が著しく大きなアルミニウム箔が得られることが判
る。又、実施例１〜９と実施例１０〜１４とを対比する
と、表面から深さ１μｍまでの層におけるＮａの平均濃
度、Ｍｇの平均濃度が、各々、深さ１μｍより内部の層
におけるＮａの平均濃度、Ｍｇの平均濃度より大きい場
合の方が、一層大きな静電容量を持つものとなってい
る。
【００３８】
【発明の効果】高い静電容量を持つ電解コンデンサ電極
用アルミニウム箔が得られる。
用アルミニウム箔が得られる。
Claims (6)
- 【請求項１】 純度９９．９ｗｔ％以上のアルミニウム
材であって、 Ｎａ含有量が０．０１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満、 Ｍｇ含有量が０．１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満である
ことを特徴とする電解コンデンサ用アルミニウム材。 - 【請求項２】 純度９９．９ｗｔ％以上のアルミニウム
材であって、 Ｎａ含有量が０．０１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満、 Ｍｇ含有量が０．１ｐｐｍ以上、１０ｐｐｍ未満、 表面から深さ１μｍまでの層におけるＮａの平均濃度、
Ｍｇの平均濃度が、各々、深さ１μｍより内部の層にお
けるＮａの平均濃度、Ｍｇの平均濃度より大きいことを
特徴とする電解コンデンサ用アルミニウム材。 - 【請求項３】 Ｓｉ含有量が１ｐｐｍ以上、１００ｐｐ
ｍ以下である請求項１又は請求項２の電解コンデンサ用
アルミニウム材。 - 【請求項４】 Ｆｅ含有量が１ｐｐｍ以上、１００ｐｐ
ｍ以下である請求項１〜請求項３いずれかの電解コンデ
ンサ用アルミニウム材。 - 【請求項５】 Ｃｕ含有量が１ｐｐｍ以上、１００ｐｐ
ｍ以下である請求項１〜請求項４いずれかの電解コンデ
ンサ用アルミニウム材。 - 【請求項６】 Ｐｂ含有量が０．１ｐｐｍ以上、１０ｐ
ｐｍ以下である請求項１〜請求項５いずれかの電解コン
デンサ用アルミニウム材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19023497A JPH1136033A (ja) | 1997-07-15 | 1997-07-15 | 電解コンデンサ用アルミニウム材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19023497A JPH1136033A (ja) | 1997-07-15 | 1997-07-15 | 電解コンデンサ用アルミニウム材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1136033A true JPH1136033A (ja) | 1999-02-09 |
Family
ID=16254734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19023497A Pending JPH1136033A (ja) | 1997-07-15 | 1997-07-15 | 電解コンデンサ用アルミニウム材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1136033A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008153347A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Mitsubishi Alum Co Ltd | 電解コンデンサ用アルミニウム箔およびその製造方法 |
| KR100935502B1 (ko) | 2001-08-03 | 2010-01-06 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 전해 콘덴서 전극용 알루미늄재의 제조 방법 |
-
1997
- 1997-07-15 JP JP19023497A patent/JPH1136033A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100935502B1 (ko) | 2001-08-03 | 2010-01-06 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 전해 콘덴서 전극용 알루미늄재의 제조 방법 |
| JP2008153347A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Mitsubishi Alum Co Ltd | 電解コンデンサ用アルミニウム箔およびその製造方法 |
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