JP2001143971A - エッチング安定性に優れた低圧用硬質電解Ａｌ箔およびその製法 - Google Patents
エッチング安定性に優れた低圧用硬質電解Ａｌ箔およびその製法Info
- Publication number
- JP2001143971A JP2001143971A JP32446899A JP32446899A JP2001143971A JP 2001143971 A JP2001143971 A JP 2001143971A JP 32446899 A JP32446899 A JP 32446899A JP 32446899 A JP32446899 A JP 32446899A JP 2001143971 A JP2001143971 A JP 2001143971A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- foil
- ppm
- amount
- etching
- precipitated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Metal Rolling (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 材料因子の許容範囲を広げた場合でも、安定
して高レベルのエッチング性と静電容量を得ることので
きる低圧用硬質電解Ａｌ箔とその製法を確立すること。 【解決手段】 Ａｌの純度が９９．９％以上で、析出Ｆ
ｅ量が２５ｐｐｍ以下、析出Ｓｉ量が２０ｐｐｍ以下で
あり、表面酸化皮膜厚さが１０〜７０Åで、且つ、箔表
面から少なくとも深さ１μｍまでの転位セルの平均直径
が１．０〜３．０μｍであるエッチング安定性に優れた
低圧用硬質電解Ａｌ箔を開示すると共に、この様な要件
を満たすＡｌ箔を確実に得ることのできる製法を開示す
る。
して高レベルのエッチング性と静電容量を得ることので
きる低圧用硬質電解Ａｌ箔とその製法を確立すること。 【解決手段】 Ａｌの純度が９９．９％以上で、析出Ｆ
ｅ量が２５ｐｐｍ以下、析出Ｓｉ量が２０ｐｐｍ以下で
あり、表面酸化皮膜厚さが１０〜７０Åで、且つ、箔表
面から少なくとも深さ１μｍまでの転位セルの平均直径
が１．０〜３．０μｍであるエッチング安定性に優れた
低圧用硬質電解Ａｌ箔を開示すると共に、この様な要件
を満たすＡｌ箔を確実に得ることのできる製法を開示す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エッチング安定性
に優れた低圧用の硬質電解Ａｌ箔とその製法に関するも
のである。
に優れた低圧用の硬質電解Ａｌ箔とその製法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】電解コンデンサの静電容量は、極板箔の
面積Ｓと極板間距離ｄの逆数との積（Ｓ／ｄ）にほぼ比
例して増加することが確認されている。そこで、通常の
電解コンデンサ用Ａｌ箔には、酸溶液中でエッチング処
理を施して粗面化することにより、実効面積の拡大を図
っている。
面積Ｓと極板間距離ｄの逆数との積（Ｓ／ｄ）にほぼ比
例して増加することが確認されている。そこで、通常の
電解コンデンサ用Ａｌ箔には、酸溶液中でエッチング処
理を施して粗面化することにより、実効面積の拡大を図
っている。
【０００３】電解エッチングを行う場合、電気量や電解
液組成などの電解条件により、ある範囲まではＡｌの溶
解量を増加させて拡面率を大きくすることができる。し
かし、拡面率の増大を期して多量のＡｌを溶解させる
と、Ａｌ箔自体の厚さ減少による機械的強度の低下が軽
視できなくなり、また、エッチングに必要な消費電力が
増大するといった問題も生じてくる。従って、できるだ
け少ないＡｌ溶解量で高い拡面率を得ること、つまり、
効率の良い拡面処理により静電容量を増大させることが
望ましい。
液組成などの電解条件により、ある範囲まではＡｌの溶
解量を増加させて拡面率を大きくすることができる。し
かし、拡面率の増大を期して多量のＡｌを溶解させる
と、Ａｌ箔自体の厚さ減少による機械的強度の低下が軽
視できなくなり、また、エッチングに必要な消費電力が
増大するといった問題も生じてくる。従って、できるだ
け少ないＡｌ溶解量で高い拡面率を得ること、つまり、
効率の良い拡面処理により静電容量を増大させることが
望ましい。
【０００４】低圧用硬質電解Ａｌ箔は、通常、冷間圧延
後の軟化焼鈍なしでエッチングに供されるため、エッチ
ング時のＡｌの溶解挙動は加工組織や析出物などによっ
て大きな影響を受け、安定したエッチング性を得ること
は容易でない。そこで、安定したエッチング性と高レベ
ルの静電容量を有する硬質電解Ａｌ箔を得るべく、これ
まで、Ａｌ箔組成の制御、圧延前の均質化処理による析
出・固溶元素の制御、表面酸化皮膜性状の制御などが検
討されているが、圧延後の箔組織制御に関する改善例は
少ない。
後の軟化焼鈍なしでエッチングに供されるため、エッチ
ング時のＡｌの溶解挙動は加工組織や析出物などによっ
て大きな影響を受け、安定したエッチング性を得ること
は容易でない。そこで、安定したエッチング性と高レベ
ルの静電容量を有する硬質電解Ａｌ箔を得るべく、これ
まで、Ａｌ箔組成の制御、圧延前の均質化処理による析
出・固溶元素の制御、表面酸化皮膜性状の制御などが検
討されているが、圧延後の箔組織制御に関する改善例は
少ない。
【０００５】圧延後の箔組織を制御することによって硬
質Ａｌ箔のエッチング性を安定化させる試みとしては、
たとえば特開平４−１７９１１０号公報が挙げられる。
本公報に開示された方法では、Ａｌ純度を９９．９％以
上、析出Ｆｅ量および析出Ｓｉ量を１０ｐｐｍ以下、サ
ブグレインの平均直径を２０μｍ以下、表面酸化皮膜の
厚さを１０〜３０Å、表面粗さを０．１〜０．５μｍの
範囲に規定することにより、安定したエッチング特性と
静電容量が得られると記載されている。しかし、上記各
規定要件は非常に狭い範囲に限定されており、全ての材
料因子を厳しく制御することが必要となる。
質Ａｌ箔のエッチング性を安定化させる試みとしては、
たとえば特開平４−１７９１１０号公報が挙げられる。
本公報に開示された方法では、Ａｌ純度を９９．９％以
上、析出Ｆｅ量および析出Ｓｉ量を１０ｐｐｍ以下、サ
ブグレインの平均直径を２０μｍ以下、表面酸化皮膜の
厚さを１０〜３０Å、表面粗さを０．１〜０．５μｍの
範囲に規定することにより、安定したエッチング特性と
静電容量が得られると記載されている。しかし、上記各
規定要件は非常に狭い範囲に限定されており、全ての材
料因子を厳しく制御することが必要となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこうした従来
技術の問題点に着目してなされたものであり、その課題
は、材料因子の許容範囲を広げた場合でも、安定して高
レベルのエッチング性と静電容量が得られる様な低圧用
硬質電解Ａｌ箔を提供することにある。
技術の問題点に着目してなされたものであり、その課題
は、材料因子の許容範囲を広げた場合でも、安定して高
レベルのエッチング性と静電容量が得られる様な低圧用
硬質電解Ａｌ箔を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を達成すること
のできた本発明の低圧用硬質電解Ａｌ箔とは、Ａｌ純度
が９９．９％以上で、析出Ｆｅ量が２５ｐｐｍ以下、析
出Ｓｉ量が２０ｐｐｍ以下であり、表面酸化皮膜厚さが
１０〜７０Åで、且つ、箔表面から少なくとも深さ１μ
ｍまでの転位セルの平均直径が１．０〜３．０μｍの範
囲であるところに要旨を有している。
のできた本発明の低圧用硬質電解Ａｌ箔とは、Ａｌ純度
が９９．９％以上で、析出Ｆｅ量が２５ｐｐｍ以下、析
出Ｓｉ量が２０ｐｐｍ以下であり、表面酸化皮膜厚さが
１０〜７０Åで、且つ、箔表面から少なくとも深さ１μ
ｍまでの転位セルの平均直径が１．０〜３．０μｍの範
囲であるところに要旨を有している。
【０００８】即ち本発明では、Ａｌ箔の表面から少なく
とも深さ１μｍまでの転位セルの平均直径をＤとしたと
き、Ｄを１．０≦Ｄ≦３．０μｍの範囲に制御したもの
は、析出Ｆｅ量が２５ｐｐｍ以下、析出Ｓｉ量が２０ｐ
ｐｍ以下、表面酸化皮膜厚が１０〜７０Åといった、従
来材に比べて広い許容範囲の析出Ｆｅ量、析出Ｓｉ量、
酸化膜厚さ領域においても、安定したエッチング性と高
い静電容量を示す低圧用硬質電解Ａｌ箔が得られること
を知り、上記本発明に想到したものである。
とも深さ１μｍまでの転位セルの平均直径をＤとしたと
き、Ｄを１．０≦Ｄ≦３．０μｍの範囲に制御したもの
は、析出Ｆｅ量が２５ｐｐｍ以下、析出Ｓｉ量が２０ｐ
ｐｍ以下、表面酸化皮膜厚が１０〜７０Åといった、従
来材に比べて広い許容範囲の析出Ｆｅ量、析出Ｓｉ量、
酸化膜厚さ領域においても、安定したエッチング性と高
い静電容量を示す低圧用硬質電解Ａｌ箔が得られること
を知り、上記本発明に想到したものである。
【０００９】また本発明の製法は、上記エッチング安定
性に優れた低圧用硬質電解Ａｌ箔の製造に適した方法を
提供するもので、Ａｌ純度が９９．９質量％以上で、Ｆ
ｅ含有量が１０〜２００ｐｐｍ、Ｓｉ含有量が１０〜２
００ｐｐｍであるＡｌ箔に、７０〜２００℃×３０〜１
２００秒の低温・短時間の熱処理を施すところに要旨を
有している。
性に優れた低圧用硬質電解Ａｌ箔の製造に適した方法を
提供するもので、Ａｌ純度が９９．９質量％以上で、Ｆ
ｅ含有量が１０〜２００ｐｐｍ、Ｓｉ含有量が１０〜２
００ｐｐｍであるＡｌ箔に、７０〜２００℃×３０〜１
２００秒の低温・短時間の熱処理を施すところに要旨を
有している。
【００１０】
【発明の実施の形態】従来の低圧用硬質電解Ａｌ箔は、
前述の如く冷間圧延ままでエッチングに供されるため、
ピット発生やその成長は材料組織に大きく依存する。そ
のため、安定したエッチング性を得るには、材料組織を
厳しく制御する必要があった。
前述の如く冷間圧延ままでエッチングに供されるため、
ピット発生やその成長は材料組織に大きく依存する。そ
のため、安定したエッチング性を得るには、材料組織を
厳しく制御する必要があった。
【００１１】本発明の低圧用硬質電解Ａｌ箔は、たとえ
ば大気中で７０〜２００℃、３０〜１２００ｓｅｃとい
った低温かつ短時間の熱処理で、Ａｌ箔表面から少なく
とも深さ１μｍまでの転位セルの平均直径Ｄを１．０≦
Ｄ≦３．０μｍの範囲に制御したものである。ここで転
位セルとは、加工硬化した金属に見られる細胞状に配列
した転位で形成されるセルをいい、該転位セルの平均直
径が上記範囲に制御されたＡｌ箔は、従来材に比べて広
い許容範囲の析出Ｆｅ量、析出Ｓｉ量および酸化膜厚で
あっても安定して優れたエッチング性を示し、延いては
高レベルの静電容量を示すものとなる。
ば大気中で７０〜２００℃、３０〜１２００ｓｅｃとい
った低温かつ短時間の熱処理で、Ａｌ箔表面から少なく
とも深さ１μｍまでの転位セルの平均直径Ｄを１．０≦
Ｄ≦３．０μｍの範囲に制御したものである。ここで転
位セルとは、加工硬化した金属に見られる細胞状に配列
した転位で形成されるセルをいい、該転位セルの平均直
径が上記範囲に制御されたＡｌ箔は、従来材に比べて広
い許容範囲の析出Ｆｅ量、析出Ｓｉ量および酸化膜厚で
あっても安定して優れたエッチング性を示し、延いては
高レベルの静電容量を示すものとなる。
【００１２】低圧用硬質電解Ａｌ箔のエッチングは、通
常、酸溶液中での定電流の交流電解によって行われるこ
とが多く、該交流電解では、カソードサイクルで水素還
元が起こってピット内のｐＨが上昇するため、水酸化物
が生成してピット内に沈積する。ピット径が小さい場合
は、ピット内外の液交換が不十分になり、アノードサイ
クル時にもｐＨ低下が起こらないため水酸化物皮膜がピ
ット内に堆積し、Ａｌの溶解が妨げられる。従って円滑
なＡｌの溶解を確保するには、ピット内外の液交換が十
分に行われるに足るサイズのピット径が必要となる。
常、酸溶液中での定電流の交流電解によって行われるこ
とが多く、該交流電解では、カソードサイクルで水素還
元が起こってピット内のｐＨが上昇するため、水酸化物
が生成してピット内に沈積する。ピット径が小さい場合
は、ピット内外の液交換が不十分になり、アノードサイ
クル時にもｐＨ低下が起こらないため水酸化物皮膜がピ
ット内に堆積し、Ａｌの溶解が妨げられる。従って円滑
なＡｌの溶解を確保するには、ピット内外の液交換が十
分に行われるに足るサイズのピット径が必要となる。
【００１３】ピット発生は、Ａｌ箔表面における転位等
の材料欠陥部で起こり易く、そのため転位セル径が小さ
い程、ピットの発生数は増加する。定電流電解ではＡｌ
の溶解量は一定であるので、ピット数が増大するにつれ
てピット径は小さくなる。そして、転位セル径が１．０
μｍ未満である場合に発生するピット径は小さく、その
様な小さなピット径では、該ピット内外の液交換が不十
分となってＡｌの溶解量が減少し、結果として実効面積
の拡大が不十分となり、満足のいく静電容量の増大が果
たせなくなる。一方、転位セル径が３．０μｍを超える
と、ピット径が大きくなり過ぎるため全面溶解に近くな
り、その結果として、Ａｌ表面の溶解量は増大するもの
の表面積の増加は小さくなって満足のいく静電容量の増
大が果たせなくなる。
の材料欠陥部で起こり易く、そのため転位セル径が小さ
い程、ピットの発生数は増加する。定電流電解ではＡｌ
の溶解量は一定であるので、ピット数が増大するにつれ
てピット径は小さくなる。そして、転位セル径が１．０
μｍ未満である場合に発生するピット径は小さく、その
様な小さなピット径では、該ピット内外の液交換が不十
分となってＡｌの溶解量が減少し、結果として実効面積
の拡大が不十分となり、満足のいく静電容量の増大が果
たせなくなる。一方、転位セル径が３．０μｍを超える
と、ピット径が大きくなり過ぎるため全面溶解に近くな
り、その結果として、Ａｌ表面の溶解量は増大するもの
の表面積の増加は小さくなって満足のいく静電容量の増
大が果たせなくなる。
【００１４】ところが、転位セル径Ｄが１．０≦Ｄ≦
３．０μｍの範囲であるものは、液交換が十分に行われ
ると共にＡｌ溶解が集中しない程度の径のピットが発生
し、Ａｌ箔表面の拡面処理が効率よく行えるため、安定
して高い静電容量を得ることが可能となる。
３．０μｍの範囲であるものは、液交換が十分に行われ
ると共にＡｌ溶解が集中しない程度の径のピットが発生
し、Ａｌ箔表面の拡面処理が効率よく行えるため、安定
して高い静電容量を得ることが可能となる。
【００１５】また、上記好適転位セル径範囲が規定され
る深さ位置をＡｌ箔表面より少なくとも１μｍと規定し
たのは、エッチングの前処理として行われるアルカリ脱
脂や電解液浸漬などによりＡｌ箔の表面層が除去される
ことを考慮したためである。そして、該好適平均直径範
囲の転位セルがＡｌ箔表面から１μｍ以下の浅い位置に
しか存在しない場合は、エッチング前処理の程度によっ
ては十分な静電容量が得られないことがある。
る深さ位置をＡｌ箔表面より少なくとも１μｍと規定し
たのは、エッチングの前処理として行われるアルカリ脱
脂や電解液浸漬などによりＡｌ箔の表面層が除去される
ことを考慮したためである。そして、該好適平均直径範
囲の転位セルがＡｌ箔表面から１μｍ以下の浅い位置に
しか存在しない場合は、エッチング前処理の程度によっ
ては十分な静電容量が得られないことがある。
【００１６】次に、Ａｌ箔の析出Ｆｅ量を２５ｐｐｍ以
下、析出Ｓｉ量を２０ｐｐｍ以下に限定した理由は次の
通りである。即ちＦｅは、Ａｌ箔中における固溶限が少
なく、Ａｌ3Ｆｅ，Ａｌ6Ｆｅ,Ａｌ−Ｆｅ−Ｓｉ化合物
などとして析出し易い。またＳｉは低温で析出し易いた
め、単体ＳｉやＡｌ−Ｆｅ−Ｓｉ化合物として析出す
る。このようなＦｅ系析出物やＳｉ系析出物は、酸溶液
中でのエッチング時に溶解促進作用を発揮するため、こ
れら析出物の周囲で溶解が集中的に起こり易い。そし
て、Ａｌ箔中の析出Ｆｅ量が２５ｐｐｍを超え、あるい
は析出Ｓｉ量が２０ｐｐｍを超えると、これら析出部周
辺での溶解集中が顕著になって局所的な脱落が起こり易
くなり、延いては静電容量の増大が阻害されることにな
る。このため、析出Ｆｅ量は２５ｐｐｍ以下に、また析
出Ｓｉ量は２０ｐｐｍ以下に抑えなければならない。
下、析出Ｓｉ量を２０ｐｐｍ以下に限定した理由は次の
通りである。即ちＦｅは、Ａｌ箔中における固溶限が少
なく、Ａｌ3Ｆｅ，Ａｌ6Ｆｅ,Ａｌ−Ｆｅ−Ｓｉ化合物
などとして析出し易い。またＳｉは低温で析出し易いた
め、単体ＳｉやＡｌ−Ｆｅ−Ｓｉ化合物として析出す
る。このようなＦｅ系析出物やＳｉ系析出物は、酸溶液
中でのエッチング時に溶解促進作用を発揮するため、こ
れら析出物の周囲で溶解が集中的に起こり易い。そし
て、Ａｌ箔中の析出Ｆｅ量が２５ｐｐｍを超え、あるい
は析出Ｓｉ量が２０ｐｐｍを超えると、これら析出部周
辺での溶解集中が顕著になって局所的な脱落が起こり易
くなり、延いては静電容量の増大が阻害されることにな
る。このため、析出Ｆｅ量は２５ｐｐｍ以下に、また析
出Ｓｉ量は２０ｐｐｍ以下に抑えなければならない。
【００１７】これらＦｅおよびＳｉの析出量を上記の範
囲に制御するには、Ａｌ箔中のＦｅ含有量を１０ｐｐｍ
以上、２００ｐｐｍ以下、より好ましくは２０ｐｐｍ以
上、１００ｐｐｍ以下の範囲に、またＳｉ含有量を１０
ｐｐｍ以上、２００ｐｐｍ以下、より好ましくは２０ｐ
ｐｍ以上、１００ｐｐｍ以下の範囲にすることが望まし
い。
囲に制御するには、Ａｌ箔中のＦｅ含有量を１０ｐｐｍ
以上、２００ｐｐｍ以下、より好ましくは２０ｐｐｍ以
上、１００ｐｐｍ以下の範囲に、またＳｉ含有量を１０
ｐｐｍ以上、２００ｐｐｍ以下、より好ましくは２０ｐ
ｐｍ以上、１００ｐｐｍ以下の範囲にすることが望まし
い。
【００１８】また、エッチングによるピットの発生はＡ
ｌ箔表面に存在する酸化皮膜の厚さによっても影響を受
ける。そして、該酸化皮膜厚さが１０Å未満では、エッ
チング時の表面溶解が過度に進行し易くなる傾向があ
り、一方、酸化皮膜厚さが７０Åを超えると、酸化皮膜
の不均一溶解によってピット発生が局部的に進行する傾
向が生じ、その結果として、ピット数が減少して拡面率
不足となり静電容量の増大にマイナスとなる。こうした
観点から、酸化皮膜厚さのより好ましい範囲は２０Å以
上、４５Å以下である。
ｌ箔表面に存在する酸化皮膜の厚さによっても影響を受
ける。そして、該酸化皮膜厚さが１０Å未満では、エッ
チング時の表面溶解が過度に進行し易くなる傾向があ
り、一方、酸化皮膜厚さが７０Åを超えると、酸化皮膜
の不均一溶解によってピット発生が局部的に進行する傾
向が生じ、その結果として、ピット数が減少して拡面率
不足となり静電容量の増大にマイナスとなる。こうした
観点から、酸化皮膜厚さのより好ましい範囲は２０Å以
上、４５Å以下である。
【００１９】上記諸要件を満たす本発明のＡｌ箔を製造
するための方法は特に限定されないが、好ましい方法と
しては次の様な方法が挙げられる。
するための方法は特に限定されないが、好ましい方法と
しては次の様な方法が挙げられる。
【００２０】原料スラブとしては、Ａｌ含量が９９．９
質量％以上で、好ましくはＦｅ含有量が１０ｐｐｍ以
上、より好ましくは２０ｐｐｍ以上で、２００ｐｐｍ以
下、より好ましくは１００ｐｐｍ以下、Ｓｉ含有量が１
０ｐｐｍ以上、より好ましくは２０ｐｐｍ以上で、２０
０ｐｐｍ以下、より好ましくは１００ｐｐｍ以下である
Ａｌスラブを使用し、これを先ずＦｅやＳｉを均一に固
溶させるため均熱処理を行う。均熱処理は常法に従って
行なえばよく、通常は５５０〜６５０℃で５〜５０時間
の範囲から選定される。次いで熱間圧延および冷間圧延
が施されるが、これらも既知の条件を採用すればよい。
但し、冷間圧延の前・後または途中で焼鈍を行なうと、
転位が回復してセルが粗大化する傾向があるので望まし
くない。
質量％以上で、好ましくはＦｅ含有量が１０ｐｐｍ以
上、より好ましくは２０ｐｐｍ以上で、２００ｐｐｍ以
下、より好ましくは１００ｐｐｍ以下、Ｓｉ含有量が１
０ｐｐｍ以上、より好ましくは２０ｐｐｍ以上で、２０
０ｐｐｍ以下、より好ましくは１００ｐｐｍ以下である
Ａｌスラブを使用し、これを先ずＦｅやＳｉを均一に固
溶させるため均熱処理を行う。均熱処理は常法に従って
行なえばよく、通常は５５０〜６５０℃で５〜５０時間
の範囲から選定される。次いで熱間圧延および冷間圧延
が施されるが、これらも既知の条件を採用すればよい。
但し、冷間圧延の前・後または途中で焼鈍を行なうと、
転位が回復してセルが粗大化する傾向があるので望まし
くない。
【００２１】圧延の後、Ａｌ箔を有機溶剤またはアルカ
リなどで脱脂洗浄し、大気(もしくは非酸化性雰囲気)中
で低温、短時間の焼鈍を行なうことにより、転位セル
径、析出Ｆｅ量、析出Ｓｉ量および酸化膜厚さの調整を
行なう。このとき、該焼鈍を７０℃〜２００℃で３０〜
１２００秒、より好ましくは７０〜１５０℃で３０〜５
００秒の低温、短時間で行なうと、本発明で定める前記
好適範囲の転位セル径、析出Ｆｅ量、析出Ｓｉ量および
酸化膜厚さを容易に得ることができる。
リなどで脱脂洗浄し、大気(もしくは非酸化性雰囲気)中
で低温、短時間の焼鈍を行なうことにより、転位セル
径、析出Ｆｅ量、析出Ｓｉ量および酸化膜厚さの調整を
行なう。このとき、該焼鈍を７０℃〜２００℃で３０〜
１２００秒、より好ましくは７０〜１５０℃で３０〜５
００秒の低温、短時間で行なうと、本発明で定める前記
好適範囲の転位セル径、析出Ｆｅ量、析出Ｓｉ量および
酸化膜厚さを容易に得ることができる。
【００２２】なお、圧延後の脱脂洗浄を省略すると、Ａ
ｌ箔表面に残留した圧延油などの汚れのためエッチング
むらが生じる恐れがあるので、安定したエッチング性を
確保するには圧延後に脱脂洗浄を行なうべきである。ま
た、脱脂洗浄にアルカリ洗浄を採用した場合は、時とし
て表面酸化皮膜厚さが１０Åより薄くなることがあるの
で、この場合は、脱脂洗浄後に行なわれる低温焼鈍を酸
化性雰囲気、例えば、水蒸気の存在下で行ない、所定厚
みの酸化皮膜厚さを確保することが必要となる。
ｌ箔表面に残留した圧延油などの汚れのためエッチング
むらが生じる恐れがあるので、安定したエッチング性を
確保するには圧延後に脱脂洗浄を行なうべきである。ま
た、脱脂洗浄にアルカリ洗浄を採用した場合は、時とし
て表面酸化皮膜厚さが１０Åより薄くなることがあるの
で、この場合は、脱脂洗浄後に行なわれる低温焼鈍を酸
化性雰囲気、例えば、水蒸気の存在下で行ない、所定厚
みの酸化皮膜厚さを確保することが必要となる。
【００２３】かくして、転位セル径、析出Ｆｅ量、析出
Ｓｉ量および表面酸化膜厚さを適正に制御した低圧用硬
質電解Ａｌ箔は、安定したエッチング性と高い静電容量
を有するものとなる。
Ｓｉ量および表面酸化膜厚さを適正に制御した低圧用硬
質電解Ａｌ箔は、安定したエッチング性と高い静電容量
を有するものとなる。
【００２４】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明するが、本発明はもとより下記実施例によって制限
を受けるものではなく、前・後記の趣旨に適合し得る範
囲で適当に変更を加えて実施することも可能であり、そ
れらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。
説明するが、本発明はもとより下記実施例によって制限
を受けるものではなく、前・後記の趣旨に適合し得る範
囲で適当に変更を加えて実施することも可能であり、そ
れらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。
【００２５】実施例 Ａｌ含有量が９９．９質量％以上、Ｆｅ含有量が４０ｐ
ｐｍ、Ｓｉ含有量が４０ｐｐｍのＡｌスラブを使用し、
常法に従って熱間圧延および冷間圧延を行なって得た厚
さ約０．１ｍｍの低圧用硬質電解Ａｌ箔を、アセトン洗
浄により脱脂した後、下記表１，２に示す条件(大気中)
で焼鈍し、熱フェノール法による析出Ｆｅ量および析出
Ｓｉ量の分析、ＦＴ-ＩＲによる酸化皮膜厚さの測定、
転位セル径の測定を行った。
ｐｍ、Ｓｉ含有量が４０ｐｐｍのＡｌスラブを使用し、
常法に従って熱間圧延および冷間圧延を行なって得た厚
さ約０．１ｍｍの低圧用硬質電解Ａｌ箔を、アセトン洗
浄により脱脂した後、下記表１，２に示す条件(大気中)
で焼鈍し、熱フェノール法による析出Ｆｅ量および析出
Ｓｉ量の分析、ＦＴ-ＩＲによる酸化皮膜厚さの測定、
転位セル径の測定を行った。
【００２６】Ｆｅ，Ｓｉの析出量は、熱フェノール分解
により抽出されるＦｅ，Ｓｉを原子吸光法によって測定
した。また転位セル径の測定は、硝酸アルコール中での
電解研磨によってＡｌ箔を厚さ方向に薄膜（０．８〜１
μｍ）化し、ＴＥＭによる表面観察を行なってＡｌ箔表
面近傍の転位セル径を測定した。結果を表１，２に示
す。
により抽出されるＦｅ，Ｓｉを原子吸光法によって測定
した。また転位セル径の測定は、硝酸アルコール中での
電解研磨によってＡｌ箔を厚さ方向に薄膜（０．８〜１
μｍ）化し、ＴＥＭによる表面観察を行なってＡｌ箔表
面近傍の転位セル径を測定した。結果を表１，２に示
す。
【００２７】次に、上記測定後の各Ａｌ箔について、下
記の条件で定電流・交流多段エッチングを行った。尚エ
ッチングを行なう際に、流した電気量（３０Ｃ／ｃ
ｍ2）が全てＡｌの溶解に消費されたとした場合の理論
溶解減量Ｗthは、２８．０ｇ／ｍ 2となる。
記の条件で定電流・交流多段エッチングを行った。尚エ
ッチングを行なう際に、流した電気量（３０Ｃ／ｃ
ｍ2）が全てＡｌの溶解に消費されたとした場合の理論
溶解減量Ｗthは、２８．０ｇ／ｍ 2となる。
【００２８】［エッチング条件] 電解液：混酸水溶液（塩酸：２０％＋硫酸１％） 液温：５０℃ 電気量：３０Ｃ／ｃｍ2(６０Ｈｚ) 上記エッチングを行った後の試料箔を、２０Ｖで化成し
て静電容量を測定した。Ａｌの溶解減量および理論溶解
減量Ｗthとの比、静電容量および無処理材の静電容量に
対する比を表１，２に示す。
て静電容量を測定した。Ａｌの溶解減量および理論溶解
減量Ｗthとの比、静電容量および無処理材の静電容量に
対する比を表１，２に示す。
【００２９】
【表１】
【００３０】
【表２】
【００３１】エッチング時の実際の溶解減量と理論溶解
減量Ｗthとの比は拡面化の程度に対応しており、今回採
用したエッチング法では９０％前後が最も望ましい。ち
なみに９０％を大きく下回る場合は粗面化が不十分であ
り、また９０％を大きく超える場合は過度の表面溶解と
表面脱落が起こっており、静電容量の増大は却って小さ
くなる。
減量Ｗthとの比は拡面化の程度に対応しており、今回採
用したエッチング法では９０％前後が最も望ましい。ち
なみに９０％を大きく下回る場合は粗面化が不十分であ
り、また９０％を大きく超える場合は過度の表面溶解と
表面脱落が起こっており、静電容量の増大は却って小さ
くなる。
【００３２】該実験からも明らかな様に、転位セル径が
本発明の規定範囲内に制御されたＡｌ箔は、従来材より
も広いＦｅ，Ｓｉ析出量や表面酸化皮膜厚さにおいても
理想的な拡面化が行われ、その結果として高静電容量が
安定して得られることが分かる。
本発明の規定範囲内に制御されたＡｌ箔は、従来材より
も広いＦｅ，Ｓｉ析出量や表面酸化皮膜厚さにおいても
理想的な拡面化が行われ、その結果として高静電容量が
安定して得られることが分かる。
【００３３】即ち、Ｎｏ．１６の無処理材は溶解減量比
が７０％未満であるのに対し、Ｎｏ．１〜９（実施例
材）の溶解減量比は８７〜９１％まで増大している。即
ち本発明にかかるＡｌ箔の静電容量は無処理材の約１．
５倍に増大しており、エッチング性が著しく向上してい
ることが分かる。
が７０％未満であるのに対し、Ｎｏ．１〜９（実施例
材）の溶解減量比は８７〜９１％まで増大している。即
ち本発明にかかるＡｌ箔の静電容量は無処理材の約１．
５倍に増大しており、エッチング性が著しく向上してい
ることが分かる。
【００３４】また、７０℃より低温の５０℃で焼鈍処理
した比較材（Ｎｏ．１０〜１２）では、Ａｌ箔の転位組
織がほとんど回復していないか、あるいは転位セル径が
１．０μｍ未満であり、溶解減量および静電容量はいず
れも無処理材と同等であり、エッチング性の改善は殆ど
認められない。２５０℃の高温で焼鈍処理した比較材
（Ｎｏ．１３〜１５）では、転位セルの平均径が３．０
μｍを超えており、溶解減量比は約１００％になってい
るが静電容量はほとんど変わっておらず、エッチング特
性の改善効果が殆ど認められない。この試料断面を顕微
鏡で観察したところ、かなり大きな径のピットが多数存
在しており、結果的に表面積の増大が不十分であったこ
とが原因しているものと考えられる。
した比較材（Ｎｏ．１０〜１２）では、Ａｌ箔の転位組
織がほとんど回復していないか、あるいは転位セル径が
１．０μｍ未満であり、溶解減量および静電容量はいず
れも無処理材と同等であり、エッチング性の改善は殆ど
認められない。２５０℃の高温で焼鈍処理した比較材
（Ｎｏ．１３〜１５）では、転位セルの平均径が３．０
μｍを超えており、溶解減量比は約１００％になってい
るが静電容量はほとんど変わっておらず、エッチング特
性の改善効果が殆ど認められない。この試料断面を顕微
鏡で観察したところ、かなり大きな径のピットが多数存
在しており、結果的に表面積の増大が不十分であったこ
とが原因しているものと考えられる。
【００３５】次に、Ｎｏ．１７〜２６は、熱間圧延の条
件を変えることによって析出Ｆｅ量および析出Ｓｉ量を
変化させた例であり、析出Ｆｅ量が２５ｐｐｍ以下、析
出Ｓｉ量が２０ｐｐｍ以下であるＮｏ．１７〜２０およ
びＮｏ．２２〜２５では、いずれも溶解減量比が８７〜
９１％であり、無処理材に対して約１．５倍の静電容量
が得られている。一方、析出Ｆｅ量が２５ｐｐｍを超え
るＮｏ．２１および析出Ｓｉ量が２０ｐｐｍを超えるＮ
ｏ．２６では、溶解減量比は９６〜９７％までに増加し
ているものの、静電容量比は１．１倍程度とあまり増加
していない。これは、析出量の過度の増大により部分的
な表面脱落が起こったためと考えられる。
件を変えることによって析出Ｆｅ量および析出Ｓｉ量を
変化させた例であり、析出Ｆｅ量が２５ｐｐｍ以下、析
出Ｓｉ量が２０ｐｐｍ以下であるＮｏ．１７〜２０およ
びＮｏ．２２〜２５では、いずれも溶解減量比が８７〜
９１％であり、無処理材に対して約１．５倍の静電容量
が得られている。一方、析出Ｆｅ量が２５ｐｐｍを超え
るＮｏ．２１および析出Ｓｉ量が２０ｐｐｍを超えるＮ
ｏ．２６では、溶解減量比は９６〜９７％までに増加し
ているものの、静電容量比は１．１倍程度とあまり増加
していない。これは、析出量の過度の増大により部分的
な表面脱落が起こったためと考えられる。
【００３６】次にＮｏ．２７〜３２は、冷間圧延後の焼
鈍雰囲気を変えることにより表面酸化皮膜厚さを変えた
例であり、表面酸化皮膜厚さが１０〜７０Åの範囲内に
制御されたＮｏ．２８〜３１では、溶解減量比が８７〜
９２％で静電容量は約１．５倍に増大しているのに対
し、表面酸化皮膜厚さが１０Å未満のＮｏ．２７では、
溶解減量比は９６．８％であるが静電容量は無処理材の
１．１倍程度に止まっている。これは、酸化皮膜が薄い
ため過度の表面溶解が起こったためと考えられる。
鈍雰囲気を変えることにより表面酸化皮膜厚さを変えた
例であり、表面酸化皮膜厚さが１０〜７０Åの範囲内に
制御されたＮｏ．２８〜３１では、溶解減量比が８７〜
９２％で静電容量は約１．５倍に増大しているのに対
し、表面酸化皮膜厚さが１０Å未満のＮｏ．２７では、
溶解減量比は９６．８％であるが静電容量は無処理材の
１．１倍程度に止まっている。これは、酸化皮膜が薄い
ため過度の表面溶解が起こったためと考えられる。
【００３７】また、表面酸化皮膜厚さが７０Åを超える
Ｎｏ．３２では、溶解減量比が８０％以下で静電容量は
無処理材の１．３倍程度にとどまっている。これは、皮
膜が厚過ぎるためにピット発生が局部的に偏ったためと
考えられる。
Ｎｏ．３２では、溶解減量比が８０％以下で静電容量は
無処理材の１．３倍程度にとどまっている。これは、皮
膜が厚過ぎるためにピット発生が局部的に偏ったためと
考えられる。
【００３８】
【発明の効果】本発明は以上の様に構成されており、従
来材よりも広い許容範囲の析出Ｆｅ量、析出Ｓｉ量およ
び酸化膜厚さにおいても安定したエッチング性を示し、
高い静電容量を有する電解コンデンサ用Ａｌ箔を提供し
得ることになった。
来材よりも広い許容範囲の析出Ｆｅ量、析出Ｓｉ量およ
び酸化膜厚さにおいても安定したエッチング性を示し、
高い静電容量を有する電解コンデンサ用Ａｌ箔を提供し
得ることになった。
Claims (2)
- 【請求項１】 Ａｌ純度が９９．９質量％以上で、析出
Ｆｅ量が２５ｐｐｍ以下、析出Ｓｉ量が２０ｐｐｍ以下
であり、表面酸化皮膜厚さが１０〜７０Åで、且つ、箔
表面から少なくとも深さ１μｍまでの転位セルの平均直
径が１．０〜３．０μｍであることを特徴とするエッチ
ング安定性に優れた低圧用硬質電解Ａｌ箔。 - 【請求項２】 Ａｌ純度が９９．９質量％以上で、Ｆｅ
含有量が１０〜２００ｐｐｍ、Ｓｉ含有量が１０〜２０
０ｐｐｍであるＡｌ箔に、７０〜２００℃×３０〜１２
００秒の熱処理を施すことを特徴とするエッチング安定
性に優れた低圧用硬質電解Ａｌ箔の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32446899A JP2001143971A (ja) | 1999-11-15 | 1999-11-15 | エッチング安定性に優れた低圧用硬質電解Ａｌ箔およびその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32446899A JP2001143971A (ja) | 1999-11-15 | 1999-11-15 | エッチング安定性に優れた低圧用硬質電解Ａｌ箔およびその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001143971A true JP2001143971A (ja) | 2001-05-25 |
Family
ID=18166157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32446899A Withdrawn JP2001143971A (ja) | 1999-11-15 | 1999-11-15 | エッチング安定性に優れた低圧用硬質電解Ａｌ箔およびその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001143971A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003049233A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Mitsubishi Alum Co Ltd | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
| WO2004112065A1 (ja) * | 2003-06-03 | 2004-12-23 | Showa Denko K.K. | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法、電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用電極材の製造方法およびアルミニウム電解コンデンサ |
| WO2004112066A1 (ja) * | 2003-06-03 | 2004-12-23 | Showa Denko K.K. | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法、電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用電極材の製造方法およびアルミニウム電解コンデンサ |
| CN115148501A (zh) * | 2022-07-15 | 2022-10-04 | 新疆众和股份有限公司 | 热压箔及其制备方法、电极以及电容器 |
-
1999
- 1999-11-15 JP JP32446899A patent/JP2001143971A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003049233A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Mitsubishi Alum Co Ltd | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
| JP4530244B2 (ja) * | 2001-08-07 | 2010-08-25 | 三菱アルミニウム株式会社 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
| WO2004112065A1 (ja) * | 2003-06-03 | 2004-12-23 | Showa Denko K.K. | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法、電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用電極材の製造方法およびアルミニウム電解コンデンサ |
| WO2004112066A1 (ja) * | 2003-06-03 | 2004-12-23 | Showa Denko K.K. | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法、電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用電極材の製造方法およびアルミニウム電解コンデンサ |
| CN115148501A (zh) * | 2022-07-15 | 2022-10-04 | 新疆众和股份有限公司 | 热压箔及其制备方法、电极以及电容器 |
| CN115148501B (zh) * | 2022-07-15 | 2023-10-03 | 新疆众和股份有限公司 | 热压箔及其制备方法、电极以及电容器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5094172B2 (ja) | エッチング用アルミニウム基材及びそれを用いた電解コンデンサ用アルミニウム電極材 | |
| KR101698694B1 (ko) | 양극 산화 처리성이 우수한 알루미늄 합금 및 양극 산화 처리 알루미늄 합금 부재 | |
| JP2721739B2 (ja) | 改良されたアノードの製造方法 | |
| JP5501152B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法、電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用電極材の製造方法およびアルミニウム電解コンデンサ | |
| JP4705181B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法 | |
| JP2001143971A (ja) | エッチング安定性に優れた低圧用硬質電解Ａｌ箔およびその製法 | |
| JP3852632B2 (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔の製造方法 | |
| JP2008266746A (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔およびその製造方法 | |
| JP4539912B2 (ja) | 電解コンデンサ陽極用アルミニウム箔およびその製造方法 | |
| JP3920306B1 (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 | |
| JP5426956B2 (ja) | 半導体液晶製造装置用表面処理部材の製造方法 | |
| JP4421701B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 | |
| JP4226930B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材、エッチングされた電解コンデンサ電極用アルミニウム材、ならびに電解コンデンサ | |
| JP2007131922A (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 | |
| JPH07132689A (ja) | 平版印刷版用アルミニウム合金基材 | |
| JP3676601B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法 | |
| JP2001006985A (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法 | |
| JP3945597B2 (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム材 | |
| JP5921951B2 (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔の製造方法 | |
| JP2000204456A (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法 | |
| JP4793827B2 (ja) | 電解コンデンサ用アルミニウム箔およびその製造方法 | |
| JP4105565B2 (ja) | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材、エッチングされた電解コンデンサ電極用アルミニウム材、ならびに電解コンデンサ | |
| JP4539911B2 (ja) | 電極コンデンサ陽極用アルミニウム箔およびその製造方法 | |
| JP5334125B2 (ja) | 真空機器向け表面処理アルミニウム材の製造方法 | |
| JP2000199026A (ja) | 電解コンデンサ電極用硬質アルミニウム箔及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070206 |