JP2008153347A

JP2008153347A - 電解コンデンサ用アルミニウム箔およびその製造方法

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Publication number: JP2008153347A
Application number: JP2006338266A
Authority: JP
Inventors: Akira Yoshii; 章吉井; Hideo Watanabe; 英雄渡辺
Original assignee: Mitsubishi Aluminum Co Ltd
Current assignee: MA Aluminum Corp
Priority date: 2006-12-15
Filing date: 2006-12-15
Publication date: 2008-07-03
Anticipated expiration: 2026-12-15
Also published as: JP4793827B2

Abstract

【課題】電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造に際し、中間焼鈍の省略及び無電解エッチング採用により生産性を上げる。
【解決手段】Ｓｉ：１０〜３０ｐｐｍ、Ｆｅ：５〜３０ｐｐｍ、Ｎｉ：２１〜１５０ｐｐｍ、Ｐｂ：０．１〜３ｐｐｍ、Ｃｕ１０ｐｐｍ未満を含有し、残部が９９．９％以上Ａｌと、その他不回避不純物からなり、加工率９５．０〜９９．８％の熱間圧延と加工率９０％以上の冷間圧延によって、圧延中に焼鈍を行なうことなく８０〜１５０μｍ厚に圧延されたアルミニウム箔に、不活性ガス又は／及び還元性ガス雰囲気中で、昇温速度２０〜７０℃／時間、５３０〜５８０℃、１時間以上で焼鈍を行なう。高い立方晶率が得られ、かつ生地表面部に０．１〜５μｍ径、厚さ０．０５〜１μｍのＡｌ−Ｎｉ系析出物が面方向に０．１×１０^６〜３．０×１０^６個／ｃｍ^２で分散する。
【選択図】なし

Description

この発明は、電解コンデンサの電極に用いられるアルミニウム箔およびその製造方法に関するものである。

一般に、１６０ＷＶ以上で使用される電解コンデンサ用アルミニウム箔は、その製造過程において強酸溶液中での直流電解エッチングが採用されている。この電解エッチングの際に、ピットと呼ばれる方位形の穴を多数発生させることで表面積を拡大し、静電容量を高めている。このピットは立方体方位に対して垂直に成長するので、効率良く表面積を拡大するためには、均一にピットを発生し、深さ方向に均一に成長させる必要がある。そのため、通常９５％以上の高い立方晶率を持つアルミニウム箔を得ることが不可欠となる。

従来、上記電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造において、アルミニウム純度９９．９％以上で、Ｓｉ１０〜３０ｐｐｍ、Ｆｅ５〜３０ｐｐｍ、Ｃｕ１０〜８０ｐｐｍ、Ｐｂ０．１〜３ｐｐｍ、その他不回避不純物からなるアルミニウムスラブに、図１（ｂ）に示すように、均熱処理、熱間圧延、冷間圧延を行い、中間焼鈍と呼ばれる、２００〜３００℃、１〜２４時間の熱処理を行い、付加圧延と呼ばれる、１０〜３０％の圧下率で圧延を行った後、４５０〜６００℃で焼鈍を行っている。通常、中間焼鈍を行い、部分的に再結晶させた後、付加圧延を行った場合、異方位粒に優先的に歪みが付加され、４５０℃以上の焼鈍によって、高い立方晶率の箔を得ている。

アルミニウム箔は、その後、表面積の増大を図るために電解エッチングによる粗面化処理を行い、化成処理を経て電解コンデンサ電極とされるが、電解エッチングにおける腐食孔（以降ピット）は立方体方位に対し、垂直に成長する。このため、均一にピットを発生させて表面積を増大させるためには、アルミニウム箔として高い立方体方位占有率が必要であり、上記のような複雑な工程を採用している（例えば特許文献１）。

さらに、材質面からいえば、高い立方晶率が得られる箔として、従来、９９．９％以上の高純度のアルミニウムを用いて、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｐｂを主成分とし、その添加量を制御したものが知られている。Ｆｅ、Ｓｉ、Ｃｕはアルミニウムの再結晶挙動を制御し、最終焼鈍後に高い立方晶率を得るために、制御する必要がある元素である。特に、Ｃｕは再結晶温度を高くするために必要で、１５ｐｐｍ以下では圧延途中で再結晶粒が成長し、非立方晶粒の粗大化が起こり、高い立方晶率が得られない。反面、１００ｐｐｍ以上では、粒成長を阻害するため、高い立方晶率が得られない。実用範囲としては、２０〜７０ｐｐｍである。
特公昭５４−１１２４２号公報

しかし、前記のように、複雑な工程を経て製造する方法や加工率を制御する方法では、製造効率が悪く、製造コストを上昇させる要因になる。
また、Ｃｕの含有は、電解コンデンサ製品中で電解溶液中に溶解し、通電時に再析出を起こし、スパーク故障の原因になるという問題点を有している。そのため、エッチング終了後に、濃硝酸浸漬処理等でエッチング箔表面のＣｕを除去している。
さらに、高圧用電解コンデンサ電極用アルミニウム箔のエッチング工程では、Ａｌの溶解性が低いことと低圧用の電極のような微細な表面加工が必要ないため、直流電解方式が主に採用されている。この方式は電気を大量に消費するため、コストが高くなる問題点を有している。

本発明は、上記事情を背景になされたものであり、工程を簡略化しても高い立方晶率が得られ、かつＣｕの含有量を抑えて電解コンデンサ製品内におけるスパーク故障発生のリスクを低くするとともに、低コストの無電解エッチングが可能な電解コンデンサ電極用アルミニウム箔とその製造方法を提供することを目的とするものである。

本発明の製造方法の特徴の一つは、再結晶挙動を制御する主要元素であるＦｅ、Ｓｉ、Ｃｕのうち、上記のような不具合を生じさせる可能性のあるＣｕを１０ｐｐｍ未満に抑え、代わりにＮｉを２０〜１５０ｐｐｍ添加することで、中間焼鈍と付加圧延を行わず４５０℃以上での最終焼鈍を行うのみで、高い立方晶率が得られることにある。
一般的に、熱間圧延終了時点で既に立方晶の核となるＣｕｂｅ粒が存在し、冷間圧延途中で、中間焼鈍にて部分再結晶させ、付加的圧延を行うことでＣｕｂｅ粒以外の粒に歪みを与え、最終焼鈍時にＣｕｂｅ粒が優先成長することにより、高い立方晶率を得ている。しかし、Ｎｉ等の成分を適量添加した箔は、このような製造条件を用いずとも、Ｃｕｂｅ粒が十分に成長するため、アルミニウム箔を適切に最終焼鈍するだけで、高い立方晶率が得られる。

さらにその際、含有されたＮｉが箔表面に濃化することにより、Ａｌより電気的に貴であるＡｌ−Ｎｉ系析出物が箔表層部に生成される。そして、エッチングに際し、酸溶液中で生地のＡｌと前記Ａｌ−Ｎｉ系析出物とにより局部電池が形成され、化学溶解性を促進させる。このような電気化学反応の基点となるＡｌ−Ｎｉ系析出物を箔表面に適度に析出させるためには、圧延条件と焼鈍条件を適切に制御する方法が必要である。

すなわち、電解コンデンサ用アルミニウム箔の製造方法の発明は、質量比で、Ｓｉ：１０〜３０ｐｐｍ、Ｆｅ：５〜３０ｐｐｍ、Ｎｉ：２１〜１５０ｐｐｍ、Ｐｂ：０．１〜３ｐｐｍを含有し、不可避不純物中のＣｕが１０ｐｐｍ未満で、残部が９９．９％以上のＡｌと、その他不回避不純物からなる組成を有し、加工率が９５．０〜９９．８％の熱間圧延と、加工率が９０％以上の冷間圧延とによって、圧延途中で焼鈍を行なうことなく厚さ８０〜１５０μｍに圧延されたアルミニウム箔に、不活性ガス、または還元性ガスもしくはこれらの混合ガス雰囲気中で、昇温速度２０〜７０℃／時間、保持温度５３０〜５８０℃、保持時間１時間以上で焼鈍を行なうことを特徴とする。

また、電解コンデンサ用アルミニウム箔の発明は、エッチングに供されるアルミニウム箔において、質量比で、Ｓｉ：１０〜３０ｐｐｍ、Ｆｅ：５〜３０ｐｐｍ、Ｎｉ：２１〜１５０ｐｐｍ、Ｐｂ：０．１〜３ｐｐｍを含有し、不可避不純物中のＣｕが１０ｐｐｍ未満で、残部が９９．９％以上のＡｌと、その他不回避不純物からなる組成を有し、生地表面部に円相当径０．１〜５μｍのＡｌ−Ｎｉ系析出物が面方向に０．１×１０^６〜３．０×１０^６個／ｃｍ^２の密度で存在しているとともに、該析出物の厚さが０．０５〜１μｍであることを特徴とする。
以下に、本発明の各成分による作用、および各成分、圧延条件、焼鈍条件を限定した理由を説明する。なお、以下における成分含有量はいずれも質量比である。

Ｓｉ：１０〜３０ｐｐｍ、Ｆｅ：５〜３０ｐｐｍ
Ｓｉ、ＦｅはＡｌと化合し適度に析出物を生成し、再結晶の粗大化を抑制し、Ｃｕｂｅ粒の優先成長を促進することができる。ただし、Ｓｉ１０ｐｐｍ未満、Ｆｅ５ｐｐｍ未満の場合、精製コストが高くなり、工業的には不向きである。一方、各々３０ｐｐｍ超の場合、析出物の総量が多くなりすぎてＣｕｂｅ粒の優先成長まで制御するため、高い立方晶率が得られなくなる。このため、Ｓｉ、Ｆｅの含有量を上記範囲に定める。なお、同様の理由で望ましい下限は、Ｓｉで１２ｐｐｍ、Ｆｅで１０ｐｐｍであり、望ましい上限は、Ｓｉ、Ｆｅともに２０ｐｐｍである。

Ｐｂ：０．１〜３ｐｐｍ
Ｐｂはエッチング時における表面溶解を均一にする元素である。ただし、０．１ｐｐｍ未満ではその効果が期待できず、３ｐｐｍ超では溶解性が高くなりすぎて過剰溶解を起こす。したがって、Ｐｂの含有量を上記範囲に定める。なお、同様の理由で望ましい下限は、０．２ｐｐｍであり、望ましい上限は１ｐｐｍである。

Ｎｉ：２１〜１５０ｐｐｍ
Ｎｉは、Ｃｕｂｅ粒の優先成長を促す元素であり、広範な厚さのアルミニウム箔において中間焼鈍を施すことなく最終焼鈍のみで高い立方晶率を得ることを可能にする。この作用を十分に得るためには２１ｐｐｍ以上の含有が必要であり、２１ｐｐｍ未満では、Ｃｕｂｅ粒成長が不十分であるため中間焼鈍なしで所望の立方晶率を得ることが困難になる。一方、Ｎｉを１５０ｐｐｍ超含有すると、最終焼鈍でのＮｉ表面濃縮量が多くなりすぎ、エッチングにおいて過剰溶解が発生するため、立方晶率は９５％以上得られてもエッチングが困難な箔となる。したがって、Ｎｉ含有量を上記範囲に定める。なお、同様の理由で望ましい下限は３０ｐｐｍ、望ましい上限は１００ｐｐｍである。

Ｃｕ：１０ｐｐｍ未満
ＣｕはＡｌの再結晶を抑制する元素であるが、Ｃｕｂｅ粒の優先成長を抑制するため、多く含有するとＮｉの添加量を２００ｐｐｍ以上にする必要が生じる。この場合、上記したように過剰溶解が発生する。一方、Ｃｕ量が多くてＮｉ添加量を過剰溶解の問題ない範囲とした場合、９５％以上の立方晶率を得ることは困難になり、中間焼鈍、付加圧延を適正に行ってＣｕｂｅ粒の優先成長を確保する必要がある。さらに、製品中におけるスパーク故障の原因にもなるため、Ｃｕはできるだけ含まないのがよいが、地金等に含まれているため、不可避なＣｕ以外は無添加として、その量を１０ｐｐｍ未満とする。なお、望ましくは５ｐｐｍ以下である。

その他不純物
Ｃｕ以外にも不純物の含有は許容されるが、１００ｐｐｍを超えてＣｕ以外の不純物を含むと、不純物とＡｌとの析出物が多くなり、Ｎｉ添加だけでは高い立方晶率が得られにくくなるので、Ｃｕ以外の不純物を１００ｐｐｍ以下にするのが望ましい。同様の理由で、より望ましくは５０ｐｐｍ以下である。

熱間加工率：９５．０〜９９．８％
熱間加工率が９５．０％未満の場合、生産性が悪く工業的には不向きである。一方、９９．８％超の場合、後に行われる冷間圧延の冷間加工率が低下することになり、Ｎｉの濃縮が不十分になるため反応性が低下し好ましくない。このため、熱間加工率を上記範囲に定める。なお、同様の理由で、望ましい下限は９６．０％であり、望ましい上限は９９．０％である。

冷間加工率：９０％以上
冷間加工率が９０％未満の場合、最終焼鈍の際にＮｉが表面濃縮するために必要な駆動力が低下し、その結果、最終焼鈍でのＮｉ濃縮が不十分になりエッチング時の反応性が低下する。このため、冷間加工率を９０％以上とする。なお、同様の理由で望ましくは９６％以上である。

最終焼鈍
（１）保持温度：５３０〜５８０℃
最終焼鈍の保持温度が５３０℃未満の場合、Ｎｉの表面濃化が不十分になり、Ａｌ−Ｎｉ系析出物の量が低下し、化学溶解性が低下する。一方、５８０℃超の場合、表層に生成したＡｌ−Ｎｉ系析出物の分解が始まり溶解性が低下する。このため、保持温度を上記範囲に定める。なお、同様の理由で、望ましい下限は５４０℃であり、望ましい上限は５７０℃である。

（２）保持時間：１時間以上
保持時間が１時間未満の場合、Ｎｉの表面濃化が不十分になり、Ａｌ−Ｎｉ系析出物の量が低下し、化学溶解性が低下する。上限は特に定めないが、２４時間以下が生産性から工業的に好ましい。

（３）昇温速度：２０〜７０℃／時間
最終焼鈍において、上記保持温度にまで加熱する過程で、昇温速度が２０℃／時間未満の場合、著しく生産性が低下するため、工業的に好ましくない。一方、７０℃／時間超の場合、Ｎｉの表面濃化が不十分になり、Ａｌ−Ｎｉ系析出物の量が低下し、化学溶解性が低下するため好ましくない。したがって、良好な生産性において、十分なエッチング性を確保するためには、２０〜７０℃／時間の昇温速度が必要となる。なお、望ましい下限は４０℃／時間であり、望ましい上限は６０℃／時間である。実際のアルミニウム箔コイルを焼鈍する場合、各温度域で昇温速度が異なるので、本発明における昇温速度は、アルミニウム箔が３００〜４５０℃を通過する際の温度上昇速度とする。

（４）焼鈍雰囲気
上記最終焼鈍時の雰囲気中の酸素濃度が高い場合、アルミニウム箔表面に酸化皮膜が厚く成長し、立方晶の成長を妨げる。このため、Ａｒ、Ｎ_２等の不活性ガス、またはＨ_２等の還元性ガスもしくはこれらの混合ガス雰囲気で焼鈍する必要がある。なお、真空焼鈍の場合、熱伝導性が悪いため、アルミニウム箔の昇温速度が低下するので、焼鈍時間全体において真空とするのは好ましくない。
なお、焼鈍後の酸化皮膜厚さが３０〜７０Å（ＥＳＣＡ測定値）になるよう、初期の真空度、焼鈍中の酸素濃度、または露点、ガス流量等を管理することが望ましい。
酸化皮膜厚さ３０Å未満の場合、焼鈍雰囲気中の酸素量を極低くする必要があり、多量の雰囲気ガスを必要とするため、工業的に不向きである。また、７０Åを超えると、その後のエッチングの際、ピット発生を妨げ、静電容量が低下する。したがって、酸化皮膜厚さは上記範囲が望ましい。さらに望ましい酸化皮膜厚さの下限は４０Å、上限は６０Åである。

Ａｌ−Ｎｉ系析出物
（１）円相当径：０．１〜５μｍ
エッチングに供されるアルミニウム箔において、箔表面に円相当径０．１〜５μｍのＡｌ−Ｎｉ系析出物が存在していることが必要となる。０．１μｍ未満のＡｌ−Ｎｉ系析出物は、酸中で溶解してしまいエッチングに寄与できないものであり、５μｍを超えるＡｌ−Ｎｉ系析出物は、表面欠落になり容量が低下する。
したがって、円相当径０．１〜５μｍのＡｌ−Ｎｉ系析出物の分散について規定する。
（２）密度：０．１×１０^６〜３．０×１０^６個／ｃｍ^２
上記大きさのＡｌ−Ｎｉ系析出物の分散密度が、０．１×１０^６個／ｃｍ^２未満では、溶解反応が遅く、エッチング速度が停滞する。一方、３．０×１０^６個／ｃｍ^２超の場合、溶解速度が速すぎて表面溶解が過剰に促進されるため、十分な静電容量が得られない。したがって、上記径のＡｌ−Ｎｉ系析出物の密度を上記範囲に定める。なお、同様の理由で望ましい下限は、０．２×１０^６個／ｃｍ^２、望ましい上限は、２×１０^６個／ｃｍ^２である。
（３）厚さ：０．０５〜１μｍ
上記Ａｌ−Ｎｉ系析出物の厚さが０．０５μｍ未満の場合、エッチングの前処理において、析出物が除去されやすくなり、化学溶解性が低下するため好ましくない。一方、析出物の厚さが１μｍを超えると、エッチング後の析出物除去が困難になり、化成処理において漏れ電流を発生させる原因となり好ましくない。したがって、上記径のＡｌ−Ｎｉ系析出物の厚さを上記範囲に定める。なお、同様の理由で望ましい下限は、０．１μｍ、上限は、０．５μｍである。

なお、立方晶率９５％以上が現状求められているレベルであるため、本明細書において高い立方晶率とは、９５％以上の立方晶率を意味する。

以上説明したように、本発明の電解コンデンサ用アルミニウム箔の製造方法によれば、質量比でＳｉ：１０〜３０ｐｐｍ、Ｆｅ：５〜３０ｐｐｍ、Ｎｉ：２１〜１５０ｐｐｍ、Ｐｂ：０．１〜３ｐｐｍを含有し、不可避不純物中のＣｕが１０ｐｐｍ未満で、残部が９９．９％以上のＡｌと、その他不回避不純物からなる組成を有し、加工率が９５．０〜９９．８％の熱間圧延と、加工率が９０％以上の冷間圧延とによって、圧延途中で焼鈍を行うことなく厚さ８０〜１５０μｍに圧延されたアルミニウム箔に、不活性ガス、または還元性ガスもしくはこれらの混合ガス雰囲気中で、昇温速度２０〜７０℃／時間、保持温度５３０〜５８０℃、保持時間１時間以上で焼鈍を行うので、製造工程を簡略化しても、最終焼鈍において高い立方晶率が得られ、品質を損なうことなく、その生産性を著しく向上させることができる。さらに得られたアルミニウム箔は、表面部に適度な大きさのＡｌ−Ｎｉ系析出物が適度な密度および厚さで存在することになり、エッチングにおいて良好な化学溶解性が得られる。

また、本発明の電解コンデンサ用アルミニウム箔によれば、エッチングに供されるアルミニウム箔において、質量比でＳｉ：１０〜３０ｐｐｍ、Ｆｅ：５〜３０ｐｐｍ、Ｎｉ：２１〜１５０ｐｐｍ、Ｐｂ：０．１〜３ｐｐｍを含有し、不可避不純物中のＣｕが１０ｐｐｍ未満で、残部が９９．９％以上のＡｌと、その他不回避不純物からなる組成を有し、生地表面部に円相当径０．１〜５μｍのＡｌ−Ｎｉ系析出物が面方向に０．１×１０^６〜３．０×１０^６個／ｃｍ^２の密度で存在しているとともに、該析出物の厚さが０．０５〜１μｍであるので、エッチング工程において良好な化学溶解性が得られ、低コストでの無電解エッチングが可能となる。さらには、Ｃｕの含有量を抑えているので、電解コンデンサ製品に組み込んだ際に、Ｃｕが原因によるスパーク発生のリスクを低くできる。

以下に、本発明の一実施形態について説明する。
本発明の成分となるように調整された高純度アルミニウム材は、常法により得ることができ、本発明としては特にその製造方法が限定されるものではない。例えば、半連続鋳造によって得たスラブを用いることができ、その他に連続鋳造により得ることもできる。上記高純度アルミニウム材は、純度が９９．９％以上で、好適には純度９９．９５％以上とする。

高純度アルミニウム材は、図１（ａ）に示すように、加工率９５．０〜９９．８％の熱間圧延によりシート材とする。さらに、このシート材に対し、加工率９０％以上の冷間圧延を行い、厚さ８０〜１５０μｍのアルミニウム合金箔を得る。該冷間圧延の途中での中間焼鈍を省略することができる。なお、冷間圧延途中あるいは冷間圧延終了後に適宜脱脂を加えてもよい。
冷間圧延後には、最終焼鈍処理を行う。最終焼鈍の加熱条件は、昇温速度２０〜７０℃／時間で、保持温度５３０〜５８０℃、保持時間１時間以上である。さらに焼鈍雰囲気は、不活性ガスまたは還元性ガスもしくはこれらの混合ガス雰囲気とする。なお、焼鈍加熱開始時（例えば２００℃まで）や、冷却時には、上記雰囲気に限定されず、真空雰囲気などとしてもよい。

上記各工程を経て得られたアルミニウム箔には、その後、エッチング処理がなされる。エッチング処理は、強酸溶液中、例えば、塩酸や塩酸を主体とした混酸などに浸漬することによる無電解エッチングで行うことができる。本発明としては、このエッチング処理の具体的条件について特に限定されるものではない。なお、所望により電解エッチングを採用することも可能である。
エッチング処理においては、前記成分の設定と各製造工程における条件により、高い立方晶率と電気化学反応の基点となるＡｌ−Ｎｉ系析出物が適当な密度で得られており、無電解エッチングでも、箔にピットが高密度で形成され、高い粗面化率が得られる。この箔を常法により電解コンデンサに電極として組み込むことにより静電容量の高いコンデンサが得られる。
本発明のアルミニウム材及びその製造方法によって得られるアルミニウム箔は、中高圧電解コンデンサの陽極として使用するのが好適であるが、本発明としてはこれに限定されるものではなく、より耐電圧の低いコンデンサ用としても使用することができ、また電解コンデンサの陰極用の材料として使用することもできる。

表１に示す組成（残部アルミニウム。表中の不回避不純物量はＣｕ量を除くものである）に調整した後、ＤＣ鋳造を行い、アルミニウムスラブを得た。該スラブを面削後、５５０〜５９０℃の均熱処理を８時間行い、熱間圧延を行った。
熱間圧延は、開始温度を５００〜５９０℃とし、２５０〜３２０℃で仕上げた。該熱間圧延時の加工率は表２に示す条件とした。熱間圧延終了後、中間焼鈍を施すことなく冷間圧延を行い、１１０μｍ厚のアルミニウム箔を得た。冷間圧延時の加工率は、表２に示す条件とした。得られたアルミニウム箔に対し表２に示す条件で焼鈍を行った。この際の昇温速度は、３００〜４５０℃の温度を通過する際の平均昇温速度とした。
上記焼鈍後の箔をＳＥＭで観察し、０．１〜５μｍの大きさ（円相当径）のＡｌ−Ｎｉ系析出物の密度を計測し、その結果を表２に示した。また、ＦＩＢにより０．１〜５μｍの大きさのＡｌ−Ｎｉ系析出物の断面観察を行い、その厚さを測定し、その結果を表２に示した。

さらに、上記各供試材を、１リットル中に燐酸１ｍｏｌ、硝酸０．５ｍｏｌ含有する溶液５０℃中に１２０秒浸漬した後、１リットル中に塩酸１ｍｏｌ、硫酸３ｍｏｌ含有する溶液８２℃中に１２０秒浸漬し、さらに２ｍｏｌ／リットルの塩酸溶液８０℃中に５分間浸漬した。
エッチング後、１００ｇ／リットルのホウ酸溶液８５℃中で３００Ｖの電圧を印加して化成を行った後、静電容量を測定し、その結果を表２に示した。

表２に示された結果から明らかなように、昇温速度、保持温度、保持時間のいずれかでも発明の範囲から外れた場合、析出物の密度が本発明に示された条件を満たすことができず、良好な静電容量が得られなかった。これに対し、発明例の供試材は、中間焼鈍を行うことなく、また、無電解のエッチングによって高い静電容量が得られることが明らかになった。

本発明のアルミニウム材に好適な製造工程（ａ）および従来のアルミニウム材を用いた製造工程（ｂ）を示すフロー図である。

Claims

質量比で、Ｓｉ：１０〜３０ｐｐｍ、Ｆｅ：５〜３０ｐｐｍ、Ｎｉ：２１〜１５０ｐｐｍ、Ｐｂ：０．１〜３ｐｐｍを含有し、不可避不純物中のＣｕが１０ｐｐｍ未満で、残部が９９．９％以上のＡｌと、その他不回避不純物からなる組成を有し、加工率が９５．０〜９９．８％の熱間圧延と、加工率が９０％以上の冷間圧延とによって、圧延途中で焼鈍を行なうことなく厚さ８０〜１５０μｍに圧延されたアルミニウム箔に、不活性ガス、または還元性ガスもしくはこれらの混合ガス雰囲気中で、昇温速度２０〜７０℃／時間、保持温度５３０〜５８０℃、保持時間１時間以上で焼鈍を行なうことを特徴とする電解コンデンサ用アルミニウム箔の製造方法。
エッチングに供されるアルミニウム箔において、質量比で、Ｓｉ：１０〜３０ｐｐｍ、Ｆｅ：５〜３０ｐｐｍ、Ｎｉ：２１〜１５０ｐｐｍ、Ｐｂ：０．１〜３ｐｐｍを含有し、不可避不純物中のＣｕが１０ｐｐｍ未満で、残部が９９．９％以上のＡｌと、その他不回避不純物からなる組成を有し、生地表面部に円相当径０．１〜５μｍのＡｌ−Ｎｉ系析出物が面方向に０．１×１０^６〜３．０×１０^６個／ｃｍ^２の密度で存在しているとともに、該析出物の厚さが０．０５〜１μｍであることを特徴とする電解コンデンサ用アルミニウム箔。