JPH11354687A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH11354687A JPH11354687A JP16467998A JP16467998A JPH11354687A JP H11354687 A JPH11354687 A JP H11354687A JP 16467998 A JP16467998 A JP 16467998A JP 16467998 A JP16467998 A JP 16467998A JP H11354687 A JPH11354687 A JP H11354687A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thermal expansion
- diffusion member
- semiconductor device
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
- H01L23/057—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads being parallel to the base
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
- H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
- H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1301—Thyristor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体基板にはんだ付けして部品を取付け後、
樹脂モールドすると、熱膨張係数の違いにより、はんだ
付け部が熱疲労破壊することがある。 【解決手段】半導体基体と該熱拡散部材間が９０(ｗｔ
％)以上のＳｎにＳｂ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｂｉ及びＣ
ｕの群から選択された１種類以上の金属が添加された合
金材によって固着することにより、熱拡散部材の熱吸収
性と伝達性の効果により放熱性の向上を図る。
樹脂モールドすると、熱膨張係数の違いにより、はんだ
付け部が熱疲労破壊することがある。 【解決手段】半導体基体と該熱拡散部材間が９０(ｗｔ
％)以上のＳｎにＳｂ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｂｉ及びＣ
ｕの群から選択された１種類以上の金属が添加された合
金材によって固着することにより、熱拡散部材の熱吸収
性と伝達性の効果により放熱性の向上を図る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂モールド絶縁
型半導体装置に関する。
型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子基体を支持する部材は
非絶縁型半導体装置の一電極を兼ねる場合が多かった。
例えば、パワートランジスタチップを銅ベース上にＰｂ
−Ｓｎはんだ材により一体化搭載したパワートランジス
タ装置では、銅ベース（金属支持部材）はトランジスタ
のコレクタ電極と支持部材を兼ねる。このような半導体
装置では、数アンペア以上のコレクタ電流が流れ、トラ
ンジスタチップは発熱する。この発熱に起因する特性の
不安定性や寿命の劣化を避けるため、銅ベースは熱放散
のための部材を兼ねる。また、高耐圧化及び高周波化さ
れ、大電流を流すことの可能な半導体チップを上記銅ベ
ースに直接はんだ付け搭載した場合は、熱放散中継部材
としての銅ベースの役割は一層重要になる。
非絶縁型半導体装置の一電極を兼ねる場合が多かった。
例えば、パワートランジスタチップを銅ベース上にＰｂ
−Ｓｎはんだ材により一体化搭載したパワートランジス
タ装置では、銅ベース（金属支持部材）はトランジスタ
のコレクタ電極と支持部材を兼ねる。このような半導体
装置では、数アンペア以上のコレクタ電流が流れ、トラ
ンジスタチップは発熱する。この発熱に起因する特性の
不安定性や寿命の劣化を避けるため、銅ベースは熱放散
のための部材を兼ねる。また、高耐圧化及び高周波化さ
れ、大電流を流すことの可能な半導体チップを上記銅ベ
ースに直接はんだ付け搭載した場合は、熱放散中継部材
としての銅ベースの役割は一層重要になる。
【０００３】また、半導体装置の全ての電極を金属支持
部材から電気的に絶縁し、もって半導体装置の回路適用
上の自由度を増すことのできる絶縁型半導体装置におい
て、全ての電極は絶縁部材により金属支持部材を含む全
てのパッケージ部材から、絶縁されて外部へ引き出され
る。そのために、一対の主電極が回路上の接地電位から
浮いている使用例であっても、電極電位とは無関係にパ
ッケージを接地電位部に固定できるので、半導体装置の
実装が容易になる。
部材から電気的に絶縁し、もって半導体装置の回路適用
上の自由度を増すことのできる絶縁型半導体装置におい
て、全ての電極は絶縁部材により金属支持部材を含む全
てのパッケージ部材から、絶縁されて外部へ引き出され
る。そのために、一対の主電極が回路上の接地電位から
浮いている使用例であっても、電極電位とは無関係にパ
ッケージを接地電位部に固定できるので、半導体装置の
実装が容易になる。
【０００４】絶縁型半導体装置においても、半導体素子
を安全かつ安定に動作させるためには、半導体装置の動
作時に発生する熱をパッケージの外へ効率良く放散させ
る必要がある。この熱放散は通常、発熱源である半導体
基体からこれと接着された各部材を通じて気中へ熱伝達
させることで達成される。絶縁型半導体装置ではこの熱
伝達経路中に、絶縁体及び半導体基体を接着する部分等
に用いられた接着材層を含む。
を安全かつ安定に動作させるためには、半導体装置の動
作時に発生する熱をパッケージの外へ効率良く放散させ
る必要がある。この熱放散は通常、発熱源である半導体
基体からこれと接着された各部材を通じて気中へ熱伝達
させることで達成される。絶縁型半導体装置ではこの熱
伝達経路中に、絶縁体及び半導体基体を接着する部分等
に用いられた接着材層を含む。
【０００５】また、半導体装置を含む回路の扱う電力が
高くなるほど、あるいは要求される信頼性（経時的安定
性，耐湿性，耐熱性等）が高くなるほど、完全な絶縁性
が要求される。ここで言う耐熱性には、半導体装置の周
囲温度が外因により上昇した場合のほか、半導体装置の
扱う電力が大きく、半導体基体で発生する熱が大きくな
った場合の耐熱性も含む。
高くなるほど、あるいは要求される信頼性（経時的安定
性，耐湿性，耐熱性等）が高くなるほど、完全な絶縁性
が要求される。ここで言う耐熱性には、半導体装置の周
囲温度が外因により上昇した場合のほか、半導体装置の
扱う電力が大きく、半導体基体で発生する熱が大きくな
った場合の耐熱性も含む。
【０００６】一方、混成集積回路装置あるいは半導体モ
ジュール装置では、一般に半導体素子を含むあるまとま
った電気回路が組み込まれるため、その回路の少なくと
も１部とこれらの装置の支持部材あるいは放熱部材等の
金属部とを電気的に絶縁する必要がある。例えば、第１
先行技術例としての風見明による“ＭＩＳＴ基板”：工
業材料（Ｖol.３０，Ｎo.３)，２２〜２６頁（１９８３
年）には、両面に薄いアルマイト層(１４〜３０μｍ)を
形成したアルミニウム基板(１〜２mm)の一方の面上に、
エポキシ系絶縁樹脂層(２８μｍ)を介して銅箔(３５μ
ｍ)を形成した混成集積回路装置用基板が開示されてい
る。また、上記銅箔を選択エッチングして回路配線を施
した上記混成集積回路装置用基板上に、はんだ付けによ
りパワー半導体素子及び受動素子が搭載された混成集積
回路装置が開示されている。
ジュール装置では、一般に半導体素子を含むあるまとま
った電気回路が組み込まれるため、その回路の少なくと
も１部とこれらの装置の支持部材あるいは放熱部材等の
金属部とを電気的に絶縁する必要がある。例えば、第１
先行技術例としての風見明による“ＭＩＳＴ基板”：工
業材料（Ｖol.３０，Ｎo.３)，２２〜２６頁（１９８３
年）には、両面に薄いアルマイト層(１４〜３０μｍ)を
形成したアルミニウム基板(１〜２mm)の一方の面上に、
エポキシ系絶縁樹脂層(２８μｍ)を介して銅箔(３５μ
ｍ)を形成した混成集積回路装置用基板が開示されてい
る。また、上記銅箔を選択エッチングして回路配線を施
した上記混成集積回路装置用基板上に、はんだ付けによ
りパワー半導体素子及び受動素子が搭載された混成集積
回路装置が開示されている。
【０００７】第２先行技術例としての特開昭64−5092号
公報には、アルミニウムからなる金属基板上にエポキシ
系絶縁層(２０μｍ以上)を介して、アルミニウム箔と銅
箔(３５〜１５００μｍ)を選択形成したハイパワー用回
路基板が開示されている。また、上記回路基板の銅箔上
に、はんだ付けによりパワートランジスタ素子を複数個
搭載した混成集積回路が開示されている。
公報には、アルミニウムからなる金属基板上にエポキシ
系絶縁層(２０μｍ以上)を介して、アルミニウム箔と銅
箔(３５〜１５００μｍ)を選択形成したハイパワー用回
路基板が開示されている。また、上記回路基板の銅箔上
に、はんだ付けによりパワートランジスタ素子を複数個
搭載した混成集積回路が開示されている。
【０００８】上記先行技術例１及び２に基づく回路基板
や混成集積回路装置は、量産性に優れるとともに経済的
利点が多く、半導体実装の分野で広く利用されている。
や混成集積回路装置は、量産性に優れるとともに経済的
利点が多く、半導体実装の分野で広く利用されている。
【０００９】上記先行技術例１及び２に基づく回路基板
や混成集積回路装置は、放熱を促進させるため、通常、
アルミニウムフィン等のヒートシンクへ機械的に取付け
られて使用される。
や混成集積回路装置は、放熱を促進させるため、通常、
アルミニウムフィン等のヒートシンクへ機械的に取付け
られて使用される。
【００１０】一方、第３先行技術例としての特開平8−3
16370 号公報には、金属放熱板上に絶縁基板を固着し、
絶縁基板に設けた導電層上に半導体素子が設けられ、半
導体素子の表面にエポキシ樹脂とシリコーンゲルを順次
被覆してなる半導体装置を開示している。特に、エポキ
シ樹脂は透湿度の低いもので構成しているため、半導体
装置内部への水分の浸入を抑え、電気的特性の劣化を回
避できるようになっている。
16370 号公報には、金属放熱板上に絶縁基板を固着し、
絶縁基板に設けた導電層上に半導体素子が設けられ、半
導体素子の表面にエポキシ樹脂とシリコーンゲルを順次
被覆してなる半導体装置を開示している。特に、エポキ
シ樹脂は透湿度の低いもので構成しているため、半導体
装置内部への水分の浸入を抑え、電気的特性の劣化を回
避できるようになっている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記先行技術例１及び
２に基づく回路基板や混成集積回路装置の場合は、熱膨
張率の小さい搭載部品、例えば、半導体素子基体：３.
５ppm／℃(Ｓｉ)，チップ抵抗体：７ppm／℃(アルミ
ナ），チップコンデンサ：１０ppm／℃(チタン酸バリウ
ム）が、熱膨張率の大きい回路基板(Ａｌ：２５ppm／
℃）上にＰｂ−Ｓｎ系合金材のはんだ付けにより固着さ
れる。はんだ付け部は搭載部品を基板上の所定位置に固
定するとともに、上記半導体装置の配線及び熱放散路の
役割を担う。
２に基づく回路基板や混成集積回路装置の場合は、熱膨
張率の小さい搭載部品、例えば、半導体素子基体：３.
５ppm／℃(Ｓｉ)，チップ抵抗体：７ppm／℃(アルミ
ナ），チップコンデンサ：１０ppm／℃(チタン酸バリウ
ム）が、熱膨張率の大きい回路基板(Ａｌ：２５ppm／
℃）上にＰｂ−Ｓｎ系合金材のはんだ付けにより固着さ
れる。はんだ付け部は搭載部品を基板上の所定位置に固
定するとともに、上記半導体装置の配線及び熱放散路の
役割を担う。
【００１２】しかしながら、上記半導体装置には稼働時
や休止時に伴う熱ストレスが繰返し印加され、最終的に
はんだ付け部の熱疲労破壊を生ずるに至る。特に、はん
だ材が適切に選択されていない場合や、回路基板に対し
てモールド樹脂の熱膨張率が適切に調整されていない場
合は、両者の接合界面に過大な残留応力が内在すること
となり、これに半導体装置の稼働時の熱応力が重畳され
ると、はんだ付け部の熱疲労破壊が一層加速される。こ
の熱疲労破壊が進むと、断線，熱放散路の遮断等の悪影
響を生ずる。この結果、半導体装置はそ回路機能を失
う。
や休止時に伴う熱ストレスが繰返し印加され、最終的に
はんだ付け部の熱疲労破壊を生ずるに至る。特に、はん
だ材が適切に選択されていない場合や、回路基板に対し
てモールド樹脂の熱膨張率が適切に調整されていない場
合は、両者の接合界面に過大な残留応力が内在すること
となり、これに半導体装置の稼働時の熱応力が重畳され
ると、はんだ付け部の熱疲労破壊が一層加速される。こ
の熱疲労破壊が進むと、断線，熱放散路の遮断等の悪影
響を生ずる。この結果、半導体装置はそ回路機能を失
う。
【００１３】また、上記先行技術例１及び２に基づく回
路基板や混成集積回路装置の場合は、発熱の著しい半導
体素子基体が回路基板上に直接はんだ付け搭載されてお
り、半導体素子基体が放出する熱の効率的な外部放散を
困難にする。この結果、上記装置の放熱性が損ねられ
る。
路基板や混成集積回路装置の場合は、発熱の著しい半導
体素子基体が回路基板上に直接はんだ付け搭載されてお
り、半導体素子基体が放出する熱の効率的な外部放散を
困難にする。この結果、上記装置の放熱性が損ねられ
る。
【００１４】一方、先行技術例３の場合は、金属放熱板
に固着した絶縁基板に直接半導体素子が搭載されてい
る。この場合の絶縁基板は恐らくセラミックであって、
半導体素子とセラミック絶縁基板との間の熱膨張率差が
小さく、そして、セラミック絶縁基板の熱伝導率は比較
的高いため、上記先行技術例１及び２で生ずる問題はあ
まり無い。しかしながら、本技術例では高価なセラミッ
ク絶縁基板が必要となるため、経済性の点で不利にな
る。
に固着した絶縁基板に直接半導体素子が搭載されてい
る。この場合の絶縁基板は恐らくセラミックであって、
半導体素子とセラミック絶縁基板との間の熱膨張率差が
小さく、そして、セラミック絶縁基板の熱伝導率は比較
的高いため、上記先行技術例１及び２で生ずる問題はあ
まり無い。しかしながら、本技術例では高価なセラミッ
ク絶縁基板が必要となるため、経済性の点で不利にな
る。
【００１５】したがって本発明の目的は、上記先行技術
例の欠点を補い、放熱性及びはんだ接続部の信頼性に優
れる樹脂モールド絶縁型半導体装置を提供することにあ
る。
例の欠点を補い、放熱性及びはんだ接続部の信頼性に優
れる樹脂モールド絶縁型半導体装置を提供することにあ
る。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明による半導体装置の特徴は、アルミニウム板の主面に
エポキシ絶縁層を介して形成された銅配線を有する絶縁
基板上に半導体基体が熱拡散部材を介して搭載され、該
半導体基体と該熱拡散部材の間の熱膨張率差が１０ppm
／℃以下、そして、該熱拡散部材と該絶縁基板の間の熱
膨張率差が16.5ppm／℃ 以下に調整され、該半導体基体
と該熱拡散部材間が９０(ｗｔ％)以上のＳｎにＳｂ，Ａ
ｇ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｂｉ及びＣｕの群から選択された１種
類以上の金属が添加された合金材によって固着され、該
熱拡散部材と該絶縁基板間がＳｎを３５ｗｔ％以上６０
ｗｔ％以下含有し残部が実質的にＰｂである合金材によ
って固着され、該半導体基体がエポキシ樹脂とシリコー
ンゲル樹脂によって順次被覆され、該エポキシ樹脂の熱
膨張率が１３〜２１ppm／℃ に調整されていることにあ
る。
明による半導体装置の特徴は、アルミニウム板の主面に
エポキシ絶縁層を介して形成された銅配線を有する絶縁
基板上に半導体基体が熱拡散部材を介して搭載され、該
半導体基体と該熱拡散部材の間の熱膨張率差が１０ppm
／℃以下、そして、該熱拡散部材と該絶縁基板の間の熱
膨張率差が16.5ppm／℃ 以下に調整され、該半導体基体
と該熱拡散部材間が９０(ｗｔ％)以上のＳｎにＳｂ，Ａ
ｇ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｂｉ及びＣｕの群から選択された１種
類以上の金属が添加された合金材によって固着され、該
熱拡散部材と該絶縁基板間がＳｎを３５ｗｔ％以上６０
ｗｔ％以下含有し残部が実質的にＰｂである合金材によ
って固着され、該半導体基体がエポキシ樹脂とシリコー
ンゲル樹脂によって順次被覆され、該エポキシ樹脂の熱
膨張率が１３〜２１ppm／℃ に調整されていることにあ
る。
【００１７】本発明によれば、熱拡散部材の熱吸収性と
伝達性の効果により放熱性の向上が図られる。また、熱
拡散部材の剛性及び熱歪吸収性と、封止材としての樹脂
の熱膨張性の相性が合い、はんだ接続部の信頼性向上が
図られる。
伝達性の効果により放熱性の向上が図られる。また、熱
拡散部材の剛性及び熱歪吸収性と、封止材としての樹脂
の熱膨張性の相性が合い、はんだ接続部の信頼性向上が
図られる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以上の構成を、図面を用いて説明
する。
する。
【００１９】図１は、本発明の半導体装置の断面図であ
る。絶縁基板１０は、母材であるアルミニウム板１の一
方の主面上にエポキシ絶縁樹脂層２を介して銅配線層３
が選択的に形成されている。絶縁基板１０上には、半導
体素子基体２１，チップ抵抗２２やチップコンデンサ２
３からなる受動素子，端子２４とが、Ｓｎを主成分とし
これにＳｂ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｂｉ及びＣｕの群から
選択された１種類以上の金属が添加された合金材２５，
２５′によって固着されている。絶縁基板１０と半導体
素子基体２１の間には、熱拡散部材２７が介装されてい
る。半導体素子基体２１と銅配線層３の間には、Ａｌワ
イヤ(直径：３００μｍ)２６が超音波ボンディングによ
り配線されている。また、半導体素子基体２１と受動素
子の搭載部には、熱膨張率を１３〜２１ppm／℃ に調整
したエポキシ樹脂３１がポッティング法により被覆され
ている。このエポキシ樹脂３１は、シリコーンゲル樹脂
３２で被覆されている。以上の構成による構造体には、
外囲器を兼ねる樹脂ケース３３が設けられている。
る。絶縁基板１０は、母材であるアルミニウム板１の一
方の主面上にエポキシ絶縁樹脂層２を介して銅配線層３
が選択的に形成されている。絶縁基板１０上には、半導
体素子基体２１，チップ抵抗２２やチップコンデンサ２
３からなる受動素子，端子２４とが、Ｓｎを主成分とし
これにＳｂ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｂｉ及びＣｕの群から
選択された１種類以上の金属が添加された合金材２５，
２５′によって固着されている。絶縁基板１０と半導体
素子基体２１の間には、熱拡散部材２７が介装されてい
る。半導体素子基体２１と銅配線層３の間には、Ａｌワ
イヤ(直径：３００μｍ)２６が超音波ボンディングによ
り配線されている。また、半導体素子基体２１と受動素
子の搭載部には、熱膨張率を１３〜２１ppm／℃ に調整
したエポキシ樹脂３１がポッティング法により被覆され
ている。このエポキシ樹脂３１は、シリコーンゲル樹脂
３２で被覆されている。以上の構成による構造体には、
外囲器を兼ねる樹脂ケース３３が設けられている。
【００２０】本発明における合金材２５は半導体素子基
体２１，受動素子，端子２４を導電的かつ強固に固着す
るためのものであり、本質的に高い熱疲労破壊耐量を有
している必要がある。図２は合金材の熱疲労破壊耐量を
示す図である。合金材２５，２５′の熱疲労破壊耐量
を、半導体素子基体２１からアルミニウム板１に至る放
熱経路間の熱抵抗の温度サイクル数依存性として表して
いる。ここでは、合金材の本質的耐量を評価するため、
図中に示すように、半導体素子基体２１を絶縁基板１０
上に直接はんだ付けしている。また、合金材２５とし
て、曲線ＡはＳｎ−５ｗｔ％Ｓｂ材(合金材Ａ)を、曲線
ＢはＰｂ−６０ｗｔ％Ｓｎ材(合金材Ｂ)を、そして、曲
線ＣはＰｂ−５ｗｔ％Ｓｎ材(合金材Ｃ)を適用した場合
を示す。合金材Ａの場合は、温度サイクル数３００回ま
では熱抵抗の変動をほとんど示していない。これに対し
て、合金材Ｂ及びＣの場合は、５０回あたりから変動
（熱抵抗の増大）を生じ始めている。熱抵抗増大は、温
度変化に伴うはんだ層の疲労破壊により、放熱経路が遮
断されることによってもたらされる。
体２１，受動素子，端子２４を導電的かつ強固に固着す
るためのものであり、本質的に高い熱疲労破壊耐量を有
している必要がある。図２は合金材の熱疲労破壊耐量を
示す図である。合金材２５，２５′の熱疲労破壊耐量
を、半導体素子基体２１からアルミニウム板１に至る放
熱経路間の熱抵抗の温度サイクル数依存性として表して
いる。ここでは、合金材の本質的耐量を評価するため、
図中に示すように、半導体素子基体２１を絶縁基板１０
上に直接はんだ付けしている。また、合金材２５とし
て、曲線ＡはＳｎ−５ｗｔ％Ｓｂ材(合金材Ａ)を、曲線
ＢはＰｂ−６０ｗｔ％Ｓｎ材(合金材Ｂ)を、そして、曲
線ＣはＰｂ−５ｗｔ％Ｓｎ材(合金材Ｃ)を適用した場合
を示す。合金材Ａの場合は、温度サイクル数３００回ま
では熱抵抗の変動をほとんど示していない。これに対し
て、合金材Ｂ及びＣの場合は、５０回あたりから変動
（熱抵抗の増大）を生じ始めている。熱抵抗増大は、温
度変化に伴うはんだ層の疲労破壊により、放熱経路が遮
断されることによってもたらされる。
【００２１】このように、本発明に係る合金材Ａを適用
した場合は、従来のはんだ材（合金材Ｂ及びＣ）を適用
した場合に比べ、優れた熱疲労破壊耐量を示している。
これは、Ｓｎ−５ｗｔ％Ｓｂ材の剛性がＰｂ−６０ｗｔ
％Ｓｎ材やＰb−５ｗｔ％Ｓn材より高く、塑性変形しに
くい材料であることに基づく。
した場合は、従来のはんだ材（合金材Ｂ及びＣ）を適用
した場合に比べ、優れた熱疲労破壊耐量を示している。
これは、Ｓｎ−５ｗｔ％Ｓｂ材の剛性がＰｂ−６０ｗｔ
％Ｓｎ材やＰb−５ｗｔ％Ｓn材より高く、塑性変形しに
くい材料であることに基づく。
【００２２】合金材ＡとしてのＳｎ−５ｗｔ％Ｓｂ材の
代替物としては、例えば、Ｓｎ−３.５ｗｔ％Ａｇ，Ｓ
ｎ−３.５ｗｔ％Ａｇ−１.５ｗｔ％Ｉｎ，Ｓｎ−８.５
ｗｔ％Ｚｎ−１.５ｗｔ％Ｉｎ，Ｓｎ−４ｗｔ％Ａｇ−
２ｗｔ％Ｚｎ−２ｗｔ％Ｂｉ，Ｓｎ−４.５ｗｔ％Ｃ
ｕ，Ｓｎ−０.５ｗｔ％Ｃｕ−３ｗｔ％Ａｇ，Ｓｎ−２
ｗｔ％Ｓｂ−０.５ｗｔ％Ｃｕ−２ｗｔ％Ａｇ−２ｗｔ
％Ｚｎ 等が挙げられる。
代替物としては、例えば、Ｓｎ−３.５ｗｔ％Ａｇ，Ｓ
ｎ−３.５ｗｔ％Ａｇ−１.５ｗｔ％Ｉｎ，Ｓｎ−８.５
ｗｔ％Ｚｎ−１.５ｗｔ％Ｉｎ，Ｓｎ−４ｗｔ％Ａｇ−
２ｗｔ％Ｚｎ−２ｗｔ％Ｂｉ，Ｓｎ−４.５ｗｔ％Ｃ
ｕ，Ｓｎ−０.５ｗｔ％Ｃｕ−３ｗｔ％Ａｇ，Ｓｎ−２
ｗｔ％Ｓｂ−０.５ｗｔ％Ｃｕ−２ｗｔ％Ａｇ−２ｗｔ
％Ｚｎ 等が挙げられる。
【００２３】ここで、合金材Ａについて説明する。
【００２４】Ｓｎ−Ｓｂ系合金材では、２５０℃以下の
液相線が得られる組成は９０ｗｔ％Ｓｎ以上の範囲であ
る。液相線が高くなると、はんだ付けの処理温度が高く
なる。この場合は、絶縁基板１０に形成されて回路の絶
縁を担うエポキシ絶縁樹脂層２が化学的に劣化し、良好
な電気絶縁性が得られなくなる。一般に半導体装置で
は、なるべく低い処理温度で作業できることが望まし
い。この観点からすれば、Ｓｎ−Ｓｂ系合金材ではんだ
材として適するのは、２５０℃以下の液相線が得られる
組成は９０ｗｔ％Ｓｎ以上の組成範囲であると言える。
液相線が得られる組成は９０ｗｔ％Ｓｎ以上の範囲であ
る。液相線が高くなると、はんだ付けの処理温度が高く
なる。この場合は、絶縁基板１０に形成されて回路の絶
縁を担うエポキシ絶縁樹脂層２が化学的に劣化し、良好
な電気絶縁性が得られなくなる。一般に半導体装置で
は、なるべく低い処理温度で作業できることが望まし
い。この観点からすれば、Ｓｎ−Ｓｂ系合金材ではんだ
材として適するのは、２５０℃以下の液相線が得られる
組成は９０ｗｔ％Ｓｎ以上の組成範囲であると言える。
【００２５】しかしながら、Ｓｎ含有量が９０ｗｔ％に
近い組成領域では、Ｓｎ−Ｓｂ合金融液が全率固溶体的
に固相化した後、Ｓｎ−Ｓｂ合金結晶の粒界近傍にＳｂ
が多量に含まれた包晶領域を形成しやすい。この包晶領
域は、機械的に脆く展延性に欠ける。このため、大きな
熱応力または熱歪の発生しやすい部分では、Ｓｎ−Ｓｂ
系合金はんだ材領域でクラック等の機械的破壊を生じや
すい。この結果、半導体装置の回路機能は劣化する。一
方、Ｓｎ含有量が９０ｗｔ％よりも更に高い組成領域で
は、包晶領域の生成が抑制され、はんだ材の展延性も確
保される。この結果、大きな熱応力または熱歪の発生し
やすい部分にあっても、クラック等の機械的破壊を生じ
にくくなり、半導体装置の回路機能は維持される。以上
の観点から選択されるＳｎの濃度は、望ましくは９５ｗ
ｔ％以上の範囲であると言える。後述する各種試験によ
っても、この点が確認されている。
近い組成領域では、Ｓｎ−Ｓｂ合金融液が全率固溶体的
に固相化した後、Ｓｎ−Ｓｂ合金結晶の粒界近傍にＳｂ
が多量に含まれた包晶領域を形成しやすい。この包晶領
域は、機械的に脆く展延性に欠ける。このため、大きな
熱応力または熱歪の発生しやすい部分では、Ｓｎ−Ｓｂ
系合金はんだ材領域でクラック等の機械的破壊を生じや
すい。この結果、半導体装置の回路機能は劣化する。一
方、Ｓｎ含有量が９０ｗｔ％よりも更に高い組成領域で
は、包晶領域の生成が抑制され、はんだ材の展延性も確
保される。この結果、大きな熱応力または熱歪の発生し
やすい部分にあっても、クラック等の機械的破壊を生じ
にくくなり、半導体装置の回路機能は維持される。以上
の観点から選択されるＳｎの濃度は、望ましくは９５ｗ
ｔ％以上の範囲であると言える。後述する各種試験によ
っても、この点が確認されている。
【００２６】また、本発明の半導体装置における合金材
２５′のように合金材２５との間で温度階層性を設ける
必要がある場合は、上記合金材Ａと異なる融点を有し、
しかも優れた耐熱疲労性を有する材料が必要である。こ
のような場合に適合する第２のはんだ材として、Ｓｎを
３５ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下含有し残部が実質的にＰ
ｂである合金材、特に好ましくはＰｂ−５０ｗｔ％Ｓｎ
の如き合金材が挙げられる。
２５′のように合金材２５との間で温度階層性を設ける
必要がある場合は、上記合金材Ａと異なる融点を有し、
しかも優れた耐熱疲労性を有する材料が必要である。こ
のような場合に適合する第２のはんだ材として、Ｓｎを
３５ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下含有し残部が実質的にＰ
ｂである合金材、特に好ましくはＰｂ−５０ｗｔ％Ｓｎ
の如き合金材が挙げられる。
【００２７】本発明では、半導体基体２１と熱拡散部材
２７の間の熱膨張率差が１０ppm／℃以下、そして、熱
拡散部材２７と絶縁基板１０の間の熱膨張率差が１６.
５ppm／℃以下に調整されている。ここで、熱拡散部材
２７は、半導体基体２１で生ずる熱流を広げて絶縁基板
１０へ効率的に伝達すること、及び、半導体基体２１と
絶縁基板１０間の熱膨張率差を緩和して接続部の信頼性
を維持するためのものである。ここで、熱拡散部材とし
て従来から知られているＣｕ材やＭｏ材を用いた場合
は、十分な接続信頼性を確保することが困難であった。
これに対し、本発明に係る熱膨張率を調整した熱拡散部
材２７を用いた場合は、十分な接続信頼性を確保でき
る。この点について、以下に述べる。
２７の間の熱膨張率差が１０ppm／℃以下、そして、熱
拡散部材２７と絶縁基板１０の間の熱膨張率差が１６.
５ppm／℃以下に調整されている。ここで、熱拡散部材
２７は、半導体基体２１で生ずる熱流を広げて絶縁基板
１０へ効率的に伝達すること、及び、半導体基体２１と
絶縁基板１０間の熱膨張率差を緩和して接続部の信頼性
を維持するためのものである。ここで、熱拡散部材とし
て従来から知られているＣｕ材やＭｏ材を用いた場合
は、十分な接続信頼性を確保することが困難であった。
これに対し、本発明に係る熱膨張率を調整した熱拡散部
材２７を用いた場合は、十分な接続信頼性を確保でき
る。この点について、以下に述べる。
【００２８】図３は半導体装置におけるはんだ接続部寿
命の熱拡散部材の熱膨張率依存性を示す。ここで、半導
体装置は図１に示した構成（半導体基体２１はＳｉ，絶
縁基板１０の母材はアルミニウム板１）のものである。
ただし、熱拡散部材の熱膨張率による影響を明確に読み
取るために、エポキシ樹脂３１やシリコーンゲル樹脂３
２は設けていない。また、寿命は熱抵抗が初期値の１.
５ 倍に到達した時の温度サイクル数で表す。はんだ接
続部寿命は、熱拡散部材の熱膨張率が大きくなるにつれ
て増大し、１０ppm／℃ を越えると低下する傾向を示し
ている。例えば、寿命は熱拡散部材がＭｏ材(５.１ppm
／℃)の場合は約７５０回、Ｃｕ材(１６.５ppm／℃)の
場合は約４００回と短い。Ｍｏ材の場合は熱拡散部材２
７と基板１０の間のはんだ層２５′の破壊(モードＡ)，
Ｃｕ材の場合は半導体基体２１と熱拡散部材２７の間の
はんだ層２５の破壊(モードＢ)が、それぞれ熱抵抗を高
める支配的要因である。これに対して、Ｍｏ材やＣｕ材
の中間の熱膨張率領域の場合はこれらより長い寿命を示
している。この場合の寿命到達後に観測される破壊は、
モードＡ及びＢがともに混在している。熱拡散部材の熱
膨張率を調整することにより、モードＡやＢの破壊の進
行がそれぞれ抑制され、結果的に両接合部２５，２５′
の寿命を延ばす効果が得られる。
命の熱拡散部材の熱膨張率依存性を示す。ここで、半導
体装置は図１に示した構成（半導体基体２１はＳｉ，絶
縁基板１０の母材はアルミニウム板１）のものである。
ただし、熱拡散部材の熱膨張率による影響を明確に読み
取るために、エポキシ樹脂３１やシリコーンゲル樹脂３
２は設けていない。また、寿命は熱抵抗が初期値の１.
５ 倍に到達した時の温度サイクル数で表す。はんだ接
続部寿命は、熱拡散部材の熱膨張率が大きくなるにつれ
て増大し、１０ppm／℃ を越えると低下する傾向を示し
ている。例えば、寿命は熱拡散部材がＭｏ材(５.１ppm
／℃)の場合は約７５０回、Ｃｕ材(１６.５ppm／℃)の
場合は約４００回と短い。Ｍｏ材の場合は熱拡散部材２
７と基板１０の間のはんだ層２５′の破壊(モードＡ)，
Ｃｕ材の場合は半導体基体２１と熱拡散部材２７の間の
はんだ層２５の破壊(モードＢ)が、それぞれ熱抵抗を高
める支配的要因である。これに対して、Ｍｏ材やＣｕ材
の中間の熱膨張率領域の場合はこれらより長い寿命を示
している。この場合の寿命到達後に観測される破壊は、
モードＡ及びＢがともに混在している。熱拡散部材の熱
膨張率を調整することにより、モードＡやＢの破壊の進
行がそれぞれ抑制され、結果的に両接合部２５，２５′
の寿命を延ばす効果が得られる。
【００２９】半導体装置の全体としての寿命は、エポキ
シ樹脂３１を被覆しない状態では１０００回以上である
ことが望ましい。このような観点で選択される熱膨張率
範囲は、６.５〜１３.５ppm／℃ である。換言すると、
半導体基体２１と熱拡散部材２７の間の熱膨張率差が１
０ppm／℃ 以下、そして、熱拡散部材２７と絶縁基板１
０の間の熱膨張率差が１６.５ppm／℃以下に調整されて
いることが望ましい。
シ樹脂３１を被覆しない状態では１０００回以上である
ことが望ましい。このような観点で選択される熱膨張率
範囲は、６.５〜１３.５ppm／℃ である。換言すると、
半導体基体２１と熱拡散部材２７の間の熱膨張率差が１
０ppm／℃ 以下、そして、熱拡散部材２７と絶縁基板１
０の間の熱膨張率差が１６.５ppm／℃以下に調整されて
いることが望ましい。
【００３０】本発明に係る熱拡散部材２７は熱膨張率が
調整されている。図４は熱拡散部材の模式図を示す。
(ａ)は熱拡散部材の一例を示す断面模式図で、Ｃｕ材２
７１−インバ材２７２−Ｃｕ材２７１の３層構造を有す
るものである。所望の熱膨張率及び熱伝導率に応じて、
Ｃｕ材２７１とインバ材２７２の厚さ比が調整される。
ここで、Ｃｕ材２７１は主として熱伝導性を高める観点
から、そして、インバ材２７２は熱膨張率を制御する観
点から選択される。インバ材２７２の代替材としては、
鉄，４２アロイ等が選択される。図には示していない
が、熱拡散部材２７の表面にＮｉ等のめっきを施してお
くことは好ましいことである。また、(ｂ)は熱拡散部材
の他の一例を示す断面模式図である。これは、(ｄ)の平
面模式図に示すように、交互にストライプ状に接合され
たＣｕ材２７１とインバ材２７２からなる平板からな
る。(ｃ)は熱拡散部材の他の一例を示す断面模式図であ
る。これは、(ｄ)及び(ｅ)に示す平面模式図のように、
ストライプ方向を９０度回転させて平板を積層、一体化
したものである。平板の積層数は、必要に応じて３層以
上にしてもよい。
調整されている。図４は熱拡散部材の模式図を示す。
(ａ)は熱拡散部材の一例を示す断面模式図で、Ｃｕ材２
７１−インバ材２７２−Ｃｕ材２７１の３層構造を有す
るものである。所望の熱膨張率及び熱伝導率に応じて、
Ｃｕ材２７１とインバ材２７２の厚さ比が調整される。
ここで、Ｃｕ材２７１は主として熱伝導性を高める観点
から、そして、インバ材２７２は熱膨張率を制御する観
点から選択される。インバ材２７２の代替材としては、
鉄，４２アロイ等が選択される。図には示していない
が、熱拡散部材２７の表面にＮｉ等のめっきを施してお
くことは好ましいことである。また、(ｂ)は熱拡散部材
の他の一例を示す断面模式図である。これは、(ｄ)の平
面模式図に示すように、交互にストライプ状に接合され
たＣｕ材２７１とインバ材２７２からなる平板からな
る。(ｃ)は熱拡散部材の他の一例を示す断面模式図であ
る。これは、(ｄ)及び(ｅ)に示す平面模式図のように、
ストライプ方向を９０度回転させて平板を積層、一体化
したものである。平板の積層数は、必要に応じて３層以
上にしてもよい。
【００３１】本発明における熱拡散部材２７は、図４で
述べた複合材に限定されるものではない。例えば、Ａｌ
やＣｕマトリックス中にＳｉＣ粉末，Ｃ粉末，Ｓｉ粉
末，ＳｉＣ繊維，Ｃ繊維を分散した複合材，Ｃｕ粉末と
Ｍｏ又はＷ粉末とを焼結した複合材等も代替材料として
挙げることができる。これらの代替材料は、等方的な物
性を有する。
述べた複合材に限定されるものではない。例えば、Ａｌ
やＣｕマトリックス中にＳｉＣ粉末，Ｃ粉末，Ｓｉ粉
末，ＳｉＣ繊維，Ｃ繊維を分散した複合材，Ｃｕ粉末と
Ｍｏ又はＷ粉末とを焼結した複合材等も代替材料として
挙げることができる。これらの代替材料は、等方的な物
性を有する。
【００３２】ところで、本発明におけるエポキシ樹脂３
１は、搭載部品の機械的保護及び気密封止のための役割
を持つ。したがって、エポキシ樹脂３１は基板１０との
間の一体化面に過大な内部応力を生じないことが望まし
い。この第１の理由は、基板１０上に搭載部品(２１，
２２，２３，２４，２５，２６)がはんだ付け搭載され
ており、これらの部品を固着する合金材２５，２５′に
過大な内部応力が導入されると、その後の稼働時の温度
変化に起因する応力が重畳されるため、熱疲労破壊を生
じやすくなるためである。第２の理由は、エポキシ樹脂
３１は基板１０との間の一体化面に過大な内部応力を生
ずると一体化面で剥離を生じ、この界面を通した水分の
浸入により搭載部品が腐食し、半導体装置４０の正常な
回路機能を損ねるからである。
１は、搭載部品の機械的保護及び気密封止のための役割
を持つ。したがって、エポキシ樹脂３１は基板１０との
間の一体化面に過大な内部応力を生じないことが望まし
い。この第１の理由は、基板１０上に搭載部品(２１，
２２，２３，２４，２５，２６)がはんだ付け搭載され
ており、これらの部品を固着する合金材２５，２５′に
過大な内部応力が導入されると、その後の稼働時の温度
変化に起因する応力が重畳されるため、熱疲労破壊を生
じやすくなるためである。第２の理由は、エポキシ樹脂
３１は基板１０との間の一体化面に過大な内部応力を生
ずると一体化面で剥離を生じ、この界面を通した水分の
浸入により搭載部品が腐食し、半導体装置４０の正常な
回路機能を損ねるからである。
【００３３】図５は、本発明による一実施例のエポキシ
樹脂と絶縁基板との一体化物のそり量を示すグラフであ
る。ここで、基板１０の寸法は２０.５mm×３８mm×１.
５mm，エポキシ樹脂３１の最大厚さは約２mmである。ま
た、図５の縦軸は基板１０の長手方向のそり量であり、
プラスは基板１０側に凸形状になり、マイナスはエポキ
シ樹脂３１側に凸形状になることを意味する。横軸はエ
ポキシ樹脂３１の熱膨張率を表している。
樹脂と絶縁基板との一体化物のそり量を示すグラフであ
る。ここで、基板１０の寸法は２０.５mm×３８mm×１.
５mm，エポキシ樹脂３１の最大厚さは約２mmである。ま
た、図５の縦軸は基板１０の長手方向のそり量であり、
プラスは基板１０側に凸形状になり、マイナスはエポキ
シ樹脂３１側に凸形状になることを意味する。横軸はエ
ポキシ樹脂３１の熱膨張率を表している。
【００３４】そり量は、エポキシ樹脂３１の熱膨張率が
大きくなるにつれて、プラスの大きな値を示している。
一方、基板１０の初期そり量は２５μｍである。図にお
いて、そり量の点で考察すれば、界面内部応力が導入さ
れないようにするためには、エポキシ樹脂３１を設けた
後のそり量を初期そり量に近似（望ましくは±１０μｍ
以内）させる必要がある。このような観点から判断する
とＲで示される範囲、すなわちエポキシ樹脂３１の熱膨
張率が１３〜２１ppm／℃ の範囲であることが望まし
い。
大きくなるにつれて、プラスの大きな値を示している。
一方、基板１０の初期そり量は２５μｍである。図にお
いて、そり量の点で考察すれば、界面内部応力が導入さ
れないようにするためには、エポキシ樹脂３１を設けた
後のそり量を初期そり量に近似（望ましくは±１０μｍ
以内）させる必要がある。このような観点から判断する
とＲで示される範囲、すなわちエポキシ樹脂３１の熱膨
張率が１３〜２１ppm／℃ の範囲であることが望まし
い。
【００３５】本発明によるシリコーンゲル樹脂３２は、
エポキシ樹脂３１そのもの、あるいは基板１０との間の
一体化面を通して水分が浸入するのを防ぐ役割を有す
る。
エポキシ樹脂３１そのもの、あるいは基板１０との間の
一体化面を通して水分が浸入するのを防ぐ役割を有す
る。
【００３６】（実施例）本発明を実施例により詳細に説
明する。
明する。
【００３７】本実施例では、発熱素子としてのＭＯＳ
ＦＥＴ素子基体及びチップ抵抗体を搭載した半導体装置
について説明する。
ＦＥＴ素子基体及びチップ抵抗体を搭載した半導体装置
について説明する。
【００３８】絶縁基板１０は、図１に示したように、厚
さ１.５mm，面積４０.７mm×２２mmのアルミニウム板１
の一方の主面上に、厚さ１５０μｍのエポキシ系絶縁樹
脂層２を介して厚さ７０μｍの銅配線層３が選択的に形
成されている。
さ１.５mm，面積４０.７mm×２２mmのアルミニウム板１
の一方の主面上に、厚さ１５０μｍのエポキシ系絶縁樹
脂層２を介して厚さ７０μｍの銅配線層３が選択的に形
成されている。
【００３９】ＭＯＳ ＦＥＴ素子基体(７mm×７mm，４
個）２１は、熱拡散部材２７を介して銅配線層３上には
んだ付けされている。ＭＯＳ ＦＥＴ 素子基体２１と熱
拡散部材２７の間は厚さ７０μｍのＳｎ−５ｗｔ％Ｓｂ
はんだ層２５、そして、熱拡散部材２７と絶縁基板１０
の間は厚さ７０μｍのＰｂ−５０ｗｔ％Ｓｎはんだ層２
５′によりそれぞれ固着されている。熱拡散部材２７
(８mm×８mm)は厚さ0.6mmで、Ｃｕ材２７１(厚さ：０.
２mm)−インバ材２７２(厚さ：０.２mm)−Ｃｕ材２７１
(厚さ：０.２mm）の３層構造を有している。一方、チッ
プ抵抗体(３.２mm×１.６mm，４個)２２は、銅配線層３
上にＳｎ−５ｗｔ％Ｓｂはんだ層２５により導電的に直
接固着されている。
個）２１は、熱拡散部材２７を介して銅配線層３上には
んだ付けされている。ＭＯＳ ＦＥＴ 素子基体２１と熱
拡散部材２７の間は厚さ７０μｍのＳｎ−５ｗｔ％Ｓｂ
はんだ層２５、そして、熱拡散部材２７と絶縁基板１０
の間は厚さ７０μｍのＰｂ−５０ｗｔ％Ｓｎはんだ層２
５′によりそれぞれ固着されている。熱拡散部材２７
(８mm×８mm)は厚さ0.6mmで、Ｃｕ材２７１(厚さ：０.
２mm)−インバ材２７２(厚さ：０.２mm)−Ｃｕ材２７１
(厚さ：０.２mm）の３層構造を有している。一方、チッ
プ抵抗体(３.２mm×１.６mm，４個)２２は、銅配線層３
上にＳｎ−５ｗｔ％Ｓｂはんだ層２５により導電的に直
接固着されている。
【００４０】ＭＯＳ ＦＥＴ素子基体２１と銅配線層３
の間には、直径３００μｍ のＡｌワイヤ２６が超音波
ボンディングされている。また、銅配線層３の１部の領
域には、端子２４がはんだ層２５により導電的に固着さ
れている。絶縁基板１０の周囲には、樹脂ケース３３が
樹脂接着剤によって取付けられている。
の間には、直径３００μｍ のＡｌワイヤ２６が超音波
ボンディングされている。また、銅配線層３の１部の領
域には、端子２４がはんだ層２５により導電的に固着さ
れている。絶縁基板１０の周囲には、樹脂ケース３３が
樹脂接着剤によって取付けられている。
【００４１】ＭＯＳ ＦＥＴ 素子基体２１，熱拡散部材
２７，Ａｌワイヤ２６，チップ抵抗体２２には、熱膨張
率が１６ppm／℃ に調整されたエポキシ樹脂３１で被覆
され、エポキシ樹脂３１は更にシリコーンゲル樹脂３２
で被覆されている。
２７，Ａｌワイヤ２６，チップ抵抗体２２には、熱膨張
率が１６ppm／℃ に調整されたエポキシ樹脂３１で被覆
され、エポキシ樹脂３１は更にシリコーンゲル樹脂３２
で被覆されている。
【００４２】このようにして得られた半導体装置は、図
６に示すようにＭＯＳ ＦＥＴ 素子２１と抵抗体２２と
からなる電源回路を構成している。ここで、Ａｌワイヤ
２６は、過電流を生じたとき溶断する、ヒューズの役割
を担っている。
６に示すようにＭＯＳ ＦＥＴ 素子２１と抵抗体２２と
からなる電源回路を構成している。ここで、Ａｌワイヤ
２６は、過電流を生じたとき溶断する、ヒューズの役割
を担っている。
【００４３】図７はＭＯＳ ＦＥＴ 素子搭載部の熱抵抗
の推移を示すグラフである。図中の曲線Ａは本実施例の
半導体装置についてであり、比較例としての曲線Ｂ及び
Ｃはそれぞれ熱拡散部材がＣｕ材及びＭｏ材の場合につ
いて示す。比較例の場合も、はんだ層２５，２５′の構
成、及び、エポキシ樹脂３１やシリコーンゲル樹脂３２
の構成は本実施例と同様である。
の推移を示すグラフである。図中の曲線Ａは本実施例の
半導体装置についてであり、比較例としての曲線Ｂ及び
Ｃはそれぞれ熱拡散部材がＣｕ材及びＭｏ材の場合につ
いて示す。比較例の場合も、はんだ層２５，２５′の構
成、及び、エポキシ樹脂３１やシリコーンゲル樹脂３２
の構成は本実施例と同様である。
【００４４】曲線Ａでは、温度サイクル数２万回までの
試験で、熱抵抗の上昇を示していない。これに対し曲線
Ｂ及びＣではそれぞれ、２０００回及び４０００回以降
で熱抵抗の上昇を示している。このように、本実施例の
場合に長い寿命が得られたのは、(１)はんだ層２５，２
５′自体が優れた耐熱疲労性を有していることや、(２)
エポキシ樹脂３１の熱膨張率が適正に調整されているた
め、基板１０との一体化界面やはんだ付け界面の内部応
力を軽減できたことに加えて、(３)熱拡散部材２７の熱
膨張率が適切に調整（半導体基体２１と熱拡散部材２７
の間の熱膨張率差が１０ppm／℃ 以下、そして、熱拡散
部材２７と絶縁基板１０の間の熱膨張率差が１６.５ppm
／℃以下に調整）されているため、モードＡ及びＢによ
るはんだ層の破壊があまり進行せず、結果的に両接合部
２５，２５′の寿命を延ばす効果が得られたことによ
る。
試験で、熱抵抗の上昇を示していない。これに対し曲線
Ｂ及びＣではそれぞれ、２０００回及び４０００回以降
で熱抵抗の上昇を示している。このように、本実施例の
場合に長い寿命が得られたのは、(１)はんだ層２５，２
５′自体が優れた耐熱疲労性を有していることや、(２)
エポキシ樹脂３１の熱膨張率が適正に調整されているた
め、基板１０との一体化界面やはんだ付け界面の内部応
力を軽減できたことに加えて、(３)熱拡散部材２７の熱
膨張率が適切に調整（半導体基体２１と熱拡散部材２７
の間の熱膨張率差が１０ppm／℃ 以下、そして、熱拡散
部材２７と絶縁基板１０の間の熱膨張率差が１６.５ppm
／℃以下に調整）されているため、モードＡ及びＢによ
るはんだ層の破壊があまり進行せず、結果的に両接合部
２５，２５′の寿命を延ばす効果が得られたことによ
る。
【００４５】一方、曲線Ｂ(Ｃｕ熱拡散部材)の場合は、
上述した(１)及び(２)の効果が得られているため、寿命
値そのものは図３の場合(約４００回)より格段に向上し
ている。しかし、上述の(３)の効果が得られないため、
モードＢの破壊（熱拡散部材と絶縁基板の間の破壊）が
早く進行し、寿命値は本実施例の２万回以上を大幅に下
回っている。曲線Ｃ(Ｍｏ熱拡散部材)の場合も、(１)と
(２)の効果が得られるため寿命値は図３の場合(約７５
０回)より向上しているけれども、(３)の効果が得られ
ないためモードＡの破壊(半導体基体と熱拡散部材の間
の破壊)が早く進行し、寿命値は本実施例の４万回以上
を大幅に下回っている。
上述した(１)及び(２)の効果が得られているため、寿命
値そのものは図３の場合(約４００回)より格段に向上し
ている。しかし、上述の(３)の効果が得られないため、
モードＢの破壊（熱拡散部材と絶縁基板の間の破壊）が
早く進行し、寿命値は本実施例の２万回以上を大幅に下
回っている。曲線Ｃ(Ｍｏ熱拡散部材)の場合も、(１)と
(２)の効果が得られるため寿命値は図３の場合(約７５
０回)より向上しているけれども、(３)の効果が得られ
ないためモードＡの破壊(半導体基体と熱拡散部材の間
の破壊)が早く進行し、寿命値は本実施例の４万回以上
を大幅に下回っている。
【００４６】
【表１】
【００４７】表１は各種試験による半導体装置の耐久性
能を示す。この試験に用いられた半導体装置には、熱膨
張率６〜２５ppm／℃ のエポキシ樹脂３１が適用されて
いる。温度サイクル試験では、半導体装置に−５５〜１
５０℃の温度変化を与え、はんだ層２５、２５′の破壊
による回路機能の劣化状況を追跡している。熱膨張率６
〜１１ppm／℃の領域及び２５ppm／℃の場合では、いず
れも５０００回以下の温度サイクルで回路機能の劣化を
生じている。これに対し１３〜２１ppm／℃ の範囲で
は、いずれの試料も１万回以上の温度サイクルを印加し
ても回路機能の劣化は観測されていない。
能を示す。この試験に用いられた半導体装置には、熱膨
張率６〜２５ppm／℃ のエポキシ樹脂３１が適用されて
いる。温度サイクル試験では、半導体装置に−５５〜１
５０℃の温度変化を与え、はんだ層２５、２５′の破壊
による回路機能の劣化状況を追跡している。熱膨張率６
〜１１ppm／℃の領域及び２５ppm／℃の場合では、いず
れも５０００回以下の温度サイクルで回路機能の劣化を
生じている。これに対し１３〜２１ppm／℃ の範囲で
は、いずれの試料も１万回以上の温度サイクルを印加し
ても回路機能の劣化は観測されていない。
【００４８】また、高温高湿バイアス試験では、半導体
装置に８５℃，８５％ＲＨの雰囲気ストレスを与えなが
ら、ＭＯＳ ＦＥＴ 素子２１のソースとドレイン間に６
０Ｖの直流電圧を印加して、素子２１の電気的性能の劣
化状況を追跡している。熱膨張率６〜１１ppm／℃の領
域及び２５ppm／℃の場合では、いずれも２０００ｈ以
下で劣化を生じている。これに対し１３〜２１ppm／℃
の範囲では、いずれの試料も５０００ｈ以上の試験によ
っても劣化は観測されていない。
装置に８５℃，８５％ＲＨの雰囲気ストレスを与えなが
ら、ＭＯＳ ＦＥＴ 素子２１のソースとドレイン間に６
０Ｖの直流電圧を印加して、素子２１の電気的性能の劣
化状況を追跡している。熱膨張率６〜１１ppm／℃の領
域及び２５ppm／℃の場合では、いずれも２０００ｈ以
下で劣化を生じている。これに対し１３〜２１ppm／℃
の範囲では、いずれの試料も５０００ｈ以上の試験によ
っても劣化は観測されていない。
【００４９】以上の各種試験を総合的に評価すると、望
ましいエポキシ樹脂３１の熱膨張率は、１３〜２１ppm
／℃の範囲にあると言える。
ましいエポキシ樹脂３１の熱膨張率は、１３〜２１ppm
／℃の範囲にあると言える。
【００５０】ところで、本発明は上述の実施例に記載し
た範囲以外にも適用され得る。エポキシ樹脂３１は、フ
ィラーとしてＳｉＯ2(溶融シリカ、結晶シリカ）やＺｎ
Ｏ粉末を添加したフェノール硬化型エポキシ樹脂が用い
られる。この場合、フィラーは５０〜９０%添加される
が、所望の熱膨張率及びモールド処理温度に応じて、任
意の組成を選ぶことが可能である。また、ゴム変性エポ
キシ樹脂を用いた場合でも、その熱膨張率が１３〜２１
ppm／℃ の範囲に選択される限り本発明の効果が得られ
る。
た範囲以外にも適用され得る。エポキシ樹脂３１は、フ
ィラーとしてＳｉＯ2(溶融シリカ、結晶シリカ）やＺｎ
Ｏ粉末を添加したフェノール硬化型エポキシ樹脂が用い
られる。この場合、フィラーは５０〜９０%添加される
が、所望の熱膨張率及びモールド処理温度に応じて、任
意の組成を選ぶことが可能である。また、ゴム変性エポ
キシ樹脂を用いた場合でも、その熱膨張率が１３〜２１
ppm／℃ の範囲に選択される限り本発明の効果が得られ
る。
【００５１】半導体素子基体２１としてはＭＯＳ ＦＥ
Ｔ素子以外に、ＩＧＢＴ(InsulatedGate Bipolar Trans
istor)，トランジスタ，サイリスタ，ダイオード等を適
用することが可能であり、その母材がＳｉ以外の例えば
ＧａＡｓやＳｉＣからなる場合でも本発明の効果を享受
できる。
Ｔ素子以外に、ＩＧＢＴ(InsulatedGate Bipolar Trans
istor)，トランジスタ，サイリスタ，ダイオード等を適
用することが可能であり、その母材がＳｉ以外の例えば
ＧａＡｓやＳｉＣからなる場合でも本発明の効果を享受
できる。
【００５２】
【発明の効果】以上までに説明したように、本発明によ
れば固着部の耐熱疲労性と気密性に優れる半導体装置を
提供できる。
れば固着部の耐熱疲労性と気密性に優れる半導体装置を
提供できる。
【図１】本発明の半導体装置の断面図である。
【図２】合金材の熱疲労破壊耐量を示す特性図である。
【図３】半導体装置におけるはんだ接続部寿命の熱拡散
部材の熱膨張率依存性を示す特性図である。
部材の熱膨張率依存性を示す特性図である。
【図４】熱拡散部材の模式断面図である。
【図５】一実施例のエポキシ樹脂と絶縁基板との一体化
物のそり量を示すグラフである。
物のそり量を示すグラフである。
【図６】本発明の半導体装置の電気回路を示す図であ
る。
る。
【図７】ＭＯＳ ＦＥＴ素子搭載部の熱抵抗の推移を示
すグラフである。
すグラフである。
１…アルミニウム板、２…エポキシ絶縁樹脂層、３…銅
配線層、１０…絶縁基板、２１…半導体素子基体、２２
…チップ抵抗、２３…チップコンデンサ、２４…端子、
２５，２５′…合金材，はんだ層、２６…Ａｌワイヤ、
２７…熱拡散部材、３１…エポキシ樹脂、３２…シリコ
ーンゲル樹脂、２７１…Ｃｕ材、２７２…インバ材。
配線層、１０…絶縁基板、２１…半導体素子基体、２２
…チップ抵抗、２３…チップコンデンサ、２４…端子、
２５，２５′…合金材，はんだ層、２６…Ａｌワイヤ、
２７…熱拡散部材、３１…エポキシ樹脂、３２…シリコ
ーンゲル樹脂、２７１…Ｃｕ材、２７２…インバ材。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小山 賢治 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 新津 利治 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内
Claims (3)
- 【請求項１】アルミニウム板の主面にエポキシ絶縁層を
介して形成された銅配線を有する絶縁基板上に半導体基
体が熱拡散部材を介して搭載され、該半導体基体と該熱
拡散部材の間の熱膨張率差が１０ppm／ ℃以下、そし
て、該熱拡散部材と該絶縁基板の間の熱膨張率差が１
６.５ppm／℃以下に調整され、該半導体基体と該熱拡散
部材間が９０(ｗｔ％)以上のＳｎに、Ｓｂ，Ａｇ，Ｚ
ｎ，Ｉｎ，Ｂｉ及びＣｕの群から選択された１種類以上
の金属が添加された合金材によって固着されていること
を特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】請求項１において、該熱拡散部材と該絶縁
基板間がＳｎを３５ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下含有し残
部が実質的にＰｂである合金材によって固着されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】請求項１において、該半導体基体がエポキ
シ樹脂とシリコーンゲル樹脂によって順次被覆され、上
記エポキシ樹脂の熱膨張率が１３〜２１ppm／℃ に調整
されていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16467998A JP3417297B2 (ja) | 1998-06-12 | 1998-06-12 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16467998A JP3417297B2 (ja) | 1998-06-12 | 1998-06-12 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11354687A true JPH11354687A (ja) | 1999-12-24 |
| JP3417297B2 JP3417297B2 (ja) | 2003-06-16 |
Family
ID=15797796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16467998A Expired - Fee Related JP3417297B2 (ja) | 1998-06-12 | 1998-06-12 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3417297B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004014896A (ja) * | 2002-06-10 | 2004-01-15 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
| JP2006351737A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Hitachi Ltd | 半導体パワーモジュール |
| WO2007148398A1 (ja) * | 2006-06-22 | 2007-12-27 | Fujitsu Limited | 樹脂封止モジュール、光モジュールおよび樹脂封止方法 |
| JP2012009759A (ja) * | 2010-06-28 | 2012-01-12 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2014116409A (ja) * | 2012-12-07 | 2014-06-26 | Denso Corp | 電子装置 |
| JP2017028174A (ja) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
| CN110268519A (zh) * | 2017-02-03 | 2019-09-20 | Abb瑞士股份有限公司 | 功率半导体模块 |
| JP2020092154A (ja) * | 2018-12-05 | 2020-06-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| WO2020136759A1 (ja) * | 2018-12-26 | 2020-07-02 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置 |
-
1998
- 1998-06-12 JP JP16467998A patent/JP3417297B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004014896A (ja) * | 2002-06-10 | 2004-01-15 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
| JP2006351737A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Hitachi Ltd | 半導体パワーモジュール |
| JP4492448B2 (ja) * | 2005-06-15 | 2010-06-30 | 株式会社日立製作所 | 半導体パワーモジュール |
| WO2007148398A1 (ja) * | 2006-06-22 | 2007-12-27 | Fujitsu Limited | 樹脂封止モジュール、光モジュールおよび樹脂封止方法 |
| JPWO2007148398A1 (ja) * | 2006-06-22 | 2009-11-12 | 富士通株式会社 | 樹脂封止モジュール、光モジュールおよび樹脂封止方法 |
| JP4681648B2 (ja) * | 2006-06-22 | 2011-05-11 | 富士通株式会社 | 樹脂封止モジュール、光モジュールおよび樹脂封止方法 |
| JP2012009759A (ja) * | 2010-06-28 | 2012-01-12 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2014116409A (ja) * | 2012-12-07 | 2014-06-26 | Denso Corp | 電子装置 |
| JP2017028174A (ja) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
| CN110268519A (zh) * | 2017-02-03 | 2019-09-20 | Abb瑞士股份有限公司 | 功率半导体模块 |
| JP2020506551A (ja) * | 2017-02-03 | 2020-02-27 | アーベーベー・シュバイツ・アーゲー | パワー半導体モジュール |
| JP2020092154A (ja) * | 2018-12-05 | 2020-06-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| WO2020136759A1 (ja) * | 2018-12-26 | 2020-07-02 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置 |
| US11462449B2 (en) | 2018-12-26 | 2022-10-04 | Nissan Motor Co., Ltd. | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3417297B2 (ja) | 2003-06-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101194429B1 (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| US4556899A (en) | Insulated type semiconductor devices | |
| JP4609296B2 (ja) | 高温半田及び高温半田ペースト材、及びそれを用いたパワー半導体装置 | |
| JP4015023B2 (ja) | 電子回路用部材及びその製造方法並びに電子部品 | |
| US20170309544A1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device | |
| US7682875B2 (en) | Method for fabricating a module including a sintered joint | |
| JP2002368168A (ja) | 半導体装置用複合部材、それを用いた絶縁型半導体装置、又は非絶縁型半導体装置 | |
| JP2009302564A (ja) | 直付リード線を備えるｉｃチップパッケージ | |
| JP4385324B2 (ja) | 半導体モジュールおよびその製造方法 | |
| JP2006100640A (ja) | セラミックス回路基板及びこれを用いたパワー半導体モジュール | |
| JP3417297B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2005332874A (ja) | 回路基板及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP3379349B2 (ja) | モールド型電子部品及びその製法 | |
| US20230075200A1 (en) | Power module and method for manufacturing same | |
| JPH10135377A (ja) | モールド型半導体装置 | |
| JP5479667B2 (ja) | 半導体パワーモジュール | |
| JP2000323647A (ja) | モジュール型半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2001110959A (ja) | 半導体装置及びそれを用いた電子装置 | |
| JPH07176664A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| KR100244826B1 (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| JP3446829B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62781B2 (ja) | ||
| JP2010098144A (ja) | リードフレーム及び半導体装置 | |
| JP2001237252A (ja) | 半導体装置とそれを用いた電子装置 | |
| JPS5835956A (ja) | 混成集積回路装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080411 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090411 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090411 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100411 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |