JPS5835956A - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
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- JPS5835956A JPS5835956A JP13412281A JP13412281A JPS5835956A JP S5835956 A JPS5835956 A JP S5835956A JP 13412281 A JP13412281 A JP 13412281A JP 13412281 A JP13412281 A JP 13412281A JP S5835956 A JPS5835956 A JP S5835956A
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- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は混成集積回路装置に係り、特に大電力容量の混
成集積回路装置用絶縁基板に関する。
成集積回路装置用絶縁基板に関する。
高出力トランジスタ等の半導体素子を複数個塔載した混
成集積回路装置（以下混成ＩＣ）では、数アンペア以上
の主電流が流れるが、この際半導体素子としてのトラン
ジスタペレットは通常発熱する。この発熱に起因する特
性の不安定化や寿命の加速的劣化を避けるため、トラン
ジスタペレットが許容制限温度を越えて昇温するのを防
止する方法がとられなければならない。又、混成ＩＣに
塔載される回路素子、・中でも半導体素子は他の回路素
子と電気的に絶縁されなけｎばならない場合が多い。さ
らに、高度な機能が要求される混成ＩＣでは、塔載され
た回路素子が外部からの影響、とくに電磁波妨害を受け
ないようにするだめの方策や安全上の見地から、回路素
子はその収納容器から電気的にしゃ断されていなければ
ならない。
成集積回路装置（以下混成ＩＣ）では、数アンペア以上
の主電流が流れるが、この際半導体素子としてのトラン
ジスタペレットは通常発熱する。この発熱に起因する特
性の不安定化や寿命の加速的劣化を避けるため、トラン
ジスタペレットが許容制限温度を越えて昇温するのを防
止する方法がとられなければならない。又、混成ＩＣに
塔載される回路素子、・中でも半導体素子は他の回路素
子と電気的に絶縁されなけｎばならない場合が多い。さ
らに、高度な機能が要求される混成ＩＣでは、塔載され
た回路素子が外部からの影響、とくに電磁波妨害を受け
ないようにするだめの方策や安全上の見地から、回路素
子はその収納容器から電気的にしゃ断されていなければ
ならない。
このような要請を満たすためには放熱性や電気絶縁性に
優扛た絶縁基板が必要になる。このような絶縁基板を有
する混成ＩＣの一例として、第１図に示す断面図の工う
に、ヒートシンクとしての役割を併せて担う銅のごとき
支持板１上に鉛−錫系はんだ等からなる第１の金属層２
を介してアルミナ板３を固着し、このアルミナ板３上の
所要面に選択的に設けられた金属化層及び鉛−錫系はん
だ等からなる第２の金属層４上にモリブデンやタングス
テンのようなスペーサ５を鉛−錫系はんだ等を介して一
体化された構造物が知られている。
優扛た絶縁基板が必要になる。このような絶縁基板を有
する混成ＩＣの一例として、第１図に示す断面図の工う
に、ヒートシンクとしての役割を併せて担う銅のごとき
支持板１上に鉛−錫系はんだ等からなる第１の金属層２
を介してアルミナ板３を固着し、このアルミナ板３上の
所要面に選択的に設けられた金属化層及び鉛−錫系はん
だ等からなる第２の金属層４上にモリブデンやタングス
テンのようなスペーサ５を鉛−錫系はんだ等を介して一
体化された構造物が知られている。
この際、半導体素子６はスペーサ５上に鉛−錫系はんだ
により接着される。
により接着される。
しかしながら、以上のごとき従来の絶縁基板を用いた混
成ＩＣでは、次のような未解決の課題が残されていた。
成ＩＣでは、次のような未解決の課題が残されていた。
即ち、鉛−錫系はんだの電気伝導率は一般に導体として
用いられる銅、アルミニウム、銀等に比べて小さいこと
や、鉛−錫系はんだを熱融着する際はんだ層内にボイド
が発生するがこのボイドの存在により、混成−ＩＣの主
要な電流、路となる第２の金属層４の電気抵抗が大きく
なる。
用いられる銅、アルミニウム、銀等に比べて小さいこと
や、鉛−錫系はんだを熱融着する際はんだ層内にボイド
が発生するがこのボイドの存在により、混成−ＩＣの主
要な電流、路となる第２の金属層４の電気抵抗が大きく
なる。
この抵抗成分が大きいほど混成ＩＣの電力損失が増大す
るとともに電気的なスイッチングスピードの低下が著し
くなる。この問題は大容量の混成ＩＣはど深刻でへる。
るとともに電気的なスイッチングスピードの低下が著し
くなる。この問題は大容量の混成ＩＣはど深刻でへる。
この欠点を改良した混成ＩＣとして、第２図に示すよう
に、スペーサ５と第２の金属層４間に銅のごとき導体板
８を追加した構造が知られている。
に、スペーサ５と第２の金属層４間に銅のごとき導体板
８を追加した構造が知られている。
この際導体板８とスペーサ５は第３の金属層９で一体化
されている。この場合は導体板８の存在によって電気抵
抗の増大、即ち電力損失の増大及びスイッチングスピー
ドの低下を防止する点では有効であるが、部品点数が増
えるとともに混成集積回路装置の組立工数が増すなど経
済性の点では不利である。又、導体板８とアルミナ板３
との一体化部は発熱体となる半導体素子６に近接してい
るため熱ストレスを受けやすい。この除銅の熱膨張係数
（１８Ｘ １０−’／”Ｃ）とアルミナのそれ（６，３
ｘ１０−７℃）とは差が大きく、一体化部の熱疲労が進
行しやすい。この問題は一体化部の面積が大きいほど深
刻である。
されている。この場合は導体板８の存在によって電気抵
抗の増大、即ち電力損失の増大及びスイッチングスピー
ドの低下を防止する点では有効であるが、部品点数が増
えるとともに混成集積回路装置の組立工数が増すなど経
済性の点では不利である。又、導体板８とアルミナ板３
との一体化部は発熱体となる半導体素子６に近接してい
るため熱ストレスを受けやすい。この除銅の熱膨張係数
（１８Ｘ １０−’／”Ｃ）とアルミナのそれ（６，３
ｘ１０−７℃）とは差が大きく、一体化部の熱疲労が進
行しやすい。この問題は一体化部の面積が大きいほど深
刻である。
本発明は前述の欠点を改め、放熱性を損なわずに、電流
路の電気抵抗の増大を防止し、併せて部品点数の少ない
簡素な構成の混成ＩＣを提供することを目的とする。
路の電気抵抗の増大を防止し、併せて部品点数の少ない
簡素な構成の混成ＩＣを提供することを目的とする。
以上の目的を達成してなる本発明の混成集積回路装置は
、少くとも板状又はフィルム状絶縁物、該絶縁物の第１
の主表面側に一体化された金属支持板、そして該絶縁物
の第１の主表面に対向する第２の主表面側に一体化され
た金属板とから構成され、該金属支持板と金属板とが相
互に熱的忙結合されるとともに電気的に分離された構造
物において、該金属板がモリブデン又はタングステンあ
るいはこｎらを主成分とする合金材・クラツド材からな
り、該金属板上に複数の半導体素子ペレットが導電性金
属ソルダを介して固着されることを特徴とする。
、少くとも板状又はフィルム状絶縁物、該絶縁物の第１
の主表面側に一体化された金属支持板、そして該絶縁物
の第１の主表面に対向する第２の主表面側に一体化され
た金属板とから構成され、該金属支持板と金属板とが相
互に熱的忙結合されるとともに電気的に分離された構造
物において、該金属板がモリブデン又はタングステンあ
るいはこｎらを主成分とする合金材・クラツド材からな
り、該金属板上に複数の半導体素子ペレットが導電性金
属ソルダを介して固着されることを特徴とする。
第３図は前述の本発明の特徴をさらに詳細に説明するだ
めの具体例である。同図において、１１は金属支持板１
２との間に絶縁物１３を介して接着材１４．１５により
一体化されたモリブデン又はタングステンからなる金属
板であり、複数の半導体素子６は金属板１１上に鉛−錫
系はんだ等の金属ソルダ（図示せず）により固着される
。金属支持板１２としては放熱性が良い点やコストが低
い点で銅又はアルミニウムの如き金属が好しいが必要な
ら鉄−ニッケル系合金材あるいは銅−炭素繊維複合材で
あってもよい。絶縁物１３としてはアルミナ、窒化シリ
コン、窒化アルミニウム、窒化ボロン、炭化シリコン、
酸化ベリリウム等絶縁性や熱伝導性に優れるセラミクス
板又はポリイミド系樹脂やシリコーン系樹脂等のような
樹脂フィルムが使用できる。接着材１４．１５としては
、絶縁物１３がセラミクス板の場合はこれらセラミクス
板表面に設けられた金属化層と鉛−錫系はん脂、シリコ
ーン系樹脂等の樹脂がその役割を担う。
めの具体例である。同図において、１１は金属支持板１
２との間に絶縁物１３を介して接着材１４．１５により
一体化されたモリブデン又はタングステンからなる金属
板であり、複数の半導体素子６は金属板１１上に鉛−錫
系はんだ等の金属ソルダ（図示せず）により固着される
。金属支持板１２としては放熱性が良い点やコストが低
い点で銅又はアルミニウムの如き金属が好しいが必要な
ら鉄−ニッケル系合金材あるいは銅−炭素繊維複合材で
あってもよい。絶縁物１３としてはアルミナ、窒化シリ
コン、窒化アルミニウム、窒化ボロン、炭化シリコン、
酸化ベリリウム等絶縁性や熱伝導性に優れるセラミクス
板又はポリイミド系樹脂やシリコーン系樹脂等のような
樹脂フィルムが使用できる。接着材１４．１５としては
、絶縁物１３がセラミクス板の場合はこれらセラミクス
板表面に設けられた金属化層と鉛−錫系はん脂、シリコ
ーン系樹脂等の樹脂がその役割を担う。
絶縁物１３上に設けられる金属板１１としてのモリブデ
ンやタングステンは、セラミクス板や半導体素子６との
金属ソルダにより一体化をはかる必要から、表面に金属
ソルダとのぬれ性に優れる金属、例えばニッケル等をめ
っきしたものが好ましく、その寸法は搭載される素子の
数や寸法、そして素子の発熱量に応じて決定されるべき
ものである。
ンやタングステンは、セラミクス板や半導体素子６との
金属ソルダにより一体化をはかる必要から、表面に金属
ソルダとのぬれ性に優れる金属、例えばニッケル等をめ
っきしたものが好ましく、その寸法は搭載される素子の
数や寸法、そして素子の発熱量に応じて決定されるべき
ものである。
以上の構成によれば、モリブデンやタングステンノ熱膨
張係数（モリプデ７ ： ４．９ Ｘ １０−’／”Ｃ
。
張係数（モリプデ７ ： ４．９ Ｘ １０−’／”Ｃ
。
タングステン： ４．５ Ｘ １０＝／”Ｃ）がセラミ
クス板のそれ（アルミナ： ６．３ Ｘ １０−’／’
Ｃ、窒化シリコン： ３．５ ｘ １０’−’／”Ｃ、
窒化アルミニウム：４．８Ｘ１０”’／”Ｃ、窒化ボロ
ン： １．４ Ｘ １０−’／’Ｃ、炭化シリコン：
４ Ｘ １０−’／”ＣＩ酸化ベリリウムニア、６Ｘ１
０−’／”Ｃ）に近接しているため、これらの一体化部
における熱疲労を防止できる。又、絶縁物１３が樹脂の
場合はモリブデンやタングステンとの熱膨張係数差が大
きいが、こｎら樹脂は軟らかくそれ自体で熱歪を成豚す
るため一体化部の熱疲労は起りにくい。加えて金属板１
１としてのモリブデンやタングステンか混成ＩＣの主要
な電流路としての役割を担い、半導体素子が金属板１１
上に直接搭載されるため抵抗成分の増大を避けることが
できる。さらに金属板１１上に複数個の半導体素子６が
搭載され、かつ金属板１１も絶縁物１３に直接一体化さ
れるため部品点数の低減や工数の低減に多大の寄与をす
る。なお、これら金属板の熱膨張係数は半導体素子６の
材料であるシリコンのそれ（〜３Ｘ１０−６／”Ｃ）に
近接しているため、熱疲労を防止し得ることは当然であ
り、したがって従来構造において必要としたスペーサ５
は不要となる。
クス板のそれ（アルミナ： ６．３ Ｘ １０−’／’
Ｃ、窒化シリコン： ３．５ ｘ １０’−’／”Ｃ、
窒化アルミニウム：４．８Ｘ１０”’／”Ｃ、窒化ボロ
ン： １．４ Ｘ １０−’／’Ｃ、炭化シリコン：
４ Ｘ １０−’／”ＣＩ酸化ベリリウムニア、６Ｘ１
０−’／”Ｃ）に近接しているため、これらの一体化部
における熱疲労を防止できる。又、絶縁物１３が樹脂の
場合はモリブデンやタングステンとの熱膨張係数差が大
きいが、こｎら樹脂は軟らかくそれ自体で熱歪を成豚す
るため一体化部の熱疲労は起りにくい。加えて金属板１
１としてのモリブデンやタングステンか混成ＩＣの主要
な電流路としての役割を担い、半導体素子が金属板１１
上に直接搭載されるため抵抗成分の増大を避けることが
できる。さらに金属板１１上に複数個の半導体素子６が
搭載され、かつ金属板１１も絶縁物１３に直接一体化さ
れるため部品点数の低減や工数の低減に多大の寄与をす
る。なお、これら金属板の熱膨張係数は半導体素子６の
材料であるシリコンのそれ（〜３Ｘ１０−６／”Ｃ）に
近接しているため、熱疲労を防止し得ることは当然であ
り、したがって従来構造において必要としたスペーサ５
は不要となる。
以下、不発明ｆｔ実施例にエリ更に詳細に説明する。
実施例１
本実施例では５Ａ級整流回路モジュールに適用した場合
を説明する。
を説明する。
このモジュールは、第４図に示すように、表面にニッケ
ルめっきを施した幅３２ｍｍ、長さ５ Ｑｍｍ。
ルめっきを施した幅３２ｍｍ、長さ５ Ｑｍｍ。
厚さ１．６ｍｍの銅支持叛２１と、両面に湿式法によっ
て形成したタングステン層とその上にめっきに工って形
成したニッケル層からなる金属化領域を有する幅２５ｍ
ｍ 、長さ３ Ｑｍｍ、厚さＱ、６ｍｍのアルミナ叛２
２と、弐面にニッケルめっきを施した幅２２ｍｍ、長さ
１２ｍｍ、厚さＱ、５ｍｍのモリブデン板２３を鉛−錫
系はんだ２４．２５’！ｒ介して一体化した構造を有す
る。モリブデン板２３上にはシリコンダイオードペレッ
ト２６をそれぞれ２個づつ鉛−錫一銀系はん′だ（図示
せず）を介して固着し、所定の電気配線、樹脂モールド
（図示せず）を施して整流ブリッジ回路を有するモジュ
ールとじたものである。
て形成したタングステン層とその上にめっきに工って形
成したニッケル層からなる金属化領域を有する幅２５ｍ
ｍ 、長さ３ Ｑｍｍ、厚さＱ、６ｍｍのアルミナ叛２
２と、弐面にニッケルめっきを施した幅２２ｍｍ、長さ
１２ｍｍ、厚さＱ、５ｍｍのモリブデン板２３を鉛−錫
系はんだ２４．２５’！ｒ介して一体化した構造を有す
る。モリブデン板２３上にはシリコンダイオードペレッ
ト２６をそれぞれ２個づつ鉛−錫一銀系はん′だ（図示
せず）を介して固着し、所定の電気配線、樹脂モールド
（図示せず）を施して整流ブリッジ回路を有するモジュ
ールとじたものである。
本モジュールのダイオードペレット２６ 、！：銅支持
ｆｉ２１間の熱抵抗は０．３５℃／Ｗ と第２図に示す
と同様のモジュールに比べて孫色のない値が得ら；ｎた
。これは、モリブデン板そのものの放熱性（熱伝導率；
０，３５ ｃａｌ ７ｃｍ−’Ｃ−ｓ ）は銅のそれ
（Ｑ、ｇ４ｃａｌ ７ｃｍ、”Ｃ−ｓ ）に比ヘテ必ず
しも良くはないが、実質的にモリブデン板２３が導体の
役割を担うため、第２図における導体板８が不要なこと
、２個のダイオードペレット２６は広面積のモリブデン
板２３に搭載されているためペレットからの発熱を広げ
るのに有効な構造になっていること、そして熱伝導性の
左程よくないはんだ（熱伝導率： Ｑ、Ｑ（５８Ｃａｌ
／Ｃｍ、℃、５）の使用を軽減できること、に工り総合
的にモジュールとしての放熱性を向上し得たものと考え
られる。
ｆｉ２１間の熱抵抗は０．３５℃／Ｗ と第２図に示す
と同様のモジュールに比べて孫色のない値が得ら；ｎた
。これは、モリブデン板そのものの放熱性（熱伝導率；
０，３５ ｃａｌ ７ｃｍ−’Ｃ−ｓ ）は銅のそれ
（Ｑ、ｇ４ｃａｌ ７ｃｍ、”Ｃ−ｓ ）に比ヘテ必ず
しも良くはないが、実質的にモリブデン板２３が導体の
役割を担うため、第２図における導体板８が不要なこと
、２個のダイオードペレット２６は広面積のモリブデン
板２３に搭載されているためペレットからの発熱を広げ
るのに有効な構造になっていること、そして熱伝導性の
左程よくないはんだ（熱伝導率： Ｑ、Ｑ（５８Ｃａｌ
／Ｃｍ、℃、５）の使用を軽減できること、に工り総合
的にモジュールとしての放熱性を向上し得たものと考え
られる。
又、本実施例のモジュールの電力損失は実質的に第２図
の構造の場合と同等であることが確認された。これは主
要な電流路が厚いモリブデン板２３で構成されているた
め、電気抵抗の増大を避は得た結果と考えられる。さら
に、モＩＪフ′テン依２３上にダイオードペレット２６
を複数個搭載できしかも部品数を低減できるため、工数
の４氏減ひいては経済性の向上をはかり得ること７５Ｅ
確認された。ナオ、本モジュールに、室温（Ｓ分）−十
１５０℃（２５分）−室温（５分） −−５５°Ｃ（５
分）・・・・・・・・・ の熱サイクルを５００回、そ
して夕°イオードペレットに断続通電して５０℃の温度
変イヒを２０．０００サイクル与えたが、アルミナ板２
２とモリブデン＄２３間の接着部には何等の異常も見出
さ詐なかった。これは両者の熱膨張係数カミ近接してい
るため熱疲労を生じにくい構成になっていることに起因
している。
の構造の場合と同等であることが確認された。これは主
要な電流路が厚いモリブデン板２３で構成されているた
め、電気抵抗の増大を避は得た結果と考えられる。さら
に、モＩＪフ′テン依２３上にダイオードペレット２６
を複数個搭載できしかも部品数を低減できるため、工数
の４氏減ひいては経済性の向上をはかり得ること７５Ｅ
確認された。ナオ、本モジュールに、室温（Ｓ分）−十
１５０℃（２５分）−室温（５分） −−５５°Ｃ（５
分）・・・・・・・・・ の熱サイクルを５００回、そ
して夕°イオードペレットに断続通電して５０℃の温度
変イヒを２０．０００サイクル与えたが、アルミナ板２
２とモリブデン＄２３間の接着部には何等の異常も見出
さ詐なかった。これは両者の熱膨張係数カミ近接してい
るため熱疲労を生じにくい構成になっていることに起因
している。
実施例２
本実施例では前記実施例１と同様であるカニ、モリブデ
ン板２３０代りに表面にニッケルめっきを施した同寸法
のタングステン板を用いたものである。
ン板２３０代りに表面にニッケルめっきを施した同寸法
のタングステン板を用いたものである。
本そジュールの放熱性、電力損失、経済性そして耐熱疲
労性は前記実施例１とはＩす同等でおった。
労性は前記実施例１とはＩす同等でおった。
この理由は前記実施例１と同様である。
実施例３
本実施例では５０Ａ級インバータの電流制御パワーモジ
ュールについて説明する。
ュールについて説明する。
本モジュールは第５図に示すように、表面にニッケルめ
っきを施した幅２８ｍｍ 、長さ９９ｍｍ、厚さ３ｍｍ
の銅支持板３１と、湿式法によって形成したタングステ
ン層およびその上にめっき法で形成したニッケル層から
なる金属化領域を両面に（ただし上面においては選択的
に）有する幅２０ｍｍ、長さ３Ｑｍｍ、厚さ０１５ｍｍ
のアルミナ板３２と、これら金属化領域の半導体素子搭
載部に配置された厚さＱ、５ｍｍのモリブデン板３３と
、金属化領域の他の部分に配置されたアルミニウムをク
ララ８ドした鉄−ニッケル合金板３４，３５．３６とを
それぞれの間に鉛−錫系はんだ３７，３８゜３９を介し
て一体化した構造を有する。なお、（ａ）は平面図であ
り、Φ）は（ａ）におけるＡ−Ａ′での断面図゛である
。モリブデン板３３上にはシリコントランジスタペレッ
トを４個、そしてシリコンダイオードベレット１個（い
ずれもモリブデン板１枚当りの数）を鉛−錫一銀系はん
だを介して固着し、所定の電気配線、樹脂モールド（図
示せず）を施して第６図に示す電気回路を有するモジュ
ールを得た。
っきを施した幅２８ｍｍ 、長さ９９ｍｍ、厚さ３ｍｍ
の銅支持板３１と、湿式法によって形成したタングステ
ン層およびその上にめっき法で形成したニッケル層から
なる金属化領域を両面に（ただし上面においては選択的
に）有する幅２０ｍｍ、長さ３Ｑｍｍ、厚さ０１５ｍｍ
のアルミナ板３２と、これら金属化領域の半導体素子搭
載部に配置された厚さＱ、５ｍｍのモリブデン板３３と
、金属化領域の他の部分に配置されたアルミニウムをク
ララ８ドした鉄−ニッケル合金板３４，３５．３６とを
それぞれの間に鉛−錫系はんだ３７，３８゜３９を介し
て一体化した構造を有する。なお、（ａ）は平面図であ
り、Φ）は（ａ）におけるＡ−Ａ′での断面図゛である
。モリブデン板３３上にはシリコントランジスタペレッ
トを４個、そしてシリコンダイオードベレット１個（い
ずれもモリブデン板１枚当りの数）を鉛−錫一銀系はん
だを介して固着し、所定の電気配線、樹脂モールド（図
示せず）を施して第６図に示す電気回路を有するモジュ
ールを得た。
なお、第６図において、１０１，１０２，１０３゜１０
４はダイオード、２０１，２０２，２０３゜２０４．２
０５，２０６，２０７，２０８はトランジスタ、３０１
，３０２は抵抗である。
４はダイオード、２０１，２０２，２０３゜２０４．２
０５，２０６，２０７，２０８はトランジスタ、３０１
，３０２は抵抗である。
以上の構成で得たモジュールを５ｋＶＡ級インバータに
組込み、定格電力に対して１５０％の過負荷運転を試み
たが、１，０００時間の連続運転をしても正常に作動す
ることが確認された。又、１５０チ過負荷の断続運転’
ｉｌ ＯＯ０回試みた結果、正常な作動がなされた。以
上のように安定した作動がなされたのはインバータの電
力回路を担うモジュールの作動が安定になされたためで
あり、この理由は前記実施例１の場合と同様である。さ
らに、このインバータで、５００Ｈ２−５０００Ｈ２（
７）周波数帯域での電流制御を試みたが正常に作動する
ことが確認された。これは、前記実施例１と同様の理由
によりモジュール内でのスイッチング動作が正常になさ
れたためでるる。なお、本実施例モジュールにおいても
前記実施例１と同様の経済的効果が認められた。
組込み、定格電力に対して１５０％の過負荷運転を試み
たが、１，０００時間の連続運転をしても正常に作動す
ることが確認された。又、１５０チ過負荷の断続運転’
ｉｌ ＯＯ０回試みた結果、正常な作動がなされた。以
上のように安定した作動がなされたのはインバータの電
力回路を担うモジュールの作動が安定になされたためで
あり、この理由は前記実施例１の場合と同様である。さ
らに、このインバータで、５００Ｈ２−５０００Ｈ２（
７）周波数帯域での電流制御を試みたが正常に作動する
ことが確認された。これは、前記実施例１と同様の理由
によりモジュール内でのスイッチング動作が正常になさ
れたためでるる。なお、本実施例モジュールにおいても
前記実施例１と同様の経済的効果が認められた。
以上、本発明を実施例により説明したが、本発明はこれ
らのみに限定されるものではなく、例えば次のような構
成の場合でも本発明の効果ないし利点を享受できる。
らのみに限定されるものではなく、例えば次のような構
成の場合でも本発明の効果ないし利点を享受できる。
（１） 金属支持板とモリブテン又はタングステン板
からな−る金属板とが樹脂物からなる絶縁物を介して一
体化さ扛ているような場合。この場合でも、金属板には
複数個の半導体素子が搭載されることには変りない。
からな−る金属板とが樹脂物からなる絶縁物を介して一
体化さ扛ているような場合。この場合でも、金属板には
複数個の半導体素子が搭載されることには変りない。
（２）金属板上に複数個の半導体素子とともに他の回路
素子、例えば抵抗、コンデンサの如き素子が併せて搭載
された場合。
素子、例えば抵抗、コンデンサの如き素子が併せて搭載
された場合。
（３）金属板がモリブデンあるいはタングステンを主成
分として含む合金材あるいは他の金属薄層を一体化した
クラツド材である場合。
分として含む合金材あるいは他の金属薄層を一体化した
クラツド材である場合。
以上の工うに、本発明によれば次の効果ないし利点を享
受できる。
受できる。
（１）熱流経路に存在する部品点数を減らし、熱を広げ
て伝達し、熱伝導性の左程よくないはんだの使用量を減
らすことが可能なため、総合的に絶縁基板の放熱性を高
めることができる。
て伝達し、熱伝導性の左程よくないはんだの使用量を減
らすことが可能なため、総合的に絶縁基板の放熱性を高
めることができる。
（２）主要な電流路が厚い金属板で構成されているため
電気抵抗の増大を避けることができる。このことにより
電力損失の低減やスイッチングスピードの低下防止をは
かり得る。
電気抵抗の増大を避けることができる。このことにより
電力損失の低減やスイッチングスピードの低下防止をは
かり得る。
（３）部品点数が少なく、したがって製作工数を減らす
ことができるため、経済的効果が大きい。
ことができるため、経済的効果が大きい。
（４）金属板としてモリブテン又はタングステンを用い
るため、絶縁物としてのセラミクス板との一体化部の熱
疲労を低減できる。
るため、絶縁物としてのセラミクス板との一体化部の熱
疲労を低減できる。
第１図および第２図は従来例を示す図、第３図ないし６
図は本発明の実施例を示す図である。 １２・・・支持板、１３・・・絶縁物、１１・・・金属
板、６゜２６・・・半導体素子。 第１図 １２ 第４図 第５図 第６図
図は本発明の実施例を示す図である。 １２・・・支持板、１３・・・絶縁物、１１・・・金属
板、６゜２６・・・半導体素子。 第１図 １２ 第４図 第５図 第６図
Claims (1)
- １、板状又はフィールム状絶縁物と該絶縁物の第１の主
表面側に一体化された金属支持板と該絶縁物の第１の主
表面に対向する第２の主表面側に一体化された実質的に
モリブデンあるいはタング７テンから成る金属板とを有
し、該金属支持板と金属板とが相互に熱的に結合される
とともに電気的に分離され、該金属板上に複数の半導体
素子ペレットが導電性金属ソルダを介して固着されてな
ることを特徴とする混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13412281A JPS5835956A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13412281A JPS5835956A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 混成集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5835956A true JPS5835956A (ja) | 1983-03-02 |
Family
ID=15120974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13412281A Pending JPS5835956A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5835956A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6096828U (ja) * | 1983-12-07 | 1985-07-02 | 日産自動車株式会社 | 放熱性半導体装置 |
| US5138439A (en) * | 1989-04-04 | 1992-08-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| AT414061B (de) * | 2002-06-03 | 2006-08-15 | Datacon Semiconductor Equip | Verfahren und vorrichtung zum herstellen einer, insbesondere vertikalen, anordnung aus mindestens zwei elektronischen komponenten |
| US8413333B2 (en) | 2001-04-09 | 2013-04-09 | Jeff Dinkel | Method for making an asymmetrical concrete backerboard |
-
1981
- 1981-08-28 JP JP13412281A patent/JPS5835956A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6096828U (ja) * | 1983-12-07 | 1985-07-02 | 日産自動車株式会社 | 放熱性半導体装置 |
| US5138439A (en) * | 1989-04-04 | 1992-08-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| US8413333B2 (en) | 2001-04-09 | 2013-04-09 | Jeff Dinkel | Method for making an asymmetrical concrete backerboard |
| AT414061B (de) * | 2002-06-03 | 2006-08-15 | Datacon Semiconductor Equip | Verfahren und vorrichtung zum herstellen einer, insbesondere vertikalen, anordnung aus mindestens zwei elektronischen komponenten |
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