JPH11354453A - 半導体製造用蒸着設備の膜厚さ調節方法 - Google Patents
半導体製造用蒸着設備の膜厚さ調節方法Info
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- JPH11354453A JPH11354453A JP10200437A JP20043798A JPH11354453A JP H11354453 A JPH11354453 A JP H11354453A JP 10200437 A JP10200437 A JP 10200437A JP 20043798 A JP20043798 A JP 20043798A JP H11354453 A JPH11354453 A JP H11354453A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 一貫したデータ分析を行い、作業者の業務負
担を低減する半導体製造用蒸着設備の膜厚さ調節方法を
提供する。 【解決手段】バッチ単位で投入されて蒸着工程が終了さ
れた第１ロットの工程条件データを検索し（Ｓ１０）、
膜厚さ計測データ及び工程条件データに基づいて所定の
補正蒸着時間及び補正蒸着温度を算出し（Ｓ２０）、補
正蒸着時間及び補正蒸着温度がスペック内にあるかを判
断し（Ｓ３０）、補正蒸着時間及び補正蒸着温度がスペ
ック内にあると、次の第2ロットの投入信号が入力され
たかを判断し（Ｓ５０）、入力されなかった場合には工
程条件データをサーチし（Ｓ１０）、入力された場合に
は補正蒸着時間及び補正蒸着温度を表示し（Ｓ６０）、
所定の作業者修正命令が入力されたかを判断し（Ｓ７
０）、作業者修正命令が入力されると、所定の作業者修
訂データの入力を受けた後、作業者修訂データを蒸着設
備にダウンロード（Ｓ９０）する。
担を低減する半導体製造用蒸着設備の膜厚さ調節方法を
提供する。 【解決手段】バッチ単位で投入されて蒸着工程が終了さ
れた第１ロットの工程条件データを検索し（Ｓ１０）、
膜厚さ計測データ及び工程条件データに基づいて所定の
補正蒸着時間及び補正蒸着温度を算出し（Ｓ２０）、補
正蒸着時間及び補正蒸着温度がスペック内にあるかを判
断し（Ｓ３０）、補正蒸着時間及び補正蒸着温度がスペ
ック内にあると、次の第2ロットの投入信号が入力され
たかを判断し（Ｓ５０）、入力されなかった場合には工
程条件データをサーチし（Ｓ１０）、入力された場合に
は補正蒸着時間及び補正蒸着温度を表示し（Ｓ６０）、
所定の作業者修正命令が入力されたかを判断し（Ｓ７
０）、作業者修正命令が入力されると、所定の作業者修
訂データの入力を受けた後、作業者修訂データを蒸着設
備にダウンロード（Ｓ９０）する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造用蒸着設
備の膜厚さ調節方法に関し、より詳細には、ホストに所
定の演算モジュールを具備して、これを通して迅速に正
確な計測データ分析が行われるようにした半導体製造用
蒸着設備の膜厚さ調節方法に関するものである。
備の膜厚さ調節方法に関し、より詳細には、ホストに所
定の演算モジュールを具備して、これを通して迅速に正
確な計測データ分析が行われるようにした半導体製造用
蒸着設備の膜厚さ調節方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、半導体素子の製造には高い精
密性が要求される。これによって、通常の半導体生産ラ
インでは情密加工が可能な高機能の設備を配置して大部
分の半導体素子製造工程を実行し、作業者は各設備の動
作状況を観察することによりライン作業効率の向上を図
っている。
密性が要求される。これによって、通常の半導体生産ラ
インでは情密加工が可能な高機能の設備を配置して大部
分の半導体素子製造工程を実行し、作業者は各設備の動
作状況を観察することによりライン作業効率の向上を図
っている。
【０００３】図６は従来の半導体製造用蒸着設備の配置
形状を示す概念図、図７は従来の半導体製造用蒸着設備
の構造を示す断面図、図８は従来のロットの投入位置別
膜厚さ分布を概略的に示すグラフ、図９は従来のロット
のバッチ単位別平均膜厚さ分布を概略的に示すグラフで
ある。
形状を示す概念図、図７は従来の半導体製造用蒸着設備
の構造を示す断面図、図８は従来のロットの投入位置別
膜厚さ分布を概略的に示すグラフ、図９は従来のロット
のバッチ単位別平均膜厚さ分布を概略的に示すグラフで
ある。
【０００４】図６に示されるように、生産ライン内には
膜蒸着工程を実行する蒸着設備３が配置されて、その蒸
着設備３にはロット１０が投入されて適切な蒸着工程が
実行される。ここで、蒸着設備３は蒸着設備サーバー５
を通してホスト１とオンラインで連結されて、ホスト１
はＯＩ／ＰＣ(operator interface PC)２とオンライン
で連結される。この時、作業者は、ＯＩ／ＰＣ２を通し
てホスト１に適切な工程条件、例えば、蒸着時間、蒸着
温度等を設定して、このように設定された工程条件はホ
スト１及び蒸着設備サーバー５を通して蒸着設備３に迅
速にダウンロードされることにより、蒸着設備３がロッ
ト１０に適切な厚さの蒸着膜が形成できるようにする。
膜蒸着工程を実行する蒸着設備３が配置されて、その蒸
着設備３にはロット１０が投入されて適切な蒸着工程が
実行される。ここで、蒸着設備３は蒸着設備サーバー５
を通してホスト１とオンラインで連結されて、ホスト１
はＯＩ／ＰＣ(operator interface PC)２とオンライン
で連結される。この時、作業者は、ＯＩ／ＰＣ２を通し
てホスト１に適切な工程条件、例えば、蒸着時間、蒸着
温度等を設定して、このように設定された工程条件はホ
スト１及び蒸着設備サーバー５を通して蒸着設備３に迅
速にダウンロードされることにより、蒸着設備３がロッ
ト１０に適切な厚さの蒸着膜が形成できるようにする。
【０００５】一方、上述した蒸着設備３を通して一定厚
さの膜が蒸着されたロット１０は生産ライン内にバッチ
された計測設備４に投入され、計測設備４は投入された
ロット１０の膜蒸着結果を適切に計測する。この時、計
測設備４は計測された結果データを計測設備サーバー６
を通してホスト１に迅速にアップロードし、ホスト１は
ＯＩ／ＰＣ２を通してこれをすぐ表示することにより、
作業者の確認過程を経て蒸着設備３の工程条件が適切な
値で再設定されるように補助する。
さの膜が蒸着されたロット１０は生産ライン内にバッチ
された計測設備４に投入され、計測設備４は投入された
ロット１０の膜蒸着結果を適切に計測する。この時、計
測設備４は計測された結果データを計測設備サーバー６
を通してホスト１に迅速にアップロードし、ホスト１は
ＯＩ／ＰＣ２を通してこれをすぐ表示することにより、
作業者の確認過程を経て蒸着設備３の工程条件が適切な
値で再設定されるように補助する。
【０００６】この時、図７に図示されるように、通常蒸
着設備３はボート１０１内に多数個、例えば、６個のロ
ット１０を一個のバッチ単位として一度に投入した後、
金属膜、酸化膜等の半導体膜を蒸着する。この場合、蒸
着設備３は外気の影響によってその上部Ｂ及び下部Ｃが
中央部Ａより底い温度分布を示すことにより、図８に図
示されるように、投入されたロット１０がその投入位置
によって異なる膜厚さ分布を持つようになる。
着設備３はボート１０１内に多数個、例えば、６個のロ
ット１０を一個のバッチ単位として一度に投入した後、
金属膜、酸化膜等の半導体膜を蒸着する。この場合、蒸
着設備３は外気の影響によってその上部Ｂ及び下部Ｃが
中央部Ａより底い温度分布を示すことにより、図８に図
示されるように、投入されたロット１０がその投入位置
によって異なる膜厚さ分布を持つようになる。
【０００７】また、蒸着設備３は作業者により蒸着時間
の設定を受けた後、投入されるバッチ単位のロット１０
に対して膜蒸着工程を進行する。この場合、蒸着設備３
に設定された蒸着時間の差によって形成される平均膜厚
さに大きなばらつきが生じ、その結果、図９に図示され
るように、蒸着工程を終了したロット１０は投入された
バッチ単位別で異なる平均膜厚さ分布を持つようにな
る。したがって、作業者は各バッチ単位の蒸着工程が正
常に進行するように前のバッチ単位の工程が終了した後
すぐにＯＩ／ＰＣ２に表示される計測結果データを自身
の経験によって迅速に分析する。
の設定を受けた後、投入されるバッチ単位のロット１０
に対して膜蒸着工程を進行する。この場合、蒸着設備３
に設定された蒸着時間の差によって形成される平均膜厚
さに大きなばらつきが生じ、その結果、図９に図示され
るように、蒸着工程を終了したロット１０は投入された
バッチ単位別で異なる平均膜厚さ分布を持つようにな
る。したがって、作業者は各バッチ単位の蒸着工程が正
常に進行するように前のバッチ単位の工程が終了した後
すぐにＯＩ／ＰＣ２に表示される計測結果データを自身
の経験によって迅速に分析する。
【０００８】以後、作業者はその分析結果に基づいて適
切な蒸着時間、蒸着温度等を再設定して、再設定された
蒸着時間によりバッチ単位別平均膜厚さ差を調節すると
ともに、再設定された蒸着温度によりロットの投入位置
別膜厚さ差を調節することにより上述した膜厚さ分布の
不均衡を最小化している。
切な蒸着時間、蒸着温度等を再設定して、再設定された
蒸着時間によりバッチ単位別平均膜厚さ差を調節すると
ともに、再設定された蒸着温度によりロットの投入位置
別膜厚さ差を調節することにより上述した膜厚さ分布の
不均衡を最小化している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、膜厚さ分布の
ばらつきは作業者の経験に依存した計測データ分析だけ
により修正されるので、作業者によってデータ分析に誤
謬が発生するおそれがあり、また、計測データの分析は
作業者ごとに結果値が異なるため、一貫したデータ分析
に基づく製品の生産管理が困難であるという問題があっ
た。また、データ分析は熟練した作業者だけが可能なも
のなので、一人の作業者に業務が集中するという問題が
あった。
ばらつきは作業者の経験に依存した計測データ分析だけ
により修正されるので、作業者によってデータ分析に誤
謬が発生するおそれがあり、また、計測データの分析は
作業者ごとに結果値が異なるため、一貫したデータ分析
に基づく製品の生産管理が困難であるという問題があっ
た。また、データ分析は熟練した作業者だけが可能なも
のなので、一人の作業者に業務が集中するという問題が
あった。
【００１０】したがって、本発明はこのような問題に着
眼してされたもので、その目的は、ホストに所定の演算
機能を持つ演算モジュールを具備し、それに適切な演算
法則を附与し、それを用いて計測データの正確な分析が
行われるようにする半導体製造用蒸着設備の膜厚さ調節
方法を提供することにある。
眼してされたもので、その目的は、ホストに所定の演算
機能を持つ演算モジュールを具備し、それに適切な演算
法則を附与し、それを用いて計測データの正確な分析が
行われるようにする半導体製造用蒸着設備の膜厚さ調節
方法を提供することにある。
【００１１】本発明の他の目的は、上述したホストを用
いて計測データの分析を自動化することにより、作業者
によるデータ分析を排除してデータ分析を一貫して行う
とともに、作業者の業務負担を低減させる半導体製造用
蒸着設備の膜厚さ調節方法を提供することにある。
いて計測データの分析を自動化することにより、作業者
によるデータ分析を排除してデータ分析を一貫して行う
とともに、作業者の業務負担を低減させる半導体製造用
蒸着設備の膜厚さ調節方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めの本発明の請求項１記載の半導体製造用蒸着設備の膜
厚さ調節方法は、バッチ単位で投入され蒸着工程が終了
した第１ロットの膜厚さ計測データを受信し、蒸着工程
に設定された工程条件データを検索する段階と、膜厚さ
計測データ及び工程条件データに基づいて所定の補正蒸
着時間及び補正蒸着温度を算出する段階と、補正蒸着時
間及び補正蒸着温度がスペック内にあるかを判断する段
階と、補正蒸着時間及び前記補正蒸着温度がスペック内
にあると、次に蒸着工程が行われる第２ロットの投入信
号が入力されたかを判断する段階と、第２ロットの投入
信号が入力されなかった場合には工程条件データを検索
する段階に移行し、第２ロットの投入信号が入力された
場合には補正蒸着時間及び補正蒸着温度を表示する段階
と、所定の作業者修正命令が入力されたかを判断する段
階と、作業者修正命令が入力されると、所定の作業者修
正データの入力を受けた後、作業者修正データを蒸着設
備にダウンロードする段階とを含む。
めの本発明の請求項１記載の半導体製造用蒸着設備の膜
厚さ調節方法は、バッチ単位で投入され蒸着工程が終了
した第１ロットの膜厚さ計測データを受信し、蒸着工程
に設定された工程条件データを検索する段階と、膜厚さ
計測データ及び工程条件データに基づいて所定の補正蒸
着時間及び補正蒸着温度を算出する段階と、補正蒸着時
間及び補正蒸着温度がスペック内にあるかを判断する段
階と、補正蒸着時間及び前記補正蒸着温度がスペック内
にあると、次に蒸着工程が行われる第２ロットの投入信
号が入力されたかを判断する段階と、第２ロットの投入
信号が入力されなかった場合には工程条件データを検索
する段階に移行し、第２ロットの投入信号が入力された
場合には補正蒸着時間及び補正蒸着温度を表示する段階
と、所定の作業者修正命令が入力されたかを判断する段
階と、作業者修正命令が入力されると、所定の作業者修
正データの入力を受けた後、作業者修正データを蒸着設
備にダウンロードする段階とを含む。
【００１３】本発明の請求項２記載の半導体製造用蒸着
設備の膜厚さ調節方法によると、補正蒸着時間及び補正
蒸着温度がスペック内にあるかを判断する段階の後に、
補正蒸着時間及び補正蒸着温度がスペック内にないと、
蒸着工程を一時停止して作業者が所定の措置を実行する
段階をさらに含む。
設備の膜厚さ調節方法によると、補正蒸着時間及び補正
蒸着温度がスペック内にあるかを判断する段階の後に、
補正蒸着時間及び補正蒸着温度がスペック内にないと、
蒸着工程を一時停止して作業者が所定の措置を実行する
段階をさらに含む。
【００１４】本発明の請求項３記載の半導体製造用蒸着
設備の膜厚さ調節方法によると、作業者修正命令が入力
されたかを判断する段階の後に、作業者修正命令が入力
されなかった場合、補正蒸着時間及び補正蒸着温度を蒸
着設備にダウンロードする段階をさらに含む。
設備の膜厚さ調節方法によると、作業者修正命令が入力
されたかを判断する段階の後に、作業者修正命令が入力
されなかった場合、補正蒸着時間及び補正蒸着温度を蒸
着設備にダウンロードする段階をさらに含む。
【００１５】本発明の請求項４記載の半導体製造用蒸着
設備の膜厚さ調節方法によると、補正蒸着時間及び補正
蒸着温度を算出する段階は、膜厚さ計測データを加工し
た後に膜厚さ計測データの平均値が所定の目標値と一致
するかを判断する段階と、膜厚さ計測データの平均値が
目標値と一致しないと所定の第１計算式を用いて補正蒸
着時間を算出する段階と、膜厚さ計測データの中で蒸着
設備の所定部に投入された第１ロットから取得したデー
タ値がスペック内にあるかを判断する段階と、第１ロッ
トから取得したデータ値がスペック内にないと所定の第
２計算式を用いて補正蒸着温度を算出する段階とを含
む。
設備の膜厚さ調節方法によると、補正蒸着時間及び補正
蒸着温度を算出する段階は、膜厚さ計測データを加工し
た後に膜厚さ計測データの平均値が所定の目標値と一致
するかを判断する段階と、膜厚さ計測データの平均値が
目標値と一致しないと所定の第１計算式を用いて補正蒸
着時間を算出する段階と、膜厚さ計測データの中で蒸着
設備の所定部に投入された第１ロットから取得したデー
タ値がスペック内にあるかを判断する段階と、第１ロッ
トから取得したデータ値がスペック内にないと所定の第
２計算式を用いて補正蒸着温度を算出する段階とを含
む。
【００１６】本発明の請求項５記載の半導体製造用蒸着
設備の膜厚さ調節方法によると、第１ロットから取得し
たデータ値がスペック内にあると、工程条件データを保
存する段階をさらに含む。
設備の膜厚さ調節方法によると、第１ロットから取得し
たデータ値がスペック内にあると、工程条件データを保
存する段階をさらに含む。
【００１７】本発明の請求項６記載の半導体製造用蒸着
設備の膜厚さ調節方法によると、膜厚さ計測データの平
均値が目標値と一致すると、第１ロットから取得したデ
ータ値がスペック内にあるかを判断する段階に移行す
る。
設備の膜厚さ調節方法によると、膜厚さ計測データの平
均値が目標値と一致すると、第１ロットから取得したデ
ータ値がスペック内にあるかを判断する段階に移行す
る。
【００１８】本発明の請求項７記載の半導体製造用蒸着
設備の膜厚さ調節方法によると、第１計算式は、ＤＴ＝
ＤＴ１×α＋ＤＴ２×（１−α）で与えられ、ここで、
ＤＴは補正蒸着時間、ＤＴ１は第１ロットの目標蒸着時
間、ＤＴ２は前工程の蒸着時間、αは信頼加重値であ
る。
設備の膜厚さ調節方法によると、第１計算式は、ＤＴ＝
ＤＴ１×α＋ＤＴ２×（１−α）で与えられ、ここで、
ＤＴは補正蒸着時間、ＤＴ１は第１ロットの目標蒸着時
間、ＤＴ２は前工程の蒸着時間、αは信頼加重値であ
る。
【００１９】本発明の請求項８記載の半導体製造用蒸着
設備の膜厚さ調節方法によると、ＤＴ１は、ＤＴ１＝Ｄ
Ｔ３−（ｔ１−ｔ２）／ＤＲ１で与えられ、ここで、Ｄ
Ｒ３は第１ロットの実進行蒸着時間、ｔ１は蒸着設備の
中央部に投入された第１ロットの平均膜厚さ、ｔ２は第
１ロットの目標膜厚さ、ＤＲ１は第１ロットの蒸着速度
常数である。
設備の膜厚さ調節方法によると、ＤＴ１は、ＤＴ１＝Ｄ
Ｔ３−（ｔ１−ｔ２）／ＤＲ１で与えられ、ここで、Ｄ
Ｒ３は第１ロットの実進行蒸着時間、ｔ１は蒸着設備の
中央部に投入された第１ロットの平均膜厚さ、ｔ２は第
１ロットの目標膜厚さ、ＤＲ１は第１ロットの蒸着速度
常数である。
【００２０】本発明の請求項９記載の半導体製造用蒸着
設備の膜厚さ調節方法によると、第２計算式は、ＤＸ＝
ＤＸ１±ΔＤＸ２で与えられ、ここで、ＤＸは補正蒸着
温度、ＤＸ１は蒸着設備の所定部に投入された第１ロッ
トに適用された蒸着温度、ΔＤＸ２は補正蒸着温度変位
である。
設備の膜厚さ調節方法によると、第２計算式は、ＤＸ＝
ＤＸ１±ΔＤＸ２で与えられ、ここで、ＤＸは補正蒸着
温度、ＤＸ１は蒸着設備の所定部に投入された第１ロッ
トに適用された蒸着温度、ΔＤＸ２は補正蒸着温度変位
である。
【００２１】本発明の請求項１０記載の半導体製造用蒸
着設備の膜厚さ調節方法によると、ΔＤＸ２は、ＤＸ２
＝Δｔ３／（ＤＲ２±Ｍ）で与えられ、ここで、Δｔ３
は蒸着設備の中央部及び蒸着設備の所定部に投入された
第１ロットの膜厚さ差、ＤＲ２は各バッチの１℃当りの
膜蒸着速度、MはＤＲ２の変化の傾きである。
着設備の膜厚さ調節方法によると、ΔＤＸ２は、ＤＸ２
＝Δｔ３／（ＤＲ２±Ｍ）で与えられ、ここで、Δｔ３
は蒸着設備の中央部及び蒸着設備の所定部に投入された
第１ロットの膜厚さ差、ＤＲ２は各バッチの１℃当りの
膜蒸着速度、MはＤＲ２の変化の傾きである。
【００２２】本発明の請求項１１記載の半導体製造用蒸
着設備の膜厚さ調節方法によると、Mは、数１で与えら
れ、ここで、ｍは各バッチ間の温度変化及び厚さ変化
比、ｎは第１ロットを持つバッチの次数である。
着設備の膜厚さ調節方法によると、Mは、数１で与えら
れ、ここで、ｍは各バッチ間の温度変化及び厚さ変化
比、ｎは第１ロットを持つバッチの次数である。
【００２３】本発明の請求項１２記載の半導体製造用蒸
着設備の膜厚さ調節方法によると、ＤＲ２はＤＲ２＝Δ
ｔ／Δｘで与えられ、ここで、Δｔは各バッチ間の膜厚
さ変化量累積総合、Δｘは各バッチ間の蒸着温度変化量
累積総合である。
着設備の膜厚さ調節方法によると、ＤＲ２はＤＲ２＝Δ
ｔ／Δｘで与えられ、ここで、Δｔは各バッチ間の膜厚
さ変化量累積総合、Δｘは各バッチ間の蒸着温度変化量
累積総合である。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施例による半導体製造用蒸着設備の膜厚さ調節方法につ
いて詳細に説明する。図１は本実施例を実現するための
半導体製造用蒸着設備の配置形状を示す概念図である。
施例による半導体製造用蒸着設備の膜厚さ調節方法につ
いて詳細に説明する。図１は本実施例を実現するための
半導体製造用蒸着設備の配置形状を示す概念図である。
【００２５】図１に示されるように、ホスト１には計測
設備サーバー６を通して計測設備４からアップロードさ
れる計測データを自動分析する演算モジュール２０が具
備され、計測データは演算モジュール２０により迅速に
演算処理される。演算処理後、ホスト１は算出された補
正データを蒸着設備サーバー５を通して蒸着設備３にダ
ウンロードすることにより蒸着設備３の工程条件が適切
な値で再設定されて、蒸着設備３はその再設定工程条件
によって適切な膜蒸着工程を進行することにより次に投
入されるロットからは均一な膜蒸着が行われるようにす
る。
設備サーバー６を通して計測設備４からアップロードさ
れる計測データを自動分析する演算モジュール２０が具
備され、計測データは演算モジュール２０により迅速に
演算処理される。演算処理後、ホスト１は算出された補
正データを蒸着設備サーバー５を通して蒸着設備３にダ
ウンロードすることにより蒸着設備３の工程条件が適切
な値で再設定されて、蒸着設備３はその再設定工程条件
によって適切な膜蒸着工程を進行することにより次に投
入されるロットからは均一な膜蒸着が行われるようにす
る。
【００２６】図２は本発明による半導体製造用蒸着設備
の膜厚さ調節方法を示すフローチャート、図３は本発明
の第２段階を順次的に示すフローチャート、図４は本発
明によるロットの投入位置別膜厚さ分布を概略的に示す
グラフ、図５は本発明によるロットのバッチ単位別平均
膜厚さ分布を概略的に示すグラフである。
の膜厚さ調節方法を示すフローチャート、図３は本発明
の第２段階を順次的に示すフローチャート、図４は本発
明によるロットの投入位置別膜厚さ分布を概略的に示す
グラフ、図５は本発明によるロットのバッチ単位別平均
膜厚さ分布を概略的に示すグラフである。
【００２７】図２に示されるように、本発明による半導
体製造用蒸着設備の膜厚さ調節方法は、バッチ単位で投
入されて蒸着工程を終了したロットの膜厚さ計測データ
を受信して、蒸着工程に設定された工程条件データを検
索するＳ１０段階と、膜厚さ計測データ及び工程条件デ
ータに基づいて補正蒸着時間及び補正蒸着温度を算出す
るＳ２０段階と、補正蒸着時間及び補正蒸着温度がスペ
ック内にあるかを判断するＳ３０段階と、補正蒸着時間
及び補正蒸着温度がスペック内にないと、上述した蒸着
工程を一時停止して作業者が特定の措置を実行するＳ４
０段階と、補正蒸着時間及び補正蒸着温度がスペック内
にあると、上述したＯＩ／ＰＣ２に次の蒸着工程が進行
される第２ロットの投入信号が入力されたかを判断する
Ｓ５０段階とを含む。さらに第２ロットの投入信号が入
力された場合、ＯＩ／ＰＣ２を通して補正蒸着時間及び
補正蒸着温度を表示するＳ６０段階と、上述したＯＩ／
ＰＣ２に作業者修正命令が入力されたかを判断するＳ７
０段階と、ＯＩ／ＰＣ２に作業者修正命令が入力されな
かった場合、補正蒸着時間及び補正蒸着温度を蒸着設備
３にダウンロードするＳ８０段階と、ＯＩ／ＰＣ２に作
業者修正命令が入力された場合、一定の作業者修正デー
タの入力を受けた後入力された作業者修正データを蒸着
設備３にダウンロードするＳ９０段階とを含む。
体製造用蒸着設備の膜厚さ調節方法は、バッチ単位で投
入されて蒸着工程を終了したロットの膜厚さ計測データ
を受信して、蒸着工程に設定された工程条件データを検
索するＳ１０段階と、膜厚さ計測データ及び工程条件デ
ータに基づいて補正蒸着時間及び補正蒸着温度を算出す
るＳ２０段階と、補正蒸着時間及び補正蒸着温度がスペ
ック内にあるかを判断するＳ３０段階と、補正蒸着時間
及び補正蒸着温度がスペック内にないと、上述した蒸着
工程を一時停止して作業者が特定の措置を実行するＳ４
０段階と、補正蒸着時間及び補正蒸着温度がスペック内
にあると、上述したＯＩ／ＰＣ２に次の蒸着工程が進行
される第２ロットの投入信号が入力されたかを判断する
Ｓ５０段階とを含む。さらに第２ロットの投入信号が入
力された場合、ＯＩ／ＰＣ２を通して補正蒸着時間及び
補正蒸着温度を表示するＳ６０段階と、上述したＯＩ／
ＰＣ２に作業者修正命令が入力されたかを判断するＳ７
０段階と、ＯＩ／ＰＣ２に作業者修正命令が入力されな
かった場合、補正蒸着時間及び補正蒸着温度を蒸着設備
３にダウンロードするＳ８０段階と、ＯＩ／ＰＣ２に作
業者修正命令が入力された場合、一定の作業者修正デー
タの入力を受けた後入力された作業者修正データを蒸着
設備３にダウンロードするＳ９０段階とを含む。
【００２８】以下、前記のような本実施例の各段階につ
いて詳細に説明する。まず、計測設備４は、バッチ単位
で蒸着設備３に投入されて膜蒸着工程が完了した第１ロ
ットの膜厚さを計測した後、計測された膜厚さ計測デー
タを計測サーバー６を通してホスト１にアップロードす
る。これによって、ホスト１のデータベースには第１ロ
ットの膜厚さ分布が適切に保存される。
いて詳細に説明する。まず、計測設備４は、バッチ単位
で蒸着設備３に投入されて膜蒸着工程が完了した第１ロ
ットの膜厚さを計測した後、計測された膜厚さ計測デー
タを計測サーバー６を通してホスト１にアップロードす
る。これによって、ホスト１のデータベースには第１ロ
ットの膜厚さ分布が適切に保存される。
【００２９】次に、ホスト１は、自身のデータベース領
域を検索して第１ロットが実行される蒸着工程の工程条
件を保存した工程条件データを把握した後、上述した膜
厚さ計測データ及び工程条件データを演算モジュール２
０に伝送して、演算モジュール２０は膜厚さ計測データ
及び工程条件データを迅速に受信してその内容を把握す
る(Ｓ１０段階)。
域を検索して第１ロットが実行される蒸着工程の工程条
件を保存した工程条件データを把握した後、上述した膜
厚さ計測データ及び工程条件データを演算モジュール２
０に伝送して、演算モジュール２０は膜厚さ計測データ
及び工程条件データを迅速に受信してその内容を把握す
る(Ｓ１０段階)。
【００３０】この時、便宜上演算モジュール２０が把握
した膜厚さ計測データ及び工程条件データは表１のよう
に仮定する。また、上述した第１ロットは表１のバッチ
３により設備に投入され、演算以後に投入される第２ロ
ットは表１のバッチ４により蒸着設備３に投入されると
仮定する。
した膜厚さ計測データ及び工程条件データは表１のよう
に仮定する。また、上述した第１ロットは表１のバッチ
３により設備に投入され、演算以後に投入される第２ロ
ットは表１のバッチ４により蒸着設備３に投入されると
仮定する。
【表１】 次に、補正蒸着時間及び補正蒸着温度を算出するＳ２０
段階が進行される。この時、図３に図示されるように、
本発明のＳ２０段階は膜厚さ計測データを加工するにあ
たり、膜厚さ計測データの平均値が当該目標値と一致す
るかを判断するＳ２１、Ｓ２２段階と、膜厚さ計測デー
タの平均値が当該目標値と一致しないとき、後述する第
１計算式を通して補正蒸着時間を算出するＳ２３段階
と、膜厚さ計測データ値の中で上述した蒸着設備３の所
定部に投入された第１ロットから取得したデータの値が
スペック内にあるかを判断するＳ２４段階と、膜厚さ計
測データ値の中で蒸着設備３の所定部に投入された第１
ロットから取得したデータの値がスペック内にないと第
２計算式を通して補正蒸着温度を算出するＳ２５段階
と、膜厚さ計測データ値の中で蒸着設備３の所定部に投
入された第１ロットから取得したデータ値がスペック内
にあると工程条件データを保存するＳ２６段階とで行わ
れる。後述する説明において、当該膜厚さ目標値は１０
００Å、データの信頼加重値αは０．６、第１ロットの
蒸着速度常数ＤＲ１は４と仮定する。
段階が進行される。この時、図３に図示されるように、
本発明のＳ２０段階は膜厚さ計測データを加工するにあ
たり、膜厚さ計測データの平均値が当該目標値と一致す
るかを判断するＳ２１、Ｓ２２段階と、膜厚さ計測デー
タの平均値が当該目標値と一致しないとき、後述する第
１計算式を通して補正蒸着時間を算出するＳ２３段階
と、膜厚さ計測データ値の中で上述した蒸着設備３の所
定部に投入された第１ロットから取得したデータの値が
スペック内にあるかを判断するＳ２４段階と、膜厚さ計
測データ値の中で蒸着設備３の所定部に投入された第１
ロットから取得したデータの値がスペック内にないと第
２計算式を通して補正蒸着温度を算出するＳ２５段階
と、膜厚さ計測データ値の中で蒸着設備３の所定部に投
入された第１ロットから取得したデータ値がスペック内
にあると工程条件データを保存するＳ２６段階とで行わ
れる。後述する説明において、当該膜厚さ目標値は１０
００Å、データの信頼加重値αは０．６、第１ロットの
蒸着速度常数ＤＲ１は４と仮定する。
【００３１】以下、本発明のＳ２０段階についてより詳
細に説明する。まず、演算モジュール２０は、上述した
過程を通して把握された第１ロットの膜厚さ計測データ
を加工してこれらの中で有意な範囲にあるものを取り合
わせる(Ｓ２１段階)。
細に説明する。まず、演算モジュール２０は、上述した
過程を通して把握された第１ロットの膜厚さ計測データ
を加工してこれらの中で有意な範囲にあるものを取り合
わせる(Ｓ２１段階)。
【００３２】次に、演算モジュール２０は、蒸着設備３
の中央部Ａに投入された第１ロットから取得した膜厚さ
計測データの平均値が当該目標値と一致するかを判断す
る(Ｓ２２段階)。この時、蒸着設備３の中央部Ａに投入
された第１ロットから取得した膜厚さ計測データの平均
値が当該目標値である１０００Åと一致すると、演算モ
ジュール２０は上述した工程条件データの蒸着時間が適
切であると判定してＳ２４段階に進行する。
の中央部Ａに投入された第１ロットから取得した膜厚さ
計測データの平均値が当該目標値と一致するかを判断す
る(Ｓ２２段階)。この時、蒸着設備３の中央部Ａに投入
された第１ロットから取得した膜厚さ計測データの平均
値が当該目標値である１０００Åと一致すると、演算モ
ジュール２０は上述した工程条件データの蒸着時間が適
切であると判定してＳ２４段階に進行する。
【００３３】反面、蒸着設備３の中央部Ａに投入された
第１ロットから取得した膜厚さ計測データの平均値が表
１に提示されるように、１０３０Åで当該目標値である
１０００Åと一致しないと、演算モジュール２０は後述
する第１計算式を通して補正蒸着時間を算出する(Ｓ２
３段階)。この時、第１計算式はＤＴ＝ＤＴ１×α＋Ｄ
Ｔ２×（１−α）で表現される。
第１ロットから取得した膜厚さ計測データの平均値が表
１に提示されるように、１０３０Åで当該目標値である
１０００Åと一致しないと、演算モジュール２０は後述
する第１計算式を通して補正蒸着時間を算出する(Ｓ２
３段階)。この時、第１計算式はＤＴ＝ＤＴ１×α＋Ｄ
Ｔ２×（１−α）で表現される。
【００３４】ここで、ＤＴは補正蒸着時間、ＤＴ１は第
１ロットの目標蒸着時間、ＤＴ２は以前工程の蒸着時
間、αは信頼加重値であり、また、ＤＴ１はＤＴ１＝Ｄ
Ｔ３−（ｔ１−ｔ２）／ＤＲ１で表現される。
１ロットの目標蒸着時間、ＤＴ２は以前工程の蒸着時
間、αは信頼加重値であり、また、ＤＴ１はＤＴ１＝Ｄ
Ｔ３−（ｔ１−ｔ２）／ＤＲ１で表現される。
【００３５】ここで、ＤＴ３は第１ロットの実進行蒸着
時間、ｔ１は蒸着設備の中央部に投入された第１ロット
の平均膜厚さ、ｔ２は第１ロットの目標膜厚さ、ＤＲ１
は第１ロットの蒸着速度常数である。
時間、ｔ１は蒸着設備の中央部に投入された第１ロット
の平均膜厚さ、ｔ２は第１ロットの目標膜厚さ、ＤＲ１
は第１ロットの蒸着速度常数である。
【００３６】以下、前記のようなＤＴ＝ＤＴ１×α＋Ｄ
Ｔ２×（１−α）、ＤＴ１＝ＤＴ３−（ｔ１−ｔ２）／
ＤＲ１を参照して本発明の第２段階の演算による補正蒸
着時間算出過程について説明する。この時、各数に代入
される数値は上述のように表１に提示された値に基づ
く。まず、演算モジュール２０は、ＤＴ１＝ＤＴ３−
（ｔ１−ｔ２）／ＤＲ１を用いてＤＴ１の値を算出す
る。即ち、第１ロットの実進行蒸着時間ＤＴ３には表１
に提示された１３０ｓｅｃが代入され、第１ロットの平
均膜厚さｔ１には１０３０Åが代入され、第１ロットの
目標膜厚さｔ２には１０００Åが代入され、ＤＲ１には
上述した常数４が代入される。このようなＤＴ１＝ＤＴ
３−（ｔ１−ｔ２）／ＤＲ１の演算結果、ＤＴ１は１３
０−{（１０３０−１０００）／４}=１２２．５ｓｅｃ
で算出される。
Ｔ２×（１−α）、ＤＴ１＝ＤＴ３−（ｔ１−ｔ２）／
ＤＲ１を参照して本発明の第２段階の演算による補正蒸
着時間算出過程について説明する。この時、各数に代入
される数値は上述のように表１に提示された値に基づ
く。まず、演算モジュール２０は、ＤＴ１＝ＤＴ３−
（ｔ１−ｔ２）／ＤＲ１を用いてＤＴ１の値を算出す
る。即ち、第１ロットの実進行蒸着時間ＤＴ３には表１
に提示された１３０ｓｅｃが代入され、第１ロットの平
均膜厚さｔ１には１０３０Åが代入され、第１ロットの
目標膜厚さｔ２には１０００Åが代入され、ＤＲ１には
上述した常数４が代入される。このようなＤＴ１＝ＤＴ
３−（ｔ１−ｔ２）／ＤＲ１の演算結果、ＤＴ１は１３
０−{（１０３０−１０００）／４}=１２２．５ｓｅｃ
で算出される。
【００３７】次に、演算モジュール２０は、ＤＴ＝ＤＴ
１×α＋ＤＴ２×（１−α）を用いて本発明の第２段階
で得ようとする補正蒸着時間ＤＴを算出する。即ち、Ｄ
Ｔ＝ＤＴ１×α＋ＤＴ２×（１−α）のＤＴ１には上述
した演算で算出された１２２．５が代入されて、αには
０．６が代入されて、ＤＴ２には表１に提示されたバッ
チ２の１２０が代入される。この時、データの信頼加重
値αは取得されたデータの信頼比重を示し、αの値を
０．６とする場合、演算ではＤＴ１のデータ値１２２．
５を６０％信頼することを意味する。
１×α＋ＤＴ２×（１−α）を用いて本発明の第２段階
で得ようとする補正蒸着時間ＤＴを算出する。即ち、Ｄ
Ｔ＝ＤＴ１×α＋ＤＴ２×（１−α）のＤＴ１には上述
した演算で算出された１２２．５が代入されて、αには
０．６が代入されて、ＤＴ２には表１に提示されたバッ
チ２の１２０が代入される。この時、データの信頼加重
値αは取得されたデータの信頼比重を示し、αの値を
０．６とする場合、演算ではＤＴ１のデータ値１２２．
５を６０％信頼することを意味する。
【００３８】一方、このようなＤＴ＝ＤＴ１×α＋ＤＴ
２×（１−α）の演算結果、第２段階で得ようとする補
正蒸着時間ＤＴは(１２２．５×０．６)＋(１２０×
０．４)=１２１．５ｓｅｃで算出される。演算で算出さ
れた補正蒸着時間ＤＴが蒸着設備３にダウンロードされ
る場合、蒸着設備３は蒸着時間を１２１．５ｓｅｃで再
算定されて次の蒸着工程を進行し、その結果、各バッチ
間の全体的な平均膜厚さ分布は図４に図示されるように
目標膜厚さである１０００Åに密集するようになる。
２×（１−α）の演算結果、第２段階で得ようとする補
正蒸着時間ＤＴは(１２２．５×０．６)＋(１２０×
０．４)=１２１．５ｓｅｃで算出される。演算で算出さ
れた補正蒸着時間ＤＴが蒸着設備３にダウンロードされ
る場合、蒸着設備３は蒸着時間を１２１．５ｓｅｃで再
算定されて次の蒸着工程を進行し、その結果、各バッチ
間の全体的な平均膜厚さ分布は図４に図示されるように
目標膜厚さである１０００Åに密集するようになる。
【００３９】次に、演算モジュール２０は、上述した蒸
着設備３の所定部、例えば、上部Ｂに投入された第１ロ
ットから取得した膜厚さ計測データの値が当該指定され
たスペック、例えば、１１００Å〜９９５Å内にあるか
を判断する(Ｓ２４段階)。この時、蒸着設備３の上部Ｂ
に投入された第１ロットから取得した膜厚さ計測データ
の値がスペック内にあると、演算モジュール２０は、上
述した工程条件データの蒸着温度が適切であると判定し
て工程条件データを保存して(Ｓ２６段階)、蒸着設備３
の上部Ｂに投入された第１ロットから取得した膜厚さ計
測データの値が表１に提示された９９０Åで上述したス
ペック１１００Å〜９９５Å内にないと、演算モジュー
ル２０は後述する第２計算式を通して補正蒸着温度を算
出する(Ｓ２５段階)。このとき、第２計算式はＤＸ＝Ｄ
Ｘ１±ΔＤＸ２で表現される。
着設備３の所定部、例えば、上部Ｂに投入された第１ロ
ットから取得した膜厚さ計測データの値が当該指定され
たスペック、例えば、１１００Å〜９９５Å内にあるか
を判断する(Ｓ２４段階)。この時、蒸着設備３の上部Ｂ
に投入された第１ロットから取得した膜厚さ計測データ
の値がスペック内にあると、演算モジュール２０は、上
述した工程条件データの蒸着温度が適切であると判定し
て工程条件データを保存して(Ｓ２６段階)、蒸着設備３
の上部Ｂに投入された第１ロットから取得した膜厚さ計
測データの値が表１に提示された９９０Åで上述したス
ペック１１００Å〜９９５Å内にないと、演算モジュー
ル２０は後述する第２計算式を通して補正蒸着温度を算
出する(Ｓ２５段階)。このとき、第２計算式はＤＸ＝Ｄ
Ｘ１±ΔＤＸ２で表現される。
【００４０】ここで、ＤＸは補正蒸着温度、ＤＸ１は蒸
着設備３の所定部に投入された第１ロットに進行された
蒸着温度、ΔＤＸ２は補正蒸着温度変位である。
着設備３の所定部に投入された第１ロットに進行された
蒸着温度、ΔＤＸ２は補正蒸着温度変位である。
【００４１】このとき、ΔＤＸ２はＤＸ２＝Δｔ３／
（ＤＲ２±Ｍ）で表現される。ここで、Δｔ３は蒸着設
備の中央部及び蒸着設備の所定部に投入された第１ロッ
トの膜厚さ差、ＤＲ２は各バッチの１℃当り膜蒸着速
度、ＭはＤＲ２の変化傾きである。このとき、前記Ｍは
数１で表現される。
（ＤＲ２±Ｍ）で表現される。ここで、Δｔ３は蒸着設
備の中央部及び蒸着設備の所定部に投入された第１ロッ
トの膜厚さ差、ＤＲ２は各バッチの１℃当り膜蒸着速
度、ＭはＤＲ２の変化傾きである。このとき、前記Ｍは
数１で表現される。
【００４２】ここで、ｍは各バッチ間の温度変化及び厚
さ変化の比、ｎは第１ロットを持つバッチの次数であ
る。このとき、上述したＤＲ２はＤＲ２＝Δｔ／Δｘで
表現される。ここで、Δｔは各バッチ間の膜厚さ変化量
累積総合、Δｘは各バッチ間の蒸着温度変化量累積総合
である。
さ変化の比、ｎは第１ロットを持つバッチの次数であ
る。このとき、上述したＤＲ２はＤＲ２＝Δｔ／Δｘで
表現される。ここで、Δｔは各バッチ間の膜厚さ変化量
累積総合、Δｘは各バッチ間の蒸着温度変化量累積総合
である。
【００４３】以下、前記ＤＸ＝ＤＸ１±ΔＤＸ２、ＤＸ
２＝Δｔ３／（ＤＲ２±Ｍ）、数１、ＤＲ２＝Δｔ／Δ
ｘを用いて本発明の第２段階の演算による補正蒸着温度
算出過程について説明する。この時、各数に代入される
数値は上述のように表１に提示された値に基づく。
２＝Δｔ３／（ＤＲ２±Ｍ）、数１、ＤＲ２＝Δｔ／Δ
ｘを用いて本発明の第２段階の演算による補正蒸着温度
算出過程について説明する。この時、各数に代入される
数値は上述のように表１に提示された値に基づく。
【００４４】まず、演算モジュール２０は、ＤＲ２＝Δ
ｔ／Δｘを通して各バッチの１℃当り膜蒸着速度である
ＤＲ２値を算出する。これによって、各バッチ間の膜厚
さ変化量累積総合Δｔには表１に提示されるように、９
７０Å及び９８０Åの変化量１０と９８０Å及び９９０
Åの変化量１０とが合わせて代入されて、蒸着温度変化
量累積総合Δｘには表１に提示されるように、６２０℃
及び６２５℃の変化量５と６２５℃及び６３０℃の変化
量５とが合わせて代入される。このようなＤＲ２＝Δｔ
／Δｘの演算結果、ＤＲ２は（１０＋１０）／（５＋
５）＝２で算出される。
ｔ／Δｘを通して各バッチの１℃当り膜蒸着速度である
ＤＲ２値を算出する。これによって、各バッチ間の膜厚
さ変化量累積総合Δｔには表１に提示されるように、９
７０Å及び９８０Åの変化量１０と９８０Å及び９９０
Åの変化量１０とが合わせて代入されて、蒸着温度変化
量累積総合Δｘには表１に提示されるように、６２０℃
及び６２５℃の変化量５と６２５℃及び６３０℃の変化
量５とが合わせて代入される。このようなＤＲ２＝Δｔ
／Δｘの演算結果、ＤＲ２は（１０＋１０）／（５＋
５）＝２で算出される。
【００４５】次に、演算モジュール２０は、数１を用い
て上述したＤＲ２の変化の傾きであるＭを算出する。こ
の時、ｎは第１ロットのバッチ次数を示し、上述のよう
に第１ロットはバッチ３に投入されることによりｎは３
を持つ。ここで、上述した表１に提示されるように、数
２は数３即ち、バッチ３以前のｍ値の合わせで演算され
て、バッチ２対比バッチ１のｍ値(６２５−６２０)(９
８０−９７０)及びバッチ３対比バッチ２のｍ値(６３０
−６２５)／(９９０−９８０)は合わせて、数１には５
／１０＋５／１０＝１が代入される。このような数１の
演算結果、Ｍは１／３=０．３４で算出される。
て上述したＤＲ２の変化の傾きであるＭを算出する。こ
の時、ｎは第１ロットのバッチ次数を示し、上述のよう
に第１ロットはバッチ３に投入されることによりｎは３
を持つ。ここで、上述した表１に提示されるように、数
２は数３即ち、バッチ３以前のｍ値の合わせで演算され
て、バッチ２対比バッチ１のｍ値(６２５−６２０)(９
８０−９７０)及びバッチ３対比バッチ２のｍ値(６３０
−６２５)／(９９０−９８０)は合わせて、数１には５
／１０＋５／１０＝１が代入される。このような数１の
演算結果、Ｍは１／３=０．３４で算出される。
【数２】
【数３】
【００４６】次に、演算モジュール２０はＤＸ２＝Δｔ
３／（ＤＲ２±Ｍ）を通してΔＤＸ２の値を算出する。
これによって、Δｔ３には上述した蒸着設備３の中央部
Ａ及び蒸着設備３の上部Ｂに投入された第１ロットの膜
厚さ差、即ち、１０３−９９０＝４０が代入されて、Ｄ
Ｒ２には上述したＤＲ２＝Δｔ／Δｘの演算結果算出さ
れた２が代入されて、Ｍには数１の演算結果算出された
０．３４が代入される。このようなＤＸ２＝Δｔ３／
（ＤＲ２±Ｍ）の演算結果、ΔＤＸ２は４０／(２±
０．３４)＝１７．１で算出される。
３／（ＤＲ２±Ｍ）を通してΔＤＸ２の値を算出する。
これによって、Δｔ３には上述した蒸着設備３の中央部
Ａ及び蒸着設備３の上部Ｂに投入された第１ロットの膜
厚さ差、即ち、１０３−９９０＝４０が代入されて、Ｄ
Ｒ２には上述したＤＲ２＝Δｔ／Δｘの演算結果算出さ
れた２が代入されて、Ｍには数１の演算結果算出された
０．３４が代入される。このようなＤＸ２＝Δｔ３／
（ＤＲ２±Ｍ）の演算結果、ΔＤＸ２は４０／(２±
０．３４)＝１７．１で算出される。
【００４７】次に、演算モジュール２０は、ＤＸ＝ＤＸ
１±ΔＤＸ２を用いて本発明の第２段階で得ようとする
補正蒸着温度ＤＸを算出する。これによって、ＤＸ＝Ｄ
Ｘ１±ΔＤＸ２のＤＸ１には表１に提示されるように、
６３０が代入されて、ΔＤＸ２には上述したＤＸ２＝Δ
ｔ３／（ＤＲ２±Ｍ）の演算結果算出された１７．１が
代入される。このようなＤＸ２＝Δｔ３／（ＤＲ２±
Ｍ）の演算結果、本発明の第２段階で得ようとする補正
蒸着温度ＤＸは６３０±１７．１=６４７．１℃で算出
される。
１±ΔＤＸ２を用いて本発明の第２段階で得ようとする
補正蒸着温度ＤＸを算出する。これによって、ＤＸ＝Ｄ
Ｘ１±ΔＤＸ２のＤＸ１には表１に提示されるように、
６３０が代入されて、ΔＤＸ２には上述したＤＸ２＝Δ
ｔ３／（ＤＲ２±Ｍ）の演算結果算出された１７．１が
代入される。このようなＤＸ２＝Δｔ３／（ＤＲ２±
Ｍ）の演算結果、本発明の第２段階で得ようとする補正
蒸着温度ＤＸは６３０±１７．１=６４７．１℃で算出
される。
【００４８】このとき、本発明の演算で算出された補正
蒸着温度ＤＸが蒸着設備３にダウンロードされる場合、
蒸着設備３は自身の上部に投入されたロットに設定され
る蒸着温度を６４７．１℃で再算定して次の蒸着工程を
進行し、その結果、蒸着設備３の投入位置が異なるロッ
トの全体的な平均膜厚さ分布は、図５に図示されるよう
に、目標膜厚さである１０００Åに密集して均一にな
る。
蒸着温度ＤＸが蒸着設備３にダウンロードされる場合、
蒸着設備３は自身の上部に投入されたロットに設定され
る蒸着温度を６４７．１℃で再算定して次の蒸着工程を
進行し、その結果、蒸着設備３の投入位置が異なるロッ
トの全体的な平均膜厚さ分布は、図５に図示されるよう
に、目標膜厚さである１０００Åに密集して均一にな
る。
【００４９】一方、このような本発明のＳ２０段階の後
には本発明のＳ３０段階が進行される。まず、ホスト１
は自身のデータベース領域に保存されたスペック値を検
索して演算モジュール２０を通して演算、算出された補
正蒸着時間及び補正蒸着温度がスペック内にあるかを判
断する(Ｓ３０段階)。
には本発明のＳ３０段階が進行される。まず、ホスト１
は自身のデータベース領域に保存されたスペック値を検
索して演算モジュール２０を通して演算、算出された補
正蒸着時間及び補正蒸着温度がスペック内にあるかを判
断する(Ｓ３０段階)。
【００５０】この時、上述した補正蒸着時間及び補正蒸
着温度がスペック内にないと、ホスト１は演算モジュー
ル２０が誤り演算を実行したと判定して本発明のＳ４０
段階を進行し、蒸着設備３の制御を通して工程を一時停
止させた後(Ｓ４１段階)、前記結果をＯＩ／ＰＣ２を通
して作業者に表示する。これによって、作業者は問題解
決のための適切な推後措置を迅速に行う(Ｓ４２段階)。
着温度がスペック内にないと、ホスト１は演算モジュー
ル２０が誤り演算を実行したと判定して本発明のＳ４０
段階を進行し、蒸着設備３の制御を通して工程を一時停
止させた後(Ｓ４１段階)、前記結果をＯＩ／ＰＣ２を通
して作業者に表示する。これによって、作業者は問題解
決のための適切な推後措置を迅速に行う(Ｓ４２段階)。
【００５１】反面、上述した補正蒸着時間及び補正蒸着
温度がスペック内にあると、ホスト１は演算モジュール
２０が正常な演算を実行したと判定して、上述したＯＩ
／ＰＣ２に次の蒸着工程が進行される第２ロットの投入
信号が入力されたかを判断する(Ｓ５０段階)。
温度がスペック内にあると、ホスト１は演算モジュール
２０が正常な演算を実行したと判定して、上述したＯＩ
／ＰＣ２に次の蒸着工程が進行される第２ロットの投入
信号が入力されたかを判断する(Ｓ５０段階)。
【００５２】この時、第２ロットの投入信号が入力され
なかった場合には、ホスト１はまだ新たな蒸着工程が開
始されていないと判定して上述したＳ１０段階に進行す
る。第２ロットの投入信号が入力された場合には、ホス
ト１は新たな蒸着工程が開始されたと判定してＯＩ／Ｐ
Ｃ２を通して補正蒸着時間及び補正蒸着温度を表示する
(Ｓ６０段階)。これによって、作業者はホスト１により
算出された補正蒸着時間及び補正蒸着温度を観測してこ
れを次の工程の第２ロットに適用するか否かを判定す
る。
なかった場合には、ホスト１はまだ新たな蒸着工程が開
始されていないと判定して上述したＳ１０段階に進行す
る。第２ロットの投入信号が入力された場合には、ホス
ト１は新たな蒸着工程が開始されたと判定してＯＩ／Ｐ
Ｃ２を通して補正蒸着時間及び補正蒸着温度を表示する
(Ｓ６０段階)。これによって、作業者はホスト１により
算出された補正蒸着時間及び補正蒸着温度を観測してこ
れを次の工程の第２ロットに適用するか否かを判定す
る。
【００５３】次に、ホスト１は上述したＯＩ／ＰＣ２に
作業者修正命令が入力されたかを判断する(Ｓ７０段
階)。この時、ＯＩ／ＰＣ２に作業者修正命令が入力さ
れなかった場合には、ホスト１は演算モジュール２０に
より算出された補正蒸着時間及び補正蒸着温度が次の工
程に適用されると判定してこれを蒸着設備３にダウンロ
ードする(Ｓ８０段階)。これによって、蒸着設備３は蒸
着時間を１２１．５ｓｅｃで再算定するとともに蒸着温
度を６４７．１℃で再算定して次の蒸着工程を迅速に進
行する。
作業者修正命令が入力されたかを判断する(Ｓ７０段
階)。この時、ＯＩ／ＰＣ２に作業者修正命令が入力さ
れなかった場合には、ホスト１は演算モジュール２０に
より算出された補正蒸着時間及び補正蒸着温度が次の工
程に適用されると判定してこれを蒸着設備３にダウンロ
ードする(Ｓ８０段階)。これによって、蒸着設備３は蒸
着時間を１２１．５ｓｅｃで再算定するとともに蒸着温
度を６４７．１℃で再算定して次の蒸着工程を迅速に進
行する。
【００５４】一方、ＯＩ／ＰＣ２に作業者修正命令が入
力された場合には、ホスト１は演算モジュール２０によ
り算出された補正蒸着時間及び補正蒸着温度が次の工程
に適用されなかったと判定して作業者により新たに入力
される修正蒸着時間及び修正蒸着温度の入力を受けてこ
れを蒸着設備３に迅速にダウンロードする(Ｓ９０段
階)。これによって、蒸着設備３は作業者により入力さ
れた修正蒸着時間及び修正蒸着温度によって蒸着時間及
び蒸着温度を再算定して次の蒸着工程を進行する。この
ように、本発明ではホストに演算機能が附与された演算
モジュールを備えてそれを用いて迅速に正確な計測デー
タ分析を行う。
力された場合には、ホスト１は演算モジュール２０によ
り算出された補正蒸着時間及び補正蒸着温度が次の工程
に適用されなかったと判定して作業者により新たに入力
される修正蒸着時間及び修正蒸着温度の入力を受けてこ
れを蒸着設備３に迅速にダウンロードする(Ｓ９０段
階)。これによって、蒸着設備３は作業者により入力さ
れた修正蒸着時間及び修正蒸着温度によって蒸着時間及
び蒸着温度を再算定して次の蒸着工程を進行する。この
ように、本発明ではホストに演算機能が附与された演算
モジュールを備えてそれを用いて迅速に正確な計測デー
タ分析を行う。
【００５５】
【発明の効果】以上のように本発明による半導体製造用
蒸着設備の膜厚さ調節方法によると、ホストに所定の演
算機能を持つ演算モジュールを備えて適切な演算法則を
附与した後、それを用いて計測データの正確な分析が行
われるようにすることにより、一貫したデータ分析を行
い、作業者の業務負担を低減することができる。
蒸着設備の膜厚さ調節方法によると、ホストに所定の演
算機能を持つ演算モジュールを備えて適切な演算法則を
附与した後、それを用いて計測データの正確な分析が行
われるようにすることにより、一貫したデータ分析を行
い、作業者の業務負担を低減することができる。
【図１】本発明の実施例による半導体製造用蒸着設備の
配置形状を示すブロック図である。
配置形状を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施例による半導体製造用蒸着設備の
膜厚さ調節方法を順次的に示すフローチャートである。
膜厚さ調節方法を順次的に示すフローチャートである。
【図３】本発明の実施例による半導体製造用蒸着設備の
膜厚さ調節方法の第２段階を順次的に示すフローチャー
トである。
膜厚さ調節方法の第２段階を順次的に示すフローチャー
トである。
【図４】本発明の実施例によるロットのバッチ単位別平
均膜厚さ分布を概略的に示すグラフである。
均膜厚さ分布を概略的に示すグラフである。
【図５】本発明の実施例によるロットの投入位置別膜厚
さ分布を概略的に示すグラフである。
さ分布を概略的に示すグラフである。
【図６】従来の半導体製造用蒸着設備の配置形状を示す
ブロック図である。
ブロック図である。
【図７】従来の半導体製造用蒸着設備の構造を示す断面
図である。
図である。
【図８】従来のロットの投入位置別膜厚さ分布を概略的
に示すグラフである。
に示すグラフである。
【図９】従来のロットのバッチ単位別平均膜厚さ分布を
概略的に示すグラフである。
概略的に示すグラフである。
１ ホスト ２ ＯＩ／ＰＣ ３ 蒸着設備 ４ 計測設備 ５ 蒸着設備サーバー ６ 計測設備サーバー ２０ 演算モジュール
Claims (12)
- 【請求項１】 バッチ単位で投入され蒸着工程が終了し
た第１ロットの膜厚さ計測データを受信し、前記蒸着工
程に設定された工程条件データを検索する段階と、 前記膜厚さ計測データ及び前記工程条件データに基づい
て所定の補正蒸着時間及び補正蒸着温度を算出する段階
と、 前記補正蒸着時間及び前記補正蒸着温度がスペック内に
あるかを判断する段階と、 前記補正蒸着時間及び前記補正蒸着温度が前記スペック
内にあると、次に蒸着工程が施される第２ロットの投入
信号が入力されたかを判断する段階と、 前記第２ロットの投入信号が入力されなかった場合には
前記工程条件データを検索する段階に移行し、前記第２
ロットの投入信号が入力された場合には前記補正蒸着時
間及び前記補正蒸着温度を表示する段階と、 所定の作業者修正命令が入力されたかを判断する段階
と、 前記作業者修正命令が入力されると、所定の作業者修正
データの入力を受けた後、前記作業者修正データを蒸着
設備にダウンロードする段階と、 を含むことを特徴とする半導体製造用蒸着設備の膜厚さ
調節方法。 - 【請求項２】 前記補正蒸着時間及び前記補正蒸着温度
がスペック内にあるかを判断する段階の後に、前記補正
蒸着時間及び前記補正蒸着温度がスペック内にないと、
前記蒸着工程を一時停止して作業者が所定の措置を実行
する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の
半導体製造用蒸着設備の膜厚さ調節方法。 - 【請求項３】 前記作業者修正命令が入力されたかを判
断する段階の後に、前記作業者修正命令が入力されなか
った場合、前記補正蒸着時間及び前記補正蒸着温度を蒸
着設備にダウンロードする段階をさらに含むことを特徴
とする請求項１記載の半導体製造用蒸着設備の膜厚さ調
節方法。 - 【請求項４】 前記補正蒸着時間及び前記補正蒸着温度
を算出する段階は、前記膜厚さ計測データを加工した後
に前記膜厚さ計測データの平均値が所定の目標値と一致
するかを判断する段階と、 前記膜厚さ計測データの平均値が前記目標値と一致しな
いと所定の第１計算式を用いて前記補正蒸着時間を算出
する段階と、 前記膜厚さ計測データの中で前記蒸着設備の所定部に投
入された前記第１ロットから取得したデータ値がスペッ
ク内にあるかを判断する段階と、 前記第１ロットから取得したデータ値がスペック内にな
いと所定の第２計算式を用いて前記補正蒸着温度を算出
する段階と、 を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体製造用蒸
着設備の膜厚さ調節方法。 - 【請求項５】 前記第１ロットから取得したデータ値が
スペック内にあると、前記工程条件データを保存する段
階をさらに含むことを特徴とする請求項４記載の半導体
製造用蒸着設備の膜厚さ調節方法。 - 【請求項６】 前記膜厚さ計測データの平均値が前記目
標値と一致すると、前記第１ロットから取得したデータ
値がスペック内にあるかを判断する段階に移行すること
を特徴とする請求項４記載半導体製造用蒸着設備の膜厚
さ調節方法。 - 【請求項７】 前記第１計算式は、 ＤＴ＝ＤＴ１×α＋ＤＴ２×（１−α） で与えられ、ここで、ＤＴは補正蒸着時間、ＤＴ１は第
１ロットの目標蒸着時間、ＤＴ２は前工程の蒸着時間、
αは信頼加重値であることを特徴とする請求項４記載の
半導体製造用蒸着設備の膜厚さ調節方法。 - 【請求項８】 前記ＤＴ１は、 ＤＴ１＝ＤＴ３−（ｔ１−ｔ２）／ＤＲ１ で与えられ、ここで、ＤＲ３は第１ロットの実進行蒸着
時間、ｔ１は蒸着設備の中央部に投入された第１ロット
の平均膜厚さ、ｔ２は第１ロットの目標膜厚さ、ＤＲ１
は第１ロットの蒸着速度常数であることを特徴とする請
求項７記載の半導体製造用蒸着設備の膜厚さ調節方法。 - 【請求項９】 前記第２計算式は、 ＤＸ＝ＤＸ１±ΔＤＸ２ で与えられ、ここで、ＤＸは補正蒸着温度、ＤＸ１は蒸
着設備の所定部に投入された第１ロットに適用された蒸
着温度、ΔＤＸ２は補正蒸着温度変位であることを特徴
とする請求項４記載の半導体製造用蒸着設備の膜厚さ調
節方法。 - 【請求項１０】 前記ΔＤＸ２は、 ＤＸ２＝Δｔ３／（ＤＲ２±Ｍ） で与えられ、ここで、Δｔ３は蒸着設備の中央部及び蒸
着設備の所定部に投入された第１ロットの膜厚さ差、Ｄ
Ｒ２は各バッチの１℃当りの膜蒸着速度、ＭはＤＲ２の
変化の傾きであることを特徴とする請求項９記載の半導
体製造用蒸着設備の膜厚さ調節方法。 - 【請求項 １１】 前記Ｍは、 【数１】 で与えられ、ここで、ｍは各バッチ間の温度変化及び厚
さ変化比、ｎは第１ロットを持つバッチの次数であるこ
とを特徴とする請求項１０記載の半導体製造用蒸着設備
の膜厚さ調節方法。 - 【請求項１２】前記ＤＲ２は、 ＤＲ２＝Δｔ／Δｘ で与えられ、ここで、Δtは各バッチ間の膜厚さ変化量
累積総合、Δｘは各バッチ間の蒸着温度変化量累積総合
であることを特徴とする請求項１０記載の半導体製造用
蒸着設備の膜厚さ調節方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1997P74014 | 1997-12-26 | ||
| KR1019970074014A KR100251279B1 (ko) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | 반도체 제조용 증착설비의 막두께 조절방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11354453A true JPH11354453A (ja) | 1999-12-24 |
| JP3859875B2 JP3859875B2 (ja) | 2006-12-20 |
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ID=19528658
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20043798A Expired - Fee Related JP3859875B2 (ja) | 1997-12-26 | 1998-07-15 | 半導体製造用蒸着設備の膜厚さ調節方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6178390B1 (ja) |
| JP (1) | JP3859875B2 (ja) |
| KR (1) | KR100251279B1 (ja) |
| CN (1) | CN1127129C (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6178390B1 (en) * | 1997-12-26 | 2001-01-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for controlling thicknesses of layers formed by deposition equipment for fabricating semiconductor devices |
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| US6708074B1 (en) | 2000-08-11 | 2004-03-16 | Applied Materials, Inc. | Generic interface builder |
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1998
- 1998-07-15 JP JP20043798A patent/JP3859875B2/ja not_active Expired - Fee Related
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