JPH11349547A - フェニルトラン誘導体 - Google Patents
フェニルトラン誘導体Info
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- JPH11349547A JPH11349547A JP15745298A JP15745298A JPH11349547A JP H11349547 A JPH11349547 A JP H11349547A JP 15745298 A JP15745298 A JP 15745298A JP 15745298 A JP15745298 A JP 15745298A JP H11349547 A JPH11349547 A JP H11349547A
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Abstract
きく、△εが大きな液晶化合物、液晶温度範囲が広く且
つ高速応答・低電圧駆動が可能な液晶組成物及びこれを
用いた液晶表示素子を提供する。 【解決手段】 一般式(I) 【化1】 (R:C数1〜10のアルキル基、C数3〜10のアル
ケニル基)のフェニルトラン誘導体、これを含有する液
晶組成物及びこれを用いた液晶表示素子。
Description
用、特に広い温度範囲で低電圧駆動と高速応答が可能な
ネマチック液晶材料として有用な新規液晶化合物であ
る、フェニルトラン誘導体及びそれを含有する液晶組成
物に関する。
して、各種測定機器、自動車用パネル、ワードプロセッ
サー、電子手帳、プリンター、コンピューター、テレビ
等に用いられるようになっている。液晶表示方式として
は、その代表的なものにTN(捩れネマチック)型、S
TN(超捩れネマチック)型、DS(動的光散乱)型、
GH(ゲスト・ホスト)型あるいはFLC(強誘電性液
晶)等があり、また駆動方式としても従来のスタティッ
ク駆動からマルチプレックス駆動が一般的になり、さら
に単純マトリックス方式、最近ではアクティブマトリッ
クス方式が実用化されている。
晶材料としても種々の特性が要求されているが、中でも
応答時間の高速化と駆動電圧の低減は最近特に重要視さ
れている。
れる物性は直接的には(i)粘性を小さくするか、ある
いは(ii)弾性定数を大きくすることである。また、
間接的には、液晶素子の応答を高速化するための手段と
して、(iii)セル厚を薄くすることも非常に有効で
ある。しかしながら、液晶素子においては干渉縞の発生
による着色やむらを防止するために、セル厚(d)と屈
折率異方性(Δn)の積(Δn・d)をある一定の値
(0.5、1.0、1.6、2.2、通常前二者が用いられることが
多い。)に設定する必要がある。従って、セル厚を薄く
するためには液晶材料として屈折率異方性(Δn)が大
きいことが重要である。また、光反射型や光散乱型の液
晶表示素子においては屈折率異方性(Δn)が大きいこ
とはコントラストを大きくするために特に重要である。
可能とするためには、(i)誘電率異方性(Δε)を大
きくすること、あるいは(ii)弾性定数を小さくする
ことが必要である。しかしながら、前述のように弾性定
数を小さくするとその応答性に悪影響がある。
温度範囲で液晶相を示すことも常に重要であり、他の液
晶化合物との相溶性に優れ、相分離を起こすことのない
化合物であることも重要である。
いる液晶化合物としては、例えば一般式(A)
す。)で表されるテルフェニル誘導体等が用いられてき
た。しかし式(A)の化合物を用いることにより応答時
間は速くなるものの、Δnは決して充分大きいとは言え
ず、また他の液晶化合物との相溶性が悪いため、液晶組
成物を調製した場合、室温を含む広い温度範囲で液晶相
を得ることができなかった。
一般式(B)及び一般式(C)の化合物は、Δnは非常
に大きいが、やはり極端に相溶性が悪く液晶材料の構成
成分にはなり得なかった。
す) そこで、他の液晶化合物との相溶性に優れ、しかも、屈
折率異方性(Δn)が充分大きく、かつ誘電率異方性
(Δε)も大きい液晶化合物が望まれている。
する課題は、以上の目的に応じるため、他の液晶化合物
との相溶性に優れ、しかも、屈折率異方性(Δn)が大
きく、かつ誘電率異方性(Δε)も大きなフェニルトラ
ン誘導体である液晶化合物を提供し、さらにこれを用い
て液晶温度範囲が広く、かつ高速応答と低電圧駆動の可
能な液晶組成物を提供することにある。
するために、 1.一般式(I)
ル基又は炭素原子数3〜10のアルケニル基を表す。)
で表されるフェニルトラン誘導体。 2.一般式(I)においてRが炭素原子数1〜7の直鎖
状アルキル基又は炭素原子数4〜7の直鎖状アルケニル
基を表すところの上記1記載のフェニルトラン誘導体。 3.上記1又は2記載の一般式(I)で表されるフェニ
ルトラン誘導体を含有する液晶組成物。 4.上記3記載の液晶組成物を用いることを特徴とする
液晶表示素子。 を上記課題を解決するための手段として見出した。
する。本発明は、上記課題を解決するために、一般式
(I)
る。式中、Rは炭素原子数1〜10のアルキル基又は炭
素原子数3〜10のアルケニル基を表すが、炭素原子数
1〜7の直鎖状アルキル基又は炭素原子数4〜7の直鎖
状アルケニル基が好ましく、アルケニル基としては3−
アルケニル基が好ましく、特に炭素原子数2〜5の直鎖
状アルキル基又は3−ブテニル基が好ましい。
いて製造することができる。即ち、式(II)
下、塩化アセチル又は無水酢酸と反応させ式(III)
物を次亜臭素酸等で酸化することにより式(IV)
を塩化チオニルあるいはオキシ塩化リン等の塩素化剤と
反応させることにより式(V)
は、式(II)の化合物を無水塩化アルミニウム等のル
イス酸存在下、蓚酸ジクロリドと反応させることによっ
ても得ることができる。
させることにより式(VI)
を塩化チオニルあるいはオキシ塩化リン等の脱水剤と反
応させることにより式(VII)
物は、次のような工程でも得ることができる。式(I
I)の化合物をヨウ素と反応させることにより式(VI
II)
合物をシアン化ナトリウム、シアン化カリウム、シアン
化銅等にシアノ化剤と反応させることにより式(VI
I)の化合物を得る。この式(VII)の化合物と一般
式(IX)
意味を表す。)の化合物を遷移金属触媒の存在下反応さ
せることにより、一般式(I)の化合物が得られる。こ
こで用いられる触媒としてはパラジウム系触媒が好まし
く、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(0)
等のパラジウム(0)錯体、及びジクロロビストリフェニ
ルホスフィンパラジウム(II)等のパラジウム(II)錯体を
用いることができるが、特にテトラキストリフェニルホ
スフィンパラジウム(0)が好ましい。銅触媒としては、
特にヨウ化銅(I)が好ましい。溶媒としてはジメチルホ
ルムアミド(DMF)、ジメチルアセトアミド(DM
A)、ジメチルスルホキシド(DMSO)等のいわゆる
非プロトン性極性溶媒、テトラヒドロフラン(TH
F)、ジメトキシエタン(DME)、ジイソプロピルエ
ーテル(IPE)等のエーテル類、トルエン、キシレン
等の炭化水素類、あるいはこれらの混合物が好ましく使
用でき、通常トリエチルアミン等のアミン系溶媒を併用
する。
で表されるフェニルトラン誘導体において、代表的な化
合物をその相転移温度とともに第1表に示す。
をそれぞれ表す。) 一般式(I)の化合物を液晶組成物中に添加することに
より得られる優れた効果は以下の通りである。
下の組成からなる。
通りである。 ネマチック相温度範囲: <−40〜55℃ 屈折率異方性(Δn): 0.092 誘電率異方性(Δε): 6.7 応答時間(τ): 32msec ここで、応答時間(τ)は20℃で、厚さ6μmのTN
セルに封入し立ち上がり(τr)と立ち下がり(τd)
の時間が同じになる電圧を印加したときの測定した値で
ある。
%からなる液晶組成物(H−1)の特性値は以下の通り
であった。 ネマチック相温度範囲: −50〜84℃ 屈折率異方性(Δn): 0.162 誘電率異方性(Δε): 9.0 応答時間(τ): 22msec 従って、ネマチック相上限温度(TN-I)が約30℃上
昇し、低温域は−50まで拡大している。また、Δnは
1.8倍に、Δεは1.3倍に上昇し、さらには応答時
間が30%速くなっている。
ェニル誘導体(A−1)
%からなる比較組成物(H−A)を調製した。この組成
物の特性値は以下の通りであった。 ネマチック相温度範囲: 23〜87℃ 屈折率異方性(Δn): 0.147 誘電率異方性(Δε): 8.9 応答時間(τ): 24msec これを(M−1)と比較するとTN-Iについては(M−
1)より優れているが、融点が大きく上昇してしまって
いる。また、Δn、Δεの上昇の程度及び応答時間の高
速化は(I−1)の化合物に及ばないことがわかる。
1)及び(B−1)
及びホスト液晶(H)80重量%からなる組成物(M−
B)、式(C−1)の化合物20重量%及びホスト液晶
(H)80重量%からなる組成物(M−C)を調製した
が、いずれも室温で即座に結晶が析出し、特性値の測定
はできなかった。
晶組成物との相溶性に優れており、非常に実用的である
ことがわかる。一般式(I)のフェニルトラン誘導体
は、他のネマチック液晶化合物との混合物の状態で、T
N型あるいはSTN型等の電界効果型表示セル用とし
て、特に液晶温度範囲が広く高速応答性の材料として好
適に使用することができる。本発明はこのように一般式
(I)で表されるフェニルトラン誘導体の少なくとも1
種類をその構成成分として含有する液晶組成物をも提供
するものである。
合して使用することのできるネマチック液晶化合物の好
ましい代表例としては、例えば、4−置換安息香酸4−
置換フェニル、4−置換シクロヘキサンカルボン酸4−
置換フェニル、4−置換シクロヘキサンカルボン酸4’
−置換ビフェニリル、4−(4−置換シクロヘキサンカ
ルボニルオキシ)安息香酸4−置換フェニル、4−(4
−置換シクロヘキシル)安息香酸4−置換フェニル、4
−(4−置換シクロヘキシル)安息香酸4−置換シクロ
ヘキシル、4,4’−置換ビフェニル、1−(4−置換
シクロヘキシル)−4−置換ベンゼン、4,4’−置換
ビシクロヘキサン、1−[2−(4−置換シクロヘキシ
ル)エチル]−4−置換ベンゼン、1−(4−置換シク
ロヘキシル)−2−(4−置換シクロヘキシル)エタ
ン、4,4”−置換ターフェニル、4−(4−置換シク
ロヘキシル)−4’−置換ビフェニル、4−[2−(4
−置換シクロヘキシル)エチル]−4’−置換ビフェニ
ル、4−(4−置換フェニル)−4’−置換ビシクロヘ
キサン、4−[2−(4−置換シクロヘキシル)エチ
ル]−4’−置換ビフェニル、4−[2−(4−置換シ
クロヘキシル)エチル]シクロヘキシル−4’−置換ベ
ンゼン、4−[2−(4−置換フェニル)エチル]−
4’−置換ビシクロヘキサン、1−(4−置換フェニル
エチニル)−4−置換ベンゼン、1−(4−置換フェニ
ルエチニル)−4−(4−置換シクロヘキシル)ベンゼ
ン、2−(4−置換フェニル)−5−置換ピリミジン、
2−(4’−置換ビフェニリル)−5−置換ピリミジン
及び上記各化合物においてベンゼン環が側方置換基を有
する化合物等を挙げることができる。
説明する。しかし、本発明はこれらの実施例に限定され
るものではない。
(NMR)、質量スペクトル(MS)及び赤外吸収スペ
クトル(IR)により確認した。また、組成物の%は重
量%を表す。 (実施例1) 2−フルオロ−4−(4−プロピルフェ
ニルエチニル)−4’−シアノビフェニル(第1表の式
(I−1)の化合物)の合成 (1−a) 2−フルオロ−4−ブロモ−4’−シアノ
ビフェニルの合成
メタン400mlに懸濁させ、2−フルオロ−4−ブロ
モビフェニル300g及びシュウ酸ジクロリド182g
のジクロロメタン1400ml溶液を室温で2時間かけ
て滴下した。滴下終了後さらに3時間撹拌し、反応液を
氷1500g及び塩酸1500mlに撹拌しながら加え
た。有機層を分離し、水層をジクロロメタン500ml
で2回抽出し、抽出液をあわせ、無水硫酸マグネシウム
で乾燥した。無水硫酸マグネシウムを濾別し、氷零下撹
拌しながらアンモニアガスを吸収しなくなるまで反応液
中に吹き込んだ。析出した結晶を濾過し、少量のジクロ
ロメタンで洗浄し、結晶を減圧乾燥し、4−(2−フル
オロ−4−ブロモフェニル)ベンズアミド390gを得
た。これをDMF1200mlに一部溶解し、氷冷し液
温が10℃を越えないようにオキシ塩化リン220gを
滴下した。滴下終了後、さらに室温で1時間撹拌し、反
応液を氷1000gに加え、トルエン1500mlで抽
出した。有機層を分離し、無水硫酸ナトリウムで乾燥
し、無水硫酸ナトリウムを分離し、溶媒を留去し、2−
フルオロ−4−ブロモ−4’−シアノビフェニル298
gを得た。 (I−b) 2−フルオロ−4−(4−プロピルフェニ
ルエチニル)−4’−シアノビフェニルの合成
ブロモ−4’−シアノビフェニル10.0g及び4−エ
チニル−1−プロピルベンゼン6.3gをDMF40m
l及びトリエチルアミン10mlに溶解し、テトラキス
トリフェニルホスフィンパラジウム(0)0.4g及びヨ
ウ化銅(I)0.1gを加え、60℃で3時間撹拌した。
水及び10%塩酸を加え、水層を分離後、酢酸エチルで
抽出し、有機層をあわせ、10%塩酸、水次いで飽和食
塩水で洗滌した。無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥させた
後、溶媒を溜去して2−フルオロ−4−(4−プロピル
フェニルエチニル)−4’−シアノビフェニルの粗結晶
13.5gを得た。これをシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー(トルエン)で精製し、さらにエタノールから
再結晶させて精製物5.0gを得た。この化合物の融点
は110℃で243℃までネマチック相を示し、それ以
上の温度で等方性液体相となった。
ニル−1−プロピルベンゼンに換えて、他の4−エチニ
ル−1−アルキルベンゼン又は4−エチニル−1−アル
ケニルベンゼンを用いることにより、同様にして以下の
化合物を得た。
エチニル)−4’−シアノビフェニル 2−フルオロ−4−(4−ブチルフェニルエチニル)−
4’−シアノビフェニル 2−フルオロ−4−(4−ペンチルフェニルエチニル)
−4’−シアノビフェニル 2−フルオロ−4−[4−(3−ブテニル)フェニルエ
チニル]−4’−シアノビフェニル (実施例2) 液晶組成物の調製 汎用のホスト液晶(H)
はは以下の通りであった。 ネマチック相温度範囲: <−40〜55℃ 屈折率異方性(Δn): 0.092 誘電率異方性(Δε): 6.7 応答時間(τ): 32msec ここで、応答時間は立ち上がり時間(τr)と立ち下が
り時間(τd)が等しくなる電圧印加時の測定値であ
る。
施例1で得た本発明の化合物である式(I―1)
1)を調製した。この組成物の物性値及び電気光学的特
性は以下の通りであった。 ネマチック相温度範囲: −50〜84℃ 屈折率異方性(Δn): 0.162 誘電率異方性(Δε): 9.0 応答時間(τ): 22msec 従って、ネマチック相上限温度(TN-I)が約30℃上
昇し、低温域は−50まで拡大している。また、Δnは
1.8倍に、Δεは1.3倍に上昇し、さらには応答時
間が30%速くなっている。 (参考例1)これに対して、ターフェニル誘導体である
化合物(A−1)
なる比較組成物(H−A)を調整した。同様にして測定
したこの組成物の特性値は以下の通りであった。 ネマチック相温度範囲: 23〜87℃ 屈折率異方性(Δn): 0.147 誘電率異方性(Δε): 8.9 応答時間(τ): 24msec これを(M−1)と比較するとTN-Iについては(M−
1)より優れているが、融点が大きく上昇してしまって
いる。また、Δn、Δεの上昇の程度及び応答時間の高
速化は(I−1)の化合物に及ばないことがわかる。 (比較例1)次に、一般式(I―1)と類似の骨格を有
するが、フッ素原子を含まないフェニルトラン誘導体で
ある(B−1)及び(C−1)
1)の化合物20%及びホスト液晶(H)80%からな
る組成物(M−B)、式(C−1)の化合物20%及び
ホスト液晶(H)80%からなる組成物(M−C)を各
々調製したが、室温にもどしたところ即座に結晶が析出
し、特性を測定することはできなかった。
合物は、相溶性において化合物(B)あるいは化合物
(C)より優れた効果を示すことが明らかである。
ン誘導体は、実施例にも示したように工業的にも容易に
製造することができる。得られたフェニルトラン誘導体
は、従来から知られている同様あるいは類似骨格を有す
る液晶性化合物と比較して、大きな屈折率異方性(Δ
n)及び誘電率異方性(Δε)を有し、液晶性に極めて
優れ、かつ応答性の改善にも大きい効果を有する。
物に対する溶解性に優れ、かつ化学的にも安定である。
従って、それを含有する液晶組成物は実用的液晶として
特に広い温度範囲で高速応答かつ低電圧駆動を必要とす
る液晶表示用材料として極めて有用である。
Claims (4)
- 【請求項1】 一般式(I) 【化1】 (式中、Rは炭素原子数1〜10のアルキル基又は炭素
原子数3〜10のアルケニル基を表す。)で表されるフ
ェニルトラン誘導体。 - 【請求項2】 一般式(I)においてRが炭素原子数1
〜7の直鎖状アルキル基又は炭素原子数4〜7の直鎖状
アルケニル基を表すところの請求項1記載のフェニルト
ラン誘導体。 - 【請求項3】 請求項1又は2記載の一般式(I)で表
されるフェニルトラン誘導体を含有する液晶組成物。 - 【請求項4】 請求項3記載の液晶組成物を用いること
を特徴とする液晶表示素子。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP15745298A JP4314643B2 (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | フェニルトラン誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15745298A JP4314643B2 (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | フェニルトラン誘導体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11349547A true JPH11349547A (ja) | 1999-12-21 |
JP4314643B2 JP4314643B2 (ja) | 2009-08-19 |
Family
ID=15649975
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15745298A Expired - Lifetime JP4314643B2 (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | フェニルトラン誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4314643B2 (ja) |
-
1998
- 1998-06-05 JP JP15745298A patent/JP4314643B2/ja not_active Expired - Lifetime
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