JP3668990B2 - ３−置換フェニルアセチレン誘導体 - Google Patents

Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は電気光学的液晶表示材料として有用な３−置換フェニルアセチレン誘導体である新規化合物及びそれを用いた液晶組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示素子は、時計、電卓をはじめとして、各種測定機器、自動車用パネル、ワープロ、電子手帳、プリンター、コンピューター、テレビ等に用いられるようになっている。液晶表示方式としては、その代表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、ＳＴＮ（超捩れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、ＧＨ（ゲスト・ホスト）型あるいはＦＬＣ（強誘電性液晶）等が知られているが、このうち現在最もよく用いられているのはＴＮ型及びＳＴＮ型である。また駆動方式としても従来のスタティック駆動からマルチプレックス駆動が一般的になり、更に単純マトリックス方式、最近ではアクティブマトリックス方式が実用化されている。これらのうち、アクティブマトリックス方式によると、最も高画質の表示が可能であり、視野角が広く、高精細化及びカラー化が容易で、動画表示も可能であるので、今後の液晶表示方式の主流になると考えられている。
【０００３】
このアクティブマトリックス表示方式に用いられる液晶材料としては、通常の液晶表示と同様に、種々の特性が要求されているが、特に以下の４点は重要である。（１）比抵抗が高く、電圧の保持率に優れること。（２）しきい値電圧（Ｖ_th）が低いこと。（３）液晶相を示す温度範囲が広いこと。（４）適当な屈折率異方性（Δｎ）を有すること。
【０００４】
通常、液晶表示におけるしきい値電圧は式（１）
【０００５】
【数１】

【０００６】
（式中、ｋは比例定数を、Ｋは弾性定数を、Δεは誘電率異方性をそれぞれ表わす。）で表わされるが、この式からわかるようにしきい値電圧を低減するためには弾性定数を小さくするか、あるいは誘電率異方性を大きくする必要がある。
【０００７】
誘電率異方性の大きい液晶化合物は一般にシアノ基を有することが多いが、このような化合物では、高い比抵抗値や高い電圧保持率を得ることは困難である。そこで、シアノ基を用いずに誘電率異方性を大きくするために、フッ素系の液晶材料が用いられており、シアノ基に匹敵する誘電率異方性を示すためには、液晶骨格中に多数のフッ素原子を導入する必要がある。しかしながら、液晶分子に４個以上のフッ素を効果的に導入するためには、骨格中に通常２個以上のベンゼン環が必要であり、このような構造を有する化合物では屈折率異方性が大きくなりすぎる傾向にあった。３重結合の両端にベンゼン環を２個持つトラン系化合物においても屈折率異方性が大きくなりすぎる傾向にあり、またこれらの化合物は他の液晶化合物との相溶性が悪いために析出、相分離を生じやすく、温度範囲の広い組成物を得ることが困難であった。
【０００８】
一方、しきい値電圧を低下させるためには弾性定数を小さくすることも有効である。しかしながら、弾性定数の小さい化合物は一般に２環性であり、それを添加することによって、組成物の液晶相の上限温度を大幅に低下させてしまう傾向を有するものがほとんどである。一方、３環性あるいは４環性の化合物では、添加により液晶組成物の液晶相の上限温度を低下させることは少ないが、このような化合物は一般に弾性定数の大きいものが多く、添加によってしきい値電圧を上昇させる傾向を有している。
【０００９】
液晶相を示す温度範囲を低下することなく、しきい値電圧を低減することのできる化合物として、３，４，５−トリフルオロフェニル基を有する化合物が知られている。しかしながら、この誘導体では、組成物のしきい値電圧の低減効果は充分とは言えなかった。
【００１０】
また、液晶表示素子においては干渉縞の発生を避けるため、屈折率異方性（Δｎ）とセル厚（ｄ）との積（Δｎ・ｄ）を特定の値に設定する必要があるが、アクティブマトリクス表示方式では通常、いわゆるファーストミニマムの条件（Δｎ・ｄ＝０．５）が用いられることが多い。この表示方式を用いた場合、セルの厚さはある程度以上薄くすることは技術的に困難であるので、屈折率異方性が小さい化合物が必要であり、組成物としての屈折率異方性は、０．０８前後に調製する必要がある。
【００１１】
以上のように、上記の特性を兼ね備えたアクティブマトリックス用液晶組成物を得ることはかなり困難であった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が解決しようとする課題は、化学的に安定であって、添加により液晶材料の液晶相の温度範囲を狭くすることなく、しきい値電圧を効果的に低下させ、高い比抵抗と電圧保持率を容易に得ることができ、屈折率異方性を小さくする新規化合物を提供することにある。
【００１３】
更に、その化合物を含有し、液晶相の温度範囲が広く、且つしきい値電圧の低い液晶組成物を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するために、一般式（Ｉ）
【００１５】
【化２】

【００１６】
（式中、Ｒ¹は炭素原子数１〜１６のアルキル基又はアルコキシル基、炭素原子数２〜１６のアルケニル基、炭素原子数３〜１６のアルケニルオキシ基、又は炭素原子数１〜１０のアルコキシル基で置換された炭素原子数１〜１２のアルキル基を表わし、環Ａ及び環Ｂはそれぞれ独立的にフッ素原子により置換されていてもよい１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、トランス−１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ピラジン−２，５−ジイル基又はピリダジン−３，６−ジイル基を表わし、Ｙ¹及びＹ²はそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−（ＣＨ₂）₄−又は−Ｃ≡Ｃ−を表わし、ｍは０又は１を表わし、ｎは０〜２を表わし、Ｘ¹、Ｘ²及びＸ³はそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を表わし、Ｚ¹はフッ素原子、塩素原子、トリフルオロメトキシ基、トリフルオロメチル基、ジフルオロメトキシ基、水素原子、２，２，２−トリフルオロエトキシ基、−Ｒ²又は−ＯＲ²を表わし、Ｒ²は炭素原子数１〜１２の直鎖状アルキル基又は炭素原子数２〜１２の直鎖状アルケニル基を表わす。）で表わされる化合物を提供する。
【００１７】
本発明に係わる一般式（Ｉ）のうち、Ｒ¹が炭素原子数１〜１２の直鎖状アルキル基又は炭素原子数２〜１２の直鎖状アルケニル基であり、環Ａ及び環Ｂがそれぞれ独立的にフッ素原子により置換されていてもよい１，４−フェニレン基又はトランス−１，４−シクロヘキシレン基を表わし、Ｙ¹及びＹ²がそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ₂ＣＨ₂−又は−Ｃ≡Ｃ−を表わし、Ｚ¹がフッ素原子、塩素原子、トリフルオロメトキシ基、トリフルオロメチル基、水素原子、Ｒ²又は−ＯＲ²を表わし、Ｒ²が炭素原子数１〜５の直鎖状アルキル基を表わすことを特徴とする前記一般式（Ｉ）の化合物が好ましい。
【００１８】
この中でも、Ｒ¹が炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基又は炭素原子数２〜７の直鎖状アルケニル基を表わし、環Ａがトランス−１，４−シクロヘキシレン基を表わし、環Ｂがフッ素原子により置換されていてもよい１，４−フェニレン基又はトランス−１，４−シクロヘキシレン基を表わし、Ｙ¹が単結合、−ＣＨ₂ＣＨ₂−又は−Ｃ≡Ｃ−を表わし、Ｙ²が単結合を表わすことを特徴とする前記一般式（Ｉ）の化合物が好ましい。
【００１９】
更には、環Ａ及び環Ｂが共にトランス−１，４−シクロヘキシレン基であり、Ｚ¹がフッ素原子又は水素原子を表わすことを特徴とする前記一般式（Ｉ）の化合物がより好ましい。
【００２０】
更に詳細には、Ｘ¹、Ｘ²及びＺ¹のうち、少なくとも２個がフッ素原子である化合物が好ましく、このとき、Ｘ³がフッ素原子であることが好ましい。また、このとき、ｎが０であることが好ましく、更に、Ｙ¹が単結合であることがより好ましく、また、これらの場合、Ｒ¹が炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基であることがより好ましい。
【００２１】
一般式（Ｉ）の化合物は、例えば以下のようにして製造することができる。即ち、一般式（ＩＩ）
【００２２】
【化３】

【００２３】
（式中、Ｒ¹、Ｙ¹、Ｙ²、Ｘ³、環Ａ、環Ｂ及びｍは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わす。）で表わされる化合物をハロゲン化し、一般式（ＩＩＩ）
【００２４】
【化４】

【００２５】
（式中、Ｒ¹、Ｙ¹、Ｙ²、Ｘ³、環Ａ、環Ｂ及びｍは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わし、Ｘ⁴は臭素又はヨウ素を表わす。）で表わされる化合物を得る。反応は、ブチルリチウム等のアルキル金属化合物を反応させることにより芳香環の３位をメタル化し、ヨウ素、臭素等を反応させるか、ヨウ素あるいは臭素を直接反応させてもよく、もしくは、ニトロ化した後還元してアニリン誘導体として次いでこれをジアゾ分解（Sandmeyer反応）することで行う。
【００２６】
【化５】

【００２７】
（式中、Ｘ¹、Ｘ²、Ｚ¹及びｎは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わす。）
上記の一般式（ＩＩＩ）の化合物と、一般式（ＩＶ）で表わされる置換フェニルアセチレン誘導体を、パラジウム触媒及び銅触媒存在下に溶媒中で反応させることにより、一般式（Ｉ）で表わされる３−置換フェニルアセチレン誘導体を得ることができる。パラジウム触媒としては、例えばジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム(ＩＩ)等のパラジウム(ＩＩ)錯体あるいはテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム(0)等のパラジウム(0)錯体が好ましく、銅触媒としては、例えばヨウ化銅(Ｉ)等の銅(Ｉ)塩が好ましい。溶媒としては非プロトン性極性溶媒が好ましく、特にジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）が好ましい。また、アミン系溶媒を共存させることが特に好ましく、アミン系溶媒としては例えばトリエチルアミンが好ましい。
【００２８】
上記の製造方法を更に詳しく述べる。
ｎ＝１，２の場合
【００２９】
【化６】

【００３０】
（式中、Ｘ¹、Ｘ²及びＺ¹は一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わし、ｎは１又は２を表わし、Ｘ⁵は臭素又はヨウ素原子を表わし、Ｍ¹はリチウムもしくはナトリウムを表わす。）
一般式（Ｖ）においてｎ＝１，２で表わされるハロゲン化ベンジルもしくはフェネチル化合物と一般式（ＶＩ）のアルカリ金属アセチリドを適当な溶媒中で反応させることによって一般式（ＩＶ）においてｎ＝１，２で表わされる化合物を得ることができる。アルカリ金属としては、リチウムもしくはナトリウムが好ましい。
ｎ＝０の場合
【００３１】
【化７】

【００３２】
（式中、Ｘ¹、Ｘ²及びＺ¹は一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わし、Ｘ⁵は臭素又はヨウ素原子を表わす。）
一般式（Ｖ）においてｎ＝０で表わされるハロゲン化フェニル化合物と、２−メチル−３−ブチン−２−オール（ＶＩＩ）を一般式（Ｉ）の化合物の合成と同様な条件で反応させて一般式（ＶＩＩＩ）とした後アセトンを脱離することによって得ることができる。
【００３３】
また一般式（Ｉ）の化合物は次の方法によっても合成することができる。
【００３４】
【化８】

【００３５】
（式中、Ｒ¹、Ｙ¹、Ｙ²、Ｘ³環Ａ、環Ｂ及びｍは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わす。）
一般式（ＩＩＩ）の化合物と、一般式（ＶＩＩＩ）の化合物をパラジウム触媒及び銅触媒存在下に溶媒中で反応させた後アセトンを脱離することによって一般式（ＩＸ）の化合物を得る。
【００３６】
以下、ｎの違いにより製造方法を示す。
【００３７】
【化９】

【００３８】
（式中、Ｍ¹はリチウムもしくはナトリウムを表わす。）
ｎ＝１あるいは２の場合、一般式（ＩＸ）の化合物をアルカリ金属アセチリドとした後、一般式（Ｖ）においてｎ＝１，２で表わされるハロゲン化ベンジルもしくはフェネチル化合物と適当な溶媒中で反応させることによって得ることができる。アルカリ金属としては、リチウムもしくはナトリウムが好ましい。
【００３９】
【化１０】

【００４０】
ｎ＝０の場合一般式（ＩＸ）の化合物と一般式（ＶＩ）で表わされるハロゲン化フェニル化合物をパラジウム触媒及び銅触媒存在下に溶媒中で反応させることによっても得ることができる。
【００４１】
斯くして製造された一般式（Ｉ）で表わされる化合物の代表例を第１表に掲げる。
【００４２】
【表１】

【００４３】
（表中、Ｃは結晶相を、Ｉは等方性液体相をそれぞれ表わす。）
第１表からわかるように、一般式（Ｉ）で表わされる化合物は、化合物単独では液晶相を示さない。これは一般式（Ｉ）の化合物が、２，３−ジ置換−１，５−フェニレン基という極めて折れ曲がった構造を骨格中に有することによる。通常の液晶化合物はその中心骨格が、１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基に代表わされるように、極めて直線性に優れた環構造から構成され、一般式（Ｉ）のような構造を有する化合物はこれまでほとんど注目されていなかった。しかしながら、一般式（Ｉ）の化合物は液晶性こそ低いけれども、通常の母体液晶との相溶性には非常に優れており、添加した場合の液晶相上限温度の低下はそれほど大きいものではない。しかも後述するように、その添加によって組成物のしきい値電圧を極めて効果的に低減することが可能であり、更に分子内にフェニルアセチレン骨格とベンゼン環を含有しているにもかかわらず、屈折率異方性が極めて小さい等の特徴を有している。
【００４４】
従って、一般式（Ｉ）で表わされる化合物は、他のネマチック液晶化合物との混合物の状態で、特にＴＮ型あるいはＳＴＮ型といった電界効果型表示セルの材料として、好適に使用することができる。しかも、一般式（Ｉ）で表わされる化合物は、その分子内にシアノ基やエステル結合などの強い極性基を有さないため、大きい比抵抗と高い電圧保持率を得ることが容易である。そのため、アクティブマトリックス駆動用液晶材料の構成成分として特に適している。本発明はこのように一般式（Ｉ）で表わされる化合物の少なくとも１種類をその構成成分として含有する液晶組成物をも提供するものである。
【００４５】
この組成物中において、一般式（Ｉ）で表わされる化合物と混合して使用することのできるネマチック液晶化合物の好ましい代表例としては、例えば、４−置換安息香酸４−置換フェニル、４−置換シクロヘキサンカルボン酸４−置換フェニル、４−置換シクロヘキサンカルボン酸４’−置換ビフェニリル、４−（４−置換シクロヘキサンカルボニルオキシ）安息香酸４−置換フェニル、４−（４−置換シクロヘキシル）安息香酸４−置換フェニル、４−（４−置換シクロヘキシル）安息香酸４−置換シクロヘキシル、４，４’−置換ビフェニル、１−（４−置換シクロヘキシル）−４−置換ベンゼン、４，４’−置換ビシクロヘキサン、１−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４−置換ベンゼン、１−（４−置換シクロヘキシル）−２−（４−置換シクロヘキシル）エタン、４，４”−置換ターフェニル、４−（４−置換シクロヘキシル）−４’−置換ビフェニル、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４’−置換ビフェニル、４−（４−置換フェニル）−４’−置換ビシクロヘキサン、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４’−置換ビフェニル、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］シクロヘキシル−４’−置換ベンゼン、４−［２−（４−置換フェニル）エチル］−４’−置換ビシクロヘキサン、１−（４−置換フェニルエチニル）−４−置換ベンゼン、１−（４−置換フェニルエチニル）−４−（４−置換シクロヘキシル）ベンゼン、２−（４−置換フェニル）−５−置換ピリミジン、２−（４’−置換ビフェニリル）−５−置換ピリミジン及び上記各化合物においてベンゼン環が側方置換基を有する化合物等を挙げることができる。
【００４６】
このうちアクティブマトリックス駆動用としては４，４’−置換ビフェニル、１−（４−置換シクロヘキシル）−４−置換ベンゼン、４，４’−置換ビシクロヘキサン、１−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４−置換ベンゼン、１−（４−置換シクロヘキシル）−２−（４−置換シクロヘキシル）エタン、４，４”−置換ターフェニル、４−（４−置換シクロヘキシル）−４’−置換ビフェニル、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４’−置換ビフェニル、４−（４−置換フェニル）−４’−置換ビシクロヘキサン、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４’−置換ビフェニル、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］シクロヘキシル−４’−置換ベンゼン、４−［２−（４−置換フェニル）エチル］−４’−置換ビシクロヘキサン、１−（４−置換フェニルエチニル）−４−置換ベンゼン、１−（４−置換フェニルエチニル）−４−（４−置換シクロヘキシル）ベンゼン及び上記においてベンゼン環が弗素置換されている化合物が適している。
【００４７】
一般式（Ｉ）の化合物を添加することによるしきい値電圧の低減効果は以下のように明らかである。
ネマチック液晶材料として好適な母体液晶（Ｂ）
【００４８】
【化１１】

【００４９】
（式中、シクロヘキサン環はトランス配置を表わし、「％」は「重量％」を表わす。）は１１６．７℃以下でネマチック相を示し、誘電率異方性（Δε）は４．７であり、これを用いて作製したセル厚６μｍのＴＮセルのしきい値電圧（Ｖ_th）は２．１４Ｖであった。また、屈折率異方性（Δｎ）は０．０９０であった。
【００５０】
この母体液晶（Ｂ）８５重量％及び第１表中の（Ｎｏ．１）の化合物１５重量％からなる液晶組成物（Ｍ−１）を調製した。この（Ｍ−１）のネマチック相の上限温度は７７．１℃と低くなったが、Δεは５．７と大きくなった。同様にしてＶ_thを測定したところ、１．４９Ｖと３０％も低減することができた。また、Δｎは０．０８３と０．００７も小さくなった。更に、この組成物の比抵抗を測定したところ１０¹²Ωｃｍ以上と大きく、このセルの電圧保持率は高いものであった。
【００５１】
これに対し、母体液晶（Ｂ）８５重量％及び（Ｎｏ．１）の化合物と類似構造を有する式（Ｒ−１）
【００５２】
【化１２】

【００５３】
の化合物１５重量％からなる液晶組成物（Ｎ−１）を調製した。この（Ｎ−１）のネマチック相の上限温度は１１０．０℃と（Ｍ−１）よりかなり高くなり、Δεは７．５と（Ｍ−１）より大きくなった。しかしながら、同様にしてＶ_thを測定したところ、１．８５Ｖであり、（Ｍ−１）と比較すると０．３６Ｖも高くなった。また、Δｎは０．１０７と母体液晶（Ｂ）より２０％近くも大きくなってしまい、（Ｍ−１）と比較すると３０％も大きくなってしまった。
【００５４】
次に、この母体液晶（Ｂ）８５重量％及び第１表中の（Ｎｏ．２）の化合物１５重量％からなる液晶組成物（Ｍ−２）を調製した。この（Ｍ−２）のネマチック相の上限温度は１００．５℃とやや低くなり、Δεは５．４と大きくなった。同様にしてＶ_thを測定したところ、１．８１Ｖと０．３３も低減することができた。また、Δｎは０．０８９であり母体液晶（Ｂ）と同程度であった。この組成物の比抵抗を測定したところ１０¹²Ωｃｍ以上と大きく、このセルの電圧保持率は非常に高かった。
【００５５】
これに対し、母体液晶（Ｂ）８５重量％及び（Ｎｏ．２）の化合物と類似構造を有する式（Ｒ−２）
【００５６】
【化１３】

【００５７】
の化合物１５重量％からなる液晶組成物（Ｎ−２）を調製した。この（Ｎ−２）のネマチック相の上限温度は１２８．９℃と（Ｍ−２）より高くなり、Δεは６．７と大きくなった。しかしながら、同様にしてＶ_thを測定したところ、２．０７Ｖであり、（Ｍ−２）と比較すると０．２６Ｖも高くなった。また、そのΔｎは０．１０２と母体液晶（Ｂ）より１３％も大きくなった。
【００５８】
以上の結果から、一般式（Ｉ）で表わされる化合物はネマチック液晶用材料のしきい値電圧及び屈折率異方性の低減に大きな効果を有することが明らかである。また、電圧保持率が高いことから、アクティブマトリックス用液晶材料としても有用である。
【００５９】
【実施例】
以下に本発明の実施例を示し、本発明を更に説明する。しかし、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００６０】
なお、相転移温度の測定は温度調節ステージを備えた偏光顕微鏡及び示差走査熱量計（ＤＳＣ）を併用して行った。また、化合物の構造は核磁気共鳴スペクトル（¹Ｈ−ＮＭＲ）、質量スペクトル（ＭＳ）等により確認した。ＮＭＲにおけるＣＤＣｌ₃は溶媒を表わし、ｓは１重線、ｄは２重線、ｔは３重線、ｍは多重線を表わし、また例えばｔｔは３重の３重線を表わし、Ｊはカップリング定数を表わす。ＭＳにおけるＭ⁺は親ピークを表わす。（）内はそのピークの相対強度を表わす。組成物における「％」は「重量％」を表わす。
（実施例１） １−（３，４，５−トリフルオロフェニル）エチニル−５，６−ジフルオロ−３−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ベンゼンの合成（第１表Ｎｏ．１の化合物）の合成
【００６１】
【化１４】

【００６２】
（１−ａ） １−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−３，４−ジフルオロ−５−ヨードベンゼンの合成
１−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−３，４−ジフルオロベンゼン１５．０ｇをテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）８０ｍｌに溶解し、−５０℃に冷却した。ここに、窒素雰囲気下に、ｎ−ブチルリチウム（１．７１Ｍ、ｎ−ヘキサン溶液）４４ｍｌを２０分間で滴下し、同温度で１時間攪拌した。攪拌後、ヨウ素１８．９ｇのＴＨＦ４５ｍｌ溶液を同温度で２０分間で滴下し、−５０℃で３０分間攪拌した。ここに水５０ｍｌを加えた後、室温にもどし、稀塩酸を加えて中和し、有機層を分離後、水層から１００ｍｌのヘキサンで抽出した。有機層を併せ、水、次いで飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を溜去し得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）を用いて精製して、１−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−３，４−ジフルオロ−５−ヨードベンゼン２１．１ｇを得た。
（１−ｂ） １−（３，４，５−トリフルオロフェニル）エチニル−５，６−ジフルオロ−３−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ベンゼンの合成
上記（１−ａ）で得た１−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−３，４−ジフルオロ−５−ヨードベンゼン１０．０ｇ及び１−エチニル−３，４，５−トリフルオロベンゼン６．３８ｇをＤＭＦ５０ｍｌ及びトリエチルアミン１０ｍｌに溶解し、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム(ＩＩ)４００ｍｇ及びヨウ化銅(Ｉ)５１９ｍｇを加え、２時間攪拌した。放冷後、水１００ｍｌを加え、トルエン１００ｍｌで抽出し、稀塩酸、水次いで飽和食塩水で洗滌した。無水硫酸ナトリウムで乾燥し溶媒を溜去して得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）を用いて精製し、更にエタノールから２回再結晶して、１−（３，４，５−トリフルオロフェニル）エチニル−５，６−ジフルオロ−３−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ベンゼンの白色結晶８．１ｇを得た。その相転移温度を測定したところ、結晶相からの昇温時５６℃で等方性液体相に転移した。
【００６３】
ＮＭＲ：δ＝０．９０（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝７．６Ｈｚ）、δ＝１．１８〜２．０８（ｍ，１３Ｈ）、δ＝２．４２（ｍ，１Ｈ）、δ＝６．９２〜７．３１（ｍ，４Ｈ）
ＭＳ：ｍ／ｅ＝３９２（Ｍ⁺）
（実施例２） トランス−４−［３−（３，４−ジフルオロフェニル）エチニル−４，５−ジフルオロフェニル］−トランス−４’−プロピルビシクロヘキサン（第１表Ｎｏ．２の化合物）の合成
【００６４】
【化１５】

【００６５】
実施例１において、１−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−３，４−ジフルオロベンゼンに換えて、トランス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）−トランス−４’−プロピルビシクロヘキサンを用い、１−エチニル−３，４，５−トリフルオロベンゼンに換えて１−エチニル−３，４−ジフルオロベンゼンを用いた他は実施例１と同様にして、トランス−４−［３−（３，４−ジフルオロフェニル）エチニル−４，５−ジフルオロフェニル］トランス−４’−プロピルビシクロヘキサンを得た。相転移温度は第１表にまとめて示した。
（実施例３） トランス−４−［３−（３，４，５−トリフルオロフェニル）エチニル−４，５−ジフルオロフェニル］−トランス−４’−プロピルビシクロヘキサン（第１表Ｎｏ．３の化合物）の合成
実施例１において、１−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−３，４−ジフルオロベンゼンに換えて、トランス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）−トランス−４’−プロピルビシクロヘキサンを用いた他は実施例１と同様にして、トランス−４−［３−（３，４，５−トリフルオロフェニル）エチニル−４，５−ジフルオロフェニル］−トランス−４’−プロピルビシクロヘキサンを得た。相転移温度は第１表にまとめて示した。
（実施例４） 液晶組成物の調製（１）
【００６６】
【化１６】

【００６７】
（式中、シクロヘキサン環はトランス配置を表わす。）からなり、特にアクティブマトリックス用として好適な母体液晶（Ｂ）を調製したところ、１１６．７℃以下でネマチック（Ｎ）相を示した。その物性値及びこれを用いて作製したセル厚６μｍのＴＮセルのしきい値電圧（Ｖ_th）は以下の通りであった。
【００６８】
Ｎ相の上限温度（Ｔ_N-I） １１６．７℃
誘電率異方性（Δε） ４．７
屈折率異方性（Δｎ） ０．０９０
しきい値電圧（Ｖ_th） ２．１４Ｖ
この母体液晶（Ｂ）８５重量％及び実施例１で得られた（Ｎｏ．１）の化合物１５重量％からなる液晶組成物（Ｍ−１）を調製した。この（Ｍ−１）のＮ相の上限温度（Ｔ_N-I）及びその物性値は以下の通りとなった。
【００６９】
Ｎ相の上限温度（Ｔ_N-I） ７７．１℃
誘電率異方性（Δε） ５．７
屈折率異方性（Δｎ） ０．０８３
しきい値電圧（Ｖ_th） １．４９Ｖ
このように、そのネマチック相の上限温度は低くなったが、そのＶ_thは０．６５Ｖ（約３０％）も低減することができた。Δεの増加はそれほどではないため、この化合物の弾性定数は小さいと考えられる。また、そのΔｎは０．０８３とトラン系化合物としてはかなり小さい値となった。更に、この組成物の比抵抗を測定したところ１０¹²Ωｃｍ以上と大きく、このセルの電圧保持率は非常に高かった。
（比較例１）
母体液晶（Ｂ）８５重量％及び（Ｎｏ．１）の化合物と類似構造を有する式（Ｒ−１）
【００７０】
【化１７】

【００７１】
の化合物１５重量％からなる液晶組成物（Ｎ−１）を調製した。この（Ｎ−１）のＮ相の上限温度（Ｔ_N-I）及びその物性値は以下の通りとなった。
Ｎ相の上限温度（Ｔ_N-I） １１０．０℃
誘電率異方性（Δε） ７．５
屈折率異方性（Δｎ） ０．１０７
しきい値電圧（Ｖ_th） １．８５Ｖ
このネマチック相の上限温度は（Ｍ−１）より高くなったが、Δεが大きくなったにもかかわらず、そのＶ_thは（Ｍ−１）と比較すると０．３６Ｖも高くなった。また、Δｎは０．１０７と母体液晶（Ｂ）と比較してもかなり大きな値となってしまった。
（実施例５） 液晶組成物の調製（２）
母体液晶（Ｂ）８５重量％及び（Ｎｏ．２）の化合物１５重量％からなる液晶組成物（Ｍ−２）を調製した。この（Ｍ−２）のＮ相の上限温度（Ｔ_N-I）及びその物性値は以下の通りとなった。
【００７２】
Ｎ相の上限温度（Ｔ_N-I） １００．５℃
誘電率異方性（Δε） ５．４
屈折率異方性（Δｎ） ０．０８９
しきい値電圧（Ｖ_th） １．８１Ｖ
このようにＴ_N-Iは若干低下したものの、Δεがそれほど大きくないにもかかわらず、しきい値電圧は０．３３Ｖも低減することができた。また、Δｎはほとんど変わらなかった。更に、この組成物の比抵抗を測定したところ１０¹²Ωｃｍ以上と大きく、このセルの電圧保持率は高いものであった。
（比較例２）
母体液晶（Ｂ）８５重量％及び（Ｎｏ．２）と類似構造を有する式（Ｒ−２）
【００７３】
【化１８】

【００７４】
１５重量％からなる液晶組成物（Ｎ−２）を調製した。この（Ｎ−２）のＮ相の上限温度（Ｔ_N-I）及びその物性値は以下の通りとなった。
Ｎ相の上限温度（Ｔ_N-I） １２８．９℃
誘電率異方性（Δε） ６．７
屈折率異方性（Δｎ） ０．１０２
しきい値電圧（Ｖ_th） ２．０７Ｖ
このネマチック相の上限温度は（Ｍ−２）よりやや高くなったが、Δεは（Ｍ−２）より大きいにもかかわらず、そのＶ_thは母体液晶（Ｂ）よりは低減されたが（Ｍ−２）と比較すると０．２６Ｖも高くなった。また、Δｎは母体液晶（Ｂ）よりも０．０１２高くなった。
【００７５】
【発明の効果】
本発明に係わる一般式（Ｉ）で表わされる化合物は、実施例に示したように工業的にも極めて容易に製造でき、熱、光、水等に対し、化学的に安定であり、ネマチック液晶として現在汎用されている母体液晶との相溶性にも優れている。しかも、その母体液晶に少量添加することにより、そのネマチック液晶温度範囲をそれほど低下させることなく、それを用いた液晶セルのしきい値電圧（Ｖ_th）及び屈折率異方性（Δｎ）を効果的に低減することが可能である。また、分子内に強い極性基が存在せず、容易に大きい比抵抗と高い電圧保持率を得ることができる。従って、温度範囲が広く、かつ低電圧駆動が要求される各種液晶表示素子、特にアクティブマトリックス駆動用として適しており、液晶材料として非常に有用である。

Claims (10)

1. 一般式（Ｉ）
   

   

   （式中、Ｒ¹は炭素原子数１〜１６のアルキル基又はアルコキシル基、炭素原子数２〜１６のアルケニル基、炭素原子数３〜１６のアルケニルオキシ基、又は炭素原子数１〜１０のアルコキシル基で置換された炭素原子数１〜１２のアルキル基を表わし、環Ａ及び環Ｂはそれぞれ独立的にフッ素原子により置換されていてもよい１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、トランス−１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ピラジン−２，５−ジイル基又はピリダジン−３，６−ジイル基を表わし、Ｙ¹及びＹ²はそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−（ＣＨ₂）₄−又は−Ｃ≡Ｃ−を表わし、ｍは０又は１を表わし、ｎは０〜２を表わし、Ｘ¹、Ｘ²及びＸ³はそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を表わし、Ｚ¹はフッ素原子、塩素原子、トリフルオロメトキシ基、トリフルオロメチル基、ジフルオロメトキシ基、水素原子、２，２，２−トリフルオロエトキシ基、−Ｒ²又は−ＯＲ²を表わし、Ｒ²は炭素原子数１〜１２の直鎖状アルキル基又は炭素原子数２〜１２の直鎖状アルケニル基を表わす。）で表わされる化合物。
2. Ｒ¹が炭素原子数１〜１２の直鎖状アルキル基又は炭素原子数２〜１２の直鎖状アルケニル基であり、環Ａ及び環Ｂがそれぞれ独立的にフッ素原子により置換されていてもよい１，４−フェニレン基又はトランス−１，４−シクロヘキシレン基を表わし、Ｙ¹及びＹ²がそれぞれ独立的に単結合、−ＣＨ₂ＣＨ₂−又は−Ｃ≡Ｃ−を表わし、Ｚ¹がフッ素原子、塩素原子、トリフルオロメトキシ基、トリフルオロメチル基、水素原子、Ｒ²又は−ＯＲ²を表わし、Ｒ²が炭素原子数１〜５の直鎖状アルキル基を表わすことを特徴とする請求項１記載の一般式（Ｉ）で表わされる化合物。
3. Ｒ¹が炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基又は炭素原子数２〜７の直鎖状アルケニル基を表わし、環Ａがトランス−１，４−シクロヘキシレン基を表わし、環Ｂがフッ素原子により置換されていてもよい１，４−フェニレン基又はトランス−１，４−シクロヘキシレン基を表わし、Ｙ¹が単結合、−ＣＨ₂ＣＨ₂−又は−Ｃ≡Ｃ−を表わし、Ｙ²が単結合を表わすことを特徴とする請求項２記載の一般式（Ｉ）で表わされる化合物。
4. 環Ａ及び環Ｂが共にトランス−１，４−シクロヘキシレン基であり、Ｚ¹がフッ素原子又は水素原子を表わすことを特徴とする請求項３記載の一般式（Ｉ）で表わされる化合物。
5. Ｘ¹、Ｘ²及びＺ¹のうち、少なくとも２個がフッ素原子であることを特徴とする請求項４記載の一般式（Ｉ）で表わされる化合物。
6. Ｘ³がフッ素原子であることを特徴とする請求項５記載の一般式（Ｉ）で表わされる化合物。
7. ｎが０であることを特徴とする請求項６記載の一般式（Ｉ）で表わされる化合物。
8. Ｙ¹が単結合であることを特徴とする請求項７記載の一般式（Ｉ）で表わされる化合物。
9. Ｒ¹が炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基であることを特徴ととする請求項５、６、７又は８記載の一般式（Ｉ）で表わされる化合物。
10. 請求項１乃至９記載の一般式（Ｉ）で表わされる化合物を含有することを特徴とする液晶組成物。