JPH11343591A - 銀めっき浴及び銀／すず合金めっき浴並びにそれらのめっき浴を用いるめっき方法 - Google Patents
銀めっき浴及び銀／すず合金めっき浴並びにそれらのめっき浴を用いるめっき方法Info
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- JPH11343591A JPH11343591A JP14857098A JP14857098A JPH11343591A JP H11343591 A JPH11343591 A JP H11343591A JP 14857098 A JP14857098 A JP 14857098A JP 14857098 A JP14857098 A JP 14857098A JP H11343591 A JPH11343591 A JP H11343591A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 平滑なめっきを与える銀めっき浴及び銀／す
ず合金めっき浴並びにそれらのめっき浴を用いるめっき
方法を提供する。 【解決手段】 銀イオン、しゅう酸イオン、塩素イオン
及びスルファミン酸イオンを含む酸性水溶液からなる銀
めっき浴。銀イオン、すずイオン、しゅう酸イオン、塩
素イオン及びスルファミン酸イオンを含む酸性水溶液か
らなる銀／すず合金めっき浴。
ず合金めっき浴並びにそれらのめっき浴を用いるめっき
方法を提供する。 【解決手段】 銀イオン、しゅう酸イオン、塩素イオン
及びスルファミン酸イオンを含む酸性水溶液からなる銀
めっき浴。銀イオン、すずイオン、しゅう酸イオン、塩
素イオン及びスルファミン酸イオンを含む酸性水溶液か
らなる銀／すず合金めっき浴。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、銀めっき浴及び銀
／すず合金めっき浴並びにそれらのめっき浴を用いるめ
っき方法に関するものである。
／すず合金めっき浴並びにそれらのめっき浴を用いるめ
っき方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在使用されている銀めっき浴は、アル
カリ性錯イオン浴で、その代表は毒性の強いシアンイオ
ン浴である。アルカリ性浴には毒性の少ない非シアン浴
としてのヨウ素イオン浴もあるが、この浴はヨウ素イオ
ンが空気中の酸素によって酸化されるので浴の保存性に
問題がある。一方、酸性の銀めっきの浴については、錯
化されていない酸性溶液中の銀イオンはその酸化還元速
度が極めて大きいので平滑なめっきとはならず、平滑め
っきを得るためには銀イオンを安定な錯化イオンとする
必要がある。しかし、現在のところ平滑めっきが得られ
る酸性溶液中での可溶性銀錯イオンは知られていない。
カリ性錯イオン浴で、その代表は毒性の強いシアンイオ
ン浴である。アルカリ性浴には毒性の少ない非シアン浴
としてのヨウ素イオン浴もあるが、この浴はヨウ素イオ
ンが空気中の酸素によって酸化されるので浴の保存性に
問題がある。一方、酸性の銀めっきの浴については、錯
化されていない酸性溶液中の銀イオンはその酸化還元速
度が極めて大きいので平滑なめっきとはならず、平滑め
っきを得るためには銀イオンを安定な錯化イオンとする
必要がある。しかし、現在のところ平滑めっきが得られ
る酸性溶液中での可溶性銀錯イオンは知られていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、平滑なめっ
きを与える銀めっき浴及び銀／すず合金めっき浴並びに
それらのめっき浴を用いるめっき方法を提供することを
その課題とする。
きを与える銀めっき浴及び銀／すず合金めっき浴並びに
それらのめっき浴を用いるめっき方法を提供することを
その課題とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者は、前記課題を
解決すべく鋭意研究を重ねた結果、今回、不溶性の塩化
銀から、しゅう酸イオンと塩素イオン及びスルファミン
酸イオンの存在下で安定な可溶性銀錯イオンが得られ、
この溶液から平滑な銀めっきが可能であることを見出し
た。また、この溶液にすずイオンを加えた浴からは、銀
／すず合金めっきの析出が可能であり、しかもめっき浴
中の銀とすずイオンの濃度及び電流密度を調整すること
により、はんだめっきの代替となる、すずが約９６重量
％のすず／銀合金めっきを析出させることができること
を見出した。本発明は、これらの知見に基づいて完成さ
れたものである。即ち、本発明によれば、銀イオン、し
ゅう酸イオン、塩素イオン及びスルファミン酸イオンを
含む酸性水溶液からなる銀めっき浴が提供される。ま
た、本発明によれば、銀イオン、すずイオン、しゅう酸
イオン、塩素イオン及びスルファミン酸イオンを含む酸
性水溶液からなる銀／すず合金めっき浴が提供される。
さらに、本発明によれば、それらのめっき浴を用いるめ
っき方法が提供される。
解決すべく鋭意研究を重ねた結果、今回、不溶性の塩化
銀から、しゅう酸イオンと塩素イオン及びスルファミン
酸イオンの存在下で安定な可溶性銀錯イオンが得られ、
この溶液から平滑な銀めっきが可能であることを見出し
た。また、この溶液にすずイオンを加えた浴からは、銀
／すず合金めっきの析出が可能であり、しかもめっき浴
中の銀とすずイオンの濃度及び電流密度を調整すること
により、はんだめっきの代替となる、すずが約９６重量
％のすず／銀合金めっきを析出させることができること
を見出した。本発明は、これらの知見に基づいて完成さ
れたものである。即ち、本発明によれば、銀イオン、し
ゅう酸イオン、塩素イオン及びスルファミン酸イオンを
含む酸性水溶液からなる銀めっき浴が提供される。ま
た、本発明によれば、銀イオン、すずイオン、しゅう酸
イオン、塩素イオン及びスルファミン酸イオンを含む酸
性水溶液からなる銀／すず合金めっき浴が提供される。
さらに、本発明によれば、それらのめっき浴を用いるめ
っき方法が提供される。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明の銀めっき浴は、銀イオ
ン、しゅう酸イオン、塩素イオン及びスルファミン酸イ
オンを含む酸性水溶液からなるものである。この場合の
銀イオン源としては、塩化銀や酢酸銀等の銀塩が用いら
れ、しゅう酸イオン源としては、しゅう酸又はその水溶
性塩が用いられ、塩素イオン源としては、塩化ナトリウ
ム、塩化カリウム等の金属塩化物が用いられ、スルファ
ミン酸イオン源としては、スルファミン酸が用いられ
る。
ン、しゅう酸イオン、塩素イオン及びスルファミン酸イ
オンを含む酸性水溶液からなるものである。この場合の
銀イオン源としては、塩化銀や酢酸銀等の銀塩が用いら
れ、しゅう酸イオン源としては、しゅう酸又はその水溶
性塩が用いられ、塩素イオン源としては、塩化ナトリウ
ム、塩化カリウム等の金属塩化物が用いられ、スルファ
ミン酸イオン源としては、スルファミン酸が用いられ
る。
【０００６】本発明の銀めっき浴において、その銀イオ
ン濃度は０．００５〜０．０３モル／Ｌ、好ましくは
０．０１〜０．０２モル／Ｌ、そのしゅう酸イオン濃度
は０．２〜０．５モル／Ｌ、好ましくは０．３〜０．５
モル／Ｌ、そのＮａＣｌ等の水溶性塩由来の塩素イオン
濃度は２〜５モル／Ｌ、好ましくは３〜４モル／Ｌ、そ
のスルファミン酸イオン濃度は２〜５モル／Ｌ、好まし
くは３〜４モル／Ｌである。また、めっき浴中、しゅう
酸イオンは、銀イオン１モル当り、６〜１０モルの割合
で存在する。一方、ＮａＣｌ等の水溶性塩由来の塩素イ
オンは、銀イオン１モル当り、１００〜２００モルの割
合で存在する。スルファミン酸イオンは、銀イオン１モ
ル当り、５０〜１００モルの割合で存在する。銀めっき
浴のｐＨは、酸性領域、通常、０〜２の範囲に調節され
る。このｐＨの調節は、硫酸等のｐＨ調節剤を用いて行
うことができる。本発明の銀めっき浴において、その銀
イオンは安定な錯イオンとして存在する。本発明の銀め
っき浴には、必要に応じ、界面活性剤やゼラチンを適量
加えることができ、これにより、光沢のよいかつ緻密な
めっきを得ることができる。
ン濃度は０．００５〜０．０３モル／Ｌ、好ましくは
０．０１〜０．０２モル／Ｌ、そのしゅう酸イオン濃度
は０．２〜０．５モル／Ｌ、好ましくは０．３〜０．５
モル／Ｌ、そのＮａＣｌ等の水溶性塩由来の塩素イオン
濃度は２〜５モル／Ｌ、好ましくは３〜４モル／Ｌ、そ
のスルファミン酸イオン濃度は２〜５モル／Ｌ、好まし
くは３〜４モル／Ｌである。また、めっき浴中、しゅう
酸イオンは、銀イオン１モル当り、６〜１０モルの割合
で存在する。一方、ＮａＣｌ等の水溶性塩由来の塩素イ
オンは、銀イオン１モル当り、１００〜２００モルの割
合で存在する。スルファミン酸イオンは、銀イオン１モ
ル当り、５０〜１００モルの割合で存在する。銀めっき
浴のｐＨは、酸性領域、通常、０〜２の範囲に調節され
る。このｐＨの調節は、硫酸等のｐＨ調節剤を用いて行
うことができる。本発明の銀めっき浴において、その銀
イオンは安定な錯イオンとして存在する。本発明の銀め
っき浴には、必要に応じ、界面活性剤やゼラチンを適量
加えることができ、これにより、光沢のよいかつ緻密な
めっきを得ることができる。
【０００７】本発明の銀めっき浴を用いて銀めっきを行
うには、めっき槽に本発明の銀めっき浴を充填するとと
もに、その陽極に白金被覆チタン板を用い、被めっき物
を陰極に用い、両極間に直流電圧を印加する。この場合
の電圧は２〜３ボルトであり、その電流密度は２〜５Ａ
／ｄｍ2である。めっき温度は５０〜９０℃、好ましく
は６０〜８０℃であり、めっき時間は、５〜１０分であ
る。めっき槽の陽極と陰極との間は陽イオン交換膜を用
いて分離することが好ましい。
うには、めっき槽に本発明の銀めっき浴を充填するとと
もに、その陽極に白金被覆チタン板を用い、被めっき物
を陰極に用い、両極間に直流電圧を印加する。この場合
の電圧は２〜３ボルトであり、その電流密度は２〜５Ａ
／ｄｍ2である。めっき温度は５０〜９０℃、好ましく
は６０〜８０℃であり、めっき時間は、５〜１０分であ
る。めっき槽の陽極と陰極との間は陽イオン交換膜を用
いて分離することが好ましい。
【０００８】本発明の銀／すず合金めっき浴は、前記銀
めっき浴にすずイオンを加えたものである。この場合、
すずイオンとしては４価のすずイオンが用いられ、その
すずイオン源としては、４価のすず酸塩が用いられ、Ｎ
ａ2ＳｎＯ3、Ｋ2ＳｎＯ3等が挙げられる。
めっき浴にすずイオンを加えたものである。この場合、
すずイオンとしては４価のすずイオンが用いられ、その
すずイオン源としては、４価のすず酸塩が用いられ、Ｎ
ａ2ＳｎＯ3、Ｋ2ＳｎＯ3等が挙げられる。
【０００９】本発明の銀／すず合金めっき浴において、
その銀イオン濃度は０．００５〜０．０３モル／Ｌ、好
ましくは０．０１〜０．０２モル／Ｌ、そのすずイオン
濃度は０．１〜０．４モル／Ｌ、好ましくは０．２〜
０．３モル／Ｌ、そのしゅう酸イオン濃度は０．２〜
０．８モル／Ｌ、好ましくは０．３〜０．５モル／Ｌ、
そのＮａＣｌ等の水溶性塩由来の塩素イオン濃度は２〜
５モル／Ｌ、好ましくは３〜４モル／Ｌ、そのスルファ
ミン酸イオン濃度は２〜５モル／Ｌ、好ましくは３〜４
モル／Ｌである。また、めっき浴中、しゅう酸イオンは
銀イオン１モル当り、６〜１０モルの割合で存在する。
一方、ＮａＣｌ等の水溶性塩由来の塩素イオンは、銀イ
オン１モル当り、１００〜２００モルの割合で存在す
る。スルファミン酸イオンは、銀イオン１モル当り、５
０〜１００モルの割合で存在する。さらに、すずイオン
１モル当り、しゅう酸イオンを１．５〜３モルの割合で
存在させるのが好ましい。銀イオンとすずイオンは、所
望する銀／すず合金めっきの組成に応じて選定され、は
んだめっきの代替となるすず含有量の高い合金（すず９
６重量％、銀４重量％）の組成に近い合金を析出させる
ためには、銀イオン１モル当りすずイオンが１０〜５０
モル、好ましくは２０〜３０モルの浴組成とする。銀／
すず合金めっき浴のｐＨは、酸性領域、通常、０〜２の
範囲に調節される。このｐＨの調節は、硫酸等のｐＨ調
節剤を用いて行うことができる。本発明の銀／すず合金
めっき浴において、その銀イオン及びすずイオンは錯イ
オンとして存在する。本発明の銀／すず合金めっき浴に
は、必要に応じ、界面活性剤やゼラチンを適量加えるこ
とができ、これにより、光沢のよいかつ緻密なめっきを
得ることができる。
その銀イオン濃度は０．００５〜０．０３モル／Ｌ、好
ましくは０．０１〜０．０２モル／Ｌ、そのすずイオン
濃度は０．１〜０．４モル／Ｌ、好ましくは０．２〜
０．３モル／Ｌ、そのしゅう酸イオン濃度は０．２〜
０．８モル／Ｌ、好ましくは０．３〜０．５モル／Ｌ、
そのＮａＣｌ等の水溶性塩由来の塩素イオン濃度は２〜
５モル／Ｌ、好ましくは３〜４モル／Ｌ、そのスルファ
ミン酸イオン濃度は２〜５モル／Ｌ、好ましくは３〜４
モル／Ｌである。また、めっき浴中、しゅう酸イオンは
銀イオン１モル当り、６〜１０モルの割合で存在する。
一方、ＮａＣｌ等の水溶性塩由来の塩素イオンは、銀イ
オン１モル当り、１００〜２００モルの割合で存在す
る。スルファミン酸イオンは、銀イオン１モル当り、５
０〜１００モルの割合で存在する。さらに、すずイオン
１モル当り、しゅう酸イオンを１．５〜３モルの割合で
存在させるのが好ましい。銀イオンとすずイオンは、所
望する銀／すず合金めっきの組成に応じて選定され、は
んだめっきの代替となるすず含有量の高い合金（すず９
６重量％、銀４重量％）の組成に近い合金を析出させる
ためには、銀イオン１モル当りすずイオンが１０〜５０
モル、好ましくは２０〜３０モルの浴組成とする。銀／
すず合金めっき浴のｐＨは、酸性領域、通常、０〜２の
範囲に調節される。このｐＨの調節は、硫酸等のｐＨ調
節剤を用いて行うことができる。本発明の銀／すず合金
めっき浴において、その銀イオン及びすずイオンは錯イ
オンとして存在する。本発明の銀／すず合金めっき浴に
は、必要に応じ、界面活性剤やゼラチンを適量加えるこ
とができ、これにより、光沢のよいかつ緻密なめっきを
得ることができる。
【００１０】本発明の前記めっき浴を用いて銀／すず合
金めっきを行うには、めっき槽に本発明のめっき浴を充
填するとともに、その陽極に白金被覆チタン板を用い、
被めっき物を陰極に用い、両極間に直流電圧を印加す
る。この場合の電圧は５〜１０ボルトであり、その電流
密度は２０〜３０Ａ／ｄｍ2である。めっき温度は４０
〜８０℃、好ましくは５０〜６０℃であり、めっき時間
は、５〜１０分である。めっき槽の陽極と陰極との間は
陽イオン交換膜を用いて分離することが好ましい。
金めっきを行うには、めっき槽に本発明のめっき浴を充
填するとともに、その陽極に白金被覆チタン板を用い、
被めっき物を陰極に用い、両極間に直流電圧を印加す
る。この場合の電圧は５〜１０ボルトであり、その電流
密度は２０〜３０Ａ／ｄｍ2である。めっき温度は４０
〜８０℃、好ましくは５０〜６０℃であり、めっき時間
は、５〜１０分である。めっき槽の陽極と陰極との間は
陽イオン交換膜を用いて分離することが好ましい。
【００１１】
【実施例】次に本発明を実施例によりさらに詳細に詳述
する。
する。
【００１２】実施例１〜４ 表１に示す成分組成（モル／リットル）のめっき浴（水
溶液）を調製し、その保存安定性及びそのめっき品質を
以下のようにして評価した。その結果を表１に示す。
溶液）を調製し、その保存安定性及びそのめっき品質を
以下のようにして評価した。その結果を表１に示す。
【００１３】（保存安定性）めっき浴３００ｍｌをビー
カに入れ、これを室温に１週間保持した後、そのめっき
浴を観察した。その結果、めっき浴中ににごりが生じた
ものを×、生じなかったものを○とした。 （めっき品質）陽極に白金被覆チタン板を用い、陰極に
銅板を用い、これらの両極を銀めっき浴に浸漬して、銀
めっきを行った。銅板表面に形成された銀めっきを観察
し、以下の基準で評価した。 ○：非常に良好 △：良好 ×：不良
カに入れ、これを室温に１週間保持した後、そのめっき
浴を観察した。その結果、めっき浴中ににごりが生じた
ものを×、生じなかったものを○とした。 （めっき品質）陽極に白金被覆チタン板を用い、陰極に
銅板を用い、これらの両極を銀めっき浴に浸漬して、銀
めっきを行った。銅板表面に形成された銀めっきを観察
し、以下の基準で評価した。 ○：非常に良好 △：良好 ×：不良
【００１４】
【表１】
【００１５】実施例５〜８ 表２に示す成分組成（モル／リットル）のめっき浴（水
溶液）を調製し、その保存安定性及びそのめっき品質を
以下のようにして評価した。その結果を表２に示す。
溶液）を調製し、その保存安定性及びそのめっき品質を
以下のようにして評価した。その結果を表２に示す。
【００１６】（保存安定性）めっき浴３００ｍｌをビー
カに入れ、これを室温に１週間保持した後、そのめっき
浴を観察した。その結果、めっき浴中ににごりが生じた
ものを×、生じなかったものを○とした。 （めっき品質）陽極に白金被覆チタン板を用い、陰極に
銅板を用い、これらの両極を銀／すずめっき浴に浸漬し
て、めっきを行った。銅板表面に形成された銀／すず合
金めっきを観察し、以下の基準で評価した。 ○：非常に良好 △：良好 ×：不良
カに入れ、これを室温に１週間保持した後、そのめっき
浴を観察した。その結果、めっき浴中ににごりが生じた
ものを×、生じなかったものを○とした。 （めっき品質）陽極に白金被覆チタン板を用い、陰極に
銅板を用い、これらの両極を銀／すずめっき浴に浸漬し
て、めっきを行った。銅板表面に形成された銀／すず合
金めっきを観察し、以下の基準で評価した。 ○：非常に良好 △：良好 ×：不良
【００１７】
【表２】
【００１８】
【発明の効果】本発明のめっき浴は、保存安定性にすぐ
れるとともに、めっき浴としての性能にもすぐれ、本発
明のめっき浴を用いることにより、平滑な銀めっき及び
銀／すず合金めっきを得ることができる。
れるとともに、めっき浴としての性能にもすぐれ、本発
明のめっき浴を用いることにより、平滑な銀めっき及び
銀／すず合金めっきを得ることができる。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年４月５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
Claims (6)
- 【請求項１】 銀イオン、しゅう酸イオン、塩素イオン
及びスルファミン酸イオンを含む酸性水溶液からなる銀
めっき浴。 - 【請求項２】 銀イオン濃度が０．００５〜０．０３モ
ル／リットル、しゅう酸イオン濃度が０．２〜０．５モ
ル／リットル、塩素イオン濃度が２〜５モル／リットル
及びスルファミン酸イオンが２〜５モル／リットルであ
る請求項１の銀めっき浴。 - 【請求項３】 銀イオン、すずイオン、しゅう酸イオ
ン、塩素イオン及びスルファミン酸イオンを含む酸性水
溶液からなる銀／すず合金めっき浴。 - 【請求項４】 銀イオン濃度が０．００５〜０．０３モ
ル／リットル、すずイオン濃度が０．１〜０．４モル／
リットル、しゅう酸イオン濃度が０．２〜０．８モル／
リットル、塩素イオン濃度が２〜５モル／リットル及び
スルファミン酸イオンが２〜５モル／リットルである請
求項１の銀／すず合金めっき浴。 - 【請求項５】 被めっき物に銀めっきを施す方法におい
て、そのめっき浴として、請求項１又は２の銀めっき浴
を用いることを特徴とする銀めっき方法。 - 【請求項６】 被めっき物に銀／すず合金めっきを施す
方法において、そのめっき浴として、請求項３又は４の
銀／すず合金めっき浴を用いることを特徴とする銀／す
ず合金めっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14857098A JP2961256B1 (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | 銀めっき浴及び銀／すず合金めっき浴並びにそれらのめっき浴を用いるめっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14857098A JP2961256B1 (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | 銀めっき浴及び銀／すず合金めっき浴並びにそれらのめっき浴を用いるめっき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2961256B1 JP2961256B1 (ja) | 1999-10-12 |
| JPH11343591A true JPH11343591A (ja) | 1999-12-14 |
Family
ID=15455707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14857098A Expired - Lifetime JP2961256B1 (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | 銀めっき浴及び銀／すず合金めっき浴並びにそれらのめっき浴を用いるめっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2961256B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002124267A (ja) * | 2000-10-16 | 2002-04-26 | Toyota Motor Corp | 高分子電解質型燃料電池用セパレータの製造方法 |
| JP2007327127A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Daiwa Fine Chemicals Co Ltd (Laboratory) | 銀めっき方法 |
| WO2014020981A1 (ja) | 2012-07-31 | 2014-02-06 | 株式会社大和化成研究所 | 電気銀めっき液 |
-
1998
- 1998-05-29 JP JP14857098A patent/JP2961256B1/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002124267A (ja) * | 2000-10-16 | 2002-04-26 | Toyota Motor Corp | 高分子電解質型燃料電池用セパレータの製造方法 |
| JP2007327127A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Daiwa Fine Chemicals Co Ltd (Laboratory) | 銀めっき方法 |
| WO2014020981A1 (ja) | 2012-07-31 | 2014-02-06 | 株式会社大和化成研究所 | 電気銀めっき液 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2961256B1 (ja) | 1999-10-12 |
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