JPH11340808A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH11340808A
JPH11340808A JP10141245A JP14124598A JPH11340808A JP H11340808 A JPH11340808 A JP H11340808A JP 10141245 A JP10141245 A JP 10141245A JP 14124598 A JP14124598 A JP 14124598A JP H11340808 A JPH11340808 A JP H11340808A
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宏治 石野
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Abstract

(57)【要約】 【課題】外部から入力されるクロック信号及び入力信号
を増幅する増幅器を備えた半導体装置において、各増幅
信号の位相の相対的なずれを防止する。 【解決手段】第1の増幅器1は、動作電源V1,V2の
供給に基づいて、外部クロック信号EXCLKを増幅し
たクロック信号CLKを生成する。第2の増幅器2は、
外部電源を昇圧、或いは降圧した内部電源V3,V4の
供給に基づいて、外部入力信号EXinを増幅した入力
信号inを生成する。内部回路3は、前記第1の増幅器
1で生成されたクロック信号CLKに基づいて、前記第
2の増幅器2で生成された入力信号inを取り込む。同
期手段4は、前記第1の増幅器1に供給される動作電源
V1,V2を、第2の増幅器2に供給される内部電源V
3,V4と同期して変化させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に係り、
詳しくは、小振幅の外部信号を増幅する入力回路に関す
る。
【0002】近年のコンピュータシステムの高速化、低
消費電力化に伴って、半導体装置においても電源の低電
圧化が要求され、該装置に入力される信号は小振幅化し
てきている。そのため、小振幅の外部信号を効率よく増
幅する入力回路が必要とされており、これまでに、その
入力回路に対して、半導体装置に供給される電源を昇
圧、或いは降圧した内部電源を供給する形態が提案され
ている。しかしながら、このような内部電源は、そのレ
ベルが不安定である。そこで、入力回路では、不安定な
内部電源に左右されることなく、正常に動作することが
要求されている。
【0003】
【従来の技術】図9は、従来の入力回路の一例を示す。
入力回路50は、第1及び第2の差動増幅器51,52
と、ラッチ回路53とから構成される。
【0004】第1の差動増幅器51には、外部クロック
信号EXCLKと、基準電圧Vrefが入力される。又、
第1の差動増幅器51には、外部から高電位側電源Vdd
及び低電位側電源Vssが供給される。そして、第1の差
動増幅器51は、その外部クロック信号EXCLKを、
基準電圧Vref をしきい値として増幅して、電源Vdd,
Vssの電位差に等しい振幅を備えたクロック信号CLK
として出力する。即ち、第1の差動増幅器51は、図1
0に示すように小振幅の外部クロック信号EXCLKを
増幅したクロック信号CLKを生成し、そのクロック信
号CLKをラッチ回路53に出力する。
【0005】第2の差動増幅器52には、外部入力信号
EXinと、基準電圧Vref が入力される。又、第2の
差動増幅器52には、高電位側電源Vdd及び図示しない
降圧回路にて低電位側電源Vssを降圧した降圧電源Vss
i が供給される。そして、第2の差動増幅器52は、そ
の外部入力信号EXinを、基準電圧Vref をしきい値
として増幅して、電源Vdd,Vssi の電位差に等しい振
幅を備えた入力信号inとして出力する。即ち、第2の
差動増幅器52は、小振幅の外部入力信号EXinを増
幅した入力信号inを生成し、その入力信号inをラッ
チ回路53に出力する。
【0006】そして、ラッチ回路53は、第1の差動増
幅器51から出力されたクロック信号CLKの立ち上が
りに基づいて、第2の差動増幅器52から出力された入
力信号inを取り込んでラッチするとともに、その入力
信号inを出力信号outとして図示しない後段の回路
に出力している。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、クロック信
号CLKは、外部クロック信号EXCLKに対して第1
の差動増幅器51の動作遅延時間分遅延し、その遅延時
間はt1である。又、入力信号inも同様に、外部入力
信号EXinに対して第2の差動増幅器52の動作遅延
時間分遅延し、その遅延時間はt2である。
【0008】しかしながら、図10に示すように、第1
の差動増幅器51の動作遅延時間t1が一定なのに対し
て、第2の差動増幅器52の動作遅延時間t2は変化、
この場合では次第に長くなっている。
【0009】詳述すると、第1の差動増幅器51に供給
される電源Vdd,Vssは安定した電源であって、その差
動増幅器51の負荷駆動能力は変化しない。ところが、
第2の差動増幅器52に供給される電源Vddは安定して
いるが、降圧回路にて生成した降圧電源Vssi は不安
定、この場合では図10に示すように次第に電圧レベル
が上昇する。従って、この場合においては、第2の差動
増幅器52の負荷駆動能力が次第に低下していく。その
ため、上記したように、第2の差動増幅器52の動作遅
延時間t2のみが次第に長くなる。すると、クロック信
号CLKと入力信号inの位相が相対的にずれてしま
う。
【0010】上記したように、ラッチ回路53はクロッ
ク信号CLKの立ち上がりに基づいて入力信号inを取
り込んでいるので、このようにクロック信号CLKと入
力信号inの位相が相対的にずれると、その入力信号i
nが正確に取り込めない場合が生じてしまう。このよう
な場合では、ラッチ回路53が正確な出力信号outを
出力できないという問題が生じてしまう。
【0011】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたものであって、その目的は、外部から入力される
クロック信号及び入力信号を増幅する増幅器を備えた半
導体装置において、各増幅信号の位相の相対的なずれを
防止し得る半導体装置を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】図1は、請求項1の原理
説明図である。即ち、第1の増幅器1は、動作電源V
1,V2の供給に基づいて、外部クロック信号EXCL
Kを増幅したクロック信号CLKを生成する。第2の増
幅器2は、外部電源を昇圧、或いは降圧した内部電源V
3,V4の供給に基づいて、外部入力信号EXinを増
幅した入力信号inを生成する。内部回路3は、前記第
1の増幅器1で生成されたクロック信号CLKに基づい
て、前記第2の増幅器2で生成された入力信号inを取
り込む。同期手段4は、前記第1の増幅器1に供給され
る動作電源V1,V2を、第2の増幅器2に供給される
内部電源V3,V4と同期して変化させる。
【0013】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
の半導体装置において、前記同期手段は、前記第2の増
幅器に供給した内部電源を、前記第1の増幅器の動作電
源として供給するようにした。
【0014】請求項3に記載の発明は、請求項1に記載
の半導体装置において、前記同期手段は、前記第2の増
幅器に供給した内部電源を、並列に接続した抵抗及び容
量を介して前記第1の増幅器に供給するようにした。
【0015】請求項4に記載の発明は、請求項1に記載
の半導体装置において、前記第1の増幅器には、その動
作電源として前記外部電源が供給されるものであって、
前記同期手段は、前記第1及び第2の増幅器の電源端子
間を容量結合した。
【0016】請求項5に記載の発明は、請求項1に記載
の半導体装置において、前記第1の増幅器には、前記同
期手段を介して入力される動作電源と、外部電源とを切
り替える切換回路を備えるものであって、その切換回路
は、前記内部回路が前記第2の増幅器で生成された入力
信号を取り込むときのみ、前記同期手段を介して前記第
1の増幅器に動作電源を供給するようにした。
【0017】請求項6に記載の発明は、請求項1に記載
の半導体装置において、外部電源の供給に基づいて、外
部クロック信号を増幅したクロック信号を生成する第3
の増幅器と、前記第1又は第3の増幅器のいずれか一方
を活性化する活性化回路とを備えるものであって、その
活性化回路は、前記内部回路が前記第2の増幅器で生成
された入力信号を取り込むときのみ、前記第1の増幅器
を活性化するようにした。
【0018】請求項7に記載の発明は、請求項6に記載
の半導体装置において、前記第1及び第3の増幅器はカ
レントミラー型増幅器であって、その第1及び第3の増
幅器のカレントミラー回路を共通化した。
【0019】請求項8に記載の発明は、請求項1に記載
の半導体装置において、前記内部回路は、前記第1の増
幅器で生成されたクロック信号に基づいて、前記第2の
増幅器で生成された入力信号を取り込んでラッチすると
ともに、その入力信号を出力信号として出力するラッチ
回路である。
【0020】請求項9に記載の発明は、請求項1に記載
の半導体装置において、前記第1及び第2の増幅器と前
記内部回路との間の配線容量によって、内部回路に入力
されるクロック信号と入力信号との位相のずれが、0°
又は360°の正数倍から10°以内に収まるように、
第1及び第2の増幅器をレイアウトした。
【0021】請求項10に記載の発明は、請求項1〜9
のいずれかに記載の半導体装置において、前記内部電源
は、外部電源を降圧した降圧電源である。請求項11に
記載の発明は、請求項1〜9のいずれかに記載の半導体
装置において、前記内部電源は、外部電源を昇圧した昇
圧電源である。
【0022】請求項12に記載の発明は、請求項1〜9
のいずれかに記載の半導体装置において、前記内部電源
は、外部電源を降圧した降圧電源と、外部電源を昇圧し
た昇圧電源の両方である。
【0023】請求項13に記載の発明は、請求項12に
記載の半導体装置において、第1の増幅器に供給される
動作電源を、第2の増幅器に供給される前記降圧電源及
び昇圧電源と同期して変化させる同期手段を備えた。
【0024】(作用)請求項1に記載の発明によれば、
同期手段によって、第1の増幅器に供給される動作電源
が、第2の増幅器に供給される内部電源と同期して変化
する。そのため、各増幅器の駆動能力が同期して同方向
に変化し、この結果、各増幅器の動作遅延時間が同期し
て同方向に変化する。従って、第1の増幅器で増幅され
たクロック信号と、第2の増幅器で増幅された入力信号
の位相が相対的にずれることがなく、内部回路において
常に正確な入力信号を取り込むことができる。
【0025】請求項2に記載の発明によれば、同期手段
によって、第2の増幅器に供給した内部電源が、第1の
増幅器の動作電源として供給される。そのため、各増幅
器の駆動能力に差が生じることはなく、各増幅器の動作
遅延時間が同期して同方向に変化する。従って、第1の
増幅器で増幅されたクロック信号と、第2の増幅器で増
幅された入力信号の位相が相対的にずれることがなく、
内部回路において常に正確な入力信号を取り込むことが
できる。
【0026】請求項3に記載の発明によれば、同期手段
によって、第2の増幅器に供給した内部電源が、並列に
接続した抵抗及び容量を介して第1の増幅器に供給され
る。すると、容量によって、第1の増幅器に供給される
動作電源が、第2の増幅器に供給される内部電源と同期
して変化する。そのため、各増幅器の駆動能力が同期し
て同方向に変化し、この結果、各増幅器の動作遅延時間
が同期して同方向に変化する。従って、第1の増幅器で
増幅されたクロック信号と、第2の増幅器で増幅された
入力信号の位相が相対的にずれることがなく、内部回路
において常に正確な入力信号を取り込むことができる。
しかも、抵抗によって、第1の増幅器の駆動能力が抑え
られる。従って、消費電力を低減することができる。
【0027】請求項4に記載の発明によれば、第1の増
幅器にはその動作電源として外部電源が供給されるとと
もに、第1及び第2の増幅器の電源端子間が容量結合さ
れる。すると、容量によって、第1の増幅器に供給され
る動作電源が、第2の増幅器に供給される内部電源と同
期して変化する。そのため、各増幅器の駆動能力が同期
して同方向に変化し、この結果、各増幅器の動作遅延時
間が同期して同方向に変化する。従って、第1の増幅器
で増幅されたクロック信号と、第2の増幅器で増幅され
た入力信号の位相が相対的にずれることがなく、内部回
路において常に正確な入力信号を取り込むことができ
る。しかも、第1の増幅器は外部電源にて動作するの
で、この増幅器の駆動能力が抑えられる。従って、消費
電力を低減することができる。
【0028】請求項5に記載の発明によれば、第1の増
幅器に備えられる切換回路は、同期手段を介して入力さ
れる動作電源と、外部電源とを切り替える。そして、切
換回路は、内部回路が第2の増幅器で生成された入力信
号を取り込むときのみ、同期手段を介して第1の増幅器
に動作電源を供給する。そのため、内部回路が入力信号
を取り込むとき、同期手段によって、第1の増幅器に供
給される動作電源が、第2の増幅器に供給される内部電
源と同期して変化する。従って、各増幅器の駆動能力が
同期して同方向に変化し、この結果、各増幅器の動作遅
延時間が同期して同方向に変化する。その結果、第1の
増幅器で増幅されたクロック信号と、第2の増幅器で増
幅された入力信号の位相が相対的にずれることがなく、
内部回路において常に正確な入力信号を取り込むことが
できる。しかも、内部回路が入力信号を取り込まないと
きには、第1の増幅器は外部電源にて動作するので、こ
の増幅器の駆動能力が抑えられる。従って、消費電力を
低減することができる。
【0029】請求項6に記載の発明によれば、第3の増
幅器は外部電源の供給に基づいて、外部クロック信号を
増幅したクロック信号を生成し、活性化回路は第1又は
第3の増幅器のいずれか一方を活性化する。そして、活
性化回路は、内部回路が第2の増幅器で生成された入力
信号を取り込むときのみ、第1の増幅器を活性化する。
そのため、内部回路が入力信号を取り込むとき、同期手
段によって、第2の増幅器に供給した内部電源が、第1
の増幅器の動作電源として供給される。つまり、各増幅
器の駆動能力に差が生じることはなく、各増幅器の動作
遅延時間が同期して同方向に変化する。その結果、第1
の増幅器で増幅されたクロック信号と、第2の増幅器で
増幅された入力信号の位相が相対的にずれることがな
く、内部回路において常に正確な入力信号を取り込むこ
とができる。しかも、内部回路が入力信号を取り込まな
いときには、活性化回路によって、第1の増幅器が非活
性化されるとともに、その動作電源を外部電源として駆
動能力を抑えた第3の増幅器が活性化される。従って、
消費電力を低減することができる。
【0030】請求項7に記載の発明によれば、第1及び
第3の増幅器はカレントミラー型増幅器であって、その
第1及び第3の増幅器のカレントミラー回路が共通化さ
れる。従って、請求項6の発明と同様に動作し、請求項
6と同様の作用効果がある。しかも、各増幅器のカレン
トミラー回路が共通化されているので、回路面積の増大
を抑えることができる。
【0031】請求項8に記載の発明によれば、ラッチ回
路は、第1の増幅器で生成されたクロック信号に基づい
て、第2の増幅器で生成された入力信号を取り込んでラ
ッチするとともに、その入力信号を出力信号として出力
する。従って、前記同期手段によって、第1の増幅器で
増幅されたクロック信号と、第2の増幅器で増幅された
入力信号の位相が相対的にずれることがないため、ラッ
チ回路において常に正確な入力信号を取り込むことがで
きる。
【0032】請求項9に記載の発明によれば、第1及び
第2の増幅器と内部回路との間の配線容量によって、内
部回路に入力されるクロック信号と入力信号との位相の
ずれが、0°又は360°の正数倍から10°以内に収
まるように、第1及び第2の増幅器がレイアウトされ
る。従って、内部回路において常に正確な入力信号を確
実に取り込むことができる。
【0033】請求項10に記載の発明によれば、同期手
段によって、第1の増幅器に供給される動作電源が、第
2の増幅器に供給される降圧電源と同期して変化する。
そのため、各増幅器の駆動能力が同期して同方向に変化
し、この結果、各増幅器の動作遅延時間が同期して同方
向に変化する。従って、第1の増幅器で増幅されたクロ
ック信号と、第2の増幅器で増幅された入力信号の位相
が相対的にずれることがなく、内部回路において常に正
確な入力信号を取り込むことができる。
【0034】請求項11に記載の発明によれば、同期手
段によって、第1の増幅器に供給される動作電源が、第
2の増幅器に供給される昇圧電源と同期して変化する。
そのため、各増幅器の駆動能力が同期して同方向に変化
し、この結果、各増幅器の動作遅延時間が同期して同方
向に変化する。従って、第1の増幅器で増幅されたクロ
ック信号と、第2の増幅器で増幅された入力信号の位相
が相対的にずれることがなく、内部回路において常に正
確な入力信号を取り込むことができる。
【0035】請求項12,13に記載の発明によれば、
同期手段によって、第1の増幅器に供給される動作電源
が、第2の増幅器に供給される降圧電源及び昇圧電源と
同期して変化する。そのため、各増幅器の駆動能力が同
期して同方向に変化し、この結果、各増幅器の動作遅延
時間が同期して同方向に変化する。従って、第1の増幅
器で増幅されたクロック信号と、第2の増幅器で増幅さ
れた入力信号の位相が相対的にずれることがなく、内部
回路において常に正確な入力信号を取り込むことができ
る。
【0036】
【発明の実施の形態】(第1の実施の形態)以下、本発
明を具体化した第1の実施の形態を図2及び図3に従っ
て説明する。図2は、本実施の形態の入力回路10を示
す。入力回路10は、第1及び第2の差動増幅器11,
12と、ラッチ回路としてのDフリップフロップ回路1
3とから構成される。
【0037】第1の差動増幅器11は、具体的にPチャ
ネルMOSトランジスタ(以下、PMOSトランジスタ
とする)TP1,TP2と、NチャネルMOSトランジスタ
(以下、NMOSトランジスタとする)TN1〜TN3とか
ら構成される。
【0038】PMOSトランジスタTP1,TP2は、その
ソースに高電位側電源Vddがそれぞれ供給され、そのド
レインがNMOSトランジスタTN1,TN2のドレインに
それぞれ接続される。NMOSトランジスタTN1,TN2
のソースはノードN1で接続され、このノードN1には
NMOSトランジスタTN3を介して、図示しない降圧回
路にて低電位側電源Vssを降圧した降圧電源Vssi が供
給される。
【0039】前記PMOSトランジスタTP1,TP2は、
カレントミラー回路11aを構成している。即ち、PM
OSトランジスタTP1,TP2は、そのゲートが互いに接
続されるとともに、PMOSトランジスタTP2のドレイ
ンに接続される。
【0040】前記NMOSトランジスタTN1のゲートに
は基準電圧Vref が入力され、NMOSトランジスタT
N2のゲートには外部クロック信号EXCLKが入力され
る。又、前記NMOSトランジスタTN3のゲートには、
第1の差動増幅器11を活性又は非活性状態に切り替え
るイネーブル信号CLKenzが入力される。そして、
PMOSトランジスタTP1及びNMOSトランジスタT
N1のドレイン、即ちノードN2ではクロック信号CLK
が生成され、そのクロック信号CLKはDフリップフロ
ップ回路13のクロック入力端子Tに出力される。
【0041】このような第1の差動増幅器11では、H
レベルのイネーブル信号CLKenzによってNMOS
トランジスタTN3がオンされて活性化される。そして、
外部クロック信号EXCLKが立ち上がり、その信号E
XCLKレベルが基準電圧Vref より高くなると、NM
OSトランジスタTN2の駆動能力がNMOSトランジス
タTN1に対して高くなる。即ち、NMOSトランジスタ
TN2のドレイン電流がNMOSトランジスタTN1に対し
て増加し、PMOSトランジスタTP1,TP2の駆動能力
が高められる。すると、ノードN1の電位が上昇してN
MOSトランジスタTN1がオフし、ノードN2の電位が
高電位側電源Vddレベル近傍まで上昇する。
【0042】一方、外部クロック信号EXCLKが立ち
下がり、その信号EXCLKレベルが基準電圧Vref よ
り低くなると、NMOSトランジスタTN2の駆動能力が
NMOSトランジスタTN1に対して低くなる。即ち、N
MOSトランジスタTN2のドレイン電流がNMOSトラ
ンジスタTN1に対して減少し、PMOSトランジスタT
P1,TP2の駆動能力が低くされる。すると、ノードN1
の電位が下降し、ノードN2の電位が降圧電源Vssi レ
ベル近傍まで下降する。
【0043】つまり、第1の差動増幅器11は、図3に
示すように小振幅の外部クロック信号EXCLKを、基
準電圧Vref をしきい値として増幅して、電源Vdd,V
ssiの電位差に等しい振幅を備えたクロック信号CLK
としてDフリップフロップ回路13のクロック入力端子
Tに出力する。尚、本実施の形態では、第1の差動増幅
器11で増幅したクロック信号CLKをDフリップフロ
ップ回路13以外の後段の回路(図示しない)にも供給
している。
【0044】第2の差動増幅器12は、具体的にPMO
SトランジスタTP3,TP4と、NMOSトランジスタT
N4〜TN6とからなり、前記第1の差動増幅器11と同様
に構成される。因みに、PMOSトランジスタTP3,T
P4は、カレントミラー回路12aを構成している。
【0045】前記NMOSトランジスタTN4のゲートに
は基準電圧Vref が入力され、NMOSトランジスタT
N5のゲートには外部入力信号EXinが入力される。
又、前記NMOSトランジスタTN6のゲートには、第2
の差動増幅器12を活性又は非活性状態に切り替えるイ
ネーブル信号enzが入力される。そして、PMOSト
ランジスタTP3及びNMOSトランジスタTN4のドレイ
ン、即ちノードN4では入力信号inが生成され、その
入力信号inはDフリップフロップ回路13のデータ入
力端子Dに出力される。
【0046】このような第2の差動増幅器12では、H
レベルのイネーブル信号enzによってNMOSトラン
ジスタTN6がオンされて活性化される。そして、第2の
差動増幅器12は、第1の差動増幅器11と同様に動作
し、図3に示すように小振幅の外部入力信号EXin
を、基準電圧Vref をしきい値として増幅して、電源V
dd,Vssi の電位差に等しい振幅を備えた入力信号in
としてDフリップフロップ回路13のデータ入力端子D
に出力する。
【0047】Dフリップフロップ回路13は、第1の差
動増幅器11から出力されたクロック信号CLKの立ち
上がりに基づいて、第2の差動増幅器12から出力され
た入力信号inを取り込んでラッチするとともに、その
入力信号inを出力信号outとして出力端子Qから図
示しない後段の回路に出力している。
【0048】このように構成された入力回路10では、
第1及び第2の差動増幅器11,12に共通の電源Vd
d,Vssi が供給されているので、各差動増幅器11,
12の駆動能力に差が生じることはない。従って、図3
に示すように、降圧電源Vssiレベルが次第に上昇して
も、第1及び第2の差動増幅器11,12の駆動能力が
ともに低下し、この結果、動作遅延時間t1,t2がと
もに長くなる。従って、クロック信号CLKと入力信号
inとが相対的にずれることはなく、Dフリップフロッ
プ回路13では常に正確な入力信号inが取り込まれ
る。
【0049】上記したように、本実施の形態では、以下
に示す特徴がある。 (1)本実施の形態では、第1及び第2の差動増幅器1
1,12に共通の電源Vdd,Vssi が供給される。その
ため、各差動増幅器11,12の駆動能力に差が生じる
ことがなく、仮に、図3に示すように降圧電源Vssi レ
ベルが次第に上昇しても、第1及び第2の差動増幅器1
1,12の駆動能力がともに低下し、この結果、動作遅
延時間t1,t2がともに長くなる。従って、クロック
信号CLKと入力信号inとが相対的にずれることはな
く、Dフリップフロップ回路13において、常に正確な
入力信号inを取り込むことができる。その結果、入力
回路10の動作を高速化すべく、外部クロック信号EX
CLK及び外部入力信号EXinの周波数が高くなって
も、入力回路10の動作を常に安定させることができ
る。
【0050】(第2の実施の形態)以下、本発明を具体
化した第2の実施の形態を図4に従って説明する。尚、
説明の便宜上、図2に示す第1の実施の形態と同様の構
成については同一の符号を付してその詳細な説明を省略
する。
【0051】図4は、本実施の形態の入力回路10aを
示す。第1の差動増幅器11におけるNMOSトランジ
スタTN3のソースには、並列に接続された容量C及び抵
抗Rを介して降圧電源Vssi が供給される。
【0052】このように構成された入力回路10aで
は、抵抗Rによって、ノードN1の電位が降圧電源Vss
i レベルより上昇するので、第1の差動増幅器11の駆
動能力が抑えられる。ここで、この第1の差動増幅器1
1は、第2の差動増幅器12を非活性状態とするときに
も単独で動作させて、増幅したクロック信号CLKを前
記後段の回路に供給している。このような場合では、第
1の差動増幅器11は高い駆動能力を必要としない。従
って、第1の差動増幅器11の駆動能力を抑えること
で、この差動増幅器11の消費電力が低減される。
【0053】しかも、容量Cによって、ノードN1の電
位が降圧電源Vssi の電圧レベルの変化と同期して変化
する。従って、第1及び第2の差動増幅器11,12の
駆動能力が同期して同方向に変化し、この結果、動作遅
延時間t1,t2が同期して同方向に変化する。従っ
て、クロック信号CLKと入力信号inとが相対的にず
れることはなく、Dフリップフロップ回路13では常に
正確な入力信号inが取り込まれる。
【0054】上記したように、本実施の形態では、以下
に示す特徴がある。 (1)本実施の形態では、NMOSトランジスタTN3の
ソースに対して、並列に接続された容量C及び抵抗Rを
介して降圧電源Vssi を供給した。すると、容量Cによ
って、ノードN1の電位が降圧電源Vssi の電圧レベル
の変化と同期して変化する。そのため、各差動増幅器1
1,12の駆動能力が同期して同方向に変化し、この結
果、動作遅延時間t1,t2が同期して同方向に変化す
る。従って、クロック信号CLKと入力信号inとが相
対的にずれることはなく、Dフリップフロップ回路13
では常に正確な入力信号inを取り込むことができる。
その結果、入力回路10aの動作を高速化すべく、外部
クロック信号EXCLK及び外部入力信号EXinの周
波数が高くなっても、入力回路10aの動作を常に安定
させることができる。
【0055】(2)しかも、抵抗Rによって、ノードN
1の電位が降圧電源Vssi レベルより上昇するので、第
1の差動増幅器11の駆動能力を抑えることができる。
従って、第1の差動増幅器11の消費電力を低減するこ
とができる。
【0056】(第3の実施の形態)以下、本発明を具体
化した第3の実施の形態を図5に従って説明する。尚、
説明の便宜上、図2に示す第1の実施の形態と同様の構
成については同一の符号を付してその詳細な説明を省略
する。
【0057】図5は、本実施の形態の入力回路10bを
示す。第1の差動増幅器11におけるNMOSトランジ
スタTN3のソースには、容量Cを介して降圧電源Vssi
が供給されるとともに、抵抗Rを介して低電位側電源V
ssが供給される。
【0058】このように構成された入力回路10bで
は、ノードN1に対して降圧電源Vssi より電圧レベル
の高い低電位側電源Vssが供給されるので、第1の差動
増幅器11の駆動能力が抑えられる。ここで、この第1
の差動増幅器11は、第2の差動増幅器12を非活性状
態とするときにも単独で動作させて、増幅したクロック
信号CLKを前記後段の回路に供給している。このよう
な場合では、第1の差動増幅器11は高い駆動能力を必
要としない。従って、第1の差動増幅器11の駆動能力
を抑えることで、この差動増幅器11の消費電力が低減
される。
【0059】しかも、容量Cによって、ノードN1の電
位が降圧電源Vssi の電圧レベルの変化と同期して変化
する。従って、第1及び第2の差動増幅器11,12の
駆動能力が同期して同方向に変化し、この結果、動作遅
延時間t1,t2が同期して同方向に変化する。従っ
て、クロック信号CLKと入力信号inとが相対的にず
れることはなく、Dフリップフロップ回路13では常に
正確な入力信号inが取り込まれる。
【0060】上記したように、本実施の形態では、以下
に示す特徴がある。 (1)本実施の形態では、NMOSトランジスタTN3の
ソースに対して、容量Cを介して降圧電源Vssi を供給
するとともに、抵抗Rを介して低電位側電源Vssを供給
した。すると、容量Cによって、ノードN1の電位が降
圧電源Vssi の電圧レベルの変化と同期して変化する。
そのため、各差動増幅器11,12の駆動能力が同期し
て同方向に変化し、この結果、動作遅延時間t1,t2
が同期して同方向に変化する。従って、クロック信号C
LKと入力信号inとが相対的にずれることはなく、D
フリップフロップ回路13では常に正確な入力信号in
を取り込むことができる。その結果、入力回路10bの
動作を高速化すべく、外部クロック信号EXCLK及び
外部入力信号EXinの周波数が高くなっても、入力回
路10bの動作を常に安定させることができる。
【0061】(2)しかも、ノードN1に対して降圧電
源Vssi より電圧レベルの高い低電位側電源Vssが供給
されるので、第1の差動増幅器11の駆動能力を抑える
ことができる。従って、第1の差動増幅器11の消費電
力を低減することができる。
【0062】(第4の実施の形態)以下、本発明を具体
化した第4の実施の形態を図6に従って説明する。尚、
説明の便宜上、図2に示す第1の実施の形態と同様の構
成については同一の符号を付してその詳細な説明を省略
する。
【0063】図6は、本実施の形態の入力回路10cを
示す。第1の差動増幅器11におけるノードN1には、
NMOSトランジスタTN7を介して低電位側電源Vssが
供給される。このNMOSトランジスタTN7のゲートに
は、NMOSトランジスタTN3のゲートに入力されるイ
ネーブル信号CLKenzがインバータ回路14を介し
て入力される。つまり、NMOSトランジスタTN3,T
N7は相補的に動作する。
【0064】このように構成された入力回路10cで
は、Hレベルのイネーブル信号enz,CLKenzが
入力されると、第1及び第2の差動増幅器11,12の
各ノードN1,N3に降圧電源Vssi が供給される。従
って、本実施の形態の入力回路10cは、前記第1の実
施の形態と同様に動作する。
【0065】一方、Lレベルのイネーブル信号enz,
CLKenzが入力されると、第2の差動増幅器12が
非活性状態となるとともに、第1の差動増幅器11のN
MOSトランジスタTN7がオン、NMOSトランジスタ
TN3がオフされ、ノードN1に低電位側電源Vssが供給
される。従って、第1の差動増幅器11は、通常の電源
Vdd,Vssに基づいて外部クロック信号EXCLKを増
幅したクロック信号CLKを生成し、前記後段の回路
(図示しない)に供給する。
【0066】このような場合では、第1の差動増幅器1
1は高い駆動能力を必要としないため、その動作電源を
降圧電源Vssi からその降圧電源Vssi より電圧レベル
の高い低電位側電源Vssに切り替えて、第1の差動増幅
器11の駆動能力を抑えている。従って、第1の差動増
幅器11の駆動能力を抑えることで、この差動増幅器1
1の消費電力が低減される。
【0067】上記したように、本実施の形態では、以下
に示す特徴がある。 (1)本実施の形態の入力回路10cは、Hレベルのイ
ネーブル信号enz,CLKenzが入力されると、第
1の実施の形態の入力回路10と同様に動作する。従っ
て、第1の実施の形態の(1)と同様の効果がある。
【0068】(2)しかも、第1の差動増幅器11で増
幅したクロック信号CLKがDフリップフロップ回路1
3で必要ないとき(第2の差動増幅器12が非活性状態
のとき)、第1の差動増幅器11は通常の電源Vdd,V
ssに基づいて外部クロック信号EXCLKを増幅したク
ロック信号CLKを生成する。従って、このような場合
では、第1の差動増幅器11の駆動能力を抑えることが
できる。その結果、第1の差動増幅器11の消費電力を
低減することができる。
【0069】(第5の実施の形態)以下、本発明を具体
化した第5の実施の形態を図7に従って説明する。尚、
説明の便宜上、図2に示す第1の実施の形態と同様の構
成については同一の符号を付してその詳細な説明を省略
する。
【0070】図7は、本実施の形態の入力回路10dを
示す。本実施の形態では、第3の差動増幅器15が付加
されている。この第3の差動増幅器15は外部クロック
信号EXCLKを増幅したクロック信号CLKを生成す
る。そして、本実施の形態では、第1及び第3の差動増
幅器11,15で増幅したクロック信号CLKをDフリ
ップフロップ回路13と、該回路13以外の後段の回路
(図示しない)に供給している。
【0071】第1の差動増幅器11のノードN2と、D
フリップフロップ回路13のクロック入力端子Tとの間
には、NMOSトランジスタ及びPMOSトランジスタ
からなる第1の転送ゲートTg1が介在されている。第
1の転送ゲートTg1のNMOSトランジスタのゲート
にはイネーブル信号CLKenzが入力され、そのPM
OSトランジスタのゲートにはイネーブル信号CLKe
nzの反転信号CLKenzバーが入力される。
【0072】このような第1の差動増幅器11では、H
レベルのイネーブル信号CLKenzによって活性化さ
れ、ノードN2からクロック信号CLKが出力される。
このとき、第1の転送ゲートTg1はHレベルのイネー
ブル信号CLKenzによって導通状態となり、ノード
N2からのクロック信号CLKはDフリップフロップ回
路13と、該回路13以外の後段の回路に供給される。
【0073】一方、第1の転送ゲートTg1と前記クロ
ック入力端子Tとの間のノードN5には、第3の差動増
幅器15が接続される。この第3の差動増幅器15は、
具体的にPMOSトランジスタTP5,TP6と、NMOS
トランジスタTN8〜TN10 とからなり、前記第1の差動
増幅器11と同様に構成される。因みに、PMOSトラ
ンジスタTP5,TP6は、カレントミラー回路15aを構
成している。そして、NMOSトランジスタTN10 のソ
ースには低電位側電源Vssが供給される。又、NMOS
トランジスタTN10 のゲートには、前記反転信号CLK
enzバーが入力される。
【0074】又、クロック信号CLKが出力されるノー
ドN7と、前記ノードN5との間には、NMOSトラン
ジスタ及びPMOSトランジスタからなる第2の転送ゲ
ートTg2が介在されている。第2の転送ゲートTg2
のNMOSトランジスタのゲートにはイネーブル信号C
LKenzの反転信号CLKenzバーが入力され、そ
のPMOSトランジスタのゲートにはイネーブル信号C
LKenzが入力される。
【0075】このような第3の差動増幅器15では、H
レベルの反転信号CLKenzバー、即ちLレベルのイ
ネーブル信号CLKenzによってNMOSトランジス
タTN10 がオンされて活性化される。
【0076】そして、第3の差動増幅器15は、第1の
差動増幅器11と相補的に動作し、小振幅の外部クロッ
ク信号EXCLKを、基準電圧Vref をしきい値として
増幅して電源Vdd,Vssの電位差に等しい振幅を備えた
クロック信号CLKとしてDフリップフロップ回路13
のデータ入力端子Dと、該回路13以外の後段の回路に
供給する。
【0077】このように構成された入力回路10dで
は、Hレベルのイネーブル信号enz,CLKenzが
入力されると、第1及び第2の差動増幅器11,12が
活性化され、第3の差動増幅器15が非活性化される。
従って、本実施の形態の入力回路10dは第1及び第2
の差動増幅器11,12によって、前記第1の実施の形
態と同様に動作する。一方、Lレベルのイネーブル信号
enz,CLKenzが入力されると、第1及び第2の
差動増幅器11,12が非活性化されるとともに、第3
の差動増幅器15が活性化される。従って、第3の差動
増幅器15は、通常の電源Vdd,Vssに基づいて外部ク
ロック信号EXCLKを増幅したクロック信号CLKを
生成し、前記後段の回路に供給する。
【0078】このような場合では、高い駆動能力の第1
の差動増幅器11を必要としないため、その動作電源を
電源Vdd,Vssとして駆動能力を抑えた第3の差動増幅
器15に切り替えられる。従って、入力回路10dの消
費電力が低減される。
【0079】上記したように、本実施の形態では、以下
に示す特徴がある。 (1)本実施の形態の入力回路10dは、Hレベルのイ
ネーブル信号enz,CLKenzが入力されると、第
1の実施の形態の入力回路10と同様に動作する。従っ
て、第1の実施の形態の(1)と同様の効果がある。
【0080】(2)しかも、第1の差動増幅器11で増
幅したクロック信号CLKがDフリップフロップ回路1
3で必要ないとき(第2の差動増幅器12が非活性状態
のとき)、その動作電源を電源Vdd,Vssとして駆動能
力を抑えた第3の差動増幅器15に切り替えられる。従
って、入力回路10dの消費電力を低減することができ
る。
【0081】(3)又、第1及び第3の差動増幅器1
1,15が別回路であるため、その駆動能力の調整を容
易に行うことができる。 (第6の実施の形態)以下、本発明を具体化した第6の
実施の形態を図8に従って説明する。尚、説明の便宜
上、図7に示す第5の実施の形態と同様の構成について
は同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。
【0082】図8は、本実施の形態の入力回路10eを
示す。本実施の形態では、第3の差動増幅器15のカレ
ントミラー回路15aを構成するPMOSトランジスタ
TP5,TP6が省略され、第1の差動増幅器11のPMO
SトランジスタTP1,TP2からなるカレントミラー回路
11aと共通化される。このように構成しても、本実施
の形態の入力回路10eは、前記第5の実施の形態と同
様に動作する。
【0083】上記したように、本実施の形態では、以下
に示す特徴がある。 (1)本実施の形態の入力回路10eは、Hレベルのイ
ネーブル信号enz,CLKenzが入力されると、第
5の実施の形態の入力回路10eと同様に動作する。従
って、第5の実施の形態の(1)と同様の効果がある。
【0084】(2)しかも、第1の差動増幅器11で増
幅したクロック信号CLKがDフリップフロップ回路1
3で必要ないとき(第2の差動増幅器12が非活性状態
のとき)、第5の実施の形態と同様に、その動作電源を
電源Vdd,Vssとして駆動能力を抑えた第3の差動増幅
器15に切り替えられる。従って、第5の実施の形態と
同様に、入力回路10eの消費電力を低減することがで
きる。
【0085】(3)本実施の形態では、第1及び第3の
差動増幅器11,15のカレントミラー回路11aを共
通化、即ちPMOSトランジスタTP5,TP6が省略でき
るので、回路面積の増大を抑えることができる。
【0086】尚、本発明の実施の形態は以下のように変
更してもよい。 ○上記各実施の形態における第1及び第2の増幅器11
のチップ上のレイアウトにおいて、第1及び第2の差動
増幅器11,12とDフリップフロップ回路13との間
の配線容量によって、Dフリップフロップ回路13に入
力されるクロック信号CLKと入力信号inとの位相の
ずれが、0°又は360°の正数倍から10°以内に収
まるようにする。このようにすれば、Dフリップフロッ
プ回路13において常に正確な入力信号inを確実に取
り込むことができる。
【0087】○上記各実施の形態では、第1及び第2の
差動増幅器11,12に低電位側電源Vssを降圧した降
圧電源Vssi を供給したが、各差動増幅器11,12に
対して高電位側電源Vddを昇圧した昇圧電源を供給する
ようにしてもよい。尚、この場合の回路構成は、上記各
実施の形態における第1及び第2の差動増幅器11,1
2の回路構成と対照に構成する必要がある。又、各差動
増幅器11,12に対して降圧電源Vssi 及び昇圧電源
の両方を供給するようにしてもよい。
【0088】○上記実施の形態では、ラッチ回路として
のDフリップフロップ回路13を使用したが、その他の
ラッチ回路を使用してもよい。又、ラッチ回路に限ら
ず、第1の差動増幅器11で生成されたクロック信号C
LKに基づいて、第2の差動増幅器12で生成された入
力信号inを取り込む内部回路であればよい。
【0089】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
外部から入力されるクロック信号及び入力信号を増幅す
る増幅器を備えた半導体装置において、各増幅信号の位
相の相対的なずれを防止し得る半導体装置を提供するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の原理説明図である。
【図2】 第1の実施の形態の入力回路を示す回路図で
ある。
【図3】 第1の実施の形態の入力回路の動作を示す波
形図である。
【図4】 第2の実施の形態の入力回路を示す回路図で
ある。
【図5】 第3の実施の形態の入力回路を示す回路図で
ある。
【図6】 第4の実施の形態の入力回路を示す回路図で
ある。
【図7】 第5の実施の形態の入力回路を示す回路図で
ある。
【図8】 第6の実施の形態の入力回路を示す回路図で
ある。
【図9】 従来の入力回路を示す回路図である。
【図10】 従来の入力回路の動作を示す波形図であ
る。
【符号の説明】
1 第1の増幅器 2 第2の増幅器 3 内部回路 4 同期手段 EXCLK 外部クロック信号 EXin 外部入力信号 CLK クロック信号 in 入力信号 V1,V2 動作電源 V3,V4 内部電源

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 動作電源の供給に基づいて、外部クロッ
    ク信号を増幅したクロック信号を生成する第1の増幅器
    と、 外部電源を昇圧、或いは降圧した内部電源の供給に基づ
    いて、外部入力信号を増幅した入力信号を生成する第2
    の増幅器と、 前記第1の増幅器で生成されたクロック信号に基づい
    て、前記第2の増幅器で生成された入力信号を取り込む
    内部回路とを備えた半導体装置であって、 前記第1の増幅器に供給される動作電源を、第2の増幅
    器に供給される内部電源と同期して変化させる同期手段
    を備えたことを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の半導体装置において、 前記同期手段は、前記第2の増幅器に供給した内部電源
    を、前記第1の増幅器の動作電源として供給するように
    したことを特徴とする半導体装置。
  3. 【請求項3】 請求項1に記載の半導体装置において、 前記同期手段は、前記第2の増幅器に供給した内部電源
    を、並列に接続した抵抗及び容量を介して前記第1の増
    幅器に供給するようにしたことを特徴とする半導体装
    置。
  4. 【請求項4】 請求項1に記載の半導体装置において、 前記第1の増幅器には、その動作電源として前記外部電
    源が供給されるものであって、 前記同期手段は、前記第1及び第2の増幅器の電源端子
    間を容量結合したことを特徴とする半導体装置。
  5. 【請求項5】 請求項1に記載の半導体装置において、 前記第1の増幅器には、前記同期手段を介して入力され
    る動作電源と、外部電源とを切り替える切換回路を備え
    るものであって、 その切換回路は、前記内部回路が前記第2の増幅器で生
    成された入力信号を取り込むときのみ、前記同期手段を
    介して前記第1の増幅器に動作電源を供給するようにし
    たことを特徴とする半導体装置。
  6. 【請求項6】 請求項1に記載の半導体装置において、 外部電源の供給に基づいて、外部クロック信号を増幅し
    たクロック信号を生成する第3の増幅器と、 前記第1又は第3の増幅器のいずれか一方を活性化する
    活性化回路とを備えるものであって、 その活性化回路は、前記内部回路が前記第2の増幅器で
    生成された入力信号を取り込むときのみ、前記第1の増
    幅器を活性化するようにしたことを特徴とする半導体装
    置。
  7. 【請求項7】 請求項6に記載の半導体装置において、 前記第1及び第3の増幅器はカレントミラー型増幅器で
    あって、その第1及び第3の増幅器のカレントミラー回
    路を共通化したことを特徴とする半導体装置。
  8. 【請求項8】 請求項1に記載の半導体装置において、 前記内部回路は、前記第1の増幅器で生成されたクロッ
    ク信号に基づいて、前記第2の増幅器で生成された入力
    信号を取り込んでラッチするとともに、その入力信号を
    出力信号として出力するラッチ回路であることを特徴と
    する半導体装置。
  9. 【請求項9】 請求項1に記載の半導体装置において、 前記第1及び第2の増幅器と前記内部回路との間の配線
    容量によって、内部回路に入力されるクロック信号と入
    力信号との位相のずれが、0°又は360°の正数倍か
    ら10°以内に収まるように、第1及び第2の増幅器を
    レイアウトしたことを特徴とする半導体装置。
  10. 【請求項10】 請求項1〜9のいずれかに記載の半導
    体装置において、 前記内部電源は、外部電源を降圧した降圧電源であるこ
    とを特徴とする半導体装置。
  11. 【請求項11】 請求項1〜9のいずれかに記載の半導
    体装置において、 前記内部電源は、外部電源を昇圧した昇圧電源であるこ
    とを特徴とする半導体装置。
  12. 【請求項12】 請求項1〜9のいずれかに記載の半導
    体装置において、 前記内部電源は、外部電源を降圧した降圧電源と、外部
    電源を昇圧した昇圧電源の両方であることを特徴とする
    半導体装置。
  13. 【請求項13】 請求項12に記載の半導体装置におい
    て、 第1の増幅器に供給される動作電源を、第2の増幅器に
    供給される前記降圧電源及び昇圧電源と同期して変化さ
    せる同期手段を備えたことを特徴とする半導体装置。
JP14124598A 1998-05-22 1998-05-22 半導体装置 Expired - Fee Related JP3733388B2 (ja)

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