JPH11340573A5 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH11340573A5
JPH11340573A5 JP1998146786A JP14678698A JPH11340573A5 JP H11340573 A5 JPH11340573 A5 JP H11340573A5 JP 1998146786 A JP1998146786 A JP 1998146786A JP 14678698 A JP14678698 A JP 14678698A JP H11340573 A5 JPH11340573 A5 JP H11340573A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gallium nitride
laser device
nitride semiconductor
semiconductor laser
active layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1998146786A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JPH11340573A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP14678698A priority Critical patent/JPH11340573A/ja
Priority claimed from JP14678698A external-priority patent/JPH11340573A/ja
Publication of JPH11340573A publication Critical patent/JPH11340573A/ja
Publication of JPH11340573A5 publication Critical patent/JPH11340573A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP14678698A 1998-05-28 1998-05-28 窒化ガリウム系半導体レーザ素子 Pending JPH11340573A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14678698A JPH11340573A (ja) 1998-05-28 1998-05-28 窒化ガリウム系半導体レーザ素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14678698A JPH11340573A (ja) 1998-05-28 1998-05-28 窒化ガリウム系半導体レーザ素子

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004076720A Division JP3933637B2 (ja) 2004-03-17 2004-03-17 窒化ガリウム系半導体レーザ素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11340573A JPH11340573A (ja) 1999-12-10
JPH11340573A5 true JPH11340573A5 (enrdf_load_stackoverflow) 2005-03-10

Family

ID=15415517

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14678698A Pending JPH11340573A (ja) 1998-05-28 1998-05-28 窒化ガリウム系半導体レーザ素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11340573A (enrdf_load_stackoverflow)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001308460A (ja) * 2000-04-27 2001-11-02 Sharp Corp 窒化物半導体レーザ素子とその光ピックアップ装置
JP4613395B2 (ja) * 2000-06-09 2011-01-19 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ素子及びその製造方法
US6653662B2 (en) 2000-11-01 2003-11-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device, method for fabricating the same, and method for driving the same
US6958497B2 (en) 2001-05-30 2005-10-25 Cree, Inc. Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures
JP4504610B2 (ja) 2002-03-01 2010-07-14 株式会社日立製作所 リッジ型半導体レーザ素子
US20060138431A1 (en) 2002-05-17 2006-06-29 Robert Dwilinski Light emitting device structure having nitride bulk single crystal layer
JP2009158647A (ja) * 2007-12-26 2009-07-16 Sharp Corp 窒化物系半導体レーザ素子およびその製造方法
JP6160141B2 (ja) 2012-03-22 2017-07-12 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3897186B2 (ja) 化合物半導体レーザ
JP3060973B2 (ja) 選択成長法を用いた窒化ガリウム系半導体レーザの製造方法及び窒化ガリウム系半導体レーザ
CN100452582C (zh) 半导体激光器及其生产方法
JP2004152841A (ja) 窒化物半導体レーザ素子
JPH11340573A5 (enrdf_load_stackoverflow)
JP2000058981A (ja) 窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法
JP2000294883A (ja) 窒化物系化合物半導体レーザ素子
JPH07288362A (ja) 垂直共振器型面発光半導体レーザ
JPH0722695A (ja) 自励発振型半導体レーザ素子
JP4056717B2 (ja) 半導体レーザおよびその製造方法
JP2000022262A (ja) 半導体レーザ装置
JP2000332290A (ja) 窒化物半導体素子およびその製造方法
JPH0846291A (ja) 半導体レーザおよびその製造方法
JP2003060319A (ja) 窒化物系半導体レーザ素子
JP4737387B2 (ja) 半導体レーザ素子
JP3717206B2 (ja) 半導体レーザ素子
JP4497606B2 (ja) 半導体レーザ装置
JP2000252587A (ja) 半導体レーザおよびその製造方法
JPH09289358A5 (enrdf_load_stackoverflow)
JP2003179306A (ja) 半導体レーザ素子およびその製造方法
JP4441085B2 (ja) 半導体レーザ素子及びその製造方法
JPS60126880A (ja) 半導体レ−ザ装置
JP3138095B2 (ja) 半導体レーザ素子
JPH084180B2 (ja) 半導体レ−ザ装置およびその製造方法
JP2000068582A (ja) 半導体レーザ装置およびその製造方法