JPH11340191A - シリコン基板のウエットエッチング装置 - Google Patents
シリコン基板のウエットエッチング装置Info
- Publication number
- JPH11340191A JPH11340191A JP14626498A JP14626498A JPH11340191A JP H11340191 A JPH11340191 A JP H11340191A JP 14626498 A JP14626498 A JP 14626498A JP 14626498 A JP14626498 A JP 14626498A JP H11340191 A JPH11340191 A JP H11340191A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon substrate
- silicon
- wet etching
- pattern
- transfer mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコン基板のウエットエッチング時に汚れ
が付着し難く、製造歩留まりの高い高品質のシリコン転
写マスクを作製するためのシリコン基板のウエットエッ
チング装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 片面に転写マスクパターンが、もう一方
の面にレジストパターンが形成されたシリコン基板６０
をレジストパターン面を上にして支持台３０のシリコン
基板保持部３１にセットして中間板２０を押し当てて仮
止めし、蓋１０を支持台３０にネジ締めしてシリコン基
板６０を固定する。さらに、７０℃に加熱されたＫＯＨ
溶液の中に上記シリコン基板６０がセットされた本発明
のウエットエッチング装置１００を浸漬して、シリコン
基板６０の単結晶シリコンウエハをレジストパターンを
マスクにして異方性エッチングして転写パターン開口部
及び転写マスク分離開口部を形成し、シリコン転写マス
クを得る。
が付着し難く、製造歩留まりの高い高品質のシリコン転
写マスクを作製するためのシリコン基板のウエットエッ
チング装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 片面に転写マスクパターンが、もう一方
の面にレジストパターンが形成されたシリコン基板６０
をレジストパターン面を上にして支持台３０のシリコン
基板保持部３１にセットして中間板２０を押し当てて仮
止めし、蓋１０を支持台３０にネジ締めしてシリコン基
板６０を固定する。さらに、７０℃に加熱されたＫＯＨ
溶液の中に上記シリコン基板６０がセットされた本発明
のウエットエッチング装置１００を浸漬して、シリコン
基板６０の単結晶シリコンウエハをレジストパターンを
マスクにして異方性エッチングして転写パターン開口部
及び転写マスク分離開口部を形成し、シリコン転写マス
クを得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路、電
子線露光マスク、ＳＣＡＬＰＥＬ、Ｘ線マスク、イオン
ビーム転写用マスク等の転写マスクを作製する工程で使
用されるシリコン基板のウェットエッチング装置に関す
る。
子線露光マスク、ＳＣＡＬＰＥＬ、Ｘ線マスク、イオン
ビーム転写用マスク等の転写マスクを作製する工程で使
用されるシリコン基板のウェットエッチング装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】最近ＬＳＩ等の半導体装置の製造には、
超微細パターン加工性に優れた電子ビーム装置が使用さ
れており、スループット向上を図るためマルチショット
描画方式が提案され、シリコン転写マスクが使用されて
いる。このシリコン転写マスクはドライエッチングとウ
エット（異方性）エッチングの組み合わせで作製される
のが一般的である。以下、シリコン転写マスクの製造工
程を追いながら従来のシリコン基板のウエット（異方
性）エッチングについて説明する。ここで、図３（ａ）
〜（ｅ）に電子ビーム露光用シリコン転写マスクの従来
の製造工程を工程順に示す構成断面図を、図４にシリコ
ン基板の従来のウエットエッチング法の一実施例の模式
斜視図をそれぞれ示す。
超微細パターン加工性に優れた電子ビーム装置が使用さ
れており、スループット向上を図るためマルチショット
描画方式が提案され、シリコン転写マスクが使用されて
いる。このシリコン転写マスクはドライエッチングとウ
エット（異方性）エッチングの組み合わせで作製される
のが一般的である。以下、シリコン転写マスクの製造工
程を追いながら従来のシリコン基板のウエット（異方
性）エッチングについて説明する。ここで、図３（ａ）
〜（ｅ）に電子ビーム露光用シリコン転写マスクの従来
の製造工程を工程順に示す構成断面図を、図４にシリコ
ン基板の従来のウエットエッチング法の一実施例の模式
斜視図をそれぞれ示す。
【０００３】まず、面方位が（１００）からなる単結晶
シリコンウェハ５１及び単結晶シリコンウェハ５３をシ
リコン酸化膜５２で貼り合わせた貼り合わせシリコン基
板５４を作製し、単結晶シリコンウェハ５３面にシリコ
ン酸化膜を形成し、パターニング処理して多面付けのシ
リコン酸化膜パターン５５ａ及び５５ｂを形成する（図
３（ａ）参照）。
シリコンウェハ５１及び単結晶シリコンウェハ５３をシ
リコン酸化膜５２で貼り合わせた貼り合わせシリコン基
板５４を作製し、単結晶シリコンウェハ５３面にシリコ
ン酸化膜を形成し、パターニング処理して多面付けのシ
リコン酸化膜パターン５５ａ及び５５ｂを形成する（図
３（ａ）参照）。
【０００４】次に、シリコン酸化膜パターン５５ａ及び
５５ｂをレジストにして、ドライエッチングにより単結
晶シリコンウェハ５３をシリコン酸化膜５２に到達する
深さまでエッチングして、転写マスクパターン５６及び
チップ分離するための転写マスク分離開口パターン５７
を形成する（図３（ｂ）参照）。
５５ｂをレジストにして、ドライエッチングにより単結
晶シリコンウェハ５３をシリコン酸化膜５２に到達する
深さまでエッチングして、転写マスクパターン５６及び
チップ分離するための転写マスク分離開口パターン５７
を形成する（図３（ｂ）参照）。
【０００５】次に、ＣＶＤにより貼り合わせシリコン基
板５４の両面に窒化シリコン膜を形成し、転写マスクパ
ターン５６面側にウェットエッチング用保護膜５８ａ
を、単結晶シリコンウェハ５１面に形成された窒化シリ
コン膜をパターニングしてレジストパターン５８ｂを形
成したシリコン基板７０を作製する（図３（ｃ）参
照）。
板５４の両面に窒化シリコン膜を形成し、転写マスクパ
ターン５６面側にウェットエッチング用保護膜５８ａ
を、単結晶シリコンウェハ５１面に形成された窒化シリ
コン膜をパターニングしてレジストパターン５８ｂを形
成したシリコン基板７０を作製する（図３（ｃ）参
照）。
【０００６】次に、図４に示すように、シリコン基板７
０のレジストパターン５８ｂを上にしてワックス等のシ
ール剤７２でガラス基板７１に貼着する。
０のレジストパターン５８ｂを上にしてワックス等のシ
ール剤７２でガラス基板７１に貼着する。
【０００７】次に、シリコン基板７０が接着されたガラ
ス基板７１を７０℃に加熱されたＫＯＨエッチング液に
入れ、レジストパターン５８ｂを保護マスクにして単結
晶シリコンウェハ５１を所定時間異方性エッチングし
て、転写マスクパターン開口部６１及び転写マスク分離
開口部５９を形成する。さらに、ワックス等のシール剤
を溶解除去してガラス基板７１より剥離して、ウェット
エッチング用保護膜５８ａ、レジストパターン５８ｂ及
びシリコン酸化膜５２の一部をエッチング除去して、シ
リコン転写マスクを得る。
ス基板７１を７０℃に加熱されたＫＯＨエッチング液に
入れ、レジストパターン５８ｂを保護マスクにして単結
晶シリコンウェハ５１を所定時間異方性エッチングし
て、転写マスクパターン開口部６１及び転写マスク分離
開口部５９を形成する。さらに、ワックス等のシール剤
を溶解除去してガラス基板７１より剥離して、ウェット
エッチング用保護膜５８ａ、レジストパターン５８ｂ及
びシリコン酸化膜５２の一部をエッチング除去して、シ
リコン転写マスクを得る。
【０００８】上記のガラス基板７１にワックス等のシー
ル剤７２でシリコン基板７０を貼り合せて、単結晶シリ
コンウエハを異方性エッチングする方法では、ワックス
等のシール剤が加熱ＫＯＨエッチング液に対して耐久性
が無く、何度も塗り返してエッチングしなければならな
い。そのため、シリコン転写マスクに汚れが付着して完
全に除去できなかったりして、シリコン転写マスクに欠
陥が発生し、製造歩留まりが上がらないという問題があ
る。
ル剤７２でシリコン基板７０を貼り合せて、単結晶シリ
コンウエハを異方性エッチングする方法では、ワックス
等のシール剤が加熱ＫＯＨエッチング液に対して耐久性
が無く、何度も塗り返してエッチングしなければならな
い。そのため、シリコン転写マスクに汚れが付着して完
全に除去できなかったりして、シリコン転写マスクに欠
陥が発生し、製造歩留まりが上がらないという問題があ
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題点
に鑑みなされたもので、シリコン基板のウエットエッチ
ング時に汚れが付着し難く、製造歩留まりの高い高品質
のシリコン転写マスクを作製するためのシリコン基板の
ウエットエッチング装置を提供することを目的とする。
に鑑みなされたもので、シリコン基板のウエットエッチ
ング時に汚れが付着し難く、製造歩留まりの高い高品質
のシリコン転写マスクを作製するためのシリコン基板の
ウエットエッチング装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、まず請求項１においては、シリコン基板の
ウェットエッチング装置において、該ウエットエッチン
グ装置１００は開口部１１を有する蓋１０と、シリコン
基板６０を押さえつける中間板２０と、前記シリコン基
板６０を保持するシリコン基板保持部３１を有する支持
台３０とからなることを特徴とするシリコン基板のウェ
ットエッチング装置としたものである。
するために、まず請求項１においては、シリコン基板の
ウェットエッチング装置において、該ウエットエッチン
グ装置１００は開口部１１を有する蓋１０と、シリコン
基板６０を押さえつける中間板２０と、前記シリコン基
板６０を保持するシリコン基板保持部３１を有する支持
台３０とからなることを特徴とするシリコン基板のウェ
ットエッチング装置としたものである。
【００１１】また、請求項２においては、前記中間板２
０は前記シリコン基板６０を前記支持台３０の前記シリ
コン基板保持部３１に固定し、且つ液漏れを防止するた
めの内側Ｏリング２３と外側Ｏリング２４とを有するこ
とを特徴とする請求項１記載のシリコン基板のウェット
エッチング装置としたものである。
０は前記シリコン基板６０を前記支持台３０の前記シリ
コン基板保持部３１に固定し、且つ液漏れを防止するた
めの内側Ｏリング２３と外側Ｏリング２４とを有するこ
とを特徴とする請求項１記載のシリコン基板のウェット
エッチング装置としたものである。
【００１２】さらにまた、請求項３においては、前記中
間板２０を介して前記蓋１０と前記支持台３０とのネジ
締めにてシリコン基板６０を固定する際前記中間板２０
が回転しないように前記支持台３０にガイドピン３３
を、前記中間板２０にガイドホール２２を設けたことを
特徴とする請求項１又は２記載のシリコン基板のウェッ
トエッチング装置としたものである。
間板２０を介して前記蓋１０と前記支持台３０とのネジ
締めにてシリコン基板６０を固定する際前記中間板２０
が回転しないように前記支持台３０にガイドピン３３
を、前記中間板２０にガイドホール２２を設けたことを
特徴とする請求項１又は２記載のシリコン基板のウェッ
トエッチング装置としたものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態につき図
面を用いて説明する。図１（ａ）〜（ｄ）に本発明のウ
ェットエッチング装置及び構成部材の構成断面図を、図
２（ａ）〜（ｅ）に本発明のウェットエッチング装置を
用いて荷電ビーム露光用シリコン転写マスクを製造する
際の製造工程を示す模式断面図をそれぞれ示す。本発明
のウェットエッチング装置１００（図１（ｄ）参照）
は、開口部１１及びねじ１２を有する蓋１０（図１
（ａ）参照）と、開口部２１、ガイドホール２２、内側
Ｏリング２３及び外側Ｏリング２４を有する中間板２０
（図１（ｂ）参照）と、シリコン基板保持部３１、シー
ル部３２、ガイドピン３３及び雄ネジ３４を有する支持
台３０（図１（ｃ）参照）とからなる。
面を用いて説明する。図１（ａ）〜（ｄ）に本発明のウ
ェットエッチング装置及び構成部材の構成断面図を、図
２（ａ）〜（ｅ）に本発明のウェットエッチング装置を
用いて荷電ビーム露光用シリコン転写マスクを製造する
際の製造工程を示す模式断面図をそれぞれ示す。本発明
のウェットエッチング装置１００（図１（ｄ）参照）
は、開口部１１及びねじ１２を有する蓋１０（図１
（ａ）参照）と、開口部２１、ガイドホール２２、内側
Ｏリング２３及び外側Ｏリング２４を有する中間板２０
（図１（ｂ）参照）と、シリコン基板保持部３１、シー
ル部３２、ガイドピン３３及び雄ネジ３４を有する支持
台３０（図１（ｃ）参照）とからなる。
【００１４】以下本発明のウェットエッチング装置の各
構成部材について説明する。蓋１０はエッチング液をシ
リコン基板６０に供給するための開口部１１と雌ネジ１
２を有しており、中間板２０を介して支持台３０とネジ
締めしてシリコン基板６０を固定する役目を有する。
構成部材について説明する。蓋１０はエッチング液をシ
リコン基板６０に供給するための開口部１１と雌ネジ１
２を有しており、中間板２０を介して支持台３０とネジ
締めしてシリコン基板６０を固定する役目を有する。
【００１５】中間板２０はシリコン基板６０を支持台３
０のシリコン基板保持部３１に固定し、且つ内側Ｏリン
グ２３にてエッチング液がシリコン基板６０の所定部分
以外に液漏れするのを防止する役目を有する。開口部２
１はエッチング液をシリコン基板に供給するためのもの
である。ガイドホール２２は中間板２０を支持台３０へ
セットする際の位置決めを行い、且つ蓋１０でネジ締め
して中間板２０を固定する際中間板２０が回転しないよ
うにしたものである。さらに、蓋１０と支持台３０のネ
ジ締めしてシリコン基板６０を支持台３０のシリコン基
板保持部３１に固定する際摺動面を中間板２０と蓋１０
との間に設け、シリコン基板６０に不均一な応力がかか
るのを防ぐ役割も果たしている。内側Ｏリング２３はシ
リコン基板６０を支持台３０のシリコン基板保持部３１
に固定し、且つエッチング液がシリコン基板の所定部分
以外に液漏れするのを防止する役目を有する。外側Ｏリ
ング２４はネジ部から入り込んだエッチング液をシリコ
ン基板６０側に液漏れするのを防止している。
０のシリコン基板保持部３１に固定し、且つ内側Ｏリン
グ２３にてエッチング液がシリコン基板６０の所定部分
以外に液漏れするのを防止する役目を有する。開口部２
１はエッチング液をシリコン基板に供給するためのもの
である。ガイドホール２２は中間板２０を支持台３０へ
セットする際の位置決めを行い、且つ蓋１０でネジ締め
して中間板２０を固定する際中間板２０が回転しないよ
うにしたものである。さらに、蓋１０と支持台３０のネ
ジ締めしてシリコン基板６０を支持台３０のシリコン基
板保持部３１に固定する際摺動面を中間板２０と蓋１０
との間に設け、シリコン基板６０に不均一な応力がかか
るのを防ぐ役割も果たしている。内側Ｏリング２３はシ
リコン基板６０を支持台３０のシリコン基板保持部３１
に固定し、且つエッチング液がシリコン基板の所定部分
以外に液漏れするのを防止する役目を有する。外側Ｏリ
ング２４はネジ部から入り込んだエッチング液をシリコ
ン基板６０側に液漏れするのを防止している。
【００１６】支持台３０は中間板２０を介して蓋１０と
のネジ締めにてシリコン基板６０をシリコン基板保持部
３１に固定する役目を有する。
のネジ締めにてシリコン基板６０をシリコン基板保持部
３１に固定する役目を有する。
【００１７】蓋１０、中間板２０及び支持台３０の各構
成部材ははエッチング液に耐性のあるテフロン材、ジュ
ラコン材、ＰＦＡ等を加工して作製する。
成部材ははエッチング液に耐性のあるテフロン材、ジュ
ラコン材、ＰＦＡ等を加工して作製する。
【００１８】上記蓋１０、中間板２０及び支持台３０の
構成部材を用いてシリコン基板６０をセットしたウエッ
トエッチング装置１００を図１（ｄ）に示す。ウエット
エッチング装置１００はシリコン転写マスクの製造工程
の中で以下のように使用される。片面に転写マスクパタ
ーン５６及び転写マスク分離開口パターン５７が、もう
一方の面にレジストパターン５８が形成されたシリコン
基板６０をレジストパターン５８面を上にして支持台３
０のシリコン基板保持部３１にセットして中間板２０を
押し当てて仮止めし、蓋１０を支持台３０にネジ締めし
てシリコン基板６０を固定する。さらに、７０℃に加熱
されたＫＯＨ溶液の中にシリコン基板６０がセットされ
た本発明のウエットエッチング装置１００を浸漬して、
シリコン基板６０のレジストパターン５８及び転写マス
ク分離開口パターン５７を保護マスクとして単結晶シリ
コンウエハ５１の露出部を異方性エッチングして転写パ
ターン開口部６１及び転写マスク分離開口部５９を形成
し、レジストパターン５８、シリコン酸化膜５２の一
部、シリコン酸化膜パターン５５ａ及び５５ｂを除去し
た後転写マスク分離開口パターン５９から機械的に分離
して、シリコン転写マスク２００を得る
構成部材を用いてシリコン基板６０をセットしたウエッ
トエッチング装置１００を図１（ｄ）に示す。ウエット
エッチング装置１００はシリコン転写マスクの製造工程
の中で以下のように使用される。片面に転写マスクパタ
ーン５６及び転写マスク分離開口パターン５７が、もう
一方の面にレジストパターン５８が形成されたシリコン
基板６０をレジストパターン５８面を上にして支持台３
０のシリコン基板保持部３１にセットして中間板２０を
押し当てて仮止めし、蓋１０を支持台３０にネジ締めし
てシリコン基板６０を固定する。さらに、７０℃に加熱
されたＫＯＨ溶液の中にシリコン基板６０がセットされ
た本発明のウエットエッチング装置１００を浸漬して、
シリコン基板６０のレジストパターン５８及び転写マス
ク分離開口パターン５７を保護マスクとして単結晶シリ
コンウエハ５１の露出部を異方性エッチングして転写パ
ターン開口部６１及び転写マスク分離開口部５９を形成
し、レジストパターン５８、シリコン酸化膜５２の一
部、シリコン酸化膜パターン５５ａ及び５５ｂを除去し
た後転写マスク分離開口パターン５９から機械的に分離
して、シリコン転写マスク２００を得る
【００１９】
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。
まず、面方位が（１００）からなる単結晶シリコンウエ
ハ５１及び単結晶シリコンウエハ５３をシリコン酸化膜
５２で貼り合わせた貼り合わせシリコン基板５４を作製
し、単結晶シリコンウエハ５３面にシリコン酸化膜を形
成し、パターニング処理して多面付けのシリコン酸化膜
パターン５５ａ及び５５ｂを作製した。
まず、面方位が（１００）からなる単結晶シリコンウエ
ハ５１及び単結晶シリコンウエハ５３をシリコン酸化膜
５２で貼り合わせた貼り合わせシリコン基板５４を作製
し、単結晶シリコンウエハ５３面にシリコン酸化膜を形
成し、パターニング処理して多面付けのシリコン酸化膜
パターン５５ａ及び５５ｂを作製した。
【００２０】次に、シリコン酸化膜パターン５５ａ及び
５５ｂをレジストにして、ドライエッチングにより単結
晶シリコンウエハ５３をシリコン酸化膜５２に到達する
深さまでエッチングして、転写マスクパターン５６及び
転写マスク分離開口パターン５７を形成した。
５５ｂをレジストにして、ドライエッチングにより単結
晶シリコンウエハ５３をシリコン酸化膜５２に到達する
深さまでエッチングして、転写マスクパターン５６及び
転写マスク分離開口パターン５７を形成した。
【００２１】次に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Depositio
n ）法により貼り合わせシリコン基板５４の単結晶シリ
コンウエハ５１面に窒化シリコン膜を形成し、該窒化シ
リコン膜をパターニング処理して単結晶シリコンウエハ
５１上に転写パターン開口部及び転写マスク分離開口部
を作製するためのレジストパターン５８を形成したシリ
コン基板６０を作製した。
n ）法により貼り合わせシリコン基板５４の単結晶シリ
コンウエハ５１面に窒化シリコン膜を形成し、該窒化シ
リコン膜をパターニング処理して単結晶シリコンウエハ
５１上に転写パターン開口部及び転写マスク分離開口部
を作製するためのレジストパターン５８を形成したシリ
コン基板６０を作製した。
【００２２】次に、支持台３０のシリコン基板保持部３
１上に上記シリコン基板６０のレジストパターン５８を
上面にしてシリコン基板保持部３１にセットし、中間板
２０を介して蓋１０を支持台３０にネジ締めしてシリコ
ン基板６０を本発明のウエットエッチング装置１００に
固定した。
１上に上記シリコン基板６０のレジストパターン５８を
上面にしてシリコン基板保持部３１にセットし、中間板
２０を介して蓋１０を支持台３０にネジ締めしてシリコ
ン基板６０を本発明のウエットエッチング装置１００に
固定した。
【００２３】次に、シリコン基板６０をセットしたウエ
ットエッチング装置１００を７０℃に加熱されたＫＯＨ
溶液の中に浸漬し、レジストパターン５８をレジストに
して、単結晶シリコンウエハ５１をシリコン酸化膜５２
の深さまで異方性エッチングを行って、転写パターン開
口部６１、転写マスク分離開口部５９及び支持枠部５１
ａを形成した。
ットエッチング装置１００を７０℃に加熱されたＫＯＨ
溶液の中に浸漬し、レジストパターン５８をレジストに
して、単結晶シリコンウエハ５１をシリコン酸化膜５２
の深さまで異方性エッチングを行って、転写パターン開
口部６１、転写マスク分離開口部５９及び支持枠部５１
ａを形成した。
【００２４】次に、レジストパターン５８を除去した
後、転写パターン開口部６１と転写マスク分離開口部５
９のシリコン酸化膜５２及びシリコン酸化膜パターン５
５ａ及び５５ｂを除去し、転写マスク分離開口パターン
５９から機械的に分離して、汚れのない、高品質の荷電
ビーム露光用シリコン転写マスク２００が得られた。
後、転写パターン開口部６１と転写マスク分離開口部５
９のシリコン酸化膜５２及びシリコン酸化膜パターン５
５ａ及び５５ｂを除去し、転写マスク分離開口パターン
５９から機械的に分離して、汚れのない、高品質の荷電
ビーム露光用シリコン転写マスク２００が得られた。
【００２５】
【発明の効果】本発明のエッチング装置を用いたシリコ
ン基板のウェットエッチングでは、ワックス等のシール
剤を使用してシリコン基板をガラス基板に貼り合せてウ
エットエッチングする必要がないため、工程が大幅に減
り、汚れ、異物欠陥のない高品質のシリコン転写マスク
が得られ、シリコン転写マスクの製造歩留まりが向上し
た。
ン基板のウェットエッチングでは、ワックス等のシール
剤を使用してシリコン基板をガラス基板に貼り合せてウ
エットエッチングする必要がないため、工程が大幅に減
り、汚れ、異物欠陥のない高品質のシリコン転写マスク
が得られ、シリコン転写マスクの製造歩留まりが向上し
た。
【図１】（ａ）は、本発明のシリコン基板のウェットエ
ッチング装置の構成部材である蓋１０の構成断面図を示
す。（ｂ）は、本発明のシリコン基板のウェットエッチ
ング装置の構成部材である中間板２０の構成断面図を示
す。（ｃ）は、本発明のシリコン基板のウェットエッチ
ング装置の構成部材である支持台３０の構成断面図を示
す。（ｄ）は、本発明のシリコン基板のウェットエッチ
ング装置にシリコン基板６０をセットした状態を示す構
成断面図である。
ッチング装置の構成部材である蓋１０の構成断面図を示
す。（ｂ）は、本発明のシリコン基板のウェットエッチ
ング装置の構成部材である中間板２０の構成断面図を示
す。（ｃ）は、本発明のシリコン基板のウェットエッチ
ング装置の構成部材である支持台３０の構成断面図を示
す。（ｄ）は、本発明のシリコン基板のウェットエッチ
ング装置にシリコン基板６０をセットした状態を示す構
成断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は、本発明のシリコン基板のウ
ェットエッチング装置を用いて荷電ビーム露光用シリコ
ン転写マスクを製造する製造工程を示す模式断面図であ
る。
ェットエッチング装置を用いて荷電ビーム露光用シリコ
ン転写マスクを製造する製造工程を示す模式断面図であ
る。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は、荷電ビーム露光用シリコン
転写マスクの従来の製造工程を示す模式断面図である。
転写マスクの従来の製造工程を示す模式断面図である。
【図４】シリコン基板の従来のウエットエッチング法の
一実施例を示す模式斜視図である。
一実施例を示す模式斜視図である。
１０……蓋 １１、２１……開口部 １２……雌ネジ ２０……中間板 ２２……ガイドホール ２３……内側Ｏリング ２４……外側Ｏリング ３０……支持台 ３１……シリコン基板保持部 ３２……シール部 ３３……ガイドピン ３４……雄ネジ ５１、５３……単結晶シリコンウエハ ５１ａ……支持枠部 ５２……シリコン酸化膜 ５４……貼り合せシリコン基板 ５５ａ、５５ｂ……シリコン酸化膜パターン ５６……転写パターン ５７……転写マスク分離開口パターン ５８、５８ｂ……レジストパターン ５８ａ……ウエットエッチング用保護膜 ５９……転写マスク分離開口部 ６０、７０……シリコン基板 ６１……転写パターン開口部 ７１……ガラス基板 ７２……シール剤 １００……ウエットエッチング装置 ２００……シリコン転写マスク
Claims (3)
- 【請求項１】シリコン基板のウェットエッチング装置に
おいて、該ウエットエッチング装置（１００）は開口部
（１１）を有する蓋（１０）と、シリコン基板（６０）
を押さえつける中間板（２０）と、前記シリコン基板
（６０）を保持するシリコン基板保持部（３１）を有す
る支持台（３０）とからなることを特徴とするシリコン
基板のウェットエッチング装置。 - 【請求項２】前記中間板（２０）は前記シリコン基板
（６０）を前記支持台（３０）の前記シリコン基板保持
部（３１）に固定し、且つ液漏れを防止するための内側
Ｏリング（２３）と外側Ｏリング（２４）とを有するこ
とを特徴とする請求項１記載のシリコン基板のウェット
エッチング装置。 - 【請求項３】前記中間板（２０）を介して前記蓋（１
０）と前記支持台（３０）とのネジ締めにてシリコン基
板（６０）を固定する際前記中間板（２０）が回転しな
いように前記支持台（３０）にガイドピン（３３）を、
前記中間板（２０）にガイドホール（２２）を設けたこ
とを特徴とする請求項１又は２記載のシリコン基板のウ
ェットエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14626498A JP3941224B2 (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | シリコン基板のウエットエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14626498A JP3941224B2 (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | シリコン基板のウエットエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11340191A true JPH11340191A (ja) | 1999-12-10 |
| JP3941224B2 JP3941224B2 (ja) | 2007-07-04 |
Family
ID=15403817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14626498A Expired - Fee Related JP3941224B2 (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | シリコン基板のウエットエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3941224B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107275203A (zh) * | 2017-06-15 | 2017-10-20 | 龙微科技无锡有限公司 | 不规则硅片的腐蚀方法 |
-
1998
- 1998-05-27 JP JP14626498A patent/JP3941224B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107275203A (zh) * | 2017-06-15 | 2017-10-20 | 龙微科技无锡有限公司 | 不规则硅片的腐蚀方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3941224B2 (ja) | 2007-07-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6930023B2 (en) | Semiconductor wafer thinning method, and thin semiconductor wafer | |
| US6383890B2 (en) | Wafer bonding method, apparatus and vacuum chuck | |
| JPH03276622A (ja) | モノリシック・シリコン膜集積体およびその製造方法 | |
| JP2003173951A (ja) | 電子ビーム描画用マスクの製造方法および電子ビーム描画用マスクブランクス | |
| JPH11340191A (ja) | シリコン基板のウエットエッチング装置 | |
| JP3587090B2 (ja) | 電子ビーム描画用アパーチャ及びマスクホルダー並びにそれらを用いた電子ビーム露光マスク | |
| JPS593437A (ja) | 半導体装置製造用基板 | |
| TW200539257A (en) | Method of making a comparatively small substrate compatible for being processed in equipment designed for a larger standard substrate | |
| JPS5923104B2 (ja) | 軟ｘ線露光用マスクの製造方法 | |
| KR100249793B1 (ko) | 사파이어 투명 지지대를 사용한 뒷면 비아-홀 제작 방법 | |
| JPH04126566A (ja) | 回転塗布方法および回転塗布装置 | |
| JPH01222450A (ja) | Ｉｃの製造工程における半導体ウエハのチャック方法 | |
| JPS59175729A (ja) | 半導体基板の研削装置 | |
| JPH0311086B2 (ja) | ||
| JPH0757980A (ja) | 半導体ウエハの使用方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JPS63122236A (ja) | 半導体基板用支持具 | |
| JPH04236427A (ja) | 半導体基板の上にレジストパターンを形成する方法 | |
| CN112925169A (zh) | 在基片的表面制备光刻图形的方法 | |
| JPH08292552A (ja) | ペリクル膜の製造方法 | |
| JPS61121436A (ja) | レジスト現像方法 | |
| JPH07111240A (ja) | Ｘ線マスクの製造方法及びその装置 | |
| JPS5861644A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH1126368A (ja) | メンブレンマスク | |
| JPS6283661A (ja) | シリコン・ウエハ−キヤピラリイ・カラム製法 | |
| JPS63134076A (ja) | 塗布方法及び塗布装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20050324 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061109 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061114 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20061220 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20070116 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070220 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070313 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070326 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |