JPS63122236A - 半導体基板用支持具 - Google Patents
半導体基板用支持具Info
- Publication number
- JPS63122236A JPS63122236A JP61270131A JP27013186A JPS63122236A JP S63122236 A JPS63122236 A JP S63122236A JP 61270131 A JP61270131 A JP 61270131A JP 27013186 A JP27013186 A JP 27013186A JP S63122236 A JPS63122236 A JP S63122236A
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- JP
- Japan
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- semiconductor substrate
- wafer
- small
- recessed part
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体製造装置に使用される治具に関し、特
に、大型の半導体基板に対する光露光などの処理を行う
装置でもって、小型の半導体基板に対する同様の処理を
可能ならしめる半導体基板用支持具に関する〇 〔従来の技術〕 従来、半導体製造装置に使用される半導体基板用文治具
については、電子線露光装置などに使用されている例が
ある。これは、電子線露光装置が真空中で処理されてい
るため、通常行なわれているウェーハ(半導体基板)支
持のための真空吸着ができない。従って支治具を用いて
機械的に支持しようとするものである。これは正方形ま
たは円形の支持具上に半導体基板を置き、その半導体基
板の縁または周辺部を爪で止めるものである。他方大気
圧の下で処理の行なわれる光露光装置、感光性有機膜の
塗布現像装置などは、通常真空吸着によってウェーハを
支持固定している。との固定会社、一般的にはウェーハ
を吸着する円形の台が用意されておシ、その台上には真
空吸着のための穴が開口している。そしてこの台の上に
ウェーハが置かれると、開口部が真9装置と接続され、
ウェーハが円形の台上に吸着固定されることになる。
に、大型の半導体基板に対する光露光などの処理を行う
装置でもって、小型の半導体基板に対する同様の処理を
可能ならしめる半導体基板用支持具に関する〇 〔従来の技術〕 従来、半導体製造装置に使用される半導体基板用文治具
については、電子線露光装置などに使用されている例が
ある。これは、電子線露光装置が真空中で処理されてい
るため、通常行なわれているウェーハ(半導体基板)支
持のための真空吸着ができない。従って支治具を用いて
機械的に支持しようとするものである。これは正方形ま
たは円形の支持具上に半導体基板を置き、その半導体基
板の縁または周辺部を爪で止めるものである。他方大気
圧の下で処理の行なわれる光露光装置、感光性有機膜の
塗布現像装置などは、通常真空吸着によってウェーハを
支持固定している。との固定会社、一般的にはウェーハ
を吸着する円形の台が用意されておシ、その台上には真
空吸着のための穴が開口している。そしてこの台の上に
ウェーハが置かれると、開口部が真9装置と接続され、
ウェーハが円形の台上に吸着固定されることになる。
、〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した大気圧の下で処理の行なわれる装置では、使用
するウェーハの大きさは決められておシ、例えば、直径
5インチのウェーハ用の装置では、5インチのウェーハ
だけしか使用できない。もちろん装置によって、使用ウ
ェーハサイズを交換できるが、そのために部品を交換し
たシ、精密な調整を行なわなければならない。従って、
そのために装置を停止しなければならず、設備の稼動で
きる時間が少なくなるなどの欠点がある。また、最近は
ウェーハの大口径化が進み、大型の6インチのウェーハ
が用いられることも多くなったが、6インチウェーハに
対応した設備の生産ラインで、従来の4インチまたは5
インチのウェーハを生産することは不可能である。
するウェーハの大きさは決められておシ、例えば、直径
5インチのウェーハ用の装置では、5インチのウェーハ
だけしか使用できない。もちろん装置によって、使用ウ
ェーハサイズを交換できるが、そのために部品を交換し
たシ、精密な調整を行なわなければならない。従って、
そのために装置を停止しなければならず、設備の稼動で
きる時間が少なくなるなどの欠点がある。また、最近は
ウェーハの大口径化が進み、大型の6インチのウェーハ
が用いられることも多くなったが、6インチウェーハに
対応した設備の生産ラインで、従来の4インチまたは5
インチのウェーハを生産することは不可能である。
上記問題点に対し本発明では、大型の半導体基板と同じ
ような形をした板材の表面に小型の半導体基板が入る凹
み部を設けて支持具を形成し、この支持具に小型の半導
体基板を収容して大型の半導体基板の代替品とし、この
代替品に対し、前記大型の半導体基板に対すると同様の
処理を施して、実質的に小型の半導体基板に対する処理
を行なわしめる。
ような形をした板材の表面に小型の半導体基板が入る凹
み部を設けて支持具を形成し、この支持具に小型の半導
体基板を収容して大型の半導体基板の代替品とし、この
代替品に対し、前記大型の半導体基板に対すると同様の
処理を施して、実質的に小型の半導体基板に対する処理
を行なわしめる。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図(a)は本発明の第1の実施例の平面図、同図(
b)は断面図である。これらの図において、直径6イン
チの大型のウェーハ形状と同様な直径、厚さを有するア
ルミの円板1には、小型の4インチウェーハ形状と同様
な直径、厚さだけ削りとった凹み部分3が形成され、か
つ、凹み部3の底部には4個の真空吸着用小孔5があけ
られている。なお、凹み部3の直径は、実際のウェーハ
径よシ若干大きめに設計しておく。これは、ウェーハの
脱着を容易に行うためである。また、削りとった凹み部
分3は、文字どおり削りとっても良い75へ底板とリン
グとを貼りつけ、またはネジ止めとじてもよい。
b)は断面図である。これらの図において、直径6イン
チの大型のウェーハ形状と同様な直径、厚さを有するア
ルミの円板1には、小型の4インチウェーハ形状と同様
な直径、厚さだけ削りとった凹み部分3が形成され、か
つ、凹み部3の底部には4個の真空吸着用小孔5があけ
られている。なお、凹み部3の直径は、実際のウェーハ
径よシ若干大きめに設計しておく。これは、ウェーハの
脱着を容易に行うためである。また、削りとった凹み部
分3は、文字どおり削りとっても良い75へ底板とリン
グとを貼りつけ、またはネジ止めとじてもよい。
この治具の使用法としては、まず、4インチウェーハを
削りとりた凹み部分3に収容し、6インチ用装置、たと
えば露光装置にセットする。露光装置は通常の6インチ
ウェーハと同様に処理を行なう。まず、6インチ用オ、
リエンテーシ冒ンフラット2でブレアライメントを行う
。このとき、あらかしめ収容した4インチウェーハも凹
み部分3にあるオリエンテーシ目ンフラット4で同時に
合わされる。その後、露光装置のウェーハステージに載
置せられる。通常、装置のウェーハステージは、ウェー
ハを固定するため真空吸着されるが、本発明の治具でも
真空吸着用小孔5を通して、本治具および4インチウェ
ーハも吸着される。以下露光をしていくが、基本的には
通常の動作とまりたく同様に行われる。
削りとりた凹み部分3に収容し、6インチ用装置、たと
えば露光装置にセットする。露光装置は通常の6インチ
ウェーハと同様に処理を行なう。まず、6インチ用オ、
リエンテーシ冒ンフラット2でブレアライメントを行う
。このとき、あらかしめ収容した4インチウェーハも凹
み部分3にあるオリエンテーシ目ンフラット4で同時に
合わされる。その後、露光装置のウェーハステージに載
置せられる。通常、装置のウェーハステージは、ウェー
ハを固定するため真空吸着されるが、本発明の治具でも
真空吸着用小孔5を通して、本治具および4インチウェ
ーハも吸着される。以下露光をしていくが、基本的には
通常の動作とまりたく同様に行われる。
なお、本実施例では治具材質としてアルミを用いて露光
装置に適用したものだが適当な材質、たとえは石英、樹
脂、ステンレスなどを使用してエツチング、不純物τ拡
散などにも使用できる。
装置に適用したものだが適当な材質、たとえは石英、樹
脂、ステンレスなどを使用してエツチング、不純物τ拡
散などにも使用できる。
第2図(a) 、 (b)はそれぞれ本発明の第2の実
施例の平面図と断面図である。本例と第1の実施例との
相違点は、まず削りとった凹み部分13のオリエンテー
シ冒ンフラット14が円板11のオリエンテーシ冒ンフ
ラット12と90度異なっている点である。他の相違点
は円板11の厚さを、6インチウェーハの厚さよシ厚<
シ、かつ削りとりた部分13の深さを4インチウェーハ
の厚さよシ深くしたことKある。これによシ、ウェーハ
のオリエンテーシ璽ンフラットを自由に変えられ、ウェ
ーハの面方位を容易に変えられること。さらに円板11
が厚いため、多少柔らかい材質でも使用でき、また削り
とりた凹み部分13が深いため、収容した4インチウェ
ーハが円板からはずれることがないなどの利点がある。
施例の平面図と断面図である。本例と第1の実施例との
相違点は、まず削りとった凹み部分13のオリエンテー
シ冒ンフラット14が円板11のオリエンテーシ冒ンフ
ラット12と90度異なっている点である。他の相違点
は円板11の厚さを、6インチウェーハの厚さよシ厚<
シ、かつ削りとりた部分13の深さを4インチウェーハ
の厚さよシ深くしたことKある。これによシ、ウェーハ
のオリエンテーシ璽ンフラットを自由に変えられ、ウェ
ーハの面方位を容易に変えられること。さらに円板11
が厚いため、多少柔らかい材質でも使用でき、また削り
とりた凹み部分13が深いため、収容した4インチウェ
ーハが円板からはずれることがないなどの利点がある。
以上説明したように本発明による治具を使用することに
よシ、ウェーハサイズの切換のための時間が不要となシ
、半導体製造装置の稼動時間を大幅に長くすることがで
きる。さらにまた、6インチ用生産ラインで5インチ以
下のウェーハを生産でき、また5インチ用生産ラインで
4インチ以下のウェーハを生産できるなど生産ラインに
汎用性をもたすことができる。
よシ、ウェーハサイズの切換のための時間が不要となシ
、半導体製造装置の稼動時間を大幅に長くすることがで
きる。さらにまた、6インチ用生産ラインで5インチ以
下のウェーハを生産でき、また5インチ用生産ラインで
4インチ以下のウェーハを生産できるなど生産ラインに
汎用性をもたすことができる。
第1図18) 、 tb)はそれぞれ本発明の一実施例
の平面図と断面図、第2図(a) 、 (b)はそれぞ
れ本発明の他の実施例の平面図と断面図である。 l、11・・・・・・アルミ円板、2.12・・・・・
・板材のオリエンテーシ璽ンフラット、3,13・・・
・・・小型半導体基板収容凹み部、4,14・・・・・
・凹み部オリエンテーク1ンフラツト、5.15・・・
・・・真空吸着用孔。 第1凹 荊2図
の平面図と断面図、第2図(a) 、 (b)はそれぞ
れ本発明の他の実施例の平面図と断面図である。 l、11・・・・・・アルミ円板、2.12・・・・・
・板材のオリエンテーシ璽ンフラット、3,13・・・
・・・小型半導体基板収容凹み部、4,14・・・・・
・凹み部オリエンテーク1ンフラツト、5.15・・・
・・・真空吸着用孔。 第1凹 荊2図
Claims (1)
- 大型の半導体基板に対する処理を行う装置でもって、
より小型の半導体基板に対する同様の処理を行なわしめ
ることを可能にするための半導体基板用支持具であって
、前記大型の半導体基板と同様の形状、大きさを有する
板材からなり、かつ、この板材の表面には、前記小型の
半導体基板を収容するための前記小型の半導体基板の外
形に従って削り取られた凹み部およびこの凹み部底部に
あけられた真空吸着用小孔を有することを特徴とする半
導体基板用支持具。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61270131A JPS63122236A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 半導体基板用支持具 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61270131A JPS63122236A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 半導体基板用支持具 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63122236A true JPS63122236A (ja) | 1988-05-26 |
Family
ID=17481984
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61270131A Pending JPS63122236A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 半導体基板用支持具 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63122236A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012026797A (ja) * | 2010-07-21 | 2012-02-09 | Rigaku Corp | 試料搬送装置、トレー、及びx線測定装置 |
-
1986
- 1986-11-12 JP JP61270131A patent/JPS63122236A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012026797A (ja) * | 2010-07-21 | 2012-02-09 | Rigaku Corp | 試料搬送装置、トレー、及びx線測定装置 |
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