JPH11335661A - 新規メチン化合物、有機発光素子材料及びそれを使用した有機発光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】色純度の高い赤色ＥＬ発光を可能にする有機エ
レクトロルミネッセンス素子材料を提供する。 【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される化合物である
有機エレクトロルミネッセンス素子材料。 【化１】 式中、Ｒ₁ 〜Ｒ₉ は、それぞれ水素原子または置換基を
表す。Ｘは酸素原子、硫黄原子またはＮ−Ｒ₁₀（Ｒ₁₀は
水素原子または置換基を表す。）を表す。Ｚ₁は５また
は６員環を形成するに必要な原子群を表す。Ｌ₁ および
Ｌ₂ はそれぞれメチン基または置換メチン基を表す。ｎ
は１または２を表す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フィルター用染
料、色変換フィルター、写真感光材料染料、増感色素、
パルプ染色用染料、レーザー色素、医療診断用蛍光薬
剤、有機発光素子用材料等として用いるに適した化合物
および、それらを用いた有機発光素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】有機物質を使用した有機発光素子は、固
体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用
途が有望視され、多くの開発が行われている。一般に有
機発光素子は、発光層及び該層を挟んだ一対の対向電極
から構成されている。発光は、両電極間に電界が印加さ
れると、陰極から電子が注入され、陽極から正孔が注入
される。更に、この電子と正孔が発光層において再結合
し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際にエ
ネルギーを光として放出する現象である。

【０００３】従来の有機発光素子は、駆動電圧が高く、
発光輝度や発光効率も低かったが、近年この点を解決す
る技術が種々報告されている。例えば、アプライド フ
ィジックス レターズ、５１巻、９１３頁（１９８７
年）では電子輸送材料と正孔輸送材料の積層構造にする
ことにより、従来の単層型素子に比べてその発光特性が
大幅に向上すると報告している。

【０００４】上記の素子は発光材料として８−キノリノ
ールのＡｌ錯体（Ａｌｑ）を用いており、発光色は緑色
であるが、フルカラーディスプレイ、光源としての利用
を考えた場合、実用上は三原色あるいは白色を出す必要
がある。この素子を改良したものとして、蛍光色素をド
ープした素子が報告されている（ジャーナル オブアプ
ライド フィジックス、６５巻、３６１０頁、１９８９
年）。この中で４−（ジシアノメチレン）−２−メチル
−６−（４−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン
（ＤＣＭ）をドープすることによって赤橙色の発光を得
ているが、色純度が低い、耐久性が低いなどの問題があ
り、実用に供し得なかった。同様に蛍光性材料をドープ
することによって緑色より長波に発光する有機発光素子
が種々開発されているものの、いずれも赤色発光として
は色純度が低く、また十分な発光輝度は有していないと
いった大きな問題を持っていた。また、従来の赤色蛍光
色素を用いた有機発光素子では耐久性が低いといった問
題も抱えていた。

【０００５】一方、有機発光素子において高輝度発光を
実現しているものは有機物質を真空蒸着によって積層し
ている素子であるが、製造工程の簡略化、加工性、大面
積化等の観点から塗布方式による素子作製が望ましい。
しかしながら、従来の塗布方式で作製した素子では発光
輝度、発光効率の点で蒸着方式で作製した素子に劣って
おり、高輝度、高効率発光化が大きな課題となってい
た。

【０００６】また、近年、フィルター用染料、色変換フ
ィルター、写真感光材料染料、増感色素、パルプ染色用
染料、レーザー色素、医療診断用蛍光薬剤、有機発光素
子用材料等に蛍光を有する物質が種々用いられ、その需
要が高まっているが、蛍光強度が強く、且つ色純度の高
い赤色蛍光色素はあまりなく、新たな材料開発が望まれ
ていた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の第一の目的
は、色純度の高い赤色発光有機発光素子材料および有機
発光素子を提供することにある。本発明の第二の目的
は、低電圧駆動で高輝度、高効率の発光が可能で、繰り
返し使用時での安定性の優れた有機発光素子用材料およ
び有機発光素子の提供にある。本発明の第三の目的は、
白色発光を実現するに必要な赤色発光材料およびそれを
用いた有機発光素子の提供にある。本発明の第四の目的
は、塗布方式で作製しても高輝度、高効率発光可能な有
機発光素子材料およびそれを用いた有機発光素子の提供
にある。本発明の第五の目的は、蛍光強度の強い赤橙色
から近赤外に蛍光を有する化合物を提供することにあ
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この課題は下記手段によ
って達成された。 （１）下記一般式（Ｉ）で表される化合物であることを
特徴とする有機発光素子材料。

【０００９】

【化９】

【００１０】（式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆、
Ｒ₇、Ｒ₈およびＲ₉は、それぞれ水素原子または置換基
を表す。Ｘは酸素原子、硫黄原子またはＮ−Ｒ₁₀（Ｒ₁₀
は水素原子または置換基を表す。）を表す。Ｚ₁は５ま
たは６員環を形成するに必要な原子群を表す。Ｌ₁およ
びＬ₂はそれぞれメチン基または置換メチン基を表す。
ｎは１または２を表す。） （２）下記一般式（II）で表される化合物であることを
特徴とする有機発光素子材料。

【００１１】

【化１０】

【００１２】（式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆、
Ｒ₇、Ｒ₈およびＲ₉は、それぞれ水素原子または置換基
を表す。Ｚ₂は５または６員環を形成するに必要な原子
群を表す。Ｌ₁およびＬ₂はそれぞれメチン基または置換
メチン基を表す。ｎは１または２を表す。） （３）下記一般式（III）で表される化合物。

【００１３】

【化１１】

【００１４】（式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆、
Ｒ₇およびＲ₈は、それぞれ水素原子または置換基を表
す。Ｒ₃₁は炭素数２以上のアルキル基、炭素数６以上の
アリール基を表す。Ｚ₂は５または６員環を形成するに
必要な原子群を表す。Ｌ₁およびＬ ₂はそれぞれメチン基
または置換メチン基を表す。ｎは１または２を表す。） （４）下記一般式（III）で表される化合物であること
を特徴とする有機発光素子材料。

【００１５】

【化１２】

【００１６】（式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆、
Ｒ₇およびＲ₈は、それぞれ水素原子または置換基を表
す。Ｒ₃₁は炭素数２以上のアルキル基、炭素数６以上の
アリール基を表す。Ｚ₂は５または６員環を形成するに
必要な原子群を表す。Ｌ₁およびＬ ₂はそれぞれメチン基
または置換メチン基を表す。ｎは１または２を表す。） （５）下記一般式（III−ａ)で表される化合物。

【００１７】

【化１３】

【００１８】（式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆、
Ｒ₇、Ｒ₈、Ｒ₄₁、Ｒ₄₂、Ｒ₄₃およびＲ ₄₄は、それぞれ水
素原子または置換基を表す。Ｒ₃₁は、炭素数２以上のア
ルキル基、炭素数６以上のアリール基を表す。Ｌ₁およ
びＬ₂はそれぞれメチン基または置換メチン基を表す。
ｎは１または２を表す。） （６）下記一般式（III−ａ)で表される化合物であるこ
とを特徴とする有機発光素子材料。

【００１９】

【化１４】

【００２０】（式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆、
Ｒ₇、Ｒ₈、Ｒ₄₁、Ｒ₄₂、Ｒ₄₃およびＲ ₄₄は、それぞれ水
素原子または置換基を表す。Ｒ₃₁は、炭素数２以上のア
ルキル基、炭素数６以上のアリール基を表す。Ｌ₁およ
びＬ₂はそれぞれメチン基または置換メチン基を表す。
ｎは１または２を表す。） （７）下記一般式（IV)で表される化合物。

【００２１】

【化１５】

【００２２】（式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆、
Ｒ₇、Ｒ₈、Ｒ₉、Ｒ₅₁およびＲ₅₂は、それぞれ水素原子
または置換基を表す。Ｌ₁およびＬ₂はそれぞれメチン基
または置換メチン基を表す。ｎは１または２を表す。） （８）下記一般式（IV)で表される化合物であることを
特徴とする有機発光素子材料。

【００２３】

【化１６】

【００２４】（式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆、
Ｒ₇、Ｒ₈、Ｒ₉、Ｒ₅₁およびＲ₅₂は、それぞれ水素原子
または置換基を表す。Ｌ₁およびＬ₂はそれぞれメチン基
または置換メチン基を表す。ｎは１または２を表す。） （９）一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数
の有機化合物薄膜を形成した有機発光素子において、少
なくとも一層が請求項（１）、（２）、（４）、（６）
および（８）に記載の一般式（Ｉ）〜（III）、（III−
ａ）および（IV）で表される化合物を含有する層である
ことを特徴とする有機発光素子。 （１０）一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複
数の有機化合物薄膜を形成した有機発光素子において、
少なくとも一層が請求項（１）、（２）、（４）、
（６）および（８）に記載の一般式（Ｉ）〜（III）、
（III−ａ）および（IV）で表される化合物をポリマー
中に分散した層であることを特徴とする有機発光素子。

【００２５】

【発明の実施の形態】まず、本発明の一般式（Ｉ）で表
される化合物について詳細に説明する。Ｒ₁、Ｒ₂、
Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ₇、Ｒ₈およびＲ₉は、それぞれ
水素原子または置換基を表す。Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ
₅、Ｒ₆、Ｒ₇、Ｒ₈、Ｒ₉で表される置換基としては、例
えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ま
しくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８で
あり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅ
ｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサ
デシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキ
シルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは
炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に
好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリ
ル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられ
る。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、よ
り好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２
〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなど
が挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜
３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは
炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフ
ェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、ナフチルな
どが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜
２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは
炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジ
メチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなど
が挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１
〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましく
は炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブ
トキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ま
しくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１
６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェ
ニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられ
る。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好
ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１
２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピ
バロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル
基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数
２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例え
ばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げ
られる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは
炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に
好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキ
シカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基
（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２
〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えば
アセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、
アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ま
しくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０
であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなど
が挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好
ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１
６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメト
キシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリール
オキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２
０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭
素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニル
アミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好
ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１
６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタ
ンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが
挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数
０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好まし
くは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メ
チルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニ
ルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル
基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数
１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例え
ばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバ
モイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、
アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ま
しくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２
であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられ
る。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、
より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数
６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられ
る。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、よ
り好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１
〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられ
る。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、
より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数
１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼン
スルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ま
しくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１
６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレ
イド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げら
れる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２
０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭
素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フ
ェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ
基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ
基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、ス
ルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好
ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１
２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素
原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリ
ジル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサ
ゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが
挙げられる。）などが挙げられる。これらの置換基は更
に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合
は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には連
結して環を形成してもよい。

【００２６】置換基として好ましくは、アルキル基、ア
ルケニル基、アラルキル基、アリール基、アシル基、ア
ルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、
カルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモ
イル基、カルバモイル基、シアノ基、ハロゲン原子、ヒ
ドロキシ基、ヘテロ環基であり、より好ましくはアルキ
ル基、アルケニル基、アラルキル基、アリール基、アシ
ル基、アルコキシカルボニル基、カルボニルアミノ基、
スルホニルアミノ基、シアノ基、ハロゲン原子、ヘテロ
環基であり、更に好ましくはアルキル基、アリール基、
アルコキシカルボニル基、シアノ基、アゾール基であ
る。Ｒ₁、Ｒ₃として好ましくは水素原子、アルキル基、
アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基およ
びＲ₁とＲ₂、Ｒ₃とＲ₄で連結して縮環を形成したもので
あり、より好ましくはメチル基、水素原子である。
Ｒ₂、Ｒ₄として好ましくは水素原子、アルキル基、およ
びＲ₂とＲ₁、Ｒ₄とＲ₃、Ｒ₂とＲ₅、Ｒ₄とＲ₆で連結して
縮環を形成したものであり、より好ましくは水素原子、
メチル基、Ｒ₂とＲ₅、Ｒ₄とＲ₆で連結して縮環を形成し
たものであり、更に好ましくは水素原子、Ｒ₂とＲ₅、Ｒ
₄とＲ₆がアルキレン基で連結して６員環を形成したもの
である。Ｒ₅、Ｒ₆として好ましくは水素原子、アルキル
基、アルキレン基、アリール基であり、より好ましくは
アルキル基、アルキレン基、アリール基であり、更に好
ましくはメチル基、エチル基およびＲ₅とＲ₂、Ｒ₆とＲ₄
がアルキレン基で連結して６員環を形成したものであ
る。特に好ましくはメチル基およびＲ₅とＲ₂、Ｒ₆とＲ₄
がアルキレン基で連結して６員環を形成したものであ
る。Ｒ₇として好ましくは水素原子、アルキル基、アリ
ール基、ハロゲン原子、シアノ基であり、より好ましく
は水素原子、アルキル基であり、さらに好ましくは水素
原子である。Ｒ₈として好ましくは水素原子、アルキル
基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基およびＲ₉と
連結して環を形成したものであり、より好ましくは水素
原子、アルキル基であり、さらに好ましくは水素原子で
ある。Ｒ₉として好ましくは水素原子、アルキル基、ア
リール基、Ｒ₈と連結して環を形成したものおよび化１
７で表される基であり、より好ましくはアルキル基（好
ましくは炭素数２以上２０以下のアルキル基、より好ま
しくは炭素数３以上２０以下の分岐または環状アルキル
基、更に好ましくは炭素数４以上１２以下の４級炭素を
持つ分岐または環状アルキル基、特に好ましくはｔｅｒ
ｔ−ブチル基である。）、アリール基（好ましくは炭素
数６以上３０以下のｏ−位に置換基のあるアリール基、
より好ましくは炭素数６以上３０以下のｏ−位アルキル
置換フェニル基、更に好ましくは２，６−ジメチル置換
フェニル基である。）、化１７で表される基であり、更
に好ましくはアルキル基（好ましくは炭素数２以上２０
以下のアルキル基、より好ましくは炭素数３以上２０以
下の分岐アルキル基、更に好ましくは炭素数４以上１２
以下の４級炭素を持つ分岐アルキル基、特に好ましくは
ｔｅｒｔ−ブチル基である。）、アリール基（好ましく
は炭素数６以上３０以下のｏ−位に置換基のあるアリー
ル基、より好ましくは炭素数６以上３０以下のｏ−位ア
ルキル置換フェニル基、更に好ましくは２，６−ジメチ
ル置換フェニル基、特に好ましくは２，４，６−トリメ
チルフェニル基である。）であり、Ｒ₉として特に好ま
しくはｔｅｒｔ−ブチル基、２，４，６−トリメチルフ
ェニル基、である。最も好ましくはｔｅｒｔ−ブチル基
である。

【００２７】

【化１７】

【００２８】（式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆、
Ｌ₁、Ｌ₂およびｎはそれぞれ一般式（Ｉ）におけるそれ
らと同義である。）

【００２９】Ｘは酸素原子、硫黄原子またはＮ−Ｒ₁₀を
表す。ここでＲ₁₀は水素原子または置換基を表す。Ｒ₁₀
で表される置換基としては、例えばアルキル基（好まし
くは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、
特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エ
チル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オク
チル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピ
ル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられ
る。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、よ
り好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２
〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３
−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好
ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１
２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパ
ルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリー
ル基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素
数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例
えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙
げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、
より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数
１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミ
ル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカル
ボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは
炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であ
り、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルな
どが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好
ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１
６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェ
ニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、スルファ
モイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは
炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であ
り、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジ
メチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが
挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１
〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましく
は炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチル
カルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバ
モイルなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましく
は炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特
に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、ト
シルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましく
は炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特
に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスル
フィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられ
る。）、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜２０、より
好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子として
は、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には
例えばイミダゾリル、ピリジル、フリル、ピペリジル、
モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリ
ル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）などが挙げ
られる。これらの置換基は更に置換されてもよい。ま
た、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なっても
よい。また、可能な場合には連結して環を形成してもよ
い。Ｒ₁₀で表される置換基として好ましくは、アルキル
基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ
環基であり、より好ましくは、アルキル基、アリール
基、芳香族ヘテロ環基であり、更に好ましくはアルキル
基、アリール基である。Ｘとして好ましくは酸素原子、
Ｎ−Ｒ₁₀であり、より好ましくは酸素原子である。

【００３０】Ｚ₁は５または６員環を形成するに必要な
原子群を表す。Ｚ₁で形成される５、６員環の具体例と
しては例えば以下のものが挙げられる。 （ａ）１，３−ジカルボニル核：例えば１，３−シクロ
ペンタンジオン、１，３−インダンジオン、１，３−シ
クロヘキサンジオン、５，５−ジメチル−１，３−シク
ロヘキサンジオン、１，３−ジオキサン−４，６−ジオ
ンなど。 （ｂ）ピラゾリノン核：例えば１−フェニル−２−ピラ
ゾリン−５−オン、３−メチル−１−フェニル−２−ピ
ラゾリン−５−オン、１−（２−ベンゾチアゾイル）−
３−メチル−２−ピラゾリン−５−オンなど。 （ｃ）イソオキサゾリノン核：例えば３−フェニル−２
−イソオキサゾリン−５−オン、３−メチル−２−イソ
オキサゾリン−５−オンなど。 （ｄ）オキシインドール核：例えば１−アルキル−２，
３−ジヒドロ−２−オキシインドールなど。 （ｅ）２，４，６−トリケトヘキサヒドロピリミジン
核：例えばバルビツル酸または２−チオバルビツル酸お
よびその誘導体など。誘導体としては例えば１−メチ
ル、１−エチル等の１−アルキル体、１，３−ジメチ
ル、１，３−ジエチル、１，３−ジブチル等の１，３−
ジアルキル体、１，３−ジフェニル、１，３−ジ（ｐ−
クロロフェニル）、１，３−ジ（ｐ−エトキシカルボニ
ルフェニル）等の１，３−ジアリール体、１−エチル−
３−フェニル等の１−アルキル−１−アリール体、１，
３−ジ（２―ピリジル）等の１，３位ジヘテロ環置換体
等が挙げられる。 （ｆ）２−チオ−２，４−チアゾリジンジオン核：例え
ばローダニンおよびその誘導体など。誘導体としては例
えば３−メチルローダニン、３−エチルローダニン、３
−アリルローダニン等の３−アルキルローダニン、３−
フェニルローダニン等の３−アリールローダニン、３−
（２−ピリジル）ローダニン等の３位ヘテロ環置換ロー
ダニン等が挙げられる。 （ｇ）２−チオ−２，４−オキサゾリジンジオン（２−
チオ−２，４−（３Ｈ，５Ｈ）−オキサゾールジオン
核：例えば３−エチル−２−チオ−２，４−オキサゾリ
ジンジオンなど。 （ｈ）チアナフテノン核：例えば３（２Ｈ）−チアナフ
テノン−１，１−ジオキサイドなど。 （ｉ）２−チオ−２，５−チアゾリジンジオン核：例え
ば３−エチル−２−チオ−２，５−チアゾリジンジオン
など。 （ｊ）２，４−チアゾリジンジオン核：例えば２，４−
チアゾリジンジオン、３−エチル−２，４−チアゾリジ
ンジオン、３−フェニル−２，４−チアゾリジンジオン
など。 （ｋ）チアゾリン−４−オン核：例えば４−チアゾリノ
ン、２−エチル−４−チアゾリノンなど。 （ｌ）４−チアゾリジノン核：例えば２−エチルメルカ
プト−５−チアゾリン−４−オン、２−アルキルフェニ
ルアミノ−５−チアゾリン−４−オンなど。 （ｍ）２，４−イミダゾリジンジオン（ヒダントイン）
核：例えば２，４−イミダゾリジンジオン、３−エチル
−２，４−イミダゾリジンジオンなど。 （ｎ）２−チオ−２，４−イミダゾリジンジオン（２−
チオヒダントイン）核：例えば２−チオ−２，４−イミ
ダゾリジンジオン、３−エチル−２−チオ−２，４−イ
ミダゾリジンジオンなど。 （ｏ）イミダゾリン−５−オン核：例えば２−プロピル
メルカプト−２−イミダゾリン−５−オンなど。 （ｐ）３，５−ピラゾリジンジオン核：例えば１，２−
ジフェニル−３，５−ピラゾリジンジオン、１，２−ジ
メチル−３，５−ピラゾリジンジオンなど。 Ｚ₁で形成される環として好ましくは１，３−ジカルボ
ニル核、ピラゾリノン核、２，４，６−トリケトヘキサ
ヒドロピリミジン核（チオケトン体も含む）、２−チオ
−２，４−チアゾリジンジオン核、２−チオ−２，４−
オキサゾリジンジオン核、２−チオ−２，５−チアゾリ
ジンジオン核、２，４−チアゾリジンジオン核、２，４
−イミダゾリジンジオン核、２−チオ−２，４−イミダ
ゾリジンジオン核、２−イミダゾリン−５−オン核、
３，５−ピラゾリジンジオン核であり、より好ましくは
１，３−ジカルボニル核、２，４，６−トリケトヘキサ
ヒドロピリミジン核（チオケトン体も含む）、３，５−
ピラゾリジンジオン核であり、更に好ましくは環状１，
３−ジカルボニル核、バルビツル酸誘導体、２−チオバ
ルビツル酸誘導体、３，５−ピラゾリジンジオン核であ
り、特に好ましくは１，３−インダンジオン、１，２−
ジフェニル−３，５−ピラゾリジンジオンである。

【００３１】Ｌ₁およびＬ₂はそれぞれメチン基または置
換メチン基を表し、また置換メチン基の置換基を介して
Ｌ₁もしくはＬ₂同士で、またはＬ₁とＬ₂は連結して４な
いし６員環を形成してもよい。置換メチン基の置換基と
しては例えばＲ₁〜Ｒ₉の置換基として挙げたものが適用
でき、好ましくはアルキル基、アリール基、アラルキル
基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ
基、アリールチオ基、シアノ基、ハロゲン原子であり、
より好ましくはアルキル基、アルコキシ基であり、更に
好ましくは低級アルキル基（好ましくは炭素数１〜４）
である。Ｌ₁およびＬ₂として好ましくは無置換メチン
基、アルキル置換メチン基、アルコキシ置換メチン基で
あり、より好ましくは無置換メチン基である。ｎは１ま
たは２を表し、好ましくは１である。

【００３２】一般式（Ｉ）で表される化合物のうち、好
ましくは一般式（II）で表される化合物である。

【００３３】

【化１８】

【００３４】式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ
₇、Ｒ₈、Ｒ₉、Ｌ₁、Ｌ₂およびｎは、それぞれ一般式
（Ｉ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲
も同様である。Ｚ₂は５または６員環を形成するに必要
な原子群を表す。Ｚ₂で形成される５、６員環として
は、例えば一般式（Ｉ）におけるＺ₁で形成される環の
うち、１，３−ジカルボニル構造を環内に持つものであ
り、例えば１，３−シクロペンタンジオン、１，３−シ
クロヘキサンジオン、１，３−インダンジオン、３，５
−ピラゾリジンジオンなどが挙げられ、好ましくは１，
３−インダンジオン、１，２−ジフェニル−３，５−ピ
ラゾリジンジオンである。一般式（Ｉ）で表される化合
物のうち、より好ましくは一般式（III）または（IV)で
表される化合物である。

【００３５】

【化１９】

【００３６】式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ
₇、Ｒ₈ 、Ｌ₁、Ｌ₂、Ｚ₂およびｎは、それぞれ一般式
（II）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲
も同様である。Ｒ₃₁は炭素数２以上のアルキル基（炭素
数２以上２０以下のアルキル基が好ましく、より好まし
くは炭素数３以上２０以下の分岐または環状アルキル
基、更に好ましくは、炭素数４以上１２以下の４級炭素
を持つ分岐または環状アルキル基、特に好ましくはｔｅ
ｒｔ−ブチル基である。）、アリール基（炭素数６以上
３０以下のアリール基が好ましく、炭素数６以上３０以
下のｏ−位置換アリール基がより好ましく、ｏ−アルキ
ル置換フェニル基（例えば２，６−ジメチルフェニル
基、２，４，６−トリメチルフェニル基）が更に好まし
く、特に好ましくは２，４，６−トリメチルフェニル基
である。）である。Ｒ₇、Ｒ₈ が共に水素原子の場合
に、Ｒ₃₁としてより好ましくは、ｔｅｒｔ−ブチル基、
２，６−ジメチルフェニル基および２，４，６−トリメ
チルフェニル基であり、更に好ましくはｔｅｒｔ−ブチ
ル基である。

【００３７】

【化２０】

【００３８】式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ
₇、Ｒ₈、Ｒ₉、Ｌ₁、Ｌ₂およびｎは、それぞれ一般式
（Ｉ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲
も同様である。Ｒ₅₁、Ｒ₅₂で表される置換基としては、
例えば一般式（Ｉ）におけるＲ ₁〜Ｒ₉で挙げた置換基が
適用できる。Ｒ₅₁、Ｒ₅₂として好ましくは、水素原子、
アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましく
は炭素数１〜１２、更に好ましくは炭素数１〜８があ
る。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より
好ましくは炭素数６〜２０、更に好ましくは炭素数６〜
１２がある。）、ヘテロ環基であり、より好ましくはア
ルキル基、アリール基、ヘテロ環基であり、更に好まし
くはメチル基、エチル基、置換または無置換フェニル基
であり、特に好ましくはメチル基、無置換フェニル基で
あり、最も好ましくはフェニル基である。また、Ｒ₅₁、
Ｒ₅₂はそれぞれ可能な場合には連結して環を形成しても
よい。

【００３９】一般式（III)で示される化合物のうちより
好ましくは一般式（III−ａ)で表される化合物である。

【００４０】

【化２１】

【００４１】式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ
₇、Ｒ₈、Ｌ₁、Ｌ₂およびｎは、それぞれ一般式（Ｉ）に
おけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様で
ある。Ｒ₃₁は一般式（III）におけるそれらと同義であ
り、また、好ましい範囲も同様である。Ｒ₄₁〜Ｒ₄₄で表
される置換基としては、例えば一般式（Ｉ）におけるＲ
₁〜Ｒ₉で挙げた置換基が適用できる。また、Ｒ₄₁〜Ｒ₄₄
はそれぞれ可能な場合には連結して環を形成してもよ
い。Ｒ₄₁〜Ｒ₄₄として好ましくは、水素原子、アルキル
基、アリール基、ヘテロ環基、ハロゲン原子、シアノ
基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカル
ボニル基、アリールオキシカルボニル基であり、より好
ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロ環
基、ハロゲン原子、シアノ基であり、特に好ましくは水
素原子である。

【００４２】一般式（Ｉ）で表される化合物は低分子量
化合物であっても良いし、一般式（Ｉ）で表される残基
がポリマー主鎖に接続された高分子量化合物（好ましく
は重量平均分子量１０００〜５００００００、特に好ま
しくは５０００〜２００００００、さらに好ましくは１
００００〜１００００００）もしくは、一般式（Ｉ）の
骨格を主鎖にもつ高分子量化合物（好ましくは重量平均
分子量１０００〜５００００００、特に好ましくは５０
００〜２００００００、更に好ましくは１００００〜１
００００００）であってもよい。高分子量化合物の場合
は、ホモポリマーであっても良いし、他のモノマーとの
共重合体であっても良い。一般式（Ｉ）で表される化合
物としては、好ましくは、低分子量化合物である。ま
た、一般式（Ｉ）は便宜的に極限構造式で表している
が、その互変異性体であってもよい。また、幾何異性体
が存在する場合にはいずれのものであってもよい。

【００４３】以下に一般式（Ｉ）で表される化合物の具
体例を挙げるが本発明はこれらに限定されるものではな
い。

【００４４】

【化２２】

【００４５】

【化２３】

【００４６】

【化２４】

【００４７】

【化２５】

【００４８】

【化２６】

【００４９】

【化２７】

【００５０】

【化２８】

【００５１】

【化２９】

【００５２】

【化３０】

【００５３】

【化３１】

【００５４】

【化３２】

【００５５】上記化合物例はその互変異性体であっても
よい。次に本発明の化合物の合成法について以下説明す
る。代表的合成法を（スキーム１）〜（スキーム３）に
示した。 中間体（Ｄ）の合成法

【００５６】

【化３３】

【００５７】（式中Ｒ₉は一般式（Ｉ）におけるそれら
と同義である） スキーム１における（Ａ）から（Ｂ）の合成はボロント
リフルオリド錯体存在下、ケトン化合物（Ａ）と酸無水
物を用いる合成法であり（Ｚｅｉｔｓｃｈｒｉｆｔ Ｃ
ｈｅｍｉｅ．２８巻、２３頁（１９８８年）参照）、
（Ｂ）から（Ｄ）の合成は、塩基存在下、（Ｂ）とアセ
タ−ル化合物（Ｃ）を用いる方法であり、化合物（Ｄ）
から（Ｅ）の合成は酸性条件下環化する方法を基本とし
た合成法である。 中間体（Ｈ）の合成法

【００５８】

【化３４】

【００５９】（式中Ｒ₅₁、Ｒ₅₂は一般式（IV）における
それらと同義である） スキーム２における（Ｆ）から（Ｈ）の合成法はヒドラ
ジン誘導体（Ｆ）とマロン酸誘導体（Ｇ）を塩基存在
下、アミド化する方法を基本とした合成法であり、Ｊ．
Ｇｅｎ．Ｃｈｅｍ．ＵＳＳＲ．２８巻、２８４１頁（１
９５８年）記載の方法などにより合成できる。 化合物（Ｌ）の合成法

【００６０】

【化３５】

【００６１】（式中Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ
₇、Ｒ₈、Ｒ₉、Ｌ₁、Ｌ₂、Ｚ₁およびｎは一般式（Ｉ）に
おけるそれらと同義であり、Ｌ₁およびＬ₂はメチン基ま
たは置換メチン基を表す。ｍは０または１を表す。） スキーム３における（Ｅ）から（Ｉ）の合成法はケトン
化合物（Ｉ）と中間体（Ｅ）に酸無水物Ｒ₈、Ｒ₉、など
を用いた脱水縮合反応を基本とした合成法であり（J.Am
er.Chem.Soc.８０巻、１４４０頁（１９５８年）参
照）、（Ｊ）から（Ｌ）の合成は塩基存在下、活性メチ
レンとアルデヒドを脱水縮合させるｋｎｏｅｖｅｎａｇ
ｌ反応を基本とした合成法である（特開昭６０−８３０
３５号参照）。

【００６２】以下に本発明の一般式（Ｉ）で表される化
合物の合成について具体例を示す。 合成例 中間体ｄの合成

【００６３】

【化３６】

【００６４】化合物ａの合成 ｔ−ブチルメチルケトン１００ｇ（１モル）、無水酢酸
２００ｍｌにボロントリフルオライドジエチルエーテル
コンプレックス１５０ｍｌ（１．１モル）を温度０℃に
保ちながら、ゆっくりと滴下した後、室温３時間攪拌し
た。クロロホルム、水で抽出を行い、有機相を濃縮し
て、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製操
作を行い、化合物ａを７２ｇ（収率３８％）得た。

【００６５】化合物ｂの合成 化合物ａを１８８ｇ（１モル）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセ
トアミドジメチルアセタール１７８ｍｌ（１モル）を
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド６００ｍｌに溶かし、
２，６−ルチジン１２０ｍｌ（１モル）を加え、室温で
５時間攪拌した。反応液に水を加え、析出した固体を濾
取し、乾燥させ、オレンジ色の結晶として化合物ｂを２
５６ｇ（収率１００％）得た。

【００６６】化合物ｃの合成 化合物ｂ２８０ｇ（１．０８モル）をエタノール１２０
０ｍｌ、水２００ｍｌ中に溶解し、濃塩酸５０ｍｌを滴
下し、室温で９時間攪拌した後、酢酸エチル、水で抽出
を行い、有機相を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーにより精製操作を行い化合物ｃを１７０ｇ（収
率９４％）を得た。

【００６７】化合物ｄ合成 化合物ｃ３０．０ｇ（０．１８モル）１，３−インダン
ジオン３１．６ｇ（０．２２モル）を無水酢酸１５０ｍ
ｌに溶解し、８時間加熱還流した後、無水酢酸を７５ｍ
ｌに濃縮する。その後、酢酸エチル、水で抽出を行い、
有機相を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー
により精製操作を行い化合物ｄを４６．９ｇ（収率８８
％）を得た。化合物ｅ、ｆの合成

【００６８】

【化３７】

【００６９】化合物ｅの合成 化合物ｃの代わりに２，６−ジメチル−γ−ピロン２
８．５ｇ（０．２３モル）、１，３−インダンジオン３
３．５ｇ（０．２３モル）を無水酢酸１００ｍｌに溶解
し、８時間加熱還流した。反応液を室温まで冷却し、エ
タノールを加え、析出した固体を濾取した。得られた固
体をエタノールで再結晶することにより化合物ｅを３
９．０ｇ（収率６７％）で得た。

【００７０】化合物ｆの合成 マロン酸ジエチル３．６５ｇ（２２．８ミリモル）と
１，２−ジフェニルヒドラジン４．００ｇ（２１．７ミ
リモル）を１０ｍｌのｎ−ブタノールに溶解し、２８％
ナトリウムメトキシドメタノール溶液４．６１ｇ（２
３．９ミリモル）を加えた後、１００℃で１０時間加熱
した。その後、溶媒を減圧留去し、１０ｍｌの水を加え
攪拌し、ろ過した。回収したろ液に活性炭を加え３０分
間攪拌した後、再びろ過し、ろ液を回収する。ろ液に４
ｍｌの塩酸を加えて析出した固体をろ過で回収し、３．
７６ｇ（収率６０％）の１，２−ジフェニル−３，５−
ピラゾリジンジオンを得た。１，２−ジフェニル−３，
５−ピラゾリジンジオン１０．１ｇ（０．０４ミリモ
ル）と化合物ｃ６．６４ｇ（０．０４モル）を無水酢酸
５０ｍｌに溶解し、８時間加熱還流した後、無水酢酸を
３０ｍｌに濃縮し、室温まで冷却し、一昼夜放置し、析
出した結晶をろ過し、化合物ｆを１１．２ｇ（収率７０
％）を得た。

【００７１】例示化合物１の合成 化合物ｅ５．０ｇ（２０ミリモル）、４−ジメチルアミ
ノベンズアルデヒド４．０ｇ（２０ミリモル）をエタノ
ール１００ｍｌに溶解し、ピペリジン１．６ｍｌ（１６
ミリモル）を加え、８時間加熱還流した。反応液を室温
まで冷却し、析出した固体を濾取した。得られた固体シ
リカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、エタ
ノールで再結晶することにより例示化合物１を３．６ｇ
（収率１０％）得た。 融点２４２〜２４４℃¹ Ｈ−NMR (CDCl₃) δ（ｐｐｍ）＝２．６（ｓ，３
Ｈ）、３．１（ｓ，６Ｈ）、６．６〜６．８（ｍ，３
Ｈ）、７．３〜７．８（ｍ，７Ｈ）、８．２（ｓ，１
Ｈ）、８．４（ｓ，１Ｈ）

【００７２】例示化合物２の合成 化合物ｅ２．５２ｇ（１０ミリモル）、９−ホルミルユ
ロリジン２．０１ｇ（１０ミリモル）をエタノール７５
ｍｌに溶解し、ピペリジン０．８ｍｌ（８ミリモル）を
加え、８時間加熱還流した。反応液を室温まで冷却し、
析出した固体を濾取した。得られた固体をエタノールで
再結晶することにより例示化合物２を３．０５ｇ（収率
７０％）得た。 融点２２５℃¹ Ｈ−NMR (CDCl₃) δ（ｐｐｍ）＝２．０（ｍ，４
Ｈ）、２．４（ｓ，３Ｈ）、２．８（ｔ，４Ｈ）、３．
３（ｔ，４Ｈ）、６．６（ｄ，１Ｈ）、７．３（ｄ，２
Ｈ）、７．６〜７．８（ｍ，４Ｈ）、８．３（ｓ，１
Ｈ）、８．４（ｓ，２Ｈ）

【００７３】例示化合物８の合成 化合物ｅ２．５２ｇ（１０ミリモル）、４−ジメチルア
ミノベンズアルデヒド４．０２ｇ（２０ミリモル）をピ
リジン５０ｍｌに溶解し、ピペリジン１．０ｍｌ（１０
ミリモル）を加え、１６時間加熱還流した。反応液を室
温まで冷却し、析出した固体を濾取した。得られた固体
をピリジンで再結晶することにより例示化合物８を４．
２ｇ（収率８２％）得た。 融点２９０℃¹ Ｈ−NMR (CDCl₃）δ（ｐｐｍ）＝３．０（ｓ，１２
Ｈ）、６．６〜６．７（ｍ，６Ｈ）、７．４〜７．５
（ｍ，６Ｈ）、７．６（ｍ，２Ｈ）、７．７（ｍ，２
Ｈ）、８．４（ｓ，２Ｈ）

【００７４】例示化合物２２の合成 化合物ｄ１．８９ｇ（６．４ミリモル）、４−ジメチル
アミノベンズアルデヒド０．９６ｇ（６．４ミリモル）
をエタノール３０ｍｌに溶解し、ピペリジン０．１６ｍ
ｌ（１．６ミリモル）を加え、８時間加熱還流した。反
応液を室温まで冷却し、析出した固体を濾取した。得ら
れた固体をエタノールで再結晶することにより例示化合
物２２を１．４９ｇ（収率５５％）得た。 融点２５３℃¹ Ｈ−NMR (CDCl₃）δ（ｐｐｍ）＝１．４（ｓ，９
Ｈ）、３．１（ｓ，６Ｈ）、６．７〜６．８（ｍ，３
Ｈ）、７．４〜７．８（ｍ，１０Ｈ）、８．４（ｄ，２
Ｈ）

【００７５】例示化合物２３の合成 化合物ｄ３．００ｇ（１０．２ミリモル）、６−ホルミ
ル−１−メチル１，２，３，４−テトラヒドロキノリン
１．８０ｇ（１０．２ミリモル）（J.Chem.Soc. ２１４
７頁（１９４８年）記載の方法により合成できる）をエ
タノール５０ｍｌに溶解し、ピペリジン０．２０ｍｌ
（２．２５ミリモル）を加え、４時間加熱還流した。反
応液を室温まで冷却し、析出した固体を濾取した。得ら
れた固体をエタノールで再結晶することにより例示化合
物２３を１．４ｇ（収率３１％）得た。 融点２４３〜２４６℃¹ Ｈ−NMR (CDCl₃）δ（ｐｐｍ）＝１．４５（ｓ，９
Ｈ）、２．０（ｍ，２Ｈ）、２．７５（ｔ，２Ｈ）、
３．０（ｓ，３Ｈ）、３．３５（ｔ，２Ｈ）、６．５５
〜６．７０（ｍ，２Ｈ）、７．２０〜７．３５（ｍ，３
Ｈ）、７．６（ｍ，２Ｈ）、７．７６（ｍ，２Ｈ）、
８．４（ｄ，２Ｈ）

【００７６】例示化合物２４の合成 化合物ｄ１．６７ｇ（４ミリモル）、９−ホルミルユロ
リジン１．１４ｇ（４ミリモル）をエタノール５０ｍｌ
に溶解し、ピペリジン０．３２ｍｌ（４ミリモル）を加
え、７時間加熱還流した。反応液を室温まで冷却し、析
出した固体を濾取した。得られた固体をエタノールで再
結晶することにより例示化合物２４を２．２０ｇ（収率
８１％）得た。 融点２２０〜２２２℃¹ Ｈ−NMR (CDCl₃）δ（ｐｐｍ）＝１．４５（ｓ，９
Ｈ）、１．９７（ｍ，４Ｈ）、２．７８（ｔ，４Ｈ）、
３．２２（ｔ，４Ｈ）、６．５７（ｄ，１Ｈ）、７．０
４（ｓ，２Ｈ）、７．２９（ｄ，１Ｈ）、７．５２〜
７．７９（ｍ，４Ｈ）、８．４０（ｄ，２Ｈ）

【００７７】例示化合物２５の合成 化合物ｆ３．６ｇ（９．０ミリモル）、６−ホルミル−
１−メチル１，２，３，４−テトラヒドロキノリン１．
６ｇ（９．０ミリモル）をエタノール５０ｍｌに溶解
し、ピペリジン０．２０ｍｌ（２．２５ミリモル）を加
え、４時間加熱還流した。反応液を室温まで冷却し、析
出した固体を濾取した。得られた固体をエタノールで再
結晶することにより例示化合物２５を２．７ｇ（収率５
４％）得た。 融点２４０〜２４２℃¹ Ｈ−NMR (CDCl₃）δ（ｐｐｍ）＝１．４（ｓ，９
Ｈ）、２．０（ｍ，２Ｈ）、２．７５（ｔ，２Ｈ）、
３．０（ｓ，３Ｈ）、３．３５（ｔ，２Ｈ）、６．５〜
６．６（ｍ，２Ｈ）、７．０５〜７．４５（ｍ，１３
Ｈ）、８．４（ｄ，２Ｈ）

【００７８】例示化合物２６の合成 化合物ｆ２．００ｇ（５．０ミリモル）、９−ホルミル
ユロリジン１．０５ｇ（５．０ミリモル）をエタノール
２５ｍｌに溶解し、ピペリジン０．１２ｍｌ（１．２５
ミリモル）を加え、６時間加熱還流した。反応液を室温
まで冷却し、析出した固体を濾取した。得られた固体を
エタノールで再結晶することにより例示化合物２６を
１．６０ｇ（収率５５％）得た。 融点２１９〜２２２℃¹ Ｈ−NMR (CDCl₃）δ（ｐｐｍ）＝１．４（ｓ，９H)、
２．０（ｍ，４Ｈ）、２．４（ｓ，３Ｈ）、２．８
（ｔ，４Ｈ）、３．３（ｔ，４Ｈ）、６．６（ｄ，１
Ｈ）、７．０〜７．５（ｍ，１３Ｈ）、８．４（ｓ，２
Ｈ）

【００７９】例示化合物２７の合成 化合物ｄ２．９４ｇ（１０．０ミリモル）、４−ジフェ
ニルアミノベンズアルデヒド２．７３ｇ（１０．０ミリ
モル、J.Org.Chem. ３０巻 ３７１４頁（１９６５年）
記載の方法により合成できる）をエタノール２０ｍｌに
溶解し、ピペリジン０．５ｍｌ（５．１ミリモル）を加
え、８時間加熱還流した。反応液を室温まで冷却し、析
出した固体を濾取した。得られた固体をエタノールで再
結晶することにより例示化合物２７を２．１ｇ（収率４
０％）得た。 融点２２７〜２２９℃¹ Ｈ−NMR (CDCl₃）δ（ｐｐｍ）＝１．４（ｓ，９
Ｈ）、６．７（ｄ，１Ｈ）、７．０〜７．５（ｍ，１５
Ｈ）、７．６（ｍ，２Ｈ）、７．８（ｍ，２Ｈ）、８．
５（ｓ，２Ｈ）

【００８０】例示化合物２９の合成 化合物ｄ１．８０ｇ（６．１ミリモル）、９−エチルカ
ルバゾール−３−カルバルデヒド１．３６ｇ（６．１ミ
リモル）をエタノール２５ｍｌに溶解し、ピペリジン
０．１０ｍｌ（１．５ミリモル）を加え、４時間加熱還
流した。反応液を室温まで冷却し、析出した固体を濾取
した。得られた固体をエタノールで再結晶することによ
り例示化合物２９を１．５０ｇ（収率５０％）得た。¹ Ｈ−NMR (CDCl₃）δ（ｐｐｍ）＝１．５（ｍ，１２
Ｈ）、４．４（ｑ，２Ｈ）、６．９（ｄ，１Ｈ）、７．
３〜７．８（ｍ，１０Ｈ）、８．１（ｄ，１Ｈ）、８．
３（ｓ，１Ｈ）、８．５（ｄ，２Ｈ）融点２４９〜２５
０℃

【００８１】例示化合物３４の合成 化合物ｄ１．８０ｇ（６．１ミリモル）、４−ジメチル
アミノ−２−メチルベンンズアルデヒド１．００ｇ
（６．１ミリモル）をエタノール２０ｍｌに溶解し、ピ
ペリジン０．２０ｍｌ（３．０ミリモル）を加え、６時
間加熱還流した。反応液を室温まで冷却し、析出した固
体を濾取した。得られた固体をエタノールで再結晶する
ことにより例示化合物３４を１．２３ｇ（収率４６％）
得た。 融点２７８〜２８０℃¹ Ｈ−NMR (CDCl₃）δ（ｐｐｍ）＝１．４０（ｓ，９
Ｈ）、２．４７（ｓ，３Ｈ）、３．０４（ｓ，６Ｈ）、
６．５０〜６．６７（ｍ，３Ｈ）、７．５６〜７．７７
（ｍ，６Ｈ）、 ８．４３（ｄ，２Ｈ）

【００８２】例示化合物４０の合成 化合物ｆ４．００ｇ（１０．０ミリモル）、４−ジフェ
ニルアミノベンズアルデヒド２．７３ｇ（１０．０ミリ
モル）をエタノール２０ｍｌに溶解し、ピペリジン０．
５ｍｌ（２．５ミリモル）を加え、８時間加熱還流し
た。反応液を室温まで冷却し、析出した固体を濾取し
た。得られた固体をエタノールで再結晶することにより
例示化合物４０を４．７ｇ（収率７２％）得た。 融点２１６〜２１７℃¹ Ｈ−NMR (CDCl₃）δ（ｐｐｍ）＝１．４（ｓ，９
Ｈ）、６．７（ｄ，１Ｈ）、７．０〜７．６（ｍ，２５
Ｈ）、８．５（ｄ，２Ｈ）

【００８３】例示化合物４１の合成 化合物ｆ４．００ｇ（１０．０ミリモル）、９−エチル
カルバゾール−３−カルバルデヒド２．２３ｇ（１０．
０ミリモル）をエタノール２０ｍｌに溶解し、ピペリジ
ン０．２５ｍｌ（２．５ミリモル）を加え、８時間加熱
還流した。反応液を室温まで冷却し、析出した固体を濾
取した。得られた固体をエタノールで再結晶することに
より例示化合物４１を２．６ｇ（収率４３％）得た。 融点℃２３８〜２３９℃¹ Ｈ−NMR (CDCl₃）δ（ｐｐｍ）＝１．４（ｍ，１２
Ｈ）、４．４（ｑ，２Ｈ）、６．９（ｄ，１Ｈ）、７．
１〜８．３（ｍ，１８Ｈ）、８．５（ｄ，２Ｈ）

【００８４】本発明の発光素子は陽極、陰極の一対の電
極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄
膜を形成した素子であり、発光層のほか正孔注入層、正
孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有し
てもよく、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備え
たものであってもよい。各層の形成にはそれぞれ種々の
材料を用いることができる。

【００８５】陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層な
どに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化
物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用
いることができ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以上の材
料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化イ
ンジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金
属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金
属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物
または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物
質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなど
の有機導電性材料、およびこれらとＩＴＯとの積層物な
どが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、
特に、生産性、高導電性、透明性等の点からＩＴＯが好
ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能である
が、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、よ
り好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは
１００ｎｍ〜５００ｎｍである。

【００８６】陽極は通常、ソーダライムガラス、無アル
カリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが
用いられる。ガラスを用いる場合、その材質について
は、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アル
カリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライ
ムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施
したものを使用することが好ましい。基板の厚みは、機
械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガ
ラスを用いる場合には、通常０．２ｍｍ以上、好ましく
は０．７ｍｍ以上のものを用いる。陽極の作製には材料
によって種々の方法が用いられるが、例えばＩＴＯの場
合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着
法、化学反応法（ゾルーゲル法など）、酸化インジウム
スズの分散物の塗布などの方法で膜形成される。陽極は
洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げたり、
発光効率を高めることも可能である。例えばＩＴＯの場
合、ＵＶ−オゾン処理などが効果的である。

【００８７】陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層な
どに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送
層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン
化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。陰極の
材料としては金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合
物、またはこれらの混合物を用いることができ、具体例
としてはアルカリ金属（例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋ等）また
はそのフッ化物、アルカリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａ
等）またはそのフッ化物、金、銀、鉛、アルミニウム、
ナトリウム−カリウム合金またはそれらの混合金属、リ
チウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マ
グネシウム−銀合金またはそれらの混合金属、インジウ
ム、イッテリビウム等の希土類金属等が挙げられ、好ま
しくは仕事関数が４ｅＶ以下の材料であり、より好まし
くはアルミニウム、リチウム−アルミニウム合金または
それらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれら
の混合金属等である。陰極の膜厚は材料により適宜選択
可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好
ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に
好ましくは１００ｎｍ〜１μｍである。陰極の作製には
電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コ
ーティング法などの方法が用いられ、金属を単体で蒸着
することも、二成分以上を同時に蒸着することもでき
る。さらに、複数の金属を同時に蒸着して合金電極を形
成することも可能であり、またあらかじめ調整した合金
を蒸着させてもよい。陽極及び陰極のシート抵抗は低い
方が好ましく、数百Ω／□以下が好ましい。

【００８８】発光層の材料は、電界印加時に陽極または
正孔注入層、正孔輸送層から正孔を注入することができ
ると共に陰極または電子注入層、電子輸送層から電子を
注入することができる機能や、注入された電荷を移動さ
せる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させ
る機能を有する層を形成することができるものであれば
何でもよい。好ましくは発光層に本発明の化合物を含有
するものであるが、本発明の化合物の他の発光材料を用
いることもできる。例えばベンゾオキサゾール誘導体、
ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、
スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェ
ニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導
体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、ペリレン
誘導体、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ア
ルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエ
ン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリ
ドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリ
ジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミ
ン誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノ
ール誘導体の金属錯体や希土類錯体に代表される各種金
属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェ
ニレンビニレン等のポリマー化合物等が挙げられる。発
光層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎ
ｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５
ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００
ｎｍである。発光層の形成方法は、特に限定されるもの
ではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリン
グ、分子積層法、コーティング法（スピンコート法、キ
ャスト法、ディップコート法など）、ＬＢ法などの方法
が用いられ、好ましくは抵抗加熱蒸着、コーティング法
である。

【００８９】正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極か
ら正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から
注入された電子を障壁する機能のいずれかを有している
ものであればよい。その具体例としては、カルバゾール
誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オ
キサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリ
ールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘
導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導
体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン
誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチ
ルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化
合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系
化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、
ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン系共
重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導
電性高分子オリゴマー等が挙げられる。正孔注入層、正
孔輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常
１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましく
は５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５
００ｎｍである。正孔注入層、正孔輸送層は上述した材
料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよ
いし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構
造であってもよい。正孔注入層、正孔輸送層の形成方法
としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記正孔注入輸送剤を
溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法（ス
ピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）が
用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶
解または分散することができ、樹脂成分としては例え
ば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレ
ン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレ
ート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオ
キシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾー
ル）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポ
リアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹
脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル
樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂など
が挙げられる。

【００９０】電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極か
ら電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から
注入された正孔を障壁する機能のいずれか有しているも
のであればよい。その具体例としては、トリアゾール誘
導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、
フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ア
ントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピラン
ジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニ
リデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフ
タレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フ
タロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯
体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベン
ゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種
金属錯体等が挙げられる。電子注入層、電子輸送層の膜
厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μ
ｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１
μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍであ
る。電子注入層、電子輸送層は上述した材料の１種また
は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組
成または異種組成の複数層からなる多層構造であっても
よい。電子注入層、電子輸送層の形成方法としては、真
空蒸着法やＬＢ法、前記電子注入輸送剤を溶媒に溶解ま
たは分散させてコーティングする方法（スピンコート
法、キャスト法、ディップコート法など）などが用いら
れる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解また
は分散することができ、樹脂成分としては例えば、正孔
注入輸送層の場合に例示したものが適用できる。

【００９１】保護層の材料としては水分や酸素等の素子
劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能
を有しているものであればよい。その具体例としては、
Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎ
ｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂ 、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、
ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ₂ Ｏ₃ 、Ｙ₂Ｏ
₃ 、ＴｉＯ₂ 等の金属酸化物、ＭｇＦ₂ 、ＬｉＦ、Ａｌ
Ｆ₃ 、ＣａＦ₂ 等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリ
プロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、
ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロ
トリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレ
ン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロ
エチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少な
くとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重
合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有
する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、
吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。保護
層の形成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸
着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、Ｍ
ＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム
法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波
励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レ
ーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コ
ーティング法を適用できる。

【００９２】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明
するが、本発明はこれにより限定されるものではない。 実施例１ ２５ｍｍ×２５ｍｍ×０．７ｍｍのガラス基板上にＩＴ
Ｏを１５０ｎｍの厚さで製膜したもの（東京三容真空
（株）製）を透明支持基板とした。この透明支持基板を
エッチング、洗浄後、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）
４０ｍｇ、ＰＢＤ（２−（４−ビフェニルイル）−５−
（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキ
サジアゾール）１２ｍｇ、表１記載の化合物０．５ｍｇ
を１，２−ジクロロエタン３ｍｌに溶解し、洗浄したＩ
ＴＯ基板上にスピンコートした。生成した有機薄膜の膜
厚は、約１２０ｎｍであった。有機薄膜上にパターニン
グしたマスク（発光面積が５ｍｍ×５ｍｍとなるマス
ク）を設置し、蒸着装置内でマグネシウム：銀＝１０：
１を５０ｎｍ共蒸着した後、銀５０ｎｍを蒸着した。東
陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用い
て、直流定電圧を発光素子に印加し発光させ、その輝度
をトプコン社の輝度計ＢＭ−８、発光波長を浜松ホトニ
クス社製スペクトルアナライザーＰＭＡ−１１を用いて
測定した。その結果を表１に示す。

【００９３】

【表１】

【００９４】

【化３８】

【００９５】表１の結果から明らかなように、本発明の
化合物を用いた素子では、比較化合物に比べ、通常発光
輝度が低い塗布方式においても低電圧駆動、高輝度発光
が可能であり、また色純度の高い赤色発光を示した。

【００９６】実施例２ 実施例１と同様にＩＴＯ基板をエッチング、洗浄後、Ｔ
ＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，
Ｎ’−ジフェニルベンジジン）約４０ｎｍ、表２記載の
化合物約２０ｎｍ、２，５−ビス（１−ナフチル）−
１，３，４−オキサジアゾール約４０ｎｍを順に１０^-5
〜１０^-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条件下蒸
着した。次いで実施例１と同様に陰極を蒸着し、評価を
行った。結果を表２に示す。

【００９７】

【表２】

【００９８】表２の結果から明らかなように、本発明の
化合物を用いた素子では、蒸着方式でも比較化合物に比
べ、高輝度発光が可能であり、また色純度の高い赤色発
光を示した。

【００９９】実施例３ 実施例１と同様にＩＴＯ基板をエッチング、洗浄後、Ｔ
ＰＤ約４０ｎｍ蒸着した後、表３記載の化合物およびＡ
ｌｑ（トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウ
ム）をそれぞれ蒸着速度０．０４Å／秒、４Å／秒で膜
厚約６０ｎｍとなるように共蒸着した。次いで実施例１
と同様に陰極を蒸着し、評価を行った。結果を表３に示
す。

【０１００】

【表３】

【０１０１】表３の結果から明らかなように、本発明の
化合物を用いた素子では、蒸着方式ドープ系でも比較化
合物に比べ、高輝度発光が可能であり、また色純度の高
い赤色発光を示した。

【０１０２】実施例４ 実施例１と同様にＩＴＯ基板をエッチング、洗浄後、Ｔ
ＰＤ約４０ｎｍ蒸着した後、表４記載の化合物を約６０
ｎｍ蒸着した。次いで実施例１と同様に陰極を蒸着し
た。結果を表４に示す。

【０１０３】

【表４】

【０１０４】表４の結果から明らかなように、色純度の
高い赤色発光が観測され、本発明の化合物が電子注入輸
送剤兼発光剤として有効であることがわかった。

【０１０５】実施例５ 実施例１と同様にエッチング、洗浄したＩＴＯガラス基
板上に、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）４０ｍｇ、
２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジ
アゾール１２ｍｇ、テトラフェニルブタジエン１０ｍ
ｇ、ＤＣＭ０．５ｍｇおよび本発明の表５記載の化合物
０．１ｍｇを１，２−ジクロロエタン３ｍｌに溶解した
溶液をスピンコートした。次いで実施例１と同様に陰極
を蒸着した。この素子にＩＴＯ電極を陽極、Ｍｇ：Ａｇ
電極を陰極として直流電圧を印加し、評価した。その結
果を表５に示す。

【０１０６】

【表５】

【０１０７】表５の結果から明らかなように本発明の化
合物は白色発光に有効であることがわかった。

【０１０８】

【発明の効果】本発明により、従来に比べて色純度の高
い赤色発光発光を可能にする新規メチン化合物を提供す
ることができた。特に通常発光輝度の低い塗布方式でも
良好な発光特性が得られ、製造コスト面等で有利な素子
作製が可能となる。さらに本発明の化合物は発光材料兼
電子注入輸送剤としても機能するものであり、簡便な素
子作成が可能となる。

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１０年１２月２２日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００６１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００６１】（式中Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ
₇、Ｒ₈、Ｒ₉、Ｌ₁、Ｌ₂、Ｚ₁およびｎは一般式（Ｉ）に
おけるそれらと同義であり、Ｌ₁およびＬ₂はメチン基ま
たは置換メチン基を表す。ｍは０または１を表す。） スキーム３における（Ｅ）から（Ｌ）の合成法はケトン
化合物（Ｉ）と中間体（Ｅ）に酸無水物Ｒ₈、Ｒ₉、など
を用いた脱水縮合反応を基本とした合成法であり（J.Am
er.Chem.Soc.８０巻、１４４０頁（１９５８年）参
照）、（Ｊ）から（Ｌ）の合成は塩基存在下、活性メチ
レンとアルデヒドを脱水縮合させるｋｎｏｅｖｅｎａｇ
ｌ反応を基本とした合成法である（特開昭６０−８３０
３５号参照）。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（Ｉ）で表される化合物であ
   ることを特徴とする有機発光素子材料。 【化１】 （式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ₇、Ｒ₈およ
   びＲ₉は、それぞれ水素原子または置換基を表す。Ｘは
   酸素原子、硫黄原子またはＮ−Ｒ₁₀（Ｒ₁₀は水素原子ま
   たは置換基を表す。）を表す。Ｚ₁は５または６員環を
   形成するに必要な原子群を表す。Ｌ₁およびＬ₂はそれぞ
   れメチン基または置換メチン基を表す。ｎは１または２
   を表す。）
2. 【請求項２】 下記一般式（II）で表される化合物であ
   ることを特徴とする有機発光素子材料。 【化２】 （式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ₇、Ｒ₈およ
   びＲ₉は、それぞれ水素原子または置換基を表す。Ｚ₂は
   ５または６員環を形成するに必要な原子群を表す。Ｌ₁
   およびＬ₂はそれぞれメチン基または置換メチン基を表
   す。ｎは１または２を表す。）
3. 【請求項３】 下記一般式（III）で表される化合物。 【化３】 （式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ₇およびＲ₈
   は、それぞれ水素原子または置換基を表す。Ｒ₃₁は炭素
   数２以上のアルキル基、炭素数６以上のアリール基を表
   す。Ｚ₂は５または６員環を形成するに必要な原子群を
   表す。Ｌ₁およびＬ ₂はそれぞれメチン基または置換メチ
   ン基を表す。ｎは１または２を表す。）
4. 【請求項４】 下記一般式（III）で表される化合物で
   あることを特徴とする有機発光素子材料。 【化４】 （式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ₇およびＲ₈
   は、それぞれ水素原子または置換基を表す。Ｒ₃₁は炭素
   数２以上のアルキル基、炭素数６以上のアリール基を表
   す。Ｚ₂は５または６員環を形成するに必要な原子群を
   表す。Ｌ₁およびＬ ₂はそれぞれメチン基または置換メチ
   ン基を表す。ｎは１または２を表す。）
5. 【請求項５】 下記一般式（III−ａ)で表される化合
   物。 【化５】 （式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ₇、Ｒ₈、Ｒ
   ₄₁、Ｒ₄₂、Ｒ₄₃およびＲ ₄₄は、それぞれ水素原子または
   置換基を表す。Ｒ₃₁は、炭素数２以上のアルキル基、炭
   素数６以上のアリール基を表す。Ｌ₁およびＬ₂はそれぞ
   れメチン基または置換メチン基を表す。ｎは１または２
   を表す。）
6. 【請求項６】 下記一般式（III−ａ)で表される化合物
   であることを特徴とする有機発光素子材料。 【化６】 （式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ₇、Ｒ₈、Ｒ
   ₄₁、Ｒ₄₂、Ｒ₄₃およびＲ ₄₄は、それぞれ水素原子または
   置換基を表す。Ｒ₃₁は、炭素数２以上のアルキル基、炭
   素数６以上のアリール基を表す。Ｌ₁およびＬ₂はそれぞ
   れメチン基または置換メチン基を表す。ｎは１または２
   を表す。）
7. 【請求項７】 下記一般式（IV)で表される化合物。 【化７】 （式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ₇、Ｒ₈、Ｒ
   ₉、Ｒ₅₁およびＲ₅₂は、それぞれ水素原子または置換基
   を表す。Ｌ₁およびＬ₂はそれぞれメチン基または置換メ
   チン基を表す。ｎは１または２を表す。）
8. 【請求項８】 下記一般式（IV)で表される化合物であ
   ることを特徴とする有機発光素子材料。 【化８】 （式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ₇、Ｒ₈、Ｒ
   ₉、Ｒ₅₁およびＲ₅₂は、それぞれ水素原子または置換基
   を表す。Ｌ₁およびＬ₂はそれぞれメチン基または置換メ
   チン基を表す。ｎは１または２を表す。）
9. 【請求項９】 一対の電極間に発光層もしくは発光層を
   含む複数の有機化合物薄膜を形成した有機発光素子にお
   いて、少なくとも一層が請求項１、２、４、６、８に記
   載の一般式（Ｉ）〜（III）、（III−ａ）、（IV）で表
   される化合物を含有する層であることを特徴とする有機
   発光素子。
10. 【請求項１０】 一対の電極間に発光層もしくは発光層
    を含む複数の有機化合物薄膜を形成した有機発光素子に
    おいて、少なくとも一層が請求項１、２、４、６、８に
    記載の一般式（Ｉ）〜（III）、（III−ａ）、（IV）で
    表される化合物をポリマー中に分散した層であることを
    特徴とする有機発光素子。