JPH11333304A - 光触媒及びその利用 - Google Patents
光触媒及びその利用Info
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- JPH11333304A JPH11333304A JP10141981A JP14198198A JPH11333304A JP H11333304 A JPH11333304 A JP H11333304A JP 10141981 A JP10141981 A JP 10141981A JP 14198198 A JP14198198 A JP 14198198A JP H11333304 A JPH11333304 A JP H11333304A
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Landscapes
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- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】可視光線も利用可能な新たな光触媒、及びこの
新たな光触媒を利用して有機物や細菌を含む種々の物質
を光分解して除去する方法の提供。 【解決手段】 酸化チタン表面の少なくとも一部にグラ
ファイト、アモルファスカーボン、ダイヤモンドライク
カーボン、ダイヤモンド及び炭化水素からなる群から選
ばれる少なくとも1種の炭素系析出物を有する光触媒で
あって、水素及び光不存在下にて行ったＥＳＲ測定にお
いて、液体窒素温度においては、ｇ値が約１．９７のシ
グナルと約２．０３のシグナルを有し、室温においては
ｇ値が約２．０３のシグナルを有する触媒。少なくとも
可視光線を含む光を照射した上記光触媒に被分解物を接
触させる物質の分解方法。
新たな光触媒を利用して有機物や細菌を含む種々の物質
を光分解して除去する方法の提供。 【解決手段】 酸化チタン表面の少なくとも一部にグラ
ファイト、アモルファスカーボン、ダイヤモンドライク
カーボン、ダイヤモンド及び炭化水素からなる群から選
ばれる少なくとも1種の炭素系析出物を有する光触媒で
あって、水素及び光不存在下にて行ったＥＳＲ測定にお
いて、液体窒素温度においては、ｇ値が約１．９７のシ
グナルと約２．０３のシグナルを有し、室温においては
ｇ値が約２．０３のシグナルを有する触媒。少なくとも
可視光線を含む光を照射した上記光触媒に被分解物を接
触させる物質の分解方法。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、可視光活性を有す
る光触媒及びこの触媒を用いた可視光線を含む光を用い
る光分解方法に関する。
る光触媒及びこの触媒を用いた可視光線を含む光を用い
る光分解方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】光触媒
を用いて脱臭や殺菌を行うことは種々検討され、実用化
されているものもある。例えば、ＷＯ９４／１１０９２
号には室内照明下における光触媒による空気処理方法が
開示されている。また特開平７−１０２６７８号には、
光触媒を用いた院内感染の防止方法が開示れている。い
ずれの場合も、酸化チタン等の酸化物半導体を光触媒と
して用いるものであり、励起光として４００ｎｍ以下の
紫外線が必要である。
を用いて脱臭や殺菌を行うことは種々検討され、実用化
されているものもある。例えば、ＷＯ９４／１１０９２
号には室内照明下における光触媒による空気処理方法が
開示されている。また特開平７−１０２６７８号には、
光触媒を用いた院内感染の防止方法が開示れている。い
ずれの場合も、酸化チタン等の酸化物半導体を光触媒と
して用いるものであり、励起光として４００ｎｍ以下の
紫外線が必要である。
【０００３】ところが、励起光源となる太陽光や人工光
には、紫外線以外に可視光線も含まれている。しかし、
上記酸化チタン等の酸化物半導体からなる光触媒では、
可視光線は利用されておらず、エネルギー変換効率とい
う観点からは、非常に非効率的であった。酸化チタンに
金属イオンをイオン注入法により注入することにより可
視光領域でも光触媒活性が得られることは知られている
が、方法が大がかりであり、実用化にはほど遠い。
には、紫外線以外に可視光線も含まれている。しかし、
上記酸化チタン等の酸化物半導体からなる光触媒では、
可視光線は利用されておらず、エネルギー変換効率とい
う観点からは、非常に非効率的であった。酸化チタンに
金属イオンをイオン注入法により注入することにより可
視光領域でも光触媒活性が得られることは知られている
が、方法が大がかりであり、実用化にはほど遠い。
【０００４】ところで、酸化チタンにプラズマCVD法に
よりTiCコーティングをすることで、紫外線による触媒
活性を向上させることができることが報告されている
(特開平9-87857号公報)。しかし、TiCコーティングによ
って可視光線による光触媒活性が得られるとは記載され
ていない。
よりTiCコーティングをすることで、紫外線による触媒
活性を向上させることができることが報告されている
(特開平9-87857号公報)。しかし、TiCコーティングによ
って可視光線による光触媒活性が得られるとは記載され
ていない。
【０００５】そこで本発明の第１の目的は、可視光線も
利用可能な新たな光触媒を提供することにある。
利用可能な新たな光触媒を提供することにある。
【０００６】さらに本発明の第２の目的は、上記新たな
光触媒を利用して有機物や細菌を含む種々の物質を光分
解して除去する方法を提供することにある。さらに本発
明の第３の目的は、上記新たな光触媒を用いた装置を提
供することにある。
光触媒を利用して有機物や細菌を含む種々の物質を光分
解して除去する方法を提供することにある。さらに本発
明の第３の目的は、上記新たな光触媒を用いた装置を提
供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、酸化チタン表
面の少なくとも一部にグラファイト、アモルファスカー
ボン、ダイヤモンドライクカーボン、ダイヤモンド及び
炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも1種の炭素
系析出物を有する光触媒であって、水素及び光不存在下
にて行ったＥＳＲ測定において、液体窒素温度において
は、ｇ値が約１．９７のシグナルと約２．０３のシグナ
ルを有し、室温においてはｇ値が約２．０３のシグナル
を有することを特徴とする触媒に関する。
面の少なくとも一部にグラファイト、アモルファスカー
ボン、ダイヤモンドライクカーボン、ダイヤモンド及び
炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも1種の炭素
系析出物を有する光触媒であって、水素及び光不存在下
にて行ったＥＳＲ測定において、液体窒素温度において
は、ｇ値が約１．９７のシグナルと約２．０３のシグナ
ルを有し、室温においてはｇ値が約２．０３のシグナル
を有することを特徴とする触媒に関する。
【０００８】さらに本発明は、酸化チタン表面の少なく
とも一部にグラファイト、アモルファスカーボン、ダイ
ヤモンドライクカーボン、ダイヤモンド及び炭化水素か
らなる群から選ばれる少なくとも1種の炭素系析出物を
有する光触媒であって、水素存在下及び光照射下にて行
ったＥＳＲ測定において、液体窒素温度においては、ｇ
値が約１．９７のシグナルと約２．０３のシグナルを有
し、室温においては、ｇ値が約２．０３のシグナルを有
することを特徴とする触媒に関する。また、本発明は、
酸化チタン表面の少なくとも一部にグラファイト、アモ
ルファスカーボン、ダイヤモンドライクカーボン、ダイ
ヤモンド及び炭化水素からなる群から選ばれる少なくと
も1種の炭素系析出物を有する光触媒であって、水素及
び光不存在下にて行ったＥＳＲ測定において、並びに水
素存在下及び光照射下にて行ったＥＳＲ測定において、
液体窒素温度においては、ｇ値が約１．９７のシグナル
と約２．０３のシグナルを有し、室温においてはｇ値が
約２．０３のシグナルを有することを特徴とする触媒に
関する。
とも一部にグラファイト、アモルファスカーボン、ダイ
ヤモンドライクカーボン、ダイヤモンド及び炭化水素か
らなる群から選ばれる少なくとも1種の炭素系析出物を
有する光触媒であって、水素存在下及び光照射下にて行
ったＥＳＲ測定において、液体窒素温度においては、ｇ
値が約１．９７のシグナルと約２．０３のシグナルを有
し、室温においては、ｇ値が約２．０３のシグナルを有
することを特徴とする触媒に関する。また、本発明は、
酸化チタン表面の少なくとも一部にグラファイト、アモ
ルファスカーボン、ダイヤモンドライクカーボン、ダイ
ヤモンド及び炭化水素からなる群から選ばれる少なくと
も1種の炭素系析出物を有する光触媒であって、水素及
び光不存在下にて行ったＥＳＲ測定において、並びに水
素存在下及び光照射下にて行ったＥＳＲ測定において、
液体窒素温度においては、ｇ値が約１．９７のシグナル
と約２．０３のシグナルを有し、室温においてはｇ値が
約２．０３のシグナルを有することを特徴とする触媒に
関する。
【０００９】さらに本発明は、少なくとも可視光線を含
む光を照射した上記本発明の触媒に被分解物を接触させ
ることを特徴とする物質の分解方法、少なくとも可視光
線を含む光を照射した上記本発明の触媒に被分解物を含
む空気を接触させることを特徴とする空気の浄化方法、
及び少なくとも可視光線を含む光を照射した上記本発明
の触媒に被分解物を含む水を接触させることを特徴とす
る水の浄化方法に関する。
む光を照射した上記本発明の触媒に被分解物を接触させ
ることを特徴とする物質の分解方法、少なくとも可視光
線を含む光を照射した上記本発明の触媒に被分解物を含
む空気を接触させることを特徴とする空気の浄化方法、
及び少なくとも可視光線を含む光を照射した上記本発明
の触媒に被分解物を含む水を接触させることを特徴とす
る水の浄化方法に関する。
【００１０】また、本発明は、上記本発明の触媒を担体
に担持したことを特徴とする物品に関する。さらに本発
明は上記本発明の触媒または物品を含む装置であって、
前記装置が水清浄装置、空気清浄装置、殺菌装置、脱臭
装置、照明装置、光電池、及び水の分解装置からなる群
から選ばれることを特徴とする装置に関する。
に担持したことを特徴とする物品に関する。さらに本発
明は上記本発明の触媒または物品を含む装置であって、
前記装置が水清浄装置、空気清浄装置、殺菌装置、脱臭
装置、照明装置、光電池、及び水の分解装置からなる群
から選ばれることを特徴とする装置に関する。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下本発明についてさらに説明す
る。本発明の光触媒は、酸化チタン表面の少なくとも一
部にグラファイト、アモルファスカーボン、ダイヤモン
ドライクカーボン、ダイヤモンド及び炭化水素からなる
群から選ばれる少なくとも1種の炭素系析出物を有する
光触媒である。酸化チタンは、光活性という観点から
は、アナターゼ型であることが好ましいが、一部がルチ
ル型であってもよい。また、炭素系析出物は、酸化チタ
ン表面の一部に存在することが好ましい。炭素系析出物
が酸化チタン表面を覆ってしまうと、光触媒が得にくく
なる。また、炭素系析出物は、グラファイト、アモルフ
ァスカーボン、ダイヤモンドライクカーボン、ダイヤモ
ンド及び炭化水素の少なくとも1種であり、通常、少な
くともダイヤモンドライクカーボン及び炭化水素(CH)を
含む。本発明の光触媒は、水素及び光の不存在下にて行
ったＥＳＲ（電子スピン共鳴）測定において、液体窒素
温度においては、ｇ値が約１．９７のシグナルと約２．
０３のシグナルを有し、室温においてはｇ値が約２．０
３のシグナルを有する。ｇ値が約１．９７のシグナル
は、物質中の伝導電子に帰属されるシグナルである。ま
た、ｇ値が約２．０３のシグナルは、触媒表面に存在す
る炭素系析出物またはナトリウムの電子に帰属されるシ
グナルである。水素及び光の不存在下で行うＥＳＲ測定
の結果、このようなシグナルを有することで、可視光活
性及び紫外光活性を有する光触媒が得られる。特に、４
００ｎｍ以上の光をカットしたブラックライト光照射下
における光触媒活性を１００とした場合、４２０ｎｍ以
下の光をカットしたハロゲンランプ光照射下における光
触媒活性が少なくとも１０、好ましくは２０以上である
高い可視光活性を有する光触媒が得られる。尚、ここで
光触媒活性とは、単位重量の光触媒によるアセトアルデ
ヒドの気相における分解速度である。さらに本発明の光
触媒の別の態様は、水素存在下及び光照射下にて行った
ＥＳＲ測定において、液体窒素温度においては、ｇ値が
約１．９７のシグナルと約２．０３のシグナルを有し、
室温においては、ｇ値が約２．０３のシグナルを有する
ことを特徴とする。上記光照射は高圧水銀灯を用いて行
われる。また、水素は常圧に近い適当量が測定容器内に
供給される。ｇ値が約１．９７のシグナルは、物質中の
伝導電子に帰属されるシグナルである。また、ｇ値が約
２．０３のシグナルは、触媒表面に存在する炭素系析出
物またはナトリウムの電子に帰属されるシグナルであ
る。水素存在下及び光照射下に行うＥＳＲ測定の結果、
このようなシグナルを有することで、可視光活性及び紫
外光活性を有する光触媒が得られる。特に、４００ｎｍ
以上の光をカットしたブラックライト光照射下における
光触媒活性を１００とした場合、４２０ｎｍ以下の光を
カットしたハロゲンランプ光照射下における光触媒活性
が少なくとも１０、好ましくは２０以上である高い可視
光活性を有する光触媒が得られる。
る。本発明の光触媒は、酸化チタン表面の少なくとも一
部にグラファイト、アモルファスカーボン、ダイヤモン
ドライクカーボン、ダイヤモンド及び炭化水素からなる
群から選ばれる少なくとも1種の炭素系析出物を有する
光触媒である。酸化チタンは、光活性という観点から
は、アナターゼ型であることが好ましいが、一部がルチ
ル型であってもよい。また、炭素系析出物は、酸化チタ
ン表面の一部に存在することが好ましい。炭素系析出物
が酸化チタン表面を覆ってしまうと、光触媒が得にくく
なる。また、炭素系析出物は、グラファイト、アモルフ
ァスカーボン、ダイヤモンドライクカーボン、ダイヤモ
ンド及び炭化水素の少なくとも1種であり、通常、少な
くともダイヤモンドライクカーボン及び炭化水素(CH)を
含む。本発明の光触媒は、水素及び光の不存在下にて行
ったＥＳＲ（電子スピン共鳴）測定において、液体窒素
温度においては、ｇ値が約１．９７のシグナルと約２．
０３のシグナルを有し、室温においてはｇ値が約２．０
３のシグナルを有する。ｇ値が約１．９７のシグナル
は、物質中の伝導電子に帰属されるシグナルである。ま
た、ｇ値が約２．０３のシグナルは、触媒表面に存在す
る炭素系析出物またはナトリウムの電子に帰属されるシ
グナルである。水素及び光の不存在下で行うＥＳＲ測定
の結果、このようなシグナルを有することで、可視光活
性及び紫外光活性を有する光触媒が得られる。特に、４
００ｎｍ以上の光をカットしたブラックライト光照射下
における光触媒活性を１００とした場合、４２０ｎｍ以
下の光をカットしたハロゲンランプ光照射下における光
触媒活性が少なくとも１０、好ましくは２０以上である
高い可視光活性を有する光触媒が得られる。尚、ここで
光触媒活性とは、単位重量の光触媒によるアセトアルデ
ヒドの気相における分解速度である。さらに本発明の光
触媒の別の態様は、水素存在下及び光照射下にて行った
ＥＳＲ測定において、液体窒素温度においては、ｇ値が
約１．９７のシグナルと約２．０３のシグナルを有し、
室温においては、ｇ値が約２．０３のシグナルを有する
ことを特徴とする。上記光照射は高圧水銀灯を用いて行
われる。また、水素は常圧に近い適当量が測定容器内に
供給される。ｇ値が約１．９７のシグナルは、物質中の
伝導電子に帰属されるシグナルである。また、ｇ値が約
２．０３のシグナルは、触媒表面に存在する炭素系析出
物またはナトリウムの電子に帰属されるシグナルであ
る。水素存在下及び光照射下に行うＥＳＲ測定の結果、
このようなシグナルを有することで、可視光活性及び紫
外光活性を有する光触媒が得られる。特に、４００ｎｍ
以上の光をカットしたブラックライト光照射下における
光触媒活性を１００とした場合、４２０ｎｍ以下の光を
カットしたハロゲンランプ光照射下における光触媒活性
が少なくとも１０、好ましくは２０以上である高い可視
光活性を有する光触媒が得られる。
【００１２】さらに本発明の光触媒の別の態様は、水素
及び光不存在下にて行ったＥＳＲ測定において、並びに
水素存在下及び光照射下にて行ったＥＳＲ測定におい
て、液体窒素温度においては、ｇ値が約１．９７のシグ
ナルと約２．０３のシグナルを有し、室温においてはｇ
値が約２．０３のシグナルを有することを特徴とする。
特に、水素及び光不存在下にて行ったＥＳＲ測定におい
て得られるｇ値が約１．９７のシグナルの強度が、水素
存在下及び光照射下にて行ったＥＳＲ測定において得ら
れるｇ値が約１．９７のシグナルの強度より、弱いこと
がより高い可視光光触媒活性を有するという観点から好
ましい。水素及び光不存在下並びに水素存在下及び光照
射下に行うＥＳＲ測定の結果、このようなシグナルを有
することで、可視光活性及び紫外光活性を有する光触媒
が得られる。特に、４００ｎｍ以上の光をカットしたブ
ラックライト光照射下における光触媒活性を１００とし
た場合、４２０ｎｍ以下の光をカットしたハロゲンラン
プ光照射下における光触媒活性が少なくとも１０、好ま
しくは２０以上である高い可視光活性を有する光触媒が
得られる。
及び光不存在下にて行ったＥＳＲ測定において、並びに
水素存在下及び光照射下にて行ったＥＳＲ測定におい
て、液体窒素温度においては、ｇ値が約１．９７のシグ
ナルと約２．０３のシグナルを有し、室温においてはｇ
値が約２．０３のシグナルを有することを特徴とする。
特に、水素及び光不存在下にて行ったＥＳＲ測定におい
て得られるｇ値が約１．９７のシグナルの強度が、水素
存在下及び光照射下にて行ったＥＳＲ測定において得ら
れるｇ値が約１．９７のシグナルの強度より、弱いこと
がより高い可視光光触媒活性を有するという観点から好
ましい。水素及び光不存在下並びに水素存在下及び光照
射下に行うＥＳＲ測定の結果、このようなシグナルを有
することで、可視光活性及び紫外光活性を有する光触媒
が得られる。特に、４００ｎｍ以上の光をカットしたブ
ラックライト光照射下における光触媒活性を１００とし
た場合、４２０ｎｍ以下の光をカットしたハロゲンラン
プ光照射下における光触媒活性が少なくとも１０、好ま
しくは２０以上である高い可視光活性を有する光触媒が
得られる。
【００１３】さらに本発明の上記光触媒は、いずれも実
質的に炭化チタンの担持物を有さない。特開平9-87857
号公報に記載の酸化チタンは、炭化チタンのコーティン
グを有する光触媒であるが、本発明の光触媒はこれとは
異なる。さらに本発明の光触媒は、ＴＯＦ−ＳＩＭＳで
測定したＮａイオン量が全陽イオン量の１０％以上であ
ることが好ましい。より好ましくは、ＴＯＦ−ＳＩＭＳ
で測定したＮａイオン量が全陽イオン量の２０％以上で
ある。
質的に炭化チタンの担持物を有さない。特開平9-87857
号公報に記載の酸化チタンは、炭化チタンのコーティン
グを有する光触媒であるが、本発明の光触媒はこれとは
異なる。さらに本発明の光触媒は、ＴＯＦ−ＳＩＭＳで
測定したＮａイオン量が全陽イオン量の１０％以上であ
ることが好ましい。より好ましくは、ＴＯＦ−ＳＩＭＳ
で測定したＮａイオン量が全陽イオン量の２０％以上で
ある。
【００１４】このような本発明の光触媒は、例えば、以
下の方法により製造することができる。本発明の光触媒
は、炭素源となる物質、水素源となる物質に電磁波を照
射してCHラジカル及びHラジカルを発生させ、これらの
ラジカルに酸化チタンを暴露する方法であって、上記ラ
ジカルの発生を不活性ガスの存在下で行うことで製造す
ることができる。CHラジカル及びHラジカルの発生を不
活性ガスの存在下で行うことで、電磁波の出力によって
は、例えば、４００Ｗのマイクロ波では、CHラジカルの
385nmにおける発光ピークの強度がHラジカルの655nmに
おける発光ピークの強度より強い、プラズマを得ること
ができる。不活性ガスの存在量は、CHラジカルの385nm
における発光ピークの強度とHラジカルの655nmにおける
発光ピークの強度とを考慮して適宜決定できる。ラジカ
ルへの暴露工程は、CHラジカルの385nmにおける発光ピ
ークの強度がHラジカルの655nmにおける発光ピークの強
度より強い条件下で行うことが好ましいことから、例え
ば、CHラジカルの385nmにおける発光ピークの強度がHラ
ジカルの655nmにおける発光ピークの少なくとも2倍の強
度となるように設定することが好ましい。
下の方法により製造することができる。本発明の光触媒
は、炭素源となる物質、水素源となる物質に電磁波を照
射してCHラジカル及びHラジカルを発生させ、これらの
ラジカルに酸化チタンを暴露する方法であって、上記ラ
ジカルの発生を不活性ガスの存在下で行うことで製造す
ることができる。CHラジカル及びHラジカルの発生を不
活性ガスの存在下で行うことで、電磁波の出力によって
は、例えば、４００Ｗのマイクロ波では、CHラジカルの
385nmにおける発光ピークの強度がHラジカルの655nmに
おける発光ピークの強度より強い、プラズマを得ること
ができる。不活性ガスの存在量は、CHラジカルの385nm
における発光ピークの強度とHラジカルの655nmにおける
発光ピークの強度とを考慮して適宜決定できる。ラジカ
ルへの暴露工程は、CHラジカルの385nmにおける発光ピ
ークの強度がHラジカルの655nmにおける発光ピークの強
度より強い条件下で行うことが好ましいことから、例え
ば、CHラジカルの385nmにおける発光ピークの強度がHラ
ジカルの655nmにおける発光ピークの少なくとも2倍の強
度となるように設定することが好ましい。
【００１５】炭素源となる物質は、例えば、炭化水素化
合物、一酸化炭素及び二酸化炭素からなる群から選ばれ
る少なくとも１種の物質であることができる。水素源と
なる物質は例えば、水素であることができる。不活性ガ
スは、例えば、アルゴンであることができる。さらに、
炭素源となる物質である炭化水素化合物は、例えば、メ
タン、アセチレン及びメタノールからなる群から選ばれ
る少なくとも１種の化合物であることができる。また、
炭素源となる物質、水素源となる物質及び不活性ガス
は、いずれも２種以上の物質の混合物であってもよい。
不活性ガスがアルゴンである場合、アルゴンを全ガス量
の0.1〜20容量%の範囲から選択することで、電磁波の出
力によっては、CHラジカルの385nmにおける発光ピーク
の強度をHラジカルの655nmにおける発光ピークの強度よ
り大きくすることができる。
合物、一酸化炭素及び二酸化炭素からなる群から選ばれ
る少なくとも１種の物質であることができる。水素源と
なる物質は例えば、水素であることができる。不活性ガ
スは、例えば、アルゴンであることができる。さらに、
炭素源となる物質である炭化水素化合物は、例えば、メ
タン、アセチレン及びメタノールからなる群から選ばれ
る少なくとも１種の化合物であることができる。また、
炭素源となる物質、水素源となる物質及び不活性ガス
は、いずれも２種以上の物質の混合物であってもよい。
不活性ガスがアルゴンである場合、アルゴンを全ガス量
の0.1〜20容量%の範囲から選択することで、電磁波の出
力によっては、CHラジカルの385nmにおける発光ピーク
の強度をHラジカルの655nmにおける発光ピークの強度よ
り大きくすることができる。
【００１６】さらに、上記製造方法において、CHラジカ
ル及びHラジカルを発生させ、これらのラジカルに酸化
チタンを暴露する工程を、処理される酸化チタンの温度
が２００〜１０００℃の範囲となる条件で行うこと好ま
しい。前記ラジカルへの暴露工程は、より好ましくは、
酸化チタンの温度が４００〜９００℃の範囲となる条件
で行う。ラジカルに暴露される酸化チタンの温度によ
り、酸化チタン表面に形成される炭素系析出物の組成が
異なる。また、原料としてアナターゼ型酸化チタンを用
いた場合、７００℃を超える温度がかかると、アナター
ゼ型からルチル型に変移する。但し、この変移は、瞬時
に起こるのではなく時間とともに進行することから、７
００℃を超える温度での処理であっても処理時間によっ
ては、酸化チタンの少なくとも一部がアナターゼ型を維
持し得る。従って、酸化チタンの温度が２００〜１００
０℃の範囲、好ましくは４００〜９００℃の範囲とし、
さらには、原料としてアナターゼ型酸化チタンを用い、
酸化チタンの少なくとも一部がアナターゼ型を維持し得
る条件で、前記ラジカルへの暴露工程を行うことが好ま
しい。尚、原料となる酸化チタンは、湿式法（例えば、
硫酸法）で製造された酸化チタンや乾式法（例えば、塩
化物法）で製造された、いずれも市販の酸化チタンを用
いることができる。また、例えば、チタニウムアルコキ
シドを加水分解して生成する酸化チタンを原料として用
いることもできる。
ル及びHラジカルを発生させ、これらのラジカルに酸化
チタンを暴露する工程を、処理される酸化チタンの温度
が２００〜１０００℃の範囲となる条件で行うこと好ま
しい。前記ラジカルへの暴露工程は、より好ましくは、
酸化チタンの温度が４００〜９００℃の範囲となる条件
で行う。ラジカルに暴露される酸化チタンの温度によ
り、酸化チタン表面に形成される炭素系析出物の組成が
異なる。また、原料としてアナターゼ型酸化チタンを用
いた場合、７００℃を超える温度がかかると、アナター
ゼ型からルチル型に変移する。但し、この変移は、瞬時
に起こるのではなく時間とともに進行することから、７
００℃を超える温度での処理であっても処理時間によっ
ては、酸化チタンの少なくとも一部がアナターゼ型を維
持し得る。従って、酸化チタンの温度が２００〜１００
０℃の範囲、好ましくは４００〜９００℃の範囲とし、
さらには、原料としてアナターゼ型酸化チタンを用い、
酸化チタンの少なくとも一部がアナターゼ型を維持し得
る条件で、前記ラジカルへの暴露工程を行うことが好ま
しい。尚、原料となる酸化チタンは、湿式法（例えば、
硫酸法）で製造された酸化チタンや乾式法（例えば、塩
化物法）で製造された、いずれも市販の酸化チタンを用
いることができる。また、例えば、チタニウムアルコキ
シドを加水分解して生成する酸化チタンを原料として用
いることもできる。
【００１７】本発明は、上記本発明の触媒を担体に担持
した物品を包含する。さらに、上記本発明の光触媒また
は上記物品（光触媒ユニット）を含む装置であって、前
記装置が水清浄装置、空気清浄装置、殺菌装置、脱臭装
置、照明装置、光電池、及び水の分解装置からなる群か
ら選ばれる装置を包含する。
した物品を包含する。さらに、上記本発明の光触媒また
は上記物品（光触媒ユニット）を含む装置であって、前
記装置が水清浄装置、空気清浄装置、殺菌装置、脱臭装
置、照明装置、光電池、及び水の分解装置からなる群か
ら選ばれる装置を包含する。
【００１８】本発明の光触媒は、例えば、基体上に担持
したととして利用できる。基体は、例えば、板状物品、
繊維、粒子であることができ、透明、半透明または不透
明であることができる。上記基板は、光触媒の使用の形
態により、種々の材質や形状を選択することができ、例
えば、樹脂製、金属製、セラミックス製あるいはガラス
製等の基板上に光触媒層を形成したユニットは、例え
ば、窓ガラスや蛍光灯に付着させることで、太陽光や蛍
光灯の光を利用して光触媒として機能することができ
る。また、基板が壁材、屋根材や床材である場合、これ
らの部材に光触媒機能を付与することもできる。
したととして利用できる。基体は、例えば、板状物品、
繊維、粒子であることができ、透明、半透明または不透
明であることができる。上記基板は、光触媒の使用の形
態により、種々の材質や形状を選択することができ、例
えば、樹脂製、金属製、セラミックス製あるいはガラス
製等の基板上に光触媒層を形成したユニットは、例え
ば、窓ガラスや蛍光灯に付着させることで、太陽光や蛍
光灯の光を利用して光触媒として機能することができ
る。また、基板が壁材、屋根材や床材である場合、これ
らの部材に光触媒機能を付与することもできる。
【００１９】基板上への光触媒層の形成は、前記方法で
製造した光触媒を常法によりコーティングすることで行
うことができる。例えば、光触媒を必要により適当な溶
剤（例えばメタノール等）及び／又はバインダーととも
にコーティングし、次いで加熱乾燥あるいは加熱処理す
る（バインダーや溶剤使用時にはバインダーや溶剤を除
去する）ことで、本発明の光触媒ユニットを製造するこ
とができる。或いは、基板上にTiO2層を形成し、得られ
たTiO2層を有する基板表面を前記メタンと水素とアルゴ
ン等の混合ガスを用いるプラズマＣＶＤ法で処理してTi
O2層の少なくとも一部に炭素系析出物を担持させること
で、基板上への光触媒層の形成を行うこともできる。
製造した光触媒を常法によりコーティングすることで行
うことができる。例えば、光触媒を必要により適当な溶
剤（例えばメタノール等）及び／又はバインダーととも
にコーティングし、次いで加熱乾燥あるいは加熱処理す
る（バインダーや溶剤使用時にはバインダーや溶剤を除
去する）ことで、本発明の光触媒ユニットを製造するこ
とができる。或いは、基板上にTiO2層を形成し、得られ
たTiO2層を有する基板表面を前記メタンと水素とアルゴ
ン等の混合ガスを用いるプラズマＣＶＤ法で処理してTi
O2層の少なくとも一部に炭素系析出物を担持させること
で、基板上への光触媒層の形成を行うこともできる。
【００２０】上記本発明の光触媒または光触媒ユニット
に少なくとも可視光線を含む光を照射し、この光触媒ま
たは光触媒ユニットに被分解物を接触させることで、被
分解物を分解することができる。照射する光は、可視光
線を含むものであり、例えば、可視光線以外に紫外線を
含んでいても支障はない。但し、本発明の光触媒は、可
視光線のみでも、光触媒作用を発揮する。さらに、光照
射に加えて、本発明の触媒又は本発明の光触媒ユニット
の触媒層を加熱することで、触媒機能を向上させること
もできる。加熱温度は、例えば、３０〜８０℃程度の範
囲とすることができる。
に少なくとも可視光線を含む光を照射し、この光触媒ま
たは光触媒ユニットに被分解物を接触させることで、被
分解物を分解することができる。照射する光は、可視光
線を含むものであり、例えば、可視光線以外に紫外線を
含んでいても支障はない。但し、本発明の光触媒は、可
視光線のみでも、光触媒作用を発揮する。さらに、光照
射に加えて、本発明の触媒又は本発明の光触媒ユニット
の触媒層を加熱することで、触媒機能を向上させること
もできる。加熱温度は、例えば、３０〜８０℃程度の範
囲とすることができる。
【００２１】本発明の光触媒は、無機物、有機物、細
菌、微生物等のあらゆるものを可視光線を含む光を利用
して光分解することができる。
菌、微生物等のあらゆるものを可視光線を含む光を利用
して光分解することができる。
【００２２】特に、本発明の光触媒及び光触媒ユニット
は、特に、アセトアルデヒド、ホルムアルデヒド、たば
このヤニ、悪臭等の有機化合物の酸化・分解用として最
適である。
は、特に、アセトアルデヒド、ホルムアルデヒド、たば
このヤニ、悪臭等の有機化合物の酸化・分解用として最
適である。
【００２３】本発明は、本発明の触媒又は本発明の光触
媒を用いた光触媒ユニットの触媒層に可視光線を含む光
を照射しつつ被分解物を接触させることを含む被分解物
の分解方法を包含する。照射する光は、可視光線を含む
ものであり、例えば、可視光線以外に紫外線を含んでい
ても支障はない。但し、本発明の光触媒は、可視光線の
みでも、光触媒作用を発揮する。さらに、光照射に加え
て、本発明の触媒又は本発明の光触媒ユニットの触媒層
を加熱することで、被分解物の光分解触媒機能を向上さ
せることもできる。加熱温度は、例えば、３０〜８０℃
程度の範囲とすることができる。
媒を用いた光触媒ユニットの触媒層に可視光線を含む光
を照射しつつ被分解物を接触させることを含む被分解物
の分解方法を包含する。照射する光は、可視光線を含む
ものであり、例えば、可視光線以外に紫外線を含んでい
ても支障はない。但し、本発明の光触媒は、可視光線の
みでも、光触媒作用を発揮する。さらに、光照射に加え
て、本発明の触媒又は本発明の光触媒ユニットの触媒層
を加熱することで、被分解物の光分解触媒機能を向上さ
せることもできる。加熱温度は、例えば、３０〜８０℃
程度の範囲とすることができる。
【００２４】本発明の空気の浄化方法は、少なくとも可
視光線を含む光を照射した本発明の光触媒または光触媒
ユニット（物品）に被分解物を含む空気を接触させるこ
とを特徴とする。空気が悪臭の原因物質を含む空気であ
る場合、触媒との接触により空気中に含まれる悪臭の原
因物質を分解し、悪臭を低減または除去することができ
る。また、空気が細菌を含む空気である場合、触媒との
接触により空気中に含まれる細菌の少なくとも一部を死
滅させることができる。空気が悪臭及び細菌を含む場合
には、上記作用が並行して得られることは勿論である。
視光線を含む光を照射した本発明の光触媒または光触媒
ユニット（物品）に被分解物を含む空気を接触させるこ
とを特徴とする。空気が悪臭の原因物質を含む空気であ
る場合、触媒との接触により空気中に含まれる悪臭の原
因物質を分解し、悪臭を低減または除去することができ
る。また、空気が細菌を含む空気である場合、触媒との
接触により空気中に含まれる細菌の少なくとも一部を死
滅させることができる。空気が悪臭及び細菌を含む場合
には、上記作用が並行して得られることは勿論である。
【００２５】本発明の水の浄化方法は、少なくとも可視
光線を含む光を照射した本発明の光触媒または光触媒ユ
ニット（物品）に被分解物を含む水を接触させることを
特徴とする。水が有機物を含有する場合、触媒との接触
により、水中の有機物を分解することができる。水が細
菌を含有する場合、触媒との接触により、水中の細菌を
死滅させることができる。水が有機物及び細菌を含む場
合には、上記作用が並行して得られることは勿論であ
る。
光線を含む光を照射した本発明の光触媒または光触媒ユ
ニット（物品）に被分解物を含む水を接触させることを
特徴とする。水が有機物を含有する場合、触媒との接触
により、水中の有機物を分解することができる。水が細
菌を含有する場合、触媒との接触により、水中の細菌を
死滅させることができる。水が有機物及び細菌を含む場
合には、上記作用が並行して得られることは勿論であ
る。
【００２６】
【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説
明する。 実施例１ アナターゼ型チタニア粉末（６０メッシュ以下）１０ｇ
を２００ｍｌの石英製反応管に収容した。この石英製反
応管をプラズマ発生装置に接続し、系内を真空ポンプで
排気した後、４００Ｗの電磁波（２．４５ＧＨｚ）を反
応管内のチタニア粉末に照射し、テスラーコイルによっ
てプラズマを発生させた。そして、ＣＨ 4 ４．５％−
Ａｒ９％−Ｈ2（残部）混合ガス（流量を３０ｍｌ／
分）を系内の圧力が約１トールとなるように導入した。
反応管内のチタニア粉末を攪拌しながら３０分間処理し
た。石英反応管に発生したプラズマの発光スペクトルを
オーシャンオプティクス社製（Ｓ−２０００） マルチ
チャンネル分光システムを用いて測定した。結果を図１
に示す。比較のために、ＣＨ4４．５％−Ａｒ９％−Ｈ2
（残部）混合ガスをＣＨ4５％−Ｈ2（残部）混合ガス
（流量と圧力は同一）に変えて、同様に酸化チタンを処
理した。そのときのプラズマの発光スペクトルを図２に
示す。図中、385nmに発光ピークを有するCHラジカル及
び655nmに発光ピークを有するH（Ｈα）ラジカルが確認
された。図１中、CHラジカルの385nmにおける発光ピー
クの強度は２４８０カウントであったのに対して、Hラ
ジカルの655nmにおける発光ピークの強度は９５０カウ
ントであった。また、図２中、CHラジカルの385nmにお
ける発光ピークの強度は１０５０カウントであったのに
対して、Hラジカルの655nmにおける発光ピークの強度は
１８３０カウントであった。
明する。 実施例１ アナターゼ型チタニア粉末（６０メッシュ以下）１０ｇ
を２００ｍｌの石英製反応管に収容した。この石英製反
応管をプラズマ発生装置に接続し、系内を真空ポンプで
排気した後、４００Ｗの電磁波（２．４５ＧＨｚ）を反
応管内のチタニア粉末に照射し、テスラーコイルによっ
てプラズマを発生させた。そして、ＣＨ 4 ４．５％−
Ａｒ９％−Ｈ2（残部）混合ガス（流量を３０ｍｌ／
分）を系内の圧力が約１トールとなるように導入した。
反応管内のチタニア粉末を攪拌しながら３０分間処理し
た。石英反応管に発生したプラズマの発光スペクトルを
オーシャンオプティクス社製（Ｓ−２０００） マルチ
チャンネル分光システムを用いて測定した。結果を図１
に示す。比較のために、ＣＨ4４．５％−Ａｒ９％−Ｈ2
（残部）混合ガスをＣＨ4５％−Ｈ2（残部）混合ガス
（流量と圧力は同一）に変えて、同様に酸化チタンを処
理した。そのときのプラズマの発光スペクトルを図２に
示す。図中、385nmに発光ピークを有するCHラジカル及
び655nmに発光ピークを有するH（Ｈα）ラジカルが確認
された。図１中、CHラジカルの385nmにおける発光ピー
クの強度は２４８０カウントであったのに対して、Hラ
ジカルの655nmにおける発光ピークの強度は９５０カウ
ントであった。また、図２中、CHラジカルの385nmにお
ける発光ピークの強度は１０５０カウントであったのに
対して、Hラジカルの655nmにおける発光ピークの強度は
１８３０カウントであった。
【００２７】得られた試料のＥＳＲスペクトル（ＥＳＲ
装置：ＥＳＲＲＩＴ−３３０ Ｖｏｌ．５０３）を図３
〜７に示す。 図３は、測定系内を５２３Ｋで排気後、７７Ｋで測定し
た結果である。（レシーバーゲイン：５ｘ１００） 図４は、測定系内を５２３Ｋで排気後、室温で測定した
結果である。（レシーバーゲイン：５ｘ１００） 図５は、測定系内を５２３Ｋで排気後、水素存在下、光
照射（高圧水銀灯）下７７Ｋで測定した結果である。
（レシーバーゲイン：５ｘ１０） 図６は、測定系内を５２３Ｋで排気後、水素存在下、光
照射（高圧水銀灯）下７７Ｋで測定した後、室温に戻し
た結果である。（レシーバーゲイン：５ｘ１０） 図７は、図６の試料をさらに７７Ｋとして測定した結果
である。（レシーバーゲイン：５ｘ１０）
装置：ＥＳＲＲＩＴ−３３０ Ｖｏｌ．５０３）を図３
〜７に示す。 図３は、測定系内を５２３Ｋで排気後、７７Ｋで測定し
た結果である。（レシーバーゲイン：５ｘ１００） 図４は、測定系内を５２３Ｋで排気後、室温で測定した
結果である。（レシーバーゲイン：５ｘ１００） 図５は、測定系内を５２３Ｋで排気後、水素存在下、光
照射（高圧水銀灯）下７７Ｋで測定した結果である。
（レシーバーゲイン：５ｘ１０） 図６は、測定系内を５２３Ｋで排気後、水素存在下、光
照射（高圧水銀灯）下７７Ｋで測定した後、室温に戻し
た結果である。（レシーバーゲイン：５ｘ１０） 図７は、図６の試料をさらに７７Ｋとして測定した結果
である。（レシーバーゲイン：５ｘ１０）
【００２８】本発明の光触媒は、水素及び光の不存在下
にて行ったＥＳＲ（電子スピン共鳴）測定において、液
体窒素温度（７７Ｋ）においては、図３に示すようにｇ
値が約１．９７のシグナルと約２．０３のシグナルを有
し、室温においては、図４に示すようにｇ値が約２．０
３のシグナルを有する。ｇ値が約１．９７のシグナル
は、物質中の伝導電子に帰属されるシグナルであるり、
また、ｇ値が約２．０３のシグナルは、触媒表面に存在
する炭素系析出物またはナトリウムの電子に帰属される
シグナルであると考えられる。さらに本発明の光触媒
は、水素存在下及び光照射下にて行ったＥＳＲ測定にお
いて、液体窒素温度（７７Ｋ）においては、図５に示す
ように、ｇ値が約１．９７のシグナルと約２．０３のシ
グナルを有し、室温においては、図６に示すように、ｇ
値が約２．０３のシグナルを有することを特徴とする。
ｇ値が約１．９７のシグナルは、物質中の伝導電子に帰
属されるシグナルであり、また、ｇ値が約２．０３のシ
グナルは、触媒表面に存在する炭素系析出物またはナト
リウムの電子に帰属されるシグナルであると考えられ
る。さらに、図７に示す結果から、本発明の光触媒に観
測されるｇ値が約１．９７のシグナル及びｇ値が約２．
０３のシグナルは、いずれも、安定に存在するものであ
ることが分かる。
にて行ったＥＳＲ（電子スピン共鳴）測定において、液
体窒素温度（７７Ｋ）においては、図３に示すようにｇ
値が約１．９７のシグナルと約２．０３のシグナルを有
し、室温においては、図４に示すようにｇ値が約２．０
３のシグナルを有する。ｇ値が約１．９７のシグナル
は、物質中の伝導電子に帰属されるシグナルであるり、
また、ｇ値が約２．０３のシグナルは、触媒表面に存在
する炭素系析出物またはナトリウムの電子に帰属される
シグナルであると考えられる。さらに本発明の光触媒
は、水素存在下及び光照射下にて行ったＥＳＲ測定にお
いて、液体窒素温度（７７Ｋ）においては、図５に示す
ように、ｇ値が約１．９７のシグナルと約２．０３のシ
グナルを有し、室温においては、図６に示すように、ｇ
値が約２．０３のシグナルを有することを特徴とする。
ｇ値が約１．９７のシグナルは、物質中の伝導電子に帰
属されるシグナルであり、また、ｇ値が約２．０３のシ
グナルは、触媒表面に存在する炭素系析出物またはナト
リウムの電子に帰属されるシグナルであると考えられ
る。さらに、図７に示す結果から、本発明の光触媒に観
測されるｇ値が約１．９７のシグナル及びｇ値が約２．
０３のシグナルは、いずれも、安定に存在するものであ
ることが分かる。
【００２９】上記試料をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）
（アルバックファイＱｕａｎｔｕｍ２０００ (X 線光源
MgKα)）により表面分析した。炭素の状態分析結果を
図８に示す。さらに上記試料をＴＯＦ−ＳＩＭＳ（飛行
時間型二次イオン質量分析装置）アルバックファイ社製
ＴＲＩＦＴ ＩＩを使用して表面分析した。その結果、
ＴＯＦ−ＳＩＭＳにより分析される最表面のＮａイオン
量は、３７．２％であった。
（アルバックファイＱｕａｎｔｕｍ２０００ (X 線光源
MgKα)）により表面分析した。炭素の状態分析結果を
図８に示す。さらに上記試料をＴＯＦ−ＳＩＭＳ（飛行
時間型二次イオン質量分析装置）アルバックファイ社製
ＴＲＩＦＴ ＩＩを使用して表面分析した。その結果、
ＴＯＦ−ＳＩＭＳにより分析される最表面のＮａイオン
量は、３７．２％であった。
【００３０】アセトアルデヒドの可視光による分解試験 上記実施例１で作製した光触媒をメタノールに分散しガ
ラス板に塗布した。光触媒を塗布したガラス板をガラス
製ベルジャー型反応装置（１．９リットル）内に設置し
た。反応装置はファンを有し、系内を拡散可能とした。
光源にはハロゲンランプ（東芝ライテックＪＤＲ１１０
Ｖ ７５ＷＮ／Ｓ−ＥＫ）を用い、かつ４２０ｎｍ以下
の紫外線をカットするガラスフィルターを用いた。
ラス板に塗布した。光触媒を塗布したガラス板をガラス
製ベルジャー型反応装置（１．９リットル）内に設置し
た。反応装置はファンを有し、系内を拡散可能とした。
光源にはハロゲンランプ（東芝ライテックＪＤＲ１１０
Ｖ ７５ＷＮ／Ｓ−ＥＫ）を用い、かつ４２０ｎｍ以下
の紫外線をカットするガラスフィルターを用いた。
【００３１】系内を十分に排気した後、アセトアルデヒ
ドを反応器内に注入して、所定濃度（1000ppm ）の反応
ガスとした。アセトアルデヒドが吸着平衡に達した後、
光照射を開始した。反応ガスは、メタナイザーに通して
からガスクロマトグラフィー（ＦＩＤ）で分析した。光
照射６０分後のアセトアルデヒド濃度は、５４０ｐｐｍ
であった。上記アセトアルデヒド分解実験を光源として
ブラックライト（岩崎電気社製Ｈ１００ＢＬ）を用い、
かつ４００ｎｍ以上の光はカットして行った。その結
果、光照射６０分後のアセトアルデヒド濃度は、８０ｐ
ｐｍであった。上記結果から、本発明の光触媒は、紫外
線のみならず、可視光によってもアセトアルデヒドに対
する高い光分解特性を有することが分かる。
ドを反応器内に注入して、所定濃度（1000ppm ）の反応
ガスとした。アセトアルデヒドが吸着平衡に達した後、
光照射を開始した。反応ガスは、メタナイザーに通して
からガスクロマトグラフィー（ＦＩＤ）で分析した。光
照射６０分後のアセトアルデヒド濃度は、５４０ｐｐｍ
であった。上記アセトアルデヒド分解実験を光源として
ブラックライト（岩崎電気社製Ｈ１００ＢＬ）を用い、
かつ４００ｎｍ以上の光はカットして行った。その結
果、光照射６０分後のアセトアルデヒド濃度は、８０ｐ
ｐｍであった。上記結果から、本発明の光触媒は、紫外
線のみならず、可視光によってもアセトアルデヒドに対
する高い光分解特性を有することが分かる。
【図１】 ＣＨ4４．５％−Ａｒ９％−Ｈ2（残部）混合
ガスを用いた場合のプラズマの発光スペクトル。
ガスを用いた場合のプラズマの発光スペクトル。
【図２】 ＣＨ4５％−Ｈ2（残部）混合ガスを用いた場
合のプラズマの発光スペクトル。
合のプラズマの発光スペクトル。
【図３】 測定系内を５２３Ｋで排気後、７７Ｋで測定
したときのＥＳＲシグナル。
したときのＥＳＲシグナル。
【図４】 測定系内を５２３Ｋで排気後、室温で測定し
たときのＥＳＲシグナル。
たときのＥＳＲシグナル。
【図５】 測定系内を５２３Ｋで排気後、水素存在下、
光照射（高圧水銀灯）下７７Ｋで測定したときのＥＳＲ
シグナル。
光照射（高圧水銀灯）下７７Ｋで測定したときのＥＳＲ
シグナル。
【図６】 測定系内を５２３Ｋで排気後、水素存在下、
光照射（高圧水銀灯）下７７Ｋで測定した後、室温に戻
したときのＥＳＲシグナル。
光照射（高圧水銀灯）下７７Ｋで測定した後、室温に戻
したときのＥＳＲシグナル。
【図７】 図６の試料をさらに７７Ｋとして測定したと
きのＥＳＲシグナル。
きのＥＳＲシグナル。
【図８】 実施例１の試料をＸ線光電子分光法（ＸＰ
Ｓ）で表面分析したときの炭素の状態分析結果。
Ｓ）で表面分析したときの炭素の状態分析結果。
Claims (19)
- 【請求項1】 酸化チタン表面の少なくとも一部にグラ
ファイト、アモルファスカーボン、ダイヤモンドライク
カーボン、ダイヤモンド及び炭化水素からなる群から選
ばれる少なくとも1種の炭素系析出物を有する光触媒で
あって、水素及び光不存在下にて行ったＥＳＲ測定にお
いて、液体窒素温度においては、ｇ値が約１．９７のシ
グナルと約２．０３のシグナルを有し、室温においては
ｇ値が約２．０３のシグナルを有することを特徴とする
触媒。 - 【請求項2】 酸化チタン表面の少なくとも一部にグラ
ファイト、アモルファスカーボン、ダイヤモンドライク
カーボン、ダイヤモンド及び炭化水素からなる群から選
ばれる少なくとも1種の炭素系析出物を有する光触媒で
あって、水素存在下及び光照射下にて行ったＥＳＲ測定
において、液体窒素温度においては、ｇ値が約１．９７
のシグナルと約２．０３のシグナルを有し、室温におい
ては、ｇ値が約２．０３のシグナルを有することを特徴
とする触媒。 - 【請求項３】 酸化チタン表面の少なくとも一部にグラ
ファイト、アモルファスカーボン、ダイヤモンドライク
カーボン、ダイヤモンド及び炭化水素からなる群から選
ばれる少なくとも1種の炭素系析出物を有する光触媒で
あって、水素及び光不存在下にて行ったＥＳＲ測定にお
いて、並びに水素存在下及び光照射下にて行ったＥＳＲ
測定において、液体窒素温度においては、ｇ値が約１．
９７のシグナルと約２．０３のシグナルを有し、室温に
おいてはｇ値が約２．０３のシグナルを有することを特
徴とする触媒。 - 【請求項４】 水素及び光不存在下にて行ったＥＳＲ測
定において得られるｇ値が約１．９７のシグナルの強度
が、水素存在下及び光照射下にて行ったＥＳＲ測定にお
いて得られるｇ値が約１．９７のシグナルの強度より、
弱い請求項３に記載の触媒。 - 【請求項５】 光照射を高圧水銀灯にて行う請求項２〜
４のいずれか１項に記載の触媒。 - 【請求項６】 実質的に炭化チタンの担持物を有さない
請求項１〜５のいずれか１項に記載の触媒。 - 【請求項７】 可視光活性及び紫外光活性を有する請求
項１〜６のいずれか１項に記載の光触媒。 - 【請求項８】 ４００ｎｍ以上の光をカットしたブラッ
クライト光照射下における光触媒活性を１００とした場
合、４２０ｎｍ以下の光をカットしたハロゲンランプ光
照射下における光触媒活性が少なくとも１０である請求
項１〜６のいずれか１項に記載の光触媒。 - 【請求項９】 ＴＯＦ−ＳＩＭＳで測定したＮａイオン
量が全陽イオン量の１０％以上である請求項１〜８のい
ずれか１項に記載の光触媒。 - 【請求項１０】 少なくとも可視光線を含む光を照射し
た請求項１〜９のいずれか１項に記載の触媒に被分解物
を接触させることを特徴とする物質の分解方法。 - 【請求項１１】 被分解物が、無機物、有機物、細菌ま
たは微生物である請求項１０に記載の方法。 - 【請求項１２】 少なくとも可視光線を含む光を照射し
た請求項１〜９のいずれか１項に記載の触媒に被分解物
を含む空気を接触させることを特徴とする空気の浄化方
法。 - 【請求項１３】 空気が悪臭を含む空気であり、触媒と
の接触により悪臭を低減または除去する請求項１２に記
載の空気の浄化方法。 - 【請求項１４】 空気が細菌を含む空気であり、触媒と
の接触により細菌の少なくとも一部を死滅させる請求項
１２に記載の空気の浄化方法。 - 【請求項１５】 少なくとも可視光線を含む光を照射し
た請求項１〜９のいずれか１項に記載の触媒に被分解物
を含む水を接触させることを特徴とする水の浄化方法。 - 【請求項１６】 水が有機物を含有し、触媒との接触に
より、水中の有機物を分解する請求項１５に記載の水の
浄化方法。 - 【請求項１７】 水が細菌を含有し、触媒との接触によ
り、水中の細菌の少なくとも一部を死滅させる請求項１
５に記載の水の浄化方法。 - 【請求項１８】 請求項１〜９のいずれか１項に記載の
触媒を担体に担持したことを特徴とする物品。 - 【請求項１９】 請求項１〜９のいずれか１項に記載の
触媒または請求項１８に記載の物品を含む装置であっ
て、前記装置が水清浄装置、空気清浄装置、殺菌装置、
脱臭装置、照明装置、光電池、及び水の分解装置からな
る群から選ばれることを特徴とする装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10141981A JPH11333304A (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | 光触媒及びその利用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10141981A JPH11333304A (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | 光触媒及びその利用 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11333304A true JPH11333304A (ja) | 1999-12-07 |
Family
ID=15304629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10141981A Pending JPH11333304A (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | 光触媒及びその利用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11333304A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2001056928A1 (en) * | 2000-01-31 | 2001-08-09 | Ecodevice Laboratory Co., Ltd. | Material responsive to visible light and process for producing the same |
| WO2002040609A1 (fr) * | 2000-11-17 | 2002-05-23 | Ecodevice Laboratory Co., Ltd. | Revêtement réagissant à la lumière visible, film de revêtement et article |
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| US6680277B2 (en) * | 2000-07-17 | 2004-01-20 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Photocatalytic susbstance |
| US6830741B1 (en) | 1999-10-29 | 2004-12-14 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Titanium-oxide and photocatalyst and photocatalyst coating composition |
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-
1998
- 1998-05-22 JP JP10141981A patent/JPH11333304A/ja active Pending
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