JPH11333300A - 光触媒の製造方法 - Google Patents

光触媒の製造方法

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JPH11333300A
JPH11333300A JP10141982A JP14198298A JPH11333300A JP H11333300 A JPH11333300 A JP H11333300A JP 10141982 A JP10141982 A JP 10141982A JP 14198298 A JP14198298 A JP 14198298A JP H11333300 A JPH11333300 A JP H11333300A
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JP
Japan
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carbon
radical
titanium oxide
emission peak
photocatalyst
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JP10141982A
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English (en)
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Shinichi Sugihara
愼一 杉原
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KANKYO DEVICE KENKYUSHO KK
Original Assignee
KANKYO DEVICE KENKYUSHO KK
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Abstract

(57)【要約】 【課題】可視光活性のより高い酸化チタンをベースとす
る新たな光触媒の製造方法の提供。 【解決手段】 炭素源となる物質、水素源となる物質に
電磁波を照射してCHラジカル及びHラジカルを発生さ
せ、これらのラジカルに酸化チタンを暴露する方法であ
って、上記ラジカルの発生を不活性ガスの存在下で行う
酸化チタン表面の少なくとも一部にグラファイト、アモ
ルファスカーボン、ダイヤモンドライクカーボン、ダイ
ヤモンド及び炭化水素からなる群から選ばれる少なくと
も1種の炭素系析出物を有する光触媒の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、可視光活性の高い
光触媒の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】光触媒
を用いて脱臭や殺菌を行うことは種々検討され、実用化
されているものもある。例えば、ＷＯ９４／１１０９２
号には室内照明下における光触媒による空気処理方法が
開示されている。また特開平７−１０２６７８号には、
光触媒を用いた院内感染の防止方法が開示れている。い
ずれの場合も、酸化チタン等の酸化物半導体を光触媒と
して用いるものであり、励起光として４００ｎｍ以下の
紫外線が必要である。
【０００３】ところが、励起光源となる太陽光や人工光
には、紫外線以外に可視光線も含まれている。しかし、
上記酸化チタン等の酸化物半導体からなる光触媒では、
可視光線は利用されておらず、エネルギー変換効率とい
う観点からは、非常に非効率的であった。酸化チタンに
金属イオンをイオン注入法により注入することにより可
視光領域でも光触媒活性が得られることは知られている
が、方法が大がかりであり、実用化にはほど遠い。
【０００４】ところで、酸化チタンにプラズマCVD法に
よりTiCコーティングをすることで、紫外線による触媒
活性を向上させることができることが報告されている
(特開平9-87857号公報)。しかし、TiCコーティングによ
って可視光線による光触媒活性が得られるとは記載され
ていない。
【０００５】ところが、酸化チタンをメタン及び水素を
原料としてプラズマCVD法により処理すると、製造条件
によっては、可視光線による光触媒活性が得られる。し
かるに、プラズマCVD法で酸化チタンを処理することで
可視光線による光触媒活性が得られる理由は必ずしも明
らかではなかった。また、上記プラズマCVD法により形
成した特定のTiCコーティングを有する酸化チタンは可
視光線による光触媒活性を有するが、実用上必ずしも十
分満足できるレベルの活性ではなかった。
【０００６】そこで本発明の目的は、可視光活性のより
高い酸化チタンをベースとする新たな光触媒の製造方法
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、385nmに発光
ピークを有するCHラジカル及び655nmに発光ピークを有
するHラジカルを含む雰囲気に酸化チタンを暴露する工
程を含む、酸化チタン表面の少なくとも一部にグラファ
イト、アモルファスカーボン、ダイヤモンドライクカー
ボン、ダイヤモンド及び炭化水素からなる群から選ばれ
る少なくとも1種の炭素系析出物を有する光触媒を製造
する方法であって、前記工程をCHラジカルの385nmにお
ける発光ピークの強度がHラジカルの655nmにおける発光
ピークの強度より強い条件下で行う方法（以下第１の製
造方法という）に関する。
【０００８】さらに本発明は、炭素源となる物質、水素
源となる物質に電磁波を照射してCHラジカル及びHラジ
カルを発生させ、これらのラジカルに酸化チタンを暴露
する方法であって、上記ラジカルの発生を不活性ガスの
存在下で行うことを特徴とする酸化チタン表面の少なく
とも一部にグラファイト、アモルファスカーボン、ダイ
ヤモンドライクカーボン、ダイヤモンド及び炭化水素か
らなる群から選ばれる少なくとも1種の炭素系析出物を
有する光触媒の製造方法（以下、第２の製造方法とい
う）に関する。
【０００９】また、本発明は、385nmに発光ピークを有
するCHラジカル及び655nmに発光ピークを有するHラジカ
ルを含む雰囲気に酸化チタンを暴露する工程を含む、酸
化チタン表面の少なくとも一部にグラファイト、アモル
ファスカーボン、ダイヤモンドライクカーボン、ダイヤ
モンド及び炭化水素からなる群から選ばれる少なくとも
1種の炭素系析出物を有する光触媒を製造する方法であ
って、前記ラジカルへの暴露工程を、酸化チタンの温度
が２00〜1000℃の範囲となる条件で行う方法（以下第３
の製造方法という）に関する。この方法において、原料
としてアナターゼ型酸化チタンを用い、前記ラジカルへ
の暴露工程を、酸化チタンの少なくとも一部がアナター
ゼ型を維持し得る条件で行うことが好ましい。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明をさらに説明する。
本発明の製造方法は、いずれも、酸化チタン表面の少な
くとも一部にグラファイト、アモルファスカーボン、ダ
イヤモンドライクカーボン、ダイヤモンド及び炭化水素
からなる群から選ばれる少なくとも1種の炭素系析出物
を有する光触媒を製造する方法である。酸化チタン表面
の少なくとも一部にグラファイト、アモルファスカーボ
ン、ダイヤモンドライクカーボン、ダイヤモンド及び炭
化水素からなる群から選ばれる少なくとも1種の炭素系
析出物を有する光触媒において、酸化チタンは、光活性
という観点からは、アナターゼ型であることが好ましい
が、一部がルチル型であってもよい。また、炭素系析出
物は、酸化チタン表面の一部に存在することが好まし
い。炭素系析出物が酸化チタン表面を覆ってしまうと、
光触媒が得にくくなる。また、炭素系析出物は、グラフ
ァイト、アモルファスカーボン、ダイヤモンドライクカ
ーボン、ダイヤモンド及び炭化水素の少なくとも1種で
あり、通常、少なくともダイヤモンドライクカーボン及
び炭化水素(CH)を含む。さらに本発明の製造方法により
得られる光触媒は、ＴＯＦ−ＳＩＭＳで測定したＮａイ
オン量が全陽イオン量の１０％以上であることが好まし
い。より好ましくは、ＴＯＦ−ＳＩＭＳで測定したＮａ
イオン量が全陽イオン量の２０％以上である。
【００１１】本発明の第１の製造方法は、385nmに発光
ピークを有するCHラジカル及び655nmに発光ピークを有
するHラジカルを含む雰囲気に酸化チタンを暴露する工
程を含み、かつCHラジカルの385nmにおける発光ピーク
の強度がHラジカルの655nmにおける発光ピークの強度よ
り強い条件下で、上記酸化チタンの暴露を行う。この酸
化チタン暴露工程は、CHラジカルの385nmにおける発光
ピークの強度がHラジカルの655nmにおける発光ピークの
少なくとも2倍の強度となる条件下で行うことが好まし
い。
【００１２】本発明の第２の製造方法は、炭素源となる
物質、水素源となる物質に電磁波を照射してCHラジカル
及びHラジカルを発生させ、これらのラジカルに酸化チ
タンを暴露する方法であって、上記ラジカルの発生を不
活性ガスの存在下で行うことを特徴とする。CHラジカル
及びHラジカルの発生を不活性ガスの存在下で行うこと
で、電磁波の強度が同一である場合、CHラジカルの385n
mにおける発光ピークの強度がより強くなる。例えば、
４００Ｗのマイクロ波プラズマの場合、CHラジカルの38
5nmにおける発光ピークの強度がHラジカルの655nmにお
ける発光ピークの強度より強い、プラズマを得ることが
できる。また、例えば、２００Ｗのマイクロ波プラズマ
の場合、不活性ガスの不存在下では、CHラジカルが安定
して得られず、所望の物性の光触媒が得られにくいが、
不活性ガスを存在させることで、385nmに発光ピークを
有するCHラジカル含むプラズマを安定的に得ることがで
きる。
【００１３】不活性ガスの存在量は、CHラジカルの安定
性や、CHラジカルの385nmにおける発光ピークの強度とH
ラジカルの655nmにおける発光ピークの強度とを考慮し
て適宜決定できる。特に、４００Ｗのマイクロ波プラズ
マの場合、CHラジカルの385nmにおける発光ピークの強
度がHラジカルの655nmにおける発光ピークの少なくとも
2倍の強度となるように設定することが好ましい。
【００１４】炭素源となる物質は、例えば、炭化水素化
合物、一酸化炭素及び二酸化炭素からなる群から選ばれ
る少なくとも１種の物質であることができる。水素源と
なる物質は例えば、水素であることができる。不活性ガ
スは、例えば、アルゴンであることができる。さらに、
炭素源となる物質である炭化水素化合物は、例えば、メ
タン、アセチレン及びメタノールからなる群から選ばれ
る少なくとも１種の化合物であることができる。また、
炭素源となる物質、水素源となる物質及び不活性ガス
は、いずれも２種以上の物質の混合物であってもよい。
不活性ガスがアルゴンである場合、アルゴンを全ガス量
の0.1〜20容量%の範囲から選択することで、CHラジカル
を安定的に得られるか、あるいはCHラジカルの385nmに
おける発光ピークの強度をHラジカルの655nmにおける発
光ピークの強度より大きくすることができる。
【００１５】本発明の第３の製造方法は、385nmに発光
ピークを有するCHラジカル及び655nmに発光ピークを有
するHラジカルを含む雰囲気に酸化チタンを暴露する工
程を含み、前記ラジカルへの暴露工程を、処理される酸
化チタンの温度が２00〜1000℃の範囲となる条件で行う
ことを特徴とする。前記ラジカルへの暴露工程は、好ま
しくは、酸化チタンの温度が４00〜900℃の範囲となる
条件で行う。ラジカルに暴露される酸化チタンの温度に
より、酸化チタン表面に形成される炭素系析出物の組成
が異なる。また、原料としてアナターゼ型酸化チタンを
用いた場合、７００℃を超える温度がかかると、アナタ
ーゼ型からルチル型に変異する。但し、この変異は、瞬
時に起こるのではなく時間とともに進行することから、
７００℃を超える温度での処理であっても処理時間によ
っては、酸化チタンの少なくとも一部がアナターゼ型を
維持し得る。従って、酸化チタンの温度が２00〜1000℃
の範囲、好ましくは４00〜900℃の範囲とし、さらに
は、原料としてアナターゼ型酸化チタンを用い、酸化チ
タンの少なくとも一部がアナターゼ型を維持し得る条件
で、前記ラジカルへの暴露工程を行うことが好ましい。
【００１６】電磁波の波長及び出力と酸化チタンの温度
には一定の関係があり、電磁波の波長が短い場合及び出
力が大きいは、酸化チタンの温度は高くなる傾向があ
り、逆に電磁波の波長が長い場合及び出力が小さい場合
は、酸化チタンの温度は低くなる傾向がある。従って、
この点を考慮して、電磁波の波長及び出力並びに処理時
間を適宜決定することが好ましい。また、必要により、
補助手段を用いて酸化チタンを加熱することもできる。
【００１７】さらに、本発明の第３の製造方法は、電磁
波の出力によっては、前記ラジカルへの暴露工程をCHラ
ジカルの385nmにおける発光ピークの強度がHラジカルの
655nmにおける発光ピークの強度より強い条件下で行う
ことが好ましい。
【００１８】本発明の製造方法におてい、CHラジカル及
びHラジカルを含むプラズマを発生させるためには、処
理系内は一定の真空度であることが好ましい。但し、真
空度は、プラズマ発生のために使用する電磁波の波長や
強度、炭素源となる物質、水素源となる物質及び不活性
ガスの供給速度とも関連する。プラズマ中のCHラジカル
及びHラジカル量や炭素系析出物の生成速度等を考慮し
て、処理系内の圧力は、例えば、０．５〜５トールの範
囲、好ましくは約１トールであることが適当である。但
し、処理系内の圧力は、CHラジカルの発生量等を考慮し
て適宜変化させることはできる。照射する電磁波の周波
数は、使用する炭化水素の種類等や担持される炭素系析
出の物性等を考慮して適宜決定でき、例えば、１ＭＨｚ
〜１０ＧＨｚの範囲とすることができる。電磁波の周波
数は１０ＭＨｚ〜４ＧＨｚの範囲とすることが適当であ
り、特に、電磁波としてマイクロ波や高周波を用いるこ
とが好ましい。
【００１９】原料として使用する酸化チタンは、湿式法
（例えば、硫酸法）で製造された酸化チタンや乾式法
（例えば、塩化物法）で製造された、いずれも市販の酸
化チタンを用いることができる。また、例えば、チタニ
ウムアルコキシドを加水分解して生成する酸化チタンを
原料として用いることもできる。また、TiO2粉体の粒子
径は、表面積が高く、高い光触媒活性が得られるという
観点からは、微粒子であることが好ましいが、ハンドリ
ングの容易さも考慮すると、例えば、０．１〜２００μ
ｍの範囲であることが適当である。また、TiO2は２価以
上のイオン、例えば、バナジウム、クロム、タングステ
ン、ニオブ、亜鉛、ジルコニア、鉄、タンタル、スズ等
をドープしたものであることが、より高い光活性を有す
るという観点から好ましい。
【００２０】本発明の上記第１〜３の製造方法におい
て、酸化チタンのプラズマ処理時間は、短過ぎても長過
ぎても、所望の光活性を有する光触媒が得られない。但
し、適切な処理時間は、処理条件により異なる。例え
ば、４００Ｗのマイクロ波プラズマを使用して、１トー
ルの圧力、ガス流量３０ｍｌ／分（メタン−アルゴン−
水素混合ガス系）で、１００ｍｌ〜２００ｍｌの反応容
器内で１０ｇの酸化チタン粉末試料を処理する場合、１
０分間の処理では不十分であり、５０分間では長過ぎ
る。後述の実施例で示す通り、いずれの場合も十分な可
視光活性が得られない。上記条件では、処理時間は２０
〜４０分間、好ましくは約３０分間である。但し、この
時間は、プラズマの出力や酸化チタンの処理量、さらに
は混合ガスの組成等によっても変化するので、最適時間
は、このようなファクターを考慮して適宜決定すること
ができる。
【００２１】上記のような条件下で生成した炭素系析出
物を表面に有する酸化チタンは、可視光活性及び紫外光
活性を有する。特に、優れた可視光活性を有する。例え
ば、本発明の製造方法により得られる炭素系析出物を有
する光触媒は、４００ｎｍ以上の光をカットしたブラッ
クライト光照射下における光触媒活性を１００とした場
合、４２０ｎｍ以下の光をカットしたハロゲンランプ光
照射下における光触媒活性が少なくとも１０、好ましく
は２０以上である高い可視光活性を有する。尚、ここで
光触媒活性とは、単位重量の光触媒によるアセトアルデ
ヒドの気相における分解速度である。
【００２２】また、上記本発明の製造方法により得られ
る炭素系析出物を有する光触媒は、実質的に炭化チタン
の担持物を有さない。特開平9-87857号公報に記載の酸
化チタンは、炭化チタンのコーティングを有する光触媒
であるが、本発明の光触媒はこれとは異なる。
【００２３】
【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説
明する。 実施例１ アナターゼ型チタニア粉末（６０メッシュ以下）１０ｇ
を２００ｍｌの石英製反応管に収容した。この石英製反
応管をプラズマ発生装置に接続し、系内を真空ポンプで
排気した後、４００Ｗの電磁波（２．４５ＧＨｚ）を反
応管内のチタニア粉末に照射し、テスラーコイルによっ
てプラズマを発生させた。そして、ＣＨ4４．５％−Ａ
ｒ９％−Ｈ2（残部）混合ガス（流量を３０ｍｌ／分）
を系内の圧力が約１トールとなるように導入した。反応
管内のチタニア粉末を攪拌しながら所定時間処理した。
石英反応管に発生したプラズマの発光スペクトルをオー
シャンオプティクス社製（Ｓ−２０００） マルチチャ
ンネル分光システムを用いて測定した。結果を図１に示
す。比較のために、ＣＨ4４．５％−Ａｒ９％−Ｈ2（残
部）混合ガスをＣＨ4５％−Ｈ2（残部）混合ガス（流量
と圧力は同一）に変えて、同様に酸化チタンを処理し
た。そのときのプラズマの発光スペクトルを図２に示
す。
【００２４】図中、385nmに発光ピークを有するCHラジ
カル及び655nmに発光ピークを有するH（Ｈα）ラジカル
が確認された。図１中、CHラジカルの385nmにおける発
光ピークの強度は２４８０カウントであったのに対し
て、Hラジカルの655nmにおける発光ピークの強度は９５
０カウントであった。また、図２中、CHラジカルの385n
mにおける発光ピークの強度は１０５０カウントであっ
たのに対して、Hラジカルの655nmにおける発光ピークの
強度は１８３０カウントであった。
【００２５】上記試料をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）
（アルバックファイＱｕａｎｔｕｍ２０００ (X 線光源
MgKα)）により表面分析した。炭素の状態分析結果を
図３に示す。さらに上記試料をＴＯＦ−ＳＩＭＳ（飛行
時間型二次イオン質量分析装置）アルバックファイ社製
ＴＲＩＦＴ ＩＩを使用して表面分析した。その結果、
ＴＯＦ−ＳＩＭＳにより分析される最表面のＮａイオン
量は、３７．２％であった。
【００２６】アセトアルデヒドの可視光による分解試験 上記実施例１で作製した光触媒をメタノールに分散しガ
ラス板に塗布した。光触媒を塗布したガラス板をガラス
製ベルジャー型反応装置（１．９リットル）内に設置し
た。反応装置はファンを有し、系内を拡散可能とした。
光源にはハロゲンランプ（東芝ライテックＪＤＲ１１０
Ｖ ７５ＷＮ／Ｓ−ＥＫ）を用い、かつ４２０ｎｍ以下
の紫外線をカットするガラスフィルターを用いた。
【００２７】系内を十分に排気した後、アセトアルデヒ
ドを反応器内に注入して、所定濃度（1000ppm ）の反応
ガスとした。アセトアルデヒドが吸着平衡に達した後、
光照射を開始した。反応ガスは、メタナイザーに通して
からガスクロマトグラフィー（ＦＩＤ）で分析した。光
照射６０分後のアセトアルデヒド濃度は、５４０ｐｐｍ
であった。上記アセトアルデヒド分解実験を光源として
ブラックライト（岩崎電気社製Ｈ１００ＢＬ）を用い、
かつ４００ｎｍ以上の光はカットして行った。その結
果、光照射６０分後のアセトアルデヒド濃度は、８０ｐ
ｐｍであった。
【００２８】実施例２ ２００Ｗの電磁波（２．４５ＧＨｚ）を用いた以外は実
施例１と同様にしてチタニア粉末を３０分間処理した。
石英反応管に発生したプラズマの発光スペクトルをオー
シャンオプティクス社製（Ｓ−２０００） マルチチャ
ンネル分光システムを用いて測定した。結果を図４に示
す。比較のために、ＣＨ4４．５％−Ａｒ９％−Ｈ2（残
部）混合ガスをＣＨ4５％−Ｈ2（残部）混合ガス（流量
と圧力は同一）に変えて、同様に酸化チタンを処理した
が、プラズマを安定して得ることはできなかった。
【００２９】図４、385nmに発光ピークを有するCHラジ
カル及び655nmに発光ピークを有するH（Ｈα）ラジカル
が確認され、処理中、安定したプラズマの発光が見られ
た。
【００３０】得られた試料は、実施例１と同様の活性試
験を行った。その結果、光源にハロゲンランプ（東芝ラ
イテックＪＤＲ１１０Ｖ ７５ＷＮ／Ｓ−ＥＫ）を用
い、かつ４２０ｎｍ以下の紫外線をカットするガラスフ
ィルターを用いた場合、光照射６０分後のアセトアルデ
ヒド濃度は、８４０ｐｐｍであった。また、光源として
ブラックライト（岩崎電気社製Ｈ１００ＢＬ）を用い、
かつ４００ｎｍ以上の光はカットして行った結果、光照
射６０分後のアセトアルデヒド濃度は、１００ｐｐｍで
あった。上記結果から、本発明の製造方法により得られ
た光触媒は、紫外線のみならず、可視光によってもアセ
トアルデヒドに対する高い光分解特性を有することが分
かる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 ＣＨ4４．５％−Ａｒ９％−Ｈ2（残部）混合
ガスを用いた場合のプラズマの発光スペクトル。
【図２】 ＣＨ4５％−Ｈ2（残部）混合ガスを用いた場
合のプラズマの発光スペクトル。
【図３】 実施例１の試料をＸ線光電子分光法（ＸＰ
Ｓ）で表面分析したときの炭素の状態分析結果。
【図４】 ＣＨ4４．５％−Ａｒ９％−Ｈ2（残部）混合
ガスを用いた場合のプラズマの発光スペクトル。

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 385nmに発光ピークを有するCHラジカル及
    び655nmに発光ピークを有するHラジカルを含む雰囲気に
    酸化チタンを暴露する工程を含む、酸化チタン表面の少
    なくとも一部にグラファイト、アモルファスカーボン、
    ダイヤモンドライクカーボン、ダイヤモンド及び炭化水
    素からなる群から選ばれる少なくとも1種の炭素系析出
    物を有する光触媒を製造する方法であって、前記工程を
    CHラジカルの385nmにおける発光ピークの強度がHラジカ
    ルの655nmにおける発光ピークの強度より強い条件下で
    行う方法。
  2. 【請求項2】 前記工程をCHラジカルの385nmにおける発
    光ピークの強度がHラジカルの655nmにおける発光ピーク
    の少なくとも2倍の強度となる条件下で行う請求項1に記
    載の方法。
  3. 【請求項3】 炭素源となる物質、水素源となる物質に
    電磁波を照射してCHラジカル及びHラジカルを発生さ
    せ、これらのラジカルに酸化チタンを暴露する方法であ
    って、上記ラジカルの発生を不活性ガスの存在下で行う
    ことを特徴とする酸化チタン表面の少なくとも一部にグ
    ラファイト、アモルファスカーボン、ダイヤモンドライ
    クカーボン、ダイヤモンド及び炭化水素からなる群から
    選ばれる少なくとも1種の炭素系析出物を有する光触媒
    の製造方法。
  4. 【請求項4】 炭素源となる物質が、炭化水素化合物、
    一酸化炭素及び二酸化炭素からなる群から選ばれる少な
    くとも１種の物質であり、水素源となる物質が水素であ
    り、不活性ガスがアルゴンである請求項3に記載の方
    法。
  5. 【請求項5】 炭素源となる物質である炭化水素化合物
    が、メタン、アセチレン及びメタノールからなる群から
    選ばれる少なくとも１種の化合物である請求項4に記載
    の方法。
  6. 【請求項6】 アルゴンを全ガス量の0.1〜20容量%の範
    囲から選択する請求項4に記載の方法。
  7. 【請求項7】 385nmに発光ピークを有するCHラジカル及
    び655nmに発光ピークを有するHラジカルを含む雰囲気に
    酸化チタンを暴露する工程を含む、酸化チタン表面の少
    なくとも一部にグラファイト、アモルファスカーボン、
    ダイヤモンドライクカーボン、ダイヤモンド及び炭化水
    素からなる群から選ばれる少なくとも1種の炭素系析出
    物を有する光触媒を製造する方法であって、前記ラジカ
    ルへの暴露工程を、酸化チタンの温度が２00〜1000℃の
    範囲となる条件で行う方法。
  8. 【請求項8】 原料としてアナターゼ型酸化チタンを用
    い、前記ラジカルへの暴露工程を、酸化チタンの少なく
    とも一部がアナターゼ型を維持し得る条件で行う請求項
    7に記載の方法。
  9. 【請求項9】 前記ラジカルへの暴露工程を、酸化チタ
    ンの温度が４00〜900℃の範囲となる条件で行う方法。
  10. 【請求項10】 前記ラジカルへの暴露工程をCHラジカル
    の385nmにおける発光ピークの強度がHラジカルの655nm
    における発光ピークの強度より強い条件下で行う請求項
    7〜9のいずれか１項に記載の方法。
  11. 【請求項1１】 炭素系析出物を有する光触媒が、可視
    光活性及び紫外光活性を有する請求項１〜１０のいずれ
    か１項に記載の方法。
  12. 【請求項1２】 炭素系析出物を有する光触媒が、４０
    ０ｎｍ以上の光をカットしたブラックライト光照射下に
    おける光触媒活性を１００とした場合、４２０ｎｍ以下
    の光をカットしたハロゲンランプ光照射下における光触
    媒活性が少なくとも１０である請求項１〜１０のいずれ
    か１項に記載の方法。
  13. 【請求項１３】 炭素系析出物を有する光触媒が、実質
    的に炭化チタンの担持物を有さない請求項１〜１２のい
    ずれか１項に記載の方法。
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