JPH11330866A - 無線周波数増幅器及び動作点安定化方法 - Google Patents

無線周波数増幅器及び動作点安定化方法

Info

Publication number
JPH11330866A
JPH11330866A JP11066221A JP6622199A JPH11330866A JP H11330866 A JPH11330866 A JP H11330866A JP 11066221 A JP11066221 A JP 11066221A JP 6622199 A JP6622199 A JP 6622199A JP H11330866 A JPH11330866 A JP H11330866A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
input
signal
radio frequency
control
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11066221A
Other languages
English (en)
Inventor
Esko Jaervinen
イェルビネン エスコ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nokia Oyj
Original Assignee
Nokia Mobile Phones Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nokia Mobile Phones Ltd filed Critical Nokia Mobile Phones Ltd
Publication of JPH11330866A publication Critical patent/JPH11330866A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/30Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
    • H03F1/302Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in bipolar transistor amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/366Multiple MOSFETs are coupled in parallel
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/504Indexing scheme relating to amplifiers the supply voltage or current being continuously controlled by a controlling signal, e.g. the controlling signal of a transistor implemented as variable resistor in a supply path for, an IC-block showed amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/20Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F2203/21Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F2203/211Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • H03F2203/21131Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers the input bias voltage of a power amplifier being controlled, e.g. by a potentiometer or an emitter follower

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 温度補償回路を有する無線周波数増幅器の実
現。 【解決手段】 無線周波数増幅器は、増幅すべき無線周
波数信号を受信する入力と、増幅した無線周波数信号を
供給する出力とを有するパワートランジスタ(Q1)と、パ
ワートランジスタ(Q1)の入力に結合された入力を有する
制御トランジスタ(Qc)と、パワートランジスタ(Q1)及び
制御トランジスタ(Qc)に制御バイアス信号を供給するた
めそれらの入力に結合された出力を有するドライバ・ト
ランジスタ(Q2)と、入力信号に結合される第1入力とド
ライバ・トランジスタ(Q2)の入力に結合された出力とを
有しドライバ制御信号をドライバ・トランジスタに供給
する差動増幅器とを有し、制御トランジスタ(Qc)は差動
増幅器の第2入力に結合された出力を有し、制御トラン
ジスタ(Qc)の出力はパワートランジスタ(Q1)の出力に追
従して差動増幅器に負帰還信号を供給する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、パワートランジス
タを有する無線周波数増幅器に関する。それに必ずしも
限定するわけではないが、本発明は特に、無線周波数増
幅器のパワートランジスタのために温度保障を与えるこ
とに関する。
【0002】
【発明が解決しようとする課題】パワートランジスタは
多くの無線周波数(RF)装置や、セルラー無線電話機
及びセルラー無線基地局送受信機に組み込まれる回路を
含むいろいろな回路に広く使われている。しばしば、正
確なRF出力パワー・レベルを確保するためだけではな
くて、トランジスタ自体に対するダメージを防止するた
めにも、出力パワーの安定性が装置又は回路の正しい動
作に対して決定的に重要である。出力パワーが不安定に
なるありふれた原因は、自己加熱や周囲の温度の変化に
起因して生じることのある変動などの、パワートランジ
スタの動作温度の変動である。
【0003】パワートランジスタ増幅器にRF信号を所
望の利得で確実に増幅させるためには、トランジスタを
適当な「動作点」にバイアスする必要がある。バイアス
をかけるための簡単な仕組みが図1に示されており、そ
こでは増幅されるべきRF信号RF_INがパワートラ
ンジスタQ1の入力に結合されている。増幅されたRF
信号RF_OUTはパワートランジスタのコレクタから
得られる。パワートランジスタQ1を適当な動作点にバ
イアスするドライバ・トランジスタQ2もパワートラン
ジスタQ1の入力に結合されている。しかし、温度変化
は、パワートランジスタ及びドライバ・トランジスタの
両方のベース・エミッタ間電圧を変化させ、動作点を、
従ってパワートランジスタQ1の利得を変化させる傾向
を持っている。エミッタ抵抗Reが大きいと仮定する
と、利得及びコレクタ電流の増大はベース・エミッタ間
電圧の減少によって相殺されて、ある程度の安定性がト
ランジスタに与えられるという傾向がある。しかし、エ
ミッタ抵抗が大きいと、その抵抗での電力損失が大きく
なって増幅器の効率が悪くなる。
【0004】図2は、通常の温度補償バイアス回路を組
み込んだ修正された電力増幅器を示している。この回路
は、ドライバ・トランジスタQ2のベースとグランドと
の間に接続された1対のダイオード接続トランジスタQ
3,Q4を備える。基礎となっている動作理論は、ダイ
オード接続された2つのトランジスタQ3,Q4がドラ
イバ・トランジスタ及びパワートランジスタQ1,Q2
のベース・エミッタ接合での電圧降下に追従して、パワ
ートランジスタのベース電流を実質的に一定に保ち、そ
の動作点を安定に保つ。図1の回路の場合と同じく、エ
ミッタ抵抗Reでの電圧降下によって付加的な安定性が
もたらされるが、これも増幅器の効率を低下させる傾向
を持っている。
【0005】図2の温度補償回路は広く用いられてはい
るが、これは理想的なものではない。第1に、普通は調
整された電圧(例えば供給電圧Vsup)から生じるバ
イアス電圧Vbiasの揺らぎは、パワートランジスタ
Q1のコレクタ電流Icに顕著な影響を及ぼす。第2
に、ダイオード接続された2つのトランジスタQ3,Q
4のベース・エミッタ領域はパワートランジスタQ1及
びドライバ・トランジスタQ2と正確に同じ条件の下で
動作するのではないから(例えば、これらのトランジス
タはRF入力信号を受け取らない)、4個のトランジス
タ全部の動作温度が実質的に同じであったとしても、前
者での電圧降下は後者のベース・エミッタ接合での電圧
降下に必ずしも従うとは限らない。たとえ回路全体が単
一の半導体チップに集積されている場合でも、製造の公
差が時には大きいために生じる種々のトランジスタ間の
差異によってこの問題が更に悪化する。
【0006】本発明の目的は、上記の欠点を克服するか
又は少なくとも軽減する無線周波数増幅器を提供するこ
とである。この目的、及びその他の目的は、増幅器のパ
ワートランジスタにより伝導されるのと実質的に同一の
電流密度を伝導して、パワートランジスタのバイアスを
制御するために帰還信号を供給するために構成される追
加の制御トランジスタを提供することによって達成され
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、第1の態様に
おいては、無線周波数増幅器を提供するものであり、こ
の無線周波数増幅器は、増幅されるべき無線周波数信号
を受信するための入力と、増幅された無線周波数信号を
供給する出力とを有するパワートランジスタと、このパ
ワートランジスタの入力に結合された入力を有する制御
トランジスタと、このパワートランジスタ及び制御トラ
ンジスタに制御バイアス信号を供給するためにパワート
ランジスタ及び制御トランジスタの入力に結合された出
力を有するドライバ・トランジスタと、入力信号に結合
される第1入力と、ドライバ・トランジスタの入力に結
合された出力とを有し、ドライバ制御信号をドライバ・
トランジスタに供給する差動増幅器とを有し、この制御
トランジスタは差動増幅器の第2入力に結合された出力
を有し、制御トランジスタの出力はパワートランジスタ
の出力に従って差動増幅器に負帰還信号を供給するよう
になっている。
【0008】本発明の実施例は制御トランジスタの出力
から差動増幅器へ帰還信号を供給し、この信号は差動増
幅器の出力を、従ってパワートランジスタ制御バイアス
信号を、駆動し、電力増幅器を実質的に一定の動作点に
保つ。本発明は、パワートランジスタの動作点に対する
温度変化の影響を小さくする。
【0009】好適には、制御トランジスタと差動増幅器
とにより形成される帰還ループは、制御トランジスタの
出力に生じる無線周波数変動の影響を取り除くように設
けられた低域フィルタ手段を更に備える。
【0010】パワートランジスタはあらゆる適切な構成
を持っていてよい。しかし、ある好適な構成は並列に結
合された2つ又はそれより多いトランジスタ要素から成
る。
【0011】好適には、パワートランジスタと制御トラ
ンジスタとは、アクティブ状態ではトランジスタを通っ
て流れる電流密度が実質的に同じとなるように、構成さ
れる。より好適には、パワートランジスタ及び制御トラ
ンジスタの両方にそれぞれベース抵抗及びエミッタ抵抗
を備え、その抵抗の値はそれぞれのトランジスタの作用
面積に反比例する。
【0012】好適には、本発明の差動増幅器はエミッタ
結合差動増幅器である。
【0013】好適には、ドライバ・トランジスタの入力
と差動増幅器の第2入力との間に安定化キャパシタンス
が提供される。
【0014】本発明の実施例は制御トランジスタの出力
と差動増幅器の第2の入力とに結合される利得制御信号
を備えることができる。ドライバ・トランジスタに印加
されるドライバ制御信号を変化させ、従ってパワートラ
ンジスタに印加される制御バイアス信号を変化させるこ
とによりパワートランジスタの動作点を変化させるため
に、この利得制御信号を使うことができる。
【0015】本発明は、第2の態様においては、増幅さ
れるべきRF信号をその入力において受信して、増幅さ
れたRF信号をその出力から供給する無線周波数パワー
トランジスタの動作点を安定させる方法を提供するもの
であり、この方法は、パワートランジスタの入力と制御
トランジスタの入力とに制御バイアス信号を結合させる
ステップと、制御トランジスタの出力信号と入力信号と
の差に実質的に比例する差信号を発生させるステップ
と、差信号をドライバ・トランジスタの入力に結合させ
るステップを有し、制御バイアス信号はドライバ・トラ
ンジスタの出力信号である。
【0016】本発明をよりよく理解し、本発明を実施す
る方法を示すために、添付図面を参照する。
【0017】
【発明の実施の形態】上では、図1及び2を参照して簡
単なRF増幅器と公知の温度補償回路とを解説した。図
3は、パワートランジスタQ1とドライバ・トランジス
タQ2とを備えるRF増幅器のための改良された温度補
償回路を例示している。ドライバ・トランジスタQ2は
単一のn−p−nバイポーラ接合形トランジスタにより
提供されているのに対して、パワートランジスタは、そ
れぞれエミッタ抵抗及びベース抵抗、並びに並列に接続
されたRF入力結合キャパシタンスを伴う一組(m個
で、このmは例えば48)のn−p−nバイポーラ接合
形トランジスタ(又はトランジスタ要素)により提供さ
れている。これは図3中の挿入図Aにおいて例示されて
いる。
【0018】図3の温度補償回路は制御トランジスタQ
cを備える。この制御トランジスタは、パワートランジ
スタQ1を構成しているトランジスタ要素の1つと実質
的に同じ単一のn−p−nバイポーラ接合形トランジス
タ要素により実現されている。そういうものとして、制
御トランジスタQcの作用面積はパワートランジスタQ
1の実効作用面積の1/m倍である。制御トランジスタ
Qcは、ベース抵抗Rbとエミッタ抵抗Reとを備えて
おり、パワートランジスタQ1はベース抵抗Rb/mと
エミッタ抵抗Re/mとを備えている。制御トランジス
タQcのコレクタは、コレクタ抵抗R1を介して調整さ
れた直流電圧Vregに接続されている。
【0019】制御トランジスタQcのコレクタは差動増
幅器の正入力にも接続されている。その差動増幅器は1
対のエミッタ結合バイポーラ接合形トランジスタQd
1、Qd2を備えており、そのコレクタはそれぞれコレ
クタ抵抗を介して調整された直流電圧Vregに結合さ
れており、トランジスタQd1のコレクタにおいて出力
電圧Voを供給するようになっている。 Vo=A(V2−V1) ここでV1及びV2はそれぞれトランジスタQd1及び
Qd2に存在するベース電圧であり、Aは差動増幅器の
利得である。V1は、抵抗分割回路網を介して調整され
た直流電圧Vregから生じる。
【0020】差動増幅器の出力電圧Voは安定化抵抗R
2を介してドライバ・トランジスタQ2のベースに結合
されており、このトランジスタのコレクタは供給電圧V
supに結合されている。ドライバ・トランジスタのベ
ースは、安定化キャパシタンスC1を介してトランジス
タQd2のベースにも結合されている。ドライバ・トラ
ンジスタQ2は、それぞれベース抵抗を介してパワート
ランジスタQ1及び制御トランジスタQcのベースに接
続されて両トランジスタにバイアス信号を供給する。
【0021】パワートランジスタQ1及び制御トランジ
スタQcの作用面積、ベース抵抗、及びエミッタ抵抗の
相対的スケーリングの故に、両方のトランジスタを通っ
て流れるベース・エミッタ電流密度とコレクタ・エミッ
タ電流密度とは実質的に同じである。従って、例えば加
熱効果によるパワートランジスタQ1のコレクタ電流の
変化はmの要因によってスケールダウンされて制御トラ
ンジスタQcのコレクタ電流に反映されると期待され
る。
【0022】例えばある時間だけ動作した後にパワート
ランジスタQ1の温度が上昇して、コレクタ電流と、従
ってこのトランジスタのRF利得とを増大させ、所望の
動作点から変位させてしまったと考える。制御トランジ
スタQcのコレクタ電流はそれに比例して増大し、この
トランジスタのコレクタ電圧を低下させる(コレクタ抵
抗R1での電圧降下が増大するので)。このコレクタ電
圧は差動増幅器に入力電圧V2を供給するので、差動増
幅器の出力電圧Voは低下する。ドライバ・トランジス
タQ2に加えられるベース電流は、このとき減少して、
パワートランジスタ及び制御トランジスタに加わるバイ
アス電流を減少させて、これらのトランジスタの利得を
減少させる。
【0023】従って、制御トランジスタと差動増幅器と
は負帰還制御信号をドライバ・トランジスタQ2に供給
し、これは、さもなければパワートランジスタの利得を
変動させる原因となるパワートランジスタQ1の特性の
変化をうち消す方向に作用する。回路の種々の受動素子
は、回路が正しく動作するように選択されている。特
に、安定化抵抗R2とC1とは、出力の変化に回路が迅
速に応答できると共に、同時に帰還ループの動作を安定
させ、特に制御トランジスタQcのコレクタに生じる高
周波変動の効果を取り除くように、選択され構成されて
いる。例えばコンピュータ・シミュレーションを使って
素子を選択することができる。
【0024】図3の回路の重要な驚異的利点は、パワー
トランジスタQ1に付随するエミッタ抵抗(Re/m)
が図1及び2に例示されているような公知の回路と比べ
て小さくても良いことであり、実際、パワートランジス
タ要素のエミッタをグランドに接続する接続ワイヤの抵
抗や、あるいは寄生抵抗でさえ、充分であろう(電流の
「動揺:hogging 」を防ぐために)。それは、大きな温
度補償エミッタ抵抗がもはや不要だからである。図3の
回路では、エミッタ抵抗での電力損が減少し、増幅器の
効率が向上している。
【0025】図3は任意の利得制御入力も例示してお
り、利得制御電圧Vpcが抵抗R3を介して制御トラン
ジスタQcのコレクタに加えられるようになっている。
電圧Vpcは、差動増幅器への入力電圧V2を増大させ
て、ドライバ・トランジスタQ2により供給されるバイ
アス電流を増大させる傾向を有する。そのためにパワー
トランジスタQ1のRF利得が増大する。
【0026】個別の素子で図3の回路を実現することも
できるが、好適には単一の半導体チップに集積する。こ
のことには、種々の素子、特に制御トランジスタ及びパ
ワートランジスタ、の動作温度が均等になる傾向がある
という利点がある。好適な構成では、パワートランジス
タのトランジスタ要素を「共通重心:common centroid
」幾何学に従って配置し、制御トランジスタをパワー
トランジスタのトランジスタ要素の直ぐ隣にあるいはそ
れらの間に、配置する。
【0027】本発明の範囲から逸脱することなく上記実
施例に種々の修正を加え得ることを当業者は理解するで
あろう。例えば、並列に接続された一組のFETエレメ
ントを備える金属酸化膜半導体FET(MOSFET)
又は金属半導体FET(MEFET)などのパワー電界
効果トランジスタ(FET)の特性を安定させるために
本発明を適用することができる。負帰還ループの一部分
を形成する利得制御FETを用いて安定化が達成され
る。制御FETは、ドレーン・ソース電流密度がパワー
FETのそれと実質的に同じになるように構成され配置
されている。
【図面の簡単な説明】
【図1】温度補償無しの無線周波数増幅器を示す図であ
る。
【図2】従来技術による温度補償回路を伴う図1の無線
周波数増幅器を示す図である。
【図3】本発明の実施例による温度補償回路を伴う図2
の無線周波数増幅器を示す図である。
【符号の説明】
Q1…パワートランジスタ Q2…ドライバー・トランジスタ Qc…制御トランジスタ Qd1,Qd2…差動増幅器 Rb…ベース抵抗 Re…エミッタ抵抗 C1…安定化キャパシタンス

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 無線周波数増幅器において、該無線周波
    数増幅器は、 増幅されるべき無線周波数信号を受信するための入力
    と、増幅された無線周波数信号を供給する出力とを有す
    るパワートランジスタと、 該パワートランジスタの前記入力に結合された入力を有
    する制御トランジスタと、 前記パワートランジスタ及び制御トランジスタに制御バ
    イアス信号を供給するために前記パワートランジスタ及
    び制御トランジスタの前記入力に結合された出力を有す
    るドライバ・トランジスタと、 入力信号に結合される第1入力と、前記ドライバ・トラ
    ンジスタの入力に結合された出力とを有し、ドライバ制
    御信号を前記ドライバ・トランジスタに供給する差動増
    幅器とを有し、 前記制御トランジスタは前記差動増幅器の第2入力に結
    合された出力を有し、前記制御トランジスタの前記出力
    は前記パワートランジスタの前記出力に追従して前記差
    動増幅器に負帰還信号を供給することを特徴とする無線
    周波数増幅器。
  2. 【請求項2】 前記負帰還信号から前記制御トランジス
    タの前記出力に生じる無線周波数変動の効果を取り除く
    ように構成された低域フィルタ手段を備える請求項1に
    記載の無線周波数増幅器。
  3. 【請求項3】 前記パワートランジスタは並列に結合さ
    れた2つ又はそれより多いトランジスタ要素から成る請
    求項1又は2に記載の無線周波数増幅器。
  4. 【請求項4】 前記パワートランジスタ及び前記制御ト
    ランジスタは、アクティブ状態ではこれらのトランジス
    タを通って流れる電流密度が実質的に同じになるように
    構成されている請求項1から3のいずれか一項に記載の
    無線周波数増幅器。
  5. 【請求項5】 前記パワートランジスタ及び制御トラン
    ジスタはそれぞれベース抵抗及びエミッタ抵抗を備えて
    おり、それらの抵抗の値はそれぞれのトランジスタの作
    用面積に反比例する請求項1から4のいずれか一項に記
    載の無線周波数増幅器。
  6. 【請求項6】 前記差動増幅器はエミッタ結合差動増幅
    器である請求項1から5のいずれか一項に記載の無線周
    波数増幅器。
  7. 【請求項7】 前記ドライバ・トランジスタの入力と前
    記差動増幅器の前記第2入力との間に安定化キャパシタ
    ンスが提供されている請求項1から6のいずれか一項に
    記載の無線周波数増幅器。
  8. 【請求項8】 前記制御トランジスタの前記出力と前記
    差動増幅器の前記第2入力とに利得制御信号が結合され
    る請求項1から7のいずれか一項に記載の無線周波数増
    幅器。
  9. 【請求項9】 増幅されるべきRF信号をその入力にお
    いて受信して、増幅されたRF信号をその出力から供給
    する無線周波数パワートランジスタの動作点安定化方法
    であって、 前記パワートランジスタの前記入力と制御トランジスタ
    の入力とに制御バイアス信号を結合するステップと、 前記制御トランジスタの出力信号と入力信号との差に実
    質的に比例する差信号を発生するステップと、 前記差信号をドライバ・トランジスタの入力に結合させ
    るステップとを有し、前記制御バイアス信号は前記ドラ
    イバ・トランジスタの出力信号であることを特徴とする
    動作点安定化方法。
JP11066221A 1998-03-13 1999-03-12 無線周波数増幅器及び動作点安定化方法 Pending JPH11330866A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI980567A FI105611B (fi) 1998-03-13 1998-03-13 Radiotajuusvahvistimet
FI980567 1998-03-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11330866A true JPH11330866A (ja) 1999-11-30

Family

ID=8551254

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11066221A Pending JPH11330866A (ja) 1998-03-13 1999-03-12 無線周波数増幅器及び動作点安定化方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6052032A (ja)
EP (2) EP1744448B1 (ja)
JP (1) JPH11330866A (ja)
DE (2) DE69933160T2 (ja)
FI (1) FI105611B (ja)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100417781B1 (ko) * 2000-06-23 2004-02-05 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 무선 주파수 증폭기용 능동 바이어스 네트워크 회로
JP2007281930A (ja) * 2006-04-07 2007-10-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd バイアス回路
JP2007295238A (ja) * 2006-04-25 2007-11-08 Sharp Corp 電力増幅器及び無線通信装置
JP2008042625A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Toshiba Corp 半導体増幅装置
JP2008153979A (ja) * 2006-12-18 2008-07-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電力増幅器
JP2008537414A (ja) * 2005-04-18 2008-09-11 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 電力増幅器のための適応保護回路
JP2011145294A (ja) * 2010-01-15 2011-07-28 Tektronix Inc 液体レベル測定プローブ
US9287832B2 (en) 2013-03-05 2016-03-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Power amplifying module
US9397618B2 (en) 2014-03-20 2016-07-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. Power amplification module
US9407207B2 (en) 2013-03-19 2016-08-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Radio frequency amplifying circuit and power amplifying module
US9525389B2 (en) 2012-12-26 2016-12-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. High-frequency amplifier circuit
US9548711B1 (en) 2015-07-15 2017-01-17 Murata Manufacturing Co., Ltd. Power amplification module
WO2022249955A1 (ja) * 2021-05-26 2022-12-01 株式会社村田製作所 送信回路
WO2024179239A1 (zh) * 2023-02-27 2024-09-06 深圳飞骧科技股份有限公司 射频功率放大器电路和射频芯片

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6427067B1 (en) * 1999-06-10 2002-07-30 The Whitaker Corporation Detector driven bias circuit for power transistors
DE19945709C2 (de) * 1999-09-23 2002-06-20 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung zur Regelung des Arbeitspunkts eines Leistungsverstärkers und deren Verwendung
US6429746B1 (en) * 1999-12-07 2002-08-06 Nokia Networks Oy System and method for auto-bias of an amplifier
US6313705B1 (en) 1999-12-20 2001-11-06 Rf Micro Devices, Inc. Bias network for high efficiency RF linear power amplifier
JP3660846B2 (ja) * 2000-02-23 2005-06-15 日本無線株式会社 Fetバイアス回路
JP3641184B2 (ja) * 2000-03-28 2005-04-20 株式会社東芝 バイポーラトランジスタを用いた高周波電力増幅器
JP2001320243A (ja) * 2000-05-12 2001-11-16 Sony Corp バイアス回路およびこれを用いた無線通信装置
US6351189B1 (en) 2000-07-31 2002-02-26 Nokia Networks Oy System and method for auto-bias of an amplifier
JP3904817B2 (ja) * 2000-08-31 2007-04-11 株式会社ルネサステクノロジ 電力増幅器モジュール
JP3631426B2 (ja) * 2000-09-25 2005-03-23 株式会社東芝 高出力増幅器
US6639470B1 (en) * 2000-10-06 2003-10-28 Skyworks Solutions, Inc. Constant current biasing circuit for linear power amplifiers
US6333677B1 (en) * 2000-10-10 2001-12-25 Rf Micro Devices, Inc. Linear power amplifier bias circuit
US6452454B1 (en) * 2000-11-13 2002-09-17 Conexant Systems, Inc. Temperature compensation module
US6424225B1 (en) * 2000-11-27 2002-07-23 Conexant Systems, Inc. Power amplifier circuit for providing constant bias current over a wide temperature range
GB0103082D0 (en) 2001-02-08 2001-03-28 Pace Micro Tech Plc Self compensating amplifier and driver
JP2002280842A (ja) * 2001-03-21 2002-09-27 Hitachi Ltd 電力増幅器モジュール
DE10120524B4 (de) 2001-04-26 2015-08-20 Infineon Technologies Ag Vorrichtung zur Ermittlung des Stromes durch ein Leistungs-Halbleiterbauelement
DE10121168A1 (de) * 2001-04-30 2002-11-21 Infineon Technologies Ag Vorrichtung zum Steuern eines Ruhestroms für einen Verstärkertransistor und Verstärkerschaltung
DE10121167A1 (de) * 2001-04-30 2002-11-28 Infineon Technologies Ag Vorrichtung zum Steuern eines Ruhestroms für einen Verstärkertransistor und Verstärkerschaltung
EP1265354A1 (en) * 2001-05-25 2002-12-11 Nokia Corporation Amplifier circuit
US6753734B2 (en) 2001-06-06 2004-06-22 Anadigics, Inc. Multi-mode amplifier bias circuit
US6515546B2 (en) 2001-06-06 2003-02-04 Anadigics, Inc. Bias circuit for use with low-voltage power supply
US6842075B2 (en) * 2001-06-06 2005-01-11 Anadigics, Inc. Gain block with stable internal bias from low-voltage power supply
US6624700B2 (en) * 2001-06-29 2003-09-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Radio frequency power amplifier for cellular telephones
US6492874B1 (en) 2001-07-30 2002-12-10 Motorola, Inc. Active bias circuit
DE10212165A1 (de) * 2002-03-19 2003-10-09 Infineon Technologies Ag Transistoranordnung
GB2386775B (en) * 2002-03-20 2004-09-29 Roke Manor Research A bias circuit for a bipolar transistor
US7288992B2 (en) 2002-03-20 2007-10-30 Roke Manor Research Limited Bias circuit for a bipolar transistor
US6653902B1 (en) 2002-09-03 2003-11-25 Triquint Semiconductor, Inc. Amplifier power control circuit
US7151814B1 (en) * 2002-11-07 2006-12-19 Applied Micro Circuits Corporation Hogge phase detector with adjustable phase output
JP3829121B2 (ja) * 2003-01-31 2006-10-04 株式会社東芝 電力増幅回路
JP4088177B2 (ja) * 2003-03-12 2008-05-21 株式会社東芝 バイアス電流供給回路及び増幅回路
US7057461B1 (en) * 2003-03-19 2006-06-06 Dynalinear Technologies, Inc. Heterostructure bipolar transistor power amplifier module with dynamic voltage supply for improved efficiency
US7049893B2 (en) * 2003-04-14 2006-05-23 M/A-Com, Inc. Apparatus, methods and articles of manufacture for power amplifier control in a communication system
US6819183B1 (en) * 2003-05-23 2004-11-16 Qualcomm, Incorporated Temperature and process compensation of MOSFET operating in sub-threshold mode
EP1517437A1 (de) * 2003-09-19 2005-03-23 Siemens Aktiengesellschaft HF-Leistungsverstärker mit Betriebsstrommesseinrichtung
US20050140439A1 (en) * 2003-12-26 2005-06-30 Hyoung Chang H. Predistortion linearizer for power amplifier
JP2005223437A (ja) * 2004-02-03 2005-08-18 Nec Compound Semiconductor Devices Ltd バイアス回路
EP1855379B1 (en) * 2006-05-12 2011-02-09 STMicroelectronics Srl Output power control of an RF amplifier
US7696826B2 (en) * 2006-12-04 2010-04-13 Skyworks Solutions, Inc. Temperature compensation of collector-voltage control RF amplifiers
WO2008103375A2 (en) * 2007-02-19 2008-08-28 Mobileaccess Networks Ltd. Method and system for improving uplink performance

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02116203A (ja) * 1988-10-26 1990-04-27 Mitsubishi Electric Corp 温度補償型アクテイブバイアス増幅器
FI87030C (fi) * 1989-03-29 1992-11-10 Nokia Mobira Oy Analog pulsformare
US5214372A (en) * 1989-05-11 1993-05-25 Nokia Mobile Phones Ltd. Linearizing circuit for dectection of a RF-power sensor
FI85316C (fi) * 1989-05-12 1992-03-25 Nokia Mobira Oy Koppling foer utvidgning av effektomraodet hos en saendare.
FI82796C (fi) * 1989-05-12 1991-04-10 Nokia Mobira Oy Koppling foer alstring av laoga effektnivaoer i saendaren av en radiotelefon.
FI81931C (fi) * 1989-05-12 1990-12-10 Nokia Mobira Oy Foerfarande foer alstring av laoga effektnivaoer i saendaren av en radiotelefon.
FI83717C (fi) * 1989-09-25 1991-08-12 Nokia Mobile Phones Ltd Foerfarande foer intrimning och kompensation av effektnivaoer i en radiotelefon.
FI87028C (fi) * 1989-12-22 1992-11-10 Nokia Mobile Phones Ltd Metod foer att reglera effekt hos en spaenningsstyrd effektfoerstaerkare och koppling foer anvaendning i metoden
US5241284A (en) * 1990-02-16 1993-08-31 Nokia Mobile Phones Ltd. Circuit arrangement for connecting RF amplifier and supply voltage filter
US5099204A (en) * 1990-10-15 1992-03-24 Qualcomm Incorporated Linear gain control amplifier
FI88564C (fi) * 1991-01-14 1993-05-25 Nokia Mobile Phones Ltd Styrbar hoegfrekvensdaempare
FI89110C (fi) * 1991-09-19 1993-08-10 Nokia Mobile Phones Ltd Effektdetektor
FI89120C (fi) * 1991-09-24 1993-08-10 Nokia Mobile Phones Ltd Effektinstaellning i en boosterfoerstaerkare
US5276917A (en) * 1991-10-22 1994-01-04 Nokia Mobile Phones Ltd. Transmitter switch-on in a dual-mode mobile phone
GB2263034B (en) * 1991-12-30 1996-05-01 Harris Corp Radio frequency amplifiers
FI91201C (fi) * 1992-06-05 1994-05-25 Nokia Mobile Phones Ltd Boosteri
US5345192A (en) * 1993-01-29 1994-09-06 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Voltage controlled integrated circuit for biasing an RF device
FI96554C (fi) * 1993-02-05 1996-07-10 Nokia Mobile Phones Ltd Aikajakoinen solukkoradiopuhelinjärjestelmä ja radiopuhelin sitä varten
FI930632A (fi) * 1993-02-12 1994-08-13 Nokia Mobile Phones Ltd Kytkentä lähetinvahvistimen tehon säätämiseksi
GB2279779B (en) * 1993-06-02 1997-03-05 Vtech Communications Ltd Amplifier power control system
US5809410A (en) 1993-07-12 1998-09-15 Harris Corporation Low voltage RF amplifier and mixed with single bias block and method
US5432473A (en) * 1993-07-14 1995-07-11 Nokia Mobile Phones, Limited Dual mode amplifier with bias control
US5392464A (en) * 1993-08-19 1995-02-21 Nokia Mobile Phones Ltd. Directional detector for power level control
US5530923A (en) * 1994-03-30 1996-06-25 Nokia Mobile Phones Ltd. Dual mode transmission system with switched linear amplifier
FI97179C (fi) * 1994-06-15 1996-10-25 Nokia Mobile Phones Ltd Pulssitetun lähettimen lähtötehon säätö ja tehon verhokäyrän muotoilu
US5548616A (en) * 1994-09-09 1996-08-20 Nokia Mobile Phones Ltd. Spread spectrum radiotelephone having adaptive transmitter gain control
FI105865B (fi) * 1994-11-14 2000-10-13 Nokia Mobile Phones Ltd Menetelmä ja kytkentä radiolaitteen lähetinsignaalin tehon säätämiseksi ja linearisoimiseksi
FR2728742B1 (fr) * 1994-12-23 1997-01-24 Thomcast Amplificateur classe a en radiofrequences et emetteur equipe d'au moins un tel amplificateur
US5493255A (en) * 1995-03-21 1996-02-20 Nokia Mobile Phones Ltd. Bias control circuit for an RF power amplifier
US5697074A (en) * 1995-03-30 1997-12-09 Nokia Mobile Phones Limited Dual rate power control loop for a transmitter
US5506544A (en) * 1995-04-10 1996-04-09 Motorola, Inc. Bias circuit for depletion mode field effect transistors
FI101505B1 (fi) * 1995-05-10 1998-06-30 Nokia Mobile Phones Ltd Menetelmä suuntakytkimellä toteutetun tehonmittauksen parantamiseksi pienillä tehotasoilla
US5752172A (en) * 1996-08-16 1998-05-12 Nokia Mobile Phones Limited Distributed transmitter output power control circuit and method for a radio telephone
US5801587A (en) * 1996-09-26 1998-09-01 Exar Corporation Variable gain peak detector
DE19732437C1 (de) * 1997-07-28 1998-12-24 Siemens Ag Transistor-Verstärkerstufe

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100417781B1 (ko) * 2000-06-23 2004-02-05 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 무선 주파수 증폭기용 능동 바이어스 네트워크 회로
JP2008537414A (ja) * 2005-04-18 2008-09-11 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 電力増幅器のための適応保護回路
JP2007281930A (ja) * 2006-04-07 2007-10-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd バイアス回路
JP2007295238A (ja) * 2006-04-25 2007-11-08 Sharp Corp 電力増幅器及び無線通信装置
JP2008042625A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Toshiba Corp 半導体増幅装置
JP2008153979A (ja) * 2006-12-18 2008-07-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電力増幅器
JP2011145294A (ja) * 2010-01-15 2011-07-28 Tektronix Inc 液体レベル測定プローブ
US9525389B2 (en) 2012-12-26 2016-12-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. High-frequency amplifier circuit
US9287832B2 (en) 2013-03-05 2016-03-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Power amplifying module
US9407207B2 (en) 2013-03-19 2016-08-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Radio frequency amplifying circuit and power amplifying module
US10211783B2 (en) 2014-03-20 2019-02-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. Power amplification module
US9397618B2 (en) 2014-03-20 2016-07-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. Power amplification module
US11038469B2 (en) 2014-03-20 2021-06-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Power amplification module
US9722542B2 (en) 2014-03-20 2017-08-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Power amplification module
US10693421B2 (en) 2014-03-20 2020-06-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Power amplification module
US9548711B1 (en) 2015-07-15 2017-01-17 Murata Manufacturing Co., Ltd. Power amplification module
US10554182B2 (en) 2015-07-15 2020-02-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Power amplification module
US10135403B2 (en) 2015-07-15 2018-11-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Power amplification module
CN106357226A (zh) * 2015-07-15 2017-01-25 株式会社村田制作所 功率放大模块
US11070175B2 (en) 2015-07-15 2021-07-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Power amplification module
US11387784B2 (en) 2015-07-15 2022-07-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Power amplification module
WO2022249955A1 (ja) * 2021-05-26 2022-12-01 株式会社村田製作所 送信回路
WO2024179239A1 (zh) * 2023-02-27 2024-09-06 深圳飞骧科技股份有限公司 射频功率放大器电路和射频芯片

Also Published As

Publication number Publication date
EP0942524B1 (en) 2006-09-13
FI105611B (fi) 2000-09-15
US6052032A (en) 2000-04-18
EP1744448A1 (en) 2007-01-17
DE69942880D1 (de) 2010-12-02
DE69933160D1 (de) 2006-10-26
EP1744448B1 (en) 2010-10-20
FI980567A (fi) 1999-09-14
FI980567A0 (fi) 1998-03-13
DE69933160T2 (de) 2007-08-30
EP0942524A2 (en) 1999-09-15
EP0942524A3 (en) 2001-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6052032A (en) Radio frequency amplifiers
US4008441A (en) Current amplifier
US6492874B1 (en) Active bias circuit
JP2018523420A (ja) カスコード段及びdcバイアスレギュレータを有する多段増幅器
US7425871B2 (en) Compensation units for reducing the effects of self-heating and increasing linear performance in bipolar transistors
US7113041B2 (en) Operational amplifier
US11251752B2 (en) Temperature correction circuit and method of operating a power amplifier
US7292104B1 (en) Variable gain amplifier
US6486724B2 (en) FET bias circuit
JPH0865058A (ja) 増幅器をバイアスする回路
US6879214B2 (en) Bias circuit with controlled temperature dependence
US7034618B2 (en) Temperature compensating circuit
EP0209334A1 (en) Current mirror circuit
JPH1070419A (ja) 増幅回路
JPWO2002031968A1 (ja) 高周波増幅装置
JPH08222967A (ja) Fetゲートバイアス回路
US6680651B2 (en) Current mirror and differential amplifier for providing large current ratio and high output impedence
US7230492B2 (en) Robust monolithic automatic bias circuit with current setting apparatus
JP3036784B2 (ja) 電圧調整回路
US20060033577A1 (en) Amplifier circuit
US6255868B1 (en) Buffer circuit and hold circuit
US6535059B2 (en) Amplifier circuit
JPH0379123A (ja) 定電流源回路
CN217849383U (zh) 自适应偏置电路
US10095259B1 (en) Circuit arrangement for compensating current variations in current mirror circuit

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060306

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20060306

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080819

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080826

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20081120

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20081126

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090224

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090331