JPH11329920A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH11329920A JPH11329920A JP30282198A JP30282198A JPH11329920A JP H11329920 A JPH11329920 A JP H11329920A JP 30282198 A JP30282198 A JP 30282198A JP 30282198 A JP30282198 A JP 30282198A JP H11329920 A JPH11329920 A JP H11329920A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 周辺露光を適用する半導体装置の製造方法に
おいて、シリコンウエハの周辺域に形成された金属配線
層の一部がエッチングで剥離することにより、飛散す
る、あるいはシリコンウエハを洗浄する際に洗浄薬液中
を浮遊するなどして他の部分に再付着することを防止可
能とする半導体装置の製造方法を提供すること。 【解決手段】 周辺露光を適用する半導体装置の製造す
る場合において、下地層として形成されるシリコン酸化
膜２１および２２のうち、少なくとも１つのシリコン酸
化膜２１は前記工程による処理を施さないものとし、シ
リコン酸化膜２１の上に金属配線層２３を形成すること
により解決する。
おいて、シリコンウエハの周辺域に形成された金属配線
層の一部がエッチングで剥離することにより、飛散す
る、あるいはシリコンウエハを洗浄する際に洗浄薬液中
を浮遊するなどして他の部分に再付着することを防止可
能とする半導体装置の製造方法を提供すること。 【解決手段】 周辺露光を適用する半導体装置の製造す
る場合において、下地層として形成されるシリコン酸化
膜２１および２２のうち、少なくとも１つのシリコン酸
化膜２１は前記工程による処理を施さないものとし、シ
リコン酸化膜２１の上に金属配線層２３を形成すること
により解決する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法において、周辺露光を適用する半導体装置の製造方
法に関するものである。
方法において、周辺露光を適用する半導体装置の製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程において、シリコ
ンウエハを一定の位置に保持する場合、図４（１）に示
すように、シリコンウエハの幅２〜３ｍｍ程度の周辺域
４１にクランプ５１を押し当てて保持することが一般的
に行われている。この際、クランプ５１に当接したフォ
トレジストやシリコン酸化膜が剥離して、シリコンウエ
ハの他の領域に付着すると、シリコンウエハの後工程に
おいて異物となり、半導体装置の歩留まりを下げてしま
う。
ンウエハを一定の位置に保持する場合、図４（１）に示
すように、シリコンウエハの幅２〜３ｍｍ程度の周辺域
４１にクランプ５１を押し当てて保持することが一般的
に行われている。この際、クランプ５１に当接したフォ
トレジストやシリコン酸化膜が剥離して、シリコンウエ
ハの他の領域に付着すると、シリコンウエハの後工程に
おいて異物となり、半導体装置の歩留まりを下げてしま
う。
【０００３】そこで、フォトレジストをシリコンウエハ
１１に塗布してパターンを形成するための露光を行うの
とは別に、シリコンウエハ１１の周辺域４１を露光して
エッチング（現像）を施し、周辺域４１のフォトレジス
トやシリコン酸化膜をあらかじめ除去することにより、
クランプ５１を押し当てることにより製造工程における
異物が発生することを防止している。なお、この方法に
おけるシリコンウエハの周辺域の露光は、一般的に周辺
露光と呼ばれている。
１１に塗布してパターンを形成するための露光を行うの
とは別に、シリコンウエハ１１の周辺域４１を露光して
エッチング（現像）を施し、周辺域４１のフォトレジス
トやシリコン酸化膜をあらかじめ除去することにより、
クランプ５１を押し当てることにより製造工程における
異物が発生することを防止している。なお、この方法に
おけるシリコンウエハの周辺域の露光は、一般的に周辺
露光と呼ばれている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前述の従来
技術においては以下のような問題が発生した。
技術においては以下のような問題が発生した。
【０００５】Al-CuやAl-Si-Cuなどの材質で形成される
金属配線層２３を塩素系ガスなどによりドライエッチン
グしてパターンを形成する場合、金属配線層２３が除去
されることにより形成される開口部３１に、金属配線層
２３が残らないようにある程度オーバーエッチングす
る。この際、等方的にエッチングされるガス等を使用す
ると、オーバーエッチングされた部分３２に示すよう
に、シリコンウエハ１１が等方的にエッチングされて金
属配線層２３の直下の部分にまで及び、金属配線が細い
場合には、剥離状態の金属配線２５のようにシリコンウ
エハ１１から金属配線が剥離してしまう。
金属配線層２３を塩素系ガスなどによりドライエッチン
グしてパターンを形成する場合、金属配線層２３が除去
されることにより形成される開口部３１に、金属配線層
２３が残らないようにある程度オーバーエッチングす
る。この際、等方的にエッチングされるガス等を使用す
ると、オーバーエッチングされた部分３２に示すよう
に、シリコンウエハ１１が等方的にエッチングされて金
属配線層２３の直下の部分にまで及び、金属配線が細い
場合には、剥離状態の金属配線２５のようにシリコンウ
エハ１１から金属配線が剥離してしまう。
【０００６】剥離した金属配線は、飛散してシリコンウ
エハ１１の他の部分に再付着したり、シリコンウエハ１
１を洗浄する際、洗浄薬液中を浮遊してシリコンウエハ
１１の他の部分に再付着するなどして短絡等の原因とな
り、半導体製品の歩留まりの低下を招く要因になる。
エハ１１の他の部分に再付着したり、シリコンウエハ１
１を洗浄する際、洗浄薬液中を浮遊してシリコンウエハ
１１の他の部分に再付着するなどして短絡等の原因とな
り、半導体製品の歩留まりの低下を招く要因になる。
【０００７】そこで、本発明は、周辺露光を適用する半
導体装置の製造方法において、シリコンウエハの周辺域
に形成された金属配線がエッチングで剥離することによ
り、飛散する、あるいはシリコンウエハを洗浄する際に
洗浄薬液中を浮遊するなどして他の部分に再付着するこ
とを防止可能とする半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的としている。
導体装置の製造方法において、シリコンウエハの周辺域
に形成された金属配線がエッチングで剥離することによ
り、飛散する、あるいはシリコンウエハを洗浄する際に
洗浄薬液中を浮遊するなどして他の部分に再付着するこ
とを防止可能とする半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、半導体装置の製造方法として、 （１）まず、シリコンウエハ上に形成された下地層に塗
布されたフォトレジストのうち、前記シリコンウエハの
周辺域に塗布された部分を露光して除去し、前記下地層
のうち、前記周辺域に塗布された部分が除去されて露出
した部分をエッチングして除去する周辺除去工程を有す
る半導体装置の製造方法において、前記下地層として形
成されるシリコン酸化膜のうち、少なくとも１層以外の
前記シリコン酸化膜に前記周辺除去工程による処理を施
し、前記周辺除去工程による処理を施した前記シリコン
酸化膜以外の前記シリコン酸化膜の上に金属配線層を形
成することを特徴とする半導体装置の製造方法としたも
のである。
めに、本発明は、半導体装置の製造方法として、 （１）まず、シリコンウエハ上に形成された下地層に塗
布されたフォトレジストのうち、前記シリコンウエハの
周辺域に塗布された部分を露光して除去し、前記下地層
のうち、前記周辺域に塗布された部分が除去されて露出
した部分をエッチングして除去する周辺除去工程を有す
る半導体装置の製造方法において、前記下地層として形
成されるシリコン酸化膜のうち、少なくとも１層以外の
前記シリコン酸化膜に前記周辺除去工程による処理を施
し、前記周辺除去工程による処理を施した前記シリコン
酸化膜以外の前記シリコン酸化膜の上に金属配線層を形
成することを特徴とする半導体装置の製造方法としたも
のである。
【０００９】このような半導体装置の製造方法にするこ
とで、金属配線層は必ず前記工程を施さないシリコン酸
化膜の上に形成され、シリコンウエハの直上に形成され
ることがない。また、エッチングにより金属配線層にパ
ターンを形成する場合、塩素系ガスなどでエッチングさ
れにくい性質を持つシリコン酸化膜の特性により、金属
配線層が前記工程を施さないシリコン酸化膜がエッチン
グされることがない。よって、金属配線層の一部分がシ
リコンウエハの直上に形成され、金属配線層のエッチン
グ時に、シリコンウエハもエッチングされて、前記一部
分が剥離して、短絡等の歩留まり低下の要因となること
が防止される。
とで、金属配線層は必ず前記工程を施さないシリコン酸
化膜の上に形成され、シリコンウエハの直上に形成され
ることがない。また、エッチングにより金属配線層にパ
ターンを形成する場合、塩素系ガスなどでエッチングさ
れにくい性質を持つシリコン酸化膜の特性により、金属
配線層が前記工程を施さないシリコン酸化膜がエッチン
グされることがない。よって、金属配線層の一部分がシ
リコンウエハの直上に形成され、金属配線層のエッチン
グ時に、シリコンウエハもエッチングされて、前記一部
分が剥離して、短絡等の歩留まり低下の要因となること
が防止される。
【００１０】その結果、半導体装置の歩留まりを向上す
ることができる。
ることができる。
【００１１】なお、金属配線層とともに、アライメント
マーク等のスクライブ領域に設けられるマークを前記工
程を施さないシリコン酸化膜の上に形成しても良い。
マーク等のスクライブ領域に設けられるマークを前記工
程を施さないシリコン酸化膜の上に形成しても良い。
【００１２】（２）また、（１）において、前記金属配
線層は、前記周辺除去工程による処理を施するものであ
ることを特徴とする半導体装置の製造方法としたもので
ある。
線層は、前記周辺除去工程による処理を施するものであ
ることを特徴とする半導体装置の製造方法としたもので
ある。
【００１３】このような半導体装置の製造方法にするこ
とで、金属配線層の表面にレジストを塗布し、当該レジ
ストのシリコンウエハの周辺域の部分を露光してエッチ
ングすることにより、金属配線層のシリコンウエハの周
辺域の部分が除去される。よって、クランプがシリコン
ウエハの周辺域を押圧することにより、シリコンウエハ
を保持する装置を用いる場合において、クランプが押圧
する部位に金属配線層が存在しないので、クランプが金
属配線層や金属配線層に塗布されたレジストを破損し、
金属配線層やレジストの破損片が半導体装置の歩留まり
を低下させる異物となることを防止できる。
とで、金属配線層の表面にレジストを塗布し、当該レジ
ストのシリコンウエハの周辺域の部分を露光してエッチ
ングすることにより、金属配線層のシリコンウエハの周
辺域の部分が除去される。よって、クランプがシリコン
ウエハの周辺域を押圧することにより、シリコンウエハ
を保持する装置を用いる場合において、クランプが押圧
する部位に金属配線層が存在しないので、クランプが金
属配線層や金属配線層に塗布されたレジストを破損し、
金属配線層やレジストの破損片が半導体装置の歩留まり
を低下させる異物となることを防止できる。
【００１４】（３）また、シリコンウエハ上に形成され
た下地層に塗布されたフォトレジストのうち、前記シリ
コンウエハの周辺域に塗布された部分を露光して除去
し、前記下地層のうち、前記周辺域に塗布された部分が
除去されて露出した部分をエッチングして除去する周辺
除去工程を有する半導体装置の製造方法において、前記
下地層として形成されるシリコン酸化膜に前記周辺除去
工程による処理を施して、前記シリコン酸化膜の周辺部
を除去し、前記周辺除去工程による処理を施した前記シ
リコン酸化膜の上に金属配線層を形成し、前記金属配線
層に前記周辺除去工程による処理を施して、少なくとも
前記シリコン酸化膜の周辺部の面積と同一面積の前記金
属配線層の周辺部を除去することを特徴とする半導体装
置の製造方法としたものである。
た下地層に塗布されたフォトレジストのうち、前記シリ
コンウエハの周辺域に塗布された部分を露光して除去
し、前記下地層のうち、前記周辺域に塗布された部分が
除去されて露出した部分をエッチングして除去する周辺
除去工程を有する半導体装置の製造方法において、前記
下地層として形成されるシリコン酸化膜に前記周辺除去
工程による処理を施して、前記シリコン酸化膜の周辺部
を除去し、前記周辺除去工程による処理を施した前記シ
リコン酸化膜の上に金属配線層を形成し、前記金属配線
層に前記周辺除去工程による処理を施して、少なくとも
前記シリコン酸化膜の周辺部の面積と同一面積の前記金
属配線層の周辺部を除去することを特徴とする半導体装
置の製造方法としたものである。
【００１５】このような半導体装置の製造方法にするこ
とで、シリコン酸化膜と金属配線層とのシリコンウエハ
の周辺域の部分が除去される。よって、クランプがシリ
コンウエハの周辺域を押圧することにより、シリコンウ
エハを保持する装置を用いる場合において、クランプが
押圧する部位にシリコン酸化膜や金属配線層、またはこ
れらに塗布されたレジストが存在しないので、クランプ
がこれらを破損し、これらの破損片が半導体装置の歩留
まりを低下させる異物となることを防止できる。
とで、シリコン酸化膜と金属配線層とのシリコンウエハ
の周辺域の部分が除去される。よって、クランプがシリ
コンウエハの周辺域を押圧することにより、シリコンウ
エハを保持する装置を用いる場合において、クランプが
押圧する部位にシリコン酸化膜や金属配線層、またはこ
れらに塗布されたレジストが存在しないので、クランプ
がこれらを破損し、これらの破損片が半導体装置の歩留
まりを低下させる異物となることを防止できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下に本発明の具体的な実施形態
について図面を参照して詳細に説明する。
について図面を参照して詳細に説明する。
【００１７】図１は、本発明の実施形態を示す断面図で
あり、また、図２は、本発明の別の実施形態を示す断面
図であり、また、図３は、本発明のさらに別の実装状態
を示す断面図である。なお、これらの図は、すべて図４
（１）のシリコンウエハの周辺域４１付近においてＡ−
Ａ線で示される部分の断面を表したものである。
あり、また、図２は、本発明の別の実施形態を示す断面
図であり、また、図３は、本発明のさらに別の実装状態
を示す断面図である。なお、これらの図は、すべて図４
（１）のシリコンウエハの周辺域４１付近においてＡ−
Ａ線で示される部分の断面を表したものである。
【００１８】図１に示す実施形態は、半導体装置の製造
工程において、シリコンウエハ１１上に、層間絶縁膜と
なるシリコン酸化膜２１および２２を形成し、その上に
金属配線層２３を形成した状態を示しており、シリコン
酸化膜のうち、少なくとも１つについて周辺露光による
除去を行わないことにより、金属配線層２３がいずれか
のシリコン酸化膜の上に形成される構成としている。
工程において、シリコンウエハ１１上に、層間絶縁膜と
なるシリコン酸化膜２１および２２を形成し、その上に
金属配線層２３を形成した状態を示しており、シリコン
酸化膜のうち、少なくとも１つについて周辺露光による
除去を行わないことにより、金属配線層２３がいずれか
のシリコン酸化膜の上に形成される構成としている。
【００１９】具体的には、（１）シリコンウエハ１１上
に、シリコン酸化膜２１を形成し、（２）シリコン酸化
膜２１の上に別のシリコン酸化膜２２を形成し、（３）
シリコン酸化膜２２の上にレジストを塗布し、シリコン
ウエハ１１の周辺域上に形成された部分を露光してエッ
チングにより除去し（いわゆる周辺露光を利用した除
去）、（４）シリコン酸化膜２２、およびシリコン酸化
膜２２を除去することにより露出したシリコン酸化膜２
１の上に金属配線層２３を形成し、（５）金属配線層に
レジストを塗布して露光し、パターンを形成するための
エッチングをして開口部３１を設ける工程を経た段階の
ものである。
に、シリコン酸化膜２１を形成し、（２）シリコン酸化
膜２１の上に別のシリコン酸化膜２２を形成し、（３）
シリコン酸化膜２２の上にレジストを塗布し、シリコン
ウエハ１１の周辺域上に形成された部分を露光してエッ
チングにより除去し（いわゆる周辺露光を利用した除
去）、（４）シリコン酸化膜２２、およびシリコン酸化
膜２２を除去することにより露出したシリコン酸化膜２
１の上に金属配線層２３を形成し、（５）金属配線層に
レジストを塗布して露光し、パターンを形成するための
エッチングをして開口部３１を設ける工程を経た段階の
ものである。
【００２０】シリコン酸化膜２１は、シリコン酸化膜２
２のようにエッチングされておらず、シリコンウエハ１
１の全面にわたって形成されている。よって、金属配線
層２３の下には必ずシリコン酸化膜２１または２２が存
在することになる。したがって、金属配線層２３を塩素
系ガス等でエッチングしても、金属配線層２３下のシリ
コン酸化膜２１または２２は、ほとんどエッチングされ
ず、金属配線層の直下がエッチングされて金属配線層が
剥離することがない。
２のようにエッチングされておらず、シリコンウエハ１
１の全面にわたって形成されている。よって、金属配線
層２３の下には必ずシリコン酸化膜２１または２２が存
在することになる。したがって、金属配線層２３を塩素
系ガス等でエッチングしても、金属配線層２３下のシリ
コン酸化膜２１または２２は、ほとんどエッチングされ
ず、金属配線層の直下がエッチングされて金属配線層が
剥離することがない。
【００２１】よって、シリコンウエハの上に直接金属配
線が形成されることがないので、金属配線がエッチング
で剥離することにより、飛散する、あるいはシリコンウ
エハを洗浄する際に洗浄薬液中を浮遊するなどして他の
部分に再付着すると言う従来技術における問題を解消す
ることが可能となる。
線が形成されることがないので、金属配線がエッチング
で剥離することにより、飛散する、あるいはシリコンウ
エハを洗浄する際に洗浄薬液中を浮遊するなどして他の
部分に再付着すると言う従来技術における問題を解消す
ることが可能となる。
【００２２】なお、図１に示す実施形態においては、金
属配線層を１層、シリコン酸化膜を２層形成したものを
事例として説明したが、この実施形態は、これらの層数
のものに限定されるものでなく、シリコン酸化膜のいず
れか１層について周辺露光によるエッチングがされてお
らず、このエッチングされていないシリコン酸化膜の上
に金属配線層の形成されている、または当該シリコン酸
化膜の上に形成されている別のシリコン酸化膜の上に金
属配線層が形成されている構成であれば良い。
属配線層を１層、シリコン酸化膜を２層形成したものを
事例として説明したが、この実施形態は、これらの層数
のものに限定されるものでなく、シリコン酸化膜のいず
れか１層について周辺露光によるエッチングがされてお
らず、このエッチングされていないシリコン酸化膜の上
に金属配線層の形成されている、または当該シリコン酸
化膜の上に形成されている別のシリコン酸化膜の上に金
属配線層が形成されている構成であれば良い。
【００２３】また、この実施形態においては、金属配線
層２３には周辺露光によるエッチングがされていないの
で、金属配線層２３がクランプに押圧されることにより
破損して異物となることを防止するために、シリコンウ
エハ１１の保持は、シリコンウエハ１１の裏面側に減圧
してステージ上に吸着する装置を用いたり、静電吸着す
る装置を用いたりして行われることが好ましい。
層２３には周辺露光によるエッチングがされていないの
で、金属配線層２３がクランプに押圧されることにより
破損して異物となることを防止するために、シリコンウ
エハ１１の保持は、シリコンウエハ１１の裏面側に減圧
してステージ上に吸着する装置を用いたり、静電吸着す
る装置を用いたりして行われることが好ましい。
【００２４】また、図２は、別の実施形態を示すもので
あり、図１と同様の構成のものにおいて、金属配線層の
周辺露光部分の幅９１に示す部分を周辺露光によるエッ
チングにより除去している。よって、図１に示す実施形
態と同様の作用が得られるのと同時に、クランプがシリ
コンウエハ１１の周辺域の金属配線層を押圧することに
より、シリコンウエハを保持する装置を用いる場合にお
いて、クランプが押圧する部位にレジストや金属配線層
が存在しないので、クランプがレジストや金属配線層を
破損し、レジストや金属配線層の破損片が飛散する、あ
るいはシリコンウエハを洗浄する際に洗浄薬液中を浮遊
して他の部分に再付着するなど、半導体装置の歩留まり
を低下させる異物となることを防止することができる。
あり、図１と同様の構成のものにおいて、金属配線層の
周辺露光部分の幅９１に示す部分を周辺露光によるエッ
チングにより除去している。よって、図１に示す実施形
態と同様の作用が得られるのと同時に、クランプがシリ
コンウエハ１１の周辺域の金属配線層を押圧することに
より、シリコンウエハを保持する装置を用いる場合にお
いて、クランプが押圧する部位にレジストや金属配線層
が存在しないので、クランプがレジストや金属配線層を
破損し、レジストや金属配線層の破損片が飛散する、あ
るいはシリコンウエハを洗浄する際に洗浄薬液中を浮遊
して他の部分に再付着するなど、半導体装置の歩留まり
を低下させる異物となることを防止することができる。
【００２５】なお、図２に示す実施形態においても、金
属配線層を１層、シリコン酸化膜を２層形成したものを
事例として説明したが、これらの層数のものに限定され
るものでなく、すべての金属配線層について金属配線層
の周辺露光部分の幅９１に示す部分を周辺露光によるエ
ッチングにより除去する構成であれば良い。
属配線層を１層、シリコン酸化膜を２層形成したものを
事例として説明したが、これらの層数のものに限定され
るものでなく、すべての金属配線層について金属配線層
の周辺露光部分の幅９１に示す部分を周辺露光によるエ
ッチングにより除去する構成であれば良い。
【００２６】また、一部のシリコン酸化膜には周辺露光
によるエッチングを行わないので、当該シリコン酸化膜
がクランプに押圧されることにより破損し、破損片が製
造工程における異物となることを防止するために、シリ
コンウエハ１１の周辺域に当該シリコン酸化膜が露出し
ている状態においては、シリコンウエハの保持は、シリ
コンウエハの裏面側に減圧してステージ上に吸着する装
置を用いたり、静電吸着する装置を用いたりして行われ
ることが好ましい。
によるエッチングを行わないので、当該シリコン酸化膜
がクランプに押圧されることにより破損し、破損片が製
造工程における異物となることを防止するために、シリ
コンウエハ１１の周辺域に当該シリコン酸化膜が露出し
ている状態においては、シリコンウエハの保持は、シリ
コンウエハの裏面側に減圧してステージ上に吸着する装
置を用いたり、静電吸着する装置を用いたりして行われ
ることが好ましい。
【００２７】また、図３は、さらに別の実施形態を示す
ものであり、図２と同様の構成のものにおいて、シリコ
ン酸化膜の周辺露光部分の幅９２に示す部分を周辺露光
によるエッチングにより除去している。よって、図１に
示す実施形態と同様の作用が得られるのと同時に、クラ
ンプがシリコンウエハ１１の周辺域のシリコン酸化膜を
押圧することにより、シリコンウエハを保持する装置を
用いる場合において、クランプが押圧する部位にレジス
トや金属配線層、シリコン酸化膜が存在しないので、ク
ランプがレジストや金属配線層、シリコン酸化膜を破損
し、レジストや金属配線層、シリコン酸化膜の破損片が
飛散する、あるいはシリコンウエハを洗浄する際に洗浄
薬液中を浮遊して他の部分に再付着するなど、半導体装
置の歩留まりを低下させる異物となることを防止するこ
とができる。
ものであり、図２と同様の構成のものにおいて、シリコ
ン酸化膜の周辺露光部分の幅９２に示す部分を周辺露光
によるエッチングにより除去している。よって、図１に
示す実施形態と同様の作用が得られるのと同時に、クラ
ンプがシリコンウエハ１１の周辺域のシリコン酸化膜を
押圧することにより、シリコンウエハを保持する装置を
用いる場合において、クランプが押圧する部位にレジス
トや金属配線層、シリコン酸化膜が存在しないので、ク
ランプがレジストや金属配線層、シリコン酸化膜を破損
し、レジストや金属配線層、シリコン酸化膜の破損片が
飛散する、あるいはシリコンウエハを洗浄する際に洗浄
薬液中を浮遊して他の部分に再付着するなど、半導体装
置の歩留まりを低下させる異物となることを防止するこ
とができる。
【００２８】なお、金属配線層２３がシリコンウエハ１
１の上に直接形成されている状態、つまり図１に示した
状態になることを避けるために、金属配線層の周辺露光
部分の幅９１は、シリコン酸化膜の周辺露光部分の幅９
２よりも大きいものとする必要がある。このようにする
ことにより、金属配線層２３が必ずシリコン酸化膜２１
の上に存在する状態となる。
１の上に直接形成されている状態、つまり図１に示した
状態になることを避けるために、金属配線層の周辺露光
部分の幅９１は、シリコン酸化膜の周辺露光部分の幅９
２よりも大きいものとする必要がある。このようにする
ことにより、金属配線層２３が必ずシリコン酸化膜２１
の上に存在する状態となる。
【００２９】また、図３に示す実施形態においても、金
属配線層を１層、シリコン酸化膜を２層形成したものを
事例として説明したが、これらの層数のものに限定され
るものでない。
属配線層を１層、シリコン酸化膜を２層形成したものを
事例として説明したが、これらの層数のものに限定され
るものでない。
【００３０】なお、これらの実施形態において、金属配
線層の材質は、金属配線層を形成するために利用されて
いる物であれば、どのような材質のものでも良い。
線層の材質は、金属配線層を形成するために利用されて
いる物であれば、どのような材質のものでも良い。
【００３１】また、これらの実施形態において、金属配
線層のほかに、アライメントマークなど、シリコンウエ
ハのスクライブ領域に形成されたマークを同じシリコン
酸化膜の上に形成する構成としても良い。
線層のほかに、アライメントマークなど、シリコンウエ
ハのスクライブ領域に形成されたマークを同じシリコン
酸化膜の上に形成する構成としても良い。
【００３２】以上のように、本発明の実施形態において
は、いわゆる周辺露光を適用する半導体装置の製造工程
において、シリコンウエハの周辺域に形成された金属配
線層、レジスト、シリコン酸化膜がの一部が飛散する、
あるいは洗浄薬液中を浮遊することにより、半導体装置
の製造工程における異物となることを防止することがで
きるので、半導体装置の歩留まりの向上を図れる。
は、いわゆる周辺露光を適用する半導体装置の製造工程
において、シリコンウエハの周辺域に形成された金属配
線層、レジスト、シリコン酸化膜がの一部が飛散する、
あるいは洗浄薬液中を浮遊することにより、半導体装置
の製造工程における異物となることを防止することがで
きるので、半導体装置の歩留まりの向上を図れる。
【００３３】
【発明の効果】以前述べたように、本発明は、シリコン
ウエハ上に形成された下地層に塗布されたフォトレジス
トのうち、前記シリコンウエハの周辺域に塗布された部
分を露光して除去し、前記下地層のうち、前記周辺域に
塗布された部分が除去されて露出した部分をエッチング
して除去する周辺除去工程を有する半導体装置の製造方
法において、前記下地層として形成されるシリコン酸化
膜のうち、少なくとも１層以外の前記シリコン酸化膜に
前記周辺除去工程による処理を施し、前記周辺除去工程
による処理を施した前記シリコン酸化膜以外の前記シリ
コン酸化膜の上に金属配線層を形成することを特徴とす
る半導体装置の製造方法としたので、半導体装置の製造
工程における異物となるものの発生を抑えることがで
き、半導体装置の歩留まりの向上を図ることができる。
ウエハ上に形成された下地層に塗布されたフォトレジス
トのうち、前記シリコンウエハの周辺域に塗布された部
分を露光して除去し、前記下地層のうち、前記周辺域に
塗布された部分が除去されて露出した部分をエッチング
して除去する周辺除去工程を有する半導体装置の製造方
法において、前記下地層として形成されるシリコン酸化
膜のうち、少なくとも１層以外の前記シリコン酸化膜に
前記周辺除去工程による処理を施し、前記周辺除去工程
による処理を施した前記シリコン酸化膜以外の前記シリ
コン酸化膜の上に金属配線層を形成することを特徴とす
る半導体装置の製造方法としたので、半導体装置の製造
工程における異物となるものの発生を抑えることがで
き、半導体装置の歩留まりの向上を図ることができる。
【００３４】また、シリコンウエハ上に形成された下地
層に塗布されたフォトレジストのうち、前記シリコンウ
エハの周辺域に塗布された部分を露光して除去し、前記
下地層のうち、前記周辺域に塗布された部分が除去され
て露出した部分をエッチングして除去する周辺除去工程
を有する半導体装置の製造方法において、前記下地層と
して形成されるシリコン酸化膜に前記周辺除去工程によ
る処理を施して、前記シリコン酸化膜の周辺部を除去
し、前記周辺除去工程による処理を施した前記シリコン
酸化膜の上に金属配線層を形成し、前記金属配線層に前
記周辺除去工程による処理を施して、少なくとも前記シ
リコン酸化膜の周辺部の面積と同一面積の前記金属配線
層の周辺部を除去することを特徴とする半導体装置の製
造方法としたので、シリコンウエハをクランプにより保
持しても、これに由来する異物の発生を抑えることがで
き、半導体装置の歩留まりの向上を図ることができる。
層に塗布されたフォトレジストのうち、前記シリコンウ
エハの周辺域に塗布された部分を露光して除去し、前記
下地層のうち、前記周辺域に塗布された部分が除去され
て露出した部分をエッチングして除去する周辺除去工程
を有する半導体装置の製造方法において、前記下地層と
して形成されるシリコン酸化膜に前記周辺除去工程によ
る処理を施して、前記シリコン酸化膜の周辺部を除去
し、前記周辺除去工程による処理を施した前記シリコン
酸化膜の上に金属配線層を形成し、前記金属配線層に前
記周辺除去工程による処理を施して、少なくとも前記シ
リコン酸化膜の周辺部の面積と同一面積の前記金属配線
層の周辺部を除去することを特徴とする半導体装置の製
造方法としたので、シリコンウエハをクランプにより保
持しても、これに由来する異物の発生を抑えることがで
き、半導体装置の歩留まりの向上を図ることができる。
【図１】 本発明の実施形態を示す断面図である。
【図２】 本発明の別の実施形態を示す断面図である。
【図３】 本発明のさらに別の実装状態を示す断面図で
ある。
ある。
【図４】 従来の周辺露光を適用した半導体装置の製造
方法を示す図であり、（１）は、シリコンウエハの周辺
域を示す図であり、（２）は、従来の周辺露光を適用し
た半導体装置の製造方法を示す断面図である。
方法を示す図であり、（１）は、シリコンウエハの周辺
域を示す図であり、（２）は、従来の周辺露光を適用し
た半導体装置の製造方法を示す断面図である。
１１ シリコンウエハ ２１ シリコン酸化膜 ２２ シリコン酸化膜 ２３ 金属配線層 ２５ 剥離状態の金属配線 ２６ 金属配線層を除去した部分 ２７ シリコン酸化膜を除去した部分 ３１ 開口部 ３２ オーバーエッチングされた部分 ４１ 周辺域 ５１ クランプ ９１ 金属配線層の周辺露光部分の幅 ９２ シリコン酸化膜の周辺露光部分の幅 Ａ 切断部
Claims (3)
- 【請求項１】 シリコンウエハ上に形成された下地層に
塗布されたフォトレジストのうち、前記シリコンウエハ
の周辺域に塗布された部分を露光して除去し、前記下地
層のうち、前記周辺域に塗布された部分が除去されて露
出した部分をエッチングして除去する周辺除去工程を有
する半導体装置の製造方法において、 前記下地層として形成されるシリコン酸化膜のうち、少
なくとも１層以外の前記シリコン酸化膜に前記周辺除去
工程による処理を施し、 前記周辺除去工程による処理を施した前記シリコン酸化
膜以外の前記シリコン酸化膜の上に金属配線層を形成す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記金属配線層は、前記周辺除去工程に
よる処理を施するものであることを特徴とする請求項１
に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 シリコンウエハ上に形成された下地層に
塗布されたフォトレジストのうち、前記シリコンウエハ
の周辺域に塗布された部分を露光して除去し、前記下地
層のうち、前記周辺域に塗布された部分が除去されて露
出した部分をエッチングして除去する周辺除去工程を有
する半導体装置の製造方法において、 前記下地層として形成されるシリコン酸化膜に前記周辺
除去工程による処理を施して、前記シリコン酸化膜の周
辺部を除去し、 前記周辺除去工程による処理を施した前記シリコン酸化
膜の上に金属配線層を形成し、 前記金属配線層に前記周辺除去工程による処理を施し
て、少なくとも前記シリコン酸化膜の周辺部の面積と同
一面積の前記金属配線層の周辺部を除去することを特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10302821A JP3061040B2 (ja) | 1998-03-09 | 1998-10-23 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-57205 | 1998-03-09 | ||
| JP5720598 | 1998-03-09 | ||
| JP10302821A JP3061040B2 (ja) | 1998-03-09 | 1998-10-23 | 半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000029202A Division JP2000173885A (ja) | 1998-03-09 | 2000-02-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11329920A true JPH11329920A (ja) | 1999-11-30 |
| JP3061040B2 JP3061040B2 (ja) | 2000-07-10 |
Family
ID=26398220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10302821A Expired - Fee Related JP3061040B2 (ja) | 1998-03-09 | 1998-10-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3061040B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020035708A (ko) * | 2000-11-08 | 2002-05-15 | 박종섭 | 반도체 제조 방법 |
-
1998
- 1998-10-23 JP JP10302821A patent/JP3061040B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020035708A (ko) * | 2000-11-08 | 2002-05-15 | 박종섭 | 반도체 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3061040B2 (ja) | 2000-07-10 |
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