JPH07335590A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH07335590A JPH07335590A JP12226894A JP12226894A JPH07335590A JP H07335590 A JPH07335590 A JP H07335590A JP 12226894 A JP12226894 A JP 12226894A JP 12226894 A JP12226894 A JP 12226894A JP H07335590 A JPH07335590 A JP H07335590A
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- film
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 ダイシングライン領域開口部の上層のＰＳＧ
膜と下層のＰＳＧ膜側部に形成した耐湿性リングを高圧
純水で洗浄しても、剥れ難くすることができる。 【構成】 基板１の素子領域及びダイシングライン領域
上に第１の絶縁膜２を形成し、第１の絶縁膜２上に金属
膜３を形成し、ダイシングライン領域の金属膜３をエッ
チングした後、金属膜３及び第１の絶縁膜２を覆うよう
に第２の絶縁膜４を形成し、第２の絶縁膜４上にスピン
オングラス膜を形成し、スピンオングラス膜をエッチバ
ックして、ダイシングライン領域の第２の絶縁膜４上の
スピンオングラス膜を除去した後、第２の絶縁膜４上に
第３の絶縁膜５を形成し、スクライブライン領域の第３
の絶縁膜５、第２の絶縁膜４及び第１の絶縁膜２をエッ
チングして基板１が露出された開口部６を形成し、開口
部６内の該第３の絶縁膜５、第２の絶縁膜４及び第１の
絶縁膜２側部に耐湿性リング７を形成する。
膜と下層のＰＳＧ膜側部に形成した耐湿性リングを高圧
純水で洗浄しても、剥れ難くすることができる。 【構成】 基板１の素子領域及びダイシングライン領域
上に第１の絶縁膜２を形成し、第１の絶縁膜２上に金属
膜３を形成し、ダイシングライン領域の金属膜３をエッ
チングした後、金属膜３及び第１の絶縁膜２を覆うよう
に第２の絶縁膜４を形成し、第２の絶縁膜４上にスピン
オングラス膜を形成し、スピンオングラス膜をエッチバ
ックして、ダイシングライン領域の第２の絶縁膜４上の
スピンオングラス膜を除去した後、第２の絶縁膜４上に
第３の絶縁膜５を形成し、スクライブライン領域の第３
の絶縁膜５、第２の絶縁膜４及び第１の絶縁膜２をエッ
チングして基板１が露出された開口部６を形成し、開口
部６内の該第３の絶縁膜５、第２の絶縁膜４及び第１の
絶縁膜２側部に耐湿性リング７を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に係り、詳しくは、チップのダイシングライン部にメタ
ル等の耐湿性リングを形成する半導体装置の製造方法に
適用することができ、特に、ダイシングライン領域開口
部の上層のＰＳＧ層間絶縁膜と下層のＰＳＧ層間絶縁膜
側部に形成した耐湿性リングを高圧の純水で洗浄して
も、剥れ難くすることができる半導体装置の製造方法に
関する。
に係り、詳しくは、チップのダイシングライン部にメタ
ル等の耐湿性リングを形成する半導体装置の製造方法に
適用することができ、特に、ダイシングライン領域開口
部の上層のＰＳＧ層間絶縁膜と下層のＰＳＧ層間絶縁膜
側部に形成した耐湿性リングを高圧の純水で洗浄して
も、剥れ難くすることができる半導体装置の製造方法に
関する。
【０００２】近年、半導体装置では、チップ外周のダイ
シングライン領域に形成されるＰＳＧ等の層間絶縁膜側
部には、層間絶縁膜が水分を吸収してＳｉ基板から剥が
れたりするのを防止するように、ＬＳＩ素子の耐湿性を
向上させるために、Ａｌ等の耐湿性リングを形成してい
る。しかしながら、この耐湿性リングは、ウェーハを洗
浄する際に剥がれ易いという問題を有している。このた
め、洗浄する際に耐湿性リングを剥がれ難くすることが
できる半導体装置の製造方法が要求されている。
シングライン領域に形成されるＰＳＧ等の層間絶縁膜側
部には、層間絶縁膜が水分を吸収してＳｉ基板から剥が
れたりするのを防止するように、ＬＳＩ素子の耐湿性を
向上させるために、Ａｌ等の耐湿性リングを形成してい
る。しかしながら、この耐湿性リングは、ウェーハを洗
浄する際に剥がれ易いという問題を有している。このた
め、洗浄する際に耐湿性リングを剥がれ難くすることが
できる半導体装置の製造方法が要求されている。
【０００３】
【従来の技術】図２は従来の半導体装置の製造方法を示
す図である。従来では、まず、ＣＶＤ法等によりＳｉ等
の基板１００１上にＳｉＯ2 等の絶縁膜１００２を形成
し、ダイシングライン領域ＡのＳｉＯ2 絶縁膜１００２
部分をエッチングし、スパッタ法等により絶縁膜１００
２を覆うようにＡｌ等の金属膜１００３を形成した後、
素子領域に配線を形成するために、ダイシングライン領
域Ａと不要な領域のＡｌ金属膜１００３をエッチングす
る（図２（ａ））。このＡｌ金属膜１００３のエッチン
グにより、ダイシングライン領域ＡのＳｉ基板１００１
部分も少しエッチングされ、ダイシングラインエッジ部
にＳｉ基板１００１による段差Ｂが生じる。
す図である。従来では、まず、ＣＶＤ法等によりＳｉ等
の基板１００１上にＳｉＯ2 等の絶縁膜１００２を形成
し、ダイシングライン領域ＡのＳｉＯ2 絶縁膜１００２
部分をエッチングし、スパッタ法等により絶縁膜１００
２を覆うようにＡｌ等の金属膜１００３を形成した後、
素子領域に配線を形成するために、ダイシングライン領
域Ａと不要な領域のＡｌ金属膜１００３をエッチングす
る（図２（ａ））。このＡｌ金属膜１００３のエッチン
グにより、ダイシングライン領域ＡのＳｉ基板１００１
部分も少しエッチングされ、ダイシングラインエッジ部
にＳｉ基板１００１による段差Ｂが生じる。
【０００４】次に、ＣＶＤ法によりＡｌ金属膜１００３
を覆うように全面にＰＳＧ等の層間絶縁膜１００４を形
成し、素子部等に生じた大きな配線段差部（図示せず）
を表面平坦化するためにスピンコート法等によりＰＳＧ
層間絶縁膜１００４上にＳＯＧ膜１００５を塗布形成し
た後、ＲＩＥ法等によりＳＯＧ膜１００５をエッチバッ
クする（図２（ｂ））。この時、ＰＳＧ層間絶縁膜１０
０４を形成すると、Ａｌ金属膜１００３、ＳｉＯ2 絶縁
膜１００２及びダイシングライン領域ＡのＳｉ基板１０
０１による段差に対応したＰＳＧ層間絶縁膜１００４に
よる段差が生じ、ＳＯＧ膜１００５をエッチバックする
と、ＰＳＧ層間絶縁膜１００４による段差部分にＳＯＧ
膜１００５が残される。なお、素子部等に生じた大きな
配線段差部は、ＳＯＧ膜１００５によって表面が平坦化
される。
を覆うように全面にＰＳＧ等の層間絶縁膜１００４を形
成し、素子部等に生じた大きな配線段差部（図示せず）
を表面平坦化するためにスピンコート法等によりＰＳＧ
層間絶縁膜１００４上にＳＯＧ膜１００５を塗布形成し
た後、ＲＩＥ法等によりＳＯＧ膜１００５をエッチバッ
クする（図２（ｂ））。この時、ＰＳＧ層間絶縁膜１０
０４を形成すると、Ａｌ金属膜１００３、ＳｉＯ2 絶縁
膜１００２及びダイシングライン領域ＡのＳｉ基板１０
０１による段差に対応したＰＳＧ層間絶縁膜１００４に
よる段差が生じ、ＳＯＧ膜１００５をエッチバックする
と、ＰＳＧ層間絶縁膜１００４による段差部分にＳＯＧ
膜１００５が残される。なお、素子部等に生じた大きな
配線段差部は、ＳＯＧ膜１００５によって表面が平坦化
される。
【０００５】次に、ＣＶＤ法等により全面にＰＳＧ等の
層間絶縁膜１００６を形成し、ＣＦ 4 ガス等のＲＩＥ法
により、ダイシングライン領域のＰＳＧ層間絶縁膜１０
０６、ＳＯＧ膜１００５及びＰＳＧ層間絶縁膜１００４
部分をエッチングしてダイシングライン領域ＡにＳｉ基
板１００１が露出された開口部１００７を形成する。こ
の時、開口部１００７内には、ＰＳＧ層間絶縁膜１００
６とＰＳＧ層間絶縁膜１００４側部が露出されるが、Ｐ
ＳＧ層間絶縁膜１００６とＰＳＧ層間絶縁膜１００４間
のＳＯＧ膜１００５は、ＣＦ4 ガス等のドライエッチン
グによってエッチングされて中空１００８が形成され
る。
層間絶縁膜１００６を形成し、ＣＦ 4 ガス等のＲＩＥ法
により、ダイシングライン領域のＰＳＧ層間絶縁膜１０
０６、ＳＯＧ膜１００５及びＰＳＧ層間絶縁膜１００４
部分をエッチングしてダイシングライン領域ＡにＳｉ基
板１００１が露出された開口部１００７を形成する。こ
の時、開口部１００７内には、ＰＳＧ層間絶縁膜１００
６とＰＳＧ層間絶縁膜１００４側部が露出されるが、Ｐ
ＳＧ層間絶縁膜１００６とＰＳＧ層間絶縁膜１００４間
のＳＯＧ膜１００５は、ＣＦ4 ガス等のドライエッチン
グによってエッチングされて中空１００８が形成され
る。
【０００６】そして、スパッタ法等により全面にＡｌ等
の金属膜１００９を形成し、開口部１００７内のＰＳＧ
層間絶縁膜１００６及びＰＳＧ層間絶縁膜１００４側部
にＬＳＩ素子の耐湿性を向上するための耐湿性リングを
形成するために、不要なＡｌ金属膜１００９部分をエッ
チングする（図２（ｃ））。耐湿性リングとなる金属膜
１００９は、通常、ＬＳＩ素子の耐湿性を向上するため
に、チップの外周に形成される。
の金属膜１００９を形成し、開口部１００７内のＰＳＧ
層間絶縁膜１００６及びＰＳＧ層間絶縁膜１００４側部
にＬＳＩ素子の耐湿性を向上するための耐湿性リングを
形成するために、不要なＡｌ金属膜１００９部分をエッ
チングする（図２（ｃ））。耐湿性リングとなる金属膜
１００９は、通常、ＬＳＩ素子の耐湿性を向上するため
に、チップの外周に形成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記したような従来の
半導体装置の製造方法では、ＰＳＧ層間絶縁膜１００６
とＰＳＧ層間絶縁膜１００４間に中空１００８が形成さ
れた状態で、開口部１００７内のＰＳＧ層間絶縁膜１０
０６、１００４側部に耐湿性リングとなる金属膜１００
９を形成している。
半導体装置の製造方法では、ＰＳＧ層間絶縁膜１００６
とＰＳＧ層間絶縁膜１００４間に中空１００８が形成さ
れた状態で、開口部１００７内のＰＳＧ層間絶縁膜１０
０６、１００４側部に耐湿性リングとなる金属膜１００
９を形成している。
【０００８】そして、耐湿性リングとなる金属膜１００
９を形成した後、高圧（３０〜５０ｋｇ／ｃｍ2 程度）
の純水をウェーハに吹き付けることによってウェーハに
付着した異物等の汚れを除去するためのＨＰＣ（Ｈｉｇ
ｈ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｌｅａｎｅｒ）等の洗浄を行
うと、耐湿性リングとなる金属膜１００９と接している
部分には、ＰＳＧ層間絶縁膜１００６とＰＳＧ層間絶縁
膜１００４間に中空１００８があり、その分耐湿性リン
グとなる金属膜１００９の接着力が弱くなっているた
め、高圧の純水で洗浄することによって耐湿性リングと
なる金属膜１００９が剥がれ易いという問題があった。
９を形成した後、高圧（３０〜５０ｋｇ／ｃｍ2 程度）
の純水をウェーハに吹き付けることによってウェーハに
付着した異物等の汚れを除去するためのＨＰＣ（Ｈｉｇ
ｈ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｌｅａｎｅｒ）等の洗浄を行
うと、耐湿性リングとなる金属膜１００９と接している
部分には、ＰＳＧ層間絶縁膜１００６とＰＳＧ層間絶縁
膜１００４間に中空１００８があり、その分耐湿性リン
グとなる金属膜１００９の接着力が弱くなっているた
め、高圧の純水で洗浄することによって耐湿性リングと
なる金属膜１００９が剥がれ易いという問題があった。
【０００９】そこで、本発明は、ダイシングライン領域
の上層のＰＳＧ層間絶縁膜と下層のＰＳＧ層間絶縁膜間
に表面平坦化用のＳＯＧ膜を残らないようにすることが
でき、ダイシングライン領域に開口部形成用のエッチン
グを行った時、その部分にＳＯＧ膜のエッチングによる
中空を形成しないようにすることができ、ダイシングラ
イン領域開口部の上層のＰＳＧ層間絶縁膜と下層のＰＳ
Ｇ層間絶縁膜側部に形成した耐湿性リングを高圧の純水
で洗浄しても、剥れ難くすることができる半導体装置の
製造方法を提供することを目的としている。
の上層のＰＳＧ層間絶縁膜と下層のＰＳＧ層間絶縁膜間
に表面平坦化用のＳＯＧ膜を残らないようにすることが
でき、ダイシングライン領域に開口部形成用のエッチン
グを行った時、その部分にＳＯＧ膜のエッチングによる
中空を形成しないようにすることができ、ダイシングラ
イン領域開口部の上層のＰＳＧ層間絶縁膜と下層のＰＳ
Ｇ層間絶縁膜側部に形成した耐湿性リングを高圧の純水
で洗浄しても、剥れ難くすることができる半導体装置の
製造方法を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
基板の素子領域及びダイシングライン領域上に第１の絶
縁膜を形成する工程と、次いで、該第１の絶縁膜上に金
属膜を形成する工程と、次いで、ダイシングライン領域
の該金属膜をエッチングする工程と、次いで、該金属膜
及び該第１の絶縁膜を覆うように第２の絶縁膜を形成す
る工程と、次いで、該第２の絶縁膜上にスピンオングラ
ス膜を形成する工程と、次いで、該スピンオングラス膜
をエッチバックして、ダイシングライン領域の該第２の
絶縁膜上の該スピンオングラス膜を除去する工程と、次
いで、該第２の絶縁膜上に該第３の絶縁膜を形成する工
程と、次いで、スクライブライン領域の該第３の絶縁
膜、該第２の絶縁膜及び該第１の絶縁膜をエッチングし
て該基板が露出された開口部を形成する工程と、次い
で、該開口部内の該第３の絶縁膜、該第２の絶縁膜及び
該第１の絶縁膜側部に耐湿性リングを形成する工程とを
含むことを特徴とするものである。
基板の素子領域及びダイシングライン領域上に第１の絶
縁膜を形成する工程と、次いで、該第１の絶縁膜上に金
属膜を形成する工程と、次いで、ダイシングライン領域
の該金属膜をエッチングする工程と、次いで、該金属膜
及び該第１の絶縁膜を覆うように第２の絶縁膜を形成す
る工程と、次いで、該第２の絶縁膜上にスピンオングラ
ス膜を形成する工程と、次いで、該スピンオングラス膜
をエッチバックして、ダイシングライン領域の該第２の
絶縁膜上の該スピンオングラス膜を除去する工程と、次
いで、該第２の絶縁膜上に該第３の絶縁膜を形成する工
程と、次いで、スクライブライン領域の該第３の絶縁
膜、該第２の絶縁膜及び該第１の絶縁膜をエッチングし
て該基板が露出された開口部を形成する工程と、次い
で、該開口部内の該第３の絶縁膜、該第２の絶縁膜及び
該第１の絶縁膜側部に耐湿性リングを形成する工程とを
含むことを特徴とするものである。
【００１１】
【作用】本発明では、後述する実施例の図１に示す如
く、ダイシングライン領域ＡにＳｉＯ2 絶縁膜２を残し
た状態で、Ａｌ金属膜３を覆うようにＰＳＧ層間絶縁膜
４を形成しているため、スクライブライン領域ＡのＰＳ
Ｇ層間絶縁膜４による段差を従来のＡｌ金属膜３、Ｓｉ
Ｏ2 絶縁膜２及びＳｉ基板１の大きな段差によって生じ
る場合よりも極端に小さくすることができる。
く、ダイシングライン領域ＡにＳｉＯ2 絶縁膜２を残し
た状態で、Ａｌ金属膜３を覆うようにＰＳＧ層間絶縁膜
４を形成しているため、スクライブライン領域ＡのＰＳ
Ｇ層間絶縁膜４による段差を従来のＡｌ金属膜３、Ｓｉ
Ｏ2 絶縁膜２及びＳｉ基板１の大きな段差によって生じ
る場合よりも極端に小さくすることができる。
【００１２】このため、素子部等に生じた大きな配線段
差部を表面平坦化するためのＳＯＧ膜をＰＳＧ層間絶縁
膜４上に全面塗布し、全面エッチバックした時、スクラ
イブラインＡの段差の小さいＰＳＧ層間絶縁膜４上にＳ
ＯＧ膜を残さないように全てエッチングすることができ
るので、スクライブライン領域ＡのＰＳＧ層間絶縁膜４
上にＳＯＧ膜を介在させずに直接ＰＳＧ層間絶縁膜５を
形成することができる。
差部を表面平坦化するためのＳＯＧ膜をＰＳＧ層間絶縁
膜４上に全面塗布し、全面エッチバックした時、スクラ
イブラインＡの段差の小さいＰＳＧ層間絶縁膜４上にＳ
ＯＧ膜を残さないように全てエッチングすることができ
るので、スクライブライン領域ＡのＰＳＧ層間絶縁膜４
上にＳＯＧ膜を介在させずに直接ＰＳＧ層間絶縁膜５を
形成することができる。
【００１３】従って、ダイシングライン領域Ａに開口部
６形成用のエッチングを行った時、スクライブライン領
域ＡのＰＳＧ層間絶縁膜５とＰＳＧ層間絶縁膜４間にＳ
ＯＧ膜のエッチングによる中空を形成しないようにする
ことができるとともに、耐湿性リングとなるＡｌ金属膜
７を中空を介さずにＰＳＧ層間絶縁膜５、４側部だけで
なくＳｉＯ2 絶縁膜２側部にも形成することができるた
め、従来のＰＳＧ膜側部と中空部にＡｌ金属膜を形成し
ている場合よりも金属膜７の密着力を強くすることがで
き、この結果、耐湿性リングとなる金属膜７を高圧の純
水で洗浄しても、剥がれ難くすることができる。
６形成用のエッチングを行った時、スクライブライン領
域ＡのＰＳＧ層間絶縁膜５とＰＳＧ層間絶縁膜４間にＳ
ＯＧ膜のエッチングによる中空を形成しないようにする
ことができるとともに、耐湿性リングとなるＡｌ金属膜
７を中空を介さずにＰＳＧ層間絶縁膜５、４側部だけで
なくＳｉＯ2 絶縁膜２側部にも形成することができるた
め、従来のＰＳＧ膜側部と中空部にＡｌ金属膜を形成し
ている場合よりも金属膜７の密着力を強くすることがで
き、この結果、耐湿性リングとなる金属膜７を高圧の純
水で洗浄しても、剥がれ難くすることができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明に係る一実施例の半導体装置の製造
方法を示す図である。本実施例では、まず、ＣＶＤ法等
によりＳｉ等の基板１上にＳｉＯ2 等の絶縁膜２を形成
し、スパッタ法等によりＳｉＯ2 絶縁膜２上にＡｌ等の
金属膜３を形成した後、素子領域に配線を形成するため
に、ダイシングライン領域Ａと不要な領域のＡｌ金属膜
３部分をエッチングする。この時、素子領域に配線とな
るＡｌ金属膜３が形成されるとともに、ダイシングライ
ン領域ＡにＳｉＯ2 絶縁膜２が残される。
する。図１は本発明に係る一実施例の半導体装置の製造
方法を示す図である。本実施例では、まず、ＣＶＤ法等
によりＳｉ等の基板１上にＳｉＯ2 等の絶縁膜２を形成
し、スパッタ法等によりＳｉＯ2 絶縁膜２上にＡｌ等の
金属膜３を形成した後、素子領域に配線を形成するため
に、ダイシングライン領域Ａと不要な領域のＡｌ金属膜
３部分をエッチングする。この時、素子領域に配線とな
るＡｌ金属膜３が形成されるとともに、ダイシングライ
ン領域ＡにＳｉＯ2 絶縁膜２が残される。
【００１５】次に、ＣＶＤ法等によりＡｌ金属膜３を覆
うように全面にＰＳＧ等の層間絶縁膜４を形成する。こ
の時、ダイシングライン領域Ａには、Ａｌ金属膜３とＳ
ｉＯ 2 絶縁膜２による段差に対応したＰＳＧ層間絶縁膜
４による段差が生じる。次に、素子部等に生じた大きな
配線段差部（図示せず）を表面平坦化するために、スピ
ンコート法等によりＰＳＧ層間絶縁膜４上にＳＯＧ膜を
塗布形成した後、ＲＩＥ法等によりＳＯＧ膜をエッチバ
ックする。
うように全面にＰＳＧ等の層間絶縁膜４を形成する。こ
の時、ダイシングライン領域Ａには、Ａｌ金属膜３とＳ
ｉＯ 2 絶縁膜２による段差に対応したＰＳＧ層間絶縁膜
４による段差が生じる。次に、素子部等に生じた大きな
配線段差部（図示せず）を表面平坦化するために、スピ
ンコート法等によりＰＳＧ層間絶縁膜４上にＳＯＧ膜を
塗布形成した後、ＲＩＥ法等によりＳＯＧ膜をエッチバ
ックする。
【００１６】この時、ダイシングライン領域Ａでは、Ａ
ｌ金属膜３とＳｉＯ2 絶縁膜２の段差によって生じたＰ
ＳＧ層間絶縁膜４による段差が、従来のＡｌ金属膜、Ｓ
ｉＯ 2 絶縁膜及びＳｉ基板の大きな段差によって生じる
場合よりも極端に小さいため、ＳＯＧ膜はエッチングさ
れてしまい、ダイシングライン領域ＡのＰＳＧ層間絶縁
膜４による段差部にはＳＯＧは残らない。
ｌ金属膜３とＳｉＯ2 絶縁膜２の段差によって生じたＰ
ＳＧ層間絶縁膜４による段差が、従来のＡｌ金属膜、Ｓ
ｉＯ 2 絶縁膜及びＳｉ基板の大きな段差によって生じる
場合よりも極端に小さいため、ＳＯＧ膜はエッチングさ
れてしまい、ダイシングライン領域ＡのＰＳＧ層間絶縁
膜４による段差部にはＳＯＧは残らない。
【００１７】なお、素子部等に生じた大きな配線段差部
は、ＳＯＧ膜によって表面が平坦化される。次に、ＣＶ
Ｄ法等によりＰＳＧ等の層間絶縁膜５を形成する（図１
（ａ））。ダイシングライン領域Ａでは、ＳＯＧを介さ
ずに直接ＰＳＧ層間絶縁膜４上にＰＳＧ層間絶縁膜５が
形成される。次に、ＣＦ4 ガス等のＲＩＥ法等によりダ
イシングライン領域ＡのＰＳＧ層間絶縁膜５、ＰＳＧ層
間絶縁膜４及びＳｉＯ2 絶縁膜２部分をエッチングして
ダイシングライン領域ＡにＳｉ基板１が露出された開口
部６を形成する（図１（ｂ））。この時、開口部６内に
は、ＰＳＧ層間絶縁膜５、４及びＳｉＯ2 絶縁膜２側部
が露出されるが、ＰＳＧ層間絶縁膜５とＰＳＧ層間絶縁
膜４間には、従来のようにＳＯＧ膜が介在しないため、
従来のようなＳＯＧ膜のエッチングにより生じる中空
は、開口部６内に露出されない。そして、スパッタ法等
により全面にＡｌ等の金属膜７を形成した後、開口部６
内のＰＳＧ層間絶縁膜５、４及びＳｉＯ2絶縁膜２側部
にＬＳＩ素子の耐湿性リングを向上するための耐湿性を
形成するために、不要なＡｌ金属膜７部分をエッチング
する（図１（ｃ）。その後は、通常、高圧（３０〜５０
ｋｇ／ｃｍ2 程度）の純水をウェーハに吹き付けること
によって、ウェーハに付着した異物等の汚れを除去する
ためのＨＰＣ等の洗浄が行われる。
は、ＳＯＧ膜によって表面が平坦化される。次に、ＣＶ
Ｄ法等によりＰＳＧ等の層間絶縁膜５を形成する（図１
（ａ））。ダイシングライン領域Ａでは、ＳＯＧを介さ
ずに直接ＰＳＧ層間絶縁膜４上にＰＳＧ層間絶縁膜５が
形成される。次に、ＣＦ4 ガス等のＲＩＥ法等によりダ
イシングライン領域ＡのＰＳＧ層間絶縁膜５、ＰＳＧ層
間絶縁膜４及びＳｉＯ2 絶縁膜２部分をエッチングして
ダイシングライン領域ＡにＳｉ基板１が露出された開口
部６を形成する（図１（ｂ））。この時、開口部６内に
は、ＰＳＧ層間絶縁膜５、４及びＳｉＯ2 絶縁膜２側部
が露出されるが、ＰＳＧ層間絶縁膜５とＰＳＧ層間絶縁
膜４間には、従来のようにＳＯＧ膜が介在しないため、
従来のようなＳＯＧ膜のエッチングにより生じる中空
は、開口部６内に露出されない。そして、スパッタ法等
により全面にＡｌ等の金属膜７を形成した後、開口部６
内のＰＳＧ層間絶縁膜５、４及びＳｉＯ2絶縁膜２側部
にＬＳＩ素子の耐湿性リングを向上するための耐湿性を
形成するために、不要なＡｌ金属膜７部分をエッチング
する（図１（ｃ）。その後は、通常、高圧（３０〜５０
ｋｇ／ｃｍ2 程度）の純水をウェーハに吹き付けること
によって、ウェーハに付着した異物等の汚れを除去する
ためのＨＰＣ等の洗浄が行われる。
【００１８】このように、本実施例では、ダイシングラ
イン領域ＡにＳｉＯ2 絶縁膜２を残した状態で、Ａｌ金
属膜３を覆うようにＰＳＧ層間絶縁膜４を形成している
ため、スクライブライン領域ＡのＰＳＧ層間絶縁膜４に
よる段差を、従来のＡｌ金属膜、ＳｉＯ2 絶縁膜及びＳ
ｉ基板の大きな段差によって生じる場合よりも極端に小
さくすることができる。
イン領域ＡにＳｉＯ2 絶縁膜２を残した状態で、Ａｌ金
属膜３を覆うようにＰＳＧ層間絶縁膜４を形成している
ため、スクライブライン領域ＡのＰＳＧ層間絶縁膜４に
よる段差を、従来のＡｌ金属膜、ＳｉＯ2 絶縁膜及びＳ
ｉ基板の大きな段差によって生じる場合よりも極端に小
さくすることができる。
【００１９】このため、素子部等に生じた大きな配線段
差部を表面平坦化するためのＳＯＧ膜をＰＳＧ層間絶縁
膜上に全面塗布し、全面エッチバックした時、スクライ
ブラインＡの段差の小さいＰＳＧ層間絶縁膜４上にＳＯ
Ｇ膜を残さないように全てエッチングすることができる
ので、スクライブライン領域ＡのＰＳＧ層間絶縁膜４上
にＳＯＧ膜を介在させずに直接ＰＳＧ層間絶縁膜５を形
成することができる。
差部を表面平坦化するためのＳＯＧ膜をＰＳＧ層間絶縁
膜上に全面塗布し、全面エッチバックした時、スクライ
ブラインＡの段差の小さいＰＳＧ層間絶縁膜４上にＳＯ
Ｇ膜を残さないように全てエッチングすることができる
ので、スクライブライン領域ＡのＰＳＧ層間絶縁膜４上
にＳＯＧ膜を介在させずに直接ＰＳＧ層間絶縁膜５を形
成することができる。
【００２０】従って、ダイシングライン領域Ａに開口部
６形成用のエッチングを行った時、スクライブライン領
域ＡのＰＳＧ層間絶縁膜５とＰＳＧ層間絶縁膜４間にＳ
ＯＧ膜のエッチングによる中空を形成しないようにする
ことができるとともに、耐湿性リングとなるＡｌ金属膜
７を中空を介さずにＰＳＧ層間絶縁膜５、４側部だけで
なくＳｉＯ2 絶縁膜２側部にも形成することができるた
め、従来のＰＳＧ膜側部と中空部にＡｌ金属膜を形成し
ている場合よりも、金属膜７の密着力を強くすることが
でき、この結果、耐湿性リングとなる金属膜７を高圧の
純水で洗浄しても、剥がれ難くすることができる。
６形成用のエッチングを行った時、スクライブライン領
域ＡのＰＳＧ層間絶縁膜５とＰＳＧ層間絶縁膜４間にＳ
ＯＧ膜のエッチングによる中空を形成しないようにする
ことができるとともに、耐湿性リングとなるＡｌ金属膜
７を中空を介さずにＰＳＧ層間絶縁膜５、４側部だけで
なくＳｉＯ2 絶縁膜２側部にも形成することができるた
め、従来のＰＳＧ膜側部と中空部にＡｌ金属膜を形成し
ている場合よりも、金属膜７の密着力を強くすることが
でき、この結果、耐湿性リングとなる金属膜７を高圧の
純水で洗浄しても、剥がれ難くすることができる。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、ダイシングライン領域
の上層のＰＳＧ層間絶縁膜と下層のＰＳＧ層間絶縁膜間
に表面平坦化用のＳＯＧ膜を残らないようにすることが
でき、ダイシングライン領域に開口部形成用のエッチン
グを行った時、その部分にＳＯＧ膜のエッチングによる
中空を形成しないようにすることができ、ダイシングラ
イン領域の開口部の上層のＰＳＧ層間絶縁膜と下層のＰ
ＳＧ層間絶縁膜側部に形成した耐湿性リングを高圧の純
水で洗浄しても、剥れ難くすることができるという効果
がある。
の上層のＰＳＧ層間絶縁膜と下層のＰＳＧ層間絶縁膜間
に表面平坦化用のＳＯＧ膜を残らないようにすることが
でき、ダイシングライン領域に開口部形成用のエッチン
グを行った時、その部分にＳＯＧ膜のエッチングによる
中空を形成しないようにすることができ、ダイシングラ
イン領域の開口部の上層のＰＳＧ層間絶縁膜と下層のＰ
ＳＧ層間絶縁膜側部に形成した耐湿性リングを高圧の純
水で洗浄しても、剥れ難くすることができるという効果
がある。
【図１】本発明に係る一実施例の半導体装置の製造方法
を示す図である。
を示す図である。
【図２】従来の半導体装置の製造方法を示す図である。
１ 基板 ２ 絶縁膜 ３、７ 金属膜 ４、５ 層間絶縁膜 ６ 開口部
Claims (2)
- 【請求項１】基板（１）の素子領域及びダイシングライ
ン領域上に第１の絶縁膜（２）を形成する工程と、次い
で、該第１の絶縁膜（２）上に金属膜（３）を形成する
工程と、次いで、ダイシングライン領域の該金属膜
（３）をエッチングする工程と、次いで、該金属膜
（３）及び該第１の絶縁膜（２）を覆うように第２の絶
縁膜（４）を形成する工程と、次いで、該第２の絶縁膜
（４）上にスピンオングラス膜を形成する工程と、次い
で、該スピンオングラス膜をエッチバックして、ダイシ
ングライン領域の該第２の絶縁膜（４）上の該スピンオ
ングラス膜を除去する工程と、次いで、該第２の絶縁膜
（４）上に該第３の絶縁膜（５）を形成する工程と、次
いで、スクライブライン領域の該第３の絶縁膜（５）、
該第２の絶縁膜（４）及び該第１の絶縁膜（２）をエッ
チングして該基板（１）が露出された開口部（６）を形
成する工程と、次いで、該開口部（６）内の該第３の絶
縁膜（５）、該第２の絶縁膜（４）及び該第１の絶縁膜
（２）側部に耐湿性リング（７）を形成する工程とを含
むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】前記耐湿性リング（７）形成後、ウェーハ
表面を洗浄することを特徴とする請求項１記載の半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12226894A JPH07335590A (ja) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12226894A JPH07335590A (ja) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07335590A true JPH07335590A (ja) | 1995-12-22 |
Family
ID=14831759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12226894A Withdrawn JPH07335590A (ja) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07335590A (ja) |
-
1994
- 1994-06-03 JP JP12226894A patent/JPH07335590A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010904 |