JP3393470B2 - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

液晶表示装置及びその製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＴＦＴを用いた液
晶表示装置に関し、特に、画素電極の構造とその製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示装置の製造方法を、画素
電極の形成工程に焦点を絞って、図５の製造工程断面図
を参照しながら説明する。
【０００３】図５（ａ）に示した第１の従来例では、Ｉ
ＴＯ層を形成後、パッシベーション層を形成せずに各画
素を分離していた。そのためＩＴＯスパッタ時、ドライ
エッチング時に発生した導電性の異物３０、配向膜ラビ
ング工程で発生した導電性の異物３１が隣接画素分離部
分３２に付着し、隣接する画素電極２６を短絡して２個
対点欠陥を引き起していた。
【０００４】又、図５（ｂ）に示した第２の従来例で
は、ＩＴＯ層を分離後にパッシベーション層を追加した
場合でも、パッシベーション膜４７形成後に発生した異
物５１に関しては効果があるが、形成前に画素電極４６
間の隣接画素分離部分５２に付着していた異物５０につ
いては効果がない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】液晶表示装置の製造の
際に、隣接する２個の画素が短絡することで発生する２
個対点欠陥が発生している。この原因は、ＩＴＯ層から
なる画素電極２６が導電性の異物３０により短絡される
ために発生することが判明している。２個対点欠陥が生
じた場合、パネルは不良品となるので、歩留まりを著し
く悪化させる。このため、導電性の異物による短絡を防
ぐ素子構造が必要となる。
【０００６】本発明の目的は、液晶表示装置の製造工程
において、画素電極の短絡を生じさせる異物が発生して
も、短絡に到らない画素電極の構造及びその製造方法を
提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、基板上に形成された複数の素子と、前記素子を含む
前記基板を覆う絶縁膜と、前記素子上の前記絶縁膜の所
定領域に設けられた開口部と、前記絶縁膜上に設けられ
前記開口部を通して前記素子と接続する導電膜と、前記
導電膜を覆い、かつ、前記導電膜に対して庇となる保護
絶縁膜とを含むことを特徴とし、前記導電膜が透明導電
膜であり、前記保護絶縁膜がシリコン酸化膜又はシリコ
ン窒化膜からなり、前記絶縁膜が平坦化処理された平坦
化絶縁膜である、というもので、具体的には、前記素子
が薄膜トランジスタである、というものである。
【０００８】本発明の液晶表示装置の製造方法は、複数
の素子が絶縁膜に覆われた基板を用意し、前記素子の上
の前記絶縁膜の所定領域を除去して前記絶縁膜に開口部
を設け、前記開口部を含む前記絶縁膜上に導電膜、保護
絶縁膜を順に堆積させ、前記保護絶縁膜と前記導電膜を
順にエッチング除去して前記保護絶縁膜を前記導電膜に
対して庇とすることを特徴とし、前記保護絶縁膜がシリ
コン酸化膜又はシリコン窒化膜からなり、第１のエッチ
ングの形態として、前記エッチングがドライエッチング
により行われ、前記ドライエッチングが、ヨウ化水素
（ＨＩ）ガスを用いたＲＦプラズマドライエッチングで
あり、前記ヨウ化水素ガスのガス流量が１００〜３００
ｃｃｍ、真空度が１．０〜１．３Ｐａ、ＲＦ電力が５０
０〜１０００Ｗの条件の下に行われる、というものであ
り、その結果、前記ドライエッチングが、前記導電膜の
前記シリコン酸化膜又は前記シリコン窒化膜に対するエ
ッチングレートが１よりも大きいドライエッチングとな
る、というものである。
【０００９】前記保護絶縁膜がシリコン酸化膜又はシリ
コン窒化膜からなる本発明の製造方法の第２のエッチン
グの形態として、前記エッチングがウェットエッチング
により行われ、前記ウェットエッチングが、前記シリコ
ン酸化膜又は前記シリコン窒化膜をマスクとして塩酸
（ＨＣｌ）により行われる、というものである。
【００１０】最後に、上記製造方法における導電膜と保
護絶縁膜とが、真空中で連続して堆積される、というも
のである。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の基本的な構成は、ＴＦＴ
回路を用いた液晶表示装置において、ＩＴＯ画素電極の
上にパッシベーション層が形成されており、ドライエッ
チにより隣接する画素を分離する際、ＩＴＯ画素電極層
をパッシベーション層に対して横方向に意図的にオーバ
ーエッチングさせることで、ＩＴＯ画素電極の端がパッ
シベーション層の端よりも内側後退し、パッシベーショ
ン層がＩＴＯ画素電極に対して庇状の断面構造を持つこ
とを特徴とする。
【００１２】図１は、本発明の基本的な構造を示す画素
電極及びＴＦＴ回路近傍の断面図である。
【００１３】ガラス基板１上にＴＦＴ回路２が形成され
ており、その上を有機材料からなる平坦化絶縁膜３が形
成されている。平坦化絶縁膜３にはＴＦＴ回路２と電気
的接続をとるための開口部４が設けられ、そこを通して
平坦化絶縁膜３上にＩＴＯ層５からなる画素電極６が形
成されている。この画素電極６の上にはシリコン酸化膜
（ＳｉＯ２）８又はシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）９から
なるパッシベーション膜７が形成されており、パッシベ
ーション膜７と画素電極６とは、その断面構造におい
て、画素電極６が上部のパッシベーション膜７よりも内
側に後退した形状となっている。
【００１４】次に、本発明の基本的な構造を実現させる
本発明の製造方法の第１の実施形態を、図２を用いて説
明する。
【００１５】まず、ガラス基板１上にＴＦＴ回路２を形
成し、ＴＦＴ回路２を覆う絶縁膜を堆積させ、更に平坦
化処理を施して平坦化絶縁膜３を形成する。続いて、Ｔ
ＦＴ回路２の上の平坦化絶縁膜３の所定領域をエッチン
グ除去して開口部４を設け、開口部４を含む平坦化絶縁
膜３の全面に画素電極となるＩＴＯ層５をスパッタ法に
より堆積する（図２（ａ））。
【００１６】次に、ＩＴＯ層５の堆積に続きパッシベー
ション膜となるシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）８をスパッ
タ法またはＣＶＤ法により堆積する（図２（ｂ））。
【００１７】最後に、フォトレジスト膜１０を用いて、
ＲＦプラズマドライエッチングにより隣接画素を分離す
る。この時、エッチングガスにヨウ化水素（ＨＩ）を用
い、真空度１．３Ｐａ、ガス流量３００ｃｃｍ、投入Ｒ
Ｆ電力８００Ｗのエッチング条件の下にエッチングを行
うと、ＩＴＯ層５のエッチングレートがシリコン酸化膜
８のエッチングレートに対して５以上となる条件が得ら
れる。この条件により、シリコン酸化膜８とＩＴＯ層５
を１度のドライエッチングにより分離する。エッチング
の際には意図的にエッチング過剰となるように処理時間
を調整し、画素電極６がパッシベーション膜７よりも内
側に後退した断面構造を形成する（図２（ｃ））。
【００１８】以下に、図３を用いて本発明の製造方法の
第１の実施形態の効果を説明する。
【００１９】今回の発明の第１の実施形態により得られ
る画素電極の構造を用いれば、図３（ａ）に示すよう
に、ＩＴＯスパッタ時に発生した異物１０は、その後の
シリコン酸化膜８の堆積の段階でシリコン酸化膜８の下
に固定される。仮に隣接画素分離部分１２に付着してい
た場合でも異物１０の組成はＩＴＯであり、ドライエッ
チング処理時に選択比が十分に高い条件を用いるため、
切断されてしまい短絡の原因にはならない。これによ
り、パッシベーション膜７の下の互いに隣接する画素電
極６の絶縁が保証できる。
【００２０】画素電極６分離後に異物１１が発生し、隣
接画素分離部分１２に付着しても、断面形状が庇状にな
っているため、隣接する画素電極６間の短絡は発生しな
い。このようにして、平坦化絶縁膜３の上での画素電極
６間の絶縁が保証される。
【００２１】以上の効果により、導電性の異物による隣
接画素電極間の短絡を防止することができ、２個対点欠
陥の発生を防止できる。
【００２２】又、隣接画素の絶縁が保証されるので、２
個対欠陥が発生しない。２個対欠陥が除去されること
で、液晶表示装置の歩留まりは必然的に向上する。
【００２３】更に、絶縁膜とＩＴＯは同じフォトレジス
トパターンで同時にエッチングするため、増加する工程
は絶縁膜堆積工程のみである。
【００２４】本発明の製造方法の第１の実施形態ではパ
ッシベーション膜７としてシリコン酸化膜を用いた例を
示したが、シリコン酸化膜に代えてシリコン窒化膜（Ｓ
ｉＮｘ）ても良い。
【００２５】本発明の製造方法の第２の実施形態とし
て、パッシベーション層としてシリコン窒化膜（ＳｉＮ
ｘ）を用いた場合の例を示す。図２（ａ）、（ｂ）まで
の製造工程は第１の実施形態と全く同じであるので説明
は省略し、図２（ｃ）のシリコン酸化膜８をシリコン窒
化膜９と読み替えて説明する。
【００２６】パッシベーション層をシリコン窒化膜（Ｓ
ｉＮｘ）とした場合、エッチングガスにはヨウ化水素
（ＨＩ）を用い、ガス流量が１００〜３００ｃｃｍ、真
空度が１．０〜１．３Ｐａ、ＲＦ電力が５００〜１００
０Ｗの下のエッチングを行うと、ＩＴＯ層５のエッチン
グレートがシリコン窒化膜９のエッチングレートに対し
て５以上となる条件が得られる。シリコン酸化膜を用い
た場合と同様の効果により庇状の断面形状が形成可能で
ある。
【００２７】以上、本発明の第１、２の実施形態におい
ては、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜を用いた例を示
したが、シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜に代えて、
画素電極材料（第１、２の実施形態においてはＩＴＯ
層）のエッチングレートが相対的に大きくなる材料を適
宜選択して用いても良いことは言うまでもない。
【００２８】次に、本発明の製造方法の第３の実施形態
として、隣接画素電極の分離にドライエッチングとウェ
ットエッチングとの組み合わせを用いる製造方法を、Ｉ
ＴＯ層、パッシベーション層堆積後の製造工程に焦点を
絞って、図４を用いて説明する。
【００２９】まず、ＣＦ４ガスを用いたプラズマドライ
エッチングにより、シリコン酸化膜１８をエッチングし
てパッシベーション膜１７を形成する（図４（ａ））。
続いて、ＣＦ４プラズマドライエッチングではＩＴＯ層
１５はエッチングされないため、オーバーエッチングに
よるＩＴＯ層１５のダメージを考慮する必要はない。よ
ってシリコン酸化膜がエッチング可能であれば条件は問
わない。１例として、ＣＦ４ガス流量４０ｃｃｍ、酸素
ガス流量１０ｃｃｍ、真空度１〜２０Ｐａ、投入ＲＦ電
力３００〜１０００Ｗのエッチング条件でシリコン酸化
膜のエッチングが可能である。
【００３０】次に、塩酸（ＨＣｌ）によりＩＴＯ層１５
をエッチング除去して画素電極１６を形成する（図４
（ｂ））。シリコン酸化膜からなるパッシベーション膜
１７はＨＣｌによってエッチングされないので、ＩＴＯ
層１５がエッチング可能であれば、塩酸の濃度は問わな
い。また、パッシベーション膜１７がエッチングマスク
の役割を果たすため、通常のエッチングの際に必要とな
るフォトレジストによるマスクパターン形成は不要であ
る。ドライエッチングのみを用いる場合に比べて、増加
する工程はＨＣｌによるウエットエッチング工程のみ
で、大幅な工程数の増加がなく、実施形態１、２と同様
の効果が得られる。
【００３１】最後に、上記本発明の第１〜３の実施形態
において、ＩＴＯ層とそれに続く絶縁膜を真空中で連続
堆積する手法を採用すれば、ＩＴＯ層と絶縁膜界面が大
気に暴露されることがなくなり、パッシベーション層形
成前の洗浄工程が不要になって工程数を削減できるとと
もに、大気に暴露することで付着する可能性のある異物
を削減できる、という効果も得られる。
【００３２】
【発明の効果】本発明の液晶表示装置は、ＩＴＯ層をそ
の上のシリコン酸化膜と共に一度のドライエッチングで
分離し、更に、ＩＴＯ層をパッシベーション膜に対して
オーバーエッチングするので、パッシベーション膜の下
の画素電極は確実に隣接する画素電極から分離され、分
離後に異物が発生した場合でもパッシベーション膜の庇
に阻まれて画素電極間の短絡が発生しない。以上によ
り、隣接する画素電極間の絶縁性が保証される。
【００３３】又、ＩＴＯ層とパッシベーション層を連続
で成膜する方法を用いた場合、画素電極を形成後にパッ
シベーション層を堆積させた場合に生じる画素電極間の
導電性異物が発生しなくなるため、画素電極間の短絡を
更に減らすことができる。
【００３４】これらの効果により、隣接画素の絶縁が保
証されるので、２個対欠陥が発生せず、２個対欠陥が除
去されることで、液晶表示装置の歩留まりは必然的に向
上する、という効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の液晶表示装置における画素電極の構造
を示す断面図である。
【図２】本発明の画素電極の構造を得るための本発明の
製造方法の第１の実施形態を、製造工程順に示す断面図
である。
【図３】本発明の製造方法の第１の実施形態の効果を説
明するための断面図である。
【図４】本発明の画素電極の構造を得るための本発明の
製造方法の第２の実施形態を、製造工程順に示す断面図
である。
【図５】従来の液晶表示装置の画素電極の製造方法にお
ける問題点を示す断面図である。
【符号の説明】
１ ガラス基板 ２ ＴＦＴ回路 ３ 平坦化絶縁膜 ４ 開口部 ５、１５ ＩＴＯ層 ６、１６、２６、４６ 画素電極 ７、１７、４７ パッシベーション膜 ８ シリコン酸化膜 ９ シリコン窒化膜 １０、１１、３０、３１、５０、５１ 異物 １２、３２、５２ 隣接画素分離部分

Claims (12)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に形成された複数の素子と、前記
    素子を含む前記基板を覆う絶縁膜と、前記素子上の前記
    絶縁膜の所定領域に設けられた開口部と、前記絶縁膜上
    に設けられ前記開口部を通して前記素子と接続する導電
    膜と、前記導電膜を覆い、かつ、前記導電膜に対して庇
    となる保護絶縁膜とを含むことを特徴とする液晶表示装
    置。
  2. 【請求項２】 前記導電膜が透明導電膜である請求項１
    記載の液晶表示装置。
  3. 【請求項３】 前記保護絶縁膜がシリコン酸化膜又はシ
    リコン窒化膜からなる請求項１又は２記載の液晶表示装
    置。
  4. 【請求項４】 前記絶縁膜が平坦化処理された平坦化絶
    縁膜である請求項１、２又は３記載の液晶表示装置。
  5. 【請求項５】 前記素子が薄膜トランジスタである請求
    項１、２、３又は４記載の液晶表示装置。
  6. 【請求項６】 複数の素子が絶縁膜に覆われた基板を用
    意し、前記素子の上の前記絶縁膜の所定領域を除去して
    前記絶縁膜に開口部を設け、前記開口部を含む前記絶縁
    膜上に導電膜、保護絶縁膜を順に堆積させ、前記保護絶
    縁膜と前記導電膜を順にエッチング除去して前記保護絶
    縁膜を前記導電膜に対して庇とすることを特徴とする液
    晶表示装置の製造方法。
  7. 【請求項７】 前記保護絶縁膜がシリコン酸化膜又はシ
    リコン窒化膜からなり、前記エッチングがドライエッチ
    ングにより行われる請求項６記載の液晶表示装置の製造
    方法。
  8. 【請求項８】 前記ドライエッチングが、ヨウ化水素
    （ＨＩ）ガスを用いたＲＦプラズマドライエッチングで
    あり、前記ヨウ化水素ガスのガス流量が１００〜３００
    ｃｃｍ、真空度が１．０〜１．３Ｐａ、ＲＦ電力が５０
    ０〜１０００Ｗの条件の下に行われる請求項７記載の液
    晶表示装置の製造方法。
  9. 【請求項９】 前記ドライエッチングが、前記導電膜の
    前記シリコン酸化膜又は前記シリコン窒化膜に対するエ
    ッチングレートが１よりも大きいドライエッチングであ
    る請求項７又は８記載の液晶表示装置の製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記保護絶縁膜がシリコン酸化膜又は
    シリコン窒化膜からなり、前記エッチングがウェットエ
    ッチングにより行われる請求項６記載の液晶表示装置の
    製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記ウェットエッチングが、前記シリ
    コン酸化膜又は前記シリコン窒化膜をマスクとして塩酸
    （ＨＣｌ）により行われる請求項１０記載の液晶表示装
    置の製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記導電膜と前記保護絶縁膜とが、真
    空中で連続して堆積される請求項６、７、８、９、１０
    又は１１記載の液晶表示装置の製造方法。
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