JPH0522063A - 表面弾性波素子製造方法 - Google Patents
表面弾性波素子製造方法Info
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- JPH0522063A JPH0522063A JP16975091A JP16975091A JPH0522063A JP H0522063 A JPH0522063 A JP H0522063A JP 16975091 A JP16975091 A JP 16975091A JP 16975091 A JP16975091 A JP 16975091A JP H0522063 A JPH0522063 A JP H0522063A
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- Japan
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- surface acoustic
- acoustic wave
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 表面弾性波素子の製造に際し工程を削減する
と共に、信頼性の高い素子を製造し、歩留を向上させ
る。 【構成】 くし型パターン電極１が多数個形成されたウ
ェハ２状の圧電基板を切断する際に、電極保護の為に塗
布した有機系保護膜３を付着させたまま厚さ方向に完全
に切断し、更にそのまま金属ステム８等にマウントした
後に有機系保護膜３を溶剤及び酸素プラズマにより剥離
する。
と共に、信頼性の高い素子を製造し、歩留を向上させ
る。 【構成】 くし型パターン電極１が多数個形成されたウ
ェハ２状の圧電基板を切断する際に、電極保護の為に塗
布した有機系保護膜３を付着させたまま厚さ方向に完全
に切断し、更にそのまま金属ステム８等にマウントした
後に有機系保護膜３を溶剤及び酸素プラズマにより剥離
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表面弾性波素子の製造
方法に関し、特に、ウェハ状圧電基板の切断、洗浄工法
に関する。
方法に関し、特に、ウェハ状圧電基板の切断、洗浄工法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】表面弾性波（以降ＳＡＷと略記する）
は、その素子の特性から、圧電基板上に形成されたアル
ミニウム電極上に、ＬＳＩなどの様に酸化膜や窒化膜等
の保護膜を形成していない。その為に、ウェハから素子
を各々切り出すには、従来は、図２に示す様な工程に従
って行われていた。即ち、、パターン・電極１が形成
されたウェハ２に、有機系保護膜３を均一塗布する。
は、その素子の特性から、圧電基板上に形成されたアル
ミニウム電極上に、ＬＳＩなどの様に酸化膜や窒化膜等
の保護膜を形成していない。その為に、ウェハから素子
を各々切り出すには、従来は、図２に示す様な工程に従
って行われていた。即ち、、パターン・電極１が形成
されたウェハ２に、有機系保護膜３を均一塗布する。
【０００３】、圧電性のウェハ２の３分の２の厚さま
で切断する（以降ハーフカットと称す）。
で切断する（以降ハーフカットと称す）。
【０００４】、有機系保護膜３を溶剤で剥離する。
【０００５】、酸素プラズマ洗浄を行う。
【０００６】、手作業によりウェハ２を分割してＳＡ
Ｗチップ５を形成し、外観検査を行う。
Ｗチップ５を形成し、外観検査を行う。
【０００７】、ステム８にＳＡＷチップ５をシリコン
樹脂７でマウントし、加熱硬化する。
樹脂７でマウントし、加熱硬化する。
【０００８】、アルミニウム９でワイヤボンディング
を行う。
を行う。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の工法においては次の様な課題を有していた。
た従来の工法においては次の様な課題を有していた。
【００１０】、ハーフカットによる切断の為に、次工
程で手作業による分割が必要であり工数が大である。
程で手作業による分割が必要であり工数が大である。
【００１１】、ハーフカットの為に、拡張リングを用
いた自動マウント工法が採用できないので、マウント前
に専用トレーへの詰換え工数が必要となる。
いた自動マウント工法が採用できないので、マウント前
に専用トレーへの詰換え工数が必要となる。
【００１２】、分割作業、マウント作業の際に、ＳＡ
Ｗ表面へのきず、汚れ等が発生し易く、歩留低下の要因
となっている。
Ｗ表面へのきず、汚れ等が発生し易く、歩留低下の要因
となっている。
【００１３】本発明は従来の上記実情に鑑みてなされた
ものであり、従って本発明の目的は、従来の技術に内在
する上記諸課題を解決することを可能とした表面弾性波
素子の新規な製造方法を提供することにある。
ものであり、従って本発明の目的は、従来の技術に内在
する上記諸課題を解決することを可能とした表面弾性波
素子の新規な製造方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する為
に、本発明に係るＳＡＷ製造方法は、有機系保護膜を塗
布したまま厚さ方向に完全に切断（フルカット）する切
断工程と、ＳＡＷをステムにマウント後に有機系保護膜
を溶剤及び酸素プラズマにて剥離する工程を含んで構成
される。
に、本発明に係るＳＡＷ製造方法は、有機系保護膜を塗
布したまま厚さ方向に完全に切断（フルカット）する切
断工程と、ＳＡＷをステムにマウント後に有機系保護膜
を溶剤及び酸素プラズマにて剥離する工程を含んで構成
される。
【００１５】
【実施例】次に本発明をその好ましい一実施例について
図面を参照して具体的に説明する。
図面を参照して具体的に説明する。
【００１６】図１は本発明による製造工程のフロー図及
び各工程に対応する断面図である。
び各工程に対応する断面図である。
【００１７】図１を参照するに、先ず第１工程として、
、パターン電極１の形成されたウェハ２に有機系保護
膜３を均一塗布する。
、パターン電極１の形成されたウェハ２に有機系保護
膜３を均一塗布する。
【００１８】次に第２工程として、、ウェハ２をフル
カット用テープ４に貼り付ける。
カット用テープ４に貼り付ける。
【００１９】次に第３工程として、、ウェハ２をフル
カット切断する。
カット切断する。
【００２０】次いで第４工程として、、テープ４を拡
張し、各チップ５をリング状枠６で固定する。
張し、各チップ５をリング状枠６で固定する。
【００２１】続いて第５工程として、例えば、自動マ
ウンタを用い、シリコン樹脂７でステム８にマウントす
る。
ウンタを用い、シリコン樹脂７でステム８にマウントす
る。
【００２２】その後に、第６工程として、、シリコン
樹脂９を加熱硬化させる。
樹脂９を加熱硬化させる。
【００２３】次に第７工程として、、有機系保護膜３
を溶剤及び酸素プラズマで剥離洗浄する。
を溶剤及び酸素プラズマで剥離洗浄する。
【００２４】最後に、第８工程として、、外観検査後
にアルミニウムワイヤでワイヤボンディング９を行う。
にアルミニウムワイヤでワイヤボンディング９を行う。
【００２５】
【発明の効果】以上の説明したように、本発明によれ
ば、ＳＡＷ製造工程において、有機系保護膜が着いたま
まで基板をフルカットし、更に、システムに各ＳＡＷ素
子をマウントしてから、溶剤剥離、酸素プラズマ剥離す
ることにより、次の様な効果が得られる。
ば、ＳＡＷ製造工程において、有機系保護膜が着いたま
まで基板をフルカットし、更に、システムに各ＳＡＷ素
子をマウントしてから、溶剤剥離、酸素プラズマ剥離す
ることにより、次の様な効果が得られる。
【００２６】（１）、基板のフルカットが可能となった
為に、分割作業、チップ詰換作業が無くなり、大きな工
数削減となる。
為に、分割作業、チップ詰換作業が無くなり、大きな工
数削減となる。
【００２７】（２）、切断されたチップ状のＳＡＷに直
接触手することが無くなったこと、またマウント工程で
も表面に有機系保護膜が残っている為に、ＳＡＷ表面へ
のきず、しみ、汚れ等の発生が少なくなり、歩留が向上
する。
接触手することが無くなったこと、またマウント工程で
も表面に有機系保護膜が残っている為に、ＳＡＷ表面へ
のきず、しみ、汚れ等の発生が少なくなり、歩留が向上
する。
【００２８】（３）、ワイヤボンディング工程直前に、
溶剤洗浄、酸素プラズマ洗浄を行うことになり、ステム
のボンディング部等も洗浄され、接続、気密信頼性が向
上する。
溶剤洗浄、酸素プラズマ洗浄を行うことになり、ステム
のボンディング部等も洗浄され、接続、気密信頼性が向
上する。
【図１】本発明の一実施例を示すフロー図及び各フロー
に対応する断面図である。
に対応する断面図である。
【図２】従来におけるこの種の技術を示す工法のフロー
図である。
図である。
１…パターン電極 ２…ウェハ ３…有機系保護膜 ４…切断用テープ ５…ＳＡＷチップ ６…リング状枠 ７…シリコン樹脂 ８…ステム ９…Ａｌワイヤ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 圧電基板上にくし型のアルミニウム薄膜
電極を形成する表面弾性波素子の製造方法において、く
し型電極が多数個形成されたウェハ状の圧電基板を切断
する際に電極保護の為に塗布した有機系保護膜を付着さ
せたまま厚さ方向に完全に切断し、更にそのまま金属ス
テム等にマウントした後に前記有機系保護膜を溶剤及び
酸素プラズマにより剥離することを特徴とする表面弾性
波素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16975091A JP3185256B2 (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 表面弾性波素子製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16975091A JP3185256B2 (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 表面弾性波素子製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0522063A true JPH0522063A (ja) | 1993-01-29 |
| JP3185256B2 JP3185256B2 (ja) | 2001-07-09 |
Family
ID=15892153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16975091A Expired - Fee Related JP3185256B2 (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 表面弾性波素子製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3185256B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6996882B2 (en) | 1999-06-14 | 2006-02-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing a surface acoustic wave element |
| KR100688270B1 (ko) * | 2005-01-26 | 2007-03-02 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 절연화 처리전 기판, 기판의 제조 방법, 탄성 표면파진동자의 제조 방법, 탄성 표면파 진동자, 탄성 표면파장치, 및 전자기기 |
-
1991
- 1991-07-10 JP JP16975091A patent/JP3185256B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6996882B2 (en) | 1999-06-14 | 2006-02-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing a surface acoustic wave element |
| KR100688270B1 (ko) * | 2005-01-26 | 2007-03-02 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 절연화 처리전 기판, 기판의 제조 방법, 탄성 표면파진동자의 제조 방법, 탄성 표면파 진동자, 탄성 표면파장치, 및 전자기기 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3185256B2 (ja) | 2001-07-09 |
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