JPH11317374A - 連続ガス飽和装置および方法 - Google Patents
連続ガス飽和装置および方法Info
- Publication number
- JPH11317374A JPH11317374A JP11049915A JP4991599A JPH11317374A JP H11317374 A JPH11317374 A JP H11317374A JP 11049915 A JP11049915 A JP 11049915A JP 4991599 A JP4991599 A JP 4991599A JP H11317374 A JPH11317374 A JP H11317374A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- liquid chemical
- saturation
- chemical
- tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4485—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation without using carrier gas in contact with the source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S261/00—Gas and liquid contact apparatus
- Y10S261/29—Heaters submerged in liquid
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 液体化学物質からの蒸気でガスを飽和させる
新規なシステムを得る。 【解決手段】 （ａ）液体化学物質及びキャリアガスを
受ける飽和槽；（ｂ）飽和槽中に設けられ、キャリアガ
スを液体化学物質中へスパージングする手段；（ｃ）飽
和槽中の液体化学物質を一定の液位に保つ手段；（ｄ）
(i)液体化学物質を冷却するシステム及び(ii)液体化学
物質中で垂直に液体化学物質の液位の高さの少なくとも
半分の距離、液体化学物質を加熱する飽和槽の内側のヒ
ータ、飽和槽中の液体化学物質の温度を所望値に制御す
る手段；及び（ｅ）飽和されたガスの圧力を所望値に制
御する手段を含むガスを液体化学物質からの蒸気で飽和
させるシステム。
新規なシステムを得る。 【解決手段】 （ａ）液体化学物質及びキャリアガスを
受ける飽和槽；（ｂ）飽和槽中に設けられ、キャリアガ
スを液体化学物質中へスパージングする手段；（ｃ）飽
和槽中の液体化学物質を一定の液位に保つ手段；（ｄ）
(i)液体化学物質を冷却するシステム及び(ii)液体化学
物質中で垂直に液体化学物質の液位の高さの少なくとも
半分の距離、液体化学物質を加熱する飽和槽の内側のヒ
ータ、飽和槽中の液体化学物質の温度を所望値に制御す
る手段；及び（ｅ）飽和されたガスの圧力を所望値に制
御する手段を含むガスを液体化学物質からの蒸気で飽和
させるシステム。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液体化学物質から
の蒸気でガスを飽和させるための新規なシステムおよび
方法に関する。本発明はまた、気化した液体化学物質の
制御された放出のための新規なシステムおよび方法に関
する。本発明は、半導体製造産業への特定の利用可能性
を有している。
の蒸気でガスを飽和させるための新規なシステムおよび
方法に関する。本発明はまた、気化した液体化学物質の
制御された放出のための新規なシステムおよび方法に関
する。本発明は、半導体製造産業への特定の利用可能性
を有している。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造産業では、様々な半導体製造
プロセスを実施するためのプロセス手段に、高純度ガス
が供給される。そのようなプロセスの例として、拡散、
化学的気相成長（ＣＶＤ）、エッチング、スパッタリン
グ、およびイオン注入がある。これらのプロセスのため
の反応物質源として、揮発性液体が知られている。その
ような液体として、例えば、シラン（ＳｉＨ４）、ジク
ロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）、トリクロロシラン（Ｓ
ｉＨＣｌ３）、アンモニア（ＮＨ３）、三塩化ホウ素
（ＢＣｌ３）、塩素（Ｃｌ２）、塩化水素（ＨＣｌ）、
弗化水素（ＨＦ）、および三弗化塩素（ＣｌＦ３）があ
る。
プロセスを実施するためのプロセス手段に、高純度ガス
が供給される。そのようなプロセスの例として、拡散、
化学的気相成長（ＣＶＤ）、エッチング、スパッタリン
グ、およびイオン注入がある。これらのプロセスのため
の反応物質源として、揮発性液体が知られている。その
ような液体として、例えば、シラン（ＳｉＨ４）、ジク
ロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）、トリクロロシラン（Ｓ
ｉＨＣｌ３）、アンモニア（ＮＨ３）、三塩化ホウ素
（ＢＣｌ３）、塩素（Ｃｌ２）、塩化水素（ＨＣｌ）、
弗化水素（ＨＦ）、および三弗化塩素（ＣｌＦ３）があ
る。
【０００３】これまで、プロセス装置に揮発性液体化学
物質の気化した形のものを供給するために、多くの方法
が用いられてきた。これらの方法として、液体化学物質
の蒸気でキャリアガスを飽和させる方法、およびキャリ
アガスなしに液体化学物質を気化させる方法がある。液
体化学物質の蒸気でキャリアガスを飽和させる公知の方
法として、例えば、キャリアガス流への液体化学物質の
直接導入がある。また、液体化学物質中をキャリアガス
をバブリングさせ、それによって化学物質蒸気でガスを
飽和させる方法も知られている。
物質の気化した形のものを供給するために、多くの方法
が用いられてきた。これらの方法として、液体化学物質
の蒸気でキャリアガスを飽和させる方法、およびキャリ
アガスなしに液体化学物質を気化させる方法がある。液
体化学物質の蒸気でキャリアガスを飽和させる公知の方
法として、例えば、キャリアガス流への液体化学物質の
直接導入がある。また、液体化学物質中をキャリアガス
をバブリングさせ、それによって化学物質蒸気でガスを
飽和させる方法も知られている。
【０００４】キャリアガスを用いる方法では、キャリア
ガス中の化学物質蒸気の濃度は、幾つかの因子により影
響される。例えば、バブルの表面積で表わされるバブル
サイズ、および液体化学物質にバブルがさらされる時間
が、キャリアガス中の化学物質蒸気の濃度に影響を与え
る。液体化学物質をキャリアガスと接触させる上で採用
される公知の装置は、液体化学物質を保持する容器内に
延びる多孔管である。キャリアガスは、管の孔を通して
液体化学物質内にバブリングし、それによってガスは液
体内に、限られた程度、分散する。バブリングが進行
し、液体化学物質が気化するに従って、容器内の液体化
学物質のレベルは、加えられる新しい液体化学物質がな
ければ、降下する。このバブリング中の液体化学物質の
レベルの変化は、気液接触時間の減少をもたらし、それ
によってキャリアガス中の化学物質蒸気の濃度を変化さ
せる。
ガス中の化学物質蒸気の濃度は、幾つかの因子により影
響される。例えば、バブルの表面積で表わされるバブル
サイズ、および液体化学物質にバブルがさらされる時間
が、キャリアガス中の化学物質蒸気の濃度に影響を与え
る。液体化学物質をキャリアガスと接触させる上で採用
される公知の装置は、液体化学物質を保持する容器内に
延びる多孔管である。キャリアガスは、管の孔を通して
液体化学物質内にバブリングし、それによってガスは液
体内に、限られた程度、分散する。バブリングが進行
し、液体化学物質が気化するに従って、容器内の液体化
学物質のレベルは、加えられる新しい液体化学物質がな
ければ、降下する。このバブリング中の液体化学物質の
レベルの変化は、気液接触時間の減少をもたらし、それ
によってキャリアガス中の化学物質蒸気の濃度を変化さ
せる。
【０００５】キャリアガス中の化学物質蒸気の濃度に影
響を与える他の変数は、液体化学物質の温度である。揮
発性液体化学物質の蒸気圧は、液体化学物質の温度の関
数である。このように、任意の温度において、キャリア
ガスは、平衡条件で、化学物質蒸気で飽和されるように
なる。温度が一定に維持される限り、キャリアガスと化
学物質蒸気とは、それらの平衡飽和条件下で共存する。
しかし、温度が低下すると、化学物質蒸気の一部は蒸気
の状態から凝縮し、キャリアガス中の化学物質蒸気の濃
度の変化をもたらす。
響を与える他の変数は、液体化学物質の温度である。揮
発性液体化学物質の蒸気圧は、液体化学物質の温度の関
数である。このように、任意の温度において、キャリア
ガスは、平衡条件で、化学物質蒸気で飽和されるように
なる。温度が一定に維持される限り、キャリアガスと化
学物質蒸気とは、それらの平衡飽和条件下で共存する。
しかし、温度が低下すると、化学物質蒸気の一部は蒸気
の状態から凝縮し、キャリアガス中の化学物質蒸気の濃
度の変化をもたらす。
【０００６】飽和装置の温度を制御するために、冷却ユ
ニットのみを用いることが一般的である。通常の装置で
は、冷却装置は、プロセス装置に放出されるときに、キ
ャリアガスからの化学物質の凝縮を防止するために、周
囲温度以下にシステムを冷却する。もちろん、このこと
は、プロセス装置への途中で、ガスは、飽和が生ずる温
度よりも低い温度にさらされることはないという仮定に
基づく。しかし、冷却装置のみでは、完全な温度制御を
提供しないことがわかった。
ニットのみを用いることが一般的である。通常の装置で
は、冷却装置は、プロセス装置に放出されるときに、キ
ャリアガスからの化学物質の凝縮を防止するために、周
囲温度以下にシステムを冷却する。もちろん、このこと
は、プロセス装置への途中で、ガスは、飽和が生ずる温
度よりも低い温度にさらされることはないという仮定に
基づく。しかし、冷却装置のみでは、完全な温度制御を
提供しないことがわかった。
【０００７】飽和プロセス中において、液体化学物質の
蒸気への変換は、液体からの追加の熱の除去をもたら
す。この熱の除去の真の効果は、液体化学物質の温度が
冷却材の制御温度以下に降下することである。冷却ユニ
ットは、冷却の義務を果たすだけであるので、この追加
の熱の除去は、冷却システムによって補償され得ない。
このように、液体化学物質の蒸気圧およびキャリアガス
内の液体化学物質の濃度の変化が生じ得る。
蒸気への変換は、液体からの追加の熱の除去をもたら
す。この熱の除去の真の効果は、液体化学物質の温度が
冷却材の制御温度以下に降下することである。冷却ユニ
ットは、冷却の義務を果たすだけであるので、この追加
の熱の除去は、冷却システムによって補償され得ない。
このように、液体化学物質の蒸気圧およびキャリアガス
内の液体化学物質の濃度の変化が生じ得る。
【０００８】キャリアガス内の液体化学物質の濃度に影
響を与えることが出来る更に他の変数は、キャリアガス
の圧力である。圧力を検知し、制御するためにスプリン
グおよびダイヤフラムに依存する、公知の機械的圧力調
整器を用いることが出来る。しかし、そのような機械的
装置によると、系の変化に応答する上で、固有の遅延が
ある。これは、化学物質蒸気の濃度変化を生ずる、圧力
の変動をもたらし得る。
響を与えることが出来る更に他の変数は、キャリアガス
の圧力である。圧力を検知し、制御するためにスプリン
グおよびダイヤフラムに依存する、公知の機械的圧力調
整器を用いることが出来る。しかし、そのような機械的
装置によると、系の変化に応答する上で、固有の遅延が
ある。これは、化学物質蒸気の濃度変化を生ずる、圧力
の変動をもたらし得る。
【０００９】キャリアガスを用いない方法では、液体化
学物質の蒸気圧の変化は、液体化学物質の温度の変化か
ら生ずる。そのような変化は、半導体処理装置への生成
物蒸気の放出圧力及び流量の変化をもたらす。
学物質の蒸気圧の変化は、液体化学物質の温度の変化か
ら生ずる。そのような変化は、半導体処理装置への生成
物蒸気の放出圧力及び流量の変化をもたらす。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】半導体製造産業の要求
に合致し、関連技術の欠点を除去するために、本発明の
目的は、液体化学物質からの蒸気によりガスを飽和させ
るための新規なシステムを提供することにある。本発明
により、実質的に一定の化学物質蒸気濃度を有するガス
を得ることが出来る。これは、キャリアガス圧力、液体
化学物質の温度、および飽和槽内における液体化学物質
のレベルの制御により達成される。生成ガスの特性に関
して現在考えられる制御の程度は、これまで達成され得
なかった。
に合致し、関連技術の欠点を除去するために、本発明の
目的は、液体化学物質からの蒸気によりガスを飽和させ
るための新規なシステムを提供することにある。本発明
により、実質的に一定の化学物質蒸気濃度を有するガス
を得ることが出来る。これは、キャリアガス圧力、液体
化学物質の温度、および飽和槽内における液体化学物質
のレベルの制御により達成される。生成ガスの特性に関
して現在考えられる制御の程度は、これまで達成され得
なかった。
【００１１】本発明の他の目的は、液体化学物質からの
蒸気によりガスを飽和させるための新規な方法を提供す
ることにある。
蒸気によりガスを飽和させるための新規な方法を提供す
ることにある。
【００１２】本発明の他の目的は、キャリアガスを用い
ない、気化した液体化学物質の制御された放出のための
新規なシステムを提供することにある。
ない、気化した液体化学物質の制御された放出のための
新規なシステムを提供することにある。
【００１３】本発明の他の目的は、キャリアガスを用い
ない、気化した液体化学物質の制御された放出のための
新規な方法を提供することにある。
ない、気化した液体化学物質の制御された放出のための
新規な方法を提供することにある。
【００１４】本発明の他の目的および態様は、発明の詳
細な説明、図面、および特許請求の範囲を考慮すること
で、当業者により明らかとなるであろう。
細な説明、図面、および特許請求の範囲を考慮すること
で、当業者により明らかとなるであろう。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明の装
置および方法により達成される。本発明の第１の態様に
よると、液体化学物質からの蒸気でガスを飽和させるた
めの装置が提供される。この装置は、（ａ）液体化学物
質およびキャリアガスを受けるように接続された飽和
槽、（ｂ）キャリアガスを液体化学物質に吹き付けるた
めの、飽和槽内のガススパージャー、（ｃ）飽和槽内の
液体化学物質を実質的に一定のレベルに維持する手段、
（ｄ）（ｉ）液体化学物質を冷却する装置、および（ｉ
ｉ）液体化学物質を加熱するための、液体化学物質のレ
ベルの高さの少なくとも半分の距離、液体中に垂直に延
びる飽和槽内のヒーターを含む、飽和槽内の液体化学物
質の温度を所望の値に制御する手段、および飽和したガ
スの圧力を所望の値に制御する手段を備えている。
置および方法により達成される。本発明の第１の態様に
よると、液体化学物質からの蒸気でガスを飽和させるた
めの装置が提供される。この装置は、（ａ）液体化学物
質およびキャリアガスを受けるように接続された飽和
槽、（ｂ）キャリアガスを液体化学物質に吹き付けるた
めの、飽和槽内のガススパージャー、（ｃ）飽和槽内の
液体化学物質を実質的に一定のレベルに維持する手段、
（ｄ）（ｉ）液体化学物質を冷却する装置、および（ｉ
ｉ）液体化学物質を加熱するための、液体化学物質のレ
ベルの高さの少なくとも半分の距離、液体中に垂直に延
びる飽和槽内のヒーターを含む、飽和槽内の液体化学物
質の温度を所望の値に制御する手段、および飽和したガ
スの圧力を所望の値に制御する手段を備えている。
【００１６】本発明の他の態様によると、液体化学物質
からの蒸気でガスを飽和させる方法が提供される。この
方法は、（ａ）液体化学物質およびキャリアガスを飽和
槽に導入する―前記キャリアガスは、前記液体化学物質
に吹き付けられ、液体化学物質からの蒸気で飽和された
ガスを形成する―工程、（ｂ）飽和槽内の液体化学物質
を実質的に一定のレベルに維持する工程、（ｃ）前記液
体化学物質を所望の値に冷却し、必要に応じて温度調整
するため、液体化学物質のレベルの高さの少なくとも半
分の距離、液体中に垂直に延びる飽和槽内のヒーターに
より、前記液体化学物質に熱を加えることにより、前記
飽和槽内の液体化学物質の温度を所望の周囲温度以下に
制御する工程、および（ｄ）飽和したガスの圧力を所望
の値に制御する工程を備えている。
からの蒸気でガスを飽和させる方法が提供される。この
方法は、（ａ）液体化学物質およびキャリアガスを飽和
槽に導入する―前記キャリアガスは、前記液体化学物質
に吹き付けられ、液体化学物質からの蒸気で飽和された
ガスを形成する―工程、（ｂ）飽和槽内の液体化学物質
を実質的に一定のレベルに維持する工程、（ｃ）前記液
体化学物質を所望の値に冷却し、必要に応じて温度調整
するため、液体化学物質のレベルの高さの少なくとも半
分の距離、液体中に垂直に延びる飽和槽内のヒーターに
より、前記液体化学物質に熱を加えることにより、前記
飽和槽内の液体化学物質の温度を所望の周囲温度以下に
制御する工程、および（ｄ）飽和したガスの圧力を所望
の値に制御する工程を備えている。
【００１７】本発明の更に他の態様によると、液体化学
物質の制御された蒸発のための装置が提供される。この
装置は、（ａ）キャリアガスのない、液体化学物質を受
けるように接続された蒸発槽、（ｂ）蒸発槽内の液体化
学物質を実質的に一定のレベルに維持する手段、および
（ｃ）（ｉ）液体化学物質を冷却する装置、および（ｉ
ｉ）液体化学物質を加熱するための蒸発槽内のヒーター
を含む、蒸発槽内の液体化学物質の温度を所望の値に制
御する手段を備えている。
物質の制御された蒸発のための装置が提供される。この
装置は、（ａ）キャリアガスのない、液体化学物質を受
けるように接続された蒸発槽、（ｂ）蒸発槽内の液体化
学物質を実質的に一定のレベルに維持する手段、および
（ｃ）（ｉ）液体化学物質を冷却する装置、および（ｉ
ｉ）液体化学物質を加熱するための蒸発槽内のヒーター
を含む、蒸発槽内の液体化学物質の温度を所望の値に制
御する手段を備えている。
【００１８】本発明の更にまた他の態様によると、気化
した液体化学物質の制御された放出方法が提供される。
この方法は、（ａ）液体化学物質を蒸発槽に導入する工
程、（ｂ）蒸発槽内の液体のレベルを実質的に一定のレ
ベルに維持する工程、および（ｃ）前記液体化学物質を
所望の値に冷却し、必要に応じて温度調整するため、飽
和槽内のヒーターにより、前記液体化学物質に熱を加え
ることにより、前記飽和槽内の液体化学物質の温度を所
望の周囲温度以下に制御する工程、および（ｄ）気化し
た液体化学物質流を蒸発槽から除去する工程を具備する
ことを特徴とする、キャリアガスを用いない、気化した
液体化学物質を備えている。
した液体化学物質の制御された放出方法が提供される。
この方法は、（ａ）液体化学物質を蒸発槽に導入する工
程、（ｂ）蒸発槽内の液体のレベルを実質的に一定のレ
ベルに維持する工程、および（ｃ）前記液体化学物質を
所望の値に冷却し、必要に応じて温度調整するため、飽
和槽内のヒーターにより、前記液体化学物質に熱を加え
ることにより、前記飽和槽内の液体化学物質の温度を所
望の周囲温度以下に制御する工程、および（ｄ）気化し
た液体化学物質流を蒸発槽から除去する工程を具備する
ことを特徴とする、キャリアガスを用いない、気化した
液体化学物質を備えている。
【００１９】
【発明の実施の形態】図１に示す本発明の一観点にかか
るガス飽和プロセスの一例のフロー図を参照して本発明
を説明する。
るガス飽和プロセスの一例のフロー図を参照して本発明
を説明する。
【００２０】キャリアガスを、キャリアガス源１０２か
らライン１０４を通して揮発性の液体化学物質を含む飽
和槽またはバブラー１０６に供給する。キャリアガスを
飽和槽中で、液体化学物質を通してバブリングし、所望
の濃度の飽和ガスを形成する。キャリアガス源１０２
は、例えばガスシリンダーあるいはバルク貯蔵容器であ
り得る。
らライン１０４を通して揮発性の液体化学物質を含む飽
和槽またはバブラー１０６に供給する。キャリアガスを
飽和槽中で、液体化学物質を通してバブリングし、所望
の濃度の飽和ガスを形成する。キャリアガス源１０２
は、例えばガスシリンダーあるいはバルク貯蔵容器であ
り得る。
【００２１】使用される特定のキャリアガス及び液体化
学物質は、形成された飽和ガスの最終的な用途に依存す
る。通常、キャリアガスは、水素（Ｈ2）またはヘリウ
ム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、または窒素（Ｎ2）等
の不活性ガスである。他の反応性または非反応性ガスも
またあり得る。
学物質は、形成された飽和ガスの最終的な用途に依存す
る。通常、キャリアガスは、水素（Ｈ2）またはヘリウ
ム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、または窒素（Ｎ2）等
の不活性ガスである。他の反応性または非反応性ガスも
またあり得る。
【００２２】本発明に使用される液体化学物質は、十分
な揮発性を有し、これを通してバブリングされるキャリ
アガスは、化学物質蒸気により、周囲以下の温度および
濃度で飽和になり得、その用途を商業的に利用可能にす
る。本発明に使用し得る、半導体製造産業で用いられる
通常の液体化学物質は、これに限定するものではない
が、シラン（ＳｉＨ4）、ジクロロシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ
2）、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ3）、アンモニア
（ＮＨ4）、三塩化ホウ素（ＢＣｌ3）、塩素（Ｃ
ｌ2）、塩化水素（ＨＣｌ）、弗化水素（ＨＦ）、及び
三弗化塩素（ＣｌＦ3）を含む。本発明は、他の液体化
学物質に容易に適用され得る。
な揮発性を有し、これを通してバブリングされるキャリ
アガスは、化学物質蒸気により、周囲以下の温度および
濃度で飽和になり得、その用途を商業的に利用可能にす
る。本発明に使用し得る、半導体製造産業で用いられる
通常の液体化学物質は、これに限定するものではない
が、シラン（ＳｉＨ4）、ジクロロシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ
2）、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ3）、アンモニア
（ＮＨ4）、三塩化ホウ素（ＢＣｌ3）、塩素（Ｃ
ｌ2）、塩化水素（ＨＣｌ）、弗化水素（ＨＦ）、及び
三弗化塩素（ＣｌＦ3）を含む。本発明は、他の液体化
学物質に容易に適用され得る。
【００２３】飽和ガスを半導体装置の製造に使用する場
合、キャリアガス及び液体化学物質は、形成される装置
に適合する純度を有するべきである。好ましくは、キャ
リアガス及び液体化学物質は、超高純度を有する。
合、キャリアガス及び液体化学物質は、形成される装置
に適合する純度を有するべきである。好ましくは、キャ
リアガス及び液体化学物質は、超高純度を有する。
【００２４】連続的に液体化学物質を飽和槽１０６に導
入できる液体供給システムを設ける。１またはそれ以上
の液体収容器１０８、１１０は、液体化学物質の供給を
貯蔵する。収容器の材料は、腐食を防ぎ、化学物質の汚
染を回避するために、液体化学物質に適合されるべきで
ある。３１６Ｌステンレス鋼等のステンレス鋼は、この
目的のために使用され得る。
入できる液体供給システムを設ける。１またはそれ以上
の液体収容器１０８、１１０は、液体化学物質の供給を
貯蔵する。収容器の材料は、腐食を防ぎ、化学物質の汚
染を回避するために、液体化学物質に適合されるべきで
ある。３１６Ｌステンレス鋼等のステンレス鋼は、この
目的のために使用され得る。
【００２５】液体収容器１０８,１１０は、管とバルブ
のシステムで接続され、液体化学物質を飽和槽１０６に
導入させる。システムを通して液体化学物質を移動する
ために使用される管は、好ましくは、ステンレス鋼でラ
イニングされたテフロンで構成される柔軟なホースであ
る。収容器１０８,１１０は、単一のライン１１２に集
まる個々のラインによって、飽和槽に接続され得る。任
意に、１またはそれ以上の追加の飽和槽に、分岐ライン
１１２',１１２"を介して、液体化学物質が供給され
る。
のシステムで接続され、液体化学物質を飽和槽１０６に
導入させる。システムを通して液体化学物質を移動する
ために使用される管は、好ましくは、ステンレス鋼でラ
イニングされたテフロンで構成される柔軟なホースであ
る。収容器１０８,１１０は、単一のライン１１２に集
まる個々のラインによって、飽和槽に接続され得る。任
意に、１またはそれ以上の追加の飽和槽に、分岐ライン
１１２',１１２"を介して、液体化学物質が供給され
る。
【００２６】液体収容器１０８,１１０は、好ましく
は、その液体表面が例えば、ライン１１４,１１６を通
して、不活性ガスで加圧させられるように構成され、こ
れにより、液体を浸漬管１１８,１２０に上げさせ、バ
ルブ/管システムを通して飽和槽に入れる。例えばポン
プを用いた他のフロー構成が当該技術に知られており、
任意に使用され得る。
は、その液体表面が例えば、ライン１１４,１１６を通
して、不活性ガスで加圧させられるように構成され、こ
れにより、液体を浸漬管１１８,１２０に上げさせ、バ
ルブ/管システムを通して飽和槽に入れる。例えばポン
プを用いた他のフロー構成が当該技術に知られており、
任意に使用され得る。
【００２７】複数の液体収容器１０８,１１０を用いる
ことによって、液体化学物質の連続システムは、飽和槽
１０６に供給され得る。第１の液体収容器１０８からの
供給は、その中の液体化学物質を使い果たすまで、もし
くは所定の残量の液体が収容器１０８中に残るまで続け
られる。各収容器中の液体レベルは、好ましくは、閉塞
バルブＶ１,Ｖ２の手動動作用に設けられたアラームシ
ステム、あるいは閉塞バルブＶ１,Ｖ２の動作を自動制
御するコントローラへのフィードバックに接続された低
レベルセンサーによって検出される。
ことによって、液体化学物質の連続システムは、飽和槽
１０６に供給され得る。第１の液体収容器１０８からの
供給は、その中の液体化学物質を使い果たすまで、もし
くは所定の残量の液体が収容器１０８中に残るまで続け
られる。各収容器中の液体レベルは、好ましくは、閉塞
バルブＶ１,Ｖ２の手動動作用に設けられたアラームシ
ステム、あるいは閉塞バルブＶ１,Ｖ２の動作を自動制
御するコントローラへのフィードバックに接続された低
レベルセンサーによって検出される。
【００２８】第１の液体収容器１０８を使用するとき、
バルブＶ１を開放位に、バルブＶ２を閉塞位にする。第
１の収容器中で最低液体レベルが検出されるとすぐに、
閉塞するバルブＶ１によって、そこからのフローを停止
し、バルブＶ２を開放して、第２の新しい収容器１１０か
らの供給を始める。その後、第１の収容器をプロセスを途
絶することなく、収容器全体を交換する。化学物質の消耗
と新しい収容器への切り替えをこのようにして続けるこ
とができるので、化学物質を飽和槽へ、途絶することな
く連続して供給させることができる。
バルブＶ１を開放位に、バルブＶ２を閉塞位にする。第
１の収容器中で最低液体レベルが検出されるとすぐに、
閉塞するバルブＶ１によって、そこからのフローを停止
し、バルブＶ２を開放して、第２の新しい収容器１１０か
らの供給を始める。その後、第１の収容器をプロセスを途
絶することなく、収容器全体を交換する。化学物質の消耗
と新しい収容器への切り替えをこのようにして続けるこ
とができるので、化学物質を飽和槽へ、途絶することな
く連続して供給させることができる。
【００２９】図２において、飽和槽１０６は、液体化学
物質を含み、かつ種々の流体を導入し、除去するための
接続を有する容器である。飽和槽の大きさは、それによ
って供給されるプロセスツールの数及びそのツールの要
求するものに依存する。他の大きさのツールを容易に使
用し得るけれども、通常、飽和槽は、１１.４ないし１
５１.４リットル（３ないし４０ガロン）好ましくは約
５５.８ないし９４.６リットル（１５ないし２５ガロ
ン）の液体貯蔵容量を有する。本発明の実例的観点によ
れば、飽和槽は、約７５.７リットル（２０ガロン）の
液体貯蔵許容量を有する。
物質を含み、かつ種々の流体を導入し、除去するための
接続を有する容器である。飽和槽の大きさは、それによ
って供給されるプロセスツールの数及びそのツールの要
求するものに依存する。他の大きさのツールを容易に使
用し得るけれども、通常、飽和槽は、１１.４ないし１
５１.４リットル（３ないし４０ガロン）好ましくは約
５５.８ないし９４.６リットル（１５ないし２５ガロ
ン）の液体貯蔵容量を有する。本発明の実例的観点によ
れば、飽和槽は、約７５.７リットル（２０ガロン）の
液体貯蔵許容量を有する。
【００３０】飽和槽の種々の接続は、好ましくはその上
部に位置する。第１の接続１２２は、飽和槽の上部を通
って貫通し、かつ容器の底部近傍まで伸びる管に接続さ
れた手動バルブＶ３を含む。好ましくは、この管は、容
器底部の数インチ以内まで延びる。
部に位置する。第１の接続１２２は、飽和槽の上部を通
って貫通し、かつ容器の底部近傍まで伸びる管に接続さ
れた手動バルブＶ３を含む。好ましくは、この管は、容
器底部の数インチ以内まで延びる。
【００３１】第２の接続１２４は、キャリアガスを飽和
槽に導入するキャリアガス供給部１０２に管によって接
続される。第２の接続１２４は、飽和槽の頂部を通って
貫通する管に接続された手動バルブＶ４を含む。第２の
接続１２４の管の端部は、これを通してキャリアガスを
流し、液体化学物質中に放出する孔を有するガス放出構
造１２６に接続されている。好ましくは、放出構造１２
６は、複数の焼結金属管を含み、飽和槽の底部またはそ
の近傍に配置される。ガス放出構造は、液体化学物質中
に細かい泡を作らせて、キャリアガスと液体化学物質と
の間を密着させる。
槽に導入するキャリアガス供給部１０２に管によって接
続される。第２の接続１２４は、飽和槽の頂部を通って
貫通する管に接続された手動バルブＶ４を含む。第２の
接続１２４の管の端部は、これを通してキャリアガスを
流し、液体化学物質中に放出する孔を有するガス放出構
造１２６に接続されている。好ましくは、放出構造１２
６は、複数の焼結金属管を含み、飽和槽の底部またはそ
の近傍に配置される。ガス放出構造は、液体化学物質中
に細かい泡を作らせて、キャリアガスと液体化学物質と
の間を密着させる。
【００３２】図３Ａと図３Ｂは、ガス放出構造として使
用され得るスパージャアセンブリの平面図を例示する。
これに限定するものではないが、図３は、５つの焼結金
属管１２８を有するスパージャアセンブリを示す。本発
明の好ましい観点によれば、図３Ｂに示すように、ヒー
ター壁１３２（後述する）中のヒーター１３０を飽和槽
の中心軸に沿って配置する。この場合、中心軸には、金
属管が存在しない。
用され得るスパージャアセンブリの平面図を例示する。
これに限定するものではないが、図３は、５つの焼結金
属管１２８を有するスパージャアセンブリを示す。本発
明の好ましい観点によれば、図３Ｂに示すように、ヒー
ター壁１３２（後述する）中のヒーター１３０を飽和槽
の中心軸に沿って配置する。この場合、中心軸には、金
属管が存在しない。
【００３３】キャリアガスを液体化学物質中に導入する
と、泡が液体化学物質を通って上昇し、最終的に化学物
質蒸気で飽和される。飽和された蒸気を、手動バルブＶ
５及び接続されているが通常飽和槽まで延びていない管
を含む第３の接続１３４を通して飽和槽から除去する。
この管の直径は、化学物質蒸気の濃縮を回避するため、
加圧滴下を最低限にするように設定される。
と、泡が液体化学物質を通って上昇し、最終的に化学物
質蒸気で飽和される。飽和された蒸気を、手動バルブＶ
５及び接続されているが通常飽和槽まで延びていない管
を含む第３の接続１３４を通して飽和槽から除去する。
この管の直径は、化学物質蒸気の濃縮を回避するため、
加圧滴下を最低限にするように設定される。
【００３４】第３の接続１３４はさらに高圧状態の場合
に飽和槽を保護する圧力開放アセンブリ１３６を設けら
れ得る。圧力開放アセンブリは、設備から飽和槽を除去
することなく優先的に供給され得る。
に飽和槽を保護する圧力開放アセンブリ１３６を設けら
れ得る。圧力開放アセンブリは、設備から飽和槽を除去
することなく優先的に供給され得る。
【００３５】飽和槽内の飽和蒸気を配管１３８を通して
使用点例えば１またはそれ以上の半導体製造ツールに導
入する。配管は、この目的で、下流を複数の分岐ライン
１４０,１４２,及び１４４に分割する。分岐ラインの１
つは、飽和されたガス生成物を実証するために、任意
に、分析ツール例えば濃度検出器に接続される。
使用点例えば１またはそれ以上の半導体製造ツールに導
入する。配管は、この目的で、下流を複数の分岐ライン
１４０,１４２,及び１４４に分割する。分岐ラインの１
つは、飽和されたガス生成物を実証するために、任意
に、分析ツール例えば濃度検出器に接続される。
【００３６】飽和槽は、好ましくは、容器に供給が行な
われるときに、残留するあらゆる液体化学物質を容器か
ら除去させる第４の接続１４６を含む。第４の接続１４
６は、飽和槽の頂部を通って貫通され、容器の底部に延
びる配管に接続された手動バルブＶ６を含む。液体は、
不活性ガス供給源に接続されたブローダウンラインの使
用により飽和槽の上部空間を加圧することで、あるいは
第３の接続１３４を通して容器に戻すことにより、この
配管を通して除去される。
われるときに、残留するあらゆる液体化学物質を容器か
ら除去させる第４の接続１４６を含む。第４の接続１４
６は、飽和槽の頂部を通って貫通され、容器の底部に延
びる配管に接続された手動バルブＶ６を含む。液体は、
不活性ガス供給源に接続されたブローダウンラインの使
用により飽和槽の上部空間を加圧することで、あるいは
第３の接続１３４を通して容器に戻すことにより、この
配管を通して除去される。
【００３７】キャリアガスと液体化学物質との間の実質
的に一定の気／液接触時間を確保するために、飽和槽中
の液体化学物質を実質的に一定レベルに維持することは
重要である。液体レベルは、種々の手段によって制御さ
れ得る。本発明の例示的観点によれば、飽和槽中の液体
含有量は、好ましくは飽和槽の量または重量を検出する
ことによって制御し得る。この目的で、量または重量ス
ケール１４８は飽和槽の下方に配置し、容器の利用また
は重量を連続的に測定し得る。スケール１４８からの信
号を、重量測定に基づいて液体供給システムの動作を制
御するコントローラ１５０に送る。コントローラ１５０
は、飽和槽中に導入され、その中で、一定の液体レベル
を維持する液体の流れを連続的に制御するバルブ１５２
に信号を送る。
的に一定の気／液接触時間を確保するために、飽和槽中
の液体化学物質を実質的に一定レベルに維持することは
重要である。液体レベルは、種々の手段によって制御さ
れ得る。本発明の例示的観点によれば、飽和槽中の液体
含有量は、好ましくは飽和槽の量または重量を検出する
ことによって制御し得る。この目的で、量または重量ス
ケール１４８は飽和槽の下方に配置し、容器の利用また
は重量を連続的に測定し得る。スケール１４８からの信
号を、重量測定に基づいて液体供給システムの動作を制
御するコントローラ１５０に送る。コントローラ１５０
は、飽和槽中に導入され、その中で、一定の液体レベル
を維持する液体の流れを連続的に制御するバルブ１５２
に信号を送る。
【００３８】結果スケール１４８不調の追加の安全チェ
ックとして、例えば、飽和槽中の高及び／または低レベ
ルを測定するためのフロートスイッチ等の液体レベル検
出器を取り付けることができる。これらの検出器は、ア
ラームシステムに接続され、あらゆる異常状態の運転に
待機し得る。
ックとして、例えば、飽和槽中の高及び／または低レベ
ルを測定するためのフロートスイッチ等の液体レベル検
出器を取り付けることができる。これらの検出器は、ア
ラームシステムに接続され、あらゆる異常状態の運転に
待機し得る。
【００３９】液体レベルを検出及び観察し、液体化学物
質中のキャリアガスを分散させるために、覗きガラスア
センブリ１５０を容器中に設けることができる。
質中のキャリアガスを分散させるために、覗きガラスア
センブリ１５０を容器中に設けることができる。
【００４０】覗きガラスアセンブリは、もれの試験であ
るため、液体化学物質の漏出及び汚染を回避することが
できる。
るため、液体化学物質の漏出及び汚染を回避することが
できる。
【００４１】覗きガラスは、好ましくはＯリングでシー
ルされた石英レンズで構成される。
ルされた石英レンズで構成される。
【００４２】飽和ガス中での化学物質蒸気の凝縮を防止
するために、飽和槽中の液体化学物質は周囲の温度より
も低い所望の温度に冷却される。温度設定点は、蒸気圧
のような液体化学物質の特徴に依存するであろう。飽和
槽と使用箇所との間のガスライン中の温度が容器中の液
体化学物質の温度以上である限り、凝縮は起こらないで
あろう。
するために、飽和槽中の液体化学物質は周囲の温度より
も低い所望の温度に冷却される。温度設定点は、蒸気圧
のような液体化学物質の特徴に依存するであろう。飽和
槽と使用箇所との間のガスライン中の温度が容器中の液
体化学物質の温度以上である限り、凝縮は起こらないで
あろう。
【００４３】２つのシステムが、飽和槽中の液体化学物
質の温度を所望の値に正確に制御するのに用いられる。
第１のシステムは、液体化学物質が制御された方法で冷
却されるのを可能とする。飽和槽と熱交換接触する外部
冷却ユニット１５４が提供される。外部冷却ユニット
は、好ましくは、飽和槽の周りの冷却ジャケット、その
中を例えば流体循環ポンプ１５６により冷却された熱交
換流体が循環する、の形態をとる。好適な熱交換流体は
本技術分野において公知であり、例えばエチレングリコ
ールを含む。
質の温度を所望の値に正確に制御するのに用いられる。
第１のシステムは、液体化学物質が制御された方法で冷
却されるのを可能とする。飽和槽と熱交換接触する外部
冷却ユニット１５４が提供される。外部冷却ユニット
は、好ましくは、飽和槽の周りの冷却ジャケット、その
中を例えば流体循環ポンプ１５６により冷却された熱交
換流体が循環する、の形態をとる。好適な熱交換流体は
本技術分野において公知であり、例えばエチレングリコ
ールを含む。
【００４４】熱交換流体を厳密な温度に保つために、流
体は凝縮器１５８中を通過し、その中でそれは冷却能力
（duty）を提供する循環冷媒（refrigerant）との熱交
換接触に供される。冷媒は、冷蔵（refrigeration）ル
ープの一部を形成し、それはまた冷蔵ループのライン１
６４中の暖められた冷媒を冷却するための精密深冷器１
６０及びコントローラ１６２を含む。新たに冷却された
深冷器１６０からの冷媒は、冷蔵ループのライン１６２
を経由して凝縮器へと導入される。好適な深冷器及びコ
ントローラは、例えば、一体化されたコントローラを有
するモデルＣＦＴ−３３深冷器としてＮｅｓｌａｂ Ｉ
ｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社から市販されている。
体は凝縮器１５８中を通過し、その中でそれは冷却能力
（duty）を提供する循環冷媒（refrigerant）との熱交
換接触に供される。冷媒は、冷蔵（refrigeration）ル
ープの一部を形成し、それはまた冷蔵ループのライン１
６４中の暖められた冷媒を冷却するための精密深冷器１
６０及びコントローラ１６２を含む。新たに冷却された
深冷器１６０からの冷媒は、冷蔵ループのライン１６２
を経由して凝縮器へと導入される。好適な深冷器及びコ
ントローラは、例えば、一体化されたコントローラを有
するモデルＣＦＴ−３３深冷器としてＮｅｓｌａｂ Ｉ
ｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社から市販されている。
【００４５】熱交換流体の温度制御は、公知の方法によ
り達成され得る。例えば、熱交換流体の温度は、凝縮器
引出ライン１６３中の温度センサＴ１で測定され、提供
される冷却能力を調節することが可能な深冷器コントロ
ーラ１６２にフィードバックされ得る。
り達成され得る。例えば、熱交換流体の温度は、凝縮器
引出ライン１６３中の温度センサＴ１で測定され、提供
される冷却能力を調節することが可能な深冷器コントロ
ーラ１６２にフィードバックされ得る。
【００４６】複数の飽和槽が使用される場合、付加的な
冷却システムがそれぞれの飽和槽に提供され得る。その
代わりに、図１に示すように、同一の冷却システムが複
数の飽和槽１０６’、１０６”に尽くし得る。
冷却システムがそれぞれの飽和槽に提供され得る。その
代わりに、図１に示すように、同一の冷却システムが複
数の飽和槽１０６’、１０６”に尽くし得る。
【００４７】しかしながら、上述した冷却システムは、
それだけで温度を完全に制御するには不十分である。飽
和プロセスの間、液体化学物質の蒸気への転化は液体か
らの付加的な熱の除去をもたらし、その正味の効果は冷
却液（coolant）の制御温度よりも低い温度への降下で
ある。深冷器ユニットは冷却能力を提供するだけである
ので、この付加的な熱の除去は冷却システムだけによっ
ては補償され得ない。
それだけで温度を完全に制御するには不十分である。飽
和プロセスの間、液体化学物質の蒸気への転化は液体か
らの付加的な熱の除去をもたらし、その正味の効果は冷
却液（coolant）の制御温度よりも低い温度への降下で
ある。深冷器ユニットは冷却能力を提供するだけである
ので、この付加的な熱の除去は冷却システムだけによっ
ては補償され得ない。
【００４８】それゆえに、液体化学物質を加熱して液体
化学物質の気化プロセスの間に除去された熱を補償する
ヒータ１３０を提供することが望ましい。ヒータ１３０
を収容するために、ヒータウェル（well）１３２が飽和
槽中に提供される。ヒータ１３０は液体化学物質を加熱
し、必要である場合は、上述した冷却システムとともに
液体化学物質を所望の温度に保つ。ヒータは、他のヒー
タタイプも用いられ得るが、好ましくは抵抗タイプの加
熱素子を含む。
化学物質の気化プロセスの間に除去された熱を補償する
ヒータ１３０を提供することが望ましい。ヒータ１３０
を収容するために、ヒータウェル（well）１３２が飽和
槽中に提供される。ヒータ１３０は液体化学物質を加熱
し、必要である場合は、上述した冷却システムとともに
液体化学物質を所望の温度に保つ。ヒータは、他のヒー
タタイプも用いられ得るが、好ましくは抵抗タイプの加
熱素子を含む。
【００４９】本発明の例示的な側面によると、加熱素子
は、飽和槽の底から垂直に伸び液体化学物質を貫通する
ウェル１３２の中に含まれる。ウェルは、ステンレス鋼
から構成されることができ、好ましくは円筒形の形状で
ある。ヒータは、好ましくは、容器の底部中心から液面
の半分よりも高い高さまで、より好ましくは液面の４分
の３よりも高い高さまで、及び最も好ましくは液面と等
しい高さまで達する。これは、液体化学物質との十分な
熱交換を考慮し、比較的速い様式で温度変動を補償す
る。ヒータは一般に冷却ユニットと同一の広がりを有す
るので、液体化学物質中の軸方向の温度変動は有利に避
けられ得る。
は、飽和槽の底から垂直に伸び液体化学物質を貫通する
ウェル１３２の中に含まれる。ウェルは、ステンレス鋼
から構成されることができ、好ましくは円筒形の形状で
ある。ヒータは、好ましくは、容器の底部中心から液面
の半分よりも高い高さまで、より好ましくは液面の４分
の３よりも高い高さまで、及び最も好ましくは液面と等
しい高さまで達する。これは、液体化学物質との十分な
熱交換を考慮し、比較的速い様式で温度変動を補償す
る。ヒータは一般に冷却ユニットと同一の広がりを有す
るので、液体化学物質中の軸方向の温度変動は有利に避
けられ得る。
【００５０】加熱素子と液体化学物質との間のより大き
な熱交換を達成するために、ヒータウェル中の空気以外
の及びヒータと接する高温熱交換流体が有益であること
が見出されている。熱交換流体は、好ましくは鉱油のよ
うなオイルである。鉱油は、典型的には約５４．４℃
（１３０°Ｆ）から約７１．１℃（１６０°Ｆ）までの
範囲の温度に達し得る。
な熱交換を達成するために、ヒータウェル中の空気以外
の及びヒータと接する高温熱交換流体が有益であること
が見出されている。熱交換流体は、好ましくは鉱油のよ
うなオイルである。鉱油は、典型的には約５４．４℃
（１３０°Ｆ）から約７１．１℃（１６０°Ｆ）までの
範囲の温度に達し得る。
【００５１】飽和槽中の液体化学物質の温度は、飽和槽
のポートのサーモウェル１６６中に配置された温度セン
サ１６５でモニタされ得る。サーモウェル１６６は、容
器の液体領域中へと伸び、正確な温度の読みを提供す
る。温度センサ１６５はコントローラ１６８に信号を送
り、それはその結果としてヒータ１３０に制御信号を送
り、その運転を制御する。ヒータ１３０は、コントロー
ラ１６８から受ける信号に応じて電源を入れる或いは消
され、一定の液温を保つ。
のポートのサーモウェル１６６中に配置された温度セン
サ１６５でモニタされ得る。サーモウェル１６６は、容
器の液体領域中へと伸び、正確な温度の読みを提供す
る。温度センサ１６５はコントローラ１６８に信号を送
り、それはその結果としてヒータ１３０に制御信号を送
り、その運転を制御する。ヒータ１３０は、コントロー
ラ１６８から受ける信号に応じて電源を入れる或いは消
され、一定の液温を保つ。
【００５２】本発明の他の特徴は、飽和槽へと入るキャ
リアガスの圧力制御にある。キャリアガスの圧力及び飽
和ガス混合物のそれは、キャリアガスライン１０４中の
及び飽和ガスライン１３８中の圧力変換器のような圧力
センサＰ１、Ｐ２によりそれぞれモニタされる。これら
センサからの信号は圧力コントローラ１７０へと送ら
れ、それは、例えばカスケードアルゴリズムに基づい
て、キャリアガスライン上の圧力調整器１７２を制御
し、飽和槽中へと入るキャリアガスの圧力を調節する。
他の制御機構が代わりに使用され得る。例えば、調整器
は、飽和ガスライン１３８上の１つの圧力センサからの
信号に基づいて制御され得る。コントローラ１７０は、
好ましくは、空気圧で操作される調整器と接続された電
子式圧力コントローラであって、手動で操作される機械
式圧力調整器とは異なり、これは圧力変動に対して迅速
な応答を提供するので圧力設定点からのずれを最少化す
る。好適なコントローラは、例えばＴｅｓｃｏｍ社から
モデルＥＲ ３０００Ｕ電空ＰＩＤコントローラとして
慣例的に入手可能である。
リアガスの圧力制御にある。キャリアガスの圧力及び飽
和ガス混合物のそれは、キャリアガスライン１０４中の
及び飽和ガスライン１３８中の圧力変換器のような圧力
センサＰ１、Ｐ２によりそれぞれモニタされる。これら
センサからの信号は圧力コントローラ１７０へと送ら
れ、それは、例えばカスケードアルゴリズムに基づい
て、キャリアガスライン上の圧力調整器１７２を制御
し、飽和槽中へと入るキャリアガスの圧力を調節する。
他の制御機構が代わりに使用され得る。例えば、調整器
は、飽和ガスライン１３８上の１つの圧力センサからの
信号に基づいて制御され得る。コントローラ１７０は、
好ましくは、空気圧で操作される調整器と接続された電
子式圧力コントローラであって、手動で操作される機械
式圧力調整器とは異なり、これは圧力変動に対して迅速
な応答を提供するので圧力設定点からのずれを最少化す
る。好適なコントローラは、例えばＴｅｓｃｏｍ社から
モデルＥＲ ３０００Ｕ電空ＰＩＤコントローラとして
慣例的に入手可能である。
【００５３】飽和槽は、好ましくは、フレキシブルなホ
ースでバルブパネルと接続され、それは管状材料、バル
ブ、感圧部、及び集中型の及び容易なシステムの操作を
考慮する他の構成部品を含む。バルブパネルで制御され
得る操作は、例えば、飽和槽への液体の添加、キャリア
ガス及び飽和ガス圧のモニタリング並びに制御、飽和ガ
スの流量制御、及び補修（servicing）のためのシステ
ムのガス抜き及び浄化を含む。
ースでバルブパネルと接続され、それは管状材料、バル
ブ、感圧部、及び集中型の及び容易なシステムの操作を
考慮する他の構成部品を含む。バルブパネルで制御され
得る操作は、例えば、飽和槽への液体の添加、キャリア
ガス及び飽和ガス圧のモニタリング並びに制御、飽和ガ
スの流量制御、及び補修（servicing）のためのシステ
ムのガス抜き及び浄化を含む。
【００５４】上述のように、１つの飽和槽が、バルブ及
び分配システムにより複数の加工ツールに接続されるこ
とができ、それぞれのツールのための飽和ガス源として
役立つ。このような場合、管状材料及び飽和システムの
構成部品は、飽和槽から加工ツールへの圧力効果を最少
化するように選択され且つ合わせてつくられるべきであ
る。
び分配システムにより複数の加工ツールに接続されるこ
とができ、それぞれのツールのための飽和ガス源として
役立つ。このような場合、管状材料及び飽和システムの
構成部品は、飽和槽から加工ツールへの圧力効果を最少
化するように選択され且つ合わせてつくられるべきであ
る。
【００５５】本発明とともに使用され得る典型的な半導
体加工ツールは、例えば、化学気相成長、拡散、及び酸
化システムを含む。本発明の例示的な側面によると、飽
和蒸気はエピタキシャルリアクタ中に導入される。エピ
タキシャルプロセスにおいては、水素がキャリアガスと
して用いられ、トリクロロシランが液体化学物質として
用いられ得る。そのようなプロセスにおいて、ヒータウ
ェル１３２中の鉱油は、好ましくは約６５．６℃（１５
０°Ｆ）に、水素キャリアガスの圧力は約２．０５×１
０5から２．７４×１０5Ｐａまで（１５から２５ｐｓｉ
ｇまで）の圧力に、より好ましくは約２．２５×１０5
から２．５３×１０5Ｐａまで（１８から２２ｐｓｉｇ
まで）に保たれる。これら状況下、トリクロロシランは
約１５．６℃（６０°Ｆ）で気化する。周囲の室温が約
２２．２℃（７２°Ｆ）であるので、飽和槽の下流の半
導体加工ツールへと導くライン中における蒸気の凝縮は
避けられ得る。
体加工ツールは、例えば、化学気相成長、拡散、及び酸
化システムを含む。本発明の例示的な側面によると、飽
和蒸気はエピタキシャルリアクタ中に導入される。エピ
タキシャルプロセスにおいては、水素がキャリアガスと
して用いられ、トリクロロシランが液体化学物質として
用いられ得る。そのようなプロセスにおいて、ヒータウ
ェル１３２中の鉱油は、好ましくは約６５．６℃（１５
０°Ｆ）に、水素キャリアガスの圧力は約２．０５×１
０5から２．７４×１０5Ｐａまで（１５から２５ｐｓｉ
ｇまで）の圧力に、より好ましくは約２．２５×１０5
から２．５３×１０5Ｐａまで（１８から２２ｐｓｉｇ
まで）に保たれる。これら状況下、トリクロロシランは
約１５．６℃（６０°Ｆ）で気化する。周囲の室温が約
２２．２℃（７２°Ｆ）であるので、飽和槽の下流の半
導体加工ツールへと導くライン中における蒸気の凝縮は
避けられ得る。
【００５６】図４は本発明の他の側面を示し、それは、
液体化学物質からのキャリアガスフリーのガスの制御さ
れた送出のためのシステム及び方法である。図１と同じ
番号により参照される機構の記述は、本態様においても
適用される。
液体化学物質からのキャリアガスフリーのガスの制御さ
れた送出のためのシステム及び方法である。図１と同じ
番号により参照される機構の記述は、本態様においても
適用される。
【００５７】本態様はキャリアガスフリーであるので、
液体保持容器からライン１３８を通って取り出されるガ
スは、１００％液体化学物質からの蒸気である。ガス飽
和システムを参照しながら上述した飽和槽の代わりに、
液体化学物質蒸発容器１７４が用いられる。蒸発容器１
７４は、上述したキャリアガスのための第２の接続及び
ガス分散手段が存在しない点で上述した飽和槽と異な
る。温度制御システムは、加熱及び冷却システムを会し
て容器中で一定の温度を保ち、それにより液体の上方の
ヘッドスペースにおける蒸気圧を安定させる。
液体保持容器からライン１３８を通って取り出されるガ
スは、１００％液体化学物質からの蒸気である。ガス飽
和システムを参照しながら上述した飽和槽の代わりに、
液体化学物質蒸発容器１７４が用いられる。蒸発容器１
７４は、上述したキャリアガスのための第２の接続及び
ガス分散手段が存在しない点で上述した飽和槽と異な
る。温度制御システムは、加熱及び冷却システムを会し
て容器中で一定の温度を保ち、それにより液体の上方の
ヘッドスペースにおける蒸気圧を安定させる。
【００５８】蒸気は、好ましくは、蒸発容器の出口側の
ミスト分離器１７６を通過し、蒸発容器からの蒸気流の
単相流を確実にする。好ましくは、ミスト分離器は、他
の装置も当業者に公知であるが、化学物質蒸気が通り抜
ける焼結金属エレメントである。
ミスト分離器１７６を通過し、蒸発容器からの蒸気流の
単相流を確実にする。好ましくは、ミスト分離器は、他
の装置も当業者に公知であるが、化学物質蒸気が通り抜
ける焼結金属エレメントである。
【００５９】生成物蒸気の送出圧力を繊細に調整するた
めに、ヘッドスペースからの生成物蒸気の圧力が、圧力
調整器１８０を制御する圧力コントローラ１７８へのフ
ィードバックとともに、引出ライン１３８中の圧力セン
サＰ３によりモニタ及び制御される。コントローラ１７
８は、好ましくは、空気圧により操作される調整器１８
０に接続された電子式圧力コントローラである。
めに、ヘッドスペースからの生成物蒸気の圧力が、圧力
調整器１８０を制御する圧力コントローラ１７８へのフ
ィードバックとともに、引出ライン１３８中の圧力セン
サＰ３によりモニタ及び制御される。コントローラ１７
８は、好ましくは、空気圧により操作される調整器１８
０に接続された電子式圧力コントローラである。
【００６０】本発明は、その特定の態様を参照しながら
詳述されたが、請求の範囲から逸脱することなく様々な
変更及び修飾がなされ得て等価物が用いられることは当
業者には明白であろう。
詳述されたが、請求の範囲から逸脱することなく様々な
変更及び修飾がなされ得て等価物が用いられることは当
業者には明白であろう。
【図１】本発明の一側面に係るガス飽和の例示的なプロ
セスフローダイアグラム。
セスフローダイアグラム。
【図２】本発明の一側面に係る飽和槽を示す図。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一側面に係る液
体化学物質中へのキャリアガスのバブリングのための例
示的なスパージャアセンブリを示す平面図。
体化学物質中へのキャリアガスのバブリングのための例
示的なスパージャアセンブリを示す平面図。
【図４】本発明の他の側面に係る気化された化学物質の
制御された送出についての例示的なプロセスフローダイ
アグラム。
制御された送出についての例示的なプロセスフローダイ
アグラム。
１０６…飽和槽 １２６…ガス放出構造 １２８…焼結金属管 １５４…外部冷却ユニット １５０…コントローラ １３０…ヒーター １６５…温度センサ １６８…コントローラ １７０…圧力コントローラ Ｐ１，Ｐ２…圧力センサ １７２…圧力調整器
Claims (20)
- 【請求項１】（ａ）液体化学物質およびキャリアガスを
受けるように接続された飽和槽、 （ｂ）キャリアガスを液体化学物質に吹き付けるため
の、飽和槽内のガススパージャー、 （ｃ）飽和槽内の液体化学物質を実質的に一定のレベル
に維持する手段、 （ｄ）（ｉ）液体化学物質を冷却する装置、および（ｉ
ｉ）液体化学物質を加熱するための、液体化学物質のレ
ベルの高さの少なくとも半分の距離、液体中に垂直に延
びる飽和槽内のヒーターを含む、飽和槽内の液体化学物
質の温度を所望の値に制御する手段、および飽和したガ
スの圧力を所望の値に制御する手段を具備することを特
徴とする、液体化学物質からの蒸気でガスを飽和させる
ための装置。 - 【請求項２】前記ヒーターは、液状熱伝達流体により囲
まれた加熱要素を備え、前記加熱要素および液状熱伝達
流体は、液体化学物質から分離されていることを特徴と
する請求項１に記載の装置。 - 【請求項３】前記熱伝達流体は、鉱油であることを特徴
とする請求項２に記載の装置。 - 【請求項４】前記冷却装置は、その中を循環する液状冷
却流体を有する飽和槽の周囲に冷却ジャケットを備えて
いることを特徴とする請求項１に記載の装置。 - 【請求項５】前記飽和槽内の液体化学物質のレベルを維
持する手段は、飽和槽の下に配置された重量または質量
計量器、およびこの重量または質量計量器に基づき、飽
和槽への液体化学物質の流量を制御するためのコントロ
ーラを備えていることを特徴とする請求項１に記載の装
置。 - 【請求項６】（ａ）液体化学物質およびキャリアガスを
飽和槽に導入する―前記キャリアガスは、前記液体化学
物質に吹き付けられ、液体化学物質からの蒸気で飽和さ
れたガスを形成する―工程、 （ｂ）飽和槽内の液体化学物質を実質的に一定のレベル
に維持する工程、 （ｃ）前記液体化学物質を所望の値に冷却し、必要に応
じて温度調整するため、液体化学物質のレベルの高さの
少なくとも半分の距離、液体中に垂直に延びる飽和槽内
のヒーターにより、前記液体化学物質に熱を加えること
により、前記飽和槽内の液体化学物質の温度を所望の周
囲温度以下に制御する工程、および （ｄ）飽和したガスの圧力を所望の値に制御する工程を
具備することを特徴とする、液体化学物質からの蒸気で
ガスを飽和させる方法。 - 【請求項７】前記ヒーターは、液状熱伝達流体により囲
まれた加熱要素を備え、前記加熱要素および液状熱伝達
流体は、液体化学物質から分離されていることを特徴と
する請求項６に記載の方法。 - 【請求項８】前記熱伝達流体は、鉱油であることを特徴
とする請求項７に記載の方法。 - 【請求項９】前記冷却装置は、その中を循環する液状冷
却流体を有する飽和槽の周囲に冷却ジャケットを備えて
いることを特徴とする請求項６に記載の方法。 - 【請求項１０】前記飽和槽内の液体化学物質のレベルを
維持する手段は、飽和槽の下に配置された重量または質
量計量器、およびこの重量または質量計量器に基づき、
飽和槽への液体化学物質の流量を制御するためのコント
ローラを備えていることを特徴とする請求項６に記載の
方法。 - 【請求項１１】（ａ）キャリアガスのない、液体化学物
質を受けるように接続された蒸発槽、 （ｂ）蒸発槽内の液体化学物質を実質的に一定のレベル
に維持する手段、および （ｃ）（ｉ）液体化学物質を冷却する装置、および（ｉ
ｉ）液体化学物質を加熱するための蒸発槽内のヒーター
を含む、蒸発槽内の液体化学物質の温度を所望の値に制
御する手段を具備することを特徴とする、液体化学物質
の制御された蒸発のための装置。 - 【請求項１２】前記ヒーターは、液状熱伝達流体により
囲まれた加熱要素を備え、前記加熱要素および液状熱伝
達流体は、液体化学物質から分離されていることを特徴
とする請求項１１に記載の装置。 - 【請求項１３】前記ヒーターは、液体化学物質のレベル
の高さの少なくとも半分の距離、液体中に垂直に延びて
いることを特徴とする請求項１１に記載の装置。 - 【請求項１４】前記冷却装置は、その中を循環する液状
冷却流体を有する飽和槽の周囲に冷却ジャケットを備え
ていることを特徴とする請求項１１に記載の装置。 - 【請求項１５】前記蒸発槽内の液体化学物質のレベルを
維持する手段は、蒸発槽の下に配置された重量または質
量計量器、およびこの重量または質量計量器に基づき、
蒸発槽への液体化学物質の流量を制御するためのコント
ローラを備えていることを特徴とする請求項１１に記載
の装置。 - 【請求項１６】（ａ）液体化学物質を蒸発槽に導入する
工程、 （ｂ）蒸発槽内の液体のレベルを実質的に一定のレベル
に維持する工程、および （ｃ）前記液体化学物質を所望の値に冷却し、必要に応
じて温度調整するため、飽和槽内のヒーターにより、前
記液体化学物質に熱を加えることにより、前記飽和槽内
の液体化学物質の温度を所望の周囲温度以下に制御する
工程、および （ｄ）気化した液体化学物質流を蒸発槽から除去する工
程を具備することを特徴とする、キャリアガスを用いな
い、気化した液体化学物質の制御された放出方法。 - 【請求項１７】前記ヒーターは、液状熱伝達流体により
囲まれた加熱要素を備え、前記加熱要素および液状熱伝
達流体は、液体化学物質から分離されていることを特徴
とする請求項１６に記載の方法。 - 【請求項１８】前記ヒーターは、前記飽和槽内にあっ
て、前記液体化学物質のレベルの高さの少なくとも半分
の距離、液体中に垂直に延びていることを特徴とする請
求項１６に記載の方法。 - 【請求項１９】前記液体化学物質の冷却工程は、前記液
状冷却流体を前記飽和槽の周囲の冷却ジャケット中を循
環させることからなる請求項１７に記載の方法。 - 【請求項２０】前記液体化学物質のレベルを維持する工
程は、蒸発槽の重量または質量を計量すること、および
この重量または質量計量に基づき、蒸発槽への液体化学
物質の流れを制御することを含むことを特徴とする請求
項１７に記載の方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US7629498P | 1998-02-27 | 1998-02-27 | |
| US076294 | 1999-02-18 | ||
| US251744 | 1999-02-18 | ||
| US09/251,744 US6135433A (en) | 1998-02-27 | 1999-02-18 | Continuous gas saturation system and method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11317374A true JPH11317374A (ja) | 1999-11-16 |
Family
ID=26757922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11049915A Pending JPH11317374A (ja) | 1998-02-27 | 1999-02-26 | 連続ガス飽和装置および方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6135433A (ja) |
| EP (1) | EP0939145B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11317374A (ja) |
| KR (1) | KR19990072962A (ja) |
| DE (1) | DE69907299T2 (ja) |
| SG (1) | SG68712A1 (ja) |
| TW (1) | TW463206B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010540765A (ja) * | 2007-09-25 | 2010-12-24 | ピー２アイ リミテッド | 蒸気運搬システム |
| JP5702139B2 (ja) * | 2009-04-21 | 2015-04-15 | 株式会社堀場エステック | 液体原料気化装置 |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6311959B1 (en) * | 1999-04-22 | 2001-11-06 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for generating controlled mixture of organic vapor and inert gas |
| GB9929279D0 (en) * | 1999-12-11 | 2000-02-02 | Epichem Ltd | An improved method of and apparatus for the delivery of precursors in the vapour phase to a plurality of epitaxial reactor sites |
| JP3741253B2 (ja) * | 1999-12-24 | 2006-02-01 | 富士通株式会社 | 薬品製造装置 |
| US6443435B1 (en) * | 2000-10-23 | 2002-09-03 | Applied Materials, Inc. | Vaporization of precursors at point of use |
| DE10059386A1 (de) * | 2000-11-30 | 2002-06-13 | Aixtron Ag | Verfahren und Vorrichtung zur dosierten Abgabe kleiner Flüssigkeitsvolumenströme |
| US6761109B2 (en) | 2001-03-28 | 2004-07-13 | The Boc Group, Inc. | Apparatus and method for mixing a gas and a liquid |
| US6863268B2 (en) * | 2001-11-27 | 2005-03-08 | Chaojiong Zhang | Dew point humidifier (DPH) and related gas temperature control |
| US6715743B2 (en) * | 2001-11-27 | 2004-04-06 | Chaojiong Zhang | Gas humidifier |
| US7008658B2 (en) | 2002-05-29 | 2006-03-07 | The Boc Group, Inc. | Apparatus and method for providing treatment to a continuous supply of food product by impingement |
| US7011299B2 (en) * | 2002-09-16 | 2006-03-14 | Matheson Tri-Gas, Inc. | Liquid vapor delivery system and method of maintaining a constant level of fluid therein |
| US6988717B2 (en) * | 2003-12-15 | 2006-01-24 | Chemflow Systems, Inc. | Method and system for near saturation humidification of a gas flow |
| US7416170B2 (en) * | 2004-09-21 | 2008-08-26 | Jablonski Thaddeus M | Carbonator with remote liquid level sensor |
| KR100625320B1 (ko) * | 2005-03-18 | 2006-09-20 | 세메스 주식회사 | 기판 세정 설비의 기능수 공급 장치 |
| KR100697691B1 (ko) * | 2005-07-27 | 2007-03-20 | 삼성전자주식회사 | 소스 가스 공급 유닛 및 이를 갖는 화학 기상 증착 장치 |
| US20090032982A1 (en) * | 2007-07-31 | 2009-02-05 | Air Liquide | System and method for providing a gas mixture |
| JP2009045619A (ja) * | 2007-08-22 | 2009-03-05 | Jong Hoo Park | 集約型微細気泡発生装置 |
| GB0718801D0 (en) * | 2007-09-25 | 2007-11-07 | P2I Ltd | Vapour delivery system |
| GB0802687D0 (en) * | 2008-02-14 | 2008-03-19 | P2I Ltd | Vapour delivery system |
| JP5690498B2 (ja) * | 2009-03-27 | 2015-03-25 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． | 基体上に膜を堆積する方法および気化前駆体化合物を送達する装置 |
| WO2011047127A1 (en) | 2009-10-15 | 2011-04-21 | Minntech Corporation | Room fogging disinfection system |
| AU2010325926B2 (en) * | 2009-12-03 | 2014-01-09 | Minntech Corporation | Container and system for decontaminating a medical device with a fog |
| US8555809B2 (en) | 2010-01-14 | 2013-10-15 | Rohm And Haas Electronic Materials, Llc | Method for constant concentration evaporation and a device using the same |
| US8852693B2 (en) | 2011-05-19 | 2014-10-07 | Liquipel Ip Llc | Coated electronic devices and associated methods |
| US9017607B2 (en) | 2011-05-27 | 2015-04-28 | Medivators Inc. | Decontamination system including environmental control using a decontaminating substance |
| DE102013103603A1 (de) * | 2013-04-10 | 2014-10-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Versorgen eines Prozesses mit einem angereicherten Trägergas |
| US9957612B2 (en) | 2014-01-17 | 2018-05-01 | Ceres Technologies, Inc. | Delivery device, methods of manufacture thereof and articles comprising the same |
| DE102018118771B4 (de) | 2018-08-02 | 2022-07-07 | Leoni Kabel Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum reproduzierbaren Erzeugen einer Preform für die Glasfaserherstellung |
| JP6901153B2 (ja) * | 2019-02-07 | 2021-07-14 | 株式会社高純度化学研究所 | 薄膜形成用金属ハロゲン化合物の固体気化供給システム。 |
| JP6887688B2 (ja) * | 2019-02-07 | 2021-06-16 | 株式会社高純度化学研究所 | 蒸発原料用容器、及びその蒸発原料用容器を用いた固体気化供給システム |
| CN110567546A (zh) * | 2019-09-26 | 2019-12-13 | 张家港市江南锅炉压力容器有限公司 | 一种气体自饱和装置 |
| CN111554565A (zh) * | 2020-05-08 | 2020-08-18 | 四川广瑞半导体有限公司 | 硅8英寸大功率元器件外延片制备工艺 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3323578A (en) * | 1964-12-11 | 1967-06-06 | Gen Motors Corp | Method and apparatus for controlling temperatures |
| US3987133A (en) * | 1975-09-05 | 1976-10-19 | Fisher Scientific Company | Humidifier |
| US4212663A (en) * | 1978-01-26 | 1980-07-15 | Corning Glass Works | Reactants delivery system for optical waveguide manufacturing |
| US4436674A (en) * | 1981-07-30 | 1984-03-13 | J.C. Schumacher Co. | Vapor mass flow control system |
| FR2560064A1 (fr) * | 1984-02-29 | 1985-08-30 | Air Liquide | Procede d'obtention de solutions a forte teneur en gaz dissous, solutions obtenues et installation de mise en oeuvre |
| DE3708967A1 (de) * | 1987-03-19 | 1988-10-06 | Merck Patent Gmbh | Vorrichtung zur erzeugung eines gasgemisches nach dem saettigungsverfahren |
| NL9002164A (nl) * | 1990-10-05 | 1992-05-06 | Philips Nv | Werkwijze voor het voorzien van een substraat van een oppervlaktelaag vanuit een damp en een inrichting voor het toepassen van een dergelijke werkwijze. |
| US5078922A (en) * | 1990-10-22 | 1992-01-07 | Watkins-Johnson Company | Liquid source bubbler |
| JP3208671B2 (ja) * | 1991-06-06 | 2001-09-17 | 日本酸素株式会社 | 気相成長方法及び装置 |
| JP2000252269A (ja) * | 1992-09-21 | 2000-09-14 | Mitsubishi Electric Corp | 液体気化装置及び液体気化方法 |
| JPH06196415A (ja) * | 1992-12-25 | 1994-07-15 | Kawasaki Steel Corp | 気相成長用ガス供給方法及びその装置 |
| JP2996101B2 (ja) * | 1994-08-05 | 1999-12-27 | 信越半導体株式会社 | 液体原料ガスの供給方法および装置 |
| JP3770409B2 (ja) * | 1995-01-06 | 2006-04-26 | 東京エレクトロン株式会社 | Ｈｍｄｓ供給装置 |
-
1999
- 1999-02-18 US US09/251,744 patent/US6135433A/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-02-24 DE DE69907299T patent/DE69907299T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1999-02-24 EP EP99400445A patent/EP0939145B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-02-25 SG SG1999001250A patent/SG68712A1/en unknown
- 1999-02-26 KR KR1019990006447A patent/KR19990072962A/ko not_active Application Discontinuation
- 1999-02-26 TW TW088102918A patent/TW463206B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-02-26 JP JP11049915A patent/JPH11317374A/ja active Pending
-
2000
- 2000-05-15 US US09/570,940 patent/US6283066B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010540765A (ja) * | 2007-09-25 | 2010-12-24 | ピー２アイ リミテッド | 蒸気運搬システム |
| JP5702139B2 (ja) * | 2009-04-21 | 2015-04-15 | 株式会社堀場エステック | 液体原料気化装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19990072962A (ko) | 1999-09-27 |
| US6135433A (en) | 2000-10-24 |
| TW463206B (en) | 2001-11-11 |
| SG68712A1 (en) | 1999-11-16 |
| EP0939145B1 (en) | 2003-05-02 |
| DE69907299T2 (de) | 2004-02-19 |
| DE69907299D1 (de) | 2003-06-05 |
| EP0939145A1 (en) | 1999-09-01 |
| US6283066B1 (en) | 2001-09-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11317374A (ja) | 連続ガス飽和装置および方法 | |
| US6363728B1 (en) | System and method for controlled delivery of liquefied gases from a bulk source | |
| US4393013A (en) | Vapor mass flow control system | |
| JP6317375B2 (ja) | 一定濃度の蒸発のための方法およびその方法を使用する装置 | |
| JP2996101B2 (ja) | 液体原料ガスの供給方法および装置 | |
| US5673562A (en) | Bulk delivery of ultra-high purity gases at high flow rates | |
| US20040124549A1 (en) | Liquid vapor delivery system and method of maintaining a constant level of fluid therein | |
| US5644921A (en) | Ultra high purity delivery system for liquefied compressed gases | |
| KR19990029830A (ko) | 사용장소까지초고순도가스를이송하기위한시스템및방법 | |
| KR20010051006A (ko) | 초음파 유체 센서를 구비한 화학 제품 송출 장치 | |
| KR20070086892A (ko) | 액상 전구체 리필 장치 | |
| KR20090075709A (ko) | 저증기압 고순도 가스 송출 시스템 | |
| US10480071B2 (en) | Continuous distillation trichlorosilane vaporization supply apparatus | |
| EP0040540B1 (en) | Chemical vapor delivery system and method for controlling the flow of vapor in a chemical vapor delivery system | |
| TW583135B (en) | Pressure vessel systems and methods for dispensing liquid chemical compositions | |
| US6123765A (en) | Continuously fed single bubbler for epitaxial deposition of silicon | |
| US7883635B2 (en) | Substrate treating apparatus and method | |
| KR100727471B1 (ko) | 유체 공급 장치 및 방법 | |
| JPH0553760B2 (ja) | ||
| CN1242248A (zh) | 连续的气体饱和系统及方法 | |
| JP2009052595A (ja) | 液化ガス供給装置および供給方法 | |
| JP2005217089A (ja) | 半導体製造装置および半導体製造方法 | |
| WO2019143665A1 (en) | Controlled vapor delivery into low pressure processes |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051214 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081125 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090220 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090225 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090616 |