JPH11317173A - 異方性導電膜の除去方法及び除去装置 - Google Patents
異方性導電膜の除去方法及び除去装置Info
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- JPH11317173A JPH11317173A JP10120689A JP12068998A JPH11317173A JP H11317173 A JPH11317173 A JP H11317173A JP 10120689 A JP10120689 A JP 10120689A JP 12068998 A JP12068998 A JP 12068998A JP H11317173 A JPH11317173 A JP H11317173A
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- anisotropic conductive
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＡＣＦ残渣の膨潤を促進することによりＡＣ
Ｆをパネル基板から容易に除去し得る異方性導電膜の除
去方法及び除去装置を得る。 【解決手段】 ＦＰＣ基板３ａを剥離した後、ディスペ
ンサ８を用いて、ＡＣＦ残渣６ａの表面からＡＣＦ除去
材料９を供給する。次に、ヒートツール５によってパネ
ル基板１の底面からＡＣＦ残渣６ａを加熱し、ＡＣＦ残
渣６ａを膨潤させる。その後、ヒートツール５による加
熱を停止する。次に、膨潤によりパネル基板１から浮き
上がってきたＡＣＦ残渣６ａを、摩擦ツール１０を往復
運動させて、その摩擦により剥離する。次に、ヒートツ
ール５をパネル基板１から離着し、パネル基板１を冷却
する。その後、イソプロピルアルコールやアセトン等の
溶剤をＡＣＦ６の除去面に塗布し、ワイパー１２を往復
運動させて、剥離したＡＣＦ残渣６ａ及びパネル基板１
の上面上に残っているＡＣＦ除去材料９を除去する。
Ｆをパネル基板から容易に除去し得る異方性導電膜の除
去方法及び除去装置を得る。 【解決手段】 ＦＰＣ基板３ａを剥離した後、ディスペ
ンサ８を用いて、ＡＣＦ残渣６ａの表面からＡＣＦ除去
材料９を供給する。次に、ヒートツール５によってパネ
ル基板１の底面からＡＣＦ残渣６ａを加熱し、ＡＣＦ残
渣６ａを膨潤させる。その後、ヒートツール５による加
熱を停止する。次に、膨潤によりパネル基板１から浮き
上がってきたＡＣＦ残渣６ａを、摩擦ツール１０を往復
運動させて、その摩擦により剥離する。次に、ヒートツ
ール５をパネル基板１から離着し、パネル基板１を冷却
する。その後、イソプロピルアルコールやアセトン等の
溶剤をＡＣＦ６の除去面に塗布し、ワイパー１２を往復
運動させて、剥離したＡＣＦ残渣６ａ及びパネル基板１
の上面上に残っているＡＣＦ除去材料９を除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、プラズマディス
プレイ（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）、液晶ディス
プレイ（Liquid Crystal Display：ＬＣＤ）等のフラッ
トパネルディスプレイや、その他の電極接続に用いられ
る異方性導電膜（Anisotropic ConductiveFilm：ＡＣ
Ｆ）の除去方法及び除去装置に関するものである。
プレイ（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）、液晶ディス
プレイ（Liquid Crystal Display：ＬＣＤ）等のフラッ
トパネルディスプレイや、その他の電極接続に用いられ
る異方性導電膜（Anisotropic ConductiveFilm：ＡＣ
Ｆ）の除去方法及び除去装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＡＣＦは、絶縁性及び接着性に優れたエ
ポキシ樹脂等のバインダ成分中に、導電性を有する特定
の粒径の粒子を分散させ、フィルム状に成形したもので
ある。バインダの成分やＡＣＦの膜厚、あるいは導電粒
子の材料、粒径、形状等が用途に合わせて最適化された
多様な製品が開発されており、はんだ接続では困難なフ
ァインピッチの電極接続に使用されている。ＡＣＦを用
いた電極接続（以下「ＡＣＦ接続」とも表記する）によ
ると、ピン数が１００以上の電極同士を一括して、し
かも比較的低温で接続できる、配線基板のリペアが可
能、といった多くの利点が得られる。
ポキシ樹脂等のバインダ成分中に、導電性を有する特定
の粒径の粒子を分散させ、フィルム状に成形したもので
ある。バインダの成分やＡＣＦの膜厚、あるいは導電粒
子の材料、粒径、形状等が用途に合わせて最適化された
多様な製品が開発されており、はんだ接続では困難なフ
ァインピッチの電極接続に使用されている。ＡＣＦを用
いた電極接続（以下「ＡＣＦ接続」とも表記する）によ
ると、ピン数が１００以上の電極同士を一括して、し
かも比較的低温で接続できる、配線基板のリペアが可
能、といった多くの利点が得られる。
【０００３】図１３〜図１６は、ＡＣＦ接続の一例とし
て、ＰＤＰのパネル基板上に設けられた電極と、ＦＰＣ
（Flexible Printed Circuit）基板上に設けられた電極
との接続を順に説明するための斜視図である。パネル基
板１０１の上面上には、互いに平行する複数の電極１０
４が形成されている（図１３）。まず、複数の電極１０
４のそれぞれの端部に一括してＡＣＦ１０６を貼り付け
る（図１４）。次に、ＦＰＣ基板１０３の底面上に形成
されている電極１０７と電極１０４とが互いに重なり合
うように、ＦＰＣ基板１０３，１０３ａを位置決めして
配置する（図１５）。なお、図１５にはＦＰＣ基板１０
３，１０３ａの上面が表れており、電極１０７を眺める
ことはできないので、電極１０７を破線で表している。
て、ＰＤＰのパネル基板上に設けられた電極と、ＦＰＣ
（Flexible Printed Circuit）基板上に設けられた電極
との接続を順に説明するための斜視図である。パネル基
板１０１の上面上には、互いに平行する複数の電極１０
４が形成されている（図１３）。まず、複数の電極１０
４のそれぞれの端部に一括してＡＣＦ１０６を貼り付け
る（図１４）。次に、ＦＰＣ基板１０３の底面上に形成
されている電極１０７と電極１０４とが互いに重なり合
うように、ＦＰＣ基板１０３，１０３ａを位置決めして
配置する（図１５）。なお、図１５にはＦＰＣ基板１０
３，１０３ａの上面が表れており、電極１０７を眺める
ことはできないので、電極１０７を破線で表している。
【０００４】次に、ＦＰＣ基板１０３ａの上面のうちＡ
ＣＦ接続部分の上方に位置する部分にヒートツール１０
５を接触させ、圧着温度２００度（到達温度）、圧着圧
力３０ｋｇ／ｃｍ2でＡＣＦ接続部分を圧着する。な
お、図１５，１６では省略したが、ＦＰＣ基板１０３
ａ，１０３の他端は、ＰＤＰの駆動回路基板の一品種で
あるチップオンボード（Chip On Board）タイプのプリ
ント回路基板（以下「ＰＷＢ」と表記する）等に接続さ
れている。
ＣＦ接続部分の上方に位置する部分にヒートツール１０
５を接触させ、圧着温度２００度（到達温度）、圧着圧
力３０ｋｇ／ｃｍ2でＡＣＦ接続部分を圧着する。な
お、図１５，１６では省略したが、ＦＰＣ基板１０３
ａ，１０３の他端は、ＰＤＰの駆動回路基板の一品種で
あるチップオンボード（Chip On Board）タイプのプリ
ント回路基板（以下「ＰＷＢ」と表記する）等に接続さ
れている。
【０００５】図１７は、以上のようにして接続されたＡ
ＣＦ接続部分の断面構造を概略的に示す断面図であり、
特に、図１６に示したＸ方向からＡＣＦ接続部分を眺め
たものに相当する。エポキシ樹脂１１３中には複数の導
電粒子１１４が分散しており、電極１０４と電極１０７
との間にも導電粒子１１４ａが存在する。図１６に示し
たようにヒートツール１０５によってＡＣＦ接続部分に
圧力を加えると、導電粒子１１４ａは電極１０４と電極
１０７とによって挟み込まれてつぶされる。そして、こ
のつぶされた導電粒子１１４ａによって、電極１０４と
電極１０７とが互いに電気的に接続される。
ＣＦ接続部分の断面構造を概略的に示す断面図であり、
特に、図１６に示したＸ方向からＡＣＦ接続部分を眺め
たものに相当する。エポキシ樹脂１１３中には複数の導
電粒子１１４が分散しており、電極１０４と電極１０７
との間にも導電粒子１１４ａが存在する。図１６に示し
たようにヒートツール１０５によってＡＣＦ接続部分に
圧力を加えると、導電粒子１１４ａは電極１０４と電極
１０７とによって挟み込まれてつぶされる。そして、こ
のつぶされた導電粒子１１４ａによって、電極１０４と
電極１０７とが互いに電気的に接続される。
【０００６】一方、隣接する電極１０４同士あるいは電
極１０７同士の間は、ＡＣＦ１０６の主成分であるエポ
キシ樹脂１１３によって絶縁性が確保される。また、エ
ポキシ樹脂１１３はヒートツール１０５によって加熱さ
れることにより熱硬化し、ＦＰＣ基板１０３ａとパネル
基板１０１とを物理的に接続する。
極１０７同士の間は、ＡＣＦ１０６の主成分であるエポ
キシ樹脂１１３によって絶縁性が確保される。また、エ
ポキシ樹脂１１３はヒートツール１０５によって加熱さ
れることにより熱硬化し、ＦＰＣ基板１０３ａとパネル
基板１０１とを物理的に接続する。
【０００７】以上のようにして実施されるＡＣＦ接続で
あるが、パネル基板１０１とＦＰＣ基板１０３，１０３
ａとを位置合わせする際にずれが生じたり、外的な力に
よってＡＣＦ接続部分が部分的に剥がれたりした場合に
は、ＡＣＦ１０６をパネル基板１０１から除去してＦＰ
Ｃ基板１０３，１０３ａをリペアする必要がある。ある
いは、ＰＷＢの故障等の不良が発生した場合には、その
故障したＰＷＢを交換する必要があるが、その際にパネ
ル基板１０１からＡＣＦ１０６を除去する必要がある。
あるが、パネル基板１０１とＦＰＣ基板１０３，１０３
ａとを位置合わせする際にずれが生じたり、外的な力に
よってＡＣＦ接続部分が部分的に剥がれたりした場合に
は、ＡＣＦ１０６をパネル基板１０１から除去してＦＰ
Ｃ基板１０３，１０３ａをリペアする必要がある。ある
いは、ＰＷＢの故障等の不良が発生した場合には、その
故障したＰＷＢを交換する必要があるが、その際にパネ
ル基板１０１からＡＣＦ１０６を除去する必要がある。
【０００８】以下、ＡＣＦの除去方法について説明す
る。図１８〜図２３は、従来の異方性導電膜の除去方法
を順に説明するための斜視図である。まず、パネル基板
１０１の底面のうちＡＣＦ接続部分の下方に位置する部
分にヒートツール１０５を接触させる（図１８）。次
に、ヒートツール１０５によってＡＣＦ接続部分を加熱
し、ＡＣＦ１０６を軟化させてからＦＰＣ基板１０３ａ
を剥離する（図１９）。次に、パネル基板１０１上に残
ったＡＣＦ残渣１０６ａに、ディスペンサ１０８からＡ
ＣＦ除去材料１０９を供給し、ＡＣＦ１０６の主成分で
あるエポキシ樹脂１１３を膨潤させる（図２０）。ＡＣ
Ｆ除去材料としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドン、２，５−ヘキサンジオン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、ジメチルスルホキシド等の極性が大きい非プ
ロトン性溶媒に、主に粘度調整を目的として、フェノキ
シ樹脂、エポキシ樹脂、二酸化ケイ素等を添加した専用
除去材料を用いる。
る。図１８〜図２３は、従来の異方性導電膜の除去方法
を順に説明するための斜視図である。まず、パネル基板
１０１の底面のうちＡＣＦ接続部分の下方に位置する部
分にヒートツール１０５を接触させる（図１８）。次
に、ヒートツール１０５によってＡＣＦ接続部分を加熱
し、ＡＣＦ１０６を軟化させてからＦＰＣ基板１０３ａ
を剥離する（図１９）。次に、パネル基板１０１上に残
ったＡＣＦ残渣１０６ａに、ディスペンサ１０８からＡ
ＣＦ除去材料１０９を供給し、ＡＣＦ１０６の主成分で
あるエポキシ樹脂１１３を膨潤させる（図２０）。ＡＣ
Ｆ除去材料としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドン、２，５−ヘキサンジオン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、ジメチルスルホキシド等の極性が大きい非プ
ロトン性溶媒に、主に粘度調整を目的として、フェノキ
シ樹脂、エポキシ樹脂、二酸化ケイ素等を添加した専用
除去材料を用いる。
【０００９】次に、エポキシ樹脂１１３が膨潤して剥が
れやすくなったＡＣＦ残渣１０６ａを、綿棒等の摩擦ツ
ール１１０で摩擦して剥離する（図２１）。最後に、イ
ソプロピルアルコールやアセトン等の溶剤を塗布した
後、ワイパー１１２を用いて、剥離したＡＣＦ残渣１０
６ａ及びパネル基板１０１の上面上に残っているＡＣＦ
除去材料１０９を除去する（図２２）。以上の工程によ
り、パネル基板１０１からＡＣＦ１０６が除去される
（図２３）。
れやすくなったＡＣＦ残渣１０６ａを、綿棒等の摩擦ツ
ール１１０で摩擦して剥離する（図２１）。最後に、イ
ソプロピルアルコールやアセトン等の溶剤を塗布した
後、ワイパー１１２を用いて、剥離したＡＣＦ残渣１０
６ａ及びパネル基板１０１の上面上に残っているＡＣＦ
除去材料１０９を除去する（図２２）。以上の工程によ
り、パネル基板１０１からＡＣＦ１０６が除去される
（図２３）。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来の異方性導電膜の除去方法には、以下のような問題が
あった。
来の異方性導電膜の除去方法には、以下のような問題が
あった。
【００１１】まず、ＡＣＦ除去材料として極性の強い有
機溶媒を使用しても、一旦熱硬化したＡＣＦの膨潤は容
易ではない。特に、ＡＣＦ残渣の膜厚が厚い場合や、熱
硬化温度が高くエポキシ分子間の架橋が十分に進行して
いる場合等にはＡＣＦが十分膨潤されず、摩擦ツールに
よる摩擦のみで除去することは極めて困難である。ある
いはＡＣＦが膨潤するまでに長時間を要するため、ＡＣ
Ｆ接続部の長さが数十ｃｍ以上もあるＰＤＰにおいては
生産性が悪い。
機溶媒を使用しても、一旦熱硬化したＡＣＦの膨潤は容
易ではない。特に、ＡＣＦ残渣の膜厚が厚い場合や、熱
硬化温度が高くエポキシ分子間の架橋が十分に進行して
いる場合等にはＡＣＦが十分膨潤されず、摩擦ツールに
よる摩擦のみで除去することは極めて困難である。ある
いはＡＣＦが膨潤するまでに長時間を要するため、ＡＣ
Ｆ接続部の長さが数十ｃｍ以上もあるＰＤＰにおいては
生産性が悪い。
【００１２】また、粘度調整を目的として二酸化ケイ素
等を添加した専用のＡＣＦ除去材料は単価が高く、しか
も、ＡＣＦを除去した後にパネル基板が乾燥すると、こ
の二酸化ケイ素等が粉末状の残渣となって残り、除去が
困難となる。
等を添加した専用のＡＣＦ除去材料は単価が高く、しか
も、ＡＣＦを除去した後にパネル基板が乾燥すると、こ
の二酸化ケイ素等が粉末状の残渣となって残り、除去が
困難となる。
【００１３】さらに、エポキシ樹脂に対する強力な溶解
性を有する有機溶剤として塩化メチレン等のプロトン性
溶媒が用いられる場合があったが、環境問題への配慮か
ら脱ハロゲン指向が進んでおり、今後使用することは困
難になってきている。しかも、このようなＡＣＦの除去
作業は主に手作業で行われており、人体への安全上、衛
生上も好ましくない。
性を有する有機溶剤として塩化メチレン等のプロトン性
溶媒が用いられる場合があったが、環境問題への配慮か
ら脱ハロゲン指向が進んでおり、今後使用することは困
難になってきている。しかも、このようなＡＣＦの除去
作業は主に手作業で行われており、人体への安全上、衛
生上も好ましくない。
【００１４】本発明はこのような問題を解消するために
成されたものであり、ＡＣＦ残渣の膨潤を促進すること
によりＡＣＦをパネル基板から容易に除去し得る異方性
導電膜の除去方法及び除去装置を得ること、及び、ＡＣ
Ｆ除去材料の粘度調整を不要とし、ＡＣＦ除去材料のコ
ストを低減し得る異方性導電膜の除去方法及び除去装置
を得ることを主な目的とするものである。
成されたものであり、ＡＣＦ残渣の膨潤を促進すること
によりＡＣＦをパネル基板から容易に除去し得る異方性
導電膜の除去方法及び除去装置を得ること、及び、ＡＣ
Ｆ除去材料の粘度調整を不要とし、ＡＣＦ除去材料のコ
ストを低減し得る異方性導電膜の除去方法及び除去装置
を得ることを主な目的とするものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この発明のうち請求項１
に記載の異方性導電膜の除去方法は、極性溶媒を含む除
去材料を異方性導電膜に供給する工程と、異方性導電膜
を加熱する工程と、加熱により膨潤した異方性導電膜を
摩擦により剥離する工程とを備えるものである。
に記載の異方性導電膜の除去方法は、極性溶媒を含む除
去材料を異方性導電膜に供給する工程と、異方性導電膜
を加熱する工程と、加熱により膨潤した異方性導電膜を
摩擦により剥離する工程とを備えるものである。
【００１６】また、この発明のうち請求項２に記載の異
方性導電膜の除去方法は、請求項１に記載の異方性導電
膜の除去方法であって、異方性導電膜へ供給される除去
材料は、異方性導電膜上に載置され、異方性導電膜が十
分に膨潤する前に蒸発しない量の除去材料を含浸して保
持する液体保持材から異方性導電膜にしみ出る除去材料
であることを特徴とするものである。
方性導電膜の除去方法は、請求項１に記載の異方性導電
膜の除去方法であって、異方性導電膜へ供給される除去
材料は、異方性導電膜上に載置され、異方性導電膜が十
分に膨潤する前に蒸発しない量の除去材料を含浸して保
持する液体保持材から異方性導電膜にしみ出る除去材料
であることを特徴とするものである。
【００１７】また、この発明のうち請求項３に記載の異
方性導電膜の除去方法は、請求項２に記載の異方性導電
膜の除去方法であって、異方性導電膜を加熱する工程に
おいては、除去材料が液体保持材に供給されることを特
徴とするものである。
方性導電膜の除去方法は、請求項２に記載の異方性導電
膜の除去方法であって、異方性導電膜を加熱する工程に
おいては、除去材料が液体保持材に供給されることを特
徴とするものである。
【００１８】また、この発明のうち請求項４に記載の異
方性導電膜の除去方法は、請求項１に記載の異方性導電
膜の除去方法であって、異方性導電膜の摩擦は、異方性
導電膜を加熱する工程において、除去材料を異方性導電
膜へ継続して供給しつつ実行されることを特徴とするも
のである。
方性導電膜の除去方法は、請求項１に記載の異方性導電
膜の除去方法であって、異方性導電膜の摩擦は、異方性
導電膜を加熱する工程において、除去材料を異方性導電
膜へ継続して供給しつつ実行されることを特徴とするも
のである。
【００１９】また、この発明のうち請求項５に記載の異
方性導電膜の除去方法は、請求項１〜４のいずれか一つ
に記載の異方性導電膜の除去方法であって、異方性導電
膜は、複数の電極が形成された基板上に貼付され、異方
性導電膜の摩擦は摩擦ツールによって実行され、摩擦ツ
ールの少なくとも表面には、摩擦部分の到達温度以上の
連続使用温度を有すること、摩擦部分の到達温度におけ
る極性溶媒に対して化学的に安定であること、表面硬度
が基板及び電極の各表面硬度よりも低く、異方性導電膜
の表面硬度よりも高いことを満足する材料が使用される
ことを特徴とするものである。
方性導電膜の除去方法は、請求項１〜４のいずれか一つ
に記載の異方性導電膜の除去方法であって、異方性導電
膜は、複数の電極が形成された基板上に貼付され、異方
性導電膜の摩擦は摩擦ツールによって実行され、摩擦ツ
ールの少なくとも表面には、摩擦部分の到達温度以上の
連続使用温度を有すること、摩擦部分の到達温度におけ
る極性溶媒に対して化学的に安定であること、表面硬度
が基板及び電極の各表面硬度よりも低く、異方性導電膜
の表面硬度よりも高いことを満足する材料が使用される
ことを特徴とするものである。
【００２０】また、この発明のうち請求項６に記載の異
方性導電膜の除去方法は、請求項１〜４のいずれか一つ
に記載の異方性導電膜の除去方法であって、異方性導電
膜は、複数の電極が形成された基板上に貼付され、異方
性導電膜の摩擦は、複数のファイバーを有する摩擦ツー
ルによって実行され、複数のファイバーのうち少なくと
も一部のファイバーの直径は、複数の電極のうち隣接す
る電極同士の間隔よりも小さいことを特徴とするもので
ある。
方性導電膜の除去方法は、請求項１〜４のいずれか一つ
に記載の異方性導電膜の除去方法であって、異方性導電
膜は、複数の電極が形成された基板上に貼付され、異方
性導電膜の摩擦は、複数のファイバーを有する摩擦ツー
ルによって実行され、複数のファイバーのうち少なくと
も一部のファイバーの直径は、複数の電極のうち隣接す
る電極同士の間隔よりも小さいことを特徴とするもので
ある。
【００２１】また、この発明のうち請求項７に記載の異
方性導電膜の除去装置は、極性溶媒を含む除去材料を異
方性導電膜に供給するディスペンサと、除去材料が供給
された異方性導電膜を加熱するヒートツールと、加熱に
より膨潤した異方性導電膜を摩擦により剥離する摩擦ツ
ールとを備えるものである。
方性導電膜の除去装置は、極性溶媒を含む除去材料を異
方性導電膜に供給するディスペンサと、除去材料が供給
された異方性導電膜を加熱するヒートツールと、加熱に
より膨潤した異方性導電膜を摩擦により剥離する摩擦ツ
ールとを備えるものである。
【００２２】また、この発明のうち請求項８に記載の異
方性導電膜の除去装置は、請求項７に記載の異方性導電
膜の除去装置であって、ディスペンサ、ヒートツール、
及び摩擦ツールは、請求項２乃至４のいずれか一つに記
載の異方性導電膜の除去方法を実行できるように機能化
されていることを特徴とするものである。
方性導電膜の除去装置は、請求項７に記載の異方性導電
膜の除去装置であって、ディスペンサ、ヒートツール、
及び摩擦ツールは、請求項２乃至４のいずれか一つに記
載の異方性導電膜の除去方法を実行できるように機能化
されていることを特徴とするものである。
【００２３】また、この発明のうち請求項９に記載の異
方性導電膜の除去装置は、請求項７又は８に記載の異方
性導電膜の除去装置であって、異方性導電膜は、複数の
電極が形成された基板上に貼付され、摩擦ツールの少な
くとも表面には、摩擦部分の到達温度以上の連続使用温
度を有すること、摩擦部分の到達温度における極性溶媒
に対して化学的に安定であること、表面硬度が基板及び
電極の各表面硬度よりも低く、異方性導電膜の表面硬度
よりも高いことを満足する材料が使用されることを特徴
とするものである。
方性導電膜の除去装置は、請求項７又は８に記載の異方
性導電膜の除去装置であって、異方性導電膜は、複数の
電極が形成された基板上に貼付され、摩擦ツールの少な
くとも表面には、摩擦部分の到達温度以上の連続使用温
度を有すること、摩擦部分の到達温度における極性溶媒
に対して化学的に安定であること、表面硬度が基板及び
電極の各表面硬度よりも低く、異方性導電膜の表面硬度
よりも高いことを満足する材料が使用されることを特徴
とするものである。
【００２４】また、この発明のうち請求項１０に記載の
異方性導電膜の除去装置は、請求項７又は８に記載の異
方性導電膜の除去装置であって、異方性導電膜は、複数
の電極が形成された基板上に貼付され、摩擦ツールは複
数のファイバーを有し、複数のファイバーのうち少なく
とも一部のファイバーの直径は、複数の電極のうち隣接
する電極同士の間隔よりも小さいことを特徴とするもの
である。
異方性導電膜の除去装置は、請求項７又は８に記載の異
方性導電膜の除去装置であって、異方性導電膜は、複数
の電極が形成された基板上に貼付され、摩擦ツールは複
数のファイバーを有し、複数のファイバーのうち少なく
とも一部のファイバーの直径は、複数の電極のうち隣接
する電極同士の間隔よりも小さいことを特徴とするもの
である。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、ＰＤＰを例にとり、本発明
に係る異方性導電膜の除去方法及び除去装置について説
明する。但し、ＰＤＰに限るものではなく、ＰＤＰ以外
のＡＣＦ接続を用いたデバイスについても、本発明を同
様に適用し得ることはいうまでもない。
に係る異方性導電膜の除去方法及び除去装置について説
明する。但し、ＰＤＰに限るものではなく、ＰＤＰ以外
のＡＣＦ接続を用いたデバイスについても、本発明を同
様に適用し得ることはいうまでもない。
【００２６】実施の形態１．図１は、ＰＤＰの構造のう
ち、パネル基板１とＦＰＣ基板３，３ａとの接続部分を
拡大して示す斜視図である。パネル基板２と一定距離を
隔てて対向するパネル基板１の上面上には、互いに平行
する複数の電極４が形成されている。図１には表れない
ＦＰＣ基板３，３ａの底面上には、複数の電極４のそれ
ぞれに対応する複数の電極７が形成されており、電極４
と電極７とはＡＣＦ６を介して互いに電気的・物理的に
接続されている。また、パネル基板１とＦＰＣ基板３，
３ａとは、ＡＣＦ６によって互いに物理的に接続されて
いる。なお、本明細書においては、パネル基板１の上面
とＡＣＦ６とが接触する面を「ＡＣＦ被着面」と表記す
る。
ち、パネル基板１とＦＰＣ基板３，３ａとの接続部分を
拡大して示す斜視図である。パネル基板２と一定距離を
隔てて対向するパネル基板１の上面上には、互いに平行
する複数の電極４が形成されている。図１には表れない
ＦＰＣ基板３，３ａの底面上には、複数の電極４のそれ
ぞれに対応する複数の電極７が形成されており、電極４
と電極７とはＡＣＦ６を介して互いに電気的・物理的に
接続されている。また、パネル基板１とＦＰＣ基板３，
３ａとは、ＡＣＦ６によって互いに物理的に接続されて
いる。なお、本明細書においては、パネル基板１の上面
とＡＣＦ６とが接触する面を「ＡＣＦ被着面」と表記す
る。
【００２７】以下、図１に記載した複数のＦＰＣ基板
３，３ａのうち、ＦＰＣ基板３ａをリペアする方法につ
いて説明する。図２〜図８は、本発明の実施の形態１に
係る異方性導電膜の除去方法を順に説明するための斜視
図である。まず、パネル基板１の底面のうちＡＣＦ被着
面の下方に位置する部分に、ヒートツール５を接触させ
る（図２）。次に、ヒートツール５によって、ＡＣＦ被
着面の表面温度がおよそＡＣＦ６の軟化点以上の温度に
到達するまでＡＣＦ６を加熱する。その後、ヒートツー
ル５による加熱を停止し、ＦＰＣ基板３ａを剥離する
（図３）。ＦＰＣ基板３ａを剥離した後、図３に示すよ
うに、パネル基板１の上面上にはＡＣＦ残渣６ａが残っ
ている。なお、ヒートツール５によってＡＣＦ６を加熱
するのは、加熱によりＡＣＦ６を軟化させてＦＰＣ基板
３ａの剥離を容易にするためであるが、ＡＣＦ６の加熱
を伴うことなくＦＰＣ基板３ａを容易に剥離できる場合
は、ヒートツール５による加熱は不要である。
３，３ａのうち、ＦＰＣ基板３ａをリペアする方法につ
いて説明する。図２〜図８は、本発明の実施の形態１に
係る異方性導電膜の除去方法を順に説明するための斜視
図である。まず、パネル基板１の底面のうちＡＣＦ被着
面の下方に位置する部分に、ヒートツール５を接触させ
る（図２）。次に、ヒートツール５によって、ＡＣＦ被
着面の表面温度がおよそＡＣＦ６の軟化点以上の温度に
到達するまでＡＣＦ６を加熱する。その後、ヒートツー
ル５による加熱を停止し、ＦＰＣ基板３ａを剥離する
（図３）。ＦＰＣ基板３ａを剥離した後、図３に示すよ
うに、パネル基板１の上面上にはＡＣＦ残渣６ａが残っ
ている。なお、ヒートツール５によってＡＣＦ６を加熱
するのは、加熱によりＡＣＦ６を軟化させてＦＰＣ基板
３ａの剥離を容易にするためであるが、ＡＣＦ６の加熱
を伴うことなくＦＰＣ基板３ａを容易に剥離できる場合
は、ヒートツール５による加熱は不要である。
【００２８】次に、ディスペンサ８を用いて、ＡＣＦ残
渣６ａの表面にＡＣＦ除去材料９を供給する（図４）。
ＡＣＦ除去材料９としては、例えば、Ｎ−メチル−２−
ピロリドン８５重量パーセント、二酸化ケイ素１０重量
パーセント、エポキシ樹脂５重量パーセントからなる専
用除去材料を用いる。但し、ＡＣＦ除去材料９中の極性
溶媒として、Ｎ−メチル−２−ピロリドンの代わりに、
２，５−ヘキサンジオン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルスルホキシド等の、ＡＣＦ６の主成分であ
るエポキシ樹脂を膨潤させる効果がある他の非プロトン
性溶媒を使用してもよい。ＡＣＦ除去材料９の供給量
は、次に述べる加熱工程中に蒸発してしまわない十分な
量とする。
渣６ａの表面にＡＣＦ除去材料９を供給する（図４）。
ＡＣＦ除去材料９としては、例えば、Ｎ−メチル−２−
ピロリドン８５重量パーセント、二酸化ケイ素１０重量
パーセント、エポキシ樹脂５重量パーセントからなる専
用除去材料を用いる。但し、ＡＣＦ除去材料９中の極性
溶媒として、Ｎ−メチル−２−ピロリドンの代わりに、
２，５−ヘキサンジオン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルスルホキシド等の、ＡＣＦ６の主成分であ
るエポキシ樹脂を膨潤させる効果がある他の非プロトン
性溶媒を使用してもよい。ＡＣＦ除去材料９の供給量
は、次に述べる加熱工程中に蒸発してしまわない十分な
量とする。
【００２９】次に、ヒートツール５によってパネル基板
１の底面からＡＣＦ残渣６ａを加熱し、ＡＣＦ残渣６ａ
を膨潤させる（図５）。このとき、加熱温度が高すぎる
とＡＣＦ除去材料９がすぐに蒸発してしまい、一旦膨潤
したＡＣＦ残渣６ａが再び固化してしまう。一方、加熱
温度が低すぎるとＡＣＦ残渣６ａの膨潤に長時間を要す
る。両者の兼ね合いで加熱温度を設定するが、望ましく
はＡＣＦ被着面の温度が８０〜１００度になるように設
定するとよい。
１の底面からＡＣＦ残渣６ａを加熱し、ＡＣＦ残渣６ａ
を膨潤させる（図５）。このとき、加熱温度が高すぎる
とＡＣＦ除去材料９がすぐに蒸発してしまい、一旦膨潤
したＡＣＦ残渣６ａが再び固化してしまう。一方、加熱
温度が低すぎるとＡＣＦ残渣６ａの膨潤に長時間を要す
る。両者の兼ね合いで加熱温度を設定するが、望ましく
はＡＣＦ被着面の温度が８０〜１００度になるように設
定するとよい。
【００３０】加熱により膨潤したＡＣＦ残渣６ａの大半
は、熱収縮しながらパネル基板１の上面から浮き上がっ
てくる。この時点でヒートツール５による加熱を停止す
る。一方、ＡＣＦ残渣６ａの一部は粘着物１１としてパ
ネル基板１の上面上に残っている。摩擦ツール１０を往
復運動させ、その摩擦によって粘着物１１を剥離する
（図６）。摩擦ツール１０は、例えば綿素材のワイパー
を支持棒の先端に取り付けたものである。但し、必ずし
も綿素材である必要はなく、ＡＣＦ除去材料９中の極性
溶媒に溶解しない素材であって、摩擦によってパネル基
板１や電極４に傷を付けないものであればどのような材
質であってもよい。ワイパーをリール巻きにし、汚れに
応じて必要分だけ繰り出すとともに、汚れたワイパーを
リールに巻き取る機構にすると、ワイパーの交換が容易
になり、また自動化も実現できる。また、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン等の極性溶媒は揮発性が低いため、巻き
取られたワイパー中に保持され、安全に回収することが
できる。
は、熱収縮しながらパネル基板１の上面から浮き上がっ
てくる。この時点でヒートツール５による加熱を停止す
る。一方、ＡＣＦ残渣６ａの一部は粘着物１１としてパ
ネル基板１の上面上に残っている。摩擦ツール１０を往
復運動させ、その摩擦によって粘着物１１を剥離する
（図６）。摩擦ツール１０は、例えば綿素材のワイパー
を支持棒の先端に取り付けたものである。但し、必ずし
も綿素材である必要はなく、ＡＣＦ除去材料９中の極性
溶媒に溶解しない素材であって、摩擦によってパネル基
板１や電極４に傷を付けないものであればどのような材
質であってもよい。ワイパーをリール巻きにし、汚れに
応じて必要分だけ繰り出すとともに、汚れたワイパーを
リールに巻き取る機構にすると、ワイパーの交換が容易
になり、また自動化も実現できる。また、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン等の極性溶媒は揮発性が低いため、巻き
取られたワイパー中に保持され、安全に回収することが
できる。
【００３１】次に、ヒートツール５をパネル基板１から
離着し、パネル基板１を冷却する。その後、イソプロピ
ルアルコールやアセトン等の溶剤をＡＣＦ６の除去面に
塗布し、ワイパー１２を往復運動させて、剥離したＡＣ
Ｆ残渣６ａ及びパネル基板１の上面に残っているＡＣＦ
除去材料９を除去する（図７）。以上の工程により、パ
ネル基板１からＡＣＦ６が除去され、ＡＣＦ６が貼付さ
れていた部分の電極４が現れる（図８）。
離着し、パネル基板１を冷却する。その後、イソプロピ
ルアルコールやアセトン等の溶剤をＡＣＦ６の除去面に
塗布し、ワイパー１２を往復運動させて、剥離したＡＣ
Ｆ残渣６ａ及びパネル基板１の上面に残っているＡＣＦ
除去材料９を除去する（図７）。以上の工程により、パ
ネル基板１からＡＣＦ６が除去され、ＡＣＦ６が貼付さ
れていた部分の電極４が現れる（図８）。
【００３２】なお、除去対象たるＡＣＦ６に隣接するＡ
ＣＦは、ＡＣＦ除去材料９が誤ってかかることのないよ
う、予めマスキングテープ等で被覆しておいてもよい。
以下に述べる各実施の形態についても同様である。ま
た、除去装置に、極性溶媒を吸着し得る活性炭フィルタ
を有する排気機構を備え、使用する極性溶媒を当該排気
機構で除去してから外部環境に排気する構成とするのが
望ましい。かかる排気機構を備えることにより、作業者
の安全、衛生に配慮するとともに、外部環境への極性溶
媒の排出をも抑制する。以下に述べる各実施の形態につ
いても同様である。
ＣＦは、ＡＣＦ除去材料９が誤ってかかることのないよ
う、予めマスキングテープ等で被覆しておいてもよい。
以下に述べる各実施の形態についても同様である。ま
た、除去装置に、極性溶媒を吸着し得る活性炭フィルタ
を有する排気機構を備え、使用する極性溶媒を当該排気
機構で除去してから外部環境に排気する構成とするのが
望ましい。かかる排気機構を備えることにより、作業者
の安全、衛生に配慮するとともに、外部環境への極性溶
媒の排出をも抑制する。以下に述べる各実施の形態につ
いても同様である。
【００３３】このように本実施の形態１に係る異方性導
電膜の除去方法及び除去装置によれば、ＡＣＦ残渣６ａ
にＡＣＦ除去材料９を供給した後、ヒートツール５によ
ってＡＣＦ残渣６ａを加熱する。従って、ＡＣＦ残渣６
ａの膨潤が促進され、パネル基板１からＡＣＦ６を容易
に除去することができる。
電膜の除去方法及び除去装置によれば、ＡＣＦ残渣６ａ
にＡＣＦ除去材料９を供給した後、ヒートツール５によ
ってＡＣＦ残渣６ａを加熱する。従って、ＡＣＦ残渣６
ａの膨潤が促進され、パネル基板１からＡＣＦ６を容易
に除去することができる。
【００３４】また、ＡＣＦ除去材料９を除去対象たるＡ
ＣＦ６の被着部分のみに供給し、かつ、ヒートツール５
によって除去対象たるＡＣＦ６の被着部分のみを加熱す
るので、他のＡＣＦ６に影響を与えることなく除去対象
たるＡＣＦ６のみを選択的に除去することができる。し
かも、ＡＣＦ除去材料９をＡＣＦ６の被着部分のみに供
給するため、ＡＣＦ除去材料９の使用量も最小限で済
み、コストを低減できるとともに、外部環境へ与える影
響も緩和することができる。
ＣＦ６の被着部分のみに供給し、かつ、ヒートツール５
によって除去対象たるＡＣＦ６の被着部分のみを加熱す
るので、他のＡＣＦ６に影響を与えることなく除去対象
たるＡＣＦ６のみを選択的に除去することができる。し
かも、ＡＣＦ除去材料９をＡＣＦ６の被着部分のみに供
給するため、ＡＣＦ除去材料９の使用量も最小限で済
み、コストを低減できるとともに、外部環境へ与える影
響も緩和することができる。
【００３５】実施の形態２．図９〜図１１は、本発明の
実施の形態２に係る異方性導電膜の除去方法の一部工程
を順に説明するための斜視図である。ＦＰＣ基板３ａを
剥離するまでの工程は、図２，３に示した実施の形態１
と同様である。即ち、パネル基板１の底面のうちＡＣＦ
被着面の下方に位置する部分にヒートツール５を接触さ
せ（図２）、ヒートツール５によって、ＡＣＦ被着面の
表面温度がおよそＡＣＦ６の軟化点以上の温度に到達す
るまで加熱する。その後、ヒートツール５による加熱を
停止し、ＦＰＣ基板３ａを剥離する（図３）。
実施の形態２に係る異方性導電膜の除去方法の一部工程
を順に説明するための斜視図である。ＦＰＣ基板３ａを
剥離するまでの工程は、図２，３に示した実施の形態１
と同様である。即ち、パネル基板１の底面のうちＡＣＦ
被着面の下方に位置する部分にヒートツール５を接触さ
せ（図２）、ヒートツール５によって、ＡＣＦ被着面の
表面温度がおよそＡＣＦ６の軟化点以上の温度に到達す
るまで加熱する。その後、ヒートツール５による加熱を
停止し、ＦＰＣ基板３ａを剥離する（図３）。
【００３６】次に、ＦＰＣ基板３ａの剥離後に残ったＡ
ＣＦ残渣６ａ上に、液体保持材１３を戴置する（図
９）。液体保持材１３は、極性溶媒に溶解しない素材か
ら成る液体吸収シート、クロス、スポンジ、金属スポン
ジ等であり、極性溶媒を含浸するとともに、含浸した極
性溶媒を流出せずに保持できるものであればどのような
ものであってもよい。図９には、一例として、耐溶剤性
の液体吸収シートを複数枚重ね合わせることによって構
成される液体保持材１３を記載した。
ＣＦ残渣６ａ上に、液体保持材１３を戴置する（図
９）。液体保持材１３は、極性溶媒に溶解しない素材か
ら成る液体吸収シート、クロス、スポンジ、金属スポン
ジ等であり、極性溶媒を含浸するとともに、含浸した極
性溶媒を流出せずに保持できるものであればどのような
ものであってもよい。図９には、一例として、耐溶剤性
の液体吸収シートを複数枚重ね合わせることによって構
成される液体保持材１３を記載した。
【００３７】次に、ディスペンサ８から液体保持材１３
に極性溶媒を供給する（図１０）。極性溶媒は液体保持
材１３によって保持され、液体保持材１３の底面からＡ
ＣＦ残渣６ａの上面にしみ出る。ディスペンサ８から液
体保持材１３に供給する極性溶媒の量は、ＡＣＦ残渣６
ａが十分に膨潤する前に極性溶媒が蒸発してしまわない
量とする。例えば図９に示した例においては、重ね合わ
せるシートの枚数を変えることによって、液体保持材１
３が保持する極性溶媒の量を調整することができる。ま
た、極性溶媒としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン、２，５−ヘキサンジオン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性溶
媒を使用する。なお、以上の説明では、ＡＣＦ残渣６ａ
上に液体保持材１３を載置した後、ディスペンサ８から
液体保持材１３に極性溶媒を供給する場合について述べ
たが、予め上記所定量の極性溶媒を液体保持材１３に供
給しておき、この液体保持材１３をＡＣＦ残渣６ａ上に
載置してもよい。
に極性溶媒を供給する（図１０）。極性溶媒は液体保持
材１３によって保持され、液体保持材１３の底面からＡ
ＣＦ残渣６ａの上面にしみ出る。ディスペンサ８から液
体保持材１３に供給する極性溶媒の量は、ＡＣＦ残渣６
ａが十分に膨潤する前に極性溶媒が蒸発してしまわない
量とする。例えば図９に示した例においては、重ね合わ
せるシートの枚数を変えることによって、液体保持材１
３が保持する極性溶媒の量を調整することができる。ま
た、極性溶媒としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン、２，５−ヘキサンジオン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性溶
媒を使用する。なお、以上の説明では、ＡＣＦ残渣６ａ
上に液体保持材１３を載置した後、ディスペンサ８から
液体保持材１３に極性溶媒を供給する場合について述べ
たが、予め上記所定量の極性溶媒を液体保持材１３に供
給しておき、この液体保持材１３をＡＣＦ残渣６ａ上に
載置してもよい。
【００３８】次に、ヒートツール５によってパネル基板
１の底面からＡＣＦ残渣６ａを加熱し、ＡＣＦ残渣６ａ
を膨潤させる（図１１）。ヒートツール５による加熱温
度は、上記実施の形態１の場合と同様に、８０〜１００
度に設定するのが好ましい。但し、加熱により極性溶媒
が蒸発する分をディスペンサ８から適宜補充してもよ
く、即ち、加熱によりＡＣＦ残渣６ａを膨潤させるとと
もに液体保持材１３に極性溶媒を供給してもよく、この
場合は１００度以上に加熱温度を上げてもよい。加熱温
度を上げることによりＡＣＦ残渣６ａの膨潤はさらに促
進される。ＡＣＦ残渣６ａが十分に膨潤した時点でヒー
トツール５をパネル基板１から離着し、液体保持材１３
を回収する。なお、液体保持材１３の載置及び回収は、
液体保持材１３に接続された液体保持材駆動機構によっ
て行わせることができる。
１の底面からＡＣＦ残渣６ａを加熱し、ＡＣＦ残渣６ａ
を膨潤させる（図１１）。ヒートツール５による加熱温
度は、上記実施の形態１の場合と同様に、８０〜１００
度に設定するのが好ましい。但し、加熱により極性溶媒
が蒸発する分をディスペンサ８から適宜補充してもよ
く、即ち、加熱によりＡＣＦ残渣６ａを膨潤させるとと
もに液体保持材１３に極性溶媒を供給してもよく、この
場合は１００度以上に加熱温度を上げてもよい。加熱温
度を上げることによりＡＣＦ残渣６ａの膨潤はさらに促
進される。ＡＣＦ残渣６ａが十分に膨潤した時点でヒー
トツール５をパネル基板１から離着し、液体保持材１３
を回収する。なお、液体保持材１３の載置及び回収は、
液体保持材１３に接続された液体保持材駆動機構によっ
て行わせることができる。
【００３９】その後の工程は、図６，７に示した実施の
形態１と同様である。即ち、膨潤によりパネル基板１か
ら浮き上がってきたＡＣＦ残渣６ａを、摩擦ツール１０
を往復運動させて、その摩擦により剥離する（図６）。
その後、イソプロピルアルコールやアセトン等の溶剤を
ＡＣＦ６の除去面に塗布し、ワイパー１２を往復運動さ
せて、剥離したＡＣＦ残渣６ａ及びパネル基板１の上面
に残っている極性溶媒９を除去する（図７）。
形態１と同様である。即ち、膨潤によりパネル基板１か
ら浮き上がってきたＡＣＦ残渣６ａを、摩擦ツール１０
を往復運動させて、その摩擦により剥離する（図６）。
その後、イソプロピルアルコールやアセトン等の溶剤を
ＡＣＦ６の除去面に塗布し、ワイパー１２を往復運動さ
せて、剥離したＡＣＦ残渣６ａ及びパネル基板１の上面
に残っている極性溶媒９を除去する（図７）。
【００４０】このように本実施の形態２に係る異方性導
電膜の除去方法及び除去装置によれば、液体保持材１３
からしみ出る極性溶媒がＡＣＦ残渣６ａに供給されると
ともに、ヒートツール５によってＡＣＦ残渣６ａを加熱
する。従って、極性溶媒によるＡＣＦ残渣６ａの膨潤が
促進され、パネル基板１からＡＣＦ６を容易に除去する
ことができる。
電膜の除去方法及び除去装置によれば、液体保持材１３
からしみ出る極性溶媒がＡＣＦ残渣６ａに供給されると
ともに、ヒートツール５によってＡＣＦ残渣６ａを加熱
する。従って、極性溶媒によるＡＣＦ残渣６ａの膨潤が
促進され、パネル基板１からＡＣＦ６を容易に除去する
ことができる。
【００４１】また、極性溶媒は液体保持材１３に保持さ
れるため、粘度調整を目的として極性溶媒に二酸化ケイ
素を添加する等の特殊な材料調整を行う必要がない。従
って、原料コストの低減を図ることができるとともに、
パネル基板１の乾燥後に二酸化ケイ素の粉末状の残渣が
生じることもない。
れるため、粘度調整を目的として極性溶媒に二酸化ケイ
素を添加する等の特殊な材料調整を行う必要がない。従
って、原料コストの低減を図ることができるとともに、
パネル基板１の乾燥後に二酸化ケイ素の粉末状の残渣が
生じることもない。
【００４２】実施の形態３．図１２は、本発明の実施の
形態３に係る異方性導電膜の除去方法の一部工程を説明
するための斜視図である。
形態３に係る異方性導電膜の除去方法の一部工程を説明
するための斜視図である。
【００４３】ＦＰＣ基板３ａを剥離するまでの工程は、
図２，３に示した実施の形態１と同様である。即ち、パ
ネル基板１の底面のうちＡＣＦ被着面の下方に位置する
部分にヒートツール５を接触させ（図２）、ヒートツー
ル５によって、ＡＣＦ被着面の表面温度がおよそＡＣＦ
６の軟化点以上の温度に到達するまで加熱する。その
後、ヒートツール５による加熱を停止し、ＦＰＣ基板３
ａを剥離する（図３）。
図２，３に示した実施の形態１と同様である。即ち、パ
ネル基板１の底面のうちＡＣＦ被着面の下方に位置する
部分にヒートツール５を接触させ（図２）、ヒートツー
ル５によって、ＡＣＦ被着面の表面温度がおよそＡＣＦ
６の軟化点以上の温度に到達するまで加熱する。その
後、ヒートツール５による加熱を停止し、ＦＰＣ基板３
ａを剥離する（図３）。
【００４４】次に、図１２に示すように、極性溶媒をデ
ィスペンサ８からＡＣＦ残渣６ａに供給しつつ、ヒート
ツール５によってＡＣＦ残渣６ａをパネル基板１の底面
から加熱する。これと同時に、綿棒等の摩擦ツール１０
をＡＣＦ残渣６ａの上面上で往復運動させて、ＡＣＦ残
渣６ａを摩擦する。このとき、摩擦ツール１０による往
復運動によって極性溶媒の一部が排掃されるため、排掃
される分の極性溶媒をディスペンサ８から適宜補充す
る。なお、極性溶媒としては、上記実施の形態２と同様
に、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、２，５−ヘキサンジ
オン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キシド等の非プロトン性溶媒を使用する。また、ヒート
ツール５による加熱温度の設定は、上記実施の形態１，
２の場合と同様に行う。
ィスペンサ８からＡＣＦ残渣６ａに供給しつつ、ヒート
ツール５によってＡＣＦ残渣６ａをパネル基板１の底面
から加熱する。これと同時に、綿棒等の摩擦ツール１０
をＡＣＦ残渣６ａの上面上で往復運動させて、ＡＣＦ残
渣６ａを摩擦する。このとき、摩擦ツール１０による往
復運動によって極性溶媒の一部が排掃されるため、排掃
される分の極性溶媒をディスペンサ８から適宜補充す
る。なお、極性溶媒としては、上記実施の形態２と同様
に、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、２，５−ヘキサンジ
オン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キシド等の非プロトン性溶媒を使用する。また、ヒート
ツール５による加熱温度の設定は、上記実施の形態１，
２の場合と同様に行う。
【００４５】その後の工程は、図７に示した実施の形態
１と同様である。即ち、ヒートツール５をパネル基板１
から離着し、パネル基板１を冷却する。その後、イソプ
ロピルアルコールやアセトン等の溶剤をＡＣＦ６の除去
面に塗布し、ワイパー１２を往復運動させて、剥離した
ＡＣＦ残渣６ａ及びパネル基板１の上面に残っている極
性溶媒を除去する。
１と同様である。即ち、ヒートツール５をパネル基板１
から離着し、パネル基板１を冷却する。その後、イソプ
ロピルアルコールやアセトン等の溶剤をＡＣＦ６の除去
面に塗布し、ワイパー１２を往復運動させて、剥離した
ＡＣＦ残渣６ａ及びパネル基板１の上面に残っている極
性溶媒を除去する。
【００４６】このように本実施の形態３に係る異方性導
電膜の除去方法及び除去装置によれば、極性溶媒がＡＣ
Ｆ残渣６ａの上面に供給され、しかも、極性溶媒の供給
と同時にヒートツール５によってＡＣＦ残渣６ａを加熱
するため、ＡＣＦ残渣６ａの膨潤はその上面から次第に
進行する。そして、ＡＣＦ残渣６ａの上面は摩擦ツール
１０によって摩擦されるため、たとえＡＣＦ残渣６ａが
完全に膨潤していなくても、ある程度の膨潤により軟化
したＡＣＦ残渣６ａは、摩擦ツール１０の摩擦によって
機械的に剥離される。これにより、ＡＣＦ残渣６ａを除
去する効率を上げることができ、除去に要する所要時間
を短縮することができる。
電膜の除去方法及び除去装置によれば、極性溶媒がＡＣ
Ｆ残渣６ａの上面に供給され、しかも、極性溶媒の供給
と同時にヒートツール５によってＡＣＦ残渣６ａを加熱
するため、ＡＣＦ残渣６ａの膨潤はその上面から次第に
進行する。そして、ＡＣＦ残渣６ａの上面は摩擦ツール
１０によって摩擦されるため、たとえＡＣＦ残渣６ａが
完全に膨潤していなくても、ある程度の膨潤により軟化
したＡＣＦ残渣６ａは、摩擦ツール１０の摩擦によって
機械的に剥離される。これにより、ＡＣＦ残渣６ａを除
去する効率を上げることができ、除去に要する所要時間
を短縮することができる。
【００４７】また、ディスペンサ８からは極性溶媒が供
給されるため、粘度調整を目的として極性溶媒に二酸化
ケイ素を添加する等の特殊な材料調整を行う必要がな
い。従って、原料コストの低減を図ることができるとと
もに、パネル基板１の乾燥後に二酸化ケイ素の粉末状の
残渣が生じることもない。
給されるため、粘度調整を目的として極性溶媒に二酸化
ケイ素を添加する等の特殊な材料調整を行う必要がな
い。従って、原料コストの低減を図ることができるとと
もに、パネル基板１の乾燥後に二酸化ケイ素の粉末状の
残渣が生じることもない。
【００４８】実施の形態４．本実施の形態は、摩擦ツー
ル１０の材料及び形状に関するものである。摩擦ツール
１０のワイパー部分のうちの少なくとも表面には、摩
擦部分の到達温度以上の連続使用温度を有すること、
摩擦部分の到達温度における極性溶媒に対して化学的に
安定であること、表面硬度がパネル基板１及び電極４
よりも低く、かつＡＣＦ６よりも高いこと、を満足する
材料を使用する。これら全ての条件を満足する材料とし
ては、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミ
ド、四フッ化エチレン、四フッ化エチレン・パーフルオ
ロアルコキシエチレン共重合体、等のエンジニアリング
プラスチックがある。いずれも、耐熱性、耐薬品性、耐
磨耗性に優れており、表面硬度はパネル基板１の材料で
あるガラス、及び電極４の材料よりも低い。もちろん、
摩擦ツール１０のワイパー部分の全体を上記条件を満足
する材料によって構成してもよい。
ル１０の材料及び形状に関するものである。摩擦ツール
１０のワイパー部分のうちの少なくとも表面には、摩
擦部分の到達温度以上の連続使用温度を有すること、
摩擦部分の到達温度における極性溶媒に対して化学的に
安定であること、表面硬度がパネル基板１及び電極４
よりも低く、かつＡＣＦ６よりも高いこと、を満足する
材料を使用する。これら全ての条件を満足する材料とし
ては、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミ
ド、四フッ化エチレン、四フッ化エチレン・パーフルオ
ロアルコキシエチレン共重合体、等のエンジニアリング
プラスチックがある。いずれも、耐熱性、耐薬品性、耐
磨耗性に優れており、表面硬度はパネル基板１の材料で
あるガラス、及び電極４の材料よりも低い。もちろん、
摩擦ツール１０のワイパー部分の全体を上記条件を満足
する材料によって構成してもよい。
【００４９】次に、摩擦ツール１０の形状としては、摩
擦ツール１０の有する全てのファイバーのうち少なくと
も一部のファイバーに、隣接する電極４同士の間隔より
も直径が小さいファイバーを使用し、これを植毛したブ
ラシ形状とする。植毛密度及びファイバーの長さは、耐
久性やファイバーの曲げ弾性率を考慮して決定する。例
えば、直径が０．０８ｍｍのファイバーが実用化されて
おり、これを使用することができる。
擦ツール１０の有する全てのファイバーのうち少なくと
も一部のファイバーに、隣接する電極４同士の間隔より
も直径が小さいファイバーを使用し、これを植毛したブ
ラシ形状とする。植毛密度及びファイバーの長さは、耐
久性やファイバーの曲げ弾性率を考慮して決定する。例
えば、直径が０．０８ｍｍのファイバーが実用化されて
おり、これを使用することができる。
【００５０】このように本実施の形態４に係る異方性導
電膜の除去方法及び除去装置によれば、摩擦ツール１０
のワイパー部分の少なくとも表面には、摩擦部分の到達
温度以上の連続使用温度を有する材料を使用しているた
め、摩擦ツール１０の熱的耐久性が大きくなる。また、
摩擦ツール１０のワイパー部分の少なくとも表面には、
摩擦部分の到達温度における極性溶媒に対して化学的に
安定である材料を使用しているため、極性溶媒に対する
摩擦ツール１０の化学的耐久性が大きくなる。また、摩
擦ツール１０のワイパー部分の表面が、パネル基板１及
び電極４よりも柔らかく、かつＡＣＦ６よりも硬いた
め、摩擦ツール１０の往復運動によってパネル基板１や
電極４に傷を付けることはない。
電膜の除去方法及び除去装置によれば、摩擦ツール１０
のワイパー部分の少なくとも表面には、摩擦部分の到達
温度以上の連続使用温度を有する材料を使用しているた
め、摩擦ツール１０の熱的耐久性が大きくなる。また、
摩擦ツール１０のワイパー部分の少なくとも表面には、
摩擦部分の到達温度における極性溶媒に対して化学的に
安定である材料を使用しているため、極性溶媒に対する
摩擦ツール１０の化学的耐久性が大きくなる。また、摩
擦ツール１０のワイパー部分の表面が、パネル基板１及
び電極４よりも柔らかく、かつＡＣＦ６よりも硬いた
め、摩擦ツール１０の往復運動によってパネル基板１や
電極４に傷を付けることはない。
【００５１】また、摩擦ツール１０の有する複数のファ
イバーのうち少なくとも一部のファイバーの直径は、隣
接する電極４同士の間隔よりも小さいので、このような
摩擦ツール１０を用いて往復運動や回転運動等を行うこ
とにより、電極４同士の間に存在するＡＣＦ残渣６ａや
粘着物１１を十分に剥離することができる。なお、ファ
イバー径や曲げ弾性率が異なる複数の材料を組み合わせ
てもよく、これにより、ＡＣＦ残渣６ａや粘着物１１の
剥離性能をさらに上げることができる。
イバーのうち少なくとも一部のファイバーの直径は、隣
接する電極４同士の間隔よりも小さいので、このような
摩擦ツール１０を用いて往復運動や回転運動等を行うこ
とにより、電極４同士の間に存在するＡＣＦ残渣６ａや
粘着物１１を十分に剥離することができる。なお、ファ
イバー径や曲げ弾性率が異なる複数の材料を組み合わせ
てもよく、これにより、ＡＣＦ残渣６ａや粘着物１１の
剥離性能をさらに上げることができる。
【００５２】
【発明の効果】この発明のうち請求項１に係るものによ
れば、異方性導電膜に除去材料を供給した後、異方性導
電膜を加熱するため、異方性導電膜の膨潤が促進され、
異方性導電膜を容易に剥離することができる。
れば、異方性導電膜に除去材料を供給した後、異方性導
電膜を加熱するため、異方性導電膜の膨潤が促進され、
異方性導電膜を容易に剥離することができる。
【００５３】また、この発明のうち請求項２に係るもの
によれば、異方性導電膜が十分に膨潤する前に蒸発しな
い量の除去材料を液体保持材が保持し、液体保持材から
しみ出る除去材料が異方性導電膜に供給される。従っ
て、粘度調整を目的として極性溶媒に不純物を添加する
等の特殊な材料調整を行う必要がないため、原料コスト
の低減等を図ることができる。
によれば、異方性導電膜が十分に膨潤する前に蒸発しな
い量の除去材料を液体保持材が保持し、液体保持材から
しみ出る除去材料が異方性導電膜に供給される。従っ
て、粘度調整を目的として極性溶媒に不純物を添加する
等の特殊な材料調整を行う必要がないため、原料コスト
の低減等を図ることができる。
【００５４】また、この発明のうち請求項３に係るもの
によれば、異方性導電膜を加熱する工程において液体保
持材に除去材料が供給されるため、異方性導電膜をより
高温まで加熱することができ、異方性導電膜の膨潤をさ
らに促進することができる。
によれば、異方性導電膜を加熱する工程において液体保
持材に除去材料が供給されるため、異方性導電膜をより
高温まで加熱することができ、異方性導電膜の膨潤をさ
らに促進することができる。
【００５５】また、この発明のうち請求項４に係るもの
によれば、異方性導電膜を加熱する工程において、異方
性導電膜の摩擦と除去材料の供給とが同時に行われる。
従って、たとえ異方性導電膜が完全に膨潤していなくて
も、ある程度の膨潤により軟化した異方性導電膜を摩擦
によって機械的に剥離することができ、異方性導電膜の
除去効率を上げることができる。
によれば、異方性導電膜を加熱する工程において、異方
性導電膜の摩擦と除去材料の供給とが同時に行われる。
従って、たとえ異方性導電膜が完全に膨潤していなくて
も、ある程度の膨潤により軟化した異方性導電膜を摩擦
によって機械的に剥離することができ、異方性導電膜の
除去効率を上げることができる。
【００５６】また、この発明のうち請求項５に係るもの
によれば、摩擦部分の到達温度以上の連続使用温度を有
する材料を摩擦ツールの少なくとも表面に使用している
ため、摩擦ツールの熱的耐久性が大きくなる。また、摩
擦部分の到達温度における極性溶媒に対して化学的に安
定である材料を摩擦ツールの少なくとも表面に使用して
いるため、極性溶媒に対する摩擦ツールの化学的耐久性
が大きくなる。さらに、摩擦ツールの表面硬度は基板及
び電極の表面硬度よりも低く、異方性導電膜の表面硬度
よりも高いため、摩擦によって基板や電極に傷を付ける
こともない。
によれば、摩擦部分の到達温度以上の連続使用温度を有
する材料を摩擦ツールの少なくとも表面に使用している
ため、摩擦ツールの熱的耐久性が大きくなる。また、摩
擦部分の到達温度における極性溶媒に対して化学的に安
定である材料を摩擦ツールの少なくとも表面に使用して
いるため、極性溶媒に対する摩擦ツールの化学的耐久性
が大きくなる。さらに、摩擦ツールの表面硬度は基板及
び電極の表面硬度よりも低く、異方性導電膜の表面硬度
よりも高いため、摩擦によって基板や電極に傷を付ける
こともない。
【００５７】また、この発明のうち請求項６に係るもの
によれば、摩擦ツールの有する複数のファイバーのうち
少なくとも一部のファイバーの直径が隣接する電極同士
の間隔よりも小さいため、電極同士の間に存在する異方
性導電膜を摩擦によって十分に剥離することができる。
によれば、摩擦ツールの有する複数のファイバーのうち
少なくとも一部のファイバーの直径が隣接する電極同士
の間隔よりも小さいため、電極同士の間に存在する異方
性導電膜を摩擦によって十分に剥離することができる。
【００５８】また、この発明のうち請求項７に係るもの
によれば、ディスペンサから異方性導電膜に除去材料を
供給した後、ヒートツールによって異方性導電膜を加熱
することにより、異方性導電膜の膨潤が促進され、摩擦
ツールによる摩擦によって異方性導電膜を容易に剥離す
ることができる。
によれば、ディスペンサから異方性導電膜に除去材料を
供給した後、ヒートツールによって異方性導電膜を加熱
することにより、異方性導電膜の膨潤が促進され、摩擦
ツールによる摩擦によって異方性導電膜を容易に剥離す
ることができる。
【００５９】また、この発明のうち請求項８に係るもの
によれば、ディスペンサ、ヒートツール、及び摩擦ツー
ルを機能化することによって、請求項２乃至４のいずれ
か一つに記載の異方性導電膜の除去方法を実行すること
ができる。
によれば、ディスペンサ、ヒートツール、及び摩擦ツー
ルを機能化することによって、請求項２乃至４のいずれ
か一つに記載の異方性導電膜の除去方法を実行すること
ができる。
【００６０】また、この発明のうち請求項９に係るもの
によれば、摩擦ツールの少なくとも表面に使用されてい
る材料は摩擦部分の到達温度以上の連続使用温度を有す
るため、摩擦ツールの熱的耐久性が大きくなる。また、
摩擦ツールの少なくとも表面に使用されている材料は摩
擦部分の到達温度における極性溶媒に対して化学的に安
定であるため、極性溶媒に対する摩擦ツールの化学的耐
久性が大きくなる。さらに、摩擦ツールの表面硬度は基
板及び電極の表面硬度よりも低く、異方性導電膜の表面
硬度よりも高いため、摩擦によって基板や電極に傷を付
けることもない。
によれば、摩擦ツールの少なくとも表面に使用されてい
る材料は摩擦部分の到達温度以上の連続使用温度を有す
るため、摩擦ツールの熱的耐久性が大きくなる。また、
摩擦ツールの少なくとも表面に使用されている材料は摩
擦部分の到達温度における極性溶媒に対して化学的に安
定であるため、極性溶媒に対する摩擦ツールの化学的耐
久性が大きくなる。さらに、摩擦ツールの表面硬度は基
板及び電極の表面硬度よりも低く、異方性導電膜の表面
硬度よりも高いため、摩擦によって基板や電極に傷を付
けることもない。
【００６１】また、この発明のうち請求項１０に係るも
のによれば、摩擦ツールの有する複数のファイバーのう
ち少なくとも一部のファイバーの直径が、隣接する電極
同士の間隔よりも小さいため、電極同士の間に存在する
異方性導電膜を摩擦ツールによる摩擦によって十分に剥
離することができる。
のによれば、摩擦ツールの有する複数のファイバーのう
ち少なくとも一部のファイバーの直径が、隣接する電極
同士の間隔よりも小さいため、電極同士の間に存在する
異方性導電膜を摩擦ツールによる摩擦によって十分に剥
離することができる。
【図１】 ＰＤＰの構造のうち、パネル基板１とＦＰＣ
基板３，３ａとの接続部分を拡大して示す斜視図であ
る。
基板３，３ａとの接続部分を拡大して示す斜視図であ
る。
【図２】 本発明の実施の形態１に係る異方性導電膜の
除去方法を順に説明するための斜視図である。
除去方法を順に説明するための斜視図である。
【図３】 本発明の実施の形態１に係る異方性導電膜の
除去方法を順に説明するための斜視図である。
除去方法を順に説明するための斜視図である。
【図４】 本発明の実施の形態１に係る異方性導電膜の
除去方法を順に説明するための斜視図である。
除去方法を順に説明するための斜視図である。
【図５】 本発明の実施の形態１に係る異方性導電膜の
除去方法を順に説明するための斜視図である。
除去方法を順に説明するための斜視図である。
【図６】 本発明の実施の形態１に係る異方性導電膜の
除去方法を順に説明するための斜視図である。
除去方法を順に説明するための斜視図である。
【図７】 本発明の実施の形態１に係る異方性導電膜の
除去方法を順に説明するための斜視図である。
除去方法を順に説明するための斜視図である。
【図８】 本発明の実施の形態１に係る異方性導電膜の
除去方法を順に説明するための斜視図である。
除去方法を順に説明するための斜視図である。
【図９】 本発明の実施の形態２に係る異方性導電膜の
除去方法の一部工程を順に説明するための斜視図であ
る。
除去方法の一部工程を順に説明するための斜視図であ
る。
【図１０】 本発明の実施の形態２に係る異方性導電膜
の除去方法の一部工程を順に説明するための斜視図であ
る。
の除去方法の一部工程を順に説明するための斜視図であ
る。
【図１１】 本発明の実施の形態２に係る異方性導電膜
の除去方法の一部工程を順に説明するための斜視図であ
る。
の除去方法の一部工程を順に説明するための斜視図であ
る。
【図１２】 ＰＤＰのパネル基板上に設けられた電極
と、ＦＰＣ基板上に設けられた電極との接続を順に説明
するための斜視図である。
と、ＦＰＣ基板上に設けられた電極との接続を順に説明
するための斜視図である。
【図１３】 ＰＤＰのパネル基板上に設けられた電極
と、ＦＰＣ基板上に設けられた電極との接続を順に説明
するための斜視図である。
と、ＦＰＣ基板上に設けられた電極との接続を順に説明
するための斜視図である。
【図１４】 ＰＤＰのパネル基板上に設けられた電極
と、ＦＰＣ基板上に設けられた電極との接続を順に説明
するための斜視図である。
と、ＦＰＣ基板上に設けられた電極との接続を順に説明
するための斜視図である。
【図１５】 ＰＤＰのパネル基板上に設けられた電極
と、ＦＰＣ基板上に設けられた電極との接続を順に説明
するための斜視図である。
と、ＦＰＣ基板上に設けられた電極との接続を順に説明
するための斜視図である。
【図１６】 ＰＤＰのパネル基板上に設けられた電極
と、ＦＰＣ基板上に設けられた電極との接続を順に説明
するための斜視図である。
と、ＦＰＣ基板上に設けられた電極との接続を順に説明
するための斜視図である。
【図１７】 ＡＣＦ接続部分の断面構造を概略的に示す
断面図である。
断面図である。
【図１８】 従来の異方性導電膜の除去方法を順に説明
するための斜視図である。
するための斜視図である。
【図１９】 従来の異方性導電膜の除去方法を順に説明
するための斜視図である。
するための斜視図である。
【図２０】 従来の異方性導電膜の除去方法を順に説明
するための斜視図である。
するための斜視図である。
【図２１】 従来の異方性導電膜の除去方法を順に説明
するための斜視図である。
するための斜視図である。
【図２２】 従来の異方性導電膜の除去方法を順に説明
するための斜視図である。
するための斜視図である。
【図２３】 従来の異方性導電膜の除去方法を順に説明
するための斜視図である。
するための斜視図である。
１ パネル基板、３，３ａ ＦＰＣ基板、４ 電極、６
ＡＣＦ、５ ヒートツール、６ａ ＡＣＦ残渣、８
ディスペンサ、９ ＡＣＦ除去材料、１０ 摩擦ツー
ル、１１ 粘着物、１２ ワイパー、１３ 液体保持
材。
ＡＣＦ、５ ヒートツール、６ａ ＡＣＦ残渣、８
ディスペンサ、９ ＡＣＦ除去材料、１０ 摩擦ツー
ル、１１ 粘着物、１２ ワイパー、１３ 液体保持
材。
Claims (10)
- 【請求項１】 極性溶媒を含む除去材料を異方性導電膜
に供給する工程と、 前記異方性導電膜を加熱する工程と、 加熱により膨潤した前記異方性導電膜を摩擦により剥離
する工程とを備える異方性導電膜の除去方法。 - 【請求項２】 前記異方性導電膜へ供給される前記除去
材料は、前記異方性導電膜上に載置され、前記異方性導
電膜が十分に膨潤する前に蒸発しない量の前記除去材料
を含浸して保持する液体保持材から前記異方性導電膜に
しみ出る前記除去材料である、請求項１記載の異方性導
電膜の除去方法。 - 【請求項３】 前記異方性導電膜を加熱する工程におい
ては、前記除去材料が前記液体保持材に供給される、請
求項２記載の異方性導電膜の除去方法。 - 【請求項４】 前記異方性導電膜の摩擦は、前記異方性
導電膜を加熱する工程において、前記除去材料を前記異
方性導電膜へ継続して供給しつつ実行される、請求項１
記載の異方性導電膜の除去方法。 - 【請求項５】 前記異方性導電膜は、複数の電極が形成
された基板上に貼付され、 前記異方性導電膜の摩擦は摩擦ツールによって実行さ
れ、 前記摩擦ツールの少なくとも表面には、 摩擦部分の到達温度以上の連続使用温度を有すること、 摩擦部分の到達温度における前記極性溶媒に対して化学
的に安定であること、 表面硬度が前記基板及び前記電極の各表面硬度よりも低
く、前記異方性導電膜の表面硬度よりも高いことを満足
する材料が使用される、請求項１〜４のいずれか一つに
記載の異方性導電膜の除去方法。 - 【請求項６】 前記異方性導電膜は、複数の電極が形成
された基板上に貼付され、 前記異方性導電膜の摩擦は、複数のファイバーを有する
摩擦ツールによって実行され、 前記複数のファイバーのうち少なくとも一部の前記ファ
イバーの直径は、前記複数の電極のうち隣接する前記電
極同士の間隔よりも小さい、請求項１〜４のいずれか一
つに記載の異方性導電膜の除去方法。 - 【請求項７】 極性溶媒を含む除去材料を異方性導電膜
に供給するディスペンサと、 前記除去材料が供給された前記異方性導電膜を加熱する
ヒートツールと、 加熱により膨潤した前記異方性導電膜を摩擦により剥離
する摩擦ツールとを備える異方性導電膜の除去装置。 - 【請求項８】 前記ディスペンサ、前記ヒートツール、
及び前記摩擦ツールは、請求項２乃至４のいずれか一つ
に記載の異方性導電膜の除去方法を実行できるように機
能化されている、請求項７記載の異方性導電膜の除去装
置。 - 【請求項９】 前記異方性導電膜は、複数の電極が形成
された基板上に貼付され、 前記摩擦ツールの少なくとも表面には、 摩擦部分の到達温度以上の連続使用温度を有すること、 摩擦部分の到達温度における前記極性溶媒に対して化学
的に安定であること、 表面硬度が前記基板及び前記電極の各表面硬度よりも低
く、前記異方性導電膜の表面硬度よりも高いことを満足
する材料が使用される、請求項７又は８に記載の異方性
導電膜の除去装置。 - 【請求項１０】 前記異方性導電膜は、複数の電極が形
成された基板上に貼付され、 前記摩擦ツールは複数のファイバーを有し、 前記複数のファイバーのうち少なくとも一部の前記ファ
イバーの直径は、前記複数の電極のうち隣接する前記電
極同士の間隔よりも小さい、請求項７又は８に記載の異
方性導電膜の除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10120689A JPH11317173A (ja) | 1998-04-30 | 1998-04-30 | 異方性導電膜の除去方法及び除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10120689A JPH11317173A (ja) | 1998-04-30 | 1998-04-30 | 異方性導電膜の除去方法及び除去装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11317173A true JPH11317173A (ja) | 1999-11-16 |
Family
ID=14792530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10120689A Pending JPH11317173A (ja) | 1998-04-30 | 1998-04-30 | 異方性導電膜の除去方法及び除去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11317173A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001089277A1 (fr) * | 2000-05-17 | 2001-11-22 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Procede de reparation d'une partie connexion pour circuit, et structure et procede de connexion de terminal de circuit repare selon le procede |
| JP2003043940A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイ装置およびその製造方法 |
| CN1331339C (zh) * | 2003-10-16 | 2007-08-08 | 乐金电子(中国)研究开发中心有限公司 | 滑盖型便携终端的lcd擦拭器 |
| KR100789298B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-12-28 | 김도환 | 이방성 도전 필름 제거방법 |
| CN100397160C (zh) * | 2005-04-01 | 2008-06-25 | 杨勇 | 具各向异性导电膜的液晶模块封装工艺中不良品回收方法 |
| JP2008306053A (ja) * | 2007-06-08 | 2008-12-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 基板の製造方法 |
| KR100885171B1 (ko) | 2007-11-02 | 2009-02-26 | 엘트론 주식회사 | 이방성 도전 필름 제거 시스템 및 그 제어방법 |
| KR100925422B1 (ko) | 2007-11-09 | 2009-11-06 | 엘트론 주식회사 | Ｆｐｃ 재활용 방법 |
| US8054646B2 (en) | 2005-11-14 | 2011-11-08 | Panasonic Corporation | Circuit board connecting structure |
-
1998
- 1998-04-30 JP JP10120689A patent/JPH11317173A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001089277A1 (fr) * | 2000-05-17 | 2001-11-22 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Procede de reparation d'une partie connexion pour circuit, et structure et procede de connexion de terminal de circuit repare selon le procede |
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| JP4605186B2 (ja) * | 2007-06-08 | 2011-01-05 | 住友電気工業株式会社 | 基板の製造方法 |
| KR100885171B1 (ko) | 2007-11-02 | 2009-02-26 | 엘트론 주식회사 | 이방성 도전 필름 제거 시스템 및 그 제어방법 |
| KR100925422B1 (ko) | 2007-11-09 | 2009-11-06 | 엘트론 주식회사 | Ｆｐｃ 재활용 방법 |
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