JPH11312825A

JPH11312825A - 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子

Info

Publication number: JPH11312825A
Application number: JP11937798A
Authority: JP
Inventors: Takao Yamada; 孝夫山田
Original assignee: Nichia Chemical Industries Ltd
Current assignee: Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date: 1998-04-28
Filing date: 1998-04-28
Publication date: 1999-11-09
Anticipated expiration: 2018-04-28
Also published as: JP3436128B2

Abstract

(57)【要約】【課題】基板となる結晶欠陥の少ない窒化物半導体の
成長方法と、窒化物半導体基板を有する新規な構造の素
子を提供することにある。【解決手段】異種基板１上に、第１の窒窒化物半導体
層２を成長させ、この上に保護膜３を形成させ、第１の
化物半導体層２を一部除去して凹凸を形成し、凹部底面
に対して凹部側面の露出された第１の窒化物半導体層の
端面への窒化物半導体の成長が優先されるように、露出
された第１の窒化物半導体層２の端面の長さと凹部の開
口部の幅とを調整して凹凸が形成されており、凹凸が形
成された第１の窒化物半導体層２の上に第２の窒化物半
導体層５を成長させ、基板となる窒化物半導体を得る。
またこの窒化物半導体を基板とし素子構造を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は窒化物半導体（Ｉｎ
_XＡｌ_YＧａ_1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）の成長
方法に係り、特に窒化物半導体よりなる基板の成長方法
に関する。また、本発明は、前記窒化物半導体よりなる
基板を用い発光ダイオード、レーザダイオード等の発光
素子、あるいは太陽電池、光センサー等の受光素子に使
用される窒化物半導体（Ｉｎ_XＡｌ_YＧａ_1-X-YＮ、０≦
X、０≦Y、X＋Y≦１）よりなる窒化物半導体素子に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、窒化物半導体からなる青色、青緑
色の発光ダイオード、レーザダイオードが実用化された
り実用可能になっている。このような窒化物半導体素子
は、現在のところ窒化物半導体と完全に格子整合する基
板が未だ開発されていないために、格子定数が異なるサ
ファイアの上に窒化物半導体層を強制的に成長させて形
成されている。そのためサファイア基板上に成長された
窒化物半導体の結晶には、格子整合した基板上に成長さ
れた赤色レーザ素子等と比べると、非常に多くの結晶欠
陥が発生する。

【０００３】本発明者等は、結晶欠陥を大幅に低減でき
る窒化物半導体の結晶成長方法として、窒化物半導体と
異なる異種基板上にＧａＮ基板を形成し、そのＧａＮ基
板上に素子構造を形成することにより、波長約４００ｎ
ｍ、光出力２ｍＷで連続発振約１万時間を達成できる窒
化物半導体レーザ素子などを開示している（例えば「Ｉ
ｎＧａＮ系多重量子井戸構造半導体レーザの現状」，第
５８回応用物理学会学術講演会，講演番号４ａＺＣ−
２，１９９７年１０月、”ＰｒｅｓｅｎｎｔＳｔａｔ
ｕｓｏｆＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮｂａｓｅｄＬ
ａｓｅｒＤｉｏｄｅｓ”，ＴｈｅＳｅｃｏｎｄＩ
ｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅｏ
ｎＮｉｔｒｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ
（ＩＣＮＳ’９７），講演番号Ｓ−１，１９９７年１０
月などに記載されている。）。

【０００４】上記の結晶成長方法は、サファイア基板上
に、従来の結晶欠陥が非常に多いＧａＮ層を薄く成長さ
せ、その上にＳｉＯ₂よりなる保護膜を部分的に形成
し、その保護膜の上からハライド気相成長法（ＨＶＰ
Ｅ）、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）等の気相成長
法により、ＧａＮの横方向への成長を利用し、再度Ｇａ
Ｎ層を成長させることにより結晶欠陥の少ないＧａＮ基
板（膜厚１０μｍ）を形成する技術である。この方法は
窒化物半導体を保護膜上で横方向に成長させることか
ら、一般にラテラルオーバーグロウス（lateral over g
rowth:ＬＯＧ、ラテラル成長）と呼ばれている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記のラテラル成長
は、従来の窒化物半導体に比べ結晶欠陥を大幅に低減で
きるが、ＬＥＤ素子、ＬＤ素子、受光素子等の数々の電
子デバイスに使用される窒化物半導体素子を作製する際
に用いられる窒化物半導体の基板として、さらに結晶欠
陥の少ない基板として作製することができれば、その基
板の上に新たな窒化物半導体を成長させて、格子欠陥が
少ない窒化物半導体が成長できるので、それら素子の結
晶性が飛躍的に良くなり、従来実現されていなかった素
子が実現できるようになる。そこで、本発明の目的は、
結晶欠陥の少ない結晶性のより良い窒化物半導体の成長
方法を提供することにあり、具体的には基板となる結晶
欠陥の少ない窒化物半導体の成長方法と、窒化物半導体
基板を有する新規な構造の素子を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明の目的は、
以下の（１）〜（４）の本発明の構成によって達成する
ことができる。（１）窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板の
上に、第１の窒化物半導体層を成長させる第１の工程
と、第１の工程後、第１の窒化物半導体層の上に保護膜
を形成する第２の工程と、第２の工程後、第１の窒化物
半導体層の端面を露出させるために、第１の窒化物半導
体層の一部を除去して凹凸を形成する第３の工程と、第
３の工程後、第２の窒化物半導体層を成長させる第４の
工程とを含み、更に前記凹凸を形成する際に、凹部の底
面に対して露出された第１の窒化物半導体層の端面への
窒化物半導体の成長が優先されるように、露出された第
１の窒化物半導体層の端面の長さと凹部の開口部の幅と
を調整することを特徴とする窒化物半導体の成長方法。（２）前記凹凸の形状が、凹部の開口部の幅（ｗ）
と、第１の窒化物半導体層の端面の長さ（ｄ）とが、０
＜ｗ／ｄ≦５となるように調整して形成されることを特
徴とする請求項１に記載の窒化物半導体の成長方法。（３）前記凹部の底面が、異種基板面であることを特
徴とする請求項１又は２に記載の窒化物半導体の成長方
法。（４）前記窒化物半導体の成長方法で得られる第２の
窒化物半導体の上に、素子構造となる少なくともｎ型及
びｐ型の窒化物半導体が形成されていることを特徴とす
る窒化物半導体素子。

【０００７】つまり、本発明の成長方法は、第１の窒化
物半導体層に凹凸を形成して第１の窒化物半導体層の端
面を露出させ、且つ、凹凸の形状を調整し第１の窒化物
半導体層の端面からの第２の窒化物半導体層の成長を凹
部底面からの成長よりも優先させることにより、凹凸を
有する第１の窒化物半導体層上に成長された第２の窒化
物半導体層の表面に現れる結晶欠陥を低減することがで
きる。

【０００８】前記本発明者等の発表した窒化物半導体の
成長方法は、結晶欠陥を低減させることができ、結晶欠
陥の少ない窒化物半導体を得ることができ、この窒化物
半導体を基板として作製されたレーザは、寿命特性など
が向上し、実用可能な良好な素子性能を有している。基
板となる窒化物半導体層の表面に現れている結晶欠陥の
密度は、透過型電子顕微鏡観察をすると、２×１０⁷／
ｃｍ²であった。しかし、実用性を更に向上させるべ
く、基板となる窒化物半導体の結晶欠陥をより一層低減
させることが望まれている。

【０００９】これに対し、本発明者は、従来のラテラル
成長における結晶欠陥の転位の傾向など更に検討を重ね
た結果、保護膜を有していない部分から成長する窒化物
半導体の縦方向の成長と共に縦方向に転位し続ける結晶
欠陥が存在するために、基板となる窒化物半導体の表面
に結晶欠陥が現れているのではないかと推測した。そこ
で、本発明者は、基板となる窒化物半導体層（第２の窒
化物半導体層）の成長を実質的に全て横方向の成長から
始めさせることができれば、結晶欠陥が転位しにくくな
るのではないかという考察をもとに、上記の如く本発明
の構成とすることによって、窒化物半導体基板となる結
晶欠陥の少ない第２の窒化物半導体層を得ることができ
る。本発明において、上記［成長を実質的に全て横方向
の成長から始める］とは、窒化物半導体が成長しにくい
材料からなる保護膜上に、わずかにアモルファス状のも
のが成長する場合があるが、これは成長していないもの
とみなすことを示す。本発明の成長方法により形成され
る第２の窒化物半導体層の表面の結晶欠陥密度は、表面
透過型電子顕微鏡観察をすると、第２の窒化物半導体層
の表面の結晶欠陥密度は、１×１０⁵個／ｃｍ²以下とな
り、好ましい条件では１×１０⁴個／ｃｍ²以下であるこ
とが望ましい。

【００１０】本発明は、凸部の上面に、窒化物半導体が
成長しないか又は成長しにくい材料からなる保護膜が形
成されているので、窒化物半導体の成長可能な面を、露
出させた第１の窒化物半導体層の端面と凹部の底面とし
ている。更に、本発明は、横方向の成長（第１の窒化物
半導体層の端面からの成長）が優先して行われるように
凹凸の形状を調整してある。このように第２の窒化物半
導体層の成長可能な成長面及び成長速度をコントロール
して、第１の窒化物半導体層の上に第２の窒化物半導体
層を成長させると、成長初期に凹部の底面に縦方向の成
長を始めた窒化物半導体の成長が抑制され、最終的には
横方向の成長を始めた窒化物半導体同士が凹部の上部で
接合するため、凹部底面からの成長が中断されるか、あ
るいは、凹部の底面には窒化物半導体がほとんど成長し
ない。従って、成長された第２の窒化物半導体層は、第
１の窒化物半導体層の端面から横方向に成長をはじめた
窒化物半導体によって形成されていることから、結晶欠
陥の少ない結晶性の良好な厚膜の窒化物半導体基板とな
る。

【００１１】ここで、異種基板と窒化物半導体層との界
面で発生する結晶欠陥は、窒化物半導体が縦方向に成長
する場合は縦方向に転位し続ける傾向があるが、窒化物
半導体の横方向の成長と共に結晶欠陥も横方向に転位す
ると、窒化物半導体が再び縦方向に成長しても、結晶欠
陥は再び縦方向に転位しにくくなる傾向がある。

【００１２】本発明は、凹凸の形状が、第１の窒化物半
導体層の端面の長さ（ｄ）と、凹部の開口部の幅（ｗ）
を調整して形成されており、好ましくは、ｄとｗの関係
が、０＜ｗ／ｄ≦５となるように調整して形成される。
このように、凹凸を形成すると、露出された第１の窒化
物半導体層の端面への窒化物半導体の成長が凹部の底面
への成長に対して優先されるようにコントロールするの
に好ましく、第２の窒化物半導体層の表面に現れる結晶
欠陥の数を激減させやすくなる。

【００１３】また、本発明の成長方法により得られる結
晶欠陥の少ない結晶性の良好な第２の窒化物半導体は窒
化物半導体基板として用いられると、この上に積層成長
させた素子構造の窒化物半導体も同様に、結晶欠陥のほ
とんどない結晶性の良好な素子となる。更に、基板とし
て用いて作製された窒化物半導体素子は、結晶欠陥によ
る劣化を著しく防止できライフ時間を向上させることが
でき、ＬＥＤでは逆耐圧を著しく上昇させることがで
き、寿命特性の良好な窒化物半導体素子となる。以下、
明細書内において、第２の窒化物半導体を単に窒化物半
導体基板と言う場合がある。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、図を用いて本発明を更に詳
細に説明する。図１〜図５は、本発明の窒化物半導体の
成長方法の一実施形態を段階的に示した模式図である。

【００１５】本発明の窒化物半導体の成長方法の一実施
形態として、まず、図１の第１の工程において、異種基
板１上に第１の窒化物半導体２を成長させ、図２のよう
に第２の工程において、第１の窒化物半導体層２の上に
保護膜３を形成させた後、第３の工程において、第１の
窒化物半導体層２の端面を露出させるために、第１の窒
化物半導体層２の一部を異種基板１まで除去して凹凸を
形成し、第１の窒化物半導体層２の端面と凹部の底面
（露出された異種基板１面）を露出させ、更に前記凹凸
を形成する際に、凹部の底面に対し第１の窒化物半導体
層の端面への窒化物半導体の成長が優先されるように、
露出された第１の窒化物半導体層の端面の長さと凹部の
開口部の幅とを調整してあり、続いて図３の第４の工程
において、保護膜及び凹凸を形成した第１の窒化物半導
体層２上に、第２の窒化物半導体５を成長させ、図４に
示すように厚膜の第２の窒化物半導体層（窒化物半導体
基板）を形成させている。

【００１６】以下に上記各工程ごとに図を用いて更に詳
細に説明する。図１は異種基板１上に、第１の窒化物半
導体２を成長させる第１の工程を行った模式的段面図で
ある。この第１の工程において、用いることのできる異
種基板としては、例えば、サファイアＣ面の他、Ｒ面、
Ａ面を主面とするサファイア、スピネル（ＭｇＡ１
₂Ｏ₄）のような絶縁性基板、ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃ
を含む）、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、Ｓｉ、及び窒化
物半導体と格子整合する酸化物基板等、従来知られてい
る窒化物半導体と異なる基板材料を用いることができ
る。好ましい異種基板としては、サファイア、スピネル
が挙げられる。

【００１７】また、第１の工程において、異種基板１上
に第１の窒化物半導体２を成長させる前に、異種基板１
上にバッファ層（図示されていない）を形成してもよ
い。バッファ層としては、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａ
Ｎ、ＩｎＧａＮ等が用いられる。バッファ層は、９００
℃以下３００℃以上の温度で、膜厚０．５μｍ〜１０オ
ングストロームで成長される。このように異種基板１上
にバッファ層を９００℃以下の温度で形成すると、異種
基板１と第１の窒化物半導体２との格子定数不正を緩和
し、第１の窒化物半導体２の結晶欠陥が少なくなる傾向
にある。３００℃以上で形成すると、バッファ層が形成
しやすくなる。

【００１８】第１の工程において、異種基板１上に形成
される第１の窒化物半導体２としては、アンドープ（不
純物をドープしない状態、undope）のＧａＮ、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、及びＳ等のｎ型不純物をドープしたＧａＮを用いる
ことができる。第１の窒化物半導体層２は、高温、具体
的には９００℃より高い温度〜１１００℃、好ましくは
１０５０℃で異種基板１上に成長される。第１の窒化物
半導体層２は、バッファ層より高温で成長させるため、
アンドープでもバッファ層とは異なる。第１の窒化物半
導体層２の膜厚は特に限定しないが、第１の窒化物半導
体層２に凹凸を形成する際に、前記したように第２の窒
化物半導体層の成長速度をコントロール可能な形状に凹
凸を形成できる程度の膜厚、具体的には１００オングス
トローム以上、好ましくは１〜１０μｍ程度、好ましく
は１〜５μｍの膜厚で形成することが望ましい。

【００１９】次に、図２は、第１の窒化物半導体層２の
上に保護膜３を形成する第２の工程と、第１の窒化物半
導体層２の一部を除去して凹凸を形成し第１の窒化物半
導体層２の端面を露出させる第３の工程を行った模式的
断面図である。第１の窒化物半導体層２に凹凸を形成す
ることにより、成長可能な面として、第１の窒化物半導
体層２の端面と凹部の底面とを露出させている。凸部上
面には、窒化物半導体が成長しにくい又は成長しない材
料からなる保護膜３が形成されている。更に凹凸の形状
は、第１の窒化物半導体層２の端面への窒化物半導体の
成長が、凹部底面への成長に対して優先されるように調
整して形成されている。

【００２０】本発明において、凹凸の形状は、特に限定
されないが、上記のように特定の面に優先して窒化物半
導体が成長するように調整して形成されていればよく、
好ましい凹凸の形状としては、凹部の側面である第１の
窒化物半導体層の端面の長さ［図２のｄ］と、凹部の開
口部の幅［図２のｗ］を調整して形成されている。更に
好ましくは、凹凸の形状が、露出された第１の窒化物半
導体層の端面の長さ（ｄ）と凹部の開口部の幅（ｗ）と
の関係、ｗ／ｄが、０＜ｗ／ｄ≦５、好ましくは０＜ｗ
／ｄ≦３、より好ましくは０＜ｗ／ｄ≦１を示すように
調整して形成されていると、成長速度を良好にコントロ
ールでき第１の窒化物半導体層２の端面からの成長を促
進できる。このように、第１の窒化物半導体層２の端面
からの成長を優先させることにより、凹部の底面での窒
化物半導体の成長を中断できる。凹部の底面は、第１の
窒化物半導体層、または異種基板のいずれでも良く、好
ましくは異種基板面である。凹部の底面が異種基板面で
あると、窒化物半導体の成長が、異種基板に対し窒化物
半導体に成長し易いことから、第１の窒化物半導体層の
端面への成長を優先して行わせるのに好ましい。

【００２１】第２の工程において、保護膜３を形成する
とは、第１の窒化物半導体層２を一部除去して、第１の
窒化物半導体層２の表面に現れる凹凸の形状にあわせて
凸部の上面に、例えば図２のように、保護膜３が形成さ
れるように第１の窒化物半導体層表面に形成することで
ある。凹凸の保護膜３の形成面の形状は、特に限定され
ずいずれの形状でも良く、例えば、前記ｗ／ｄの関係に
加えて更に、凹凸をされた第１の窒化物半導体層２を上
から見た形状が、ランダムな窪み、ストライプ状、碁盤
面状、ドット状に形成することができる。

【００２２】凹凸をストライプ状の形状とする場合、ス
トライプの形状として、例えばストライプ幅を１０〜２
０μｍ、ストライプ間隔（凹部の開口部）を２〜５μｍ
のものを形成することができる。

【００２３】第２の工程で凹凸を形成する方法として
は、第１の窒化物半導体層の一部を取り除くことができ
る方法であればいずれの方法でもよく、例えばエッチン
グ、ダイシング等が挙げられる。エッチングにより、第
１の窒化物半導体層２に部分的（選択的）に凹凸を形成
する場合は、フォトリソグラフィー技術における種々の
形状のマスクパターンを用いて、ストライプ状、碁盤目
状等のフォトマスクを作製し、レジストパターンを第１
の窒化物半導体２に形成してエッチングすることにより
形成できる。また、ダイシングで行う場合は、例えば、
ストライプ状や碁盤目状に形成できる。

【００２４】第２の工程において窒化物半導体をエッチ
ングする方法には、ウエットエッチング、ドライエッチ
ング等の方法があり、平滑な面を形成するには、好まし
くはドライエッチングを用いる。ドライエッチングに
は、例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、反応性
イオンビームエッチング（ＲＩＢＥ）、電子サイクロト
ロンエッチング（ＥＣＲ）、イオンビームエッチング等
の装置があり、いずれもエッチングガスを適宜選択する
ことにより、窒化物半導体をエッチングしてできる。例
えば、本出願人が先に出願した特開平８−１７８０３号
公報記載の窒化物半導体の具体的なエッチング手段を用
いることができる。また、エッチングによって凹凸を形
成する場合、エッチング面が、図２に示すように異種基
板１に対して第１の窒化物半導体の端面がほぼ垂直とな
る形状、又は順メサ形状や逆メサ形状でもよく、第１の
窒化物半導体層の側面に第２の窒化物半導体層が成長可
能な形状であれば特に限定されない。本発明において、
凹凸のエッチング面が順メサ形状や逆メサ形状である場
合、第１の窒化物半導体層の端面の長さは、第１の窒化
物半導体層の表面（凸部上面）から凹部の底面までの高
さを前記第１の窒化物半導体層の端面の長さ（ｄ）とす
る。

【００２５】第２の工程で用いられる保護膜３として
は、保護膜３の表面に窒化物半導体が成長しないか、若
しくは成長しにくい性質を有する材料が挙げられる。保
護膜３として、例えば酸化ケイ素（ＳｉＯ_X）、酸化チ
タン（ＴｉＯ_X）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_X）、酸化
アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）等の酸化物、窒化ケイ素（Ｓ
ｉ_XＮ_Y）等の窒化物、またこれらの多層膜の他、Ｎｉ、
Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ等の１２００℃以上の融点を有する金属
等をあげることができる。これらの保護膜材料は、窒化
物半導体の成長温度６００℃〜１１００℃の温度にも耐
え、その表面に窒化物半導体が成長しないか、成長しに
くい性質を有している。保護膜材料を窒化物半導体表面
に形成するには、例えば蒸着、スパッタ、ＣＶＤ等の気
相製膜技術を用いることができる。

【００２６】また、第２の工程において、保護膜３は、
凹凸を第１の窒化物半導体層２に形成する方法が、エッ
チングである場合と、ダイシングである場合とで、形成
のされ方が多少異なる。まずエッチングで凹凸を形成す
る場合、第１の窒化物半導体層２上に保護膜を形成後、
その上にレジスト膜を形成しパターンを転写し露光、現
像して部分的に保護膜３を形成した後、第３の工程にて
第１の窒化物半導体２をエッチングすることで凹凸の形
成を行う。次に、ダイシングで段差を形成する場合、第
１の窒化物半導体層２の表面上に保護膜３を形成し（第
２の工程）、この上から所望の形状にダイシング・ソー
で第１の窒化物半導体層２に凹凸を形成する（第３の工
程）と、凸部の上面部分のみに保護膜３が残り図２のよ
うになる。

【００２７】保護膜３の膜厚は、特に限定せず、第３の
工程で凹部の第１の窒化物半導体層２の端面から優先し
て成長を始める第２の窒化物半導体層４が、保護膜３上
をあたかも成長したかのように第２の窒化物半導体層４
が横方向に成長し易いように調整されていることが好ま
しい。例えば、保護膜３は薄く形成された方が、保護膜
３上で隣接している第２の窒化物半導体層４同士が接合
し易くなると考えられる。本発明において、凹部の底面
での第１の窒化物半導体２の縦方向の成長を防止する一
実施の形態として、第１の窒化物半導体層の露出された
端面の長さと、凹部の開口部の幅を調整することを挙げ
たが、本発明はこれに限定されない。

【００２８】次に、図３は、保護膜及び凹凸を形成され
た凹部の側面（第１の窒化物半導体２の端面）から第２
の窒化物半導体層４を成長させる第４の工程を行った模
式的断面図である。第４の工程においては、保護膜３が
形成されているので、第２の窒化物半導体層４が成長可
能な部分を、第１の窒化物半導体層２の端面と異種基板
１面のみとし、更に凹凸部の形状を調整して第１の窒化
物半導体層２の端面から成長する窒化物半導体層の成長
を、凹部の底部からの成長より、優先されるようにして
ある。この第４の工程において、成長の初期では、凹部
底面からの縦方向のわずかな成長と、凹部側面からの横
方向の成長が起こると推測されるが、成長を続けるうち
に、凹部内の相対する側面から成長している第２の窒化
物半導体４同士が凹部内において接合し、凹部底面から
の成長を制御し最後には成長を中断させる。このように
凹部底面からの成長が中断することにより、図３の斜線
部分に示すように、第２の窒化物半導体層４が成長して
いない空間が形成される傾向がある。更に、凹部内で接
合した第２の窒化物半導体層は、保護膜３の上部に向か
って横方向に成長し、そして図３のように隣接している
第２の窒化物半導体層４同士でつながり、図４のように
第２の窒化物半導体層４があたかも保護膜３上に成長し
たかのような状態になる。このように凹部底面の縦方向
から成長を始めた窒化物半導体の成長を中断させること
により、結晶欠陥の転位を減少させることができ、この
結果、第２の窒化物半導体層の表面に現れる結晶欠陥を
激減させることが可能となる。また、本発明の好ましい
形態においては、凹部の底面からの窒化物半導体の成長
がほとんど起こらない場合がある。このように成長初期
に成長面と成長速度を特定された第２の窒化物半導体層
４は、厚膜に成長させても、結晶欠陥の極めて少ない非
常に良好な結晶性を有する。第２の窒化物半導体層４と
しては、前記第１の窒化物半導体層２と同様の、アンド
ープ又はｎ型不純物をドープしたＧａＮを用いることが
できる。

【００２９】また第２の窒化物半導体層４は、この上に
素子構造となる窒化物半導体を成長させるための基板と
なるが、素子構造を形成するには異種基板１、第１の窒
化物半導体層２及び保護膜３（以下、異種基板等とする
場合がある。）を予め除去してから行う場合と、異種基
板１等を残して行う場合がある。このため前者の異種基
板１等を除去する場合の第２の窒化物半導体層４の膜厚
は、７０μｍ以上、好ましくは１００μｍ以上、より好
ましくは５００μｍ以上である。この範囲であると異種
基板及び保護膜等を研磨除去しても、第２の窒化物半導
体層４が割れにくくハンドリングが容易となり好まし
い。異種基板１を除去する場合の第２の窒化物半導体層
４の膜厚の上限は特に限定されず、異種基板１の大きさ
や成長方法により適宜調整され、例えば１ｍｍ程度の膜
厚に成長させてもよい。

【００３０】また後者の異種基板等を残して行う場合の
第２の窒化物半導体層４の膜厚は、特に限定されない
が、１００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以下、より好
ましくは２０μｍ以下である。この範囲であると異種基
板と窒化物半導体の熱膨張係数差によるウエハの反りが
防止でき、更に素子基板となる第２の窒化物半導体層４
の上に素子構造となる窒化物半導体を良好に成長させる
ことができる。

【００３１】本発明の窒化物半導体の成長方法におい
て、第１の窒化物半導体２、及び第２の窒化物半導体層
４を成長させる方法としては、特に限定されないが、Ｍ
ＯＶＰＥ（有機金属気相成長法）、ＨＶＰＥ（ハライド
気相成長法）、ＭＢＥ（分子線エピタキシー法）、ＭＯ
ＣＶＤ（有機金属化学気相成長法）等、窒化物半導体を
成長させるのに知られている全ての方法を適用できる。
好ましい成長方法としては、膜厚が１００μｍ以下では
ＭＯＣＶＤ法を用いると成長速度をコントロールし易
い。また膜厚が１００μｍ以下ではＨＶＰＥでは成長速
度が速くてコントロールが難しい。

【００３２】また本発明において、第２の窒化物半導体
層４上には、素子構造となる窒化物半導体を形成するこ
とができるので、明細書内において第２の窒化物半導体
層４を素子基板又は窒化物半導体基板と言う場合があ
る。

【００３３】また第１の工程における前記異種基板とな
る材料の主面をオフアングルさせた基板、さらにステッ
プ状にオフアングルさせた基板を用いることもできる。
更に好ましい異種基板としては、（０００１）面[Ｃ面]
を主面とするサファイア、（１１２−０）面[Ａ面]を主
面とするサファイア、又は（１１１）面を主面とするス
ピネルである。ここで異種基板が、（０００１）面[Ｃ
面]を主面とするサファイアであるとき、前記保護膜が
そのサファイアの（１１２−０）面[Ａ面]に対して垂直
なストライプ形状を有していること［窒化物半導体の
（１０１−０）[Ｍ面]に平行方向にストライプを形成す
ること］が好ましく、また（１１２−０）面[Ａ面]を主
面とするサファイアであるとき、前記保護膜はそのサフ
ァイアの（１１−０２）面[Ｒ面]に対して垂直なストラ
イプ形状を有していることが好ましく、また（１１１）
面を主面とするスピネルであるとき、前記保護膜はその
スピネルの（１１０）面に対して垂直なストライプ形状
を有していることが好ましい。ここでは、保護膜がスト
ライプ形状の場合について記載したが、本発明において
サファイアのＡ面及びＲ面、スピネルの（１１０）面に
窒化物半導体が横方向に成長し易いので、これらの面に
第１の窒化物半導体層２の端面が形成されるように第１
の窒化物半導体２層に凹凸を形成するために保護膜の形
成を考慮することが好ましい。

【００３４】本発明に用いられる異種基板について図を
用いて更に詳細に説明する。図５は窒化物半導体の結晶
構造を示すユニットセル図である。窒化物半導体は正確
には菱面体構造であるが、このように六方晶系で近似で
きる。まず本発明の方法において、Ｃ面を主面とするサ
ファイアを用い、保護膜はサファイアＡ面に対して垂直
なストライプ形状とする場合について説明する。例え
ば、図６は主面側のサファイア基板の平面図である。こ
の図はサファイアＣ面を主面とし、オリエンテーション
フラット（オリフラ）面をＡ面としている。この図に示
すように保護膜のストライプをＡ面に対して垂直方向
で、互いに平行なストライプを形成する。図６に示すよ
うに、サファイアＣ面上に窒化物半導体を選択成長させ
た場合、窒化物半導体は面内ではＡ面に対して平行な方
向で成長しやすく、垂直な方向では成長しにくい傾向に
ある。従ってＡ面に対して垂直な方向でストライプを設
けると、ストライプとストライプの間の窒化物半導体が
つながって成長しやすくなり、図１〜図４に示したよう
な結晶成長が容易に可能となる。

【００３５】次に、Ａ面を主面とするサファイア基板を
用いた場合、上記Ｃ面を主面とする場合と同様に、例え
ばオリフラ面をＲ面とすると、Ｒ面に対して垂直方向
に、互いに平行なストライプを形成することにより、ス
トライプ幅方向に対して窒化物半導体が成長しやすい傾
向にあるため、結晶欠陥の少ない窒化物半導体層を成長
させることができる。

【００３６】また次に、スピネル（ＭｇＡｌ₂Ｏ₄）に対
しても、窒化物半導体の成長は異方性があり、窒化物半
導体の成長面を（１１１）面とし、オリフラ面を（１１
０）面とすると、窒化物半導体は（１１０）面に対して
平行方向に成長しやすい傾向がある。従って、（１１
０）面に対して垂直方向にストライプを形成すると窒化
物半導体層と隣接する窒化物半導体同士が保護膜の上部
でつながって、結晶欠陥の少ない結晶を成長できる。な
おスピネルは四方晶であるため特に図示していない。

【００３７】本発明の窒化物半導体素子（以下本発明の
素子と言う場合がある。）について以下に説明する。本
発明の窒化物半導体素子は、前記した本発明の窒化物半
導体の成長法により得られる第２の窒化物半導体層４
（窒化物半導体基板）上に、素子構造となる少なくとも
ｎ型及びｐ型の窒化物半導体が形成されてなるものであ
る。本発明の窒化物半導体素子を構成する窒化物半導体
としては、特に限定されず、少なくともｎ型及びｐ型の
窒化物半導体が積層されていればよい。例えば、ｎ型窒
化物半導体層として、超格子構造を有するｎ型窒化物半
導体層を有し、この超格子構造のｎ型層にｎ電極を形成
することのできるｎ型窒化物半導体が形成されているも
の等が挙げられる。また、窒化物半導体素子構造を形成
するその他の構成は、例えば電極、素子の形状等、いず
れのものを適用させてもよい。本発明の窒化物半導体素
子の一実施の形態を実施例に示したが、本発明はこれに
限定されない。

【００３８】本発明の窒化物半導体素子構造となる窒化
物半導体を成長させる方法は、特に限定されないがＭＯ
ＶＰＥ（有機金属気相成長法）、ＨＶＰＥ（ハライド気
相成長法）、ＭＢＥ（分子線エピタキシー法）、ＭＯＣ
ＶＤ（有機金属化学気相成長法）等、窒化物半導体を成
長させるのに知られている全ての方法を適用できる。好
ましい成長方法は、ＭＯＣＶＤ法であり、結晶をきれい
に成長させることができる。しかし、ＭＯＣＶＤ法は時
間がかかるため、膜厚が厚い場合には時間の短い方法で
行うことが好ましい。また使用目的によって種々の窒化
物半導体の成長方法を適宜選択し、窒化物半導体の成長
を行うことが好ましい。

【００３９】

【実施例】以下に本発明の実施例を示すが本発明はこれ
に限定されない。［実施例１］実施例１における各工程を図１〜図４を用
いて示す。また実施例１はＭＯＣＶＤ法を用いて行っ
た。

【００４０】異種基板１として、２インチφ、Ｃ面を主
面とし、オリフラ面をＡ面とするサファイア基板１を反
応容器内にセットし、温度を５１０℃にして、キャリア
ガスに水素、原料ガスにアンモニアとＴＭＧ（トリメチ
ルガリウム）とを用い、サファイア基板１上にＧａＮよ
りなるバッファ層（図示されていない）を約２００オン
グストロームの膜厚で成長させる。

【００４１】バッファ層を成長後、ＴＭＧのみ止めて、
温度を１０５０℃まで上昇させる。１０５０℃になった
ら、原料ガスにＴＭＧ、アンモニア、シランガスを用
い、Ｓｉを１×１０¹⁸／cm³ドープしたＧａＮよりなる
第１の窒化物半導体層２を２μｍの膜厚で成長させる。
（図１）

【００４２】第１の窒化物半導体層２を成長後、ストラ
イプ状のフォトマスクを形成し、スパッタ装置によりス
トライプ幅１５μｍ、ストライプ間隔（凹部の開口部の
幅）２μｍのＳｉＯ₂よりなる保護膜３を１μｍの膜厚
で形成し、続いて、ＲＩＥ装置によりサファイア基板１
までエッチングしてサファイア基板１を露出させて凹凸
を形成することにより第１の窒化物半導体２の端面を露
出させる（図２）。なお、ストライプ方向は、図６に示
すように、オリフラ面に対して垂直な方向で形成する。

【００４３】凹凸部を形成後、反応容器内にセットし、
温度を１０５０℃で、原料ガスにＴＭＧ、アンモニア、
シランガスを用い、Ｓｉを１×１０¹⁸／cm³ドープした
ＧａＮよりなる第２の窒化物半導体層４を３０μｍの膜
厚で成長させる（図３及び図４）。

【００４４】第２の窒化物半導体層４を成長後、ウェー
ハを反応容器から取り出し、ＳｉドープＧａＮよりなる
窒化物半導体基板を得る。

【００４５】得られた第２の窒化物半導体層４（本発明
の窒化物半導体基板）の表面を透過型電子顕微鏡（ＴＥ
Ｍ）により観察すると結晶欠陥が１×１０⁵個／ｃｍ²で
あり、従来のものにくらべて２ケタ以上減少した。

【００４６】［実施例２］実施例１において、成長させ
た第１の窒化物半導体層２の表面上に保護膜を形成し、
次にダイシングを行って凹凸を形成して図２のように凸
部の上面に保護膜３を形成して第１の窒化物半導体層２
の端面を露出させる他は同様にして、第２の窒化物半導
体層４の窒化物半導体基板を得た。得られた窒化物半導
体基板を実施例１と同様に結晶欠陥の数を測定した結
果、実施例１と同様に良好な結果が得られた。

【００４７】［実施例３］実施例１において、第１の窒
化物半導体層２をエッチングする際に、第１の窒化物半
導体層２が残る程度にエッチングし凹部の側面（第１の
窒化物半導体層の端面）の幅を１．５μｍとする他は同
様にして行った。その結果、実施例１と同様に良好な結
果が得られた。

【００４８】［実施例４］実施例１において、第１の窒
化物半導体層２の膜厚を２μｍ、１μｍ、４μｍにする
他は同様にしてそれぞれ第２の窒化物半導体層４を得
た。その結果、実施例１とほぼ同様にそれぞれ良好な結
果が得られた。

【００４９】［実施例５］以下、図７を元に実施例５に
ついて説明する。図７は本発明の成長方法により得られ
た窒化物半導体層を基板とする一実施の形態のＬＥＤ素
子の構造を示す模式断面図である。

【００５０】実施例１で得られたウェーハのサファイア
基板１、バッファ層、第１の窒化物半導体層２、及び保
護膜３を研磨、除去し、第２の窒化物半導体層４の表面
を露出させ、第２の窒化物半導体層４のみにする。但
し、実施例１において、第２の窒化物半導体４を成長さ
せる際に膜厚を２００μｍとして行った。

【００５１】次に、第２の窒化物半導体層４（Ｓｉドー
プＧａＮ）を主面とするウェーハをＭＯＶＰＥ装置の反
応容器内にセットし、１０５０℃でこの第２の窒化物半
導体層４の上にＳｉを１×１０¹⁸／cm³ドープしたＧａ
Ｎよりなるバッファ層３１を成長させる。このバッファ
層３１は通常９００℃以上の高温で成長させる窒化物半
導体単結晶層であり、先の基板との格子不整合を緩和す
るための低温で成長させるバッファ層とは区別される。

【００５２】さらに、バッファ層３１の上に膜厚２０オ
ングストローム、単一量子井戸構造のＩｎ_0.4Ｇａ_0.6Ｎ
よりなる活性層３２、膜厚０．３μｍのＭｇを１×１０
²⁰／cm³ドープＡｌ_0.2Ｇａ_0.8Ｎよりなるｐ側クラッド
層３３、膜厚０．５μｍのＭｇを１×１０²⁰／cm³ドー
プＧａＮよりなるｐ側コンタクト層３４を順に成長させ
る。

【００５３】素子構造となるバッファ層３１〜ｐ側コン
タクト層３４成長後、ウェーハを反応容器から取出し、
窒素雰囲気中で６００℃でアニーリングして、ｐ側クラ
ッド層３３、ｐ側コンタクト層３４を低抵抗にする。そ
の後、ｐ側コンタクト層３４側からエッチングを行い、
第２の窒化物半導体層４の表面を露出させる。このよう
に、活性層から下の窒化物半導体層をエッチングにより
露出させ、チップ切断時の「切りしろ」を設けることに
より、切断時にｐ−ｎ接合面に衝撃を与えにくくなるた
め、歩留も向上し、信頼性の高い素子が得られる。

【００５４】エッチング後、ｐ側コンタクト層３４の表
面のほぼ全面にＮｉ／Ａｕよりなる透光性のｐ電極３５
を２００オングストロームの膜厚で形成し、そのｐ電極
３５の上に、ボンディング用のパッド電極３６を０．５
μｍの膜厚で形成する。ｐ電極３５形成後のチップの平
面図（パッド電極３６側から見た図）を図８に示す。

【００５５】ｐ側電極形成後、第２の窒化物半導体層４
の素子構造が形成されていない表面全面に、ｎ電極３７
を０．５μｍの膜厚で形成する。

【００５６】その後、ｎ電極側からスクライブし、第２
の窒化物半導体層４のＭ面（１０１−０）と、そのＭ面
に垂直な面で劈開し、３００μｍ角のＬＥＤチップを得
る。このＬＥＤは２０ｍＡにおいて、５２０ｎｍの緑色
発光を示し、出力は従来のサファイア基板上に窒化物半
導体素子構造を成長されたものに比較して２倍以上、静
電耐圧も２倍以上と、非常に優れた特性を示した。

【００５７】［実施例６］以下、図９を元に実施例６に
ついて説明する。図９は本発明の成長方法により得られ
た窒化物半導体層を基板とする一実施の形態のレーザ素
子の構造を示す模式断面図である。

【００５８】実施例１で得られたウェーハのサファイア
基板１、バッファ層、第１の窒化物半導体２、及び保護
膜３を研磨、除去し、第２の窒化物半導体層４の表面を
露出させ、第２の窒化物半導体層４のみにする。但し、
実施例１において、第２の窒化物半導体層４を成長させ
る際に膜厚を２００μｍとして行った。

【００５９】次に、第２の窒化物半導体層４（Ｓｉドー
プＧａＮ）を主面とするウェーハをＭＯＶＰＥ装置の反
応容器内にセットし、この第２の窒化物半導体層４の上
に下記各層を形成する。

【００６０】（ｎ側クラッド層４３）次に、Ｓｉを１×
１０¹⁹／cm³ドープしたｎ型Ａｌ_0.2Ｇａ_0.8Ｎよりなる
第１の層、２０オングストロームと、アンドープ（undo
pe）のＧａＮよりなる第２の層、２０オングストローム
とを交互に１００層積層してなる総膜厚０．４μｍの超
格子構造とする。ｎ側クラッド層４３はキャリア閉じ込
め層、及び光閉じ込め層として作用し、Ａｌを含む窒化
物半導体、好ましくはＡｌＧａＮを含む超格子層とする
ことが望ましく、超格子層全体の膜厚を１００オングス
トローム以上、２μｍ以下、さらに好ましくは５００オ
ングストローム以上、１μｍ以下で成長させることが望
ましい。超格子層にするとクラックのない結晶性の良い
キャリア閉じ込め層が形成できる。

【００６１】（ｎ側光ガイド層４４）続いて、Ｓｉを１
×１０¹⁷／cm³ドープしたｎ型ＧａＮよりなるｎ型光ガ
イド層４４を０．１μｍの膜厚で成長させる。このｎ側
光ガイド層４４は、活性層の光ガイド層として作用し、
ＧａＮ、ＩｎＧａＮを成長させることが望ましく、通常
１００オングストローム〜５μｍ、さらに好ましくは２
００オングストローム〜１μｍの膜厚で成長させること
が望ましい。このｎ側光ガイド層４４は通常はＳｉ、Ｇ
ｅ等のｎ型不純物をドープしてｎ型の導電型とするが、
特にアンドープにすることもできる。超格子とする場合
には第１の層及び第２の層の少なくとも一方にｎ型不純
物をドープしてもよいし、またアンドープでも良い。

【００６２】（活性層４５）次に、Ｓｉを１×１０¹⁷／
cm³ドープのＩｎ_0.2Ｇａ_0.8Ｎよりなる井戸層、２５オ
ングストロームと、Ｓｉを１×１０¹⁷／cm³ドープのＩ
ｎ_0.05Ｇａ_0.95Ｎよりなる障壁層、５０オングストロー
ムを交互に積層してなる総膜厚１７５オングストローム
の多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の活性層４５を成長させ
る。

【００６３】（ｐ側キャップ層４６）次に、バンドギャ
ップエネルギーがｐ側光ガイド層４７よりも大きく、か
つ活性層４５よりも大きい、Ｍｇを１×１０²⁰／cm³ド
ープしたｐ型Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7Ｎよりなるｐ側キャップ層
４６を３００オングストロームの膜厚で成長させる。こ
のｐ側キャップ層４６はｐ型としたが、膜厚が薄いた
め、ｎ型不純物をドープしてキャリアが補償されたｉ
型、若しくはアンドープとしても良く、最も好ましくは
ｐ型不純物をドープした層とする。ｐ側キャップ層１７
の膜厚は０．１μｍ以下、さらに好ましくは５００オン
グストローム以下、最も好ましくは３００オングストロ
ーム以下に調整する。０．１μｍより厚い膜厚で成長さ
せると、ｐ型キャップ層４６中にクラックが入りやすく
なり、結晶性の良い窒化物半導体層が成長しにくいから
である。Ａｌの組成比が大きいＡｌＧａＮ程薄く形成す
るとＬＤ素子は発振しやすくなる。例えば、Y値が０．
２以上のＡｌ_YＧａ_1-YＮであれば５００オングストロー
ム以下に調整することが望ましい。ｐ側キャップ層４６
の膜厚の下限は特に限定しないが、１０オングストロー
ム以上の膜厚で形成することが望ましい。

【００６４】（ｐ側光ガイド層４７）次に、バンドギャ
ップエネルギーがｐ側キャップ層４６より小さい、Ｍｇ
を１×１０¹⁸／cm³ドープしたｐ型ＧａＮよりなるｐ側
光ガイド層４７を０．１μｍの膜厚で成長させる。この
層は、活性層の光ガイド層として作用し、ｎ側光ガイド
層４４と同じくＧａＮ、ＩｎＧａＮで成長させることが
望ましい。また、この層はｐ側クラッド層４８を成長さ
せる際のバッファ層としても作用し、１００オングスト
ローム〜５μｍ、さらに好ましくは２００オングストロ
ーム〜１μｍの膜厚で成長させることにより、好ましい
光ガイド層として作用する。このｐ側光ガイド層は通常
はＭｇ等のｐ型不純物をドープしてｐ型の導電型とする
が、特に不純物をドープしなくても良い。なお、このｐ
型光ガイド層を超格子層とすることもできる。超格子層
とする場合には第１の層及び第２の層の少なくとも一方
にｐ型不純物をドープしてもよいし、またアンドープで
も良い。

【００６５】（ｐ側クラッド層４８）次に、Ｍｇを１×
１０²⁰／cm³ドープしたｐ型Ａｌ_0.2Ｇａ_0.8Ｎよりなる
第１の層、２０オングストロームと、Ｍｇを１×１０²⁰
／cm³ドープしたｐ型ＧａＮよりなる第２の層、２０オ
ングストロームとを交互に積層してなる総膜厚０．４μ
ｍの超格子層よりなるｐ側クラッド層４８を形成する。
この層はｎ側クラッド層４３と同じくキャリア閉じ込め
層として作用し、超格子構造とすることによりｐ型層側
の抵抗率を低下させるための層として作用する。このｐ
側クラッド層４８の膜厚も特に限定しないが、１００オ
ングストローム以上、２μｍ以下、さらに好ましくは５
００オングストローム以上、１μｍ以下で成長させるこ
とが望ましい。なお本実施例では超格子層をｎ側クラッ
ド層側にも設けたが、ｎ側クラッド層側よりもｐ側層側
に超格子層を設けた方が、ｐ層の抵抗値が減少する傾向
にあるため、Ｖｆを低下させる上で好ましい。

【００６６】量子構造の井戸層を有する活性層４５を有
するダブルへテロ構造の窒化物半導体素子の場合、活性
層４５に接して、活性層４５よりもバンドギャップエネ
ルギーが大きい膜厚０．１μｍ以下のＡｌを含む窒化物
半導体よりなるキャップ層４６を設け、そのキャップ層
４６よりも活性層から離れた位置に、キャップ層４６よ
りもバッドギャップエネルギーが小さいｐ側光ガイド層
４７を設け、そのｐ側光ガイド層４７よりも活性層から
離れた位置に、ｐ側光ガイド層４７よりもバンドギャッ
プが大きいＡｌを含む窒化物半導体を含む超格子層より
なるｐ側クラッド層４８を設けることは非常に好まし
い。しかもｐ側キャップ層４６のバンドギャップエネル
ギーが大きくしてある、ｎ層から注入された電子がこの
キャップ層４６で阻止されるため、電子が活性層をオー
バーフローしないために、素子のリーク電流が少なくな
る。

【００６７】（ｐ側コンタクト層４９）最後に、Ｍｇを
２×１０²⁰／cm³ドープしたｐ型ＧａＮよりなるｐ側コ
ンタクト層４９を１５０オングストロームの膜厚で成長
させる。ｐ側コンタクト層は５００オングストローム以
下、さらに好ましくは４００オングストローム以下、２
０オングストローム以上に膜厚を調整する。

【００６８】反応終了後、反応容器内において、ウェー
ハを窒素雰囲気中、７００℃でアニーリングを行い、ｐ
型層をさらに低抵抗化する。アニーリング後、ウェーハ
を反応容器から取り出し、図９に示すように、ＲＩＥ装
置により最上層のｐ型コンタクト層４９と、ｐ型クラッ
ド層４８とをエッチングして、４μｍのストライプ幅を
有するリッジ形状とし、リッジ表面の全面にＮｉ／Ａｕ
よりなるｐ電極５１を形成する。次に、図９に示すよう
にｐ電極５１を除くｐ側クラッド層４８、コンタクト層
４９の表面にＳｉＯ₂よりなる絶縁膜５０を形成し、こ
の絶縁膜５０を介してｐ電極５１と電気的に接続したｐ
パッド電極５２を形成する。

【００６９】ｐ側電極形成後、第２の窒化物半導体層４
の素子構造が形成されていない表面全面に、Ｔｉ／Ａｌ
よりなるｎ電極５３を０．５μｍの膜厚で形成し、その
上にヒートシンクとのメタライゼーション用にＡｕ／Ｓ
ｎよりなる薄膜を形成する。

【００７０】その後、ｎ電極側５３からスクライブし、
第２の窒化物半導体層４のＭ面（１１−００、図５の六
角柱の側面に相当する面）で第２の窒化物半導体層４を
劈開し、共振面を作製する。共振面の両方あるいはどち
らか一方にＳｉＯ₂とＴｉＯ₂よりなる誘電体多層膜を形
成し、最後にｐ電極に平行な方向で、バーを切断してレ
ーザチップとした。次にチップをフェースアップ（基板
とヒートシンクとが対向した状態）でヒートシンクに設
置し、ｐパッド電極５２をワイヤーボンディングして、
室温でレーザ発振を試みたところ、室温において、閾値
電流密度２．０ｋＡ／cm²、閾値電圧４．０Ｖで、発振
波長４０５ｎｍの連続発振が確認され、１０００時間以
上の寿命を示した。

【００７１】［実施例７］図１０は本発明の成長方法に
より得られた窒化物半導体層を基板とする一実施の形態
のＬＥＤ素子の構造を示す模式断面図であり、活性層３
２から上の素子構造としては、実施例５のＬＥＤ素子と
同様の構造を有する。このＬＥＤ素子は実施例１で得ら
れた第２の窒化物半導体層４の上に、下記の超格子層を
有するｎ側クラッド層５１を成長させる。また、実施例
７においては、サファイア基板１、バッファ層、保護膜
を除去せず行った。実施例７で用いる第２の窒化物半導
体層４は、実施例１において第２の窒化物半導体層４を
成長させる際にＳｉをドープせずに成長させた。（ｎ側クラッド層５１）Ｓｉを１×１０¹⁹／cm³ドープ
したｎ型Ａｌ_0.2Ｇａ_0.8Ｎよりなる第１の層、２０オン
グストロームと、アンドープ（undope）のＧａＮよりな
る第２の層、２０オングストロームとを交互に１００層
積層してなる総膜厚０．４μｍの超格子構造とする。超
格子層にするとクラックのない結晶性の良いキャリア閉
じ込めのクラッド層が形成できる。

【００７２】次に、膜厚２０オングストロームの単一量
子井戸構造のＩｎ_0.4Ｇａ_0.6Ｎよりなる活性層３２、膜
厚０．３μｍのＭｇを１×１０²⁰ドープＡｌ_0.2Ｇａ_0.8
Ｎよりなるｐ側クラッド層３３、膜厚０．５μｍのＭｇ
を１×１０²⁰ドープＧａＮよりなるｐ側コンタクト層３
４が順に積層された構造を有する。そしてｐ層側からエ
ッチングを行いクラッド層５１の表面を露出させてｎ電
極３７を形成し、一方ｐ側コンタクト層のほぼ全面には
透光性のｐ電極３５と、そのｐ電極３５の上に、ボンデ
ィング用のパッド電極３６を形成し、図１０に示すよう
な同一面側からｎ電極３７とｐ電極３５とを設けた構造
とする。最後にサファイア基板の厚さを５０μｍ程度ま
で研磨して薄くした後、研磨面側をスクライブして３５
０μｍ角の素子とする。

【００７３】得られたＬＥＤ素子は実施例５のＬＥＤ素
子に比較して、出力は約１．５倍、静電耐圧も約１．５
倍に向上した。

【００７４】

【発明の効果】本発明の窒化物半導体の成長方法によ
り、結晶欠陥の非常に少ない結晶性の良好な窒化物半導
体を得ることができる。更に本発明は、結晶性の良好な
窒化物半導体を基板としてこの上に素子構造を構成する
窒化物半導体を成長させると、ライフ時間の伸びた、逆
耐圧が上昇し、寿命特性の良好な窒化物半導体素子を得
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の方法の各工程において得られる窒化物
半導体ウェーハの構造を示す模式的断面図である。

【図２】本発明の方法の各工程において得られる窒化物
半導体ウェーハの構造を示す模式的断面図である。

【図３】本発明の方法の各工程において得られる窒化物
半導体ウェーハの構造を示す模式的断面図である。

【図４】本発明の方法の各工程において得られる窒化物
半導体ウェーハの構造を示す模式的断面図である。

【図５】サファイアの面方位を示すユニットセル図であ
る。

【図６】保護膜のストライプ方向を説明するための基板
主面側の平面図である。

【図７】本発明の方法による基板を用いた窒化物半導体
ＬＥＤ素子の一構造を示す模式断面図である。

【図８】図７の素子をｐ電極側から見た平面図である。

【図９】本発明の方法による基板を用いた窒化物半導体
ＬＤ素子の一構造を示す模式断面図である。

【図１０】本発明の方法による基板を用いた窒化物半導
体ＬＥＤ素子の一構造を示す模式断面図である。

【符号の説明】

１・・・・基板２・・・・第１の窒化物半導体３・・・・保護膜４・・・・第２の窒化物半導体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】窒化物半導体と異なる材料よりなる異種
基板の上に、第１の窒化物半導体層を成長させる第１の
工程と、第１の工程後、第１の窒化物半導体層の上に保護膜を形
成する第２の工程と、第２の工程後、第１の窒化物半導体層の端面を露出させ
るために、第１の窒化物半導体層の一部を除去して凹凸
を形成する第３の工程と、第３の工程後、第２の窒化物半導体層を成長させる第４
の工程とを含み、更に前記凹凸を形成する際に、凹部の底面に対して露出
された第１の窒化物半導体層の端面への窒化物半導体の
成長が優先されるように、露出された第１の窒化物半導
体層の端面の長さと凹部の開口部の幅とを調整すること
を特徴とする窒化物半導体の成長方法。
【請求項２】前記凹凸の形状が、凹部の開口部の幅
（ｗ）と、第１の窒化物半導体層の端面の長さ（ｄ）と
が、０＜ｗ／ｄ≦５となるように調整して形成されるこ
とを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体の成長方
法。
【請求項３】前記凹部の底面が、異種基板面であるこ
とを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化物半導体の
成長方法。
【請求項４】前記窒化物半導体の成長方法で得られる
第２の窒化物半導体の上に、素子構造となる少なくとも
ｎ型及びｐ型の窒化物半導体が形成されていることを特
徴とする窒化物半導体素子。