JPH11307918A - ボンディング装置 - Google Patents
ボンディング装置Info
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- JPH11307918A JPH11307918A JP12272998A JP12272998A JPH11307918A JP H11307918 A JPH11307918 A JP H11307918A JP 12272998 A JP12272998 A JP 12272998A JP 12272998 A JP12272998 A JP 12272998A JP H11307918 A JPH11307918 A JP H11307918A
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- bonding
- cooling
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
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-
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
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- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
- H01L2924/07811—Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
Landscapes
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ボンディングヘッドとして常時加熱方式のも
のを用いても、加圧下で急冷却を行うことができるよう
にする。 【解決手段】 常時加熱方式のボンディングヘッド１６
を下降させ、ＴＡＢ基板１２の接続端子を回路基板１１
の接続端子に半田を介して接合させる。次に、ボンディ
ングヘッド１６による加圧加熱状態を保持したまま、冷
却用ブロック１５を上昇させ、この上昇された冷却用ブ
ロック１５の上面をステージ１３の下面に当接させる。
すると、ＴＡＢ基板１２及び回路基板１１の接続端子の
部分に与えられた熱は、熱伝導性の良い金属材料からな
るステージ１３を介して、同じく熱伝導性の良い金属材
料からなる低温で大熱容量の冷却用ブロック１５に速や
かに伝導され、ＴＡＢ基板１２及び回路基板１１の接続
端子の部分が急冷却される。
のを用いても、加圧下で急冷却を行うことができるよう
にする。 【解決手段】 常時加熱方式のボンディングヘッド１６
を下降させ、ＴＡＢ基板１２の接続端子を回路基板１１
の接続端子に半田を介して接合させる。次に、ボンディ
ングヘッド１６による加圧加熱状態を保持したまま、冷
却用ブロック１５を上昇させ、この上昇された冷却用ブ
ロック１５の上面をステージ１３の下面に当接させる。
すると、ＴＡＢ基板１２及び回路基板１１の接続端子の
部分に与えられた熱は、熱伝導性の良い金属材料からな
るステージ１３を介して、同じく熱伝導性の良い金属材
料からなる低温で大熱容量の冷却用ブロック１５に速や
かに伝導され、ＴＡＢ基板１２及び回路基板１１の接続
端子の部分が急冷却される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、一の電子部品を
他の電子部品上にボンディングするボンディング装置に
関する。
他の電子部品上にボンディングするボンディング装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、ＴＡＢ(Tape Automated Bondin
g)技術において半導体チップを実装する場合、あるいは
このようにして得られたＴＡＢ基板を回路基板や液晶表
示パネル等に接合する場合、ボンディング装置を使用し
ている。図６は従来のこのようなボンディング装置の一
例の一部の正面図を示したものである。このボンディン
グ装置は、ボンディング対象（この場合、回路基板１と
ＴＡＢ基板２）が載置されるステージ３を備えている。
ステージ３上にはパルスヒート方式（瞬間加熱方式）の
ボンディングヘッド４が上下動可能に配置されている。
ボンディングヘッド４は、側面図の図７にも示すよう
に、ほぼＵ字状のヘッド本体５の上面両側に電極６、７
が設けられ、ヘッド本体５の下端部側面に熱電対８が設
けられ、ヘッド本体５の上部に冷却用エアノズル９が設
けられた構造となっている。
g)技術において半導体チップを実装する場合、あるいは
このようにして得られたＴＡＢ基板を回路基板や液晶表
示パネル等に接合する場合、ボンディング装置を使用し
ている。図６は従来のこのようなボンディング装置の一
例の一部の正面図を示したものである。このボンディン
グ装置は、ボンディング対象（この場合、回路基板１と
ＴＡＢ基板２）が載置されるステージ３を備えている。
ステージ３上にはパルスヒート方式（瞬間加熱方式）の
ボンディングヘッド４が上下動可能に配置されている。
ボンディングヘッド４は、側面図の図７にも示すよう
に、ほぼＵ字状のヘッド本体５の上面両側に電極６、７
が設けられ、ヘッド本体５の下端部側面に熱電対８が設
けられ、ヘッド本体５の上部に冷却用エアノズル９が設
けられた構造となっている。
【０００３】さて、このボンディング装置でボンディン
グを行う場合には、まず、ステージ３上に回路基板１を
位置決めして載置するとともに、回路基板１の上面の所
定の箇所に設けられた接続端子（図示せず）の部分の上
にＴＡＢ基板２の下面の所定の箇所に設けられた接続端
子（図示せず）の部分を位置合わせして載置する。この
場合、両接続端子のいずれか一方の表面には半田メッキ
（図示せず）が施されている。次に、図８に示すよう
に、ボンディングヘッド４を下降させ、ヘッド本体５の
下端面でＴＡＢ基板２及び回路基板１の接続端子の部分
を加圧する。次に、ヘッド本体５に両電極６、７を介し
て瞬間的に大電流を流し、ヘッド本体５を急加熱する。
すると、半田が溶融し、この溶融した半田を介して両接
続端子が接合される。次に、ボンディングヘッド４によ
る加圧状態を保持したまま、冷却用エアノズル９から冷
却ガスをヘッド本体５に吹き付け、急冷却する。そし
て、熱電対８を介して検出されるヘッド本体５の温度が
半田溶融点以下となったら、ボンディングヘッド４を上
昇させる。かくして、ボンディングが終了する。
グを行う場合には、まず、ステージ３上に回路基板１を
位置決めして載置するとともに、回路基板１の上面の所
定の箇所に設けられた接続端子（図示せず）の部分の上
にＴＡＢ基板２の下面の所定の箇所に設けられた接続端
子（図示せず）の部分を位置合わせして載置する。この
場合、両接続端子のいずれか一方の表面には半田メッキ
（図示せず）が施されている。次に、図８に示すよう
に、ボンディングヘッド４を下降させ、ヘッド本体５の
下端面でＴＡＢ基板２及び回路基板１の接続端子の部分
を加圧する。次に、ヘッド本体５に両電極６、７を介し
て瞬間的に大電流を流し、ヘッド本体５を急加熱する。
すると、半田が溶融し、この溶融した半田を介して両接
続端子が接合される。次に、ボンディングヘッド４によ
る加圧状態を保持したまま、冷却用エアノズル９から冷
却ガスをヘッド本体５に吹き付け、急冷却する。そし
て、熱電対８を介して検出されるヘッド本体５の温度が
半田溶融点以下となったら、ボンディングヘッド４を上
昇させる。かくして、ボンディングが終了する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のこの
ようなボンディング方法では、上述のように、加熱及び
加圧下での急冷却を行わなければならない。このため、
ボンディングヘッド４として、常時加熱方式のものを用
いると加圧下で急冷却を行うことができないので、上述
のように、エア冷却機能を備えた瞬間加熱方式のものを
用いている。しかしながら、瞬間加熱方式のボンディン
グヘッド４では、常時加熱方式のものと比較して、大電
流を流すので、トランス及びコントローラが必要とな
り、ひいては装置が複雑になり、またヘッド本体５の下
端面の温度分布にバラツキがあり、ひいてはボンディン
グ（半田接合）が不均一となり、さらにメンテナンスで
ヘッド本体５の下端面を研磨するとサイズが変わり、ひ
いては抵抗値が変わり、温度条件や温度分布が変わって
しまうという問題があった。この発明の課題は、ボンデ
ィングヘッドとして常時加熱方式のものを用いても、加
圧下で急冷却を行うことができるようにすることであ
る。
ようなボンディング方法では、上述のように、加熱及び
加圧下での急冷却を行わなければならない。このため、
ボンディングヘッド４として、常時加熱方式のものを用
いると加圧下で急冷却を行うことができないので、上述
のように、エア冷却機能を備えた瞬間加熱方式のものを
用いている。しかしながら、瞬間加熱方式のボンディン
グヘッド４では、常時加熱方式のものと比較して、大電
流を流すので、トランス及びコントローラが必要とな
り、ひいては装置が複雑になり、またヘッド本体５の下
端面の温度分布にバラツキがあり、ひいてはボンディン
グ（半田接合）が不均一となり、さらにメンテナンスで
ヘッド本体５の下端面を研磨するとサイズが変わり、ひ
いては抵抗値が変わり、温度条件や温度分布が変わって
しまうという問題があった。この発明の課題は、ボンデ
ィングヘッドとして常時加熱方式のものを用いても、加
圧下で急冷却を行うことができるようにすることであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、ボンディン
グ対象が載置されるステージと、このステージ上に上下
動可能に配置され所定温度に保持される加熱ボンディン
グヘッドと、前記ステージ下に上下動可能に配置された
冷却用ブロックとを具備し、前記加熱ボンディングヘッ
ドによって前記ステージ上に載置された前記ボンディン
グ対象を加圧加熱した状態で、前記冷却用ブロックを上
昇させ、この上昇された冷却用ブロックによって前記ス
テージ上に載置された前記ボンディング対象を冷却する
ようにしたものである。この発明によれば、ステージ下
に配置された冷却用ブロックを上昇させ、この上昇され
た冷却用ブロックによってステージ上に載置されたボン
ディング対象を冷却しているので、加熱ボンディングヘ
ッドとして常時加熱方式のものを用いても、加圧下で急
冷却を行うことができる。
グ対象が載置されるステージと、このステージ上に上下
動可能に配置され所定温度に保持される加熱ボンディン
グヘッドと、前記ステージ下に上下動可能に配置された
冷却用ブロックとを具備し、前記加熱ボンディングヘッ
ドによって前記ステージ上に載置された前記ボンディン
グ対象を加圧加熱した状態で、前記冷却用ブロックを上
昇させ、この上昇された冷却用ブロックによって前記ス
テージ上に載置された前記ボンディング対象を冷却する
ようにしたものである。この発明によれば、ステージ下
に配置された冷却用ブロックを上昇させ、この上昇され
た冷却用ブロックによってステージ上に載置されたボン
ディング対象を冷却しているので、加熱ボンディングヘ
ッドとして常時加熱方式のものを用いても、加圧下で急
冷却を行うことができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】図１はこの発明の一実施形態にお
けるボンディング装置の要部の一部を断面した正面図を
示したものである。このボンディング装置は、ボンディ
ング対象（この場合も、回路基板１１とＴＡＢ基板１
２）が載置されるステージ１３を備えている。ステージ
１３は、熱伝導性の良い金属材料からなり、熱伝導性の
悪い材料からなる上面が開放された枠体１４の上面に設
けられている。ステージ１３の下側における枠体１４内
には熱伝導性の良い金属材料からなる大熱容量の冷却用
ブロック１５が上下動可能に配置されている。冷却用ブ
ロック１５は、エアシリンダやオイルシリンダ等からな
る昇降器（図示せず）によって上下動されるようになっ
ている。ステージ１３上には常時加熱方式のボンディン
グヘッド１６が上下動可能に配置されている。ボンディ
ングヘッド１６は、図２にも示すように、３段構造のヘ
ッド本体１７の中段に形成された貫通孔１８内に管状の
ヒータ１９が設けられ、ヘッド本体１７の中段の側面に
熱電対２０が設けられた構造となっている。
けるボンディング装置の要部の一部を断面した正面図を
示したものである。このボンディング装置は、ボンディ
ング対象（この場合も、回路基板１１とＴＡＢ基板１
２）が載置されるステージ１３を備えている。ステージ
１３は、熱伝導性の良い金属材料からなり、熱伝導性の
悪い材料からなる上面が開放された枠体１４の上面に設
けられている。ステージ１３の下側における枠体１４内
には熱伝導性の良い金属材料からなる大熱容量の冷却用
ブロック１５が上下動可能に配置されている。冷却用ブ
ロック１５は、エアシリンダやオイルシリンダ等からな
る昇降器（図示せず）によって上下動されるようになっ
ている。ステージ１３上には常時加熱方式のボンディン
グヘッド１６が上下動可能に配置されている。ボンディ
ングヘッド１６は、図２にも示すように、３段構造のヘ
ッド本体１７の中段に形成された貫通孔１８内に管状の
ヒータ１９が設けられ、ヘッド本体１７の中段の側面に
熱電対２０が設けられた構造となっている。
【０００７】さて、このボンディング装置でボンディン
グを行う場合には、まず、ステージ１３上に回路基板１
１を位置決めして載置するとともに、回路基板１１の上
面の所定の箇所に設けられた接続端子（図示せず）の部
分の上にＴＡＢ基板１２の下面の所定の箇所に設けられ
た接続端子（図示せず）の部分を位置合わせして載置す
る。この場合も、両接続端子のいずれか一方の表面には
半田メッキ（図示せず）が施されている。また、ボンデ
ィングヘッド１６は常時加熱方式であるので、ヒータ１
９は常に発熱状態にあり、ヘッド本体１７は常に一定の
温度に保持されている。次に、図３に示すように、ボン
ディングヘッド１６を下降させ、ヘッド本体１７の下端
面でＴＡＢ基板１２及び回路基板１１の接続端子の部分
を加圧する。すると、半田が溶融し、この溶融した半田
を介して両接続端子が接合される。
グを行う場合には、まず、ステージ１３上に回路基板１
１を位置決めして載置するとともに、回路基板１１の上
面の所定の箇所に設けられた接続端子（図示せず）の部
分の上にＴＡＢ基板１２の下面の所定の箇所に設けられ
た接続端子（図示せず）の部分を位置合わせして載置す
る。この場合も、両接続端子のいずれか一方の表面には
半田メッキ（図示せず）が施されている。また、ボンデ
ィングヘッド１６は常時加熱方式であるので、ヒータ１
９は常に発熱状態にあり、ヘッド本体１７は常に一定の
温度に保持されている。次に、図３に示すように、ボン
ディングヘッド１６を下降させ、ヘッド本体１７の下端
面でＴＡＢ基板１２及び回路基板１１の接続端子の部分
を加圧する。すると、半田が溶融し、この溶融した半田
を介して両接続端子が接合される。
【０００８】次に、図４に示すように、ボンディングヘ
ッド１６による加圧加熱状態を保持したまま、冷却用ブ
ロック１５を上昇させ、この上昇された冷却用ブロック
１５の上面をステージ１３の下面に当接させる。する
と、ＴＡＢ基板１２及び回路基板１１の接続端子の部分
に与えられた熱は、熱伝導性の良い金属材料からなるス
テージ１３を介して、同じく熱伝導性の良い金属材料か
らなる低温で大熱容量の冷却用ブロック１５に速やかに
伝導され、ＴＡＢ基板１２及び回路基板１１の接続端子
の部分が急冷却される。この場合、ヘッド本体１７の温
度を直接下げるわけではないので、ヘッド本体１７の温
度低下は微小である。そして、熱電対２０を介して検出
されるヘッド本体１７の温度が半田溶融点以下となった
ら、ボンディングヘッド１６を上昇させ、次いで冷却用
ブロック１５を下降させる。かくして、ボンディングが
終了する。
ッド１６による加圧加熱状態を保持したまま、冷却用ブ
ロック１５を上昇させ、この上昇された冷却用ブロック
１５の上面をステージ１３の下面に当接させる。する
と、ＴＡＢ基板１２及び回路基板１１の接続端子の部分
に与えられた熱は、熱伝導性の良い金属材料からなるス
テージ１３を介して、同じく熱伝導性の良い金属材料か
らなる低温で大熱容量の冷却用ブロック１５に速やかに
伝導され、ＴＡＢ基板１２及び回路基板１１の接続端子
の部分が急冷却される。この場合、ヘッド本体１７の温
度を直接下げるわけではないので、ヘッド本体１７の温
度低下は微小である。そして、熱電対２０を介して検出
されるヘッド本体１７の温度が半田溶融点以下となった
ら、ボンディングヘッド１６を上昇させ、次いで冷却用
ブロック１５を下降させる。かくして、ボンディングが
終了する。
【０００９】このように、このボンディング装置では、
ステージ１３下に配置された冷却用ブロック１５を上昇
させ、この上昇された冷却用ブロック１５によってステ
ージ１３上に載置されたＴＡＢ基板１２及び回路基板１
１の接続端子の部分を冷却しているので、ボンディング
ヘッド１６として常時加熱方式のものを用いても、加圧
下で急冷却を行うことができる。この結果、瞬間加熱方
式のボンディングヘッドを用いた場合と比較して、装置
を簡素化することができ、またヘッド本体５の下端面の
温度分布を均一にすることができ、ひいては均一なボン
ディング（半田接合）を行うことができ、さらにメンテ
ナンスでヘッド本体５の下端面を研磨してサイズが変わ
っても別に不都合は生じないようにすることができる。
ステージ１３下に配置された冷却用ブロック１５を上昇
させ、この上昇された冷却用ブロック１５によってステ
ージ１３上に載置されたＴＡＢ基板１２及び回路基板１
１の接続端子の部分を冷却しているので、ボンディング
ヘッド１６として常時加熱方式のものを用いても、加圧
下で急冷却を行うことができる。この結果、瞬間加熱方
式のボンディングヘッドを用いた場合と比較して、装置
を簡素化することができ、またヘッド本体５の下端面の
温度分布を均一にすることができ、ひいては均一なボン
ディング（半田接合）を行うことができ、さらにメンテ
ナンスでヘッド本体５の下端面を研磨してサイズが変わ
っても別に不都合は生じないようにすることができる。
【００１０】なお、上記実施形態では、冷却用ブロック
１５の上面をステージ１３の下面に当接させて冷却を行
う場合について説明したが、これに限定されるものでは
ない。例えば、図５に示すように、ボンディング対象
（この場合、回路基板１１）の剛性が高い場合には、ス
テージ１３の所定の箇所に開口部１３ａを形成し、冷却
用ブロック１５の上部に開口部１３ａよりもやや小さめ
の突出部１５ａを設け、この突出部１５ａの上面を開口
部１３ａを介してステージ１３上に載置された回路基板
１１の接続端子の部分の下面に当接させて冷却を行うよ
うにしてもよい。このようにした場合には、冷却効率を
良くすることができる。また、ボンディングヘッド１６
が邪魔にならない場合には、ボンディング対象の上方か
ら冷却するようにしてもよい。
１５の上面をステージ１３の下面に当接させて冷却を行
う場合について説明したが、これに限定されるものでは
ない。例えば、図５に示すように、ボンディング対象
（この場合、回路基板１１）の剛性が高い場合には、ス
テージ１３の所定の箇所に開口部１３ａを形成し、冷却
用ブロック１５の上部に開口部１３ａよりもやや小さめ
の突出部１５ａを設け、この突出部１５ａの上面を開口
部１３ａを介してステージ１３上に載置された回路基板
１１の接続端子の部分の下面に当接させて冷却を行うよ
うにしてもよい。このようにした場合には、冷却効率を
良くすることができる。また、ボンディングヘッド１６
が邪魔にならない場合には、ボンディング対象の上方か
ら冷却するようにしてもよい。
【００１１】また、上記実施形態では、ＴＡＢ基板１２
を回路基板１１に半田付けする場合について説明した
が、これに限定されるものではない。例えば、ＴＡＢ基
板１２を回路基板１１に異方性導電接着剤を介して接合
するようにしてもよい。また、単なる熱可塑性接着剤を
用いて対象物を接着し、加圧加熱したまま冷却する場合
にも、この発明を適用することができる。
を回路基板１１に半田付けする場合について説明した
が、これに限定されるものではない。例えば、ＴＡＢ基
板１２を回路基板１１に異方性導電接着剤を介して接合
するようにしてもよい。また、単なる熱可塑性接着剤を
用いて対象物を接着し、加圧加熱したまま冷却する場合
にも、この発明を適用することができる。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、ステージ下に配置された冷却用ブロックを上昇さ
せ、この上昇された冷却用ブロックによってステージ上
に載置されたボンディング対象を冷却しているので、ボ
ンディングヘッドとして常時加熱方式のものを用いて
も、加圧下で急冷却を行うことができる。したがって、
比較的簡素な装置の常時加熱方式ボンディング装置によ
り、半田接合等において均一且つ確実な接合が得られ
る。
ば、ステージ下に配置された冷却用ブロックを上昇さ
せ、この上昇された冷却用ブロックによってステージ上
に載置されたボンディング対象を冷却しているので、ボ
ンディングヘッドとして常時加熱方式のものを用いて
も、加圧下で急冷却を行うことができる。したがって、
比較的簡素な装置の常時加熱方式ボンディング装置によ
り、半田接合等において均一且つ確実な接合が得られ
る。
【図１】この発明の一実施形態におけるボンディング装
置の要部の一部を断面した正面図。
置の要部の一部を断面した正面図。
【図２】図１に示すボンディングヘッドの側面図。
【図３】図１に示すボンディング装置において加圧加熱
状態を示す図１同様の正面図。
状態を示す図１同様の正面図。
【図４】図１に示すボンディング装置において冷却状態
を示す図１同様の正面図。
を示す図１同様の正面図。
【図５】この発明の他の実施形態におけるボンディング
装置の図１同様の正面図。
装置の図１同様の正面図。
【図６】従来のボンディング装置の一例の一部の正面
図。
図。
【図７】図６に示すボンディングヘッドの側面図。
【図８】図６に示すボンディング装置において加圧加熱
状態を示す図６同様の正面図。
状態を示す図６同様の正面図。
１１ 回路基板 １２ ＴＡＢ基板 １３ ステージ １５ 冷却用ブロック １６ 常時加熱方式のボンディングヘッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｈ０５Ｋ 3/36 Ｈ０５Ｋ 3/36 Ｂ
Claims (5)
- 【請求項１】 ボンディング対象が載置されるステージ
と、このステージ上に上下動可能に配置され所定温度に
保持される加熱ボンディングヘッドと、前記ステージ下
に上下動可能に配置された冷却用ブロックとを具備し、
前記加熱ボンディングヘッドによって前記ステージ上に
載置された前記ボンディング対象を加圧加熱した状態
で、前記冷却用ブロックを上昇させ、この上昇された冷
却用ブロックによって前記ステージ上に載置された前記
ボンディング対象を冷却することを特徴とするボンディ
ング装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の発明において、前記ステ
ージは熱伝導性の良い金属材料からなり、上昇された前
記冷却用ブロックの上面を前記ステージの下面に当接さ
せることを特徴とするボンディング装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の発明において、前記ステ
ージは開口部を有し、上昇された前記冷却用ブロックの
上面を前記開口部を介して前記ステージ上に載置された
前記ボンディング対象の下面に当接させることを特徴と
するボンディング装置。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載の発明に
おいて、前記冷却用ブロックは熱伝導性の良い金属材料
からなることを特徴とするボンディング装置。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載の発明に
おいて、前記ボンディング対象は２つの電子部品であ
り、この２つの電子部品をボンディングして半田接合す
ることを特徴とするボンディング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12272998A JPH11307918A (ja) | 1998-04-17 | 1998-04-17 | ボンディング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12272998A JPH11307918A (ja) | 1998-04-17 | 1998-04-17 | ボンディング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11307918A true JPH11307918A (ja) | 1999-11-05 |
Family
ID=14843149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12272998A Pending JPH11307918A (ja) | 1998-04-17 | 1998-04-17 | ボンディング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11307918A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006049739A (ja) * | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Sony Chem Corp | 電気素子の接続方法及び加熱ヘッド |
| US7357288B2 (en) | 2003-07-17 | 2008-04-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Component connecting apparatus |
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1998
- 1998-04-17 JP JP12272998A patent/JPH11307918A/ja active Pending
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