JPH11298297A - シンセサイザチューナ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 シンセサイザチューナ装置で、局部発振信号
の周波数を中間周波数と同調周波数との和又は差周波数
に一致させることを目的とする。 【解決手段】 高周波信号増幅器部２１とヘテロダイン
変換器６と局部発振信号発生部１１とを具備するシンセ
サイザチューナ装置２０において、局部発振信号発生部
１１に設けた可変容量ダイオードＶｄ５を制御してこの
局部発振信号発生部１１の発振周波数を可変する第１の
シンセサイザ手段２３と、高周波信号増幅器部２１に設
けた可変容量ダイオード３３，３６，４１を制御して高
周波信号増幅器部２１の同調周波数を可変する第２のシ
ンセサイザ手段２４とを設け、同調周波数を変化させた
際にも局部発振信号の周波数を中間周波数と同調周波数
との和又は差周波数に一致させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、周波数シンセサイ
ザチューナ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】スーパーヘテロダイン方式の周波数シン
セサイザチューナ装置は従来から知られている。

【０００３】従来のシンセサイザチューナ装置の一例を
図４に示して説明するに、１はシンセサイザチューナ装
置の要部を示した回路ブロック図で、シンセサイザチュ
ーナ装置１はを受信部２及びＰＬＬ部３で構成する。

【０００４】受信部２を受信アンテナ４、高周波信号増
幅器５、ヘテロダイン変換器（heterdyne converter ）
６、中間周波数信号増幅器７及び検波器８とで構成し、
ＰＬＬ部３を電圧制御発振器１１、位相比較器１２、基
準周波数信号発生器１３、ローパスフィルタ１４及びプ
ログラマブル分周器１５、分周比設定器１６、設定周波
数表示器１７及び外部操作器１８で構成し、高周波信号
増幅器５の同調回路部を受信帯域全体を非同調でカバー
する非同調回路で構成する。

【０００５】受信アンテナ４で受信した電波信号を高周
波増幅器５を通じて増幅してヘテロダイン変換器６に供
給し、ヘテロダイン変換器６に周波数値Ｆｓの局部発振
周波数信号Ｓｌを供給して受信信号を選択するとともに
周波数Ｆｍの中間周波数信号に変換し、周波数Ｆｍを中
心とした周波数選択性を有する中間周波増幅器７を通じ
て増幅して後検波器８に供給して検波し音声放送信号出
力ＡＦを得る。

【０００６】中波周波数帯の同調周波数範囲が５３１Ｋ
Ｈz 〜１６０２ＫＨｚ、中間周波数値Ｆｍが４５５ＫＨ
ｚ場合に、発振周波数Ｆｓの数値を９８６ＫＨｚ〜２０
８６ＫＨｚの間で９ＫＨｚ間隔で設定できるようにプロ
グラマブル分周器１５の分周比Ｎを設定する（但し、発
振周波数Ｆｓの数値を、同調周波数値より中間周波数値
Ｆｍの数値だけ高く設定する場合）。

【０００７】プログラマブル分周器１５で分周比Ｎを設
定する場合は、同調周波数の設定値Ｆｘを外部操作器１
８で設定して分周比設定器１６に供給し、同調周波数値
と中間周波周波数値Ｆｍとの和の周波数値Ｆｓに対応し
た分周比Ｎを分周比設定器１６で生成し、生成した分周
比Ｎをプログラマブル分周器１５供給してプログラマブ
ル分周器１５の分周比をＮに設定する。また、設定値Ｆ
ｘを設定周波数表示器１７に表示する。

【０００８】プログラマブル分周器１５で局部発振周波
数信号Ｓｌを分周比Ｎで分周して分周信号Ｓｄを生成し
被比較信号として位相比較器１２に供給し、基準周波数
信号発生器１３で発振周波数が１ｋＨｚの固定基準周波
数信号Ｓｓを生成し位相比較器１２に比較信号として供
給する。

【０００９】位相比較器１２において固定基準周波数信
号Ｓｓと分周信号Ｓｄとを位相比較して得た信号を位相
比較器１２からローパスフィルタ１４に供給し、ローパ
スフィルタ１４で高調波成分等の雑音信号成分を除去抑
圧して得た制御信号Ｓｅを電圧制御発振器１１の制御信
号入力端に供給し、制御信号Ｓｅで電圧制御発振器１１
の発振周波数を制御して外部操作器１８で設定した同調
周波数の設定値Ｆｘに対応した局部発振周波数信号Ｓｌ
を生成する。

【００１０】そして、局部発振周波数信号Ｓｌをテロダ
イン変換器６に局部発振周波数信号Ｓｌとして入力し、
プログラマブル分周器１５に被分周周波数信号として入
力して、外部操作器１８で設定した同調周波数の設定値
Ｆｘを受信する状態にヘテロダイン変換器６を設定す
る。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】斯る従来のシンセサイ
ザチューナ装置においては、高周波信号増幅器５を非同
調型に構成しているために、高周波信号増幅器５を同調
型にした場合に比較して相互変調、混変調による妨害の
面では不利となる不都合があった。

【００１２】この不利となる点を解決する為として提案
されている他のシンセサイザチューナ装置の一例をシン
セサイザチューナ装置１Ａとして図５に示し、図４と同
一の部分には同一の符号を付与して詳細な説明を省力し
説明する。

【００１３】シンセサイザチューナ装置１Ａは、同調タ
ンクコイルＬ１に可変容量ダイオードＶｄ１を，Ｌ２に
可変容量ダイオードＶｄ２をそしてＬ３に可変容量ダイ
オードＶｄ３を夫々並列に接続して同調部１９を構成し
ている。尚、可変容量ダイオードＶｄ１〜Ｖｄ３の夫々
は、図６に示した電圧制御発振器１１の電圧制御Ｓｅ／
可変リアクタンス素子として使用している可変容量ダイ
オードＶｄ５と同一の制御電圧Ｓｅ／リアクタンス可変
特性を具備した可変容量ダイオードを使用する。

【００１４】そして、制御信号Ｓｅによって可変容量ダ
イオードＶｄ１〜Ｖｄ３の夫々のリアクタンスを制御し
て同調部１９の同調周波数を制御する。

【００１５】よって、外部操作器１８で設定した同調周
波数の設定値に応じて局部発周波数信号Ｓｌの周波数及
び同調部１９の同調周波数を設定することができるの
で、図４に示して説明したシンセサイザチューナ装置で
問題になった相互変調・混変調妨害の影響を抑圧するこ
とができる。

【００１６】しかしながら、図５に示したシンセサイザ
チューナ装置１Ａにおいては、同調周波数とこの同調周
波数に対応する局部発振周波数信号の周波数とが中間周
波数分異なるため、外部操作器１８で設定した同調周波
数の可変範囲の上限周波数値と下限周波数値の比とこの
局部発振周波数信号Ｓ１の可変範囲の上限周波数値と下
限周波数値の比は、相互に異なっている。

【００１７】よって、ＰＬＬ３側及び同調部１９側の可
変容量ダイオードＶｄ１，‥‥，Ｖｄ３及びＶｄ５夫々
のリアクタンスを制御信号Ｓｅで共通に制御してヘテロ
ダイン変換器６の同調周波数と同調部１９の同調周波数
とを設定するようにした場合、ヘテロダイン変換器６に
供給する局部発振周波数信号Ｓ１の同調周波数と同調部
１９の同調周波数と中間周波数との和又は差周波数を同
調周波数の可変範囲全体に渡って一致させることが出来
ないため、シンセサイザ装置１Ａでは、同調周波数の可
変範囲において利得変差、感度変差が発生する問題があ
る。

【００１８】一例として、同調部１９の同調周波数可変
範囲の下限周波数値とヘテロダイン変換器６側の同調周
波数の下限周波数値とが一致するよう制御信号Ｓｅ可変
容量ダイオードＶｄ１，‥‥，Ｖｄ３，Ｖｄ５夫々のリ
アクタンスを制御して設定した場合、ヘテロダイン変換
器６の同調周波数が上限周波数方向に変化するにつれ
て、ヘテロダイン変換器６に供給する局部発振周波数信
号Ｓ１の周波数と同調部１９の同調周波数と中間周波数
との和又は差周波数の間の不一致の量が拡大する。

【００１９】このような不一致を生じる問題を解決する
ための方策として中間周波増幅器７の中間周波数を低く
する方法が考えられるが、中間周波数を低くするとイメ
ージ妨害が増加するという問題がある。またイメージ妨
害を抑圧するために中間周波数値を大きくすることが考
えられるが、中間周波数値を大きくするとこの不一致の
量が拡大しシンセサイザ装置１Ａの利得変差、感度変差
が一層大きくなる問題がある。

【００２０】また中間周波数値を大きくしてイメージ妨
害の抑圧を図ろうとした場合に、この不一致の量が拡大
し、シンセサイザ装置１Ａの利得変差、感度変差が一層
大きくなる問題の解決策として、図６に示した如く電圧
制御発振器１１のタンクコイルＬと可変容量ダイオード
Ｖｄ５との間に補正用コンデンサＣｓを挿入してこの不
一致を補正する方法が提案されているが、それでもこの
不一致を完全に補正することはできない。

【００２１】更にまた、シンセサイザチューナ装置の受
信方式の代表的な方式として、次の３方式が提案されて
いる。

【００２２】方式１ 中波周波数帯域及び短波周波数帯
域を受信するように受信バンドを切り替える手段を具備
したシンセサイザチューナ１Ａにおいて、中波周波数帯
域を受信する際には中間周波数の値として４５５ＫＨｚ
或いは４５０ＫＨｚ等の中波周波数帯域以下の周波数を
使用する。

【００２３】そして短波周波数帯域を受信する際には、
受信する短波周波数帯域の幅より狭い複数の受信帯域に
分割してこの短波周波数帯域を分担する複数の単同調回
路でカバーするように構成し、同調する短波周波数値を
外部操作器１８から分周比設定器１６に入力したとき
に、これら複数の単同調回路のなかからこの短波周波数
値をカバーする単同調回路を選択して受信するようにし
たシンセサイザチューナ方式。

【００２４】方式２ ヘテロダイン変換器６及び中間周
波信号増幅器７の部分をダブルスーパヘテロダイン方式
に構成し、第１中間周波数を５５．８４５ＭＨｚ、第２
中間周波数を１０．７ＭＨｚと中波周波数帯域以上の高
い中間周波数を使用して構成したシンセサイザチューナ
において、高周波信号増幅器５の同調回路を非同調とし
たシンセサイザチューナ方式。

【００２５】方式３ 長波周波数帯域及び中波周波数帯
域の受信には方式１で説明した中波周波数帯域の同調方
式を用い、そして短波周波数帯域を受信には方式２で説
明した同調方式を用いて同調周波数を選択するように構
成したシンセサイザチューナ方式。

【００２６】しかしながら、中波周波数帯域を方式１に
説明したシンセサイザチューナ装置により受信する際に
は、図５を用いて説明した如く、ヘテロダイン変換器６
の局部発振信号周波数と同調部１９の同調周波数と中間
周波数との和又は差周波数との間の周波数ずれを無くす
ことはできないため、シンセサイザチューナ装置の音声
放送信号出力ＡＦに感度偏差や利得偏差となってあらわ
れる不都合があり、短波周波数の受信帯域では、特に同
調周波数の高い受信帯域において、中間周波数の値が４
５５ＫＨｚ或いは４５０ＫＨｚと低いことに起因するイ
メージ妨害が増加する不都合がある。

【００２７】また、方式２によるシンセサイザチューナ
により受信する場合は、高周波増幅器５を非同調回路で
構成しているために相互変調・混変調妨害の影響を抑圧
するうえで不利となる不都合がある。

【００２８】さらにまた、方式３によるシンセサイザチ
ューナにより受信する場合は、方式１と方式２で説明し
た問題を合わせ持つ不都合がある。

【００２９】本発明は斯る点に鑑み、高周波信号増幅部
の同調周波数及びヘテロダイン変換器の同調周波数の双
方を可変容量ダイオードで制御するシンセサイザチュー
ナにおいて、同調周波数を変化させた状態においてもこ
の同調周波数と中間周波数の和或いは差周波数の値にこ
の局部発振周波数の値を一致した状態に保つことができ
るようにし、同調周波数帯域内での感度偏差、利得偏差
の抑圧を図ったシンセサイザチューナ装置を提供するこ
とを目的とする。

【００３０】

【課題を解決するための手段】本発明によるシンセサイ
ザチューナ装置は、高周波信号増幅部とヘテロダイン変
換部と局部発振信号発生部とを具備するシンセサイザチ
ューナ装置において、この局部発振信号発生部に設けた
可変容量ダイオードを制御して局部発振信号発生部の発
振周波数を可変する第１のＰＬＬ手段と、この高周波信
号増幅部に設けた可変容量ダイオードを制御して高周波
信号増幅器部の同調周波数を可変する第２のＰＬＬ手段
と、同調周波数設定手段とを設け、この高周波信号増幅
部の同調周波数の可変範囲とこの局部発振信号発生部の
周波数の可変範囲とを相互に拘束されることなく設定す
ることができるようにし、局部発振信号の周波数を中間
周波数と同調周波数との和又は差周波数に一致させた状
態で同調周波数を可変できるようにした。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下、図１〜図３を参照しながら
図４〜図６と同一の部分には同一の符号を伏して詳細な
説明を省略して本発明によるシンセサイザチューナ装置
の実施の形態の一例につき説明する。

【００３２】図１はこの本発明によるシンセサイザ装置
の実施の形態の一例の要部を示す回路ブロック図で、図
１において２０はシンセサイザチューナ装置を示し、シ
ンセサイザチューナ装置２０を受信アンテナ４、ヘテロ
ダイン変換器６、中間周波数信号増幅器７、検波器８、
外部操作器１８、高周波増幅部２１、第１のＰＬＬ部２
３及び第２のＰＬＬ部２４で構成する。

【００３３】高周波増幅部２１を、高周波信号増幅器
５、第１同調回路３０及び第２同調回路３１で構成し、
第１同調回路３０を第１の同調コイル群３２、可変容量
ダイオード群３３及びスイッチ２９，３４で構成する。

【００３４】第１の同調コイル群３２を第１バンドの同
調コイル３２Ａ、第２バンドの同調コイル３２Ｂ、第３
バンドの同調コイル３２Ｃ及び第４バンドの同調コイル
３２Ｄで構成する。可変容量ダイオード群３３を第１の
可変容量ダイオード３３Ａ、第２の可変容量ダイオード
３３Ｂ、第３の可変容量ダイオード３３Ｃ及び第４の可
変容量ダイオード３３Ｄで構成する。そしてスイッチ２
９及び３４を１回路４接点型の切り替えスイッチで構成
し、第２同調回路３１を同調回路３１Ａ及び同調回路３
１Ｂよりなる二重同調回路で構成する。

【００３５】同調回路３１Ａを同調コイル群３５、可変
容量ダイオード群３６及びスイッチ３７で構成する。同
調コイル群３５を第１バンドの同調コイル３５Ａ、第２
バンドの同調コイル３５Ｂ、第３バンドの同調コイル３
５Ｃ及び第４バンドの同調コイル３５Ｄで構成する。可
変容量ダイオード群３６を第１の可変容量ダイオード３
６Ａ、第２の可変容量ダイオード３６Ｂ、第３の可変容
量ダイオード３６Ｃ及び第４の可変容量ダイオード３６
Ｄで構成する。そしてスイッチ３７を１回路４接点型の
切り替えスイッチで構成する。

【００３６】同調回路３１Ｂを第３の同調コイル群４
０、可変容量ダイオード群４１及びスイッチ４３で構成
する。同調コイル群４０を第１バンドの同調コイル４０
Ａ、第２バンドの同調コイル４０Ｂ、第３バンドの同調
コイル４０Ｃ及び第４バンドの同調コイル４０Ｄで構成
する。可変容量ダイオード群４１を第１の可変容量ダイ
オード４１Ａ、第２の可変容量ダイオード４１Ｂ、第３
の可変容量ダイオード４１Ｃ及び第４の可変容量ダイオ
ード４１Ｄで構成する。そしてスイッチ４３を１回路４
接点型の切り替えスイッチで構成する。

【００３７】そして、可変容量ダイオード群３３、可変
容量ダイオード群３６及び可変容量ダイオード群４１の
夫々を構成する可変容量ダイオード３３Ａ‥‥３３Ｄ，
３６Ａ‥‥３６Ｄ，４１Ａ‥‥４６Ｄ及び電圧制御発振
器５１の発振周波数信号Ｓｍの周波数値を制御する可変
容量ダイオード並びに電圧制御発振器１１の発振周波数
信号Ｓｌの周波数値を制御する可変容量ダイオードＶｄ
５の夫々には、相互に同一な制御電圧／可変リアクタン
ス特性を具備した可変容量ダイオードを使用する。

【００３８】尚ここで、“相互に同一”と見做される範
囲は、本例のシンセサイザとして実用上相互に同一と見
做される範囲或いはコンデンサ等ので補正手段で補正す
ることによりこの実用上相互に同一と見做される範囲に
はいる場合を“相互に同一”と見做される範囲というも
のとし、以下の説明でも同様とする。

【００３９】そして、バンドＢ１は同調コイル３２Ａと
可変容量ダイオード３３Ａ，同調コイル３５Ａと可変容
量ダイオード３６Ａ，同調コイル４０Ａと可変容量ダイ
オード４１Ａ夫々の組み合わせ、バンドＢ２は同調コイ
ル３２Ｂと可変容量ダイオード３３Ｂ，同調コイル３５
Ｂと可変容量ダイオード３６Ｂ，同調コイル４０Ｂと可
変容量ダイオード４１Ｂ夫々の組み合わせ、バンドＢ３
は同調コイル３２Ｃと可変容量ダイオード３３Ｃ，同調
コイル３５Ｃと可変容量ダイオード３６Ｃ，同調コイル
４０Ｃと可変容量ダイオード４１Ｃ夫々の組み合わせ、
そしてバンドＢ４は同調コイル３２Ｄと可変容量ダイオ
ード３３Ｄ，同調コイル３５Ｄと可変容量ダイオード３
６Ｄ，同調コイル４０Ｄと可変容量ダイオード４１Ｄ夫
々の組み合わせで構成する。

【００４０】また、電圧制御発振器５１、位相比較器５
２、プログラマブル分周器５５及びローパスフィルタ５
４で構成する第２のＰＬＬ部２４は、基準信号発生器１
３から位相比較器５２に供給する１ＫＨｚを基準として
電圧制御発振器５１を制御するＰＬＬ部である。尚、第
２のＰＬＬ２４は、局部発振数端数信号Ｓｌを生成する
電圧制御発振器１１とは別に設ける。

【００４１】次にシンセサイザチューナ装置２０の動作
について説明する。

【００４２】バンドＢ１の同調周波数帯域（ＭＨｚ）が
１．８７５〜３．７５０、バンドＢ２の同調周波数帯域
（ＭＨｚ）が３．７５０〜７．５００、バンドＢ３の同
調周波数帯域（ＭＨｚ）が７．５００〜１５．０００、
バンドＢ４の同調周波数帯域（ＭＨｚ）が１５．０００
〜３０．０００と、各バンド毎の最小の同調周波数の値
に対する最大同調周波数の値が、２倍となるよう分周比
設定器５６で設定する。

【００４３】そして外部操作器１８で設定する同調周波
数が、バンドＢ１，‥‥，Ｂ４何れの周波数に含まれる
かを分周比設定器５６で判断し、分周比設定器５６から
スイッチ２９，３４，３７及び４３の夫々を連動して切
り替えることにより、外部操作器１８で設定した同調周
波数に応じてバンドＢ１，Ｂ２，Ｂ３及びＢ４の何れか
を選択する。

【００４４】即ち、外部操作器１８で設定する同調設定
周波数をＳｆとしたとき、同調設定周波数Ｓｆを外部操
作器１８に入力して外部操作器１８から分周比設定器５
６に送り、分周比設定器５６で同調設定周波数Ｓｆに応
じてバンドＢ１，Ｂ２，Ｂ３及びＢ４の何れかを選択す
る。

【００４５】第２のＰＬＬ２４がバンドＢ１，‥‥，Ｂ
４ごとに最小値１２ＭＨｚ〜最大値２４ＭＨｚの間の発
振周波数信号Ｓｍを繰り返して発生する如くに、分周比
設定器５６でプログラマブル分周器５５の分周比Ｎを同
調周波数Ｓｆの周波数値に応じ設定する。

【００４６】尚、バンドＢ１，‥‥，Ｂ４夫々の最小周
波数を外部操作器１８から設定したときにこの最小値１
２ＭＨｚの発振周波数信号Ｓｍを電圧制御発振器１１が
生成し、バンドＢ１，‥‥，Ｂ４夫々の最大周波数を外
部操作器１８から設定したときに最小値１２ＭＨｚの２
倍となるこの最大値２４ＭＨｚの発振周波数信号Ｓｍを
電圧制御発振器１１が生成する。

【００４７】そして、電圧制御発振器１１がこのような
発振周波数信号Ｓｍを生成している状態において、可変
容量ダイオード群３３、可変容量ダイオード群３６及び
可変容量ダイオード群４１の夫々を構成する可変容量ダ
イオード３３Ａ‥‥３３Ｄ，３６Ａ‥‥３６Ｄ，４１Ａ
‥‥４６Ｄ（以下の説明ではこれらをまとめて可変容量
ダイオード素子群と称する）に第２のＰＬＬ２４から制
御信号Ｓｃを供給する。

【００４８】ここで、同調設定周波数Ｓｆが１．８７５
ＭＨｚから３０ＭＨｚまで５ＫＨｚステップで上げてて
いく場合を一例として高周波増幅部２１の同調周波数値
の設定動作を説明する。

【００４９】同調設定周波数Ｓｆとして１．８７５ＭＨ
ｚを外部操作器１８から分周比設定器５６に入力する
と、分周比設定器５６はプログラマブル分周器５５に同
調周波数１．８７５ＭＨｚに対応した発振周波数信号Ｓ
ｍとして電圧制御発振器５１が１２ＭＨｚを生成する数
値の分周比Ｎをプログラマブル分周器５５に指示する。
プログラマブル分周器５５がこの分周比Ｎに設定される
と、電圧制御発振器５１は１２ＭＨｚの周波数を発振す
る。

【００５０】一方、同調周波数として１．８７５ＭＨｚ
が外部操作器１８から入力されたことに応じ、分周比設
定器５６からスイッチ２９，３４，３７及び４３夫々の
可動接点ｂ０を固定接点ｂ１に切り替えて、Ｂ１バンド
を選択した状態とする。

【００５１】そして、ローパスフィルタ５４から得た１
２ＭＨｚの発振周波数に対応した制御信号Ｓｃを可変容
量ダイオード素子群に供給し、可変容量ダイオード素子
群夫々のリアクタンスを制御して、高周波増幅器２１を
１．８７５ＭＨｚの周波数に同調した状態において、同
調設定周波数Ｓｆとして１．８７５ＭＨｚより５ＫＨｚ
上の同調周波数１．８８０ＭＨｚを外部操作器１８から
分周比設定器５６に設定する。

【００５２】分周比設定器５６は、この設定に応じてプ
ログラマブル分周器５５に同調周波数１．８７５ＭＨｚ
に対応した発振周波数信号Ｓｍとして１２．０３２ＭＨ
ｚを電圧制御発振器５１が生成する分周比Ｎを設定す
る。プログラマブル分周器５５がこの分周比Ｎに設定さ
れると、電圧制御発振器５１は３２ＫＨｚ上がった１
２．０３２ＭＨｚの周波数を発振する。

【００５３】そして、１２．０３２ＭＨｚの発振周波数
に対応した制御信号Ｓｃをローパスフィルタ５４から可
変容量ダイオード素子群に供給し、可変容量ダイオード
素子群夫々のリアクタンスを制御して、高周波増幅器２
１を１．８８０ＭＨｚの周波数に同調した状態に設定す
る。

【００５４】一方、電圧制御発振器５１が１２．０３２
ＭＨｚの周波数で連続発振している状態ではスイッチ２
９，３４，３７及び４３夫々はＢ１バンドを選択した状
態を維持する。

【００５５】同様にして外部操作器１８から分周比設定
器５６に入力する同調設定周波数Ｓｆを５ＫＨｚずつ上
げて電圧制御発振器５１の発振周波数を３２ＫＨｚずつ
上げると、Ｂ１バンドを選択した状態を維持して、高周
波増幅器２１のに同調周波数の設定値が５ＫＨｚずつ上
がっていく。

【００５６】そして、同調設定周波数Ｓｆとして３．７
５０ＭＨｚを外部操作器１８から分周比設定器５６に入
力すると、分周比設定器５６は同調周波数３．７５０Ｍ
Ｈｚに対応した発振周波数Ｓｍとして１２．０００ＭＨ
ｚの周波数を電圧制御発振器５１が生成する数値の分周
比Ｎをプログラマブル分周器５５に設定する。プログラ
マブル分周器５５がこの分周比Ｎに設定されると電圧制
御発振器５１は１２．０００ＭＨｚの周波数を発振する
状態に戻る。

【００５７】一方、同調周波数として３．７５０ＭＨｚ
が外部操作器１８から入力されたことに応じ、分周比設
定器５６からスイッチ２９，３４，３７及び４３夫々の
可動接点ｂ０を固定接点ｂ２に切り替えて、Ｂ２バンド
を選択した状態とする。

【００５８】そして、１２．０００ＭＨｚの発振周波数
に対応した制御信号Ｓｃをローパスフィルタ５４から可
変容量ダイオード素子群に供給し、可変容量ダイオード
素子群夫々のリアクタンスを制御して、高周波増幅器２
１を３．７５０ＭＨｚの周波数に同調した状態に設定す
る。

【００５９】この設定後は、外部操作器１８から入力し
分周比設定器５６に設定する同調周波数を５ＫＨｚずつ
上げて電圧制御発振器５１の発振周波数を１６ＫＨｚず
つ上げることにより、同調周波数が３．７５ＭＨｚから
５ＫＨｚずつ上がって行くようにすることができる。

【００６０】そして、同調設定周波数Ｓｆとして７．５
００ＭＨｚを外部操作器１８から分周比設定器５６に入
力すると、分周比設定器５６はプログラマブル分周器５
５に同調周波数７．５００ＭＨｚに対応した発振周波数
Ｓｍとして１２．０００ＭＨｚを電圧制御発振器５１が
生成する分周比Ｎをプログラマブル分周器５５に設定す
る。プログラマブル分周器５５がこの分周比Ｎに設定さ
れると、電圧制御発振器５１は１２．０００ＭＨｚの周
波数を発振する状態に戻る。

【００６１】一方、同調設定周波数Ｓｆとして７．５０
０ＭＨｚが外部操作器１８から分周比設定器５６に入力
されたことに応じ、分周比設定器５６からスイッチ２
９，３４，３７及び４３夫々の可動接点ｂ０を固定接点
ｂ３に切り替えて、Ｂ３バンドを選択した状態とする。

【００６２】そして、１２．０００ＭＨｚの発振周波数
に対応した制御信号Ｓｃをローパスフィルタ５４から得
て可変容量ダイオード素子群に供給し、可変容量ダイオ
ード素子群のリアクタンスを制御して、高周波増幅器２
１を７．５００ＭＨｚの周波数に同調した状態に設定す
る。

【００６３】この設定後は、外部操作器１８から入力し
分周比設定器５６に設定する同調設定周波数Ｓｆを５Ｋ
Ｈｚずつ上げて電圧制御発振器５１の発振周波数を８Ｋ
Ｈｚずつ上げることにより、同調周波数が７．５ＭＨｚ
から５ＫＨｚずつ上がっていくようにする。

【００６４】そして、同調設定周波数Ｓｆとして１５．
０００ＭＨｚを外部操作器１８から分周比設定器５６に
入力すると、分周比設定器５６はプログラマブル分周器
５５に同調周波数１５．０００ＭＨｚに対応した発振周
波数Ｓｍとして１２．０００ＭＨｚを電圧制御発振器５
１が生成する分周比Ｎをプログラマブル分周器５５に設
定する。プログラマブル分周器５５がこの分周比Ｎに設
定されると、電圧制御発振器５１は１２．０００ＭＨｚ
の周波数を発振する状態に戻る。

【００６５】一方、同調設定周波数Ｓｆとして１５．０
００ＭＨｚが外部操作器１８から分周比設定器５６に入
力されたことに応じ、分周比設定器５６からスイッチ２
９，３４，３７及び４３夫々の可動接点ｂ０を固定接点
ｂ４に切り替えて、Ｂ４バンドを選択した状態とする。

【００６６】そして、ローパスフィルタ５４から得た１
２．０００ＭＨｚの発振周波数に対応した制御信号Ｓｃ
を可変容量ダイオード素子群に供給し、可変容量ダイオ
ード素子群の夫々のリアクタンスを制御し、高周波増幅
器２１を１５．０００ＭＨｚの周波数に同調した状態に
設定する。

【００６７】この設定後は、外部操作器１８から入力し
分周比設定器５６に設定する同調設定周波数Ｓｆを５Ｋ
Ｈｚずつ上げて電圧制御発振器５１の発振周波数を４Ｋ
Ｈｚずつ上げることにより、同調周波数が１５．０００
ＭＨｚから３０．０００ＭＨｚまで５ＫＨｚずつ上げて
いくようにする。

【００６８】尚、以上説明した同調周波数、同調回路３
０，３１の周波数・ステップ周波数及び電圧制御発振器
５１の発振周波数・ステップ周波数の関係を図３Ａに示
した。

【００６９】また一方、同調設定周波数Ｓｆを分周比設
定器１６に供給し、分周比設定器１６によりプログラマ
ブル分周器１５の分周比を局部発振信号の周波数Ｓｌが
同調設定周波数Ｓｆと中間周波数の和又は差周波数に一
致するように設定する。尚、この設定は、図４を参照し
ながら説明した設定と同一であるので説明を省略する。

【００７０】本例によれば、高周波増幅部２１の同調周
波数を制御するＰＬＬ部２４とヘテロダイン変換器の変
換周波数を制御するＰＬＬ部２３とを別に設けた構成と
したので、ＰＬＬ部２３と２４とは相互に発振周波数の
範囲の設定について拘束されることがない。

【００７１】よって、高周波増幅部２１の第１の同調回
路３０、第２同調回路３１夫々の各バンド夫々の同調周
波数帯域の周波数値の最小値と最大値との比とヘテロダ
イン変換器６の局部発振周波数信号Ｓｌの発振周波数帯
域の周波数値の最小値と最大値との比とを相互に拘束さ
れることなく設定することができるので、同調周波数を
変化させた場合でも、ヘテロダイン変換器６の局部発振
周波数信号Ｓｌの周波数を増幅部２１の同調周波数と中
間周波信号増幅器７の中間周波数の和又は差周波数に一
致させた状態に保つことができる。

【００７２】次に本発明によるシンセサイザチューナ装
置の実施の形態の他の一例について図１と同一の部分に
は同一の符号を付与して詳細な説明を省略して図２に基
づき説明する。

【００７３】図２において６０はアンテナとしてフェラ
イトバーを使用し、長波周波数帯域及び中波周波数帯域
を受信するように構成したシンセサイザチューナ装置６
０の要部の回路ブロック図を示し、シンセサイザチュー
ナ装置６０を、ヘテロダイン変換器６、中間周波数信号
増幅器７、検波器８、第１のＰＬＬ部６３、第２のＰＬ
Ｌ部６４及び高周波増幅部６５で構成する。

【００７４】高周波増幅部６５を高周波信号増幅器５、
第１同調回路７０及び第２同調回路７１で構成する。

【００７５】第１同調回路７０を１５０ＫＨｚ〜５２６
ＫＨｚの長波周波数帯域（以下の説明ではバンドＢ５と
称する）中の所定の周波数に同調をとる同調コイル７０
Ｌ及び第１の可変容量ダイオード７０ＤＬよりなる第１
の同調回路７０ＬＴと、５２５ＫＨｚ〜１８４１ＫＨｚ
の中波周波数帯域（以下の説明ではバンドＢ６と称す
る）中の所定の周波数に同調をとる同調コイル７０Ｍ及
び第２の可変容量ダイオード７０ＤＭよりなる同調回路
７０ＭＴ及び固定接点ｌ，ｍと可動接点ｋを有する１回
路２接点型バンド切り替えスイッチ７０ＳＷで構成す
る。そして、同調コイル７０Ｌ及び同調コイル７０Ｍは
フェライトバー７０Ｆに巻回しフェライトバーアンテナ
７０Ｇを構成する。

【００７６】第２同調回路７１を１５０ＫＨｚ〜５２６
ＫＨｚの長波周波数帯域中の所定の周波数に同調をとる
同調コイル７１Ｌ及び第３の可変容量ダイオード７１Ｄ
Ｌよりなる同調回路７１ＬＴと、５２５ＫＨｚ〜１８４
１ＫＨｚの中波周波数帯域中の所定の周波数に同調をと
る同調コイル７１Ｍ及び第４の可変容量ダイオード７１
ＤＭよりなる同調回路７１ＭＴ及び夫々固定接点ｌ，ｍ
と可動接点ｋを有する１回路２接点型バンド切り替えス
イッチ７１ＳＷ並びにバンド切り替えスイッチ７２ＳＷ
で構成する。

【００７７】そして、第１の可変容量ダイオード７０Ｄ
Ｌ、第２の可変容量ダイオード７０ＤＭ、第３の可変容
量ダイオード７１ＤＬ、第４の可変容量ダイオード７１
ＤＭの夫々には、第２のＰＬＬ部６４の電圧制御発振器
５１の発振周波数信号の値を制御する可変容量ダイオー
ド並びに電圧制御発振器１１の局部発振周波数信号Ｓｌ
の周波数を制御する可変容量ダイオードの夫々には、同
一な電圧可変リアクタンス特性を具備した可変容量ダイ
オードを使用する。尚、“相互に同一”と見做される範
囲は先に説明した通りである。

【００７８】次にシンセサイザ装置６０の動作について
説明する。

【００７９】シンセサイザチューナ装置６０の外部操作
器１８で設定できる同調周波数帯域をバンドＢ５の同調
周波数帯域（ＫＨｚ）を１５０〜５２６、バンドＢ６の
それを５２５〜１８４１と、各バンド毎夫々の最小の同
調周波数の値に対する最大同調周波数の値が、３．５０
７‥‥倍となるように、分周比設定器５６を設定する。

【００８０】そして、外部操作器１８で設定する同調設
定周波数をＳｆａとしたとき、同調設定周波数Ｓｆａを
外部操作器１８で入力して分周比設定器５６に送り、分
周比設定器５６で同調設定周波数Ｓｆａに応じて設定し
た分周比Ｎを選択し、この分周比Ｎでプログラマブル分
周器５５の分周比を設定し、同調設定周波数値Ｓｆａに
対応する周波数の発振周波数信号Ｓｍａを電圧制御発振
器１１で生成する。

【００８１】そして、バンドＢ5 ，Ｂ6 夫々の同調設定
周波数の最小値を外部操作器１８か分周比設定器５６に
設定したときに最小値１０５０ＫＨｚの発振周波数信号
Ｓｍａを電圧制御発振器１１で生成し、バンドＢ５，Ｂ
6 夫々の同調設定周波数の最大値を外部操作器１８から
分周比設定器５６に設定したときに最大値３６８２ＫＨ
ｚの発振周波数信号Ｓｍａを電圧制御発振器１１が生成
するように分周比設定器５６でプログラマブル分周器５
５の分周比Ｎを設定して、発振周波数信号Ｓｍａの最小
値と最大値との比をバンドＢ５，Ｂ6 夫々の最小の同調
周波数値と最大同調周波数との比（３．５０７‥‥倍）
と同一にする。

【００８２】そして、第２のＰＬＬ６４から、第１の可
変容量ダイオード７０ＤＬ、第２の可変容量ダイオード
７０ＤＭ、第３の可変容量ダイオード７１ＤＬ、第４の
可変容量ダイオード７１ＤＭの夫々（以下の説明ではこ
れらをまとめてバリキャップ群ＤＬＭと称する）に、ロ
ーパスフィルタ５４から得た制御信号Ｓｃａを供給す
る。

【００８３】ここで、同調設定周波数Ｓｆａが１５０Ｋ
Ｈｚから５２６ＫＨｚまで（バンドＢ５）及び５２５Ｋ
Ｈｚから１８４１ＫＨｚまで（バンドＢ６）１ＫＨｚス
テップで上がっていく場合を一例として高周波増幅部２
１の同調周波数設定動作を説明する。

【００８４】同調設定周波数信号Ｓｆａとして１５０Ｋ
Ｈｚを外部操作器１８から分周比設定器５６に入力する
と、分周比設定器５６はプログラマブル分周器５５に同
調周波数１５０ＫＨｚに対応した発振周波数信号Ｓｍａ
として電圧制御発振器５１が１０５０ＫＨｚを生成する
数値の分周比Ｎをプログラマブル分周器５５に設定す
る。プログラマブル分周器５５がこの分周比Ｎに設定さ
れると、電圧制御発振器５１は１０５０ＫＨｚの発振周
波数信号Ｓｍａを発振する。

【００８５】そして、ローパスフィルタ５４から得た１
０５０ＫＨｚの発振周波数に対応した制御信号Ｓｃａを
バリキャップ群ＤＬＭの夫々に供給しバリキャップ群Ｄ
ＬＭ夫々のリアクタンスを制御して、高周波増幅器を１
５０ＫＨｚの周波数に同調した状態に設定する。

【００８６】一方、同調周波数とし１５０ＫＨｚが外部
操作器１８から入力されたことに応じて、分周比設定器
５６からスイッチ７０ＳＷ，７１ＳＷ及び７２ＳＷ夫々
の可動接点ｋを固定接点ｌに切り替えＢ５バンドを選択
した状態とする。

【００８７】次に、高周波増幅部６５が１５０ＫＨｚの
周波数に同調している状態において、同調設定周波数信
号Ｓｆａとして１５０ＫＨｚより１ＫＨｚ上の同調周波
数１５１ＫＨｚを外部操作器１８から分周比設定器５６
に入力すると、分周比設定器５６はプログラマブル分周
器５５に同調周波数１５１ＫＨｚに対応した発振周波数
信号Ｓｍａとして１０５７ＫＨｚを電圧制御発振器５１
が生成する分周比Ｎをプログラマブル分周器５５に設定
する。ログラマブル分周器５５がこの分周比Ｎに設定さ
れると、電圧制御発振器５１は７ＫＨｚ上がった１０５
７ＫＨｚの周波数信号Ｓｍａを発振する。

【００８８】そして、ローパスフィルタ５４から得た１
０５７ＫＨｚの発振周波数信号Ｓｍａに対応した制御信
号Ｓｃａをバリキャップ群ＤＬＭの夫々に供給し、バリ
キャップ群ＤＬＭの夫々のリアクタンスを制御して、高
周波増幅部６５を１５１ＫＨｚの周波数に同調した状態
に設定する。

【００８９】同様にして外部操作器１８から分周比設定
器５６に入力する同調設定周波数信号Ｓｆａを１ＫＨｚ
ずつ上げて電圧制御発振器５１の発振周波数を7 ＫＨｚ
ずつ上げると、Ｂ５バンドを選択した状態を維持して、
高周波増幅器部６５の同調周波数の設定値が１ＫＨｚず
つ５２６ＫＨｚまで上がっていくようにすることができ
る。

【００９０】次に、外部操作器１８からスイッチ７０Ｓ
Ｗ，７１ＳＷ及び７２ＳＷ夫々の可動接点ｋを固定接点
ｍに切り替えＢ６バンドを選択した状態とし、同調設定
周波数信号Ｓｆａを５２５ＫＨｚとして分周比設定器５
６に入力すると、分周比設定器５６はプログラマブル分
周器５５に同調周波数５２５ＫＨｚに対応した発振周波
数信号Ｓｍａとして１０５０ＫＨｚを電圧制御発振器５
１が生成する数値の分周比Ｎをプログラマブル分周器５
５に設定する。プログラマブル分周器５５がこの分周比
Ｎに設定されると電圧制御発振器５１は１０５０ＫＨｚ
の発振周波数信号Ｓｍａを発振する状態に戻る。

【００９１】そして、ローパスフィルタ５４から得た１
０５０ＫＨｚの発振周波数信号Ｓｍａに対応した制御信
号Ｓｃをバリキャップ群ＤＬＭの夫々に供給し、バリキ
ャップ群ＤＬＭの夫々のリアクタンスを制御して、高周
波増幅器部６５を５２５ＫＨｚの周波数に同調した状態
に設定する。

【００９２】この設定後は、外部操作器１８から入力し
分周比設定器５６に設定する同調周波数信号Ｓｆａを１
ＫＨｚずつ上げて電圧制御発振器５１の発振周波数信号
Ｓｍａを２ＫＨｚずつ上げることにより、同調周波数が
５２５ＫＨｚから１ＫＨｚずつ上がって行くようにする
ことができる。

【００９３】そして、同調設定周波数信号Ｓｆａとして
１８４１ＫＨｚを外部操作器１８から分周比設定器５６
に入力すると、分周比設定器５６はプログラマブル分周
器５５に同調周波数１８４１ＫＨｚに対応した発振周波
数信号Ｓｍａとして３６８２ＫＨｚを電圧制御発振器５
１が生成する分周比Ｎをプログラマブル分周器５５に設
定する。プログラマブル分周器５５がこの分周比Ｎに設
定されると、電圧制御発振器５１は３６８２ＫＨｚの発
振周波数信号Ｓｍａを発振する状態となる。

【００９４】そして、ローパスフィルタ５４から得た３
６８２ＫＨｚの発振周波数信号Ｓｍａに対応した制御信
号Ｓｃａをバリキャップ群ＤＬＭの夫々に供給し、バリ
キャップ群ＤＬＭの夫々のリアクタンスを制御して、高
周波増幅器部６５を１８４１ＫＨｚの周波数に同調した
状態に設定する。

【００９５】尚、以上説明した同調周波数、高周波増幅
器の（同調）周波数・ステップ周波数、電圧制御発振器
５１の発振周波数・ステップ周波数の関係を図３Ｂに示
した。

【００９６】また一方、同調設定周波数Ｓｆａを分周比
設定器１６に供給し、局部発振信号の周波数Ｓｌが同調
設定周波数Ｓｆａと中間周波数の和又は差周波数に一致
するように分周比設定器１６によりプログラマブル分周
器１５の分周比を設定する。尚、この設定の動作は、図
４を参照しながら説明した設定の動作と同一であるので
説明を省略する。

【００９７】よって図１及び図２に示した説明した例に
よれば、同調周波数の値を変化させた場合でも、局部発
振信号の周波数の値を同調周波数と中間周波数の和又は
差周波数の値に常に一致した状態に保つことができるの
で、相互変調、混変調妨害、利得変差、感度変差を抑圧
することができる。

【００９８】また、図１及び図２に示して説明したシン
セサイザチューナ装置として中間周波数増幅回路を単一
周波数の中間周波増幅回路をもつスーパーヘテロダイン
方式（シングルコンバージョン方式）を例として説明し
たが、本発明によるシンセサイザチューナ装置の実施の
形態としてはこのスーパーヘテロダイン方式（シングル
コンバージョン方式）に限定されることなく、中間周波
数増幅回路を第１及び第２の互いに相異なる中間周波数
とした第１及び第２の中間周波増幅回路で構成したダブ
ルスーパーヘテロダイン方式（ダブルコンバージョン方
式）を具備したシンセサイザチューナ装置により図１及
び図２に示して説明したシンセサイザチューナ装置を構
成してもよい。

【００９９】

【発明の効果】本発明によれば、高周波信号増幅部とヘ
テロダイン変換部と局部発振信号発生部とを具備するシ
ンセサイザチューナ装置において、この局部発振信号発
生部に設けた可変容量ダイオードを制御して局部発振信
号発生部の発振周波数を可変する第1 のＰＬＬ手段と、
この高周波信号増幅部に設けた可変容量ダイオードを制
御して高周波信号増幅器部の同調周波数を可変する第2
のＰＬＬ手段と、同調周波数設定手段とを設け、この同
調周波数設定手段で設定した同調周波数に基づき設定す
る分周比を第１のＰＬＬ手段と第２のＰＬＬ手段とで互
いに異なる分周比に設定し得るようにしたので、この高
周波信号増幅部の同調周波数の可変範囲とこの局部発振
信号発生部の周波数の可変範囲を相互に拘束されること
なく設定することができ、同調周波数を変化させた際に
も局部発振周波数信号の周波数の値を同調周波数と中間
周波数の和又は差周波数の値に一致した状態に保つこと
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のシンセサイザチューナ装置の実施の形
態の一例を示す回路ブロック図である。

【図２】本発明のシンセサイザチューナ装置の実施の形
態の他の一例を示す回路ブロック図である。

【図３】Ａはシンセサイザチューナ装置の周波数データ
を表した線図である。Ｂはシンセサイザチューナ装置の
他の周波数データを表した線図である。

【図４】従来のシンセサイザチューナ装置の一例を示す
回路ブロック図である。

【図５】従来のシンセサイザチューナ装置の他の一例を
示す回路ブロック図である。

【図６】従来の電圧制御発信器の内部構成の一例を示す
回路ブロック図である。

【符号の説明】

６‥‥ヘテロダイン変換器、２０‥‥シンセサイザ装
置、２１‥‥高周波増幅部、２３‥‥第１のＰＬＬ部、
２４‥‥第２のＰＬＬ部、３０‥‥第１同調回路、３１
‥‥第２同調回路、３３，３６，４１‥‥可変容量ダイ
オード群

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 高周波信号増幅部とヘテロダイン変換部
   と局部発振信号発生部とを具備するシンセサイザチュー
   ナ装置において、 前記局部発振信号発生部に設けた可変容量ダイオードを
   制御して前記局部発振信号発生部の発振周波数を可変す
   る第1 のＰＬＬ手段と、 前記高周波信号増幅部に設けた可変容量ダイオードを制
   御して前記高周波信号増幅器部の同調周波数を可変する
   第2 のＰＬＬ手段と、 同調周波数設定手段とを設け、 前記高周波信号増幅部の同調周波数の可変範囲と前記局
   部発振信号発生部の周波数の可変範囲とを相互に拘束さ
   れることなく設定することができるようにしたことを特
   徴とするシンセサイザチューナ装置。