JPH11297645A - 半導体ウエハスピンエッチング用支持シート - Google Patents

半導体ウエハスピンエッチング用支持シート

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JPH11297645A
JPH11297645A JP10453898A JP10453898A JPH11297645A JP H11297645 A JPH11297645 A JP H11297645A JP 10453898 A JP10453898 A JP 10453898A JP 10453898 A JP10453898 A JP 10453898A JP H11297645 A JPH11297645 A JP H11297645A
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JP
Japan
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etching
wafer
spin
semiconductor wafer
support sheet
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Pending
Application number
JP10453898A
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English (en)
Inventor
Junichi Imaizumi
純一 今泉
Koji Himori
宏次 桧森
Masakatsu Suzuki
正勝 鈴木
Kazunori Sakuma
和則 佐久間
Hiroaki Takahashi
宏明 高橋
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Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】スピンエッチング時の半導体ウエハの絶対厚み
を支持シートを剥離することなく、測定することが可能
なスピンエッチング用支持シートを提供すること。 【解決手段】ウエハのデバイス形成面に、直径が10m
m以下の円形の透孔を複数設けた支持シートを貼付けて
スピンエッチングを行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハを回
転させながら、ウエハの裏面をエッチングするいわゆる
スピンエッチングを行う際に、半導体ウエハ表面に貼り
付けるスピンエッチング用支持シートで、半導体ウエハ
の反り防止、エッチャントのしみ込み防止、そしてエッ
チング途中の半導体ウエハの絶対厚みを、半導体ウエハ
から除去することなく測定できるスピンエッチング用支
持シートに関する。
【0002】
【従来の技術】パーソナルコンピュータ、ワードプロセ
ッサをはじめとする半導体装置は、小型高密度化される
趨勢にある。これを構成する半導体パッケージ、チップ
も同様である。チップの場合一般には、デバイス作成後
の半導体ウエハ裏面を機械研削するバックグラインドが
行われる。更に、最終的なウエハの厚さを250μm以
下にする場合は、機械研削時の応力を除去し抗折強度を
向上させるために、裏面を化学的にエッチングする方法
が取られている。この工程は、一般にウエハを回転させ
ながら行うことから、スピンエッチングと呼ばれる。具
体的には、回転テーブルにエッチングするウエハ裏面を
上にして固定し、約1000rpmで回転させながら、
フッ酸・硝酸系のエッチング液を滴下して、所望の厚さ
まで化学的にエッチングするものである。近年、ICカ
ード等に用いるIC等は、150μm以下、場合によっ
ては100μm以下にするケースもでてきている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】スピンエッチングに際
し、エッチャントの回り込みを防止するためにウエハの
デバイス形成面に粘着フィルムを貼付ける方法が採用さ
れつつあるが、この方法による問題点として、スピンエ
ッチング途中の半導体ウエハの絶対厚みが把握しにくい
という欠点が挙げられる。市販のスピンエッチングマシ
ンには、スピンエッチング途中の半導体ウエハ厚みを測
定する機能が付いているものもあるが、一般には回転中
の半導体ウエハ厚みを非接触方式で測定するために誤差
が生じ易い。更に、半導体ウエハ表面にスピンエッチン
グ用支持シートを貼り付けてスピンエッチングを行う場
合は、厚みの測定精度は下がる傾向にある。また、スピ
ンエッチング途中の半導体ウエハの絶対厚みを測定する
ために、スピンエッチング用支持シートを半導体ウエハ
から剥離してしまうと、特に半導体ウエハの厚みが薄く
なるほど再貼り付けの際の半導体ウエハが破壊しやすく
なり好ましくない。本発明は、かかる状況に鑑みなされ
たもので、スピンエッチング時の半導体ウエハの絶対厚
みをスピンエッチング用支持シートを剥離することな
く、測定することが可能なスピンエッチング用支持シー
トを提供することを目的とするものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、半導
体ウエハを回転させながら、ウエハ裏面をエッチングす
る際にデバイス面に貼付けて用いるスピンエッチング用
支持シートにおいて、直径が10mm以下の円形の透孔
を複数設けたことを特徴とするスピンエッチング用支持
シートに関する。
【0005】
【発明の実施の形態】本発明のスピンエッチング用支持
シートに用いる基材としては、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン等のポリオレフィン又はこれらの共重合体、ポリ
エチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフ
タレート(PEN)等のポリエステル、ポリ塩化ビニ
ル、エチレン−酢酸ビニル共重合体等のフィルムが挙げ
られ、単一層でも2層以上の積層体でもよい。フィルム
の種類及び構造について制限はないが、エッチングに伴
い発生するウエハのカールを防止する目的から、PET
等の弾性率の高いフィルムが好ましい。その厚みは6〜
500μmが好ましい。プラスチックフィルム基材は、
後に塗布される粘着剤との密着力を高める目的から、物
理的又は化学的処理又はその両方の処理を行うことが出
来る。粘着剤層は、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、天
然ゴム、エラストマー、合成ゴム等が使用でき、タッキ
ファイア等の添加剤を用いることも出来る。また、加熱
や光照射等により硬化するもの、水溶性の粘着剤等も用
いることが出来る。粘着剤層の厚さは、所望の粘着力に
合わせて決定されるが、一般には2〜80μmである。
【0006】また、プラスチックフィルムに粘着剤を塗
布・乾燥する方法は、特に制限がなく公知の方法が採用
できる。接着剤面についた異物等による半導体ウエハの
汚染を防ぐために、接着剤を塗布した面はセパレータを
貼り付けるのが好ましい。このようにして作成した粘着
フィルムを、所定の大きさに切り抜く。その形状に限定
はないが、一般には半導体ウエハの形状に切り抜くこと
が好ましい。また、スピンエッチング時のエッチャント
の回り込みによるデバイスの損傷を防ぐために、半導体
ウエハ外形よりも1mm以上小さくすれば更に好まし
い。切り抜く方法としては、プレス、レーザー、カッテ
ィング等が挙げられるが限定されるものではない。次い
で、孔あけ処理を施す。粘着フィルムの切り抜きと同
様、孔あけ方法に限定はない。しかし、スピンエッチン
グ処理後に、スピンエッチング用支持シートを剥離する
際にバリがあると、応力集中による半導体ウエハの破損
が生じ易くなるために、極力バリの発生を抑える切り出
し方法を用いるのが好ましい。その形状は、前述のスピ
ンエッチング用支持シートの半導体ウエハからの剥離時
の応力集中による半導体ウエハの破損を防ぐために円形
状が好ましい。また、その大きさは直径10mm以下が
好ましく、さらに好ましくは直径5mm以下である。透
孔数はウエハ一枚につき15個以下が好ましく、10個
以下であれば更に好ましい。 透孔の配置についても限
定はないが、高速回転時の半導体ウエハのスピンアウト
とスピンエッチング用支持シート剥離時の半導体ウエハ
破損を防ぐために、偏りなく均一に透孔することが好ま
しい。また、透孔処理を行うタイミングはスピンエッチ
ング用支持シートの切り出しと同時に行ってもよいし、
逐次行ってもよい。
【0007】上述のようにして、デバイス面にスピンエ
ッチング用支持シートを貼り付けた半導体ウエハの裏面
をスピンエッチングする。即ち、スピンエッチング用支
持シートを貼り付けたデバイス面を下にし、ウエハ裏面
を上にしてステージに真空吸引により固定し、500〜
1500rpmで回転させ、上方からフッ酸、硝酸混合
系のエッチング液を滴下する。一方、下方からはN2ガ
スを噴射する。この方法は公知のもので制限はない。ス
ピンエッチング終了後、ウエハからスピンエッチング用
支持シートを剥離する。ウエハの破損を防ぐ目的から、
ウエハを真空テーブルに吸着させた状態で剥離すること
が好ましい。
【0008】本発明は、半導体ウエハの裏面をエッチン
グ処理する際に、半導体ウエハのデバイス面に貼り付け
るスピンエッチング用支持シートに、透孔処理を施すも
のである。このスピンエッチング用支持シートを用いる
ことにより、スピンエッチング時の半導体ウエハの絶対
厚みを容易に測定できる。ウエハ厚みは、通常のダイヤ
ルゲージやマイクロメーター等により測定することがで
きる。
【0009】
【実施例】次に、本発明を実施例に基づき説明するが、
本発明はこの実施例に限定されるものではない。 (スピンエッチング用支持シートの作製)SEBS樹脂
(タフテックM1943、旭化成製)のトルエン20%
溶液に、架橋剤としてポリグリシジルアミン(テトラッ
ドX、三菱ガス化学製)1.5phrを添加撹拌し粘着
剤とした。この粘着剤を厚み188μmのポリエステル
フィルムにコンマコータを用い均一に塗布・乾燥を行
い、セパレータとして厚み50μmのポリエステルフィ
ルムを、粘着剤面にロールラミネートした。さらに、こ
の粘着フィルムを5inウエハに対し、2.5mmのオ
ーバーハングが付くように打ち抜きプレスを行い、スピ
ンエッチング用支持シートを得た。粘着剤厚みは35μ
mであり、ミラーウエハに対する接着力は、65g/5
inウエハだった。接着力測定条件は、以下のとおり。 スピンエッチング条件は、下記のとおり、 スピンエッチング条件 装置;スピンエッチャー(RST100、住商エレクト
ロニクス(株)製) エッチング液;フッ酸・硝酸系(エッチングBT液、住
商エレクトロニクス(株)製) エッチング液温度;24℃ エッチング液流量;1.01/min N2 流量;1001/min エッチング後の半導体ウエハ厚みが50μmになるよう
に、エッチングレートからエッチング時間を設定し、6
枚の半導体ウエハをスピンエッチングした。エッチング
後スピンエッチング用支持シートを剥離した後のウエハ
厚みをダイヤルゲージを用いて測定した結果を表1に示
す。いずれの場合も目標の50μmに対しかなりの偏差
を有していた。これらのスピンエッチング用支持シート
を半導体ウエハから剥離し、別のスピンエッチング用支
持シートを貼り付けようとしたがウエハは破損した。
【0010】
【表1】
【0011】実施例1〜3 スピンエッチング用支持シートの作製例で作製した支持
シートに、表2に示す仕様により複数の円孔を設けた。
これら支持シートにウエハを貼り付けスピンエッチング
を行った。何れの半導体ウエハもスピンエッチングの途
中でスピンエッチング用支持シートを半導体ウエハから
剥離することなく、半導体ウエハの絶対厚みを測定する
ことができ、また、スピンエッチング後の支持シートの
ウエハからの剥離もスムーズであった。
【0012】比較例1 スピンエッチング用支持シートの作製例で作製した支持
シートに、直径12mmの円形を3個透孔処理を施した
他は、実施例と同様にしてスピンエッチングを行った。
スピンエッチング後の支持シートを半導体ウエハから剥
離した際にウエハは破損した。
【0013】
【表2】
【0014】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によればス
ピンエッチング用支持シートを半導体ウエハから剥離す
ることなくウエハの正確な厚みを測定することができ、
ばらつきのないウエハの加工が可能になった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例における透孔の配置を示す平面
図。
【図2】本発明の別の実施例における透孔の配置を示す
平面図。
【図3】本発明の別の実施例における透孔の配置を示す
平面図。
【図4】比較例における透孔の配置を示す平面図。
【符号の説明】
1 スピンエッチング用支持シート 2 透孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐久間 和則 茨城県下館市大字五所宮1150番地 日立化 成工業株式会社五所宮工場内 (72)発明者 高橋 宏明 茨城県下館市大字五所宮1150番地 日立化 成工業株式会社五所宮工場内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体ウエハを回転させながら、ウエハ裏
    面をエッチングする際にデバイス面に貼付けて用いるス
    ピンエッチング用支持シートにおいて、直径が10mm
    以下の円形の透孔を複数設けたことを特徴とするスピン
    エッチング用支持シート。
  2. 【請求項2】透孔数を10個以下とした請求項1に記載
    のスピンエッチング用支持シート。
JP10453898A 1998-04-15 1998-04-15 半導体ウエハスピンエッチング用支持シート Pending JPH11297645A (ja)

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JP10453898A JPH11297645A (ja) 1998-04-15 1998-04-15 半導体ウエハスピンエッチング用支持シート

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JP10453898A JPH11297645A (ja) 1998-04-15 1998-04-15 半導体ウエハスピンエッチング用支持シート

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JPH11297645A true JPH11297645A (ja) 1999-10-29

Family

ID=14383282

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JP10453898A Pending JPH11297645A (ja) 1998-04-15 1998-04-15 半導体ウエハスピンエッチング用支持シート

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JP (1) JPH11297645A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003060163A (ja) * 2001-08-14 2003-02-28 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
KR20030053367A (ko) * 2001-12-22 2003-06-28 동부전자 주식회사 반도체소자의 제조방법

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