JPH11297620A - 投影露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

投影露光装置及びデバイス製造方法

Info

Publication number
JPH11297620A
JPH11297620A JP11010375A JP1037599A JPH11297620A JP H11297620 A JPH11297620 A JP H11297620A JP 11010375 A JP11010375 A JP 11010375A JP 1037599 A JP1037599 A JP 1037599A JP H11297620 A JPH11297620 A JP H11297620A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
projection
optical system
gas
change
atmospheric pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP11010375A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3278407B2 (ja
Inventor
Hiroyuki Ishii
弘之 石井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP01037599A priority Critical patent/JP3278407B2/ja
Priority to US09/247,087 priority patent/US6646713B2/en
Priority to KR1019990005154A priority patent/KR100324407B1/ko
Publication of JPH11297620A publication Critical patent/JPH11297620A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3278407B2 publication Critical patent/JP3278407B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B27/00—Photographic printing apparatus
    • G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
    • G03B27/52—Details
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 二種類以上の硝材を用いた複数の屈折光学素
子を有する投影光学系の大気圧変化による光学特性の変
化を補正又は十分に小さくする。 【解決手段】 投影光学系105の空気間隔121と空気間隔
122と空気間隔124のそれぞれの空間がヘリウムガスで満
たされていて大気に開放され、空気間隔123の空間が窒
素ガスで満たされて大気に開放されており、大気圧の変
化を検出する気圧計の出力に基いてマスク101を照明す
るＡｒＦエキシマレーザー光の波長を変化させることに
より大気圧変化による投影光学系の球面収差やコマ収差
や像面湾曲等の変化を補正する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、投影露光装置及び
デバイス製造方法に関し、特に、大気圧変化による投影
光学系の光学特性の変化を補正又は小さくできる機能を
備えた投影露光装置及びこのような投影露光装置を用い
て半導体チップや液晶素子や撮像素子や磁気センサ等の
デバイスを製造するデバイス製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】投影露光装置の投影光学系は通常レンズ
に代表される屈折光学素子を備えており、大気圧変化に
よる投影光学系の光学素子間の空気の圧力変化によって
空気自身の屈折率が変化し、硝材と空気の相対屈折率が
変化する。このため投影光学系のピント位置、投影倍
率、歪曲収差、球面収差、コマ収差、非点収差、像面湾
曲などの光学特性が変化する。
【０００３】そこで特開平１−１２３２３８号公報や特
開平８−３０５０３４号公報が示す投影露光装置は、投
影光学系に用いている屈折光学素子の全てを同じ硝材
（溶融石英）で構成し、露光用のＫｒＦエキシマレーザ
ー光（波長248nm）の波長を変化させて硝材の屈折率を
変えることによって大気圧変化による硝材と空気の相対
屈折率の変化を補正し、前述の光学特性を全て補正して
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、例えば
ＡｒＦエキシマレーザー光（波長193nm）を用いる投影
露光装置のように、より微細なデバイスパターンを基板
のレジストに投影する必要があり、そのために投影光学
系の複数の屈折光学素子に溶融石英と蛍石といった二種
類以上の硝材を用いて色収差を補正している場合は、そ
れぞれの硝材の屈折率や分散が互いに異なるためにレー
ザー光の波長を変化させてそれぞれの硝材の屈折率を変
えても大気圧変化による硝材と空気の相対屈折率の変化
をすべての硝材について補正することはできず、そのた
め前述の光学特性の変化を良好に補正することができな
い。尚、二種類以上の硝材を用いた投影光学系を用いる
場合に関しては上記特開平１０−３０５０３４号で簡単
に言及されている。
【０００５】本発明の目的は、二種類以上の硝材を用い
た複数の屈折光学素子を有する投影光学系の大気圧変化
による光学特性の変化を小さくすることができる投影露
光装置やこの投影露光装置を用いるデバイス製造方法と
を提供することにある。
【０００６】本発明の目的は、二種類以上の硝材を用い
た複数の屈折光学素子を有する投影光学系の大気圧変化
による光学特性の変化を実質的に補正（ゼロ又はパター
ンの解像に問題が生じない程度まで）することができる
投影露光装置やこの投影露光装置を用いるデバイス製造
方法とを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本願請求項１の発明は、露光光で照明されたマスク
のパターンを投影光学系によって基板上に投影する投影
露光装置において、前記露光光の波長を変えることによ
って大気圧の変化による前記投影光学系の光学特性の変
化を小さくする手段を有し、前記投影光学系が二種類以
上の硝材を用いた複数の屈折光学素子を有し且つ屈折光
学素子間の空間のそれぞれに大気圧と同一又はほぼ同一
の圧力となる気体が満たされていて該空間の内の少なく
とも一つの空間の気体が他の少なくとも一つの空間の気
体とは屈折率が異なる気体であることを特徴とする。
【０００８】又、本願請求項２の発明は、露光光で照明
されたマスクのパターンを投影光学系によって基板上に
投影する投影露光装置において、前記露光光の波長を変
えることによって大気圧の変化による前記投影光学系の
光学特性の変化を実質的に補正する手段を有し、前記投
影光学系が二種類以上の硝材を用いた複数の屈折光学素
子を有し且つ屈折光学素子間の空間のそれぞれに大気圧
と同一又はほぼ同一の圧力となる気体が満たされていて
該空間の内の少なくとも一つの空間の気体が他の少なく
とも一つの空間の気体とは屈折率が異なる気体であるこ
とを特徴とする。
【０００９】又、本願請求項３の発明は、露光光で照明
されたマスクのパターンを投影光学系によって基板上に
投影する投影露光装置において、大気圧の変化を検出す
る検出手段と、該検出手段の出力に応じて前記露光光の
波長を変える波長変更手段とを有し、前記投影光学系が
二種類以上の硝材を用いた複数の屈折光学素子を有し且
つ屈折光学素子間の空間のそれぞれに大気圧と同一又は
ほぼ同一の圧力となる気体が満たされていて該二個以上
の空間の内の少なくとも一つの空間の気体が他の少なく
とも一つの空間の気体とは屈折率が異なる気体であるこ
とを特徴とする。
【００１０】又、本願請求項４の発明は、露光光で照明
されたマスクのパターンを投影光学系によって基板上に
投影する投影露光装置において、前記露光光の波長を変
えることによって大気圧の変化による前記投影光学系の
光学特性の変化を小さくする手段を有し、前記投影光学
系が二種類以上の硝材を用いた複数のレンズ素子を有し
且つレンズ素子間の空間のそれぞれに大気圧と同一又は
ほぼ同一の圧力となる不活性ガスが満たされていて該空
間の内の少なくとも一つの空間のガスが他の少なくとも
一つの空間のガスとは屈折率が異なるガスであることを
特徴とする。
【００１１】又、本願請求項５の発明は、露光光で照明
されたマスクのパターンを投影光学系によって基板上に
投影する投影露光装置において、前記露光光の波長を変
えることによって大気圧の変化による前記投影光学系の
光学特性の変化を実質的に補正する手段を有し、前記投
影光学系が二種類以上の硝材を用いた複数のレンズ素子
を有し且つ光学素子間の空間のそれぞれに大気圧と同一
又はほぼ同一の圧力となる不活性ガスが満たされていて
該二個以上の空間の内の少なくとも一つの空間のガスが
他の少なくとも一つの空間のガスとは屈折率が異なるガ
スであることを特徴とする。
【００１２】又、本願請求項６の発明は、露光光で照明
されたマスクのパターンを投影光学系によって基板上に
投影する投影露光装置において、大気圧の変化を検出す
る検出手段と、該検出手段の出力に応じて前記露光光の
波長を変える波長変更手段とを有し、前記投影光学系が
二種類以上の硝材を用いた複数のレンズ素子を有し且つ
レンズ素子間の空間のそれぞれに大気圧と同一又はほぼ
同一の圧力となる不活性ガスが満たされていて該空間の
内の少なくとも一つの空間のガスが他の少なくとも一つ
の空間のガスとは屈折率が異なるガスであることを特徴
とする。
【００１３】又、本発明のデバイス製造方法は、ウエハ
にレジストを塗布する段階と、このウエハのレジストを
上記の本発明の投影露光装置によりマスクのデバイスパ
ターンの像で感光させる段階と、前記デバイスパターン
像でレジストを感光したウエハを現像する段階とを有す
ることを特徴としている。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施形態を示す
概略図である。
【００１５】図１において、マスクやレチクル101（以
下、「マスク101」と記す）に描かれている半導体チッ
プ（ＩＣ，ＬＳＩ）回路の原画（以下、「回路パター
ン」と記す）は不図示の照明系によりＡｒＦエキシマレ
ーザー光（波長193nm）で、照度分布が均一になるよう
に照明され、回路パターンの像が、投影光学系105によ
り、レジストが塗布されたウエハー103上に投影され
る。この回路パターン像には0.2μｍ以下の微細な線幅
のパターン像が含まれている。ウエハー103は投影光学
系105の光軸方向及びこの方向に直交する所望の方向に
移動可能である。
【００１６】図1における不図示の照明系はＡｒＦエキ
シマレーザー光の波長が可変であり、この波長可変照明
系やこれを制御する制御系は前述の特開平１−１２３２
３８号公報又は特開平８−３０５０３４号公報に記載さ
れたものと基本的に同じものを用いることができ、ここ
では詳細に説明しない。
【００１７】ＡｒＦエキシマレーザー光の波長はレーザ
共振器内の回折格子やエタロンやプリズム等の分光素子
又は共振用のミラーを回転させることにより変えること
ができ、このときの回転角は、コンピューターによっ
て、大気圧の変化を検出する気圧計の出力に応じて所定
のプログラムに基いて求める。
【００１８】図１において、投影光学系105は屈折光学
素子であるレンズを多数個有しており、この多数個のレ
ンズのレンズとレンズの間の空間はヘリウムガスか窒素
ガスで、少なくとも１つの空間が他の少なくとも１つの
空間のガスとは種類や屈折率が異なるガスを有するよう
に、満たされている。また、投影光学系105はレンズの
硝材として溶融石英と蛍石の二種類を用いている。
【００１９】図１の投影光学系105は、レンズ111からレ
ンズ113までのレンズとレンズの間（空気間隔121、空気
間隔122）のそれぞれの空間がヘリウムガスで満たさ
れ、レンズ113からレンズ114までのレンズとレンズの間
（空気間隔123）が窒素ガスで満たされ、レンズ114から
レンズ115までのレンズとレンズの間（空気間隔124）は
ヘリウムガスで満たされている。
【００２０】レンズとレンズの間の空間に充填されてい
る二種類のガス（気体）、即ちヘリウムガスと窒素ガス
は、露光光としてのＡｒＦエキシマレーザー光に基く不
必要な化学反応を避けるために比較的安定している不活
性ガスのうちレーザー光の波長を変えることによって投
影光学系の光学特性の変化を補正又は十分に小さくする
ために互いに屈折率の差が大きいガスであって且つ又比
較的安価に手に入るガスとして選ばれている。
【００２１】図1において、ヘリウムガスは、ガスボン
ベ131により供給され、可変バルブ132によりその流量を
制御された後、パイプ141を通して空気間隔121の空間へ
導入される。空気間隔121の空間と空気間隔122の空間は
パイプ142によりつながっており、このパイプ142を通し
て空気間隔121の空間のヘリウムガスが空気間隔122の空
間に導入される。
【００２２】更に、空気間隔122の空間と空気間隔124の
空間はパイプ143によりつながっており、このパイプ143
を通して空気間隔122の空間のヘリウムガスが空気間隔1
24の空間に導入される。これらの空気間隔121,122,124
の各空間は最終的にパイプ144により外気即ち大気に開
放されており、従って空気間隔121,122,124の各空間内
とパイプ142,143内のヘリウムガスの圧力は大気圧と等
しく保たれており、大気圧の変化によりその圧力も変化
する。
【００２３】窒素ガスは、ガスボンベ133により供給さ
れ、可変バルブ134によりその流量を制御された後、パ
イプ145を通して空気間隔123の空間へ導入される。又、
空気間隔123の空間は最終的にパイプ146により外気即ち
大気に開放されており、空気間隔123の空間内とパイプ1
45の窒素ガスの圧力は大気圧と等しく保たれてており、
大気圧の変化によりその圧力も変化する。
【００２４】このように、投影光学系のレンズとレンズ
の間の空気間隔を満たす不活性ガスの圧力がいつも大気
圧と同じ又はほぼ同じになるように設定してあるので、
鏡筒構造を複雑化、強化することなく鏡筒内部に不可性
ガスを充填することができる。
【００２５】本実施形態の投影露光装置は、以上の如き
構成を有するので、投影光学系105が溶融石英と蛍石の
二種類の硝材を用いた複数のレンズを有していても、気
圧計の出力（大気圧変化）に応じてエキシマレーザー光
の波長を変えることにより投影光学系105の大気圧変化
（不活性ガスの圧力変化）による光学特性の変化を補正
又は十分に小さくでき、装置の性能を低下させることが
ない。
【００２６】図２は投影光学系105の実施例を示すレン
ズ断面図である。この実施例の投影光学系は、設計波長
が193nm、投影倍率が1/4倍、開口数が0.60、像面サイズ
がφ20mmであり、蛍石と溶融石英の二種類の硝材を用い
て色収差の補正を行なっている。
【００２７】図2の投影光学系は、本発明の技術思想に
基き設計されており、マスクのパターン面から最初のレ
ンズまでの間の空間は空気、第１レンズから第レンズ１
３の間の各空間はヘリウムガス、開口絞りの近傍にある
第１３レンズから第１４レンズの間の空間は窒素ガス、
第１４レンズから第２１レンズの間の各空間はヘリウム
ガス、第２１レンズからウエハー面の空間は空気が満た
される状況で最良の結像性能が得られるように設計され
ている。
【００２８】図２の投影光学系のレンズデータを表１に
示す。
【００２９】表１が示す通り、この投影光学系は第5レ
ンズから第１０レンズと、第１４レンズから第１９レン
ズと、第２１レンズとが蛍石より成り、第１レンズから
第４レンズと第１１レンズから第１３レンズと第２０レ
ンズとが溶融石英から成り、第１３レンズである石英レ
ンズと第１４レンズである蛍石レンズ間の空気間隔の空
間に窒素ガスを充填し、他の全ての空気間隔の区間にヘ
リウムガスを充填している。
【００３０】この投影光学系の結像性能を示すために、
その縦収差を図３Ａに示す。
【００３１】この投影光学系の各レンズに関しての気圧
が変化した時の屈折率と波長が変化した時の屈折率を表
２に示す。表２を得る際は波長の変化が十分小さくて波
長が変化した時のレンズ（硝材）の屈折率の変化が波長
の変化に比例するとして計算を行なった。ヘリウムガス
や窒素ガスの屈折率が波長が変化しても変化していない
のは屈折率の変化量が有効桁数以下の非常に小さい値で
あるからである。
【００３２】本実施例のように投影光学系の空気間隔の
空間にヘリウムガスと窒素ガスとを充填（パージ）した
ものの効果を示すために以下に２つの比較例を示す。
【００３３】第１の比較例は投影光学系の全ての空気間
隔の空間に窒素ガスを充填（パージ）したもの、第２の
比較例は投影光学系内の全ての空気間隔の空間にヘリウ
ムガスを充填（パージ）したものである。因みに投影光
学系内の全ての空気間隔の空間にヘリウムガスを充填す
る形態は特公平６−３８３８８号公報に示されている。
【００３４】第１、第２比較例の投影光学系は双方と
も、本実施例の投影光学系とほぼ同じ構成を有し、設計
波長に関する結像性能も本実施例の投影光学系と同等で
ある。
【００３５】第１の比較例に関して、図４Ａにレンズ断
面図を、表３Ａにレンズデータを、図５Ａに縦収差図を
示し、第２の比較例に関して、図４Ｂにレンズ断面図
を、表３Ｂに設計値を、図５Ｂに縦収差図を示す。
【００３６】本実施例の効果を示すのが表４である。表
４は、大気圧の変化が無い時の投影光学系の収差と、大
気圧の変化が+50hPa起こった時に投影光学系に生じる収
差を補正するためにレーザー光の波長を変更した場合の
収差と、両収差の差即ち大気圧が+50hPa 変化した時に
レーザー光の波長を変化させることによって大気圧変化
による収差変化を補正した場合の残存収差（補正残差）
とを示している。
【００３７】表４の計算例では、本実施形態において
は、大気圧変化による収差変化を補正するための波長の
変化量は大気圧変化による球面収差（の変化）を補正す
る（ゼロにする）ように決めた。
【００３８】表４が示す通り、第１の比較例である全て
の空気間隔の空間に窒素ガスをパージした投影光学系の
コマ収差の補正残差は-0.264λであるのに対し、第２の
比較例である全ての空気間隔の空間にヘリウムガスをパ
ージした投影光学系のコマ収差の補正残差は-0.066λで
第１の比較例と比べて1/4に減っている。
【００３９】しかしながら、コマ収差の変化量が0.066
λという値は、図１の投影露光装置のように0.2μｍ以
下の微細な像を投影する場合は問題になる量である。
【００４０】これに対し本実施例のコマ収差の補正残差
は-0.022λで、第１の比較例と比べて1/12に減ってお
り、第２の比較例と比べても1/3に減っている。また本
実施例では、倍率や像面湾曲等の補正残差も比較例１、
２の場合より減っている。
【００４１】
【表１】
【００４２】
【表２】
【００４３】
【表３】
【００４４】
【表４】
【００４５】本実施形態においては、気圧変化による光
学特性の変化を補正するための露光光の波長の変化量は
球面収差の変化をゼロまで（ゼロでなくても良い）補正
するように設定していたが、この波長変化量は球面収差
以外の光学特性の変化例えばコマ収差や像面湾曲非点収
差や歪曲収差等の他の収差の変化、或いは球面収差とコ
マ収差と像面湾曲と非点収差と歪曲収差のうちの複数の
収差の変化、を補正したり十分に小さくするように設定
しても良い。
【００４６】即ち、この波長変化量は、特定の一つの光
学特性の変化量を十分に補正したり十分に小さくするよ
うに設定するのではなく、複数の光学特性、例えば複数
種の収差を補正したり十分に小さくするために最適な波
長変化量を選択しても良いのである。
【００４７】本実施形態は投影光学系のどの空気間隔の
空間にどのような不活性ガス（気体）を充填するかを全
体的に収差の補正残差が小さくなるように決めたが、別
の収差補正手段により補正できる収差がある場合は、不
活性ガスの種類と充填箇所を決める際に、別の収差補正
手段のある収差の補正残差は考慮せずに、別の収差補正
手段の無い収差の補正残差を考慮する（収差を補正す
る）ようにしても良い。
【００４８】例えば、特開平７−９２４２４号公報の投
影露光装置のように投影光学系の球面収差を補正する補
正光学系を備える場合や、特開平２−８１０１９号公報
と特開平３−８８３１７号公報の投影露光装置のように
投影光学系の投影倍率や歪曲収差を補正する補正光学系
を備える場合や、特開平１０−２７７４３号公報や特開
平１０−２４２０４８号公報の投影露光装置のように投
影光学系の軸上及び軸外非点収差を補正する補正光学系
を有する場合や、特開平８−２２９５１号公報の投影露
光装置のようにコマ収差を補正する補正光学系を有する
場合や、特開平１０−２４２０４８号公報の投影露光装
置のように、像面湾曲を補正する補正光学系を有する場
合には、それぞれの補正系により対応する収差等の光学
特性を補正できるので、補正系を有する光学特性につい
ては大気圧変化やレーザ光の波長変化によってこの光学
特性が変化しても構わず、補正系を有していない他の光
学特性（一種又は複数種の収差）の補正残差を抑えるよ
うに不活性ガスの種類と充填箇所を決めた方が良い。
【００４９】本実施形態では、投影光学系の空気間隔の
相異なる空間に充填する気体はヘリウムガスと窒素ガス
の二種類の不活性ガスを用いたが、これら以外の二種類
の不活性ガスを用いても構わないし、全部で三種類以上
の不活性ガスを用いても構わない。また、空気と一種又
は複数種の不活性ガスを用いることもできる。
【００５０】又、それぞれの空気間隔の空間に充填する
気体は、一種類から成るものに限定されず、例えばヘリ
ウムと窒素を混合したガスのように複数種の気体を有す
る混合ガスでも構わない。
【００５１】本実施形態の投影光学系は一ヶ所の空気間
隔の空間に窒素ガスを充填し、残りの全ての空気間隔の
空間にヘリウムガスを充填していたが、窒素ガスの充填
箇所（空気間隔空間）が複数箇所に成るような系も構成
できる。
【００５２】本実施形態の投影光学系としては、複数の
レンズより成る光学系以外に、複数のレンズと凹面鏡を
備える光学系が使用可能である。
【００５３】以上説明した各実施例は、光源としてＡｒ
Ｆエキシマレーザを用いるものであったが、光源とし
て、波長２５０ｎｍ以下の露光光を供給する、例えばＫ
ｒＦエキシマレーザ（波長約２４８ｎｍ）等を用い、設
計波長をこの光源の波長とした投影光学系を用いる場合
にも本発明は適用できる。
【００５４】本実施形態の投影露光装置はステップアン
ドリピート型のステッパー又はステップアンドスキャン
型のステッパーに適用できる。
【００５５】図６は半導体デバイスの製造フローを、図
７は図６のウエハプロセスのフローを示す図であり、上
記各実施形態の投影露光装置を図７の「露光」工程で用
いることによって、大気圧が変化してもデバイスパター
ン像のうちの0.2μｍ以下の微細な線幅のパターン像さ
えも解像できるので、極めて集積度の高い半導体デバイ
スが得られる。
【００５６】
【発明の効果】以上、本発明によれば、大気圧変化によ
る投影光学系の光学特性の変化を小さく又は実質的に補
正でき、従って大気圧が変化しても例えば0.2μｍ以下
の微細な線幅のパターン像さえも解像できる投影露光装
置やデバイス製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の投影露光装置の一実施形態を示す概略
図である。
【図２】図１の投影光学系１０５の一例を示すレンズ断
面図である。
【図３】図２と表１とで示す投影光学系の縦収差を示す
図である。
【図４】図２と表１とで示す投影光学系の効果を示すた
めに設計を行なった比較例の投影光学系のレンズ断面図
で、図４Ａが第１の比較例のレンズ断面図、図４Ｂが第
２の比較例のレンズ断面図である。
【図５】図４が示す第１、第２の比較例の縦収差を示す
図で、図５Ａが第１の比較例の縦収差図、図５Ｂが第２
の比較例の縦収差図である。
【図６】半導体デバイスの製造フローを示す図である。
【図７】図６のウエハプロセスを示す図である。
【符号の説明】
１０１ マスク １０２ マスクステージ １０３ ウエハー １０４ ウエハーステージ １０５ 投影光学系 １１１，１１２，１１３，１１４，１１５ レンズ １２１，１２２，１２３，１２４ 空気間隔 １３１ ヘリウムのガスボンベ １３２，１３４ バルブ １３３ 窒素のガスボンベ １４１，１４２，１４３，１４４，１４５，１４６ 気
体を通すパイプ

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 露光光で照明されたマスクのパターンを
    投影光学系によって基板上に投影する投影露光装置にお
    いて、前記露光光の波長を変えることによって大気圧の
    変化による前記投影光学系の光学特性の変化を小さくす
    る手段を有し、前記投影光学系が二種類以上の硝材を用
    いた複数の屈折光学素子を有し且つ屈折光学素子間の空
    間のそれぞれに大気圧と同一又はほぼ同一の圧力となる
    気体が満たされていて該空間の内の少なくとも一つの空
    間の気体が他の少なくとも一つの空間の気体とは屈折率
    が異なる気体であることを特徴とする投影露光装置。
  2. 【請求項２】 露光光で照明されたマスクのパターンを
    投影光学系によって基板上に投影する投影露光装置にお
    いて、前記露光光の波長を変えることによって大気圧の
    変化による前記投影光学系の光学特性の変化を実質的に
    補正する手段を有し、前記投影光学系が二種類以上の硝
    材を用いた複数の屈折光学素子を有し且つ屈折光学素子
    間の空間のそれぞれに大気圧と同一又はほぼ同一の圧力
    となる気体が満たされていて該空間の内の少なくとも一
    つの空間の気体が他の少なくとも一つの空間の気体とは
    屈折率が異なる気体であることを特徴とする投影露光装
    置。
  3. 【請求項３】 露光光で照明されたマスクのパターンを
    投影光学系によって基板上に投影する投影露光装置にお
    いて、大気圧の変化を検出する検出手段と、該検出手段
    の出力に応じて前記露光光の波長を変える波長変更手段
    とを有し、前記投影光学系が二種類以上の硝材を用いた
    複数の屈折光学素子を有し且つ屈折光学素子間の空間の
    それぞれに大気圧と同一又はほぼ同一の圧力となる気体
    が満たされていて該二個以上の空間の内の少なくとも一
    つの空間の気体が他の少なくとも一つの空間の気体とは
    屈折率が異なる気体であることを特徴とする投影露光装
    置。
  4. 【請求項４】 露光光で照明されたマスクのパターンを
    投影光学系によって基板上に投影する投影露光装置にお
    いて、前記露光光の波長を変えることによって大気圧の
    変化による前記投影光学系の光学特性の変化を小さくす
    る手段を有し、前記投影光学系が二種類以上の硝材を用
    いた複数のレンズ素子を有し且つレンズ素子間の空間の
    それぞれに大気圧と同一又はほぼ同一の圧力となる不活
    性ガスが満たされていて該空間の内の少なくとも一つの
    空間のガスが他の少なくとも一つの空間のガスとは屈折
    率が異なるガスであることを特徴とする投影露光装置。
  5. 【請求項５】 露光光で照明されたマスクのパターンを
    投影光学系によって基板上に投影する投影露光装置にお
    いて、前記露光光の波長を変えることによって大気圧の
    変化による前記投影光学系の光学特性の変化を実質的に
    補正する手段を有し、前記投影光学系が二種類以上の硝
    材を用いた複数のレンズ素子を有し且つ光学素子間の空
    間のそれぞれに大気圧と同一又はほぼ同一の圧力となる
    不活性ガスが満たされていて該二個以上の空間の内の少
    なくとも一つの空間のガスが他の少なくとも一つの空間
    のガスとは屈折率が異なるガスであることを特徴とする
    投影露光装置。
  6. 【請求項６】 露光光で照明されたマスクのパターンを
    投影光学系によって基板上に投影する投影露光装置にお
    いて、大気圧の変化を検出する検出手段と、該検出手段
    の出力に応じて前記露光光の波長を変える波長変更手段
    とを有し、前記投影光学系が二種類以上の硝材を用いた
    複数のレンズ素子を有し且つレンズ素子間の空間のそれ
    ぞれに大気圧と同一又はほぼ同一の圧力となる不活性ガ
    スが満たされていて該空間の内の少なくとも一つの空間
    のガスが他の少なくとも一つの空間のガスとは屈折率が
    異なるガスであることを特徴とする投影露光装置。
  7. 【請求項７】 前記光学特性は球面収差、コマ収差、歪
    曲収差、非点収差、像面湾曲のうちの一又は複数の収差
    であること特徴とする請求項１〜請求項６の投影露光装
    置。
  8. 【請求項８】 前記露光光の波長が250nm以下であるこ
    とを特徴とする請求項１〜請求項７の投影露光装置。
  9. 【請求項９】 前記露光光の波長が200nm以下であるこ
    とを特徴とする請求項８の投影露光装置。
  10. 【請求項１０】 前記屈折率が異なる気体は、互いに異
    なる硝材より成る２つの屈折光学素子の間の空間に満た
    されることを特徴とする請求項９の投影露光装置。
  11. 【請求項１１】 前記互いに屈折率が異なる複数の気体
    （ガス）のそれぞれの屈折率は約１であることを特徴と
    する請求項１〜９の投影露光装置。
  12. 【請求項１２】 前記互いに屈折率が異なる複数の気体
    はヘリウムと窒素を有することを特徴とする請求項１〜
    ９の投影露光装置。
  13. 【請求項１３】 前記互いに屈折率が異なる複数の気体
    がそれぞれ不活性ガスであることを特徴とする請求項１
    〜３、７〜９の投影露光装置。
  14. 【請求項１４】 前記互いに屈折率が異なる複数の気体
    （ガス）は、それぞれ、単一種類の気体のみ又は複数種
    類の気体の混合物より成ることを特徴とする請求項１〜
    ９の投影露光装置。
  15. 【請求項１５】 前記投影光学系の光学素子間の空間の
    うちの全ての空間に大気圧と同一又はほぼ同一の圧力の
    気体が満たされおり、これらの空間のうち開口絞りの近
    傍にある一つの空間の気体が窒素であり、残りの全ての
    空間の気体がヘリウムであることを特徴とする請求項９
    の投影露光装置。
  16. 【請求項１６】 前記大気圧変化により変化する光学特
    性の内の球面収差を補正するための補正光学系を有する
    請求項１〜９の投影露光装置。
  17. 【請求項１７】 前記大気圧変化により変化する光学特
    性の内のピント位置を実質的に補正するために前記基板
    を前記投影光学系の光軸方向に移動させる駆動機構を有
    することを特徴とする請求項１〜９の投影露光装置。
  18. 【請求項１８】 前記大気圧変化により変化する光学特
    性の内の投影倍率を補正するための補正光学系を有する
    請求項１〜９の投影露光装置。
  19. 【請求項１９】 前記大気圧変化により変化する光学特
    性の内の歪曲収差を補正するための補正光学系を有する
    請求項１〜９の投影露光装置。
  20. 【請求項２０】 前記大気圧変化により変化する光学特
    性の内の非点収差を補正する補正光学系を有することを
    特徴とする請求項１〜９の投影露光装置。
  21. 【請求項２１】 前記大気圧変化により変化する光学特
    性の内の像面湾曲を補正する補正光学系を有することを
    特徴とする請求項１〜９の投影露光装置。
  22. 【請求項２２】 前記大気圧変化により変化する光学特
    性の内のコマ収差を補正する補正光学系を有することを
    特徴とする請求項１〜９の投影露光装置。
  23. 【請求項２３】 前記互いに屈折率が異なる複数の気体
    （ガス）の圧力が互いに異なることを特徴とする請求項
    １〜９の投影露光装置。
  24. 【請求項２４】 ウエハにレジストを塗布する段階と、
    前記ウエハのレジストを請求項１乃至請求項２３のいず
    れかの装置によりマスクのデバイスパターンの像で感光
    させる段階と、前記デバイスパターン像でレジストを感
    光したウエハを現像する段階とを有するデバイス製造方
    法。
JP01037599A 1998-02-12 1999-01-19 投影露光装置及びデバイス製造方法 Expired - Fee Related JP3278407B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP01037599A JP3278407B2 (ja) 1998-02-12 1999-01-19 投影露光装置及びデバイス製造方法
US09/247,087 US6646713B2 (en) 1998-02-12 1999-02-09 Projection exposure apparatus and device manufacturing method
KR1019990005154A KR100324407B1 (ko) 1998-02-12 1999-02-12 투영노광장치 및 디바이스 제조방법

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2974298 1998-02-12
JP10-29742 1998-02-12
JP01037599A JP3278407B2 (ja) 1998-02-12 1999-01-19 投影露光装置及びデバイス製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11297620A true JPH11297620A (ja) 1999-10-29
JP3278407B2 JP3278407B2 (ja) 2002-04-30

Family

ID=26345632

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP01037599A Expired - Fee Related JP3278407B2 (ja) 1998-02-12 1999-01-19 投影露光装置及びデバイス製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6646713B2 (ja)
JP (1) JP3278407B2 (ja)
KR (1) KR100324407B1 (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1164399A2 (de) * 2000-05-04 2001-12-19 Carl Zeiss Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie
JP2003068630A (ja) * 2001-08-29 2003-03-07 Kyocera Corp 露光装置
KR20030030869A (ko) * 2001-10-11 2003-04-18 가부시키가이샤 어드밴테스트 전자빔 노광방법 및 노광장치
US6556353B2 (en) 2001-02-23 2003-04-29 Nikon Corporation Projection optical system, projection exposure apparatus, and projection exposure method
US6606144B1 (en) 1999-09-29 2003-08-12 Nikon Corporation Projection exposure methods and apparatus, and projection optical systems
US6674513B2 (en) 1999-09-29 2004-01-06 Nikon Corporation Projection exposure methods and apparatus, and projection optical systems
US6853871B2 (en) 2000-08-09 2005-02-08 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
US6862078B2 (en) 2001-02-21 2005-03-01 Nikon Corporation Projection optical system and exposure apparatus with the same
US6867923B2 (en) 2000-05-04 2005-03-15 Carl-Zeiss-Shiftung Projection lens, in particular for microlithography
JP4721575B2 (ja) * 2001-08-29 2011-07-13 京セラ株式会社 露光装置
JP2012195584A (ja) * 2011-03-14 2012-10-11 Asml Netherlands Bv 投影システム、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法
JP2015526755A (ja) * 2012-06-29 2015-09-10 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 投影リソグラフィのための投影露光装置
CN112099318A (zh) * 2019-06-18 2020-12-18 佳能株式会社 曝光装置及物品制造方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7203007B2 (en) * 2000-05-04 2007-04-10 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure machine comprising a projection lens
JP2002260999A (ja) * 2000-12-08 2002-09-13 Carl-Zeiss-Stiftung Trading As Carl Zeiss 対物レンズの少なくとも１つの内部空間を気体洗浄するシステム
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
JP2004281697A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Canon Inc 露光装置及び収差補正方法
US7265917B2 (en) 2003-12-23 2007-09-04 Carl Zeiss Smt Ag Replacement apparatus for an optical element
CN100533661C (zh) * 2004-07-12 2009-08-26 株式会社尼康 曝光条件的决定方法、曝光方法及装置、组件制造方法
KR100616647B1 (ko) * 2004-12-28 2006-08-28 삼성전기주식회사 카메라 모듈용 렌즈 시스템
JP4245577B2 (ja) * 2005-03-22 2009-03-25 シャープ株式会社 レンズ位置制御装置及び撮像モジュール
DE102008000967B4 (de) 2008-04-03 2015-04-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie
US11581692B2 (en) 2019-06-18 2023-02-14 KLA Corp. Controlling pressure in a cavity of a light source

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4690528A (en) * 1983-10-05 1987-09-01 Nippon Kogaku K. K. Projection exposure apparatus
US4811055A (en) 1984-02-27 1989-03-07 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
JP2516194B2 (ja) 1984-06-11 1996-07-10 株式会社日立製作所 投影露光方法
US4773750A (en) 1984-06-21 1988-09-27 Bruning John H Deep-UV lithography
JPS618922A (ja) * 1984-06-25 1986-01-16 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 投影光学装置
JPS6179228A (ja) * 1984-09-26 1986-04-22 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 投影光学装置
DE3447488A1 (de) 1984-10-19 1986-05-07 Canon K.K., Tokio/Tokyo Projektionseinrichtung
JPS6232613A (ja) 1985-08-05 1987-02-12 Canon Inc 投影露光装置
US4805000A (en) 1986-01-17 1989-02-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Exposure apparatus
JPH0834327B2 (ja) 1986-08-13 1996-03-29 株式会社小松製作所 マルチモ−ド狭帯域発振エキシマレ−ザ
US4825247A (en) * 1987-02-16 1989-04-25 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
US5095190A (en) 1987-03-03 1992-03-10 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
JPS63280483A (ja) 1987-05-13 1988-11-17 Canon Inc レーザ光の波長検出方法
JPS63302519A (ja) 1987-06-03 1988-12-09 Canon Inc 投影露光装置
WO1989000779A1 (en) 1987-07-17 1989-01-26 Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho Apparatus for controlling laser wavelength
EP0302124A1 (de) 1987-08-03 1989-02-08 Mercotrust Aktiengesellschaft Einrichtung zum Projektionskopieren von Masken auf ein Werkstück
JPH0628227B2 (ja) * 1987-10-06 1994-04-13 株式会社日立製作所 半導体露光装置
DE3733823A1 (de) 1987-10-07 1989-04-20 Zeiss Carl Fa Verfahren zur kompensation des einflusses von umweltparametern auf die abbildungseigenschaften eines optischen systems
JPH01106426A (ja) 1987-10-19 1989-04-24 Canon Inc 露光装置
JP2956903B2 (ja) 1988-09-19 1999-10-04 キヤノン株式会社 投影装置
US5105075A (en) 1988-09-19 1992-04-14 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
JP2731953B2 (ja) 1989-08-07 1998-03-25 キヤノン株式会社 エネルギー量制御装置
US5163168A (en) 1990-03-30 1992-11-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Pulse signal generator and redundancy selection signal generator
JP2897345B2 (ja) 1990-05-25 1999-05-31 キヤノン株式会社 投影露光装置
JP2897346B2 (ja) 1990-05-25 1999-05-31 キヤノン株式会社 投影露光装置
JPH0488317A (ja) 1990-07-31 1992-03-23 Sharp Corp 投影型ディスプレイ装置
JPH05210049A (ja) * 1992-01-31 1993-08-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 投影レンズ倍率補正方法およびその装置
JPH0638388A (ja) 1992-07-17 1994-02-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 充電器
US5446282A (en) 1993-04-05 1995-08-29 Nikon Corporation Scanning photoelectron microscope
US5596204A (en) 1993-04-06 1997-01-21 Nikon Corporation Method for aligning processing areas on a substrate with a predetermined position in a static coordinate system
JP3359123B2 (ja) 1993-09-20 2002-12-24 キヤノン株式会社 収差補正光学系
JPH07220988A (ja) 1994-01-27 1995-08-18 Canon Inc 投影露光方法及び装置及びこれを用いたデバイス製造方法
JP3254916B2 (ja) 1994-07-06 2002-02-12 キヤノン株式会社 投影光学系のコマ収差を検出する方法
JP3402850B2 (ja) 1995-05-09 2003-05-06 キヤノン株式会社 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
US5883704A (en) * 1995-08-07 1999-03-16 Nikon Corporation Projection exposure apparatus wherein focusing of the apparatus is changed by controlling the temperature of a lens element of the projection optical system
JPH0982601A (ja) 1995-09-12 1997-03-28 Nikon Corp 投影露光装置
JP3677837B2 (ja) 1995-11-10 2005-08-03 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH1027743A (ja) 1996-07-11 1998-01-27 Canon Inc 投影露光装置、デバイス製造方法及び収差補正光学系
JP3303758B2 (ja) 1996-12-28 2002-07-22 キヤノン株式会社 投影露光装置及びデバイスの製造方法

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6864961B2 (en) 1999-09-29 2005-03-08 Nikon Corporation Projection exposure methods and apparatus, and projection optical systems
US6606144B1 (en) 1999-09-29 2003-08-12 Nikon Corporation Projection exposure methods and apparatus, and projection optical systems
US6674513B2 (en) 1999-09-29 2004-01-06 Nikon Corporation Projection exposure methods and apparatus, and projection optical systems
US6867923B2 (en) 2000-05-04 2005-03-15 Carl-Zeiss-Shiftung Projection lens, in particular for microlithography
EP1164399A2 (de) * 2000-05-04 2001-12-19 Carl Zeiss Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie
EP1164399A3 (de) * 2000-05-04 2004-05-06 Carl Zeiss Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie
US6853871B2 (en) 2000-08-09 2005-02-08 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
US6862078B2 (en) 2001-02-21 2005-03-01 Nikon Corporation Projection optical system and exposure apparatus with the same
US6556353B2 (en) 2001-02-23 2003-04-29 Nikon Corporation Projection optical system, projection exposure apparatus, and projection exposure method
JP2003068630A (ja) * 2001-08-29 2003-03-07 Kyocera Corp 露光装置
JP4721575B2 (ja) * 2001-08-29 2011-07-13 京セラ株式会社 露光装置
KR20030030869A (ko) * 2001-10-11 2003-04-18 가부시키가이샤 어드밴테스트 전자빔 노광방법 및 노광장치
JP2012195584A (ja) * 2011-03-14 2012-10-11 Asml Netherlands Bv 投影システム、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法
JP2015526755A (ja) * 2012-06-29 2015-09-10 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 投影リソグラフィのための投影露光装置
CN112099318A (zh) * 2019-06-18 2020-12-18 佳能株式会社 曝光装置及物品制造方法
CN112099318B (zh) * 2019-06-18 2024-01-02 佳能株式会社 曝光装置及物品制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3278407B2 (ja) 2002-04-30
US6646713B2 (en) 2003-11-11
KR100324407B1 (ko) 2002-02-27
KR19990072662A (ko) 1999-09-27
US20020033934A1 (en) 2002-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3278407B2 (ja) 投影露光装置及びデバイス製造方法
JP4826695B2 (ja) 反射屈折光学系および該光学系を備えた投影露光装置
US6831731B2 (en) Projection optical system and an exposure apparatus with the projection optical system
US6674513B2 (en) Projection exposure methods and apparatus, and projection optical systems
US6606144B1 (en) Projection exposure methods and apparatus, and projection optical systems
KR100200384B1 (ko) 투영노광장치 및 이것을 이용한 디바이스제조방법
EP1115019A2 (en) Projection exposure lens with aspheric elements
US7317571B2 (en) Catadioptric projection optical system, exposure apparatus having the same, device fabrication method
US6867922B1 (en) Projection optical system and projection exposure apparatus using the same
US20060056038A1 (en) Aberration correcting optical system
KR102115279B1 (ko) 투영 광학계, 노광 장치 및 물품 제조 방법
JP2009145724A (ja) 投影光学系及びそれを有する露光装置
JP3347692B2 (ja) 光学特性調整方法及びデバイス製造方法
KR20030031881A (ko) 굴절율 변동이 존재할 경우의 광학 이미지화 성능을변경시키는 방법 및 시스템
JP5006762B2 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP2007250723A (ja) 結像光学系の評価方法および調整方法、露光装置、および露光方法
JP4482874B2 (ja) 投影光学系、露光装置、および露光方法
EP1477854A2 (en) Projection optical system
JP2004258179A (ja) 投影光学系の製造方法、投影光学系、露光装置の製造方法、露光装置、露光方法、および光学系の製造方法
JP2023010009A (ja) 投影光学系、露光装置、および物品の製造方法
JP2001230192A (ja) 投影露光装置及びデバイスの製造方法
JP2005203636A (ja) 投影光学系の製造方法、投影光学系、露光装置の製造方法、露光装置、および露光方法
WO2002073670A1 (fr) Procede et systeme d&#39;exposition, et procede de production d&#39;un dispositif
JP2005064310A (ja) 光学系の収差調整方法、光学系、露光装置および露光方法

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20000620

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080215

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090215

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100215

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100215

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110215

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120215

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130215

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140215

Year of fee payment: 12

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees