JPH11293417A - 磁気時効性に優れかつ残留磁束密度の低い珪素鋼板 - Google Patents
磁気時効性に優れかつ残留磁束密度の低い珪素鋼板Info
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- JPH11293417A JPH11293417A JP11436398A JP11436398A JPH11293417A JP H11293417 A JPH11293417 A JP H11293417A JP 11436398 A JP11436398 A JP 11436398A JP 11436398 A JP11436398 A JP 11436398A JP H11293417 A JPH11293417 A JP H11293417A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気時効が生じ難く、残留磁束密度が低い珪
素鋼板を提供すること。 【解決手段】 Ｃ≦０．００３ｗｔ．％、０．０５ｗ
ｔ．％≦Ｍｎ≦０．５ｗｔ．％、Ｐ≦０．０１ｗｔ．
％、Ｓ≦０．０２ｗｔ．％、０．００１ｗｔ．％≦ｓｏ
ｌ．Ａｌ≦０．０６ｗｔ．％、Ｎ≦０．０１ｗｔ．％で
あり、Ｓｉを平均７ｗｔ．％以下含有し、板厚方向にＳ
ｉの濃度勾配を形成し、表面のＳｉ濃度を板厚中心部の
Ｓｉ濃度より高くし、Ｓｉ濃度の最大と最小の差を０．
５ｗｔ．％以上とすることにより、磁気時効性に優れか
つ残留磁束密度の低い珪素鋼板を得る。
素鋼板を提供すること。 【解決手段】 Ｃ≦０．００３ｗｔ．％、０．０５ｗ
ｔ．％≦Ｍｎ≦０．５ｗｔ．％、Ｐ≦０．０１ｗｔ．
％、Ｓ≦０．０２ｗｔ．％、０．００１ｗｔ．％≦ｓｏ
ｌ．Ａｌ≦０．０６ｗｔ．％、Ｎ≦０．０１ｗｔ．％で
あり、Ｓｉを平均７ｗｔ．％以下含有し、板厚方向にＳ
ｉの濃度勾配を形成し、表面のＳｉ濃度を板厚中心部の
Ｓｉ濃度より高くし、Ｓｉ濃度の最大と最小の差を０．
５ｗｔ．％以上とすることにより、磁気時効性に優れか
つ残留磁束密度の低い珪素鋼板を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、偏磁による突入電
流が間題となるトランス、リアクトル、変成器（ＣＴ）
やモータなどの鉄心として用いられる残留磁束密度の低
い珪素鋼板に関する。
流が間題となるトランス、リアクトル、変成器（ＣＴ）
やモータなどの鉄心として用いられる残留磁束密度の低
い珪素鋼板に関する。
【０００２】
【従来の技術】トランス、モータ等の鉄心に使用される
珪素鋼板は、磁束密度を高め、鉄損を低下させる方向で
研究が行われ、角形比の大きい材料が開発されてきた。
しかし、その結果、残留磁束密度が大きくなり、トラン
ス等の機器とした場合、偏磁によりさまざまな問題が発
生している。
珪素鋼板は、磁束密度を高め、鉄損を低下させる方向で
研究が行われ、角形比の大きい材料が開発されてきた。
しかし、その結果、残留磁束密度が大きくなり、トラン
ス等の機器とした場合、偏磁によりさまざまな問題が発
生している。
【０００３】そこで、本発明者らは、先に、偏磁の原因
である残留磁束密度を低下させるには板厚方向にＳｉの
濃度勾配を形成することが有効なことを見出し、特許出
願した（特開平９−１８４０５１号公報）。また、板厚
方向にＳｉ濃度勾配を形成すること自体は特開昭６２−
２２７０３３号から特開昭６２−２２７０３６号公報、
および特開平４−２４６１５７号公報に開示されてい
る。
である残留磁束密度を低下させるには板厚方向にＳｉの
濃度勾配を形成することが有効なことを見出し、特許出
願した（特開平９−１８４０５１号公報）。また、板厚
方向にＳｉ濃度勾配を形成すること自体は特開昭６２−
２２７０３３号から特開昭６２−２２７０３６号公報、
および特開平４−２４６１５７号公報に開示されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、特開昭６２−
２２７０３３号から特開昭６２−２２７０３６号公報、
および特開平４−２４６１５７号公報に開示された技術
は残留磁束密度を低下させることは全く考慮されていな
い。
２２７０３３号から特開昭６２−２２７０３６号公報、
および特開平４−２４６１５７号公報に開示された技術
は残留磁束密度を低下させることは全く考慮されていな
い。
【０００５】特開平９−１８４０５１号公報には、板厚
方向にＳｉ濃度勾配を形成し、残留磁束密度を下げるこ
とが開示されているが、板厚方向にＳｉ濃度勾配を有す
る材料は、Ｃ残留量が低くても磁気時効し鉄損が増大す
ることが判明した。したがって、上記特開平９−１８４
０５１号公報に開示された材料は、残留磁束密度は低い
ものの、このような磁気時効により鉄損が増大するおそ
れがある。
方向にＳｉ濃度勾配を形成し、残留磁束密度を下げるこ
とが開示されているが、板厚方向にＳｉ濃度勾配を有す
る材料は、Ｃ残留量が低くても磁気時効し鉄損が増大す
ることが判明した。したがって、上記特開平９−１８４
０５１号公報に開示された材料は、残留磁束密度は低い
ものの、このような磁気時効により鉄損が増大するおそ
れがある。
【０００６】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、磁気時効が生じ難く、残留磁束密度が低い珪
素鋼板を提供することを目的とする。
であって、磁気時効が生じ難く、残留磁束密度が低い珪
素鋼板を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】通常の珪素鋼板において
も固溶Ｃが残留すると磁気時効が生じることが知られて
おり、これを防止するためにはＣを５０ｐｐｍ以下にす
ることが知られている。しかし、本発明者らの検討結果
によれば、Ｓｉ濃度勾配を有する珪素鋼板ではＣが５０
ｐｐｍ以下であっても、Ｓｉ濃度勾配のない通常の珪素
鋼板に比べ大きな磁気時効劣化を起こし鉄損が増大す
る。
も固溶Ｃが残留すると磁気時効が生じることが知られて
おり、これを防止するためにはＣを５０ｐｐｍ以下にす
ることが知られている。しかし、本発明者らの検討結果
によれば、Ｓｉ濃度勾配を有する珪素鋼板ではＣが５０
ｐｐｍ以下であっても、Ｓｉ濃度勾配のない通常の珪素
鋼板に比べ大きな磁気時効劣化を起こし鉄損が増大す
る。
【０００８】本発明者らがこの原因を調査した結果、Ｓ
ｉの濃度勾配を形成するとＣも不均一な濃度分布となり
Ｃ濃度が高い領域が生成して時効を引き起こすことが判
明した。すなわち、Ｓｉ濃度が鋼板表面で高く板厚中心
部で低い濃度分布を有する場合、Ｃ濃度は鋼板表面は低
く板厚中心部が高い分布となる。最もＣ濃度が高い部分
の濃度は、板厚方向の平均濃度の２〜５倍となる。これ
はＳｉによりＣのケミカル・ポテンシャルが変化し、高
Ｓｉ濃度部分から低Ｓｉ濃度部分へＣが排出されるため
と推定される。
ｉの濃度勾配を形成するとＣも不均一な濃度分布となり
Ｃ濃度が高い領域が生成して時効を引き起こすことが判
明した。すなわち、Ｓｉ濃度が鋼板表面で高く板厚中心
部で低い濃度分布を有する場合、Ｃ濃度は鋼板表面は低
く板厚中心部が高い分布となる。最もＣ濃度が高い部分
の濃度は、板厚方向の平均濃度の２〜５倍となる。これ
はＳｉによりＣのケミカル・ポテンシャルが変化し、高
Ｓｉ濃度部分から低Ｓｉ濃度部分へＣが排出されるため
と推定される。
【０００９】このようなＣの濃度分布が生じると、高Ｃ
領域は当然、時効するため、全体として鋼板が時効する
こととなる。したがって、板厚方向の平均Ｃ濃度が低く
ても時効が起こる。
領域は当然、時効するため、全体として鋼板が時効する
こととなる。したがって、板厚方向の平均Ｃ濃度が低く
ても時効が起こる。
【００１０】本発明者らは、このような磁気時効を防止
しつつ、低残留磁束密度の珪素鋼板を得るためには、高
Ｃ領域でも時効が生じないように平均Ｃ濃度を低くする
ことが有効であることを見出した。また、最高Ｃ濃度を
低くする、あるいは高Ｃ濃度領域を小さくすることも考
慮してＳｉ濃度分布を形成することも有効であることを
見出した。
しつつ、低残留磁束密度の珪素鋼板を得るためには、高
Ｃ領域でも時効が生じないように平均Ｃ濃度を低くする
ことが有効であることを見出した。また、最高Ｃ濃度を
低くする、あるいは高Ｃ濃度領域を小さくすることも考
慮してＳｉ濃度分布を形成することも有効であることを
見出した。
【００１１】本発明は以上の知見に基づいなされたもの
であり、Ｃ≦０．００３ｗｔ．％、０．０５ｗｔ．％≦
Ｍｎ≦０．５ｗｔ．％、Ｐ≦０．０１ｗｔ．％、Ｓ≦
０．０２ｗｔ．％、０．００１ｗｔ．％≦ｓｏｌ．Ａｌ
≦０．０６ｗｔ．％、Ｎ≦０．０１ｗｔ．％であり、Ｓ
ｉを平均７ｗｔ．％以下含有し、板厚方向にＳｉの濃度
勾配を有し、表面のＳｉ濃度が板厚中心部のＳｉ濃度よ
り高く、Ｓｉ濃度の最大と最小の差が０．５ｗｔ．％以
上であることを特徴とする、磁気時効性に優れかつ残留
磁束密度の低い珪素鋼板を提供する。この場合に、Ｓｉ
濃度の最大と最小の差が０．７ｗｔ．％以上であること
が好ましい。また、Ｃ≦０．００２５ｗｔ．％であるこ
とが好ましい。
であり、Ｃ≦０．００３ｗｔ．％、０．０５ｗｔ．％≦
Ｍｎ≦０．５ｗｔ．％、Ｐ≦０．０１ｗｔ．％、Ｓ≦
０．０２ｗｔ．％、０．００１ｗｔ．％≦ｓｏｌ．Ａｌ
≦０．０６ｗｔ．％、Ｎ≦０．０１ｗｔ．％であり、Ｓ
ｉを平均７ｗｔ．％以下含有し、板厚方向にＳｉの濃度
勾配を有し、表面のＳｉ濃度が板厚中心部のＳｉ濃度よ
り高く、Ｓｉ濃度の最大と最小の差が０．５ｗｔ．％以
上であることを特徴とする、磁気時効性に優れかつ残留
磁束密度の低い珪素鋼板を提供する。この場合に、Ｓｉ
濃度の最大と最小の差が０．７ｗｔ．％以上であること
が好ましい。また、Ｃ≦０．００２５ｗｔ．％であるこ
とが好ましい。
【００１２】また、本発明は、Ｃ≦０．００３ｗｔ．
％、０．０５ｗｔ．％≦Ｍｎ≦０．５ｗｔ．％、Ｐ≦
０．０１ｗｔ．％、Ｓ≦０．０２ｗｔ．％、０．００１
ｗｔ．％≦ｓｏｌ．Ａｌ≦０．０６ｗｔ．％、Ｎ≦０．
０１ｗｔ．％であり、Ｓｉを平均７ｗｔ．％以下含有
し、板厚方向にＳｉの濃度勾配を有し、表面のＳｉ濃度
が板厚中心部のＳｉ濃度より高く、Ｓｉ濃度の最大と最
小の差が０．５〜５．５ｗｔ．％であることを特徴とす
る、磁気時効性に優れかつ残留磁束密度および鉄損の低
い珪素鋼板を提供する。この場合に、Ｃ≦０．００２５
ｗｔ．％であることが好ましい。
％、０．０５ｗｔ．％≦Ｍｎ≦０．５ｗｔ．％、Ｐ≦
０．０１ｗｔ．％、Ｓ≦０．０２ｗｔ．％、０．００１
ｗｔ．％≦ｓｏｌ．Ａｌ≦０．０６ｗｔ．％、Ｎ≦０．
０１ｗｔ．％であり、Ｓｉを平均７ｗｔ．％以下含有
し、板厚方向にＳｉの濃度勾配を有し、表面のＳｉ濃度
が板厚中心部のＳｉ濃度より高く、Ｓｉ濃度の最大と最
小の差が０．５〜５．５ｗｔ．％であることを特徴とす
る、磁気時効性に優れかつ残留磁束密度および鉄損の低
い珪素鋼板を提供する。この場合に、Ｃ≦０．００２５
ｗｔ．％であることが好ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明について具体的に説
明する。上述したように、鉄心材料として用いられる珪
素鋼板は残留磁束密度が低いことが必要であり、そのた
めに板厚方向にＳｉの濃度勾配を形成することが有効で
あるが、それに伴ってＣ濃度分布が形成されるため、全
体のＣ濃度が低くても磁気時効が生じるおそれがある。
明する。上述したように、鉄心材料として用いられる珪
素鋼板は残留磁束密度が低いことが必要であり、そのた
めに板厚方向にＳｉの濃度勾配を形成することが有効で
あるが、それに伴ってＣ濃度分布が形成されるため、全
体のＣ濃度が低くても磁気時効が生じるおそれがある。
【００１４】本発明は、板厚方向のＳｉ濃度勾配を形成
して残留磁束密度を低くすることを前提に、このような
Ｃに起因する磁気時効を防止するものであり、そのため
に、鋼板全体のＣ濃度をＣ≦０．００３ｗｔ．％とす
る。
して残留磁束密度を低くすることを前提に、このような
Ｃに起因する磁気時効を防止するものであり、そのため
に、鋼板全体のＣ濃度をＣ≦０．００３ｗｔ．％とす
る。
【００１５】図１に、大きなＣ濃度分布が形成される、
Ｓｉ濃度差（最高Ｓｉ濃度と最低Ｓｉ濃度との差）が
６．９ｗｔ．％で平均Ｓｉ濃度が４．５ｗｔ．％の場合
における、平均Ｃ濃度と磁気時効による鉄損の劣化率と
の関係を示す。ここでは磁気時効を１５０℃で２週間の
加速試験により評価した。この図から、板厚方向にＳｉ
濃度勾配を形成することにより、通常の珪素鋼板より時
効が起こりやすく、Ｃが３０ｐｐｍ、つまり０．００３
ｗｔ．％を超えると磁気時効することが明らかである。
したがって、本発明では、Ｃ濃度をＣ≦０．００３ｗ
ｔ．％に規定する。
Ｓｉ濃度差（最高Ｓｉ濃度と最低Ｓｉ濃度との差）が
６．９ｗｔ．％で平均Ｓｉ濃度が４．５ｗｔ．％の場合
における、平均Ｃ濃度と磁気時効による鉄損の劣化率と
の関係を示す。ここでは磁気時効を１５０℃で２週間の
加速試験により評価した。この図から、板厚方向にＳｉ
濃度勾配を形成することにより、通常の珪素鋼板より時
効が起こりやすく、Ｃが３０ｐｐｍ、つまり０．００３
ｗｔ．％を超えると磁気時効することが明らかである。
したがって、本発明では、Ｃ濃度をＣ≦０．００３ｗ
ｔ．％に規定する。
【００１６】さらに厳しい環境下では、通常の珪素鋼板
でも磁気時効を防止するためにＣを３０ｐｐｍ以下とす
るが、このような厳しい使用環境を想定し、２００℃で
１００時間の加速時効条件で試験した結果、時効による
鉄損劣化量を５％以下とするには、Ｃを２５ｐｐｍ以下
とする必要があることが判明した。したがって、本発明
ではより好ましくはＣ≦０．００２５ｗｔ．％と規定す
る。
でも磁気時効を防止するためにＣを３０ｐｐｍ以下とす
るが、このような厳しい使用環境を想定し、２００℃で
１００時間の加速時効条件で試験した結果、時効による
鉄損劣化量を５％以下とするには、Ｃを２５ｐｐｍ以下
とする必要があることが判明した。したがって、本発明
ではより好ましくはＣ≦０．００２５ｗｔ．％と規定す
る。
【００１７】以上は、Ｃ量を規制して磁気時効を防止す
る条件について示したが、磁気時効は前述したように、
Ｓｉ濃度分布を調整することで防止または抑制可能であ
る。すなわち、Ｓｉ濃度差を小さくすることにより、時
効を防止または抑制することができる。図２は種々のＳ
ｉ濃度分布を有する珪素鋼板において、１５０℃で２週
間の加速時効後の鉄損増加率が５％以下となるＣ量を試
験した結果を示す。Ｓｉ濃度分布は平均Ｓｉ量およびＳ
ｉ濃度差で表している。図２よりＳｉ濃度差が５．５ｗ
ｔ．％以下であればＣ量が３０ｐｐｍであっても時効劣
化が５％以下となることがわかる。したがって、本発明
における好ましい条件として、Ｃ≦０．００３ｗｔ．％
を前提にＳｉ濃度差を５．５ｗｔ．％以下とする。
る条件について示したが、磁気時効は前述したように、
Ｓｉ濃度分布を調整することで防止または抑制可能であ
る。すなわち、Ｓｉ濃度差を小さくすることにより、時
効を防止または抑制することができる。図２は種々のＳ
ｉ濃度分布を有する珪素鋼板において、１５０℃で２週
間の加速時効後の鉄損増加率が５％以下となるＣ量を試
験した結果を示す。Ｓｉ濃度分布は平均Ｓｉ量およびＳ
ｉ濃度差で表している。図２よりＳｉ濃度差が５．５ｗ
ｔ．％以下であればＣ量が３０ｐｐｍであっても時効劣
化が５％以下となることがわかる。したがって、本発明
における好ましい条件として、Ｃ≦０．００３ｗｔ．％
を前提にＳｉ濃度差を５．５ｗｔ．％以下とする。
【００１８】本発明の珪素鋼板は、残留磁束密度が低い
ことが必要であり、低残留磁束密度は、上述したように
板厚方向にＳｉの濃度勾配を形成することで達成するこ
とができ、具体的にはＳｉ濃度の最高と最低の差を０．
５ｗｔ．％以上、好ましくは０．７ｗｔ．％以上とす
る。また、平均Ｓｉ濃度が７ｗｔ．％を超えると材料が
脆くなり加工が困難となるため７ｗｔ．％を上限とす
る。
ことが必要であり、低残留磁束密度は、上述したように
板厚方向にＳｉの濃度勾配を形成することで達成するこ
とができ、具体的にはＳｉ濃度の最高と最低の差を０．
５ｗｔ．％以上、好ましくは０．７ｗｔ．％以上とす
る。また、平均Ｓｉ濃度が７ｗｔ．％を超えると材料が
脆くなり加工が困難となるため７ｗｔ．％を上限とす
る。
【００１９】次に、ＣおよびＳｉ以外の元素の限定理由
について説明する。Ｍｎは多量に含有されると鋼板が脆
くなるため、その上限を０．５ｗｔ．％とする。ただ
し、その含有量が低く過ぎると、熱延工程で破断や表面
キズを誘発するため、その下限を０．０５ｗｔ．％とす
る。
について説明する。Ｍｎは多量に含有されると鋼板が脆
くなるため、その上限を０．５ｗｔ．％とする。ただ
し、その含有量が低く過ぎると、熱延工程で破断や表面
キズを誘発するため、その下限を０．０５ｗｔ．％とす
る。
【００２０】Ｐは磁気特性から見ると好ましい元素であ
るが、多量に含有されると鋼板の加工性を劣化させるた
め、その上限を０．０１ｗｔ．％とする。その下限は特
に規定されないが、経済的に除去する観点からはその下
限を０．００１ｗｔ．％とすることが好ましい。
るが、多量に含有されると鋼板の加工性を劣化させるた
め、その上限を０．０１ｗｔ．％とする。その下限は特
に規定されないが、経済的に除去する観点からはその下
限を０．００１ｗｔ．％とすることが好ましい。
【００２１】Ｓは加工性を劣化させるため、その上限を
０．０２ｗｔ．％とする必要がある。その下限は特に規
定されないが、経済的に除去する観点からはその下限を
０．００１ｗｔ．％とすることが好ましい。
０．０２ｗｔ．％とする必要がある。その下限は特に規
定されないが、経済的に除去する観点からはその下限を
０．００１ｗｔ．％とすることが好ましい。
【００２２】ｓｏｌ．Ａｌは同じく加工性を害するた
め、その上限を０．０６ｗｔ．％とする。一方、脱酸剤
としての必要性からその下限を０．００１ｗｔ．％とす
る。
め、その上限を０．０６ｗｔ．％とする。一方、脱酸剤
としての必要性からその下限を０．００１ｗｔ．％とす
る。
【００２３】Ｎは多量に含有されると窒化物を形成して
磁気特性を劣化させるため、その上限を０．０１ｗｔ．
％とする必要がある。その下限は特に規定されないが、
現在の製鋼技術を考慮すると事実上０．０００１ｗｔ．
％が下限となる。
磁気特性を劣化させるため、その上限を０．０１ｗｔ．
％とする必要がある。その下限は特に規定されないが、
現在の製鋼技術を考慮すると事実上０．０００１ｗｔ．
％が下限となる。
【００２４】本発明に係るＳｉの濃度勾配を有する珪素
鋼板は種々の方法で製造することができ、その製造方法
は限定されない。例えば、化学気相蒸着（ＣＶＤ、浸珪
処理）法、物理気相蒸着（ＰＶＤ）法、クラツド技術、
めっき技術によって製造することが可能である。
鋼板は種々の方法で製造することができ、その製造方法
は限定されない。例えば、化学気相蒸着（ＣＶＤ、浸珪
処理）法、物理気相蒸着（ＰＶＤ）法、クラツド技術、
めっき技術によって製造することが可能である。
【００２５】例としてＣＶＤ法での製造方法を説明す
る。まず、例えば３ｗｔ．％珪素鋼の冷間圧延コイルを
通常の鋼板製造プロセスで製造する。このコイルをＣＶ
Ｄ処理してＳｉ濃度勾配を有する鋼板とする。すなわ
ち、非酸化性雰囲気中で１１００℃以上に加熱してＳｉ
Ｃｌ4ガスと反応させ表面に高Ｓｉ濃度のＦｅ−Ｓｉ層
を形成する。引き続き拡散処理を行い、Ｓｉを鋼板内部
に必要量拡散させ、目的とする平均Ｓｉ量およびＳｉ濃
度勾配を有する珪素鋼板を製造する。
る。まず、例えば３ｗｔ．％珪素鋼の冷間圧延コイルを
通常の鋼板製造プロセスで製造する。このコイルをＣＶ
Ｄ処理してＳｉ濃度勾配を有する鋼板とする。すなわ
ち、非酸化性雰囲気中で１１００℃以上に加熱してＳｉ
Ｃｌ4ガスと反応させ表面に高Ｓｉ濃度のＦｅ−Ｓｉ層
を形成する。引き続き拡散処理を行い、Ｓｉを鋼板内部
に必要量拡散させ、目的とする平均Ｓｉ量およびＳｉ濃
度勾配を有する珪素鋼板を製造する。
【００２６】なお、本発明において平均Ｓｉ濃度とは全
板厚に対するＳｉ濃度の平均値を意味し、例えば製品厚
さのまま化学分析することにより得ることができる。ま
た、Ｓｉ濃度の最大と最小は、全板厚をＥＰＭＡ分析し
て得られるＳｉ濃度プロファイルから決定することがで
きる。さらに、Ｓｉ以外の元素の濃度は製品での濃度と
する。さらにまた、残留磁束密度は、直流で１．２Ｔ励
磁後の値である。
板厚に対するＳｉ濃度の平均値を意味し、例えば製品厚
さのまま化学分析することにより得ることができる。ま
た、Ｓｉ濃度の最大と最小は、全板厚をＥＰＭＡ分析し
て得られるＳｉ濃度プロファイルから決定することがで
きる。さらに、Ｓｉ以外の元素の濃度は製品での濃度と
する。さらにまた、残留磁束密度は、直流で１．２Ｔ励
磁後の値である。
【００２７】また、上記鉄損の増加率は、時効前後の鉄
損（Ｗ12/50）を測定し、 （加速時効後の鉄損−時効前の鉄損）÷（時効前の鉄
損） を％表示したものである。鉄損としてＷ1/10k等を用い
ても同様の結果が得られる。
損（Ｗ12/50）を測定し、 （加速時効後の鉄損−時効前の鉄損）÷（時効前の鉄
損） を％表示したものである。鉄損としてＷ1/10k等を用い
ても同様の結果が得られる。
【００２８】
【実施例】表１に示す組成（Ｓｉ以外は商品となった時
点での組成。ＳｉはＣＶＤ処理前の組成）の板厚０．０
５〜０．５ｍｍの鋼板を通常の鉄鋼製造プロセスで製造
した。これらをＣＶＤ処理して種々のＳｉ平均濃度と濃
度分布を持つ鋼板を得た。これらの鋼板の残留磁束密度
を測定するとともに、これら鋼板を１５０℃で２週間の
加速時効処理して鉄損増加率を求めた。その結果を表２
に示す。表２に示すように、本発明では磁気時効劣化が
ないあるいは極めて小さい低残留磁束密度珪素鋼板が得
られることが確認された。
点での組成。ＳｉはＣＶＤ処理前の組成）の板厚０．０
５〜０．５ｍｍの鋼板を通常の鉄鋼製造プロセスで製造
した。これらをＣＶＤ処理して種々のＳｉ平均濃度と濃
度分布を持つ鋼板を得た。これらの鋼板の残留磁束密度
を測定するとともに、これら鋼板を１５０℃で２週間の
加速時効処理して鉄損増加率を求めた。その結果を表２
に示す。表２に示すように、本発明では磁気時効劣化が
ないあるいは極めて小さい低残留磁束密度珪素鋼板が得
られることが確認された。
【００２９】
【表１】
【００３０】
【表２】
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
磁気時効が生じ難く、残留磁束密度が低い珪素鋼板を得
ることができる。
磁気時効が生じ難く、残留磁束密度が低い珪素鋼板を得
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】板厚方向にＳｉ濃度勾配を有する珪素鋼板の平
均Ｃ濃度と磁気時効特性との関係を示す図。
均Ｃ濃度と磁気時効特性との関係を示す図。
【図２】Ｓｉ濃度分布と時効劣化が５％以下となるＣ濃
度との関係を示す図。
度との関係を示す図。
Claims (5)
- 【請求項１】 Ｃ≦０．００３ｗｔ．％、０．０５ｗ
ｔ．％≦Ｍｎ≦０．５ｗｔ．％、Ｐ≦０．０１ｗｔ．
％、Ｓ≦０．０２ｗｔ．％、０．００１ｗｔ．％≦ｓｏ
ｌ．Ａｌ≦０．０６ｗｔ．％、Ｎ≦０．０１ｗｔ．％で
あり、Ｓｉを平均７ｗｔ．％以下含有し、板厚方向にＳ
ｉの濃度勾配を有し、表面のＳｉ濃度が板厚中心部のＳ
ｉ濃度より高く、Ｓｉ濃度の最大と最小の差が０．５ｗ
ｔ．％以上であることを特徴とする、磁気時効性に優れ
かつ残留磁束密度の低い珪素鋼板。 - 【請求項２】 Ｓｉ濃度の最大と最小の差が０．７ｗ
ｔ．％以上であることを特徴とする請求項１に記載の磁
気時効性に優れかつ残留磁束密度の低い珪素鋼板。 - 【請求項３】 Ｃ≦０．００２５ｗｔ．％であることを
特徴とする請求項１または請求項２に記載の磁気時効性
に優れかつ残留磁束密度の低い珪素鋼板。 - 【請求項４】 Ｃ≦０．００３ｗｔ．％、０．０５ｗ
ｔ．％≦Ｍｎ≦０．５ｗｔ．％、Ｐ≦０．０１ｗｔ．
％、Ｓ≦０．０２ｗｔ．％、０．００１ｗｔ．％≦ｓｏ
ｌ．Ａｌ≦０．０６ｗｔ．％、Ｎ≦０．０１ｗｔ．％で
あり、Ｓｉを平均７ｗｔ．％以下含有し、板厚方向にＳ
ｉの濃度勾配を有し、表面のＳｉ濃度が板厚中心部のＳ
ｉ濃度より高く、Ｓｉ濃度の最大と最小の差が０．５〜
５．５ｗｔ．％であることを特徴とする、磁気時効性に
優れかつ残留磁束密度および鉄損の低い珪素鋼板。 - 【請求項５】 Ｃ≦０．００２５ｗｔ．％であることを
特徴とする請求項４に記載の磁気時効性に優れかつ残留
磁束密度および鉄損の低い珪素鋼板。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11436398A JPH11293417A (ja) | 1998-04-10 | 1998-04-10 | 磁気時効性に優れかつ残留磁束密度の低い珪素鋼板 |
| EP99939203A EP0987341A4 (en) | 1998-03-12 | 1999-03-05 | SILICON STEEL SHEET AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME |
| US09/423,509 US6527876B2 (en) | 1998-03-12 | 1999-03-05 | Silicon steel sheet and method for producing the same |
| KR1019997009343A KR100334860B1 (ko) | 1998-03-12 | 1999-03-05 | 규소강판 및 그 제조방법 |
| PCT/JP1999/001063 WO1999046417A1 (fr) | 1998-03-12 | 1999-03-05 | Tole d'acier au silicium et son procede de fabrication |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11436398A JPH11293417A (ja) | 1998-04-10 | 1998-04-10 | 磁気時効性に優れかつ残留磁束密度の低い珪素鋼板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11293417A true JPH11293417A (ja) | 1999-10-26 |
Family
ID=14635855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11436398A Pending JPH11293417A (ja) | 1998-03-12 | 1998-04-10 | 磁気時効性に優れかつ残留磁束密度の低い珪素鋼板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11293417A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012158773A (ja) * | 2011-01-28 | 2012-08-23 | Jfe Steel Corp | 高珪素鋼板の製造方法 |
| JP2012251191A (ja) * | 2011-06-01 | 2012-12-20 | Jfe Steel Corp | 電磁鋼板およびその製造方法 |
| WO2017170749A1 (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 電磁鋼板およびその製造方法 |
-
1998
- 1998-04-10 JP JP11436398A patent/JPH11293417A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012158773A (ja) * | 2011-01-28 | 2012-08-23 | Jfe Steel Corp | 高珪素鋼板の製造方法 |
| JP2012251191A (ja) * | 2011-06-01 | 2012-12-20 | Jfe Steel Corp | 電磁鋼板およびその製造方法 |
| WO2017170749A1 (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 電磁鋼板およびその製造方法 |
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| A02 | Decision of refusal |
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