JPH11289656A - 非常保護回路及び温度検出回路 - Google Patents
非常保護回路及び温度検出回路Info
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- JPH11289656A JPH11289656A JP10089748A JP8974898A JPH11289656A JP H11289656 A JPH11289656 A JP H11289656A JP 10089748 A JP10089748 A JP 10089748A JP 8974898 A JP8974898 A JP 8974898A JP H11289656 A JPH11289656 A JP H11289656A
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- circuit
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 温度に応じて供給電流を制御する非常保護回
路及び温度検出回路に関し、小型で、復帰可能な非常保
護回路及び温度検出回路を提供することを目的とする。 【解決手段】 リチウムイオン電池２の充放電電流を制
御する充放電制御トランジスタＱ1 、Ｑ2 の周囲の温度
が所定の温度以上となったときに充放電制御トランジス
タＱ1 、Ｑ2 をオフし、電源電圧が切断されるまで、充
放電制御トランジスタＱ1 、Ｑ2 のオフ状態を保持する
ように充放電制御トランジスタＱ1 、Ｑ2の制御信号を
制御する温度検出回路５、６を有する。
路及び温度検出回路に関し、小型で、復帰可能な非常保
護回路及び温度検出回路を提供することを目的とする。 【解決手段】 リチウムイオン電池２の充放電電流を制
御する充放電制御トランジスタＱ1 、Ｑ2 の周囲の温度
が所定の温度以上となったときに充放電制御トランジス
タＱ1 、Ｑ2 をオフし、電源電圧が切断されるまで、充
放電制御トランジスタＱ1 、Ｑ2 のオフ状態を保持する
ように充放電制御トランジスタＱ1 、Ｑ2の制御信号を
制御する温度検出回路５、６を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は非常保護回路及び温
度検出回路に係り、特に、温度に応じて供給電流を制御
する非常保護回路及び温度検出回路に関する。
度検出回路に係り、特に、温度に応じて供給電流を制御
する非常保護回路及び温度検出回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】電池を充電するための充電制御回路で
は、電源と電池との間にスイッチング素子を直列に接続
し、スイッチング素子を制御することにより電池の充電
を制御している。電池への充電時には、電源からスイッ
チング素子を介して充電電流が電池に供給される。この
ため、充電電流によりスイッチング素子が加熱する。
は、電源と電池との間にスイッチング素子を直列に接続
し、スイッチング素子を制御することにより電池の充電
を制御している。電池への充電時には、電源からスイッ
チング素子を介して充電電流が電池に供給される。この
ため、充電電流によりスイッチング素子が加熱する。
【０００３】スイッチング素子が規定値以上に加熱され
ると破損の恐れがあるので、従来は、スイッチング素子
と電池との間に温度ヒューズを直列に接続していた。温
度ヒューズは、周囲温度が所定の温度、例えば、１２５
℃になると、ヒューズが切断され、スイッチング素子に
電流が流れないようにする。このとき、温度ヒューズ
は、半田付けの際の加熱によりヒューズが切断されない
ように、半田付け部分を本体から離して設定して、接続
していた。
ると破損の恐れがあるので、従来は、スイッチング素子
と電池との間に温度ヒューズを直列に接続していた。温
度ヒューズは、周囲温度が所定の温度、例えば、１２５
℃になると、ヒューズが切断され、スイッチング素子に
電流が流れないようにする。このとき、温度ヒューズ
は、半田付けの際の加熱によりヒューズが切断されない
ように、半田付け部分を本体から離して設定して、接続
していた。
【０００４】図５に温度ヒューズの取り付け方法を示す
図を示す。温度ヒューズ３１は、充放電制御トランジス
タ用ＩＣ３２に近接して設けられる。温度ヒューズ３１
と充放電制御トランジスタ用ＩＣ３２との間には、熱伝
導率の良好な樹脂などが充填され、充放電制御トランジ
スタ用ＩＣ３２の温度が温度ヒューズ３１に確実に伝わ
るように取り付けられる。
図を示す。温度ヒューズ３１は、充放電制御トランジス
タ用ＩＣ３２に近接して設けられる。温度ヒューズ３１
と充放電制御トランジスタ用ＩＣ３２との間には、熱伝
導率の良好な樹脂などが充填され、充放電制御トランジ
スタ用ＩＣ３２の温度が温度ヒューズ３１に確実に伝わ
るように取り付けられる。
【０００５】また、温度ヒューズ本体３１ａと半田付け
部３１ｂとの距離は、半田付けによる熱が温度ヒューズ
本体３１ａに伝達されてヒューズが切断されることがな
い充分な距離Ｌに設定される。
部３１ｂとの距離は、半田付けによる熱が温度ヒューズ
本体３１ａに伝達されてヒューズが切断されることがな
い充分な距離Ｌに設定される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、従来の非常
保護回路では、温度ヒューズが用いられていたため、温
度ヒューズが切断されると、温度ヒューズを交換する以
外に復旧できない等の問題点があった。また、温度ヒュ
ーズは、基板への搭載時に半田付けを行う場合に、半田
付け時の熱のために切断されることを防止するために温
度ヒューズと半田付け部分とを離して設ける必要があ
り、取り付けスペースが必要となるので、小型化の妨げ
となっていた。
保護回路では、温度ヒューズが用いられていたため、温
度ヒューズが切断されると、温度ヒューズを交換する以
外に復旧できない等の問題点があった。また、温度ヒュ
ーズは、基板への搭載時に半田付けを行う場合に、半田
付け時の熱のために切断されることを防止するために温
度ヒューズと半田付け部分とを離して設ける必要があ
り、取り付けスペースが必要となるので、小型化の妨げ
となっていた。
【０００７】本発明は上記の点に鑑みてなされたもの
で、小型で、復帰可能な非常保護回路及び温度検出回路
を提供することを目的とする。
で、小型で、復帰可能な非常保護回路及び温度検出回路
を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１は、制
御信号に応じて電流の供給を制御するスイッチング素子
を有する非常保護回路において、前記スイッチング素子
の周囲の温度に応じて前記制御信号を制御する温度検出
回路を有することを特徴とする。
御信号に応じて電流の供給を制御するスイッチング素子
を有する非常保護回路において、前記スイッチング素子
の周囲の温度に応じて前記制御信号を制御する温度検出
回路を有することを特徴とする。
【０００９】請求項１によれば、温度検出回路により周
囲の温度に応じて制御信号を制御してスイッチング素子
をスイッチングさせることにより、容易に復帰が可能と
なる。請求項２は、請求項１において、前記温度検出回
路が、温度に応じてスイッチングする温度検出素子と、
前記温度検出素子の電位に応じてスイッチングされ、前
記制御信号を反転させる出力トランジスタと、前記温度
検出素子の電位に応じて起動し、前記出力トランジスタ
から出力する前記制御信号をラッチするラッチ回路とを
有することを特徴とする。
囲の温度に応じて制御信号を制御してスイッチング素子
をスイッチングさせることにより、容易に復帰が可能と
なる。請求項２は、請求項１において、前記温度検出回
路が、温度に応じてスイッチングする温度検出素子と、
前記温度検出素子の電位に応じてスイッチングされ、前
記制御信号を反転させる出力トランジスタと、前記温度
検出素子の電位に応じて起動し、前記出力トランジスタ
から出力する前記制御信号をラッチするラッチ回路とを
有することを特徴とする。
【００１０】請求項２によれば、温度検出素子により温
度の上昇が検出されると、制御信号は反転し、出力トラ
ンジスタをオフして、駆動電源がオフされるまで、ラッ
チされるため、周囲温度が低下しても制御信号の状態は
そのまま保持され、出力トランジスタをオフのまま維持
するので、温度ヒューズと同様に扱え、また、駆動電源
をオフすると、容易に復帰することができるので、温度
ヒューズなどのように交換する必要がなく、扱いが容易
となる。
度の上昇が検出されると、制御信号は反転し、出力トラ
ンジスタをオフして、駆動電源がオフされるまで、ラッ
チされるため、周囲温度が低下しても制御信号の状態は
そのまま保持され、出力トランジスタをオフのまま維持
するので、温度ヒューズと同様に扱え、また、駆動電源
をオフすると、容易に復帰することができるので、温度
ヒューズなどのように交換する必要がなく、扱いが容易
となる。
【００１１】請求項３は、請求項２において、前記ラッ
チ回路が、前記温度検出素子に並列にコレクタ−エミッ
タが接続された第１のトランジスタと、第１及び第２の
抵抗よりなり、該第１及び第２の抵抗の接続点が前記第
１のトランジスタのベースに接続された分圧手段と、前
記温度検出素子がベースに接続され、コレクタが前記分
圧手段に接続され、エミッタに電源が接続された第２の
トランジスタとを有することを特徴とする。
チ回路が、前記温度検出素子に並列にコレクタ−エミッ
タが接続された第１のトランジスタと、第１及び第２の
抵抗よりなり、該第１及び第２の抵抗の接続点が前記第
１のトランジスタのベースに接続された分圧手段と、前
記温度検出素子がベースに接続され、コレクタが前記分
圧手段に接続され、エミッタに電源が接続された第２の
トランジスタとを有することを特徴とする。
【００１２】請求項３によれば、温度検出素子により温
度の上昇が検出されると、第２のトランジスタがオンす
る。第２のトランジスタがオンすると、分圧手段に電流
が供給される。分圧手段に電流が供給されると、第１の
トランジスタのベースにオン信号が供給され、第１のト
ランジスタがオンする。第１のトランジスタがオンする
ことにより、温度検出素子のスイッチングの状態によら
ず、出力トランジスタ及び第２のトランジスタのベース
から電流が引き込まれ、出力トランジスタをオン状態に
保持する。
度の上昇が検出されると、第２のトランジスタがオンす
る。第２のトランジスタがオンすると、分圧手段に電流
が供給される。分圧手段に電流が供給されると、第１の
トランジスタのベースにオン信号が供給され、第１のト
ランジスタがオンする。第１のトランジスタがオンする
ことにより、温度検出素子のスイッチングの状態によら
ず、出力トランジスタ及び第２のトランジスタのベース
から電流が引き込まれ、出力トランジスタをオン状態に
保持する。
【００１３】このように、温度検出素子により温度の上
昇が検出されると、制御信号は反転し、出力トランジス
タをオフして、駆動電源がオフされるまで、ラッチされ
るため、周囲温度が低下しても制御信号の状態はそのま
ま保持され、出力トランジスタをオフのまま維持するの
で、温度ヒューズと同様に扱え、また、駆動電源をオフ
すると、容易に復帰することができ、温度ヒューズなど
のように交換する必要がなく、扱いが容易となる。
昇が検出されると、制御信号は反転し、出力トランジス
タをオフして、駆動電源がオフされるまで、ラッチされ
るため、周囲温度が低下しても制御信号の状態はそのま
ま保持され、出力トランジスタをオフのまま維持するの
で、温度ヒューズと同様に扱え、また、駆動電源をオフ
すると、容易に復帰することができ、温度ヒューズなど
のように交換する必要がなく、扱いが容易となる。
【００１４】請求項４は、請求項３において、前記分圧
手段と、前記第２のトランジスタのコレクタとの間に、
直列に接続され、前記分圧手段への電流の供給をスイッ
チングするＰＮ接合素子を有することを特徴とする。請
求項４によれば、第２のトランジスタのコレクタとの間
に、直列にＰＮ接合素子を接続することにより、分圧手
段に供給する電流をスイッチング的に供給することがで
きるので、第１のトランジスタの駆動をスイッチング的
に制御でき、スイッチング素子を確実に制御できる。
手段と、前記第２のトランジスタのコレクタとの間に、
直列に接続され、前記分圧手段への電流の供給をスイッ
チングするＰＮ接合素子を有することを特徴とする。請
求項４によれば、第２のトランジスタのコレクタとの間
に、直列にＰＮ接合素子を接続することにより、分圧手
段に供給する電流をスイッチング的に供給することがで
きるので、第１のトランジスタの駆動をスイッチング的
に制御でき、スイッチング素子を確実に制御できる。
【００１５】請求項５は、温度に応じて出力信号を反転
する温度検出回路において、温度に応じてスイッチング
する温度検出素子と、前記温度検出素子の電位に応じて
スイッチングされ、該出力信号を反転させる出力トラン
ジスタと、前記温度検出素子の電位に応じて起動し、前
記出力トランジスタの出力信号をラッチするラッチ回路
とを有することを特徴とする。
する温度検出回路において、温度に応じてスイッチング
する温度検出素子と、前記温度検出素子の電位に応じて
スイッチングされ、該出力信号を反転させる出力トラン
ジスタと、前記温度検出素子の電位に応じて起動し、前
記出力トランジスタの出力信号をラッチするラッチ回路
とを有することを特徴とする。
【００１６】請求項５によれば、温度検出素子により温
度の上昇が検出されると、制御信号は反転し、出力トラ
ンジスタをオフして、駆動電源がオフされるまで、ラッ
チされるため、周囲温度が低下しても制御信号の状態は
そのまま保持され、出力トランジスタをオフのまま維持
するので、温度ヒューズと同様に扱え、また、駆動電源
をオフすると、容易に復帰することができるので、温度
ヒューズなどのように交換する必要がなく、扱いが容易
となる。
度の上昇が検出されると、制御信号は反転し、出力トラ
ンジスタをオフして、駆動電源がオフされるまで、ラッ
チされるため、周囲温度が低下しても制御信号の状態は
そのまま保持され、出力トランジスタをオフのまま維持
するので、温度ヒューズと同様に扱え、また、駆動電源
をオフすると、容易に復帰することができるので、温度
ヒューズなどのように交換する必要がなく、扱いが容易
となる。
【００１７】請求項６は、請求項５において、前記ラッ
チ回路は、前記温度検出素子に並列にコレクタ−エミッ
タが接続された第１のトランジスタと、第１及び第２の
抵抗よりなり、該第１及び第２の抵抗の接続点が前記第
１のトランジスタのベースに接続された分圧手段と、前
記温度検出素子がベースに接続され、コレクタが前記分
圧手段に接続され、エミッタに電源が接続された第２の
トランジスタとを有することを特徴とする。
チ回路は、前記温度検出素子に並列にコレクタ−エミッ
タが接続された第１のトランジスタと、第１及び第２の
抵抗よりなり、該第１及び第２の抵抗の接続点が前記第
１のトランジスタのベースに接続された分圧手段と、前
記温度検出素子がベースに接続され、コレクタが前記分
圧手段に接続され、エミッタに電源が接続された第２の
トランジスタとを有することを特徴とする。
【００１８】請求項６によれば、温度検出素子により温
度の上昇が検出されると、第２のトランジスタがオンす
る。第２のトランジスタがオンすると、分圧手段に電流
が供給される。分圧手段に電流が供給されると、第１の
トランジスタのベースにオン信号が供給され、第１のト
ランジスタがオンする。第１のトランジスタがオンする
ことにより、温度検出素子のスイッチングの状態によら
ず、出力トランジスタ及び第２のトランジスタのベース
から電流が引き込まれ、出力トランジスタをオン状態に
保持する。
度の上昇が検出されると、第２のトランジスタがオンす
る。第２のトランジスタがオンすると、分圧手段に電流
が供給される。分圧手段に電流が供給されると、第１の
トランジスタのベースにオン信号が供給され、第１のト
ランジスタがオンする。第１のトランジスタがオンする
ことにより、温度検出素子のスイッチングの状態によら
ず、出力トランジスタ及び第２のトランジスタのベース
から電流が引き込まれ、出力トランジスタをオン状態に
保持する。
【００１９】このように、温度検出素子により温度の上
昇が検出されると、制御信号は反転し、出力トランジス
タをオフして、駆動電源がオフされるまで、ラッチされ
るため、周囲温度が低下しても制御信号の状態はそのま
ま保持され、出力トランジスタをオフのまま維持するの
で、温度ヒューズと同様に扱え、また、駆動電源をオフ
すると、容易に復帰することができるので、温度ヒュー
ズなどのように交換する必要がなく、扱いが容易とな
る。
昇が検出されると、制御信号は反転し、出力トランジス
タをオフして、駆動電源がオフされるまで、ラッチされ
るため、周囲温度が低下しても制御信号の状態はそのま
ま保持され、出力トランジスタをオフのまま維持するの
で、温度ヒューズと同様に扱え、また、駆動電源をオフ
すると、容易に復帰することができるので、温度ヒュー
ズなどのように交換する必要がなく、扱いが容易とな
る。
【００２０】請求項７は、請求項６において、前記分圧
手段と、前記第２のトランジスタのコレクタとの間に、
直列に接続され、前記分圧手段への電流の供給をスイッ
チングするＰＮ接合素子を有することを特徴とする。請
求項７によれば、第２のトランジスタのコレクタとの間
に、直列にＰＮ接合素子を接続することにより、分圧手
段に供給する電流をスイッチング的に供給することがで
きるので、第１のトランジスタの駆動をスイッチング的
に制御でき、制御信号をスイッチング的な信号にでき
る。
手段と、前記第２のトランジスタのコレクタとの間に、
直列に接続され、前記分圧手段への電流の供給をスイッ
チングするＰＮ接合素子を有することを特徴とする。請
求項７によれば、第２のトランジスタのコレクタとの間
に、直列にＰＮ接合素子を接続することにより、分圧手
段に供給する電流をスイッチング的に供給することがで
きるので、第１のトランジスタの駆動をスイッチング的
に制御でき、制御信号をスイッチング的な信号にでき
る。
【００２１】
【発明の実施の形態】図１に本発明の一実施例のブロッ
ク構成図を示す。本実施例は、充電可能なリチウムイオ
ン電池ユニットに適用した例を示す。本実施例のリチウ
ムイオン電池ユニット１は、主に、リチウムイオン電池
２、リチウムイオン電池２への充電を制御する充電制御
ＩＣ３、充放電を制御する充放電制御トランジスタＱ1
、Ｑ2 、温度ヒューズ４、温度検出回路５、６から構
成される。
ク構成図を示す。本実施例は、充電可能なリチウムイオ
ン電池ユニットに適用した例を示す。本実施例のリチウ
ムイオン電池ユニット１は、主に、リチウムイオン電池
２、リチウムイオン電池２への充電を制御する充電制御
ＩＣ３、充放電を制御する充放電制御トランジスタＱ1
、Ｑ2 、温度ヒューズ４、温度検出回路５、６から構
成される。
【００２２】リチウムイオン電池ユニット１には、電源
電圧が印加される電源端子Ｔ+ 、Ｔ- が設けられてい
る。電源端子Ｔ+ には、電源から電圧＋Ｂが印加され、
電源端子Ｔ- には、電源から電圧−Ｂが印加される。電
源端子Ｔ+ は、リチウムイオン電池２の正電極が接続さ
れる。また、電源端子Ｔ+ は、フィルタ７、８を介して
充電制御ＩＣ３の入力端子ｔ7 、ｔ8 に接続される。ま
た、電源端子Ｔ- は、温度ヒューズ４、制御トランジス
タＱ1 、Ｑ2を介してリチウムイオン電池２の負電極、
及び、充電制御ＩＣ３のグランド端子ｔ1 に接続され
る。
電圧が印加される電源端子Ｔ+ 、Ｔ- が設けられてい
る。電源端子Ｔ+ には、電源から電圧＋Ｂが印加され、
電源端子Ｔ- には、電源から電圧−Ｂが印加される。電
源端子Ｔ+ は、リチウムイオン電池２の正電極が接続さ
れる。また、電源端子Ｔ+ は、フィルタ７、８を介して
充電制御ＩＣ３の入力端子ｔ7 、ｔ8 に接続される。ま
た、電源端子Ｔ- は、温度ヒューズ４、制御トランジス
タＱ1 、Ｑ2を介してリチウムイオン電池２の負電極、
及び、充電制御ＩＣ３のグランド端子ｔ1 に接続され
る。
【００２３】制御トランジスタＱ1 は、放電制御を行う
トランジスタで、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ（Feild Effe
ct Transistor ）から構成される。制御トランジスタＱ
1 は、ソースがリチウムイオン電池２の負電極に接続さ
れ、ドレインが制御トランジスタＱ2 のドレインに接続
され、ゲートが充電制御ＩＣ３の放電制御端子ｔ2 に接
続される。
トランジスタで、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ（Feild Effe
ct Transistor ）から構成される。制御トランジスタＱ
1 は、ソースがリチウムイオン電池２の負電極に接続さ
れ、ドレインが制御トランジスタＱ2 のドレインに接続
され、ゲートが充電制御ＩＣ３の放電制御端子ｔ2 に接
続される。
【００２４】また、制御トランジスタＱ2 は、充電制御
を行うトランジスタで、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ（Feil
d Effect Transistor ）から構成される。制御トランジ
スタＱ2 は、ソースが温度ヒューズ４を介して電源端子
Ｔ- に接続され、ドレインが制御トランジスタＱ1 のド
レインに接続され、ゲートが駆動回路９を充電制御ＩＣ
３の充電制御端子ｔ4 に接続される。
を行うトランジスタで、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ（Feil
d Effect Transistor ）から構成される。制御トランジ
スタＱ2 は、ソースが温度ヒューズ４を介して電源端子
Ｔ- に接続され、ドレインが制御トランジスタＱ1 のド
レインに接続され、ゲートが駆動回路９を充電制御ＩＣ
３の充電制御端子ｔ4 に接続される。
【００２５】充電制御ＩＣ３は、主に、過放電検出回路
１０、放電不感応時間設定回路１１、過電流検出回路１
２、ヒステリシス設定回路１３、過充電検出回路１４、
充電不感応時間設定回路１５から構成される。充電制御
ＩＣ３の電源端子ｔ7 には、フィルタ７を介してリチウ
ムイオン電池２、又は、電源端子Ｔ+ から駆動電源が供
給される。充電制御ＩＣ３は、端子ｔ7 に供給される電
源に応じて駆動される。フィルタ７は、抵抗Ｒ1 及びコ
ンデンサＣ1 によりローパスフィルタを構成しており、
リチウムイオン電池２、又は、電源端子Ｔ+ の電圧の変
動を吸収して電源端子ｔ7 に駆動電圧Ｖccとして供給す
る。
１０、放電不感応時間設定回路１１、過電流検出回路１
２、ヒステリシス設定回路１３、過充電検出回路１４、
充電不感応時間設定回路１５から構成される。充電制御
ＩＣ３の電源端子ｔ7 には、フィルタ７を介してリチウ
ムイオン電池２、又は、電源端子Ｔ+ から駆動電源が供
給される。充電制御ＩＣ３は、端子ｔ7 に供給される電
源に応じて駆動される。フィルタ７は、抵抗Ｒ1 及びコ
ンデンサＣ1 によりローパスフィルタを構成しており、
リチウムイオン電池２、又は、電源端子Ｔ+ の電圧の変
動を吸収して電源端子ｔ7 に駆動電圧Ｖccとして供給す
る。
【００２６】充電制御ＩＣ３の電圧検出端子ｔ8 には、
電源端子ｔ7 と同様に、フィルタ８を介してリチウムイ
オン電池２、又は、電源端子Ｔ+ から駆動電源が供給さ
れる。電圧検出端子ｔ8 は、過放電検出回路１０、及
び、過充電検出回路１４に検出電圧として供給される。
過放電検出回路１０は、電圧検出端子ｔ8 の電圧が所定
の電圧以上、例えば、２．３〔Ｖ〕以上であると、放電
不感応時間設定回路１１に起動信号を供給する。放電不
感応時間設定回路１１は、過放電検出回路１０から起動
信号が供給されると、過電流検出回路１２により不感応
時間が設定される。放電不感応時間設定回路１１は、設
定された不感応時間だけ遅延した後、放電制御端子ｔ2
をハイレベルとする。放電制御端子ｔ2 がハイレベルに
なると、放電制御トランジスタＱ1 がオンになり、放電
が可能とされる。
電源端子ｔ7 と同様に、フィルタ８を介してリチウムイ
オン電池２、又は、電源端子Ｔ+ から駆動電源が供給さ
れる。電圧検出端子ｔ8 は、過放電検出回路１０、及
び、過充電検出回路１４に検出電圧として供給される。
過放電検出回路１０は、電圧検出端子ｔ8 の電圧が所定
の電圧以上、例えば、２．３〔Ｖ〕以上であると、放電
不感応時間設定回路１１に起動信号を供給する。放電不
感応時間設定回路１１は、過放電検出回路１０から起動
信号が供給されると、過電流検出回路１２により不感応
時間が設定される。放電不感応時間設定回路１１は、設
定された不感応時間だけ遅延した後、放電制御端子ｔ2
をハイレベルとする。放電制御端子ｔ2 がハイレベルに
なると、放電制御トランジスタＱ1 がオンになり、放電
が可能とされる。
【００２７】また、過放電検出回路１０は、電圧検出端
子ｔ8 の電圧が所定の電圧以下、例えば、２．３〔Ｖ〕
以下になると、放電不感応時間設定回路１１の不感応時
間を解除する。放電不感応時間設定回路１１は、過放電
検出回路１０からの起動信号が解除されると、放電不感
応時間設定回路１１は、設定された不感応時間だけ遅延
した後、放電制御端子ｔ2 をローレベルとする。放電制
御端子ｔ2 がローレベルになると、放電制御トランジス
タＱ1 がオフして、放電が停止される。
子ｔ8 の電圧が所定の電圧以下、例えば、２．３〔Ｖ〕
以下になると、放電不感応時間設定回路１１の不感応時
間を解除する。放電不感応時間設定回路１１は、過放電
検出回路１０からの起動信号が解除されると、放電不感
応時間設定回路１１は、設定された不感応時間だけ遅延
した後、放電制御端子ｔ2 をローレベルとする。放電制
御端子ｔ2 がローレベルになると、放電制御トランジス
タＱ1 がオフして、放電が停止される。
【００２８】また、充電制御ＩＣ３の電源端子ｔ7 、電
圧検出端子ｔ8 には、フィルタ７、８を介して電源電圧
Ｂ+ が印加される。フィルタ７、８は、抵抗Ｒ0 、Ｒ1
及びコンデンサＣ0 、Ｃ1 から構成される。さらに、過
電流検出端子ｔ3 は、抵抗Ｒ2 を介して、放電制御トラ
ンジスタＱ1 のドレインに接続される。また、遅延タイ
ミング設定端子ｔ6 には、コンデンサＣ2 が接続され、
コンデンサＣ2 の容量に応じて不感応時間設定回路１５
の不感応時間が設定される。
圧検出端子ｔ8 には、フィルタ７、８を介して電源電圧
Ｂ+ が印加される。フィルタ７、８は、抵抗Ｒ0 、Ｒ1
及びコンデンサＣ0 、Ｃ1 から構成される。さらに、過
電流検出端子ｔ3 は、抵抗Ｒ2 を介して、放電制御トラ
ンジスタＱ1 のドレインに接続される。また、遅延タイ
ミング設定端子ｔ6 には、コンデンサＣ2 が接続され、
コンデンサＣ2 の容量に応じて不感応時間設定回路１５
の不感応時間が設定される。
【００２９】また、充電制御ＩＣ３の充電制御端子ｔ4
は、駆動回路９を介して充電制御トランジスタＱ2 のゲ
ートに接続される。駆動回路９は、ＮＰＮトランジスタ
ＱD2、抵抗Ｒ3 〜Ｒ5 から構成される。充電制御ＩＣ３
の充電制御端子ｔ4 から出力された充電制御信号は、抵
抗Ｒ4、Ｒ5 により分圧されて、トランジスタＱD2のベ
ースに供給される。トランジスタＱD2は、充電制御端子
ｔ4 から出力された充電制御信号がハイレベルのときに
オンして、充電制御トランジスタＱ2 のゲートから充電
制御信号を接地に引き込む。
は、駆動回路９を介して充電制御トランジスタＱ2 のゲ
ートに接続される。駆動回路９は、ＮＰＮトランジスタ
ＱD2、抵抗Ｒ3 〜Ｒ5 から構成される。充電制御ＩＣ３
の充電制御端子ｔ4 から出力された充電制御信号は、抵
抗Ｒ4、Ｒ5 により分圧されて、トランジスタＱD2のベ
ースに供給される。トランジスタＱD2は、充電制御端子
ｔ4 から出力された充電制御信号がハイレベルのときに
オンして、充電制御トランジスタＱ2 のゲートから充電
制御信号を接地に引き込む。
【００３０】また、トランジスタＱD2は、充電制御端子
ｔ4 から出力された充電制御信号がローレベルのときに
オフする。トランジスタＱD2がオフすることにより、充
電制御トランジスタＱ2 のゲートには、電源端子Ｔ+ か
ら抵抗Ｒ3 を介して電流が供給される。このため、充電
制御トランジスタＱ2 のゲートは、ハイレベルになり、
充電制御トランジスタＱ2 はオンする。
ｔ4 から出力された充電制御信号がローレベルのときに
オフする。トランジスタＱD2がオフすることにより、充
電制御トランジスタＱ2 のゲートには、電源端子Ｔ+ か
ら抵抗Ｒ3 を介して電流が供給される。このため、充電
制御トランジスタＱ2 のゲートは、ハイレベルになり、
充電制御トランジスタＱ2 はオンする。
【００３１】温度検出回路５は、駆動回路１６を介して
放電制御トランジスタＱD1のゲートに接続される。駆動
回路１６は、ＮＰＮトランジスタＱD1及び抵抗Ｒ6 から
構成される。温度検出回路５の出力信号は、トランジス
タＱD1のベースに供給される。トランジスタＱD1のベー
スは抵抗Ｒ6 を放電制御トランジスタＱ1 のソース側に
接続されている。
放電制御トランジスタＱD1のゲートに接続される。駆動
回路１６は、ＮＰＮトランジスタＱD1及び抵抗Ｒ6 から
構成される。温度検出回路５の出力信号は、トランジス
タＱD1のベースに供給される。トランジスタＱD1のベー
スは抵抗Ｒ6 を放電制御トランジスタＱ1 のソース側に
接続されている。
【００３２】駆動回路１６は、温度検出回路５の出力信
号がローレベルのときは、トランジスタＱD1はオフする
ので、放電制御トランジスタＱ1 のゲートには充電制御
ＩＣ３の放電制御端子ｔ2 から放電制御信号が供給さ
れ、放電制御トランジスタＱ1は、放電制御信号に応じ
てスイッチングされる。また、駆動回路１６は、温度検
出回路５の出力信号がハイレベルのときは、トランジス
タＱD1がオンするので、充電制御ＩＣ３の放電制御端子
ｔ2 から出力された放電制御信号はトランジスタＱD1を
介して放電制御トランジスタＱ1 のソース側に供給され
てしまうので、放電制御トランジスタＱ1 のゲートは、
放電制御信号によらず、ローレベルとされ、放電制御ト
ランジスタＱ1 はオフされる。
号がローレベルのときは、トランジスタＱD1はオフする
ので、放電制御トランジスタＱ1 のゲートには充電制御
ＩＣ３の放電制御端子ｔ2 から放電制御信号が供給さ
れ、放電制御トランジスタＱ1は、放電制御信号に応じ
てスイッチングされる。また、駆動回路１６は、温度検
出回路５の出力信号がハイレベルのときは、トランジス
タＱD1がオンするので、充電制御ＩＣ３の放電制御端子
ｔ2 から出力された放電制御信号はトランジスタＱD1を
介して放電制御トランジスタＱ1 のソース側に供給され
てしまうので、放電制御トランジスタＱ1 のゲートは、
放電制御信号によらず、ローレベルとされ、放電制御ト
ランジスタＱ1 はオフされる。
【００３３】温度検出回路６は、駆動回路９を介して充
電制御トランジスタＱ2 のゲートに接続される。駆動回
路９は、温度検出回路６の出力信号がローレベルのとき
は、放電制御トランジスタＱ1 のゲートには充電制御Ｉ
Ｃ３の放電制御端子ｔ2 から放電制御信号が供給され、
放電制御トランジスタＱ1 は、放電制御信号に応じてス
イッチングされる。
電制御トランジスタＱ2 のゲートに接続される。駆動回
路９は、温度検出回路６の出力信号がローレベルのとき
は、放電制御トランジスタＱ1 のゲートには充電制御Ｉ
Ｃ３の放電制御端子ｔ2 から放電制御信号が供給され、
放電制御トランジスタＱ1 は、放電制御信号に応じてス
イッチングされる。
【００３４】また、駆動回路９は、温度検出回路６の出
力信号がハイレベルのときは、トランジスタＱD2が充電
制御ＩＣ３の充電制御端子ｔ4 から出力された放電制御
信号によらずオンするため、放電制御トランジスタＱ2
のゲートは、ローレベルとされ、放電制御トランジスタ
Ｑ2 はオフする。ここで、温度検出回路５、６について
詳細に説明する。
力信号がハイレベルのときは、トランジスタＱD2が充電
制御ＩＣ３の充電制御端子ｔ4 から出力された放電制御
信号によらずオンするため、放電制御トランジスタＱ2
のゲートは、ローレベルとされ、放電制御トランジスタ
Ｑ2 はオフする。ここで、温度検出回路５、６について
詳細に説明する。
【００３５】図２に本発明の一実施例の温度検出回路の
回路構成図を示す。温度検出回路５、６は、抵抗Ｒ11〜
Ｒ14、ＮＰＮトランジスタＱ11、Ｑ12、ＰＮＰトランジ
スタＱ13、Ｑ14、ダイオードＤ11から構成される。抵抗
Ｒ11及びトランジスタＱ11は、電源電圧Ｖccに対して直
列に接続される。トランジスタＱ11は、温度検出素子に
相当する。トランジスタＱ11のコレクタには、抵抗Ｒ11
を介して電源電圧Ｖccが印加される。また、トランジス
タＱ11のエミッタは、接地に接続される。さらに、トラ
ンジスタＱ11のベースは、開放状態とされる。
回路構成図を示す。温度検出回路５、６は、抵抗Ｒ11〜
Ｒ14、ＮＰＮトランジスタＱ11、Ｑ12、ＰＮＰトランジ
スタＱ13、Ｑ14、ダイオードＤ11から構成される。抵抗
Ｒ11及びトランジスタＱ11は、電源電圧Ｖccに対して直
列に接続される。トランジスタＱ11は、温度検出素子に
相当する。トランジスタＱ11のコレクタには、抵抗Ｒ11
を介して電源電圧Ｖccが印加される。また、トランジス
タＱ11のエミッタは、接地に接続される。さらに、トラ
ンジスタＱ11のベースは、開放状態とされる。
【００３６】図３に本発明の一実施例の温度検出素子の
温度に応じたコレクタ電流の特性図を示す。トランジス
タＱ11のコレクタ電流Ｉc は、一般に図３に示すように
温度が略１００℃以下で略０〔Ａ〕で、１００〜１１０
℃で急激に増加する特性を持っている。
温度に応じたコレクタ電流の特性図を示す。トランジス
タＱ11のコレクタ電流Ｉc は、一般に図３に示すように
温度が略１００℃以下で略０〔Ａ〕で、１００〜１１０
℃で急激に増加する特性を持っている。
【００３７】このため、温度が１００℃以下では、トラ
ンジスタＱ11はオフ状態であり、抵抗Ｒ11とトランジス
タＱ11との接続点の電位はハイレベルとなる。温度が１
００℃以上では、トランジスタＱ11はオン状態となり、
抵抗Ｒ11とトランジスタＱ11との接続点の電位はローレ
ベルとなる。抵抗Ｒ11とトランジスタＱ11との接続点
は、ＰＮＰトランジスタＱ13、Ｑ14のベースに接続され
る。
ンジスタＱ11はオフ状態であり、抵抗Ｒ11とトランジス
タＱ11との接続点の電位はハイレベルとなる。温度が１
００℃以上では、トランジスタＱ11はオン状態となり、
抵抗Ｒ11とトランジスタＱ11との接続点の電位はローレ
ベルとなる。抵抗Ｒ11とトランジスタＱ11との接続点
は、ＰＮＰトランジスタＱ13、Ｑ14のベースに接続され
る。
【００３８】トランジスタＱ13は、特許請求の範囲の第
２のトランジスタに相当し、エミッタに電源電圧Ｖccが
印加され、コレクタはダイオードＤ11のアノードに接続
される。トランジスタＱ13は、抵抗Ｒ11とトランジスタ
Ｑ11との接続点の電位がハイレベルでオフし、ローレベ
ルでオンする。トランジスタＱ14は、特許請求の範囲の
出力トランジスタに相当し、エミッタに電源電圧Ｖccが
印加され、コレクタが出力端子となる。トランジスタＱ
14は、トランジスタＱ13と同様に抵抗Ｒ11とトランジス
タＱ11との接続点の電位がハイレベルでオフし、ローレ
ベルでオンする。
２のトランジスタに相当し、エミッタに電源電圧Ｖccが
印加され、コレクタはダイオードＤ11のアノードに接続
される。トランジスタＱ13は、抵抗Ｒ11とトランジスタ
Ｑ11との接続点の電位がハイレベルでオフし、ローレベ
ルでオンする。トランジスタＱ14は、特許請求の範囲の
出力トランジスタに相当し、エミッタに電源電圧Ｖccが
印加され、コレクタが出力端子となる。トランジスタＱ
14は、トランジスタＱ13と同様に抵抗Ｒ11とトランジス
タＱ11との接続点の電位がハイレベルでオフし、ローレ
ベルでオンする。
【００３９】ダイオードＤ11は、特許請求の範囲のＰＮ
接合素子に対応し、アノードがトランジスタＱ13のコレ
クタに接続され、カソードが抵抗Ｒ13、Ｒ14を介して接
地に接続される。抵抗Ｒ13、Ｒ14は、特許請求の範囲の
分圧手段に対応し、抵抗Ｒ13は、特許請求の範囲の第１
の抵抗、抵抗Ｒ14は、特許請求の範囲の第２の抵抗に相
当する。抵抗Ｒ13、Ｒ14との接続点は、トランジスタＱ
12のベースに接続される。
接合素子に対応し、アノードがトランジスタＱ13のコレ
クタに接続され、カソードが抵抗Ｒ13、Ｒ14を介して接
地に接続される。抵抗Ｒ13、Ｒ14は、特許請求の範囲の
分圧手段に対応し、抵抗Ｒ13は、特許請求の範囲の第１
の抵抗、抵抗Ｒ14は、特許請求の範囲の第２の抵抗に相
当する。抵抗Ｒ13、Ｒ14との接続点は、トランジスタＱ
12のベースに接続される。
【００４０】トランジスタＱ12は、特許請求の範囲の第
１のトランジスタに相当し、コレクタが抵抗Ｒ12を介し
てトランジスタＱ11のコレクタに接続され、エミッタが
接地される。上記トランジスタＱ12、Ｑ13、ダイオード
Ｄ11、抵抗Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14によりラッチ回路が構成さ
れる。なお、トランジスタＱ12、Ｑ13、ダイオードＤ1
1、抵抗Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14から構成されるラッチ回路
は、特許請求の範囲のラッチ回路に相当する。
１のトランジスタに相当し、コレクタが抵抗Ｒ12を介し
てトランジスタＱ11のコレクタに接続され、エミッタが
接地される。上記トランジスタＱ12、Ｑ13、ダイオード
Ｄ11、抵抗Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14によりラッチ回路が構成さ
れる。なお、トランジスタＱ12、Ｑ13、ダイオードＤ1
1、抵抗Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14から構成されるラッチ回路
は、特許請求の範囲のラッチ回路に相当する。
【００４１】次に、温度検出回路５、６の動作を説明す
る。まず、周囲温度が１００℃以下では、温度検出素子
であるトランジスタＱ11がオフ状態であるので、トラン
ジスタＱ13、Ｑ14のベース電位はハイレベルとなる。ト
ランジスタＱ13、Ｑ14は、ＰＮＰトランジスタであり、
ベース電位がハイレベルのときは、オフとなる。
る。まず、周囲温度が１００℃以下では、温度検出素子
であるトランジスタＱ11がオフ状態であるので、トラン
ジスタＱ13、Ｑ14のベース電位はハイレベルとなる。ト
ランジスタＱ13、Ｑ14は、ＰＮＰトランジスタであり、
ベース電位がハイレベルのときは、オフとなる。
【００４２】トランジスタＱ14がオフであるので、検出
温度出力端子Ｔtsはローレベルとなる。すなわち、温度
検出信号がローレベルとなる。なお、このとき、トラン
ジスタＱ13がオフであるので、抵抗Ｒ13、Ｒ14には電流
が供給されず、よって、抵抗Ｒ13、Ｒ14の接続点はロー
レベルとなる。トランジスタＲ13、Ｒ14の接続点がロー
レベルとなると、トランジスタＱ12のベース電位がロー
レベルとなるので、トランジスタＱ12はオフとなる。
温度出力端子Ｔtsはローレベルとなる。すなわち、温度
検出信号がローレベルとなる。なお、このとき、トラン
ジスタＱ13がオフであるので、抵抗Ｒ13、Ｒ14には電流
が供給されず、よって、抵抗Ｒ13、Ｒ14の接続点はロー
レベルとなる。トランジスタＲ13、Ｒ14の接続点がロー
レベルとなると、トランジスタＱ12のベース電位がロー
レベルとなるので、トランジスタＱ12はオフとなる。
【００４３】よって、トランジスタＱ11〜Ｑ14の全てが
オフとなるので、電流は消費されない。このため、低消
費電流で温度検出、制御を行える。また、周囲温度が１
００℃を越えると、まず、トランジスタＱ11がオンす
る。トランジスタＱ11がオンすると、トランジスタＱ1
3、Ｑ14のベース電位が低下する。
オフとなるので、電流は消費されない。このため、低消
費電流で温度検出、制御を行える。また、周囲温度が１
００℃を越えると、まず、トランジスタＱ11がオンす
る。トランジスタＱ11がオンすると、トランジスタＱ1
3、Ｑ14のベース電位が低下する。
【００４４】トランジスタＱ14のベース電位が低下する
と、トランジスタＱ14がオンする。トランジスタＱ14が
オンすると、検出温度出力端子Ｔtsに電流が供給され、
検出温度出力端子Ｔtsがハイレベルになる。トランジス
タＱ13もベース電位が低下すると、トランジスタＱ13が
オンする。トランジスタＱ13がオンすると、ダイオード
Ｄ11を介して抵抗Ｒ13、Ｒ14に電流が供給される。抵抗
Ｒ13、Ｒ14は、供給電流を電圧に変換して、トランジス
タＱ12のベースに供給し、トランジスタＱ12のベース電
位をハイレベルにする。
と、トランジスタＱ14がオンする。トランジスタＱ14が
オンすると、検出温度出力端子Ｔtsに電流が供給され、
検出温度出力端子Ｔtsがハイレベルになる。トランジス
タＱ13もベース電位が低下すると、トランジスタＱ13が
オンする。トランジスタＱ13がオンすると、ダイオード
Ｄ11を介して抵抗Ｒ13、Ｒ14に電流が供給される。抵抗
Ｒ13、Ｒ14は、供給電流を電圧に変換して、トランジス
タＱ12のベースに供給し、トランジスタＱ12のベース電
位をハイレベルにする。
【００４５】トランジスタＱ12はベース電位がハイレベ
ルになると、オンし、抵抗Ｒ12を介してトランジスタＱ
13、Ｑ14のベースから電流を引き込む。ここで、周囲温
度が１００℃より低下し、トランジスタＱ11がオフした
としても、トランジスタＱ12がオンであるので、トラン
ジスタＱ13、Ｑ14のベースからは依然として電流が引き
込まれる。よって、トランジスタＱ13、Ｑ14は、オン状
態に維持される。なお、このとき、トランジスタＱ13、
Ｑ14のオン状態は電源電圧Ｖccがオフとなるまで、維持
されることになる。
ルになると、オンし、抵抗Ｒ12を介してトランジスタＱ
13、Ｑ14のベースから電流を引き込む。ここで、周囲温
度が１００℃より低下し、トランジスタＱ11がオフした
としても、トランジスタＱ12がオンであるので、トラン
ジスタＱ13、Ｑ14のベースからは依然として電流が引き
込まれる。よって、トランジスタＱ13、Ｑ14は、オン状
態に維持される。なお、このとき、トランジスタＱ13、
Ｑ14のオン状態は電源電圧Ｖccがオフとなるまで、維持
されることになる。
【００４６】以上のように、温度検出回路５、６は、周
囲温度が１００℃以上になると、出力信号をハイレベル
に保持し、周囲温度が１００℃以下に低下しても、出力
信号をラッチし、ハイレベルに維持する。温度検出回路
５の出力信号は、駆動回路１６を介して制御トランジス
タＱD1のゲートに供給され、温度検出回路６の出力信号
は、駆動回路９を介して制御トランジスタＱD2のゲート
に供給される。
囲温度が１００℃以上になると、出力信号をハイレベル
に保持し、周囲温度が１００℃以下に低下しても、出力
信号をラッチし、ハイレベルに維持する。温度検出回路
５の出力信号は、駆動回路１６を介して制御トランジス
タＱD1のゲートに供給され、温度検出回路６の出力信号
は、駆動回路９を介して制御トランジスタＱD2のゲート
に供給される。
【００４７】放電制御トランジスタＱ1 は、温度検出回
路５の出力信号がローレベルのときには、駆動回路１６
を構成する駆動トランジスタＱD1のベースがローレベル
となるので、駆動トランジスタＱD1がオフして、充電制
御ＩＣ３の放電制御端子ｔ2から出力される放電制御信
号が放電制御トランジスタＱ1 のゲートに供給され、放
電制御信号に応じて放電制御トランジスタＱ1 が制御さ
れる。
路５の出力信号がローレベルのときには、駆動回路１６
を構成する駆動トランジスタＱD1のベースがローレベル
となるので、駆動トランジスタＱD1がオフして、充電制
御ＩＣ３の放電制御端子ｔ2から出力される放電制御信
号が放電制御トランジスタＱ1 のゲートに供給され、放
電制御信号に応じて放電制御トランジスタＱ1 が制御さ
れる。
【００４８】また、充電制御トランジスタＱ2 は、温度
検出回路６の出力信号がローレベルのときには、駆動回
路９の駆動トランジスタＱD2のベースがローレベルにな
るので、駆動トランジスタＱD2がオフして、充電制御Ｉ
Ｃ３の充電制御端子ｔ4 から出力される充電制御信号が
充電制御トランジスタＱ2 のゲートに供給され、充電制
御信号に応じて充電制御トランジスタＱ2 が制御され
る。
検出回路６の出力信号がローレベルのときには、駆動回
路９の駆動トランジスタＱD2のベースがローレベルにな
るので、駆動トランジスタＱD2がオフして、充電制御Ｉ
Ｃ３の充電制御端子ｔ4 から出力される充電制御信号が
充電制御トランジスタＱ2 のゲートに供給され、充電制
御信号に応じて充電制御トランジスタＱ2 が制御され
る。
【００４９】放電制御トランジスタＱ1 は、温度検出回
路５の出力信号がハイレベルのときには、駆動回路１６
を構成する駆動トランジスタＱD1のベースがハイレベル
となるので、駆動トランジスタＱD1がオンして、充電制
御ＩＣ３の放電制御端子ｔ2から出力される放電制御信
号を接地に供給する。このため、放電制御トランジスタ
Ｑ1 のゲートはローレベルとなり、放電制御トランジス
タＱ1 は放電制御端子ｔ2 から出力される放電制御信号
によらず、オフする。
路５の出力信号がハイレベルのときには、駆動回路１６
を構成する駆動トランジスタＱD1のベースがハイレベル
となるので、駆動トランジスタＱD1がオンして、充電制
御ＩＣ３の放電制御端子ｔ2から出力される放電制御信
号を接地に供給する。このため、放電制御トランジスタ
Ｑ1 のゲートはローレベルとなり、放電制御トランジス
タＱ1 は放電制御端子ｔ2 から出力される放電制御信号
によらず、オフする。
【００５０】また、充電制御トランジスタＱ2 は、温度
検出回路６の出力信号がハイレベルのときには、駆動回
路９を構成する駆動トランジスタＱD2のベースがハイレ
ベルとなるので、駆動トランジスタＱD2がオンして、充
電制御ＩＣ３の充電制御端子ｔ4 から出力される充電制
御信号を接地に供給する。このため、充電制御トランジ
スタＱ2 のゲートはローレベルとなり、充電制御トラン
ジスタＱ2 は充電制御端子ｔ4 から出力される充電制御
信号によらず、オフする。
検出回路６の出力信号がハイレベルのときには、駆動回
路９を構成する駆動トランジスタＱD2のベースがハイレ
ベルとなるので、駆動トランジスタＱD2がオンして、充
電制御ＩＣ３の充電制御端子ｔ4 から出力される充電制
御信号を接地に供給する。このため、充電制御トランジ
スタＱ2 のゲートはローレベルとなり、充電制御トラン
ジスタＱ2 は充電制御端子ｔ4 から出力される充電制御
信号によらず、オフする。
【００５１】本実施例によれば、温度が１００℃以下の
ときには、放電制御トランジスタＱ1 、充電制御トラン
ジスタＱ2 のゲートには、充電制御ＩＣ３の放電制御端
子ｔ2 、充電制御端子ｔ4 から充電制御信号、放電制御
信号が供給され、充電制御ＩＣ３による通常の制御動作
が実現され、また、温度が１００℃以上となると、温度
検出回路５、６により駆動回路１６、９が動作して、充
電制御ＩＣ３の放電制御端子ｔ2 、充電制御端子ｔ4 か
ら出力された充電制御信号、放電制御信号は接地に供給
され、充電制御信号、放電制御信号にかかわらず放電制
御トランジスタＱ1 、充電制御トランジスタＱ2 のゲー
トはローレベルとなり、放電制御トランジスタＱ1 、充
電制御トランジスタＱ2 はオフすることにより、電流を
遮断し、加熱を防止することができる。
ときには、放電制御トランジスタＱ1 、充電制御トラン
ジスタＱ2 のゲートには、充電制御ＩＣ３の放電制御端
子ｔ2 、充電制御端子ｔ4 から充電制御信号、放電制御
信号が供給され、充電制御ＩＣ３による通常の制御動作
が実現され、また、温度が１００℃以上となると、温度
検出回路５、６により駆動回路１６、９が動作して、充
電制御ＩＣ３の放電制御端子ｔ2 、充電制御端子ｔ4 か
ら出力された充電制御信号、放電制御信号は接地に供給
され、充電制御信号、放電制御信号にかかわらず放電制
御トランジスタＱ1 、充電制御トランジスタＱ2 のゲー
トはローレベルとなり、放電制御トランジスタＱ1 、充
電制御トランジスタＱ2 はオフすることにより、電流を
遮断し、加熱を防止することができる。
【００５２】このとき、温度検出回路５、６は、ラッチ
機能により温度が１００℃以上になった後、温度が１０
０℃以下になっても、温度検出回路５、６の出力信号
は、ハイレベルに保持され、放電制御トランジスタＱ1
、充電制御トランジスタＱ2 はオフに維持され、電源
電圧Ｖccが切断されるまで電流を遮断し続ける。よっ
て、温度ヒューズと同様な動作を実現でき、また、電源
電圧Ｖccを切断することにより容易に復帰させることが
でき、扱いが容易となる。
機能により温度が１００℃以上になった後、温度が１０
０℃以下になっても、温度検出回路５、６の出力信号
は、ハイレベルに保持され、放電制御トランジスタＱ1
、充電制御トランジスタＱ2 はオフに維持され、電源
電圧Ｖccが切断されるまで電流を遮断し続ける。よっ
て、温度ヒューズと同様な動作を実現でき、また、電源
電圧Ｖccを切断することにより容易に復帰させることが
でき、扱いが容易となる。
【００５３】なお、温度検出回路５、６の構成は、上記
の構成のものに限られるものではない。図４に本発明の
一実施例の温度検出回路の変形例の回路構成図を示す。
本変形例の温度検出回路５、６は、電源電圧Ｖccに対し
て抵抗Ｒ21、Ｒ22、ダイオードＤ21、Ｄ22を直列に接続
し、ダイオードＤ21、Ｄ22の温度に応じた電流の変化を
用いて、温度検出を行う。温度が上昇すると、ダイオー
ドＤ21、Ｄ22に流れる電流が増加する。
の構成のものに限られるものではない。図４に本発明の
一実施例の温度検出回路の変形例の回路構成図を示す。
本変形例の温度検出回路５、６は、電源電圧Ｖccに対し
て抵抗Ｒ21、Ｒ22、ダイオードＤ21、Ｄ22を直列に接続
し、ダイオードＤ21、Ｄ22の温度に応じた電流の変化を
用いて、温度検出を行う。温度が上昇すると、ダイオー
ドＤ21、Ｄ22に流れる電流が増加する。
【００５４】ダイオードＤ21、Ｄ22に流れる電流が増加
すると、トランジスタＱ21のベース電位が上昇する。ト
ランジスタＱ21のベース電位が上昇し、所定のレベルを
超えると、トランジスタＱ21がオンする。トランジスタ
Ｑ21がオンすると、トランジスタＱ22、Ｑ23のベースか
ら電流を引き込む。トランジスタＱ22、Ｑ23のベースか
ら電流が引き込まれると、トランジスタＱ22、Ｑ23がオ
ンする。
すると、トランジスタＱ21のベース電位が上昇する。ト
ランジスタＱ21のベース電位が上昇し、所定のレベルを
超えると、トランジスタＱ21がオンする。トランジスタ
Ｑ21がオンすると、トランジスタＱ22、Ｑ23のベースか
ら電流を引き込む。トランジスタＱ22、Ｑ23のベースか
ら電流が引き込まれると、トランジスタＱ22、Ｑ23がオ
ンする。
【００５５】トランジスタＱ22がオンすることにより、
ダイオードＤ21、Ｄ22にオン電流を供給し、トランジス
タＱ21をオン状態にラッチする。また、トランジスタＱ
23がオンすることにより、出力信号がハイレベルとな
る。なお、温度が所定温度より低下しても、トランジス
タＱ22のコレクタ電流によりダイオードＤ21、Ｄ22の電
流は、トランジスタＱ21をオンするのに充分な電流に維
持され、出力信号をハイレベルに保持する。すなわち、
ラッチ機能を有する。
ダイオードＤ21、Ｄ22にオン電流を供給し、トランジス
タＱ21をオン状態にラッチする。また、トランジスタＱ
23がオンすることにより、出力信号がハイレベルとな
る。なお、温度が所定温度より低下しても、トランジス
タＱ22のコレクタ電流によりダイオードＤ21、Ｄ22の電
流は、トランジスタＱ21をオンするのに充分な電流に維
持され、出力信号をハイレベルに保持する。すなわち、
ラッチ機能を有する。
【００５６】このとき、本実施例では、温度検出のた
め、ダイオードＤ1 、Ｄ2 にアイドル電流を供給する必
要があるので、消費電流が図２の温度検出回路に比べて
多くなる。なお、本実施例では、信頼性を向上するため
に、温度検出回路５、６に直列に温度ヒューズ４を接続
したが、温度ヒューズ４は必ずしも必要ではない。
め、ダイオードＤ1 、Ｄ2 にアイドル電流を供給する必
要があるので、消費電流が図２の温度検出回路に比べて
多くなる。なお、本実施例では、信頼性を向上するため
に、温度検出回路５、６に直列に温度ヒューズ４を接続
したが、温度ヒューズ４は必ずしも必要ではない。
【００５７】また、本実施例では、非常保護回路とし
て、リチウムイオン電池ユニット１に適用した例を説明
したが、制御トランジスタを有する構成であれば、これ
に限られるものではない。さらに、本実施例では、放電
制御トランジスタＱ1 側の温度検出回路５を充電制御Ｉ
Ｃ３とは別体で構成したが、充電制御ＩＣ３内に内蔵し
てもよい。また、このとき、駆動回路１６も充電制御Ｉ
Ｃ３内に内蔵する構成としてもよい。
て、リチウムイオン電池ユニット１に適用した例を説明
したが、制御トランジスタを有する構成であれば、これ
に限られるものではない。さらに、本実施例では、放電
制御トランジスタＱ1 側の温度検出回路５を充電制御Ｉ
Ｃ３とは別体で構成したが、充電制御ＩＣ３内に内蔵し
てもよい。また、このとき、駆動回路１６も充電制御Ｉ
Ｃ３内に内蔵する構成としてもよい。
【００５８】
【発明の効果】上述の如く、本発明の請求項１によれ
ば、温度検出回路により周囲の温度に応じて制御信号を
制御してスイッチング素子をスイッチングさせることに
より、容易に復帰が可能となる等の特長を有する。請求
項２によれば、温度検出素子により温度の上昇が検出さ
れると、制御信号は反転し、出力トランジスタをオフし
て、駆動電源がオフされるまで、ラッチされるため、周
囲温度が低下しても制御信号の状態はそのまま保持さ
れ、出力トランジスタをオフのまま維持するので、温度
ヒューズと同様に扱え、また、駆動電源をオフすると、
容易に復帰することができるので、温度ヒューズなどの
ように交換する必要がなく、扱いが容易となる等の特長
を有する。
ば、温度検出回路により周囲の温度に応じて制御信号を
制御してスイッチング素子をスイッチングさせることに
より、容易に復帰が可能となる等の特長を有する。請求
項２によれば、温度検出素子により温度の上昇が検出さ
れると、制御信号は反転し、出力トランジスタをオフし
て、駆動電源がオフされるまで、ラッチされるため、周
囲温度が低下しても制御信号の状態はそのまま保持さ
れ、出力トランジスタをオフのまま維持するので、温度
ヒューズと同様に扱え、また、駆動電源をオフすると、
容易に復帰することができるので、温度ヒューズなどの
ように交換する必要がなく、扱いが容易となる等の特長
を有する。
【００５９】請求項３によれば、温度検出素子により温
度の上昇が検出されると、制御信号は反転し、出力トラ
ンジスタをオフして、駆動電源がオフされるまで、ラッ
チされるため、周囲温度が低下しても制御信号の状態は
そのまま保持され、出力トランジスタをオフのまま維持
するので、温度ヒューズと同様に扱え、また、駆動電源
をオフすると、容易に復帰することができるので、温度
ヒューズなどのように交換する必要がなく、扱いが容易
となる等の特長を有する。
度の上昇が検出されると、制御信号は反転し、出力トラ
ンジスタをオフして、駆動電源がオフされるまで、ラッ
チされるため、周囲温度が低下しても制御信号の状態は
そのまま保持され、出力トランジスタをオフのまま維持
するので、温度ヒューズと同様に扱え、また、駆動電源
をオフすると、容易に復帰することができるので、温度
ヒューズなどのように交換する必要がなく、扱いが容易
となる等の特長を有する。
【００６０】請求項４によれば、第２のトランジスタの
コレクタとの間に、直列にＰＮ接合素子を接続すること
により、分圧手段に供給する電流をスイッチング的に供
給することができるので、第１のトランジスタの駆動を
スイッチング的に制御でき、制御信号をラッチする温度
を設定できる等の特長を有する。請求項５によれば、温
度検出素子により温度の上昇が検出されると、制御信号
は反転し、出力トランジスタをオフして、駆動電源がオ
フされるまで、ラッチされるため、周囲温度が低下して
も制御信号の状態はそのまま保持され、出力トランジス
タをオフのまま維持するので、温度ヒューズと同様に扱
え、また、駆動電源をオフすると、容易に復帰すること
ができるので、温度ヒューズなどのように交換する必要
がなく、扱いが容易となる等の特長を有する。
コレクタとの間に、直列にＰＮ接合素子を接続すること
により、分圧手段に供給する電流をスイッチング的に供
給することができるので、第１のトランジスタの駆動を
スイッチング的に制御でき、制御信号をラッチする温度
を設定できる等の特長を有する。請求項５によれば、温
度検出素子により温度の上昇が検出されると、制御信号
は反転し、出力トランジスタをオフして、駆動電源がオ
フされるまで、ラッチされるため、周囲温度が低下して
も制御信号の状態はそのまま保持され、出力トランジス
タをオフのまま維持するので、温度ヒューズと同様に扱
え、また、駆動電源をオフすると、容易に復帰すること
ができるので、温度ヒューズなどのように交換する必要
がなく、扱いが容易となる等の特長を有する。
【００６１】請求項６によれば、温度検出素子により温
度の上昇が検出されると、制御信号は反転し、出力トラ
ンジスタをオフして、駆動電源がオフされるまで、ラッ
チされるため、周囲温度が低下しても制御信号の状態は
そのまま保持され、出力トランジスタをオフのまま維持
するので、温度ヒューズと同様に扱え、また、駆動電源
をオフすると、容易に復帰することができるので、温度
ヒューズなどのように交換する必要がなく、扱いが容易
となる等の特長を有する。
度の上昇が検出されると、制御信号は反転し、出力トラ
ンジスタをオフして、駆動電源がオフされるまで、ラッ
チされるため、周囲温度が低下しても制御信号の状態は
そのまま保持され、出力トランジスタをオフのまま維持
するので、温度ヒューズと同様に扱え、また、駆動電源
をオフすると、容易に復帰することができるので、温度
ヒューズなどのように交換する必要がなく、扱いが容易
となる等の特長を有する。
【００６２】請求項７によれば、第２のトランジスタの
コレクタとの間に、直列にＰＮ接合素子を接続すること
により、分圧手段に供給する電流をスイッチング的に供
給することができるので、第１のトランジスタの駆動を
スイッチング的に制御でき、制御信号をラッチする温度
を設定できる等の特長を有する。
コレクタとの間に、直列にＰＮ接合素子を接続すること
により、分圧手段に供給する電流をスイッチング的に供
給することができるので、第１のトランジスタの駆動を
スイッチング的に制御でき、制御信号をラッチする温度
を設定できる等の特長を有する。
【図１】本発明の一実施例のブロック構成図である。
【図２】本発明の一実施例の温度検出回路の回路構成図
である。
である。
【図３】本発明の一実施例ｎ温度検出素子の温度に応じ
たコレクタ電流の特性図である。
たコレクタ電流の特性図である。
【図４】本発明の一実施例の温度検出回路の変形例の回
路構成図である。
路構成図である。
【図５】温度ヒューズの取り付け方法を示す図である。
１ リチウムイオン電池ユニット ２ リチウムイオン電池 ３ 充電制御ＩＣ ４ 温度ヒューズ ５、６ 温度検出回路 ７、８ フィルタ ９、１６ 駆動回路 １０ 過放電検出回路 １１ 放電不感応時間設定回路 １２ 過電流検出回路 １３ ヒステリシス設定回路 １４ 過充電検出回路 １５ 充電不感応時間設定回路
Claims (7)
- 【請求項１】 制御信号に応じて電流の供給を制御する
スイッチング素子を有する非常保護回路において、 前記スイッチング素子の周囲の温度に応じて前記制御信
号を制御する温度検出回路を有することを特徴とする非
常保護回路。 - 【請求項２】 前記温度検出回路は、温度に応じてスイ
ッチングする温度検出素子と、 前記温度検出素子の電位に応じてスイッチングされ、前
記制御信号を反転させる出力トランジスタと、 前記温度検出素子の電位に応じて起動し、前記出力トラ
ンジスタから出力する前記制御信号をラッチするラッチ
回路とを有することを特徴とする請求項１記載の非常保
護回路。 - 【請求項３】 前記ラッチ回路は、前記温度検出素子に
並列にコレクタ−エミッタが接続された第１のトランジ
スタと、 第１及び第２の抵抗よりなり、該第１及び第２の抵抗の
接続点が前記第１のトランジスタのベースに接続された
分圧手段と、 前記温度検出素子がベースに接続され、コレクタが前記
分圧手段に接続され、エミッタに電源が接続された第２
のトランジスタとを有することを特徴とする請求項２記
載の非常保護回路。 - 【請求項４】 前記分圧手段と、前記第２のトランジス
タのコレクタとの間に、直列に接続され、前記分圧手段
への電流の供給をスイッチングするＰＮ接合素子を有す
ることを特徴とする請求項３記載の非常保護回路。 - 【請求項５】 温度に応じて出力信号を反転する温度検
出回路において、 温度に応じてスイッチングする温度検出素子と、 前記温度検出素子の電位に応じてスイッチングされ、該
出力信号を反転させる出力トランジスタと、 前記温度検出素子の電位に応じて起動し、前記出力トラ
ンジスタの出力信号をラッチするラッチ回路とを有する
ことを特徴とする温度検出回路。 - 【請求項６】 前記ラッチ回路は、前記温度検出素子に
並列にコレクタ−エミッタが接続された第１のトランジ
スタと、 第１及び第２の抵抗よりなり、該第１及び第２の抵抗の
接続点が前記第１のトランジスタのベースに接続された
分圧手段と、 前記温度検出素子がベースに接続され、コレクタが前記
分圧手段に接続され、エミッタに電源が接続された第２
のトランジスタとを有することを特徴とする請求項５記
載の温度検出回路。 - 【請求項７】 前記分圧手段と、前記第２のトランジス
タのコレクタとの間に、直列に接続され、前記第２のト
ランジスタのコレクタ電位に応じて前記分圧手段への電
流の供給をスイッチングするＰＮ接合素子を有すること
を特徴とする請求項６記載の温度検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08974898A JP3728920B2 (ja) | 1998-04-02 | 1998-04-02 | 電池保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08974898A JP3728920B2 (ja) | 1998-04-02 | 1998-04-02 | 電池保護回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11289656A true JPH11289656A (ja) | 1999-10-19 |
| JP3728920B2 JP3728920B2 (ja) | 2005-12-21 |
Family
ID=13979384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08974898A Expired - Fee Related JP3728920B2 (ja) | 1998-04-02 | 1998-04-02 | 電池保護回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3728920B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008141907A (ja) * | 2006-12-05 | 2008-06-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 温度保護機能付充電装置 |
| JP2009296867A (ja) * | 2008-06-04 | 2009-12-17 | Ampower Technology Co Ltd | インバーター回路 |
| JP2010172158A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Ricoh Co Ltd | 二次電池の充電装置 |
| US8059377B2 (en) | 2006-07-06 | 2011-11-15 | Panasonic Corporation | Protection device, protection method using the same, method for processing signal using the same, and method for detecting quantity of electricity using the same |
| JP2013021850A (ja) * | 2011-07-13 | 2013-01-31 | Sumitomo Electric Networks Inc | 過熱保護回路および通信装置 |
| JP5671593B1 (ja) * | 2013-10-07 | 2015-02-18 | 三菱電機インフォメーションシステムズ株式会社 | 充電制御装置、コンピュータシステムおよびプログラム |
| US9071069B2 (en) | 2010-04-07 | 2015-06-30 | Black & Decker Inc. | Controlled power fade for battery powered devices |
| US9246323B2 (en) | 2009-04-27 | 2016-01-26 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Current controller and protection circuit |
| WO2023223786A1 (ja) * | 2022-05-20 | 2023-11-23 | ミドリ安全株式会社 | 空調衣服用装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102570403B (zh) * | 2010-12-28 | 2015-04-22 | 宁波良业电器有限公司 | 锂电池充电放电的温度保护电路 |
| KR102059608B1 (ko) * | 2014-11-17 | 2019-12-26 | 주식회사 엘지화학 | 열에 의한 단선이 가능한 접속부를 포함하고 있는 전기 소자 |
-
1998
- 1998-04-02 JP JP08974898A patent/JP3728920B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8059377B2 (en) | 2006-07-06 | 2011-11-15 | Panasonic Corporation | Protection device, protection method using the same, method for processing signal using the same, and method for detecting quantity of electricity using the same |
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| JP2010172158A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Ricoh Co Ltd | 二次電池の充電装置 |
| US9246323B2 (en) | 2009-04-27 | 2016-01-26 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Current controller and protection circuit |
| US9590414B2 (en) | 2009-04-27 | 2017-03-07 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Current controller and protection circuit |
| US9071069B2 (en) | 2010-04-07 | 2015-06-30 | Black & Decker Inc. | Controlled power fade for battery powered devices |
| US9413088B2 (en) | 2010-04-07 | 2016-08-09 | Black & Decker Inc. | Controlled power fade for battery powered devices |
| US9692157B2 (en) | 2010-04-07 | 2017-06-27 | Black & Decker Inc. | Controlled power fade for battery power devices |
| JP2013021850A (ja) * | 2011-07-13 | 2013-01-31 | Sumitomo Electric Networks Inc | 過熱保護回路および通信装置 |
| JP5671593B1 (ja) * | 2013-10-07 | 2015-02-18 | 三菱電機インフォメーションシステムズ株式会社 | 充電制御装置、コンピュータシステムおよびプログラム |
| WO2023223786A1 (ja) * | 2022-05-20 | 2023-11-23 | ミドリ安全株式会社 | 空調衣服用装置 |
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|---|---|
| JP3728920B2 (ja) | 2005-12-21 |
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