JPH11288078A - レチクル及びフォトマスクの製作方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レチクル間の継ぎ目が目立たないフォトマス
クを製作する。 【解決手段】 エリア内に透光パターン１２ａ（斜線
部）と遮光パターン１２ｂ（白抜き部）とからなるパタ
ーン１２を設けたレチクル１０を使用する。レチクル１
０をステップ・アンド・リピートしつつパターン１２を
マスク原版上の有効エリア内を露光するに際し、有効エ
リア内にステップ・アンド・リピートを行う開始位置を
設定し、設定された開始位置からレチクル１０の端が連
結するようにマスク原版上の有効エリア内の他の未露光
領域の全てを露光し、開始位置のパターン１２間のマス
ク原版上の未露光領域からレチクル１０の端が連結する
ように有効エリア内の未露光領域の全てを露光し、マス
ク原版上の未露光領域がなくなるまで繰り返す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フォトマスクを作
製するのに用いられ、パターンを周期的に配列したレチ
クルと、このレチクルを使用してステップ・アンド・リ
ピートによってフォトマスクを製作するフォトマスクの
製作方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図１７は、従来のこの種のフォトマスク
の製作方法の一例を説明するための図である。この例で
は、ブラックマトリックス（ＢＭ）用のフォトマスクの
例を示している。フォトマスクの製作に使用するレチク
ル５０は、レチクルエリア（図中、実線枠部）にパター
ン５１を配列したものである。レチクルエリア内では、
パターン５１が透光部であり、パターン５１以外のマト
リックスライン状の部分が遮光部となっている。遮光部
は、レチクル基板（ガラス基板等）上に、金属薄膜等を
設けることにより形成されている。

【０００３】このパターン５１の配列は、カラーフィル
ター等のパターン配列により異なり、その種類として
は、図１７に示すようなモザイク配列の他、ＴＶ動画表
示に主として採用されるトライアングル配列や、ＯＡ等
の文字情報表示に主として採用されるストライプ配列な
どが知られている。

【０００４】フォトマスクの製作方法としては、露光装
置を用い、図１７に示すように、マスク原版６０の上方
にレチクル５０を配置し、レチクル５０上から露光して
レチクル５０のパターン５１をマスク原版６０上に焼き
付ける。そして、図１８に示すように、レチクル端が連
設するようにレチクル５０を移動させて、再度レチクル
５０のパターン５１をマスク原版６０上に焼き付ける。
この繰り返しであるステップ・アンド・リピートによ
り、レチクル５０のパターン５１が連続露光され、フォ
トマスクが形成される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の従来の
フォトマスクの製作方法では、露光装置のレチクル５０
の送り精度には一定の限界があったので、フォトマスク
上においてレチクル５０間の継ぎ目に誤差（例えば０．
１〜０．３μｍ程度）が生じるという問題があった。特
に、近年における製品の高度化に伴い、カラーフィルタ
ーでは、開口率を高めるためにＢＭ領域が狭小化する傾
向にある。この場合に、レチクル５０間の継ぎ目の誤差
が目立つようになっている。

【０００６】この誤差は、非常に小さいものであるが、
レチクルエリア内には生じず、レチクル５０間の継ぎ目
にのみ規則的に発生するので、誤差自体は小さくても目
視で判別できてしまう。したがって、本発明が解決しよ
うとする課題は、フォトマスクの製作方法において、レ
チクル間の継ぎ目を目立たないようにすることである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに、請求項１の発明は、レチクルエリア内に周期的に
配列されたパターンを設け、ステップ・アンド・リピー
トしつつ前記パターンをマスク原版上に露光することに
より、前記パターンからなるフォトマスクを作製するの
に用いるレチクルであって、前記パターンの一部が周期
的に取り除かれていることを特徴とする。請求項２の発
明は、請求項１に記載のレチクルを用いたフォトマスク
の製作方法であって、前記レチクルをステップ・アンド
・リピートしつつ前記パターンを前記マスク原版上に露
光するに際し、前記マスク原版上に露光される前記パタ
ーン間の位置精度が前記レチクルの送り精度によって規
定されるようにしたことを特徴とする。

【０００８】請求項３の発明は、レチクルエリア内に周
期的に配列された複数のパターンを１つのブロックとし
て設け、ステップ・アンド・リピートしつつ前記ブロッ
クをマスク原版上に露光することにより、前記ブロック
単位の前記パターンからなるフォトマスクを作製するの
に用いるレチクルであって、前記ブロック単位で前記パ
ターンの一部が周期的に取り除かれていることを特徴と
する。請求項４の発明は、請求項３に記載のレチクルに
おいて、前記ブロックの大きさが、１ｍｍ×１ｍｍ以下
望ましくは、０．５ｍｍ×０．５ｍｍ以下であることを
特徴とする。

【０００９】請求項５の発明は、請求項３又は請求項４
に記載のレチクルを用いたフォトマスクの製作方法であ
って、前記レチクルをステップ・アンド・リピートしつ
つ前記パターンを前記マスク原版上に露光するに際し、
前記マスク原版上に露光される前記ブロック間の位置精
度が前記レチクルの送り精度によって規定されるように
したことを特徴とする。

【００１０】請求項６の発明は、請求項２又は請求項５
に記載のフォトマスクの製作方法において、前記レチク
ルをステップ・アンド・リピートしつつ前記パターンを
前記マスク原版上の有効エリア内を露光するに際し、少
なくとも前記有効エリア内にステップ・アンド・リピー
トを行う開始位置を設定する第１工程と、前記第１工程
で設定された前記開始位置から前記レチクルの端が連結
するように前記マスク原版上の前記有効エリア内の他の
未露光領域の全てを露光する第２工程と、前記開始位置
の前記パターン又は前記ブロックの間の前記マスク原版
上の未露光領域から前記レチクルの端が連結するように
前記有効エリア内の未露光領域の全てを露光する第３工
程とからなり、前記マスク原版上の未露光領域がなくな
るまで前記第３工程を繰り返すことを特徴とする。

【００１１】請求項７の発明は、請求項２又は請求項５
に記載のフォトマスクの製作方法において、前記レチク
ルをステップ・アンド・リピートしつつ前記パターンを
前記マスク原版上の有効エリア内を露光するに際し、少
なくとも前記有効エリア内にステップ・アンド・リピー
トを行う任意の開始位置を設定する第１工程と、前記第
１工程で設定された前記開始位置に前記レチクルを位置
させ、前記マスク原版上に露光する第２工程と、前記第
２工程により露光された前記マスク原版上の前記パター
ン又は前記ブロックの間の未露光領域に前記レチクルエ
リア以下の大きさの送りピッチで前記レチクルを移動さ
せ、前記レチクルを前記マスク原版上に露光する第３工
程とからなり、前記マスク原版上の未露光領域がなくな
るまで前記第３工程を繰り返すことを特徴とする。

【００１２】

【作用】本発明においては、レチクル間のみならず、レ
チクルエリア内のパターン間又はブロック間にレチクル
の継ぎ目が設けられるので、パターン間又はブロック間
にレチクルの送り誤差が含まれる。これにより、パター
ンの配列は、微視的には不均一になるが、巨視的には、
むしろ均一になる。よって、レチクル間の継ぎ目が目視
では判別できなくなり、目立たなくすることができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、図面等を参照して、本発明
の一実施形態について説明する。なお、以下の実施形態
ではブラックマトリックス用のフォトマスクを例に挙げ
て説明する。 （第１実施形態）図１は、本実施形態で使用するレチク
ル１０を示す図であり、図中、（ａ）は平面図、（ｂ）
は（ａ）のＡ−Ａ断面を示す断面図である。レチクル１
０は、レチクル基板１１上にパターン１２（１２ａ及び
１２ｂ）を周期的に配列したものである。なお、図１で
は、横９個×縦３個のパターン１２がマトリックス状に
配列されているが、実際には、レチクル１０のエリア
は、５ｍｍ四方程度であり、そのエリア内に４０〜５０
程度のパターン１２を有している。また、パターン１２
の１個の大きさとしては、縦２４０μｍ、横８０μｍ程
度である。

【００１４】レチクル１０のエリア内では、パターン１
２の一部が周期的に取り除かれ、この取り除かれたパタ
ーンが遮光パターン１２ｂ（図１（ａ）中、白抜き部領
域）であり、他は、透光パターン１２ａ（図１（ａ）
中、斜線部領域）である。遮光パターン１２ｂは、遮光
層が設けられており光が透過しないパターンである。こ
の遮光層は、低反射Ｃｒ等からなる金属薄膜層である。
一方、透光パターン１２ａは、レチクル基板１１上に何
も設けられてなく光が透過可能なパターンである。

【００１５】なお、図１において、横３個×縦３個から
なる９個のパターン１２群を１つのブロックとして考え
ることができる。この場合には、レチクル１０のエリア
内に、パターン１２の配列が同一であるブロックが、横
方向に３個並列されていると見ることができる。そし
て、ブロック単位でパターン１２の一部が周期的に取り
除かれている。なお、ブロックの大きさとしては、１ｍ
ｍ×１ｍｍ以下であり、望ましくは０．５ｍｍ×０．５
ｍｍ以下である。

【００１６】次に、図１のレチクル１０の製作方法につ
いて説明する。図２は、レチクル１０の製作に使用する
露光装置（パターンジェネレータ）２０の一実施形態を
示す概略構成図である。図２の露光装置２０において、
光源２１は、キセノンランプ又は高圧水銀灯から構成さ
れている。シャッター２２は、光源２１の照射光量を制
御するためのものである。集光レンズ２３は、光源２１
からの光を集光するための光学系である。アパーチャー
２４は、光学系の絞りとなる部分であり、モータ２５に
より開口径を調整可能に形成されている。

【００１７】縮小レンズ２６は、レチクル１０に設ける
パターンをレチクル原版１０’に縮小投光するための光
学系である。ステージ部２７は、ＸＹ方向の粗位置決め
を行うためのＸＹテーブル（ＸＹＳ）２７ａと、このＸ
Ｙテーブル２７ａを駆動するモータ２７ｂと、電磁石で
微動してＸＹ方向の精位置決めを行うための磁気微動テ
ーブル（ＦＳ）２７ｃと、Ｚ方向（上下方向）の合焦の
ためのＺステージ（ＺＳ）２７ｄと、Ｚステージ２７ｄ
を駆動するためのモータ２７ｅと、ＸＹ軸方向の変位を
計測するためのレーザー測長器２７ｆと、Ｚ方向の変位
を計測するためのエアマイクロ２７ｇとから構成されて
いる。レチクル原版１０’は、Ｚステージ２７ｄ上に搭
載される。

【００１８】図３は、レチクル１０の製作方法の一実施
形態を説明するための図である。先ず、図中（ａ）に示
すように、レチクル原版１０’は、レチクル基板（ガラ
ス基板）１１上に、低反射Ｃｒ等からなる金属薄膜層１
２’を設け、さらにこの上層にフォトレジスト層（ポジ
型）１３を積層したものである。そして、上述の露光装
置２０により、レチクル１０に設けるパターン１２をフ
ォトレジスト層１３上に露光する（図中（ｂ）；露光部
分１３ａ、未露光部分１３ｂ）。ここで、レチクル原版
１０’に対し、原寸のパターン１２の１０倍の大きさの
パターンを露光する。

【００１９】次に、このフォトレジスト層１３を現像す
ると、露光部分１３ａのみが除去され、未露光部分１３
ｂが残存する（図中（ｃ））。さらに、露光部分１３ａ
の下層の金属薄膜層１２’をエッチングにより除去する
（図中（ｄ））。その後、フォトレジスト層１３を剥離
すれば、図中、（ｅ）に示す状態となり、未露光部分１
３ｂの金属薄膜層１２’が遮光パターン１２ｂとなり、
除去された部分が透光パターン１２ａとなったレチクル
１０（図１）が形成される。

【００２０】以上のようにして形成されたレチクル１０
を使用して、マスク原版３０’上に、レチクル１０のパ
ターン１２を形成する。図４は、レチクル１０と、マス
ク原版３０’とを示す側面図（層構成図）である。フォ
トマスクとなるマスク原版３０’は、上述したレチクル
１０の製作時に使用したレチクル原版１０’と同様の層
構成を有するものである。すなわち、ガラス基板等のマ
スク基板３１上に、低反射Ｃｒ等からなる金属薄膜層３
２と、フォトレジスト層（ポジ型）３３とを積層したも
のである。

【００２１】そして、このマスク原版３０’の上方にレ
チクル１０を配置し、レチクル１０の上部から投光し
て、レチクル１０のパターン１２をマスク原版３０’上
に露光するとともに、レチクル１０をステップ・アンド
・リピートして、レチクル１０のパターン１２を繰り返
し露光する。なお、マスク原版３０’に対し、レチクル
１０のパターン１２を１／１０に縮小したパターンを露
光する。

【００２２】図５は、ステップ・アンド・リピートに使
用する露光装置２０’の一実施形態を示す概略構成図で
ある。この露光装置２０’は、図２で示した露光装置２
０の一部の構成部品を入れ替えたものである。露光装置
２０’には、アパーチャー２４の代わりに、レチクルチ
ェンジャー２８ａと、検出器２８ｂと、レチクルステー
ジ２８ｃとが設けられている。

【００２３】レチクルチェンジャー２８ａは、自動で所
望のレチクル１０に交換するためのものである。検出器
２８ｂは、レチクル１０のアライメントマーク（基準位
置）を検出するためのものである。レチクルステージ２
８ｃは、レチクル１０を搭載するものである。なお、モ
ータ２５は、レチクルステージ２８ｃを駆動するための
ものである。検出器２８ｂによりアライメントマークを
検出し、この検出結果に基づいてレチクルステージ２８
ｃを制御し、レチクル１０の正確な位置決めを行う。ま
た、マスク原版３０’は、Ｚステージ２７ｄ上に搭載さ
れる。

【００２４】続いて、レチクル１０のパターン１２の露
光とステップ・アンド・リピートとについて説明する。 ａ．第１工程 先ず、図６に示すように、マスク原版３０’上のエリア
内に、ステップ・アンド・リピートを行う開始位置を設
定する。そして、この開始位置から露光を行う。これに
より、レチクル１０の透光パターン１２ａ（図中、縦線
部領域）がマスク原版３０’上に露光される。なお、遮
光パターン１２ｂは、露光されない。

【００２５】ｂ．第２工程 次に、図７に示すように、マスク原版３０’上でレチク
ル１０端（図中、実線枠部）が連設するようにレチクル
１０を右方向に９パターン分だけ移動させ、この位置で
露光を行う。さらに、レチクル１０を順次右方向に９パ
ターン分ずつ移動させて露光を行う。

【００２６】そして、マスク原版３０’の右端まで到達
したら、レチクル１０を下方向に３パターン分だけ移動
させて、レチクル１０端が連設するように配置し、この
位置で露光を行う。さらにその後、順次左方向に９パタ
ーン分ずつ移動させて露光を行う（図８）。以上のよう
にしてマスク原版３０’上に露光を繰り返すことによ
り、マスク原版３０’上には、レチクル１０端が連設し
たレチクル１０のパターン１２が連続形成される（第１
ステップ・アンド・リピート）。

【００２７】ｃ．第３工程 上述の露光が終了したら、図９に示すように、第１ステ
ップ・アンド・リピート時の露光の開始位置のレチクル
エリア（図中、２点鎖線枠部）内のパターン間に、レチ
クル１０端（図中、実線枠部）を配置する。図９の例で
は、最初のレチクルエリアに対して、右方向に３パター
ン、上方向に１パターンずれた位置にレチクル１０を配
置している。すなわち、レチクルエリア内のブロックの
端が隣接するように配置される。これにより、レチクル
１０の透光パターン１２ａ（図中、斜線部領域）は、最
初のレチクルエリアの遮光パターン１２ｂによる未露光
領域に配置される。

【００２８】そして、上述の第１ステップ・アンド・リ
ピートと同様に、レチクル１０端がその前の露光時のレ
チクル１０端と連設するようにレチクル１０を移動させ
て、順次露光を行う。図１０は、図９の状態から、右方
向に９パターン分だけ移動させて露光し、次に下方向に
３パターン分だけ移動させて露光し、さらに左方向に９
パターン分だけ移動させて露光した状態を示す。以上の
第２ステップ・アンド・リピートにより、第１ステップ
・アンド・リピート時の遮光パターン１２ｂによる未露
光領域が、順次露光されていく。

【００２９】続いて、上記の露光が終了したら、図１１
に示すように、第１ステップ・アンド・リピートでの最
初のレチクルエリア（図中、２点鎖線枠部）内のパター
ン間に、レチクル１０端（図中、実線枠部）を配置す
る。図１１の例では、最初のレチクルエリアに対して、
左方向に３パターン、下方向に１パターンずれた位置に
レチクル１０を配置している。また、レチクル１０の透
光パターン１２ａ（図中、横線部領域）は、上述の第１
及び第２ステップ・アンド・リピート時の遮光パターン
１２ｂによる未露光領域に配置される。

【００３０】そして、上述の第１及び第２ステップ・ア
ンド・リピートと同様に、レチクル１０端がその前の露
光時のレチクル１０端と連設するようにレチクル１０を
移動させて、順次露光を行う（第３ステップ・アンド・
リピート）。図１２は、図１１の状態から、右方向に９
パターン分だけ移動させて露光し、次に下方向に３パタ
ーン分だけ移動させて露光し、さらに左方向に９パター
ン分だけ移動させて露光した状態を示す。

【００３１】以上の第１、第２及び第３ステップ・アン
ド・リピートにより、マスク原版３０’上の略全ての領
域が露光され、各パターン間が未露光領域となり、マト
リックスライン状に残る。なお、ステップ・アンド・リ
ピートにより露光できないマスク原版３０’端面近傍の
領域は、直接描画により露光する。そして、このマスク
原版３０’を上述のレチクル１０の製作と同様に現像及
びエッチングすれば、レチクル１０の透光パターン１２
ａにより露光された領域が除去され、マトリックスライ
ン状の部分が残ったフォトマスクが形成される。図１３
は、パターン１２間のマトリックスライン状の部分（図
中、斜線部領域）が残ったフォトマスク３０を示す図で
ある。

【００３２】ところで、従来のフォトマスクの製作方法
では、レチクルエリア内のパターン間には誤差が生じ
ず、レチクル間にのみ誤差が生じていた。しかし、本発
明では、第１、第２及び第３ステップ・アンド・リピー
トにより、各パターン１２間の略全てにレチクル１０の
継ぎ目が入るようになる。これにより、各パターン１２
間の略全てにレチクル１０の送り誤差が含まれ、パター
ン１２間の位置精度がレチクル１０の送り精度によって
規定されるようになる。したがって、本発明では、パタ
ーン１２の配列は、微視的には不均一になるが、巨視的
には、むしろ均一になる。これにより、レチクル１０の
継ぎ目が目視では判別できなくなり、目立たなくするこ
とができる。

【００３３】フォトマスク３０の製作後は、フォトマス
ク３０からフィルターを製作する。フィルター原版は、
図４で示したマスク原版３０’と同様に、ガラス基板上
に金属薄膜層とフォトレジスト層とが積層されたもので
ある。そして、フィルター原版の上方にフォトマスク３
０を配置し、一括でフォトマスク３０のパターン１２を
フィルター原版上に焼き付ける。

【００３４】これにより、フィルター原版にはフォトマ
スク３０のパターン１２が露光される。そして、このフ
ィルター原版を現像及びエッチングすれば、図１３に示
すフォトマスク３０と同様に、ブラックマトリックスが
遮光パターンとして有するフィルターが形成される。さ
らには、このフィルターのパターン領域（図１３中、白
抜き部領域）にカラーフィルター層を形成すれば、カラ
ーフィルターを形成することができる。

【００３５】なお、第１実施形態においては、図６に示
す位置にレチクル１０を配置して露光した後、この位置
から図９に示す位置に（右へ３パターン、上へ１パター
ン）レチクル１０を移動させて露光を行い、続いて、こ
の位置から図１１に示す位置に（左へ６パターン、下へ
２パターン）レチクル１０を移動させて露光を行い、以
上の露光後に、レチクル１０を図７の位置に移動させ
て、露光を繰り返しても良い。

【００３６】（第２実施形態）図１４は、本発明の第２
実施形態のレチクル１０Ａを示す図である。このレチク
ル１０Ａでは、横６個×縦６個のパターン１２Ａがマト
リックス状に配列されている。そして、このパターン１
２Ａは、第１実施形態と同様に、透光パターン１２ａ
（図中、斜線部領域）と遮光パターン１２ｂ（図中、白
抜き部領域）とから構成されている。

【００３７】先ず、図１４に示すように、マスク原版３
０’上のエリア内において、ステップ・アンド・リピー
トを行うレチクル１０Ａの開始位置を設定する。そし
て、この開始位置にてマスク原版３０’上にレチクル１
０Ａのパターン１２Ａを露光する。これにより、マスク
原版３０’上には、図中、斜線部領域の透光パターン１
２ａが露光される。次に、レチクル１０Ａを４パターン
分だけ右方向に移動させる（図１５）。このときに、透
光パターン１２ａは、最初のレチクルエリアの遮光パタ
ーン１２ｂによる未露光領域に配置される。そして、こ
の位置で露光を行うとともに、これをマスク原版３０’
の右端に到達するまで繰り返す（第１ステップ・アンド
・リピート）。

【００３８】続いて、図１６に示すように、第１ステッ
プ・アンド・リピートの最初のレチクルエリアに対して
４パターン分だけ下方向に移動させて、露光を行う。こ
の後は、上述と同様に、順次右方向にレチクル１０Ａを
４パターン分ずつ移動させて露光を繰り返す（第２ステ
ップ・アンド・リピート）。

【００３９】以上の第１及び第２ステップ・アンド・リ
ピートにより、第１実施形態と同様に、マスク原版３
０’上の略全ての領域が露光されるので、このマスク原
版３０’を現像及びエッチングすれば、パターン間のマ
トリックスライン状の部分が遮光画素部として残ったフ
ォトマスクを形成することができる。なお、第２実施形
態では、レチクル１０Ａの継ぎ目は、パターン１２Ａ間
の一部に配置され、第１実施形態のように全てのパター
ン１２間に配置されない。しかし、従来のようにレチク
ル間のみに継ぎ目が設けられるよりも継ぎ目を目立たな
くすることができる。

【００４０】ところで、以上の実施形態ではブラックマ
トリックス用のフォトマスクを例に挙げて説明したが、
本発明は、Ｒ、Ｇ、Ｂの各カラーフィルター層を有する
カラーフィルター用のフォトマスクの製作にも適用する
こともできる。

【００４１】そして、上述のブラックマトリックスが形
成されたフィルター上にフォトレジスト層を形成し、こ
のカラーフィルター用のフォトマスクを用いて露光、現
像及びエッチングを行えば、ブラックマトリックス上の
パターン領域にパターンが形成されるので、このパター
ンを染色すれば、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色のカラーフィルター
層を有するカラーフィルターを形成することができる。

【００４２】

【発明の効果】本発明によれば、レチクル間のみなら
ず、レチクルエリア内のパターン間又はブロック間にも
レチクルの継ぎ目を設けるようにしたので、パターン間
にレチクルの送り誤差を積極的に含ませ、パターンの配
列を巨視的に均一にすることができる。これにより、レ
チクル間の継ぎ目が目視では判別できなくなり、目立た
なくすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施形態で使用するレチクルを示す図であ
り、図中、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断
面を示す断面図である。

【図２】レチクルの製作に使用する露光装置（パターン
ジェネレータ）の一実施形態を示す概略構成図である。

【図３】レチクルの製作方法の一実施形態を説明するた
めの図である。

【図４】レチクルとマスク原版とを示す側面図（層構成
図）である。

【図５】ステップ・アンド・リピートに使用する露光装
置の一実施形態を示す概略構成図である。

【図６】マスク原版上の所定位置にレチクルを配置して
露光した状態を示す図である。

【図７】図６の状態からレチクルを移動させて露光した
状態を示す図である。

【図８】図７の状態からさらにステップ・アンド・リピ
ートして、マスク原版上にレチクルのパターンを繰り返
し露光した状態を示す図である。

【図９】図８の状態に、最初のレチクルエリアと一部が
重なるようにレチクルを配置した状態を示す図である。

【図１０】図９の状態からレチクルをステップ・アンド
・リピートして、マスク原版上にレチクルのパターンを
繰り返し露光した状態を示す図である。

【図１１】図１０の状態に、最初のレチクルエリアと一
部が重なるようにレチクルを配置した状態を示す図であ
る。

【図１２】図１１の状態からレチクルをステップ・アン
ド・リピートして、マスク原版上にレチクルのパターン
を繰り返し露光した状態を示す図である。

【図１３】マトリックスライン状の部分が残ったフォト
マスクを示す図である。

【図１４】本発明の第２実施形態のレチクルを示す図で
ある。

【図１５】図１４の状態からレチクルを移動させて露光
した状態を示す図である。

【図１６】図１５の状態からさらにステップ・アンド・
リピートして、マスク原版上にレチクルのパターンを露
光した状態を示す図である。

【図１７】従来のフォトマスクの製作方法の一例を説明
するための図である。

【図１８】図１７の状態からレチクルを移動させて、再
度レチクルのパターンを露光した状態を示す図である。

【符号の説明】

１０ レチクル １１ レチクル基板 １２ パターン １２ａ 透光パターン １２ｂ 遮光パターン ３０ フォトマスク ３０’ マスク原版 ３１ マスク基板 ３２ 金属薄膜層 ３３ フォトレジスト層

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 レチクルエリア内に周期的に配列された
   パターンを設け、ステップ・アンド・リピートしつつ前
   記パターンをマスク原版上に露光することにより、前記
   パターンからなるフォトマスクを作製するのに用いるレ
   チクルであって、 前記パターンの一部が周期的に取り除かれていることを
   特徴とするレチクル。
2. 【請求項２】 請求項１に記載のレチクルを用いたフォ
   トマスクの製作方法であって、 前記レチクルをステップ・アンド・リピートしつつ前記
   パターンを前記マスク原版上に露光するに際し、 前記マスク原版上に露光される前記パターン間の位置精
   度が前記レチクルの送り精度によって規定されるように
   したことを特徴とするフォトマスクの製作方法。
3. 【請求項３】 レチクルエリア内に周期的に配列された
   複数のパターンを１つのブロックとして設け、ステップ
   ・アンド・リピートしつつ前記ブロックをマスク原版上
   に露光することにより、前記ブロック単位の前記パター
   ンからなるフォトマスクを作製するのに用いるレチクル
   であって、 前記ブロック単位で前記パターンの一部が周期的に取り
   除かれていることを特徴とするレチクル。
4. 【請求項４】 請求項３に記載のレチクルにおいて、 前記ブロックの大きさが、１ｍｍ×１ｍｍ以下望ましく
   は、０．５ｍｍ×０．５ｍｍ以下であることを特徴とす
   るレチクル。
5. 【請求項５】 請求項３又は請求項４に記載のレチクル
   を用いたフォトマスクの製作方法であって、 前記レチクルをステップ・アンド・リピートしつつ前記
   パターンを前記マスク原版上に露光するに際し、 前記マスク原版上に露光される前記ブロック間の位置精
   度が前記レチクルの送り精度によって規定されるように
   したことを特徴とするフォトマスクの製作方法。
6. 【請求項６】 請求項２又は請求項５に記載のフォトマ
   スクの製作方法において、 前記レチクルをステップ・アンド・リピートしつつ前記
   パターンを前記マスク原版上の有効エリア内を露光する
   に際し、 少なくとも前記有効エリア内にステップ・アンド・リピ
   ートを行う開始位置を設定する第１工程と、 前記第１工程で設定された前記開始位置から前記レチク
   ルの端が連結するように前記マスク原版上の前記有効エ
   リア内の他の未露光領域の全てを露光する第２工程と、 前記開始位置の前記パターン又は前記ブロックの間の前
   記マスク原版上の未露光領域から前記レチクルの端が連
   結するように前記有効エリア内の未露光領域の全てを露
   光する第３工程とからなり、 前記マスク原版上の未露光領域がなくなるまで前記第３
   工程を繰り返すことを特徴とするフォトマスクの製作方
   法。
7. 【請求項７】 請求項２又は請求項５に記載のフォトマ
   スクの製作方法において、 前記レチクルをステップ・アンド・リピートしつつ前記
   パターンを前記マスク原版上の有効エリア内を露光する
   に際し、 少なくとも前記有効エリア内にステップ・アンド・リピ
   ートを行う任意の開始位置を設定する第１工程と、 前記第１工程で設定された前記開始位置に前記レチクル
   を位置させ、前記マスク原版上に露光する第２工程と、 前記第２工程により露光された前記マスク原版上の前記
   パターン又は前記ブロックの間の未露光領域に前記レチ
   クルエリア以下の大きさの送りピッチで前記レチクルを
   移動させ、前記レチクルを前記マスク原版上に露光する
   第３工程とからなり、 前記マスク原版上の未露光領域がなくなるまで前記第３
   工程を繰り返すことを特徴とするフォトマスクの製作方
   法。