JPH11287715A - 熱電対 - Google Patents
熱電対Info
- Publication number
- JPH11287715A JPH11287715A JP10695798A JP10695798A JPH11287715A JP H11287715 A JPH11287715 A JP H11287715A JP 10695798 A JP10695798 A JP 10695798A JP 10695798 A JP10695798 A JP 10695798A JP H11287715 A JPH11287715 A JP H11287715A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermocouple
- protective tube
- tube
- tubes
- protection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 腐蝕性ガス等が充満する雰囲気中でも熱電対
素線を断線や短絡させることなく、高精度に安定して温
度を測定することができる熱電対を提供する。 【解決手段】 熱電対１は、先端部を測温接点２ｐとし
た少なくとも２本の素線２ａ、２ｂと、素線２ａ、２ｂ
をそれぞれ挿通する複数の穴４ａ、４ｂが長手方向に形
成された複数の保護管３ｉ、３ｊを備え、複数の保護管
３ｉ、３ｊの互いに相対向して当接する端面形状をそれ
ぞれ円錐状凸面５ｂと円錐状凹面５ａとして、これらの
凹凸係合により、素線２ａ、２ｂは保護管３ｉと３ｊの
連結部においても周囲から保護されるために、熱電対１
を腐蝕性ガス等が充満する雰囲気中において使用して
も、素線２ａ、２ｂが腐蝕性ガス等に曝されることがな
く断線される恐れもなく、長期間の温度測定に安定して
使用することができ、高精度の温度測定が可能となる。
素線を断線や短絡させることなく、高精度に安定して温
度を測定することができる熱電対を提供する。 【解決手段】 熱電対１は、先端部を測温接点２ｐとし
た少なくとも２本の素線２ａ、２ｂと、素線２ａ、２ｂ
をそれぞれ挿通する複数の穴４ａ、４ｂが長手方向に形
成された複数の保護管３ｉ、３ｊを備え、複数の保護管
３ｉ、３ｊの互いに相対向して当接する端面形状をそれ
ぞれ円錐状凸面５ｂと円錐状凹面５ａとして、これらの
凹凸係合により、素線２ａ、２ｂは保護管３ｉと３ｊの
連結部においても周囲から保護されるために、熱電対１
を腐蝕性ガス等が充満する雰囲気中において使用して
も、素線２ａ、２ｂが腐蝕性ガス等に曝されることがな
く断線される恐れもなく、長期間の温度測定に安定して
使用することができ、高精度の温度測定が可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、温度測定に用いら
れる熱電対に関し、特に、腐蝕性ガス等が充満する雰囲
気中での高温度測定に適した熱電対に関するものであ
る。
れる熱電対に関し、特に、腐蝕性ガス等が充満する雰囲
気中での高温度測定に適した熱電対に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】高温の温度測定には従来から種々の熱電
対が広く利用されている。この種の熱電対は、図７に図
示するように、材質の異なる２本の熱電対素線ａ、ｂの
一端を溶接して測温接点ｐとし、他方端部を電圧計ｖに
接続して使用し、測定される電圧は熱電対素線ａ、ｂの
両端の温度Ｔ１とＴ２で決定される。そして、熱電対
は、素線間が接触して測定誤差が生じることを防ぐため
に、素線を絶縁性の保護管に挿通して用いられており、
特に、高温度測定においては、セラミックのような絶縁
性の高い耐熱性材料で形成された保護管が用いられてい
る。
対が広く利用されている。この種の熱電対は、図７に図
示するように、材質の異なる２本の熱電対素線ａ、ｂの
一端を溶接して測温接点ｐとし、他方端部を電圧計ｖに
接続して使用し、測定される電圧は熱電対素線ａ、ｂの
両端の温度Ｔ１とＴ２で決定される。そして、熱電対
は、素線間が接触して測定誤差が生じることを防ぐため
に、素線を絶縁性の保護管に挿通して用いられており、
特に、高温度測定においては、セラミックのような絶縁
性の高い耐熱性材料で形成された保護管が用いられてい
る。
【０００３】この種の保護管１０３（１０３ｉ、１０３
ｊ）は、図８および図９に図示するように、内部に２個
の穴１０４ａ、１０４ｂが互いに平行して長手方向に形
成され、これらの穴１０４ａ、１０４ｂにそれぞれ熱電
対素線１０２ａ、１０２ｂが挿通される。そして、通常
は、図９に図示するように、複数の保護管１０３ｉ、１
０３ｊ…を連続して配列し、先端面１０５を平坦とした
保護管１０３ｉから２本の素線１０２ａ、１０２ｂの端
部を突出させて測温接点１０２ｐとするように形成され
ている。また、被測定物に取り付けて測定する際に測定
誤差を小さくするために、種々の構造の保護管が提案さ
れている。図１０〜図１２に種々の熱電対先端用の保護
管１１３ｉ、１２３ｉ、１３３ｉを用いて作製した従来
の熱電対を図示する。図１０および図１２に図示する熱
電対は、保護管１１３ｉ、１３３ｉの先端部分に円錐状
あるいは円筒状の凹部１１５、１３５を形成して、この
凹部１１５、１３５内に熱電対の測温接点１１２ｐ、１
３２ｐを配置するものであり、熱電対の測温接点１１２
ｐ、１３２ｐは被測定物に直接接触することがないの
で、導電性の被測定物の温度測定に適しており、また、
図１１に図示する熱電対は、保護管１２３ｉの先端部分
に円錐状の凸部１２５を形成して、熱電対の測温接点１
２２ｐが保護管の先端の円錐状凸部から突出するように
配置されているものであって、絶縁性の被測定物の温度
を高精度に測定するのに適している。
ｊ）は、図８および図９に図示するように、内部に２個
の穴１０４ａ、１０４ｂが互いに平行して長手方向に形
成され、これらの穴１０４ａ、１０４ｂにそれぞれ熱電
対素線１０２ａ、１０２ｂが挿通される。そして、通常
は、図９に図示するように、複数の保護管１０３ｉ、１
０３ｊ…を連続して配列し、先端面１０５を平坦とした
保護管１０３ｉから２本の素線１０２ａ、１０２ｂの端
部を突出させて測温接点１０２ｐとするように形成され
ている。また、被測定物に取り付けて測定する際に測定
誤差を小さくするために、種々の構造の保護管が提案さ
れている。図１０〜図１２に種々の熱電対先端用の保護
管１１３ｉ、１２３ｉ、１３３ｉを用いて作製した従来
の熱電対を図示する。図１０および図１２に図示する熱
電対は、保護管１１３ｉ、１３３ｉの先端部分に円錐状
あるいは円筒状の凹部１１５、１３５を形成して、この
凹部１１５、１３５内に熱電対の測温接点１１２ｐ、１
３２ｐを配置するものであり、熱電対の測温接点１１２
ｐ、１３２ｐは被測定物に直接接触することがないの
で、導電性の被測定物の温度測定に適しており、また、
図１１に図示する熱電対は、保護管１２３ｉの先端部分
に円錐状の凸部１２５を形成して、熱電対の測温接点１
２２ｐが保護管の先端の円錐状凸部から突出するように
配置されているものであって、絶縁性の被測定物の温度
を高精度に測定するのに適している。
【０００４】さらに、図１３に図示するように、２組の
熱電対素線、すなわち４本の素線、を挿通させるように
４個の穴１４４ａ〜１４４ｄを設けた保護管１４３を用
い、保護管１４３の先端部に形成された凹部１４５から
素線を突出させた熱電対も特開平８−７５５６２号公報
に開示されており、この熱電対の各素線の先端部には凹
部が形成された構造としている。
熱電対素線、すなわち４本の素線、を挿通させるように
４個の穴１４４ａ〜１４４ｄを設けた保護管１４３を用
い、保護管１４３の先端部に形成された凹部１４５から
素線を突出させた熱電対も特開平８−７５５６２号公報
に開示されており、この熱電対の各素線の先端部には凹
部が形成された構造としている。
【０００５】また、熱電対は、その測定対象によって
は、熱電対を曲げて設置することを要する場合があり、
特に、高温度測定においてはセラミック系等の耐熱性材
料製の保護管しか使用できないような場合には、図９に
図示するように複数の保護管１０３ｉ、１０３ｊを連結
し、その連結部分を曲げて使用している。
は、熱電対を曲げて設置することを要する場合があり、
特に、高温度測定においてはセラミック系等の耐熱性材
料製の保護管しか使用できないような場合には、図９に
図示するように複数の保護管１０３ｉ、１０３ｊを連結
し、その連結部分を曲げて使用している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な従来の熱電対においては、いずれの熱電対も真空や空
気中では問題なく使用することができるけれども、腐蝕
性ガスが充満する雰囲気中において長期間使用すると、
図１４に示すように、保護管１５３ｉと１５３ｊの連結
部に周囲の腐蝕性ガスｇが侵入してくるために、熱電対
素線１５２ａ、１５２ｂが腐蝕性ガスｇに曝されて侵蝕
され、その結果、熱電対素線が断線したり、起電力が変
化して、安定した温度測定を行なうことができないとい
う問題点があった。さらに、カーボン粉塵や金属粉のよ
うな導電性の粉塵が充満する雰囲気中での温度測定にお
いても、保護管の連結部にこれらの粉塵が侵入して熱電
対素線に付着し、熱電対素線が短絡する等の問題点があ
った。
な従来の熱電対においては、いずれの熱電対も真空や空
気中では問題なく使用することができるけれども、腐蝕
性ガスが充満する雰囲気中において長期間使用すると、
図１４に示すように、保護管１５３ｉと１５３ｊの連結
部に周囲の腐蝕性ガスｇが侵入してくるために、熱電対
素線１５２ａ、１５２ｂが腐蝕性ガスｇに曝されて侵蝕
され、その結果、熱電対素線が断線したり、起電力が変
化して、安定した温度測定を行なうことができないとい
う問題点があった。さらに、カーボン粉塵や金属粉のよ
うな導電性の粉塵が充満する雰囲気中での温度測定にお
いても、保護管の連結部にこれらの粉塵が侵入して熱電
対素線に付着し、熱電対素線が短絡する等の問題点があ
った。
【０００７】そこで、本発明は、上記の従来技術の有す
る未解決の課題に鑑みてなされたものであって、腐蝕性
ガスあるいは導電性の粉塵等が充満する雰囲気中でも熱
電対素線を断線あるいは短絡させることなく、高精度に
安定して温度を測定することができる熱電対を提供する
ことを目的とするものである。
る未解決の課題に鑑みてなされたものであって、腐蝕性
ガスあるいは導電性の粉塵等が充満する雰囲気中でも熱
電対素線を断線あるいは短絡させることなく、高精度に
安定して温度を測定することができる熱電対を提供する
ことを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の熱電対は、先端部を測温接点とした少なく
とも２本の熱電対素線と、該熱電対素線をそれぞれ挿通
する複数の穴が形成された複数の保護管を備えた熱電対
において、前記複数の保護管の互いに相対向して当接す
る端面形状をそれぞれ凹面と凸面にしたことを特徴とす
る。
め、本発明の熱電対は、先端部を測温接点とした少なく
とも２本の熱電対素線と、該熱電対素線をそれぞれ挿通
する複数の穴が形成された複数の保護管を備えた熱電対
において、前記複数の保護管の互いに相対向して当接す
る端面形状をそれぞれ凹面と凸面にしたことを特徴とす
る。
【０００９】本発明の熱電対においては、保護管の互い
に相対向して当接する端面形状を円錐形状あるいは断面
台形状に形成することができ、さらに、保護管の端面形
状を半球状に形成することもできる。
に相対向して当接する端面形状を円錐形状あるいは断面
台形状に形成することができ、さらに、保護管の端面形
状を半球状に形成することもできる。
【００１０】さらに、本発明の熱電対においては、端面
形状を半球状の凹面とした保護管と熱電対素線を挿通す
る穴が形成された球状保護管を連接して、前記保護管の
半球状の凹面に前記球状保護管の前記穴が開口する面を
当接するように配置することが好ましい。
形状を半球状の凹面とした保護管と熱電対素線を挿通す
る穴が形成された球状保護管を連接して、前記保護管の
半球状の凹面に前記球状保護管の前記穴が開口する面を
当接するように配置することが好ましい。
【００１１】また、本発明の熱電対においては、球状保
護管の熱電対素線を挿通する穴が、前記球状保護管内部
において角度的に変位して形成されていることが好まし
い。
護管の熱電対素線を挿通する穴が、前記球状保護管内部
において角度的に変位して形成されていることが好まし
い。
【００１２】
【作用】熱電対を構成する２本の熱電対素線をそれぞれ
挿通する複数の穴が形成された複数の保護管を連結する
際に、互いに相対向して当接する両保護管の端面をそれ
ぞれ凹面と凸面とすることにより、保護管内部に挿通す
る素線は、熱電対を使用する雰囲気ガスに曝されること
がなく雰囲気ガスの侵蝕による素線の断線を防止するこ
とができ、さらに、導電性の粉塵が充満する雰囲気中に
おいても導電性粉塵が付着する可能性がなくなり、素線
の短絡を避けることができ、長期間の温度測定を安定し
て行なうことができ、高精度の温度測定が可能となる。
挿通する複数の穴が形成された複数の保護管を連結する
際に、互いに相対向して当接する両保護管の端面をそれ
ぞれ凹面と凸面とすることにより、保護管内部に挿通す
る素線は、熱電対を使用する雰囲気ガスに曝されること
がなく雰囲気ガスの侵蝕による素線の断線を防止するこ
とができ、さらに、導電性の粉塵が充満する雰囲気中に
おいても導電性粉塵が付着する可能性がなくなり、素線
の短絡を避けることができ、長期間の温度測定を安定し
て行なうことができ、高精度の温度測定が可能となる。
【００１３】さらに、両保護管の相対向して当接する端
面を半球状の凹面と凸面とすることにより、あるいは、
端面形状を半球状の凹面とした保護管と素線挿通用の穴
が形成された球状保護管を用いて、保護管の半球状凹面
に球状保護管を当接させることにより、上述の効果に加
えて、両保護管の連結部で曲がりやすくすることがで
き、熱電対の使用範囲を広げることができる。
面を半球状の凹面と凸面とすることにより、あるいは、
端面形状を半球状の凹面とした保護管と素線挿通用の穴
が形成された球状保護管を用いて、保護管の半球状凹面
に球状保護管を当接させることにより、上述の効果に加
えて、両保護管の連結部で曲がりやすくすることがで
き、熱電対の使用範囲を広げることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。
いて説明する。
【００１５】図１は、本発明の熱電対の一実施例の断面
図であり、図２は、図１に図示する熱電対の保護管を示
し、（ａ）、（ｂ）および（ｃ）はそれぞれ保護管の左
側面図、断面図、および右側面図である。
図であり、図２は、図１に図示する熱電対の保護管を示
し、（ａ）、（ｂ）および（ｃ）はそれぞれ保護管の左
側面図、断面図、および右側面図である。
【００１６】図１において、熱電対１は、一端を溶接し
て測温接点２ｐとする材質の異なる２本の熱電対素線
（以下、単に素線という。）２ａ、２ｂと、２本の素線
２ａ、２ｂを内部に挿通して素線２ａ、２ｂを保護する
複数の保護管３（３ｉ、３ｊ…）を備え、これらの保護
管３（３ｉ、３ｊ…）は、それぞれ、素線２ａ、２ｂを
それぞれ挿通するための２本の穴４ａ、４ｂが互いに平
行して長手方向に形成され、一端面には円錐状の凹面５
ａが、他端面には円錐状の凸面５ｂが形成されている。
そして、これらの複数の保護管３ｉと３ｊ…は、図１に
図示するように、保護管３ｉの右端部の円錐状の凸面５
ｂと他の保護管３ｊの円錐状の凹面５ａとが互いに相対
向して当接する係合状態で順次連結されており、これら
の複数の保護管３ｉ、３ｊ…のそれぞれの２本の穴４
ａ、４ｂにはそれぞれ素線２ａ、２ｂが挿通され、素線
２ａおよび２ｂの先端部の溶接された測温接点２ｐは熱
電対１の先端に位置する保護管３ｉの左側端部の円錐状
凹面５ａ内に位置付けられている。
て測温接点２ｐとする材質の異なる２本の熱電対素線
（以下、単に素線という。）２ａ、２ｂと、２本の素線
２ａ、２ｂを内部に挿通して素線２ａ、２ｂを保護する
複数の保護管３（３ｉ、３ｊ…）を備え、これらの保護
管３（３ｉ、３ｊ…）は、それぞれ、素線２ａ、２ｂを
それぞれ挿通するための２本の穴４ａ、４ｂが互いに平
行して長手方向に形成され、一端面には円錐状の凹面５
ａが、他端面には円錐状の凸面５ｂが形成されている。
そして、これらの複数の保護管３ｉと３ｊ…は、図１に
図示するように、保護管３ｉの右端部の円錐状の凸面５
ｂと他の保護管３ｊの円錐状の凹面５ａとが互いに相対
向して当接する係合状態で順次連結されており、これら
の複数の保護管３ｉ、３ｊ…のそれぞれの２本の穴４
ａ、４ｂにはそれぞれ素線２ａ、２ｂが挿通され、素線
２ａおよび２ｂの先端部の溶接された測温接点２ｐは熱
電対１の先端に位置する保護管３ｉの左側端部の円錐状
凹面５ａ内に位置付けられている。
【００１７】このように、素線２ａ、２ｂを保護する複
数の保護管３ｉ、３ｊ…の連結部を、円錐状の凹面５ａ
と円錐状の凸面５ｂによる当接係合によって構成するこ
とにより、素線２ａ、２ｂは、保護管３ｉ、３ｊ…の穴
４ａ、４ｂの内部を通る部分はもちろん保護管３の連結
部においても周囲から保護されるために、熱電対１を腐
蝕性ガスが充満する雰囲気中において使用しても、素線
２ａ、２ｂが直接腐蝕性ガス等に曝されることがなく、
腐蝕性ガスの侵蝕により素線２ａ、２ｂが断線される恐
れもない。さらに、熱電対１をカーボン粉塵や金属粉の
ような導電性の粉塵が充満する雰囲気中で使用しても、
これらの粉塵が保護管３の連結部から侵入して素線２
ａ，２ｂに付着することがなく、素線２ａ，２ｂの短絡
を避けることができる。したがって、このように構成さ
れた熱電対１は、長期間の温度測定に安定して使用する
ことができ、高精度の温度測定が可能である。
数の保護管３ｉ、３ｊ…の連結部を、円錐状の凹面５ａ
と円錐状の凸面５ｂによる当接係合によって構成するこ
とにより、素線２ａ、２ｂは、保護管３ｉ、３ｊ…の穴
４ａ、４ｂの内部を通る部分はもちろん保護管３の連結
部においても周囲から保護されるために、熱電対１を腐
蝕性ガスが充満する雰囲気中において使用しても、素線
２ａ、２ｂが直接腐蝕性ガス等に曝されることがなく、
腐蝕性ガスの侵蝕により素線２ａ、２ｂが断線される恐
れもない。さらに、熱電対１をカーボン粉塵や金属粉の
ような導電性の粉塵が充満する雰囲気中で使用しても、
これらの粉塵が保護管３の連結部から侵入して素線２
ａ，２ｂに付着することがなく、素線２ａ，２ｂの短絡
を避けることができる。したがって、このように構成さ
れた熱電対１は、長期間の温度測定に安定して使用する
ことができ、高精度の温度測定が可能である。
【００１８】上記の実施例においては、使用する保護管
３ｉ、３ｊ…の形状として、両端面をそれぞれ円錐状の
凹面５ａおよび凸面５ｂに形成しているけれども、円錐
形状に限らず、保護管３ｉ、３ｊ…の連結部において、
互いに相対向する両面が凸面と凹面の関係に形成されて
おれば良いのであって、例えば、図３に図示するよう
に、保護管１３の両端面を断面台形状の凹面１５ａと凸
面１５ｂの関係に形成することもできる。
３ｉ、３ｊ…の形状として、両端面をそれぞれ円錐状の
凹面５ａおよび凸面５ｂに形成しているけれども、円錐
形状に限らず、保護管３ｉ、３ｊ…の連結部において、
互いに相対向する両面が凸面と凹面の関係に形成されて
おれば良いのであって、例えば、図３に図示するよう
に、保護管１３の両端面を断面台形状の凹面１５ａと凸
面１５ｂの関係に形成することもできる。
【００１９】さらに、図１ないし図３に示す実施例にお
いては、保護管３、１３の両端面をそれぞれ凹面５ａ、
１５ａと凸面５ｂ、１５ｂとしているけれども、保護管
の両端面を凸面または凹面の同じ形状として、両端面を
凸面とした保護管と両端面を凹面とした保護管を交互に
順次連結して、互いに相対向して当接する両端面形状が
それぞれ凹面と凸面となるようにすることもできる。
いては、保護管３、１３の両端面をそれぞれ凹面５ａ、
１５ａと凸面５ｂ、１５ｂとしているけれども、保護管
の両端面を凸面または凹面の同じ形状として、両端面を
凸面とした保護管と両端面を凹面とした保護管を交互に
順次連結して、互いに相対向して当接する両端面形状が
それぞれ凹面と凸面となるようにすることもできる。
【００２０】次に、本発明の熱電対の他の実施例につい
て図４を参照して説明する。図４において、（ａ）は本
実施例の熱電対における保護管の連結部を示す断面図で
あり、（ｂ）は本実施例の熱電対に用いる保護管の断面
図である。
て図４を参照して説明する。図４において、（ａ）は本
実施例の熱電対における保護管の連結部を示す断面図で
あり、（ｂ）は本実施例の熱電対に用いる保護管の断面
図である。
【００２１】本実施例の熱電対２１を構成する各保護管
２３（２３ｉ、２３ｊ…）は、図４の（ｂ）に示すよう
に、その一端面には半球状の凹面２５ａが、他端面には
半球状の凸面２５ｂが形成され、そして、内部に２本の
素線２２ａ、２２ｂを通すための２個の穴２４ａ、２４
ｂが互いに平行して長手方向に形成されている。これに
より、保護管２３ｉ、２３ｊを隣接させて連結する際
に、それらの連結部は、図４の（ａ）に示すように、保
護管２３ｉの端面の半球状の凸面２５ｂと他の保護管２
３ｊの半球状の凹面２５ａとが互いに相対向して当接す
る係合状態で連結することができる。したがって、これ
らの保護管２３ｉと２３ｊはその連結部において互いに
回動可能となる。
２３（２３ｉ、２３ｊ…）は、図４の（ｂ）に示すよう
に、その一端面には半球状の凹面２５ａが、他端面には
半球状の凸面２５ｂが形成され、そして、内部に２本の
素線２２ａ、２２ｂを通すための２個の穴２４ａ、２４
ｂが互いに平行して長手方向に形成されている。これに
より、保護管２３ｉ、２３ｊを隣接させて連結する際
に、それらの連結部は、図４の（ａ）に示すように、保
護管２３ｉの端面の半球状の凸面２５ｂと他の保護管２
３ｊの半球状の凹面２５ａとが互いに相対向して当接す
る係合状態で連結することができる。したがって、これ
らの保護管２３ｉと２３ｊはその連結部において互いに
回動可能となる。
【００２２】このように、本実施例における熱電対２１
は、保護管２３（２３ｉ、２３ｊ…）の連結部で容易の
曲げることができるとともに、素線２２（２２ａ、２２
ｂ）が腐蝕性ガス等に曝されることがなく、素線２２が
断線や短絡する恐れがなく、長期間の温度測定に安定し
て使用することができ、高精度の温度測定が可能であ
る。
は、保護管２３（２３ｉ、２３ｊ…）の連結部で容易の
曲げることができるとともに、素線２２（２２ａ、２２
ｂ）が腐蝕性ガス等に曝されることがなく、素線２２が
断線や短絡する恐れがなく、長期間の温度測定に安定し
て使用することができ、高精度の温度測定が可能であ
る。
【００２３】さらに、本発明の熱電対の他の実施例につ
いて図５を参照して説明する。図５において、（ａ）は
本実施例の熱電対における保護管の連結部を示す断面図
であり、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）はそれぞれ両保護
管の連結部に介在される球状保護管の左側面図、正面図
および右側面図である。
いて図５を参照して説明する。図５において、（ａ）は
本実施例の熱電対における保護管の連結部を示す断面図
であり、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）はそれぞれ両保護
管の連結部に介在される球状保護管の左側面図、正面図
および右側面図である。
【００２４】本実施例の熱電対３１を構成する各保護管
３３（３３ｉ、３３ｊ…）は、内部に素線３２ａ、３２
ｂを通すための２個の穴３４ａ、３４ｂが互いに平行し
て長手方向に形成されているとともに、その両端面はそ
れぞれ半球状の凹面３５ａ、３５ｂに形成されており、
そして、両保護管３３（３３ｉと３３ｊ）の連結部に配
置される球状保護管３６は、図５に示すように、保護管
３３の端面の半球状の凹面３５ａ、３５ｂに相応する曲
率を有する球面形状に形成され、そして、内部には素線
３２ａ、３２ｂを通すための２個の穴３７ａ、３７ｂ
が、保護管３３の穴３４ａ、３４ｂに対応するように、
互いに平行して形成されている。
３３（３３ｉ、３３ｊ…）は、内部に素線３２ａ、３２
ｂを通すための２個の穴３４ａ、３４ｂが互いに平行し
て長手方向に形成されているとともに、その両端面はそ
れぞれ半球状の凹面３５ａ、３５ｂに形成されており、
そして、両保護管３３（３３ｉと３３ｊ）の連結部に配
置される球状保護管３６は、図５に示すように、保護管
３３の端面の半球状の凹面３５ａ、３５ｂに相応する曲
率を有する球面形状に形成され、そして、内部には素線
３２ａ、３２ｂを通すための２個の穴３７ａ、３７ｂ
が、保護管３３の穴３４ａ、３４ｂに対応するように、
互いに平行して形成されている。
【００２５】保護管３３ｉおよび３３ｊと球状保護管３
６を連結する際に、それらの連結部は、図５の（ａ）に
示すように、２個の保護管３３ｉと３３ｊの相対向する
端面のそれぞれの半球状の凹面３５ｂおよび３５ａの間
に球状保護管３６を配置し、両保護管３３（３３ｉと３
３ｊ）を球状保護管３６を挟んで連結し、そして、素線
３２ａ、３２ｂは保護管３３（３３ｉと３３ｊ）の穴３
４ａ、３４ｂとそれらに連通する球状保護管３６の穴３
７ａ、３７ｂに挿通される。
６を連結する際に、それらの連結部は、図５の（ａ）に
示すように、２個の保護管３３ｉと３３ｊの相対向する
端面のそれぞれの半球状の凹面３５ｂおよび３５ａの間
に球状保護管３６を配置し、両保護管３３（３３ｉと３
３ｊ）を球状保護管３６を挟んで連結し、そして、素線
３２ａ、３２ｂは保護管３３（３３ｉと３３ｊ）の穴３
４ａ、３４ｂとそれらに連通する球状保護管３６の穴３
７ａ、３７ｂに挿通される。
【００２６】以上のような構成とすることにより、本実
施例における熱電対３１は、保護管３３（３３ｉ、３３
ｊ…）の連結部に球状保護管３６を介在させることによ
り、その連結部において一層容易に曲がりやすくするこ
とができるとともに素線３２（３２ａ、３２ｂ）が腐蝕
性ガス等に曝されることがなく、長期間の温度測定に安
定して使用することができ、高精度の温度測定が可能で
ある。
施例における熱電対３１は、保護管３３（３３ｉ、３３
ｊ…）の連結部に球状保護管３６を介在させることによ
り、その連結部において一層容易に曲がりやすくするこ
とができるとともに素線３２（３２ａ、３２ｂ）が腐蝕
性ガス等に曝されることがなく、長期間の温度測定に安
定して使用することができ、高精度の温度測定が可能で
ある。
【００２７】次に、本発明の熱電対のさらに他の実施例
について図６を参照して説明する。図６において、
（ａ）は本実施例の熱電対における保護管の連結部を示
す断面図であり、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）はそれぞ
れ両保護管の連結部に介在される球状保護管の左側面
図、正面図および右側面図である。
について図６を参照して説明する。図６において、
（ａ）は本実施例の熱電対における保護管の連結部を示
す断面図であり、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）はそれぞ
れ両保護管の連結部に介在される球状保護管の左側面
図、正面図および右側面図である。
【００２８】本実施例の熱電対４１を構成する各保護管
４３（４３ｉ、４３ｊ…）は、内部に素線４２ａ、４２
ｂを通すための２個の穴４４ａ、４４ｂが互いに平行し
て長手方向に形成されているとともに、その両端面にそ
れぞれ半球状の凹面４５ａ、４５ｂが形成されており、
そして、両保護管４３（４３ｉと４３ｊ）の連結部に配
置される球状保護管４６は、図６に示すように、保護管
４３の半球状の凹面４５ａ、４５ｂに相応する曲率を有
する球面形状に形成され、そして、内部には素線４２
ａ、４２ｂを通すための２個の穴４７ａ、４７ｂが保護
管４３の穴４４ａ、４４ｂに対応して設けられている。
しかし、これらの穴４７ａ、４７ｂは、図６の（ｂ）、
（ｃ）および（ｄ）において、球状保護管４６の右側面
の開口部４７ａｒと４７ｂｒの位置関係は水平状に、一
方の左側面の開口部４７ａｌと４７ｂｌの位置関係は垂
直状になるように、球状保護管４６の内部でそれぞれ９
０度変位するように形成されている。したがって、球状
保護管４６の一方の右側面の開口部４７ａｒから挿入さ
れる素線４２ａは、球状保護管４６の内部で９０度変位
されて、他方の左側面の開口部４７ａｌから出る。同様
に、球状保護管４６の一方の右側面の開口部４７ｂｒか
ら挿入される素線４２ｂは、球状保護管４６の内部で同
じく９０度変位されて、他方の左側面の開口部４７ｂｌ
から出る。
４３（４３ｉ、４３ｊ…）は、内部に素線４２ａ、４２
ｂを通すための２個の穴４４ａ、４４ｂが互いに平行し
て長手方向に形成されているとともに、その両端面にそ
れぞれ半球状の凹面４５ａ、４５ｂが形成されており、
そして、両保護管４３（４３ｉと４３ｊ）の連結部に配
置される球状保護管４６は、図６に示すように、保護管
４３の半球状の凹面４５ａ、４５ｂに相応する曲率を有
する球面形状に形成され、そして、内部には素線４２
ａ、４２ｂを通すための２個の穴４７ａ、４７ｂが保護
管４３の穴４４ａ、４４ｂに対応して設けられている。
しかし、これらの穴４７ａ、４７ｂは、図６の（ｂ）、
（ｃ）および（ｄ）において、球状保護管４６の右側面
の開口部４７ａｒと４７ｂｒの位置関係は水平状に、一
方の左側面の開口部４７ａｌと４７ｂｌの位置関係は垂
直状になるように、球状保護管４６の内部でそれぞれ９
０度変位するように形成されている。したがって、球状
保護管４６の一方の右側面の開口部４７ａｒから挿入さ
れる素線４２ａは、球状保護管４６の内部で９０度変位
されて、他方の左側面の開口部４７ａｌから出る。同様
に、球状保護管４６の一方の右側面の開口部４７ｂｒか
ら挿入される素線４２ｂは、球状保護管４６の内部で同
じく９０度変位されて、他方の左側面の開口部４７ｂｌ
から出る。
【００２９】このように構成された保護管４３ｉおよび
４３ｊと球状保護管４６を連結する際に、それらの連結
部は、図６の（ａ）に示すように、２個の保護管４３ｉ
と４３ｊのそれぞれの半球状の凹面４５ｂおよび４５ａ
の間に球状保護管４６を配置し、両保護管４３（４３ｉ
と４３ｊ）を球状保護管４６を挟んで連結する。そし
て、そのとき、保護管４３ｊは、その端面の半球状凹面
４５ａに開口する２本の穴４４ａと４４ｂが球状保護管
４６の右側面の開口部４７ａｒと４７ｂｒにそれぞれ相
対向するように、２本の穴４４ａと４４ｂが水平位置関
係となるように位置付けられ、保護管４３ｉは、その端
面の半球状凹面４５ｂに開口する２本の穴４４ａと４４
ｂが球状保護管４６の左側面の開口部４７ａｌと４７ｂ
ｌにそれぞれ相対向するように、２本の穴４４ａと４４
ｂが垂直位置関係となるように位置付けられる。これに
よって、素線４２ａは、保護管４３ｊの穴４４ａ、球状
保護管４６の９０度変位した穴４７ａ、および保護管４
３ｉの穴４４ａを通り、他方の素線４２ｂは、保護管４
３ｊの穴４４ｂ、球状保護管４６の約９０度変位した穴
４７ｂ、および保護管４３ｉの穴４４ｂを通ることとな
る。
４３ｊと球状保護管４６を連結する際に、それらの連結
部は、図６の（ａ）に示すように、２個の保護管４３ｉ
と４３ｊのそれぞれの半球状の凹面４５ｂおよび４５ａ
の間に球状保護管４６を配置し、両保護管４３（４３ｉ
と４３ｊ）を球状保護管４６を挟んで連結する。そし
て、そのとき、保護管４３ｊは、その端面の半球状凹面
４５ａに開口する２本の穴４４ａと４４ｂが球状保護管
４６の右側面の開口部４７ａｒと４７ｂｒにそれぞれ相
対向するように、２本の穴４４ａと４４ｂが水平位置関
係となるように位置付けられ、保護管４３ｉは、その端
面の半球状凹面４５ｂに開口する２本の穴４４ａと４４
ｂが球状保護管４６の左側面の開口部４７ａｌと４７ｂ
ｌにそれぞれ相対向するように、２本の穴４４ａと４４
ｂが垂直位置関係となるように位置付けられる。これに
よって、素線４２ａは、保護管４３ｊの穴４４ａ、球状
保護管４６の９０度変位した穴４７ａ、および保護管４
３ｉの穴４４ａを通り、他方の素線４２ｂは、保護管４
３ｊの穴４４ｂ、球状保護管４６の約９０度変位した穴
４７ｂ、および保護管４３ｉの穴４４ｂを通ることとな
る。
【００３０】このように、保護管４３（４３ｉと４３
ｊ）のそれぞれの端面の半球状の凹面４５ｂおよび４５
ａの間に球状保護管４６を配置し、両保護管４３（４３
ｉと４３ｊ）を球状保護管４６を挟んで連結し、そして
素線４２（４２ａ、４２ｂ）を上記のように保護管４３
の穴４４ａ、４４ｂとそれらに連通する球状保護管４６
のそれぞれ９０度変位した穴４７ａ、４７ｂに挿通する
ことによって構成される本実施例の熱電対４１は、それ
ぞれ９０度変位した穴４７ａ、４７ｂを形成した球状保
護管４６を介在させることにより、図６において、紙面
に垂直な方向および平行な方向に対して容易に曲がりや
すくすることができるとともに素線４２（４２ａ、４２
ｂ）が腐蝕性ガス等に曝されることがなく、長期間の温
度測定に安定して使用することができ、高精度の温度測
定が可能である。
ｊ）のそれぞれの端面の半球状の凹面４５ｂおよび４５
ａの間に球状保護管４６を配置し、両保護管４３（４３
ｉと４３ｊ）を球状保護管４６を挟んで連結し、そして
素線４２（４２ａ、４２ｂ）を上記のように保護管４３
の穴４４ａ、４４ｂとそれらに連通する球状保護管４６
のそれぞれ９０度変位した穴４７ａ、４７ｂに挿通する
ことによって構成される本実施例の熱電対４１は、それ
ぞれ９０度変位した穴４７ａ、４７ｂを形成した球状保
護管４６を介在させることにより、図６において、紙面
に垂直な方向および平行な方向に対して容易に曲がりや
すくすることができるとともに素線４２（４２ａ、４２
ｂ）が腐蝕性ガス等に曝されることがなく、長期間の温
度測定に安定して使用することができ、高精度の温度測
定が可能である。
【００３１】なお、球状保護管４６に形成する素線挿通
用の穴４７ａおよび４７ｂの変位させる角度は、上述の
ように９０度に限定されるものではなく、例えば４５度
やそれ以外の角度をもって変位させても同様の作用効果
を得ることができる。さらにまた、両保護管の間に介在
させる球状保護管は、必ずしも球状体で形成する必要は
なく、回転楕円形状で構成することもできる。
用の穴４７ａおよび４７ｂの変位させる角度は、上述の
ように９０度に限定されるものではなく、例えば４５度
やそれ以外の角度をもって変位させても同様の作用効果
を得ることができる。さらにまた、両保護管の間に介在
させる球状保護管は、必ずしも球状体で形成する必要は
なく、回転楕円形状で構成することもできる。
【００３２】また、前述した実施例の熱電対は全て、１
本の保護管に２個の素線挿通用の穴を形成した形式の保
護管を備えたものとして説明したけれども、１本の保護
管に２個以上の素線挿通用の穴を形成した保護管を用い
ても有効であり、さらに、保護管の外形は、断面形状が
円形でなく、断面楕円形状であっても有効である。
本の保護管に２個の素線挿通用の穴を形成した形式の保
護管を備えたものとして説明したけれども、１本の保護
管に２個以上の素線挿通用の穴を形成した保護管を用い
ても有効であり、さらに、保護管の外形は、断面形状が
円形でなく、断面楕円形状であっても有効である。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の熱電対に
よれば、互いに相対向して当接する両保護管の端面をそ
れぞれ凹面と凸面とすることにより、保護管内部に挿通
する素線は熱電対を使用する雰囲気ガスに曝されること
がなく、雰囲気ガスの侵蝕による素線の断線を防止する
ことができ、長期間の温度測定を安定して行なうことが
でき、高精度の温度測定が可能となる。また、カーボン
粉塵や金属粉のような導電性の粉塵が充満する雰囲気中
での温度測定に本発明を使用すれば、連結部にこれらの
粉塵が付着する可能性がなくなり、短絡を避けられるよ
うになり、高精度の温度測定が可能となる。
よれば、互いに相対向して当接する両保護管の端面をそ
れぞれ凹面と凸面とすることにより、保護管内部に挿通
する素線は熱電対を使用する雰囲気ガスに曝されること
がなく、雰囲気ガスの侵蝕による素線の断線を防止する
ことができ、長期間の温度測定を安定して行なうことが
でき、高精度の温度測定が可能となる。また、カーボン
粉塵や金属粉のような導電性の粉塵が充満する雰囲気中
での温度測定に本発明を使用すれば、連結部にこれらの
粉塵が付着する可能性がなくなり、短絡を避けられるよ
うになり、高精度の温度測定が可能となる。
【００３４】さらに、互いに相対向して当接する両保護
管の端面をそれぞれ半球状の凹面と凸面とすることによ
り、上述の効果に加えて、両保護管の連結部で曲がりや
すくすることができる。
管の端面をそれぞれ半球状の凹面と凸面とすることによ
り、上述の効果に加えて、両保護管の連結部で曲がりや
すくすることができる。
【００３５】また、端面形状を半球状の凹面とした保護
管と素線挿通用の穴が形成された球状保護管を連結し
て、保護管の半球状凹面に球状保護管を当接させること
によって、その連結部において一層容易に曲がりやすく
することができ、さらに、球状保護管の素線挿通用の穴
を球状保護管内部において角度的に変位させることによ
り、連結部での曲げ方向の自由度を増大させることがで
き、そして、素線が雰囲気性ガス等に曝されることがな
く、長期間の温度測定に安定して使用することができ、
高精度の温度測定が可能である。
管と素線挿通用の穴が形成された球状保護管を連結し
て、保護管の半球状凹面に球状保護管を当接させること
によって、その連結部において一層容易に曲がりやすく
することができ、さらに、球状保護管の素線挿通用の穴
を球状保護管内部において角度的に変位させることによ
り、連結部での曲げ方向の自由度を増大させることがで
き、そして、素線が雰囲気性ガス等に曝されることがな
く、長期間の温度測定に安定して使用することができ、
高精度の温度測定が可能である。
【００３６】本発明の熱電対は、高温度測定においてセ
ラミック系等の絶縁性の耐熱性材料で作製される保護管
を用いる場合に特に有用である。
ラミック系等の絶縁性の耐熱性材料で作製される保護管
を用いる場合に特に有用である。
【図１】本発明の熱電対の一実施例の断面図である。
【図２】図１に図示する熱電対の保護管を示し、
（ａ）、（ｂ）および（ｃ）はそれぞれ保護管の左側面
図、断面図、および右側面図である。
（ａ）、（ｂ）および（ｃ）はそれぞれ保護管の左側面
図、断面図、および右側面図である。
【図３】本発明の熱電対の他の実施例における保護管を
示し、（ａ）、（ｂ）および（ｃ）はそれぞれ左側面
図、断面図、および右側面図である。
示し、（ａ）、（ｂ）および（ｃ）はそれぞれ左側面
図、断面図、および右側面図である。
【図４】（ａ）は本発明の熱電対の他の実施例における
保護管の連結部を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）に
図示する熱電対における保護管の断面図である。
保護管の連結部を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）に
図示する熱電対における保護管の断面図である。
【図５】（ａ）は本発明の熱電対のさらに他の実施例に
おける保護管の連結部を示す断面図であり、（ｂ）、
（ｃ）および（ｄ）はそれぞれ保護管の連結部に配置さ
れる球状保護管の左側面図、正面図および右側面図であ
る。
おける保護管の連結部を示す断面図であり、（ｂ）、
（ｃ）および（ｄ）はそれぞれ保護管の連結部に配置さ
れる球状保護管の左側面図、正面図および右側面図であ
る。
【図６】（ａ）は本発明の熱電対のさらに他の実施例に
おける保護管の連結部を示す断面図であり、（ｂ）、
（ｃ）および（ｄ）はそれぞれ保護管の連結部に配置さ
れる球状保護管の左側面図、正面図および右側面図であ
る。
おける保護管の連結部を示す断面図であり、（ｂ）、
（ｃ）および（ｄ）はそれぞれ保護管の連結部に配置さ
れる球状保護管の左側面図、正面図および右側面図であ
る。
【図７】熱電対の原理を説明するための熱電対の模式図
である。
である。
【図８】従来の熱電対における保護管を示し、（ａ）、
（ｂ）および（ｃ）はそれぞれ保護管の左側面図、断面
図、および右側面図である。
（ｂ）および（ｃ）はそれぞれ保護管の左側面図、断面
図、および右側面図である。
【図９】従来の熱電対における熱電対素線と複数の保護
管との関係を示す斜視図である。
管との関係を示す斜視図である。
【図１０】従来の熱電対の一形態を示す断面図である。
【図１１】従来の熱電対の他の一形態を示す断面図であ
る。
る。
【図１２】従来の熱電対の他の一形態を示す断面図であ
る。
る。
【図１３】（ａ）および（ｂ）は、従来の熱電対におけ
る保護管の先端部分を示す左側面図および部分断面図で
ある。
る保護管の先端部分を示す左側面図および部分断面図で
ある。
【図１４】熱電対素線と複数の保護管からなる熱電対に
おいて、保護管の連結部への雰囲気ガスの侵入状態を図
示する断面図である。
おいて、保護管の連結部への雰囲気ガスの侵入状態を図
示する断面図である。
１ 熱電対 ２（ａ、ｂ） （熱電対）素線 ３（ｉ、ｊ） 保護管 ４（ａ、ｂ） （素線挿通用）穴 ５ａ 円錐状凹面 ５ｂ 円錐状凸面 １３（ｉ、ｊ） 保護管 １４（ａ、ｂ） （素線挿通用）穴 １５ａ 断面台形状凹面 １５ｂ 断面台形状凸面 ２１ 熱電対 ２２（ａ、ｂ） （熱電対）素線 ２３（ｉ、ｊ） 保護管 ２４（ａ、ｂ） （素線挿通用）穴 ２５ａ 半球状凹面 ２５ｂ 半球状凸面 ３１ 熱電対 ３２（ａ、ｂ） （熱電対）素線 ３３（ｉ、ｊ） 保護管 ３４（ａ、ｂ） （素線挿通用）穴 ３５ａ 半球状凹面 ３５ｂ 半球状凹面 ３６ 球状保護管 ３７（ａ、ｂ） （素線挿通用）穴 ４１ 熱電対 ４２（ａ、ｂ） （熱電対）素線 ４３（ｉ、ｊ） 保護管 ４４（ａ、ｂ） （素線挿通用）穴 ４５ａ 半球状凹面 ４５ｂ 半球状凹面 ４６ 球状保護管 ４７（ａ、ｂ） （素線挿通用）穴
Claims (5)
- 【請求項１】 先端部を測温接点とした少なくとも２本
の熱電対素線と、該熱電対素線をそれぞれ挿通する複数
の穴が形成された複数の保護管を備えた熱電対におい
て、前記複数の保護管の互いに相対向して当接する端面
形状をそれぞれ凹面と凸面にしたことを特徴とする熱電
対。 - 【請求項２】 保護管の互いに相対向して当接する端面
形状が、円錐形状、または断面台形状に形成されている
ことを特徴とする請求項１記載の熱電対。 - 【請求項３】 互いに相対向して当接する保護管の端面
形状をそれぞれ半球状としたことを特徴とする請求項１
記載の熱電対。 - 【請求項４】 端面形状を半球状の凹面とした保護管と
熱電対素線を挿通する穴が形成された球状保護管を連接
して、前記保護管の半球状の凹面に前記球状保護管の前
記穴が開口する面を当接するように配置したことを特徴
とする請求項１または３記載の熱電対。 - 【請求項５】 球状保護管の熱電対素線を挿通する穴
が、前記球状保護管内部において角度的に変位して形成
されていることを特徴とする請求項４記載の熱電対。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10695798A JPH11287715A (ja) | 1998-04-02 | 1998-04-02 | 熱電対 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10695798A JPH11287715A (ja) | 1998-04-02 | 1998-04-02 | 熱電対 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11287715A true JPH11287715A (ja) | 1999-10-19 |
Family
ID=14446831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10695798A Pending JPH11287715A (ja) | 1998-04-02 | 1998-04-02 | 熱電対 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11287715A (ja) |
Cited By (295)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010129428A1 (en) * | 2009-05-06 | 2010-11-11 | Asm America, Inc. | Thermocouple assembly with guarded thermocouple junction |
| US7874726B2 (en) | 2007-05-24 | 2011-01-25 | Asm America, Inc. | Thermocouple |
| US7946762B2 (en) | 2008-06-17 | 2011-05-24 | Asm America, Inc. | Thermocouple |
| JP2013124942A (ja) * | 2011-12-15 | 2013-06-24 | Ihi Kankyo Engineering Co Ltd | 熱電対 |
| JP2013170846A (ja) * | 2012-02-17 | 2013-09-02 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 素線位置規制部材及び温度検出器 |
| USD702188S1 (en) | 2013-03-08 | 2014-04-08 | Asm Ip Holding B.V. | Thermocouple |
| JP2014122840A (ja) * | 2012-12-21 | 2014-07-03 | Murata Mfg Co Ltd | 酸素濃度測定装置 |
| JP2014122834A (ja) * | 2012-12-21 | 2014-07-03 | Murata Mfg Co Ltd | 酸素濃度測定装置 |
| US9297705B2 (en) | 2009-05-06 | 2016-03-29 | Asm America, Inc. | Smart temperature measuring device |
| JP2018146472A (ja) * | 2017-03-08 | 2018-09-20 | 株式会社神戸製鋼所 | 高温高圧炉用の温度計測器 |
| US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
| US10249577B2 (en) | 2016-05-17 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming metal interconnection and method of fabricating semiconductor apparatus using the method |
| US10262859B2 (en) | 2016-03-24 | 2019-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Process for forming a film on a substrate using multi-port injection assemblies |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
| US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
| US10312129B2 (en) | 2015-09-29 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
| US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
| US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
| US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
| US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
| US10340125B2 (en) | 2013-03-08 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
| US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| US10361201B2 (en) | 2013-09-27 | 2019-07-23 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device formed using selective epitaxial process |
| US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
| US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| US10364493B2 (en) | 2016-08-25 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust apparatus and substrate processing apparatus having an exhaust line with a first ring having at least one hole on a lateral side thereof placed in the exhaust line |
| US10366864B2 (en) | 2013-03-08 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in-situ formation of intermediate reactive species |
| US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
| US10381226B2 (en) | 2016-07-27 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing substrate |
| US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
| US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
| US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
| US10438965B2 (en) | 2014-12-22 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
| US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
| US10480072B2 (en) | 2009-04-06 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
| US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
| US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
| US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
| US10541173B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition method to form air gaps |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
| US10561975B2 (en) | 2014-10-07 | 2020-02-18 | Asm Ip Holdings B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
| US10566223B2 (en) | 2012-08-28 | 2020-02-18 | Asm Ip Holdings B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
| US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
| US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
| US10604847B2 (en) | 2014-03-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
| US10622375B2 (en) | 2016-11-07 | 2020-04-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
| US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
| US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
| US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
| US10665452B2 (en) | 2016-05-02 | 2020-05-26 | Asm Ip Holdings B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
| US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
| US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US10707106B2 (en) | 2011-06-06 | 2020-07-07 | Asm Ip Holding B.V. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
| US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10714335B2 (en) | 2017-04-25 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing thin film and method of manufacturing semiconductor device |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US10734244B2 (en) | 2017-11-16 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by the same |
| US10734497B2 (en) | 2017-07-18 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| US10741385B2 (en) | 2016-07-28 | 2020-08-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US10787741B2 (en) | 2014-08-21 | 2020-09-29 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| US10804098B2 (en) | 2009-08-14 | 2020-10-13 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
| US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
| US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
| US10832903B2 (en) | 2011-10-28 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
| US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10847371B2 (en) | 2018-03-27 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode |
| US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US10851456B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
| US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
| US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US10867786B2 (en) | 2018-03-30 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
| US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
| US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
| US10914004B2 (en) | 2018-06-29 | 2021-02-09 | Asm Ip Holding B.V. | Thin-film deposition method and manufacturing method of semiconductor device |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US10928731B2 (en) | 2017-09-21 | 2021-02-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of sequential infiltration synthesis treatment of infiltrateable material and structures and devices formed using same |
| US10934619B2 (en) | 2016-11-15 | 2021-03-02 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply unit and substrate processing apparatus including the gas supply unit |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11001925B2 (en) | 2016-12-19 | 2021-05-11 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US11056567B2 (en) | 2018-05-11 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a doped metal carbide film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US11069510B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11114294B2 (en) | 2019-03-08 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOC layer and method of forming same |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| US11127617B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-09-21 | Asm Ip Holding B.V. | Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
| US11127589B2 (en) | 2019-02-01 | 2021-09-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topology-selective film formation of silicon oxide |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| US11171025B2 (en) | 2019-01-22 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US11205585B2 (en) | 2016-07-28 | 2021-12-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method of operating the same |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| US11222772B2 (en) | 2016-12-14 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| US11227789B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11233133B2 (en) | 2015-10-21 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11251068B2 (en) | 2018-10-19 | 2022-02-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US11251040B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-02-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method including treatment step and apparatus for same |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
| US11274369B2 (en) | 2018-09-11 | 2022-03-15 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film deposition method |
| US11282698B2 (en) | 2019-07-19 | 2022-03-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming topology-controlled amorphous carbon polymer film |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| US11289326B2 (en) | 2019-05-07 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Method for reforming amorphous carbon polymer film |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| US11315794B2 (en) | 2019-10-21 | 2022-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for selectively etching films |
| US11342216B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-05-24 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11339476B2 (en) | 2019-10-08 | 2022-05-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device having connection plates, substrate processing method |
| US11345999B2 (en) | 2019-06-06 | 2022-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method of using a gas-phase reactor system including analyzing exhausted gas |
| US11355338B2 (en) | 2019-05-10 | 2022-06-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing material onto a surface and structure formed according to the method |
| US11361990B2 (en) | 2018-05-28 | 2022-06-14 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by using the same |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11378337B2 (en) | 2019-03-28 | 2022-07-05 | Asm Ip Holding B.V. | Door opener and substrate processing apparatus provided therewith |
| US11390946B2 (en) | 2019-01-17 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11390945B2 (en) | 2019-07-03 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same |
| US11393690B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition method |
| US11401605B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-08-02 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11414760B2 (en) | 2018-10-08 | 2022-08-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support unit, thin film deposition apparatus including the same, and substrate processing apparatus including the same |
| US11424119B2 (en) | 2019-03-08 | 2022-08-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer |
| US11430640B2 (en) | 2019-07-30 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US11437241B2 (en) | 2020-04-08 | 2022-09-06 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for selectively etching silicon oxide films |
| US11443926B2 (en) | 2019-07-30 | 2022-09-13 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| US11469098B2 (en) | 2018-05-08 | 2022-10-11 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing an oxide film on a substrate by a cyclical deposition process and related device structures |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11476109B2 (en) | 2019-06-11 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method |
| US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
| US11482418B2 (en) | 2018-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and apparatus |
| US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
| US11488854B2 (en) | 2020-03-11 | 2022-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate handling device with adjustable joints |
| US11488819B2 (en) | 2018-12-04 | 2022-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of cleaning substrate processing apparatus |
| US11495459B2 (en) | 2019-09-04 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition using a sacrificial capping layer |
| US11492703B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11499222B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| US11499226B2 (en) | 2018-11-02 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same |
| US11515188B2 (en) | 2019-05-16 | 2022-11-29 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method |
| US11515187B2 (en) | 2020-05-01 | 2022-11-29 | Asm Ip Holding B.V. | Fast FOUP swapping with a FOUP handler |
| US11521851B2 (en) | 2020-02-03 | 2022-12-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures including a vanadium or indium layer |
| US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| US11527400B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon oxide film having improved quality by peald using bis(diethylamino)silane |
| US11530483B2 (en) | 2018-06-21 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing system |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US11530876B2 (en) | 2020-04-24 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly comprising a cooling gas supply |
| US11551912B2 (en) | 2020-01-20 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film |
| US11551925B2 (en) | 2019-04-01 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for manufacturing a semiconductor device |
| US11557474B2 (en) | 2019-07-29 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition utilizing n-type dopants and/or alternative dopants to achieve high dopant incorporation |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11594600B2 (en) | 2019-11-05 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same |
| US11594450B2 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a structure with a hole |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| US11605528B2 (en) | 2019-07-09 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma device using coaxial waveguide, and substrate treatment method |
| US11610774B2 (en) | 2019-10-02 | 2023-03-21 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process |
| US11610775B2 (en) | 2016-07-28 | 2023-03-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11615970B2 (en) | 2019-07-17 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Radical assist ignition plasma system and method |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| US11626308B2 (en) | 2020-05-13 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Laser alignment fixture for a reactor system |
| US11626316B2 (en) | 2019-11-20 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing carbon-containing material on a surface of a substrate, structure formed using the method, and system for forming the structure |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11629407B2 (en) | 2019-02-22 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method for processing substrates |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| US11637011B2 (en) | 2019-10-16 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topology-selective film formation of silicon oxide |
| US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
| US11639548B2 (en) | 2019-08-21 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Film-forming material mixed-gas forming device and film forming device |
| US11644758B2 (en) | 2020-07-17 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and methods for use in photolithography |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| US11646184B2 (en) | 2019-11-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11646204B2 (en) | 2020-06-24 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a layer provided with silicon |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| US11658029B2 (en) | 2018-12-14 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a device structure using selective deposition of gallium nitride and system for same |
| US11658035B2 (en) | 2020-06-30 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US11664267B2 (en) | 2019-07-10 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support assembly and substrate processing device including the same |
| US11664199B2 (en) | 2018-10-19 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US11664245B2 (en) | 2019-07-16 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US11674220B2 (en) | 2020-07-20 | 2023-06-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing molybdenum layers using an underlayer |
| US11680839B2 (en) | 2019-08-05 | 2023-06-20 | Asm Ip Holding B.V. | Liquid level sensor for a chemical source vessel |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| US11685991B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11688603B2 (en) | 2019-07-17 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium structures |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| US11705333B2 (en) | 2020-05-21 | 2023-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including multiple carbon layers and methods of forming and using same |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
| US11725277B2 (en) | 2011-07-20 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US11735422B2 (en) | 2019-10-10 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a photoresist underlayer and structure including same |
| US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11767589B2 (en) | 2020-05-29 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| US11781221B2 (en) | 2019-05-07 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical source vessel with dip tube |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
| US11804364B2 (en) | 2020-05-19 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11814747B2 (en) | 2019-04-24 | 2023-11-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor system-with a reaction chamber, a solid precursor source vessel, a gas distribution system, and a flange assembly |
| US11823876B2 (en) | 2019-09-05 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| US11823866B2 (en) | 2020-04-02 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| US11827981B2 (en) | 2020-10-14 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing material on stepped structure |
| US11830738B2 (en) | 2020-04-03 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming barrier layer and method for manufacturing semiconductor device |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11828707B2 (en) | 2020-02-04 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for transmittance measurements of large articles |
| US11840761B2 (en) | 2019-12-04 | 2023-12-12 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11873557B2 (en) | 2020-10-22 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing vanadium metal |
| US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
| US11885023B2 (en) | 2018-10-01 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate retaining apparatus, system including the apparatus, and method of using same |
| US11885020B2 (en) | 2020-12-22 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Transition metal deposition method |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
| US11887857B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer comprising vanadium, nitrogen, and a further element |
| US11891696B2 (en) | 2020-11-30 | 2024-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Injector configured for arrangement within a reaction chamber of a substrate processing apparatus |
| US11901179B2 (en) | 2020-10-28 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and device for depositing silicon onto substrates |
| US11898243B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride-containing layer |
| US11915929B2 (en) | 2019-11-26 | 2024-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
| US11923181B2 (en) | 2019-11-29 | 2024-03-05 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for minimizing the effect of a filling gas during substrate processing |
| US11929251B2 (en) | 2019-12-02 | 2024-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus having electrostatic chuck and substrate processing method |
| US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
| US11961741B2 (en) | 2020-03-12 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method for fabricating layer structure having target topological profile |
| US11959168B2 (en) | 2020-04-29 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Solid source precursor vessel |
| US11967488B2 (en) | 2013-02-01 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for treatment of deposition reactor |
| US11972944B2 (en) | 2022-10-21 | 2024-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
-
1998
- 1998-04-02 JP JP10695798A patent/JPH11287715A/ja active Pending
Cited By (371)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7874726B2 (en) | 2007-05-24 | 2011-01-25 | Asm America, Inc. | Thermocouple |
| US7946762B2 (en) | 2008-06-17 | 2011-05-24 | Asm America, Inc. | Thermocouple |
| US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
| US10480072B2 (en) | 2009-04-06 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
| US10844486B2 (en) | 2009-04-06 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
| TWI489526B (zh) * | 2009-05-06 | 2015-06-21 | Asm Inc | 具有防護熱耦接頭之熱耦組件及具有此熱耦組件之溫度控制系統 |
| US9267850B2 (en) | 2009-05-06 | 2016-02-23 | Asm America, Inc. | Thermocouple assembly with guarded thermocouple junction |
| US9297705B2 (en) | 2009-05-06 | 2016-03-29 | Asm America, Inc. | Smart temperature measuring device |
| JP2012526282A (ja) * | 2009-05-06 | 2012-10-25 | エイエスエム・アメリカ・インコーポレイテッド | 保護付熱電対ジャンクションを有する熱電対アッセンブリ |
| WO2010129428A1 (en) * | 2009-05-06 | 2010-11-11 | Asm America, Inc. | Thermocouple assembly with guarded thermocouple junction |
| US10804098B2 (en) | 2009-08-14 | 2020-10-13 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
| US10707106B2 (en) | 2011-06-06 | 2020-07-07 | Asm Ip Holding B.V. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
| US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
| US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
| US11725277B2 (en) | 2011-07-20 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US10832903B2 (en) | 2011-10-28 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
| JP2013124942A (ja) * | 2011-12-15 | 2013-06-24 | Ihi Kankyo Engineering Co Ltd | 熱電対 |
| JP2013170846A (ja) * | 2012-02-17 | 2013-09-02 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 素線位置規制部材及び温度検出器 |
| US10566223B2 (en) | 2012-08-28 | 2020-02-18 | Asm Ip Holdings B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US11501956B2 (en) | 2012-10-12 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| JP2014122834A (ja) * | 2012-12-21 | 2014-07-03 | Murata Mfg Co Ltd | 酸素濃度測定装置 |
| JP2014122840A (ja) * | 2012-12-21 | 2014-07-03 | Murata Mfg Co Ltd | 酸素濃度測定装置 |
| US11967488B2 (en) | 2013-02-01 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for treatment of deposition reactor |
| US10340125B2 (en) | 2013-03-08 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
| USD702188S1 (en) | 2013-03-08 | 2014-04-08 | Asm Ip Holding B.V. | Thermocouple |
| US10366864B2 (en) | 2013-03-08 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in-situ formation of intermediate reactive species |
| US10361201B2 (en) | 2013-09-27 | 2019-07-23 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device formed using selective epitaxial process |
| US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
| US10604847B2 (en) | 2014-03-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US10787741B2 (en) | 2014-08-21 | 2020-09-29 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
| US11795545B2 (en) | 2014-10-07 | 2023-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US10561975B2 (en) | 2014-10-07 | 2020-02-18 | Asm Ip Holdings B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
| US10438965B2 (en) | 2014-12-22 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US11742189B2 (en) | 2015-03-12 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US11242598B2 (en) | 2015-06-26 | 2022-02-08 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
| US10312129B2 (en) | 2015-09-29 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
| US11233133B2 (en) | 2015-10-21 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US11956977B2 (en) | 2015-12-29 | 2024-04-09 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
| US11676812B2 (en) | 2016-02-19 | 2023-06-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on top/bottom portions |
| US10720322B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-07-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on top surface |
| US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
| US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| US10262859B2 (en) | 2016-03-24 | 2019-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Process for forming a film on a substrate using multi-port injection assemblies |
| US10851456B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
| US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| US10665452B2 (en) | 2016-05-02 | 2020-05-26 | Asm Ip Holdings B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
| US11101370B2 (en) | 2016-05-02 | 2021-08-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| US10249577B2 (en) | 2016-05-17 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming metal interconnection and method of fabricating semiconductor apparatus using the method |
| US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
| US11094582B2 (en) | 2016-07-08 | 2021-08-17 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition method to form air gaps |
| US11749562B2 (en) | 2016-07-08 | 2023-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition method to form air gaps |
| US10541173B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition method to form air gaps |
| US11649546B2 (en) | 2016-07-08 | 2023-05-16 | Asm Ip Holding B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
| US10381226B2 (en) | 2016-07-27 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing substrate |
| US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11205585B2 (en) | 2016-07-28 | 2021-12-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method of operating the same |
| US11610775B2 (en) | 2016-07-28 | 2023-03-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10741385B2 (en) | 2016-07-28 | 2020-08-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11694892B2 (en) | 2016-07-28 | 2023-07-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11107676B2 (en) | 2016-07-28 | 2021-08-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10364493B2 (en) | 2016-08-25 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust apparatus and substrate processing apparatus having an exhaust line with a first ring having at least one hole on a lateral side thereof placed in the exhaust line |
| US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
| US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
| US10943771B2 (en) | 2016-10-26 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US11810788B2 (en) | 2016-11-01 | 2023-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10720331B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-21 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
| US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10622375B2 (en) | 2016-11-07 | 2020-04-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
| US10644025B2 (en) | 2016-11-07 | 2020-05-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
| US10934619B2 (en) | 2016-11-15 | 2021-03-02 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply unit and substrate processing apparatus including the gas supply unit |
| US11396702B2 (en) | 2016-11-15 | 2022-07-26 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply unit and substrate processing apparatus including the gas supply unit |
| US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
| US11222772B2 (en) | 2016-12-14 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11851755B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-12-26 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11001925B2 (en) | 2016-12-19 | 2021-05-11 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US10784102B2 (en) | 2016-12-22 | 2020-09-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11251035B2 (en) | 2016-12-22 | 2022-02-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
| US10468262B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by a cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US11410851B2 (en) | 2017-02-15 | 2022-08-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| JP2018146472A (ja) * | 2017-03-08 | 2018-09-20 | 株式会社神戸製鋼所 | 高温高圧炉用の温度計測器 |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US11658030B2 (en) | 2017-03-29 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
| US10950432B2 (en) | 2017-04-25 | 2021-03-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing thin film and method of manufacturing semiconductor device |
| US10714335B2 (en) | 2017-04-25 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing thin film and method of manufacturing semiconductor device |
| US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
| US11848200B2 (en) | 2017-05-08 | 2023-12-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
| US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
| US10734497B2 (en) | 2017-07-18 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures |
| US11164955B2 (en) | 2017-07-18 | 2021-11-02 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures |
| US11695054B2 (en) | 2017-07-18 | 2023-07-04 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures |
| US11004977B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11802338B2 (en) | 2017-07-26 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
| US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
| US11587821B2 (en) | 2017-08-08 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US11417545B2 (en) | 2017-08-08 | 2022-08-16 | Asm Ip Holding B.V. | Radiation shield |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US10672636B2 (en) | 2017-08-09 | 2020-06-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11581220B2 (en) | 2017-08-30 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| US11069510B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
| US10928731B2 (en) | 2017-09-21 | 2021-02-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of sequential infiltration synthesis treatment of infiltrateable material and structures and devices formed using same |
| US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US11387120B2 (en) | 2017-09-28 | 2022-07-12 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US11094546B2 (en) | 2017-10-05 | 2021-08-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10734223B2 (en) | 2017-10-10 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
| US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US10734244B2 (en) | 2017-11-16 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by the same |
| US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| US11127617B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-09-21 | Asm Ip Holding B.V. | Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
| US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
| US11682572B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-06-20 | Asm Ip Holdings B.V. | Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
| US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| US11501973B2 (en) | 2018-01-16 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| US11393690B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition method |
| US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
| USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
| US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
| USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
| USD913980S1 (en) | 2018-02-01 | 2021-03-23 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
| US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
| US11735414B2 (en) | 2018-02-06 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11387106B2 (en) | 2018-02-14 | 2022-07-12 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11685991B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| US11482418B2 (en) | 2018-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and apparatus |
| US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11939673B2 (en) | 2018-02-23 | 2024-03-26 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| US11398382B2 (en) | 2018-03-27 | 2022-07-26 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode |
| US10847371B2 (en) | 2018-03-27 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode |
| US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US10867786B2 (en) | 2018-03-30 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US11469098B2 (en) | 2018-05-08 | 2022-10-11 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing an oxide film on a substrate by a cyclical deposition process and related device structures |
| US11056567B2 (en) | 2018-05-11 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a doped metal carbide film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US11908733B2 (en) | 2018-05-28 | 2024-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by using the same |
| US11361990B2 (en) | 2018-05-28 | 2022-06-14 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by using the same |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11837483B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-12-05 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
| US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| US11530483B2 (en) | 2018-06-21 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing system |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| US11296189B2 (en) | 2018-06-21 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| US11492703B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11499222B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11814715B2 (en) | 2018-06-27 | 2023-11-14 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11952658B2 (en) | 2018-06-27 | 2024-04-09 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US10914004B2 (en) | 2018-06-29 | 2021-02-09 | Asm Ip Holding B.V. | Thin-film deposition method and manufacturing method of semiconductor device |
| US11168395B2 (en) | 2018-06-29 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10755923B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US11923190B2 (en) | 2018-07-03 | 2024-03-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US11646197B2 (en) | 2018-07-03 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
| US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
| US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US11274369B2 (en) | 2018-09-11 | 2022-03-15 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film deposition method |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11804388B2 (en) | 2018-09-11 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| US11885023B2 (en) | 2018-10-01 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate retaining apparatus, system including the apparatus, and method of using same |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11414760B2 (en) | 2018-10-08 | 2022-08-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support unit, thin film deposition apparatus including the same, and substrate processing apparatus including the same |
| US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
| US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
| US11251068B2 (en) | 2018-10-19 | 2022-02-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US11664199B2 (en) | 2018-10-19 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11735445B2 (en) | 2018-10-31 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11866823B2 (en) | 2018-11-02 | 2024-01-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same |
| US11499226B2 (en) | 2018-11-02 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US11798999B2 (en) | 2018-11-16 | 2023-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US11244825B2 (en) | 2018-11-16 | 2022-02-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11411088B2 (en) | 2018-11-16 | 2022-08-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| US11488819B2 (en) | 2018-12-04 | 2022-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of cleaning substrate processing apparatus |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11769670B2 (en) | 2018-12-13 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11658029B2 (en) | 2018-12-14 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a device structure using selective deposition of gallium nitride and system for same |
| US11959171B2 (en) | 2019-01-17 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11390946B2 (en) | 2019-01-17 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11171025B2 (en) | 2019-01-22 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US11127589B2 (en) | 2019-02-01 | 2021-09-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topology-selective film formation of silicon oxide |
| US11342216B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-05-24 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11227789B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11251040B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-02-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method including treatment step and apparatus for same |
| US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
| US11798834B2 (en) | 2019-02-20 | 2023-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11615980B2 (en) | 2019-02-20 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
| US11629407B2 (en) | 2019-02-22 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method for processing substrates |
| US11901175B2 (en) | 2019-03-08 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer |
| US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
| US11114294B2 (en) | 2019-03-08 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOC layer and method of forming same |
| US11424119B2 (en) | 2019-03-08 | 2022-08-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer |
| US11378337B2 (en) | 2019-03-28 | 2022-07-05 | Asm Ip Holding B.V. | Door opener and substrate processing apparatus provided therewith |
| US11551925B2 (en) | 2019-04-01 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for manufacturing a semiconductor device |
| US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11814747B2 (en) | 2019-04-24 | 2023-11-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor system-with a reaction chamber, a solid precursor source vessel, a gas distribution system, and a flange assembly |
| US11289326B2 (en) | 2019-05-07 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Method for reforming amorphous carbon polymer film |
| US11781221B2 (en) | 2019-05-07 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical source vessel with dip tube |
| US11355338B2 (en) | 2019-05-10 | 2022-06-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing material onto a surface and structure formed according to the method |
| US11515188B2 (en) | 2019-05-16 | 2022-11-29 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
| US11345999B2 (en) | 2019-06-06 | 2022-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method of using a gas-phase reactor system including analyzing exhausted gas |
| US11908684B2 (en) | 2019-06-11 | 2024-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method |
| US11476109B2 (en) | 2019-06-11 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
| US11746414B2 (en) | 2019-07-03 | 2023-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same |
| US11390945B2 (en) | 2019-07-03 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same |
| US11605528B2 (en) | 2019-07-09 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma device using coaxial waveguide, and substrate treatment method |
| US11664267B2 (en) | 2019-07-10 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support assembly and substrate processing device including the same |
| US11664245B2 (en) | 2019-07-16 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US11688603B2 (en) | 2019-07-17 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium structures |
| US11615970B2 (en) | 2019-07-17 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Radical assist ignition plasma system and method |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| US11282698B2 (en) | 2019-07-19 | 2022-03-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming topology-controlled amorphous carbon polymer film |
| US11557474B2 (en) | 2019-07-29 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition utilizing n-type dopants and/or alternative dopants to achieve high dopant incorporation |
| US11443926B2 (en) | 2019-07-30 | 2022-09-13 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11430640B2 (en) | 2019-07-30 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11876008B2 (en) | 2019-07-31 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11680839B2 (en) | 2019-08-05 | 2023-06-20 | Asm Ip Holding B.V. | Liquid level sensor for a chemical source vessel |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| US11639548B2 (en) | 2019-08-21 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Film-forming material mixed-gas forming device and film forming device |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| US11594450B2 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a structure with a hole |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| US11827978B2 (en) | 2019-08-23 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| US11898242B2 (en) | 2019-08-23 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a polycrystalline molybdenum film over a surface of a substrate and related structures including a polycrystalline molybdenum film |
| US11527400B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon oxide film having improved quality by peald using bis(diethylamino)silane |
| US11495459B2 (en) | 2019-09-04 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition using a sacrificial capping layer |
| US11823876B2 (en) | 2019-09-05 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US11610774B2 (en) | 2019-10-02 | 2023-03-21 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process |
| US11339476B2 (en) | 2019-10-08 | 2022-05-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device having connection plates, substrate processing method |
| US11735422B2 (en) | 2019-10-10 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a photoresist underlayer and structure including same |
| US11637011B2 (en) | 2019-10-16 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topology-selective film formation of silicon oxide |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| US11315794B2 (en) | 2019-10-21 | 2022-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for selectively etching films |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| US11594600B2 (en) | 2019-11-05 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| US11626316B2 (en) | 2019-11-20 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing carbon-containing material on a surface of a substrate, structure formed using the method, and system for forming the structure |
| US11401605B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-08-02 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11915929B2 (en) | 2019-11-26 | 2024-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
| US11646184B2 (en) | 2019-11-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11923181B2 (en) | 2019-11-29 | 2024-03-05 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for minimizing the effect of a filling gas during substrate processing |
| US11929251B2 (en) | 2019-12-02 | 2024-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus having electrostatic chuck and substrate processing method |
| US11840761B2 (en) | 2019-12-04 | 2023-12-12 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
| US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| US11551912B2 (en) | 2020-01-20 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film |
| US11521851B2 (en) | 2020-02-03 | 2022-12-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures including a vanadium or indium layer |
| US11828707B2 (en) | 2020-02-04 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for transmittance measurements of large articles |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
| US11837494B2 (en) | 2020-03-11 | 2023-12-05 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate handling device with adjustable joints |
| US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
| US11488854B2 (en) | 2020-03-11 | 2022-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate handling device with adjustable joints |
| US11961741B2 (en) | 2020-03-12 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method for fabricating layer structure having target topological profile |
| US11823866B2 (en) | 2020-04-02 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| US11830738B2 (en) | 2020-04-03 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming barrier layer and method for manufacturing semiconductor device |
| US11437241B2 (en) | 2020-04-08 | 2022-09-06 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for selectively etching silicon oxide films |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| US11887857B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer comprising vanadium, nitrogen, and a further element |
| US11530876B2 (en) | 2020-04-24 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly comprising a cooling gas supply |
| US11898243B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride-containing layer |
| US11959168B2 (en) | 2020-04-29 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Solid source precursor vessel |
| US11798830B2 (en) | 2020-05-01 | 2023-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Fast FOUP swapping with a FOUP handler |
| US11515187B2 (en) | 2020-05-01 | 2022-11-29 | Asm Ip Holding B.V. | Fast FOUP swapping with a FOUP handler |
| US11626308B2 (en) | 2020-05-13 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Laser alignment fixture for a reactor system |
| US11804364B2 (en) | 2020-05-19 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US11705333B2 (en) | 2020-05-21 | 2023-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including multiple carbon layers and methods of forming and using same |
| US11767589B2 (en) | 2020-05-29 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
| US11646204B2 (en) | 2020-06-24 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a layer provided with silicon |
| US11658035B2 (en) | 2020-06-30 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| US11644758B2 (en) | 2020-07-17 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and methods for use in photolithography |
| US11674220B2 (en) | 2020-07-20 | 2023-06-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing molybdenum layers using an underlayer |
| US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| US11827981B2 (en) | 2020-10-14 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing material on stepped structure |
| US11873557B2 (en) | 2020-10-22 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing vanadium metal |
| US11901179B2 (en) | 2020-10-28 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and device for depositing silicon onto substrates |
| US11891696B2 (en) | 2020-11-30 | 2024-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Injector configured for arrangement within a reaction chamber of a substrate processing apparatus |
| US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
| US11885020B2 (en) | 2020-12-22 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Transition metal deposition method |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| US11972944B2 (en) | 2022-10-21 | 2024-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
| US11970766B2 (en) | 2023-01-17 | 2024-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11287715A (ja) | 熱電対 | |
| JP3740587B2 (ja) | 熱電対 | |
| US6899457B2 (en) | Thermistor temperature sensor | |
| US4485263A (en) | Thermocouple instrument | |
| US9752937B2 (en) | Temperature sensing assembly for measuring temperature of a surface of a structure | |
| KR100217144B1 (ko) | 촉매변환기 지지체용 온도측정 및 또는 가열장치 | |
| JPH11183264A (ja) | 熱電対をもつ温度測定器 | |
| US11774299B2 (en) | Temperature sensor and a method for assembling such a temperature sensor | |
| JP2021071346A (ja) | セラミック応用電子機器及びコネクタ | |
| JP4576722B2 (ja) | ガスセンサ | |
| JP2018036188A (ja) | 温度センサ | |
| JPS5832651B2 (ja) | 浸漬熱電対の差込接続装置 | |
| JP4461622B2 (ja) | ガスセンサ | |
| US11585782B2 (en) | Ceramic applied electronic device and connector | |
| JP5101953B2 (ja) | 多点温度センサ | |
| JPH11326068A (ja) | 保護管及びこれを用いた熱電対 | |
| JP3108015U (ja) | シース熱電対先端パッド | |
| JP2504626B2 (ja) | 熱電対構造体 | |
| JPS645216Y2 (ja) | ||
| JP4607315B2 (ja) | ガスセンサ | |
| JP4395323B2 (ja) | ひずみゲージ | |
| JP4274662B2 (ja) | セラミックガスセンサ管 | |
| JPH0534614B2 (ja) | ||
| JPH01233332A (ja) | 熱電対 | |
| JPH0220653Y2 (ja) |