JPH11284210A - 太陽電池および赤外光センサおよび熱電発電素子 - Google Patents
太陽電池および赤外光センサおよび熱電発電素子Info
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- JPH11284210A JPH11284210A JP10085446A JP8544698A JPH11284210A JP H11284210 A JPH11284210 A JP H11284210A JP 10085446 A JP10085446 A JP 10085446A JP 8544698 A JP8544698 A JP 8544698A JP H11284210 A JPH11284210 A JP H11284210A
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- Japan
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- solar cell
- material containing
- electrode
- buffer layer
- substrate
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】金属部材上に作製し、極めて簡単な構造で、安
価な太陽電池，赤外光センサ，熱電発電素子の構造を提
供する。 【解決手段】金属部材の基板上にバッファ層を配置し、
その上にｐ型β−ＦｅＳi2層を１つの電極として配置さ
せることを特徴とする太陽電池，赤外光センサ，熱電発
電素子の構造。基板として曲面への加工が容易な金属部
材を使用し、その上に、基板との剥離が少なく、かつ、
拡散混合しにくい、厚さ５ｎｍ〜１００μｍの範囲内の
金属あるいは絶縁物からなるバッファ層を配置し、その
上に光導電性を有するｐ型β−ＦｅＳｉ２層を１つの電
極として配置させるショットキー接合を作る構造、ある
いは、ｐ−ｎ接合を作る構造とする。
価な太陽電池，赤外光センサ，熱電発電素子の構造を提
供する。 【解決手段】金属部材の基板上にバッファ層を配置し、
その上にｐ型β−ＦｅＳi2層を１つの電極として配置さ
せることを特徴とする太陽電池，赤外光センサ，熱電発
電素子の構造。基板として曲面への加工が容易な金属部
材を使用し、その上に、基板との剥離が少なく、かつ、
拡散混合しにくい、厚さ５ｎｍ〜１００μｍの範囲内の
金属あるいは絶縁物からなるバッファ層を配置し、その
上に光導電性を有するｐ型β−ＦｅＳｉ２層を１つの電
極として配置させるショットキー接合を作る構造、ある
いは、ｐ−ｎ接合を作る構造とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、太陽光エネルギを
電気エネルギに変換するための太陽電池、および、物体
が放射する赤外線を検知するための赤外光センサ、およ
び、自動車エンジンや製鉄所、あるいは、ゴミ焼却場な
どにおいて発生する熱エネルギを電気エネルギに変換す
る熱電発電素子の構造に関する。
電気エネルギに変換するための太陽電池、および、物体
が放射する赤外線を検知するための赤外光センサ、およ
び、自動車エンジンや製鉄所、あるいは、ゴミ焼却場な
どにおいて発生する熱エネルギを電気エネルギに変換す
る熱電発電素子の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、太陽電池の構造は、吉見雅士，鈴
木孝之，中島昭彦，山本憲治，平成７年第５６回応用物
理学会学術講演会講演予稿集，Ｎo.２，講演番号２７ｐ
−Ｓ−９，６３９頁、あるいは、西田誠，山嵜一郎，岡
本論，小松雄爾，兼岩実，南森孝幸，平成７年第５６回
応用物理学会学術講演会講演予稿集，Ｎo,２，講演番号
２７ｐ−Ｓ−１０，６３９頁中に示されているように、
ガラス基板や、シリコン結晶基板を用いて、その上に太
陽電池の受光部分を形成する構造が主流であった。
木孝之，中島昭彦，山本憲治，平成７年第５６回応用物
理学会学術講演会講演予稿集，Ｎo.２，講演番号２７ｐ
−Ｓ−９，６３９頁、あるいは、西田誠，山嵜一郎，岡
本論，小松雄爾，兼岩実，南森孝幸，平成７年第５６回
応用物理学会学術講演会講演予稿集，Ｎo,２，講演番号
２７ｐ−Ｓ−１０，６３９頁中に示されているように、
ガラス基板や、シリコン結晶基板を用いて、その上に太
陽電池の受光部分を形成する構造が主流であった。
【０００３】さらに赤外光検出素子、あるいは、赤外線
センサとしては、特開平2−260468号公報，特開平7−13
4066 号公報に開示されているが、いずれも単結晶シリ
コン基板上に素子を形成する構造である。
センサとしては、特開平2−260468号公報，特開平7−13
4066 号公報に開示されているが、いずれも単結晶シリ
コン基板上に素子を形成する構造である。
【０００４】また、熱電発電素子としては、特開平7−1
30979 号公報中に記載されているようにシリコン基板を
用いる構造と、特開平5−21851号公報中に記載されてい
るように、基板を用いずに焼結法により素子を作製する
構造が主流であった。
30979 号公報中に記載されているようにシリコン基板を
用いる構造と、特開平5−21851号公報中に記載されてい
るように、基板を用いずに焼結法により素子を作製する
構造が主流であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例の構造の太陽電池あるいは赤外光センサあるいは熱
電発電素子においては、高価なシリコン結晶やガラスを
基板として使用するために、全体として安価な素子を得
るのは難しかった。特にこれらの基板は通常平面板状で
作られているので、自動車のボディーのように曲面形状
の部材の上に素子を作製することは難しかった。
来例の構造の太陽電池あるいは赤外光センサあるいは熱
電発電素子においては、高価なシリコン結晶やガラスを
基板として使用するために、全体として安価な素子を得
るのは難しかった。特にこれらの基板は通常平面板状で
作られているので、自動車のボディーのように曲面形状
の部材の上に素子を作製することは難しかった。
【０００６】従って本発明の目的は、極めて簡単な構造
で、安価な太陽電池および赤外光センサおよび熱電発電
素子を提供することにある。
で、安価な太陽電池および赤外光センサおよび熱電発電
素子を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的は、基板として
曲面への加工が容易な金属部材を使用し、その上に、基
板との剥離が少なく、かつ、拡散混合しにくい、厚さ５
ｎｍ〜１００μｍの範囲内の金属あるいは絶縁物からな
るバッファ層を配置し、その上に光導電性を有するｐ型
β−ＦｅＳｉ2 層を１つの電極として配置させるショッ
トキー接合を作る構造、あるいは、ｐ−ｎ接合を作る構
造とすることにより達成される。
曲面への加工が容易な金属部材を使用し、その上に、基
板との剥離が少なく、かつ、拡散混合しにくい、厚さ５
ｎｍ〜１００μｍの範囲内の金属あるいは絶縁物からな
るバッファ層を配置し、その上に光導電性を有するｐ型
β−ＦｅＳｉ2 層を１つの電極として配置させるショッ
トキー接合を作る構造、あるいは、ｐ−ｎ接合を作る構
造とすることにより達成される。
【０００８】本発明においては、材料コストが安く、か
つ、プレス加工などにより曲面加工が容易な金属部材上
に、バッファ層を介して、その上に直接、太陽電池ある
いは赤外光センサあるいは熱電発電素子となりうる光導
電性を有するβ−ＦｅＳｉ2電極層を作製する構造であ
るので、自動車・船体・建材・建築構造物・屋根瓦・窓
枠・屋根材料鋼鈑・自転車など、いかなる三次元形状の
物体の表面にも安価な太陽電池および赤外光センサおよ
び熱電発電素子を提供することが出来る。
つ、プレス加工などにより曲面加工が容易な金属部材上
に、バッファ層を介して、その上に直接、太陽電池ある
いは赤外光センサあるいは熱電発電素子となりうる光導
電性を有するβ−ＦｅＳｉ2電極層を作製する構造であ
るので、自動車・船体・建材・建築構造物・屋根瓦・窓
枠・屋根材料鋼鈑・自転車など、いかなる三次元形状の
物体の表面にも安価な太陽電池および赤外光センサおよ
び熱電発電素子を提供することが出来る。
【０００９】
【発明の実施の形態】〔実施例その１〕図１は本発明の
基本原理を示した図である。
基本原理を示した図である。
【００１０】基板として、大きさ２００mm角，厚さ２０
０μｍのＦｅ−１４％Ｃｒ−０.１％Ｔｉの鋼鈑１上
に、スパッタリング法により大きさ２００mm角，厚さ１
００nmのＡｌ−０.５％ Ｓｉ薄膜をバッファ層２として
成膜して配置した。次に、その上に大きさ１９０mm角，
膜厚１００ｎｍの光導電性を有するｐ型β−ＦｅＳｉ2
層３を作製した。さらに、その上にストライプ状に大き
さ１８０mm×１０mm，膜厚５ｎｍの半透明Ａｌ膜４を５
連、等間隔で、マスクを利用してスパッタ法により成膜
し、Ａｌ膜電極４とした。このようにしてＡｌ膜電極４
とｐ型β−FeSi2層電極３とでショットキー接合を構成
した。Ａｌ膜電極４とｐ型β−ＦｅＳｉ2層電極３から
はそれぞれオーミック接触をとった金属電極５と配線６
を取り出して、太陽電池とし、外部測定回路７を接続し
た。この時、５連の半透明Ａｌ膜電極４からの取り出し
配線をすべて並列に接続した。
０μｍのＦｅ−１４％Ｃｒ−０.１％Ｔｉの鋼鈑１上
に、スパッタリング法により大きさ２００mm角，厚さ１
００nmのＡｌ−０.５％ Ｓｉ薄膜をバッファ層２として
成膜して配置した。次に、その上に大きさ１９０mm角，
膜厚１００ｎｍの光導電性を有するｐ型β−ＦｅＳｉ2
層３を作製した。さらに、その上にストライプ状に大き
さ１８０mm×１０mm，膜厚５ｎｍの半透明Ａｌ膜４を５
連、等間隔で、マスクを利用してスパッタ法により成膜
し、Ａｌ膜電極４とした。このようにしてＡｌ膜電極４
とｐ型β−FeSi2層電極３とでショットキー接合を構成
した。Ａｌ膜電極４とｐ型β−ＦｅＳｉ2層電極３から
はそれぞれオーミック接触をとった金属電極５と配線６
を取り出して、太陽電池とし、外部測定回路７を接続し
た。この時、５連の半透明Ａｌ膜電極４からの取り出し
配線をすべて並列に接続した。
【００１１】上記の光導電性を有するｐ型β−ＦｅＳｉ
2 層３の作製方法としては、まずスパッタ法により室温
でアモルファスＳｉを膜厚１５０ｎｍ堆積させたのち、
イオン注入法によりＦｅ+ イオンを加速エネルギー１０
０ｋｅＶ，ドーズ量１×1017ions／cm2イオン注入した
後、６００℃，２時間ランプアニールして作製した。上
記の構造のショットキー接合型太陽電池に晴天時の太陽
光８（１００ｍＷ／cm2)を上部より照射し、外部測定回
路７により測定したところ、開放端電圧は０.８５Ｖ
で、短絡電流は１４.０ｍＡ／cm2であり、太陽電池とし
ての変換効率は６.８％ を確認することができた。
2 層３の作製方法としては、まずスパッタ法により室温
でアモルファスＳｉを膜厚１５０ｎｍ堆積させたのち、
イオン注入法によりＦｅ+ イオンを加速エネルギー１０
０ｋｅＶ，ドーズ量１×1017ions／cm2イオン注入した
後、６００℃，２時間ランプアニールして作製した。上
記の構造のショットキー接合型太陽電池に晴天時の太陽
光８（１００ｍＷ／cm2)を上部より照射し、外部測定回
路７により測定したところ、開放端電圧は０.８５Ｖ
で、短絡電流は１４.０ｍＡ／cm2であり、太陽電池とし
ての変換効率は６.８％ を確認することができた。
【００１２】上記の光導電性を有するｐ型β−ＦｅＳｉ
2 層を用いて、アモルファスＳｉ層やｎ型β−ＦｅＳｉ
2 層など他の半導体材料と組み合わせて、ｐ−ｉ−ｎ構
造の太陽電池を作ることも可能である。
2 層を用いて、アモルファスＳｉ層やｎ型β−ＦｅＳｉ
2 層など他の半導体材料と組み合わせて、ｐ−ｉ−ｎ構
造の太陽電池を作ることも可能である。
【００１３】また、本発明ではバッファ層２として１層
の薄膜を使用したが、２個以上の複数個の薄膜を積層し
て使用することも可能である。
の薄膜を使用したが、２個以上の複数個の薄膜を積層し
て使用することも可能である。
【００１４】〔実施例その２〕図２は、瓦の形状にプレ
ス加工をした、大きさ３００mm角，厚さ０.８mm のステ
ンレス鋼鈑９の上に太陽電池を作製した例を示す図であ
る。
ス加工をした、大きさ３００mm角，厚さ０.８mm のステ
ンレス鋼鈑９の上に太陽電池を作製した例を示す図であ
る。
【００１５】上記実施例その１と同様に、ステンレス鋼
鈑基板９の上に厚さ１００ｎｍのＡｌ−０.５％ Ｓｉ薄
膜をバッファ層２として成膜し、その上に膜厚１００ｎ
ｍの光導電性を有するｐ型β−ＦｅＳｉ2 層３を作製し
た。さらに、その上にストライプ状に幅１０mm，膜厚５
ｎｍの半透明Ａｌ膜４を１２連(図では４連で示す)、等
間隔で、マスクを利用してスパッタ法により成膜し、Ａ
ｌ膜電極４とした。このようにしてＡｌ膜電極４とｐ型
β−ＦｅＳｉ2 層電極３とでショットキー接合を構成し
た。Ａｌ膜電極４とｐ型β−ＦｅＳｉ2 層電極３からは
それぞれオーミック接触をとった金属電極５と配線６を
取り出して、太陽電池とした。この時、１２連の半透明
Ａｌ膜電極４からの取り出し配線をすべて並列に接続し
た。
鈑基板９の上に厚さ１００ｎｍのＡｌ−０.５％ Ｓｉ薄
膜をバッファ層２として成膜し、その上に膜厚１００ｎ
ｍの光導電性を有するｐ型β−ＦｅＳｉ2 層３を作製し
た。さらに、その上にストライプ状に幅１０mm，膜厚５
ｎｍの半透明Ａｌ膜４を１２連(図では４連で示す)、等
間隔で、マスクを利用してスパッタ法により成膜し、Ａ
ｌ膜電極４とした。このようにしてＡｌ膜電極４とｐ型
β−ＦｅＳｉ2 層電極３とでショットキー接合を構成し
た。Ａｌ膜電極４とｐ型β−ＦｅＳｉ2 層電極３からは
それぞれオーミック接触をとった金属電極５と配線６を
取り出して、太陽電池とした。この時、１２連の半透明
Ａｌ膜電極４からの取り出し配線をすべて並列に接続し
た。
【００１６】このようにして作製した太陽電池パネルを
３０枚直列にしたセットの両端の開放端電圧は２４Ｖあ
った。
３０枚直列にしたセットの両端の開放端電圧は２４Ｖあ
った。
【００１７】大気中での寿命試験による温度サイクルに
おいて、ステンレス鋼鈑よりのはがれやさびの発生は無
視できるほど少なかった。
おいて、ステンレス鋼鈑よりのはがれやさびの発生は無
視できるほど少なかった。
【００１８】〔実施例その３〕図３は本発明により作製
した赤外光センサの構造の一例を示した図である。基板
として、大きさ１２mm角，厚さ３００μｍの純度９９％
のＴｉ基板１０上に、スパッタリング法により厚さ１０
０ｎｍの絶縁性酸化チタン薄膜をバッファ層１１として
成膜して配置した。次に、その上に膜厚１００ｎｍの光
導電性を有するｐ型β−ＦｅＳｉ2 層１２を作製した。
その作製方法は実施例その１の場合と同様である。次
に、その上に大きさ１mm角のＡｌ電極１３，１４，１
５，１６を４ヵ所スパッタ法により成膜し、赤外光セン
サ素子とした。
した赤外光センサの構造の一例を示した図である。基板
として、大きさ１２mm角，厚さ３００μｍの純度９９％
のＴｉ基板１０上に、スパッタリング法により厚さ１０
０ｎｍの絶縁性酸化チタン薄膜をバッファ層１１として
成膜して配置した。次に、その上に膜厚１００ｎｍの光
導電性を有するｐ型β−ＦｅＳｉ2 層１２を作製した。
その作製方法は実施例その１の場合と同様である。次
に、その上に大きさ１mm角のＡｌ電極１３，１４，１
５，１６を４ヵ所スパッタ法により成膜し、赤外光セン
サ素子とした。
【００１９】上記の赤外光センサ素子に、Ｎｄ＋ＹＡＧ
レーザからの波長１.０６μｍ の赤外光１７をパルス化
（周波数１００Ｈｚ）して照射した。この時、両端のＡ
ｌ電極１３，１６間には一定直流電流０.１ｍＡ を流
し、中間のＡｌ電極１４，１５間（間隔２mm）の抵抗変
化をその電極間の電圧変化として測定すると、明らかに
赤外光照射に同期して端子間電圧が低下する変化が観測
できた。すなわち、赤外光照射がない場合には中間のＡ
ｌ電極１４，１５間の抵抗値が４０ｋΩであるのに対
し、赤外光照射をすると２５ｋΩに低下した。この抵抗
変化を外部電子回路（図示せず）で検出して、赤外光セ
ンサとして使用することができた。
レーザからの波長１.０６μｍ の赤外光１７をパルス化
（周波数１００Ｈｚ）して照射した。この時、両端のＡ
ｌ電極１３，１６間には一定直流電流０.１ｍＡ を流
し、中間のＡｌ電極１４，１５間（間隔２mm）の抵抗変
化をその電極間の電圧変化として測定すると、明らかに
赤外光照射に同期して端子間電圧が低下する変化が観測
できた。すなわち、赤外光照射がない場合には中間のＡ
ｌ電極１４，１５間の抵抗値が４０ｋΩであるのに対
し、赤外光照射をすると２５ｋΩに低下した。この抵抗
変化を外部電子回路（図示せず）で検出して、赤外光セ
ンサとして使用することができた。
【００２０】照射するレーザ光のパルス光周波数を変化
して同様の測定を室温において行ったところ、図４の白
抜きの四角記号で示すように、市販されているＰｂＳを
材料とする赤外光センサが周波数６００Ｈｚ以上で感度
が低下するのに対し、黒丸で示した本発明のβ−ＦｅＳ
ｉ2 を材料とした赤外光センサでは周波数３ｋＨｚまで
感度の低下はなかった。
して同様の測定を室温において行ったところ、図４の白
抜きの四角記号で示すように、市販されているＰｂＳを
材料とする赤外光センサが周波数６００Ｈｚ以上で感度
が低下するのに対し、黒丸で示した本発明のβ−ＦｅＳ
ｉ2 を材料とした赤外光センサでは周波数３ｋＨｚまで
感度の低下はなかった。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、従
来方法のような高価なシリコン結晶やガラスを基板とし
て使用することが必要なく、曲面への加工が容易な金属
部材を基板として使用するので、安価な太陽電池および
赤外光センサおよび熱電発電素子を提供することが可能
になるという効果がある。特に、材料コストが安く、か
つ、プレス加工などにより曲面加工が容易な金属部材上
に、バッファ層を介して、その上に直接、太陽電池ある
いは赤外光センサあるいは熱電発電素子となりうる光導
電性を有するβ−ＦｅＳｉ2 電極層を作製する構造であ
るので、自動車・船体・建材・建築構造物・屋根瓦・窓
枠・屋根材料鋼鈑・自転車など、いかなる三次元形状の
物体の表面にも安価な太陽電池および赤外光センサおよ
び熱電発電素子を提供することが出来る。
来方法のような高価なシリコン結晶やガラスを基板とし
て使用することが必要なく、曲面への加工が容易な金属
部材を基板として使用するので、安価な太陽電池および
赤外光センサおよび熱電発電素子を提供することが可能
になるという効果がある。特に、材料コストが安く、か
つ、プレス加工などにより曲面加工が容易な金属部材上
に、バッファ層を介して、その上に直接、太陽電池ある
いは赤外光センサあるいは熱電発電素子となりうる光導
電性を有するβ−ＦｅＳｉ2 電極層を作製する構造であ
るので、自動車・船体・建材・建築構造物・屋根瓦・窓
枠・屋根材料鋼鈑・自転車など、いかなる三次元形状の
物体の表面にも安価な太陽電池および赤外光センサおよ
び熱電発電素子を提供することが出来る。
【図１】本発明の基本原理を示す一実施例を表わした図
である。
である。
【図２】ステンレス鋼鈑上に作製した太陽電池の構造を
示す図である。
示す図である。
【図３】本発明により作製した赤外光センサの構造の一
例を示す図である。
例を示す図である。
【図４】本発明により作製した赤外光センサの光周波数
に対する感度変化の一例を示す図である。
に対する感度変化の一例を示す図である。
１…Ｆｅ−１４％Ｃｒ−０.１％Ｔｉを成分とする鋼鈑
基板、２…Ａｌ−０.５％Ｓｉ薄膜からなるバッファ
層、３，１２…光導電性を有するｐ型β−ＦｅＳi2層、
４…半透明Ａｌ膜からなるＡｌ膜電極、５…オーミック
接触金属電極、６…配線、７…外部測定回路、８…太陽
光線、９…ステンレス鋼鈑基板、１０…Ｔｉ基板、１１
…絶縁性酸化チタン薄膜からなるバッファ層、１３，１
４，１５，１６…Ａｌ電極、１７…パルス化した赤外
光。
基板、２…Ａｌ−０.５％Ｓｉ薄膜からなるバッファ
層、３，１２…光導電性を有するｐ型β−ＦｅＳi2層、
４…半透明Ａｌ膜からなるＡｌ膜電極、５…オーミック
接触金属電極、６…配線、７…外部測定回路、８…太陽
光線、９…ステンレス鋼鈑基板、１０…Ｔｉ基板、１１
…絶縁性酸化チタン薄膜からなるバッファ層、１３，１
４，１５，１６…Ａｌ電極、１７…パルス化した赤外
光。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鬼沢 賢一 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内
Claims (9)
- 【請求項１】金属部材の基板上に、厚さ５ｎｍ〜１００
μｍの範囲内の金属あるいは絶縁物からなるバッファ層
を配置し、その上にｐ型β−ＦｅＳｉ2 層を１つの電極
として配置させたことを特徴とする太陽電池。 - 【請求項２】上記請求項１において、前記金属部材の材
質は、Ｆｅを９８％以上含む鋼材，ステンレス鋼，Ｃｕ
を９５％以上含む銅材，Ｔｉを９５％以上含むチタン
材，Ａｌを９５％以上含むアルミニウム材であることを
特徴とする太陽電池。 - 【請求項３】上記請求項１において、前記バッファ層の
材質は、Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｕなど、下地基板と剥離しにく
く、拡散混合しにくい材料であることを特徴とする太陽
電池。 - 【請求項４】金属部材の基板上に、厚さ５ｎｍ〜１００
μｍの範囲内の金属あるいは絶縁物からなるバッファ層
を配置し、その上にｐ型β−ＦｅＳｉ2 層を１つの電極
として配置させたことを特徴とする赤外光センサ。 - 【請求項５】上記請求項４において、前記金属部材の材
質は、Ｆｅを９８％以上含む鋼材，ステンレス鋼，Ｃｕ
を９５％以上含む銅材，Ｔｉを９５％以上含むチタン
材，Ａｌを９５％以上含むアルミニウム材であることを
特徴とする赤外光センサ。 - 【請求項６】上記請求項４において、前記バッファ層の
材質は、Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｕなど、下地基板と剥離しにく
く、拡散混合しにくい材料であることを特徴とする赤外
光センサ。 - 【請求項７】金属部材の基板上に、厚さ５ｎｍ〜１００
μｍの範囲内の金属あるいは絶縁物からなるバッファ層
を配置し、その上にｐ型β−ＦｅＳｉ2 層を１つの電極
として配置させたことを特徴とする熱電発電素子。 - 【請求項８】上記請求項７において、前記金属部材の材
質は、Ｆｅを９８％以上含む鋼材，ステンレス鋼，Ｃｕ
を９５％以上含む銅材，Ｔｉを９５％以上含むチタン
材，Ａｌを９５％以上含むアルミニウム材であることを
特徴とする熱電発電素子。 - 【請求項９】上記請求項７において、前記バッファ層の
材質は、Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｕなど、下地基板と剥離しにく
く、拡散混合しにくい材料であることを特徴とする熱電
発電素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10085446A JPH11284210A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 太陽電池および赤外光センサおよび熱電発電素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10085446A JPH11284210A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 太陽電池および赤外光センサおよび熱電発電素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11284210A true JPH11284210A (ja) | 1999-10-15 |
Family
ID=13859111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10085446A Pending JPH11284210A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 太陽電池および赤外光センサおよび熱電発電素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11284210A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005277341A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Tateyama Machine Kk | 半導体の製造方法 |
| KR101384981B1 (ko) * | 2012-01-30 | 2014-04-14 | 연세대학교 산학협력단 | 열효율을 개선할 수 있는 구조를 갖는 열전 소자 |
-
1998
- 1998-03-31 JP JP10085446A patent/JPH11284210A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005277341A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Tateyama Machine Kk | 半導体の製造方法 |
| KR101384981B1 (ko) * | 2012-01-30 | 2014-04-14 | 연세대학교 산학협력단 | 열효율을 개선할 수 있는 구조를 갖는 열전 소자 |
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