JPH11284179A5 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH11284179A5 JPH11284179A5 JP1998083528A JP8352898A JPH11284179A5 JP H11284179 A5 JPH11284179 A5 JP H11284179A5 JP 1998083528 A JP1998083528 A JP 1998083528A JP 8352898 A JP8352898 A JP 8352898A JP H11284179 A5 JPH11284179 A5 JP H11284179A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- silicon
- gate
- silicon film
- gate electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8352898A JPH11284179A (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8352898A JPH11284179A (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11284179A JPH11284179A (ja) | 1999-10-15 |
| JPH11284179A5 true JPH11284179A5 (enExample) | 2005-08-11 |
Family
ID=13805000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8352898A Pending JPH11284179A (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11284179A (enExample) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6599831B1 (en) * | 2002-04-30 | 2003-07-29 | Advanced Micro Devices, Inc. | Metal gate electrode using silicidation and method of formation thereof |
| AU2003303273A1 (en) * | 2002-12-20 | 2004-07-14 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained with such a method |
| KR100481185B1 (ko) | 2003-07-10 | 2005-04-07 | 삼성전자주식회사 | 완전 게이트 실리사이드화 공정을 사용하여 모스트랜지스터를 제조하는 방법 |
| JP2005228761A (ja) * | 2004-02-10 | 2005-08-25 | Rohm Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| KR100549006B1 (ko) | 2004-02-27 | 2006-02-02 | 삼성전자주식회사 | 완전한 실리사이드 게이트를 갖는 모스 트랜지스터 제조방법 |
| JP4676156B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2011-04-27 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US7078278B2 (en) * | 2004-04-28 | 2006-07-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | Dual-metal CMOS transistors with tunable gate electrode work function and method of making the same |
| KR100719342B1 (ko) | 2005-02-01 | 2007-05-17 | 삼성전자주식회사 | 듀얼 게이트 전극을 갖는 반도체 소자 및 그 형성 방법 |
| JP4602138B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2010-12-22 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2006339441A (ja) * | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US20090115002A1 (en) * | 2005-06-23 | 2009-05-07 | Nec Corporation | Semiconductor Device |
| JP2007027727A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-02-01 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | フルシリサイド化ゲートmosfetの形成方法及び該方法により得られるデバイス |
| JP2008288364A (ja) | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Sony Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2010161400A (ja) * | 2010-03-11 | 2010-07-22 | Rohm Co Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
-
1998
- 1998-03-30 JP JP8352898A patent/JPH11284179A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100257079B1 (ko) | 반도체소자 및 이의 제조방법 | |
| JPH10189966A5 (enExample) | ||
| JPH1041482A5 (enExample) | ||
| JP2006522486A5 (enExample) | ||
| FR2825834A1 (fr) | Procede de fabrication d'un disositif a semi-conducteur | |
| JPH11284179A5 (enExample) | ||
| JPH02273934A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
| TWI779568B (zh) | 碳化矽mosfet裝置的製造方法 | |
| US20020000623A1 (en) | Semiconductor device and method for fabricating the same using damascene process | |
| JP2005072236A5 (enExample) | ||
| JPH1174527A5 (enExample) | ||
| KR20090005747A (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR100754262B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP2005109389A5 (enExample) | ||
| KR0161380B1 (ko) | 반도체장치의 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| JPH045865A (ja) | 半導体記憶装置及びその製造方法 | |
| JPH04223341A (ja) | 半導体デバイスの製造方法及び金属ケイカ物層を自己整合的に形成する方法 | |
| JP2002110966A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
| JPH07263674A (ja) | 電界効果型半導体装置とその製造方法 | |
| KR930005483B1 (ko) | 자기정열 실리사이드를 이용한 기억소자 제조방법 | |
| KR19980038426A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| KR100334866B1 (ko) | 반도체소자의트랜지스터형성방법 | |
| KR100567050B1 (ko) | 반도체메모리의 실리사이드 형성방법 | |
| KR100727255B1 (ko) | 반도체 소자 및 이의 제조 방법 | |
| KR940022925A (ko) | 반도체 장치내의 고립 영역 제조 방법 |