JPH11284113A - 半導体集積デバイスの放熱機構 - Google Patents
半導体集積デバイスの放熱機構Info
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- JPH11284113A JPH11284113A JP10100022A JP10002298A JPH11284113A JP H11284113 A JPH11284113 A JP H11284113A JP 10100022 A JP10100022 A JP 10100022A JP 10002298 A JP10002298 A JP 10002298A JP H11284113 A JPH11284113 A JP H11284113A
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- JP
- Japan
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- heat
- circuit board
- semiconductor integrated
- ground pattern
- component mounting
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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-
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、半導体集積デバイスに直接放熱板
を取り付けるスペースが確保できない場合でも、半導体
集積デバイスの発熱を効率よく放熱できる放熱機構を提
供する。 【解決手段】 半導体集積デバイス（１０）の外部に付
加する放熱機構である。本発明では、前記デバイスを実
装する部品実装面（３１）を有した回路基板（３０）
と、この部品実装面に形成されたグランドパターン（３
２）と、前記回路基板の前記部品実装面とは逆の面（３
３）に搭載された放熱板（２０）と、前記回路基板を貫
通して前記グランドパターンに接続される前記放熱板の
脚部（２１）とを備える。
を取り付けるスペースが確保できない場合でも、半導体
集積デバイスの発熱を効率よく放熱できる放熱機構を提
供する。 【解決手段】 半導体集積デバイス（１０）の外部に付
加する放熱機構である。本発明では、前記デバイスを実
装する部品実装面（３１）を有した回路基板（３０）
と、この部品実装面に形成されたグランドパターン（３
２）と、前記回路基板の前記部品実装面とは逆の面（３
３）に搭載された放熱板（２０）と、前記回路基板を貫
通して前記グランドパターンに接続される前記放熱板の
脚部（２１）とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積デバイ
ス（ＩＣ）の外部に付加する放熱機構に関する。
ス（ＩＣ）の外部に付加する放熱機構に関する。
【０００２】
【従来の技術】発熱量が多いために放熱が必要なパワー
ＩＣに関しては、従来種々の放熱構造が提案され、また
実施されている。例えば、図３に断面図を示すＩＣ１０
は、封止樹脂（パッケージ）１の上面にチップ搭載部２
の表面を露出させたものである。チップ搭載部２の裏面
には、半導体チップ３が搭載され、チップ３のパッドと
リード４との間はワイヤボンディング５で接続されてい
る。
ＩＣに関しては、従来種々の放熱構造が提案され、また
実施されている。例えば、図３に断面図を示すＩＣ１０
は、封止樹脂（パッケージ）１の上面にチップ搭載部２
の表面を露出させたものである。チップ搭載部２の裏面
には、半導体チップ３が搭載され、チップ３のパッドと
リード４との間はワイヤボンディング５で接続されてい
る。
【０００３】チップ搭載部２は、リード４と同じリード
フレームの中央部に形成されたベッド又はタブと呼ばれ
る部分か、あるいはリード４とは別体のヒートシンクと
呼ばれる放熱体である。いずれの内部構造をとる場合で
も、ＩＣ１０の外部に放熱板２０を取り付けると、チッ
プ３の発熱をチップ搭載部２及び放熱板２０を介して効
率よく外部に放熱することができる。
フレームの中央部に形成されたベッド又はタブと呼ばれ
る部分か、あるいはリード４とは別体のヒートシンクと
呼ばれる放熱体である。いずれの内部構造をとる場合で
も、ＩＣ１０の外部に放熱板２０を取り付けると、チッ
プ３の発熱をチップ搭載部２及び放熱板２０を介して効
率よく外部に放熱することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スペー
スの関係で放熱板２０をＩＣ１０の本体に直接取り付け
られない場合がある。このような場合に、ＩＣ１０の熱
を如何に放熱するかが問題として残る。
スの関係で放熱板２０をＩＣ１０の本体に直接取り付け
られない場合がある。このような場合に、ＩＣ１０の熱
を如何に放熱するかが問題として残る。
【０００５】本発明は、半導体集積デバイスに直接放熱
板を取り付けるスペースが確保できない場合でも、半導
体集積デバイスの発熱を効率よく放熱できる放熱機構を
提供することを目的としている。
板を取り付けるスペースが確保できない場合でも、半導
体集積デバイスの発熱を効率よく放熱できる放熱機構を
提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、半
導体集積デバイスの外部に付加する放熱機構であって、
前記デバイスを実装する部品実装面を有した回路基板
と、この部品実装面に形成されたグランドパターンと、
前記回路基板の前記部品実装面とは逆の面に搭載された
放熱板と、前記回路基板を貫通して前記グランドパター
ンに接続される前記放熱板の脚部とを備える半導体集積
デバイスの放熱機構で達成できる。
導体集積デバイスの外部に付加する放熱機構であって、
前記デバイスを実装する部品実装面を有した回路基板
と、この部品実装面に形成されたグランドパターンと、
前記回路基板の前記部品実装面とは逆の面に搭載された
放熱板と、前記回路基板を貫通して前記グランドパター
ンに接続される前記放熱板の脚部とを備える半導体集積
デバイスの放熱機構で達成できる。
【０００７】本発明の実施形態によれば、前記デバイス
は、前記回路基板に対向する面とは逆の面が放熱面であ
る。本発明の更に改良された実施形態では、前記回路基
板の前記部品実装面側に、前記放熱面に接触する熱伝導
体を更に設け、この熱伝導体を前記グランドパターンに
接続する。この場合、放熱効果を増加するために、前記
グランドパターンは、通常の配線パターンとは絶縁され
た上層に広面積に形成されている。
は、前記回路基板に対向する面とは逆の面が放熱面であ
る。本発明の更に改良された実施形態では、前記回路基
板の前記部品実装面側に、前記放熱面に接触する熱伝導
体を更に設け、この熱伝導体を前記グランドパターンに
接続する。この場合、放熱効果を増加するために、前記
グランドパターンは、通常の配線パターンとは絶縁され
た上層に広面積に形成されている。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、図面に示した実施形態を参
照して、本発明を詳細に説明する。図１は、本発明に係
る半導体集積デバイス（ＩＣ）の放熱機構の一実施形態
を示す一部断面とした側面図である。本発明に係るＩＣ
の放熱機構は、ＩＣ１０の外部に付加するものであっ
て、ＩＣ１０を実装する部品実装面３１を有した回路基
板３０と、この部品実装面３１に形成されたグランドパ
ターン３２と、回路基板３０の部品実装面３１とは逆の
面３３に搭載された放熱板２０と、回路基板３０の透孔
３４を貫通してグランドパターン３２に接続される前記
放熱板の脚部２１とを備える。
照して、本発明を詳細に説明する。図１は、本発明に係
る半導体集積デバイス（ＩＣ）の放熱機構の一実施形態
を示す一部断面とした側面図である。本発明に係るＩＣ
の放熱機構は、ＩＣ１０の外部に付加するものであっ
て、ＩＣ１０を実装する部品実装面３１を有した回路基
板３０と、この部品実装面３１に形成されたグランドパ
ターン３２と、回路基板３０の部品実装面３１とは逆の
面３３に搭載された放熱板２０と、回路基板３０の透孔
３４を貫通してグランドパターン３２に接続される前記
放熱板の脚部２１とを備える。
【０００９】ＩＣ１０の内部構造は、図３で示したもの
と同様であり、回路基板３０に対向する面とは逆の面が
放熱面である。このＩＣ１０のグランド用リード４は、
回路基板３０の部品実装面３１側のグランドパターン３
２に半田付けされる。この例では、回路基板３０の部品
実装面３１側に、放熱板２０を取り付けるスペースが確
保できない状態を想定している。この場合でも、回路基
板３０の逆の面３３側に取り付けられた放熱板２０に対
し、チップ３で発生する熱は、ボンディングワイヤ５、
リード４、グランドパターン３２を介して伝達され、放
熱される。ＩＣ１０の内部構造によっては、チップ搭載
部２とリード４との間が、リード４を形成するリードフ
レームの一部によって接続されている場合もある。
と同様であり、回路基板３０に対向する面とは逆の面が
放熱面である。このＩＣ１０のグランド用リード４は、
回路基板３０の部品実装面３１側のグランドパターン３
２に半田付けされる。この例では、回路基板３０の部品
実装面３１側に、放熱板２０を取り付けるスペースが確
保できない状態を想定している。この場合でも、回路基
板３０の逆の面３３側に取り付けられた放熱板２０に対
し、チップ３で発生する熱は、ボンディングワイヤ５、
リード４、グランドパターン３２を介して伝達され、放
熱される。ＩＣ１０の内部構造によっては、チップ搭載
部２とリード４との間が、リード４を形成するリードフ
レームの一部によって接続されている場合もある。
【００１０】図２は、本発明に係る半導体集積デバイス
の改良された実施形態を示す平面図である。この例で示
す本発明の放熱機構は、図１の構成に対し更に加えて使
用されるものである。即ち、図２は、ＩＣ１０が実装さ
れた回路基板３０の部品実装面３１を示しており、この
面３１には回路基板３０の逆の面３３から透孔３４を貫
通してきた放熱板２０の脚部２１が露出している。この
脚部２１は、グランドパターン３２に半田付けされる。
このグランドパターン３２は、放熱効果を高めるため
に、一般的な配線パターンに比べて遥かに面積が広く設
定されている。この幅広のグランドパターン３２を形成
するために十分な面積が部品実装面３１に確保できない
場合は、多層配線構造とし、グランドパターン３２を通
常の配線パターンの上層に絶縁層を介して形成する。
の改良された実施形態を示す平面図である。この例で示
す本発明の放熱機構は、図１の構成に対し更に加えて使
用されるものである。即ち、図２は、ＩＣ１０が実装さ
れた回路基板３０の部品実装面３１を示しており、この
面３１には回路基板３０の逆の面３３から透孔３４を貫
通してきた放熱板２０の脚部２１が露出している。この
脚部２１は、グランドパターン３２に半田付けされる。
このグランドパターン３２は、放熱効果を高めるため
に、一般的な配線パターンに比べて遥かに面積が広く設
定されている。この幅広のグランドパターン３２を形成
するために十分な面積が部品実装面３１に確保できない
場合は、多層配線構造とし、グランドパターン３２を通
常の配線パターンの上層に絶縁層を介して形成する。
【００１１】図２の実施形態では、更に放熱効果を高め
るために、ＩＣ１０の放熱面に平坦な熱伝導板４０を取
り付け、その脚部４１をグランドパターン３２に半田付
けしている。この熱伝導板４０は、ＩＣ１０の放熱面に
露出したチップ搭載部２と熱的に接続されている。
るために、ＩＣ１０の放熱面に平坦な熱伝導板４０を取
り付け、その脚部４１をグランドパターン３２に半田付
けしている。この熱伝導板４０は、ＩＣ１０の放熱面に
露出したチップ搭載部２と熱的に接続されている。
【００１２】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、導体
集積デバイスに直接放熱板を取り付けるスペースが確保
できない場合でも、半導体集積デバイスの発熱を効率よ
く放熱できる放熱機構を提供することができる。
集積デバイスに直接放熱板を取り付けるスペースが確保
できない場合でも、半導体集積デバイスの発熱を効率よ
く放熱できる放熱機構を提供することができる。
【図１】本発明に係る半導体集積デバイスの放熱機構の
一実施形態を示す一部断面とした側面図である。
一実施形態を示す一部断面とした側面図である。
【図２】本発明に係る半導体集積デバイスの改良された
実施形態を示す平面図である。
実施形態を示す平面図である。
【図３】従来の半導体集積デバイスの放熱機構の一例を
示す一部断面とした側面図である。
示す一部断面とした側面図である。
１ 封止樹脂 ２ チップ搭載部 ３ 半導体チップ ４ リード ５ ボンディングワイヤ １０ ＩＣ（半導体集積デバイス） ２０ 放熱板 ２１ 脚部 ３０ 回路基板 ３１ 部品実装面 ３２ グランドパターン ３３ 逆の面 ３４ 透孔 ４０ 熱伝導板 ４１ 脚部
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体集積デバイスの外部に付加する放
熱機構であって、 前記デバイスを実装する部品実装面を有した回路基板
と、 この部品実装面に形成されたグランドパターンと、 前記回路基板の前記部品実装面とは逆の面に搭載された
放熱板と、 前記回路基板を貫通して前記グランドパターンに接続さ
れる前記放熱板の脚部とを備えることを特徴とする半導
体集積デバイスの放熱機構。 - 【請求項２】 前記デバイスは、前記回路基板に対向す
る面とは逆の面が放熱面であることを特徴とする請求項
１の放熱機構。 - 【請求項３】 前記回路基板の前記部品実装面側に、前
記放熱面に接触する熱伝導体を更に設け、この熱伝導体
を前記グランドパターンに接続することを特徴とする請
求項２の放熱機構。 - 【請求項４】 前記グランドパターンは、通常の配線パ
ターンとは絶縁された上層に広面積に形成されているこ
とを特徴とする請求項１〜３の放熱構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10100022A JPH11284113A (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | 半導体集積デバイスの放熱機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10100022A JPH11284113A (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | 半導体集積デバイスの放熱機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11284113A true JPH11284113A (ja) | 1999-10-15 |
Family
ID=14262931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10100022A Pending JPH11284113A (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | 半導体集積デバイスの放熱機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11284113A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005088711A1 (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | ドライバモジュール構造 |
-
1998
- 1998-03-27 JP JP10100022A patent/JPH11284113A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005088711A1 (ja) * | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | ドライバモジュール構造 |
| US7582959B2 (en) | 2004-03-16 | 2009-09-01 | Panasonic Corporation | Driver module structure with flexible circuit board |
| US7696614B2 (en) | 2004-03-16 | 2010-04-13 | Panasonic Corporation | Driver module structure |
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