JP2005072104A - パワーモジュールの放熱構造 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】MOSFET11が発した熱は、リード14、パッドP3を介して基板10の表面から裏面に貫通形成したビアホール20により、裏面側の金属膜22に伝わる。この結果、金属膜22に伝わった熱は、金属膜22にて放熱される。又、パッドP3においても、MOSFET11が発した熱が放熱される。このため、広い面積で放熱されるため、放熱効率がよくなる。
【選択図】 図2
Description
請求項3の発明は、請求項1又は請求項2において、前記放熱手段を第2放熱手段としたとき、前記基板の第1面側には、前記伝熱手段へ、前記パワー素子からの熱を伝達するとともに放熱する第1放熱手段が設けられていることを特徴とする。
請求項5の発明は、請求項1乃至請求項4のうちいずれか1項において、前記伝熱手段は複数設けられていることを特徴とする。
請求項1によれば、パワー素子が発した熱は、基板の第1面から第2面に貫通形成した伝熱手段により、第2面側の放熱手段に伝わる。そして、同放熱手段により、伝わった熱が放熱される。放熱手段は、基板の第2面側に設けられているため、基板の第1面において、パワー素子と共に同パワー素子近傍に他の素子が存在しても、他の素子にパワー素子の発熱による悪影響を防止することができる。又、パワー素子自身も高温に起因した熱損傷が防止される。又、基板の第1面側における放熱に寄与する面積を従来よりも狭くしたとしても、第2面側で放熱できるため、第1面側においては、素子の配置を高密度化ができる効果がある。
請求項3の発明によれば、第2放熱手段とともに、第1放熱手段も放熱するため、より放熱効率を高める。
請求項5の発明によれば、伝熱手段を複数設けることにより、放熱手段への熱伝達が効率的に行われる。
以下、本発明を、具体化した第1実施形態を図1及び図2を参照して説明する。図1(a)はパワーモジュールの平面図、図1(b)は同じく底面図である。図2は要部断面図である。
本実施形態では、MOSFET11が発した熱は、リード14、パッドP3を介して基板10の表面(第1面)から裏面(第2面)に貫通形成したビアホール20(伝熱手段)により、裏面側の金属膜22(放熱手段)に伝わる。この結果、金属膜22に伝わった熱は、金属膜22にて放熱される。又、パッドP3においても、MOSFET11が発した熱が放熱される。このため、図5に示す従来例よりも、広い面積で放熱されるため、放熱効率がよくなる。
(1) 金属膜22は基板10の裏面側に設けられているため、基板の表面(第1面)において、MOSFET11と共にMOSFET11近傍に他の素子が存在しても、他の素子へのMOSFET11の発熱による悪影響を防止できる。又、MOSFET11自身も高温に起因した熱損傷が防止される。
(3) 本実施形態では、ビアホール20を形成することにより、基板10の表面側から、基板10の裏面側にMOSFET11が発した熱を伝えることができ、この結果、上記(1)及び(2)の作用効果を実現できる。
次に、第2実施形態を図3及び図4を参照して説明する。なお、第1実施形態と同一構成又は相当する構成については、同一部号を付して、その説明を省略し、異なるところを中心に説明する。図3は(a)は第2実施形態のパワーモジュールの平面図、図3(b)は同じく底面図である。図4は第2実施形態の要部断面図である。
○ 第1実施形態のビアホール20は、内面にメッキ膜21を形成したが、ビアホール20を充填した構成でもよい。充填する場合、熱伝導の良い金属体を充填するとよい。
○ 第1実施形態では、パッドP3の面積を従来とほぼ同じ面積を有するようにしたが、基板10のパッドP3の面積を第1実施形態よりも狭くし、その分を補償するように金属膜22の面積を第1実施形態よりも広げてもよい。こうすると、従来よりもパワー素子の周囲近傍に、他の素子を配置することができ高密度化ができる。
11…MOSFET(パワー素子)
20…ビアホール(伝熱手段)
22…金属膜(放熱手段、第2放熱手段)
30…収納孔(収納部)
P3…パッド(第1放熱手段)
Claims (6)
- 基板にパワー素子が取付けされ、前記基板に対して厚み方向に貫通形成されるとともに、前記パワー素子が発する熱を伝熱可能に前記パワー素子の端子に対し、前記基板の第1面側で連結された伝熱手段と、
前記第1面とは反対側である前記基板の第2面に設けられ、前記伝熱手段と伝熱可能に連結された放熱手段を備えたことを特徴とするパワーモジュールの放熱構造。 - 前記放熱手段は、前記基板に設けられた金属膜又は放熱板であることを特徴とする請求項1に記載のパワーモジュールの放熱構造。
- 前記放熱手段を第2放熱手段としたとき、前記基板の第1面側には、前記伝熱手段へ、前記パワー素子からの熱を伝達するとともに放熱する第1放熱手段が設けられていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のパワーモジュールの放熱構造。
- 前記伝熱手段は、前記基板に貫通されたビアホール又は金属体であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のうちいずれか1項に記載のパワーモジュールの放熱構造。
- 前記伝熱手段は複数設けられていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のうちいずれか1項に記載のパワーモジュールの放熱構造。
- 前記パワー素子は、前記基板の第1面と第2面間に貫通された収納部に対して配置され、同パワー素子の互いに180度反対側の側面は、前記基板の第1面及び第2面側にそれぞれ露出されていることを特徴とする請求項1乃至請求項5のうちいずれか1項に記載のパワーモジュールの放熱構造。
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