JPH11281829A - 光導波路デバイス及びその製造方法 - Google Patents
光導波路デバイス及びその製造方法Info
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- JPH11281829A JPH11281829A JP8633798A JP8633798A JPH11281829A JP H11281829 A JPH11281829 A JP H11281829A JP 8633798 A JP8633798 A JP 8633798A JP 8633798 A JP8633798 A JP 8633798A JP H11281829 A JPH11281829 A JP H11281829A
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- Japan
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- grating
- optical waveguide
- refractive index
- waveguide device
- optical
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 他の特性に悪影響を及ぼすことなく所望の放
射損失係数に設定することができ、所望のビーム径で光
を出力できる光導波路デバイス及びその製造方法を得
る。 【解決手段】 基板１０上に光学バッファ層１１を介し
て光導波層２０を積層し、この光導波層２０上に光入力
用グレーティング２１と光出力用グレーティング２２を
形成した光導波路デバイス。グレーティング２２は多元
蒸着法によって２種類以上の材料を用いて成膜され、所
望の屈折率に調整されている。
射損失係数に設定することができ、所望のビーム径で光
を出力できる光導波路デバイス及びその製造方法を得
る。 【解決手段】 基板１０上に光学バッファ層１１を介し
て光導波層２０を積層し、この光導波層２０上に光入力
用グレーティング２１と光出力用グレーティング２２を
形成した光導波路デバイス。グレーティング２２は多元
蒸着法によって２種類以上の材料を用いて成膜され、所
望の屈折率に調整されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光導波路デバイス
及びその製造方法、特にＡＯＤ（音響光学素子）を用い
た非機械式走査光学系として利用される光導波路デバイ
ス及びその製造方法に関する。
及びその製造方法、特にＡＯＤ（音響光学素子）を用い
た非機械式走査光学系として利用される光導波路デバイ
ス及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術と課題】一般に、光導波路デバイスは、基
板上あるいは基板に形成した低屈折率層上に高屈折率の
光導波層を設け、光導波層の表面は空気（低屈折率層）
とし、半導体レーザから放射されたレーザビームを光導
波層に入力して導波させ、光導波層から出力させる。こ
のとき、ＩＤＴ（inter−digital−transducer、くし型
電極）から光導波層に表面弾性波を発生させ、レーザビ
ームを偏向させる。レーザビームを光導波層に入力又は
出力させるには、光導波層の表面又は基板（低屈折率
層）との界面にグレーティングを形成するのが通常であ
る。
板上あるいは基板に形成した低屈折率層上に高屈折率の
光導波層を設け、光導波層の表面は空気（低屈折率層）
とし、半導体レーザから放射されたレーザビームを光導
波層に入力して導波させ、光導波層から出力させる。こ
のとき、ＩＤＴ（inter−digital−transducer、くし型
電極）から光導波層に表面弾性波を発生させ、レーザビ
ームを偏向させる。レーザビームを光導波層に入力又は
出力させるには、光導波層の表面又は基板（低屈折率
層）との界面にグレーティングを形成するのが通常であ
る。
【０００３】ところで、光導波層から出力される光ビー
ムのビーム径は、用途に応じて種々の値であることが要
求されている。光導波路デバイスにおいて、出射ビーム
径を決めるのは、光出力用グレーティングカプラの放射
損失係数である。この係数を変えるためには、グレーテ
ィングの高さ、デューティ比、光導波層の膜厚等のパラ
メータがある。しかし、これらのパラメータを変えるこ
とは、調整が困難であったり、放射損失係数以外の特性
に影響を及ぼすため、好ましくはない。
ムのビーム径は、用途に応じて種々の値であることが要
求されている。光導波路デバイスにおいて、出射ビーム
径を決めるのは、光出力用グレーティングカプラの放射
損失係数である。この係数を変えるためには、グレーテ
ィングの高さ、デューティ比、光導波層の膜厚等のパラ
メータがある。しかし、これらのパラメータを変えるこ
とは、調整が困難であったり、放射損失係数以外の特性
に影響を及ぼすため、好ましくはない。
【０００４】そこで、本発明の目的は、他の特性に悪影
響を及ぼすことなく所望の放射損失係数に設定すること
ができ、所望の出射ビーム径を得ることのできる光導波
路デバイス及びその製造方法を提供することにある。
響を及ぼすことなく所望の放射損失係数に設定すること
ができ、所望の出射ビーム径を得ることのできる光導波
路デバイス及びその製造方法を提供することにある。
【０００５】
【発明の構成、作用及び効果】以上の目的を達成するた
め、本発明に係る光導波路デバイスにおいては、少なく
とも光出力用グレーティングは２種類以上の材料が混合
されている。これらの材料の組み合わせや組成比を変え
ることでグレーティングカプラを所望の放射損失係数に
設定することができ、所望の出射ビーム径を得ることが
できる。また、入射ビーム径が種々の値をとる場合で
も、光入力用グレーティングの材料の組成比を変えるこ
とで所望の放射損失係数に設定することができ、所定の
出射ビーム径を得ることができる。
め、本発明に係る光導波路デバイスにおいては、少なく
とも光出力用グレーティングは２種類以上の材料が混合
されている。これらの材料の組み合わせや組成比を変え
ることでグレーティングカプラを所望の放射損失係数に
設定することができ、所望の出射ビーム径を得ることが
できる。また、入射ビーム径が種々の値をとる場合で
も、光入力用グレーティングの材料の組成比を変えるこ
とで所望の放射損失係数に設定することができ、所定の
出射ビーム径を得ることができる。
【０００６】グレーティングカプラの放射損失係数はグ
レーティングの屈折率に依存する。そのため、グレーテ
ィングは２種類以上の材料を混合することで所望の屈折
率に調整される。このようなグレーティングを得るに
は、例えば、複数の材料を使用する多元蒸着法によって
成膜すればよい。
レーティングの屈折率に依存する。そのため、グレーテ
ィングは２種類以上の材料を混合することで所望の屈折
率に調整される。このようなグレーティングを得るに
は、例えば、複数の材料を使用する多元蒸着法によって
成膜すればよい。
【０００７】また、光入力用グレーティングと光出力用
グレーティングの屈折率を互いに異なるように設定すれ
ば、光結合効率のよい、ビーム径の変換機能を有する光
導波路デバイスとすることができる。
グレーティングの屈折率を互いに異なるように設定すれ
ば、光結合効率のよい、ビーム径の変換機能を有する光
導波路デバイスとすることができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る光導波路デバ
イス及びその製造方法の実施形態について、添付図面に
従って説明する。
イス及びその製造方法の実施形態について、添付図面に
従って説明する。
【０００９】本発明に係る光導波路デバイスは、概略、
図１、図２に示すように、シリコン基板１０上に低屈折
率を有する光学バッファ層としてのＳｉＯ2膜１１を介
してＺｎＯからなる高屈折率の光導波層２０を積層し、
この光導波層２０上に光入力用グレーティング２１と光
出力用グレーティング２２を形成したものである。さら
に、光導波層２０上にはＩＤＴ２５が形成され、電源２
６からこのＩＤＴ２５に印加される電圧で連続的に周波
数が変化する表面弾性波を光導波層２０に発生させるこ
とで、導波光を偏向させる。
図１、図２に示すように、シリコン基板１０上に低屈折
率を有する光学バッファ層としてのＳｉＯ2膜１１を介
してＺｎＯからなる高屈折率の光導波層２０を積層し、
この光導波層２０上に光入力用グレーティング２１と光
出力用グレーティング２２を形成したものである。さら
に、光導波層２０上にはＩＤＴ２５が形成され、電源２
６からこのＩＤＴ２５に印加される電圧で連続的に周波
数が変化する表面弾性波を光導波層２０に発生させるこ
とで、導波光を偏向させる。
【００１０】ところで、図３に示すように、グレーティ
ングベクトルの方向が光伝搬方向ｚと一致するグレーテ
ィングカプラにあっては、グレーティング２２から出射
された光の強度分布は、図４のグラフに示すようにな
る。グレーティング２２上での強度Ｉは、次式（１）で
表される。ここで、グレーティング上の位置Ｚは、光の
導波方向から見て出力用グレーティング構造が始まる位
置を原点とし、ｚ軸方向の座標値である。 Ｉ＝ｅｘｐ（−２αＺ） …（１） α：放射損失係数 Ｚ：グレーティング上の位置
ングベクトルの方向が光伝搬方向ｚと一致するグレーテ
ィングカプラにあっては、グレーティング２２から出射
された光の強度分布は、図４のグラフに示すようにな
る。グレーティング２２上での強度Ｉは、次式（１）で
表される。ここで、グレーティング上の位置Ｚは、光の
導波方向から見て出力用グレーティング構造が始まる位
置を原点とし、ｚ軸方向の座標値である。 Ｉ＝ｅｘｐ（−２αＺ） …（１） α：放射損失係数 Ｚ：グレーティング上の位置
【００１１】グレーティングが充分に大きければ、放射
損失係数αが出射光のビーム径を決めることになる。ま
た、角度θで光が入射するとき、入射光のビーム径をＤ
として、重なり積分を考慮すると、次式（２）を満足す
るとき、結合効率が最大になる。 αＤ／ｃｏｓθ＝１ …（２）
損失係数αが出射光のビーム径を決めることになる。ま
た、角度θで光が入射するとき、入射光のビーム径をＤ
として、重なり積分を考慮すると、次式（２）を満足す
るとき、結合効率が最大になる。 αＤ／ｃｏｓθ＝１ …（２）
【００１２】また、放射損失係数αは、グレーティング
の材料の屈折率に依存する。従って、種々の屈折率の材
料を選択することで所望の出射ビーム径を得ることがで
きる。
の材料の屈折率に依存する。従って、種々の屈折率の材
料を選択することで所望の出射ビーム径を得ることがで
きる。
【００１３】ここで、グレーティングを作製するプロセ
スについて図５を参照して説明する。まず、シリコン基
板１０上に熱酸化によりＳｉＯ2膜１１を０．８μｍの
厚さに成膜し、さらにその表面にＺｎＯをスパッタ法で
１．０μｍの厚さに成膜させて光導波層２０を形成する
（図５（１）参照）。次に、光導波層２０の表面にグレ
ーティング材料膜３０を成膜する（図５（２）参照）。
その成膜方法は、多元蒸着法として知られているもの
で、屈折率の異なる複数種類の材料を電子銃の方向を変
えることにより、交互に蒸着する。このとき、蒸着材料
の蒸着時間を任意に変化させることにより、光導波層２
０上に成膜されるグレーティング材料膜３０の組成比を
変化させ、材料膜３０の屈折率を所望の値に設定するこ
とができる。
スについて図５を参照して説明する。まず、シリコン基
板１０上に熱酸化によりＳｉＯ2膜１１を０．８μｍの
厚さに成膜し、さらにその表面にＺｎＯをスパッタ法で
１．０μｍの厚さに成膜させて光導波層２０を形成する
（図５（１）参照）。次に、光導波層２０の表面にグレ
ーティング材料膜３０を成膜する（図５（２）参照）。
その成膜方法は、多元蒸着法として知られているもの
で、屈折率の異なる複数種類の材料を電子銃の方向を変
えることにより、交互に蒸着する。このとき、蒸着材料
の蒸着時間を任意に変化させることにより、光導波層２
０上に成膜されるグレーティング材料膜３０の組成比を
変化させ、材料膜３０の屈折率を所望の値に設定するこ
とができる。
【００１４】具体的には、蒸着材料としてＳｉＯ2とＴ
ｉＯ2を用いれば、ＳｉＯ2の屈折率である１．４６から
ＴｉＯ2の屈折率である２．３５までの範囲で、グレー
ティング材料膜３０の屈折率を調整することができる。
実験的には、ＳｉＯ2とＴｉＯ2を蒸着元として屈折率が
１．８のもの（実験例１）、屈折率が２．３のもの（実
験例２）を、それぞれグレーティング材料膜３０を０．
２μｍの厚さに成膜した。
ｉＯ2を用いれば、ＳｉＯ2の屈折率である１．４６から
ＴｉＯ2の屈折率である２．３５までの範囲で、グレー
ティング材料膜３０の屈折率を調整することができる。
実験的には、ＳｉＯ2とＴｉＯ2を蒸着元として屈折率が
１．８のもの（実験例１）、屈折率が２．３のもの（実
験例２）を、それぞれグレーティング材料膜３０を０．
２μｍの厚さに成膜した。
【００１５】図６は多元蒸着装置の概略構成を示す。タ
ーゲット１（即ち、光導波層２０を有する基板１０）は
チャンバー２の上部に設けた回転円盤３に取り付けら
れ、一定速度で回転させる。チャンバー２の下部にはＴ
ｉＯ2を収容したるつぼ５とＳｉＯ2を収容したるつぼ６
とが設置され、電子銃から放出された電子によってＴｉ
Ｏ2，ＳｉＯ2がチャンバー２内に放出され、ターゲット
１上に成膜する。成膜されたグレーティング材料膜３０
の屈折率、即ち、組成比はるつぼ５，６に印加するバイ
アス電圧等を制御することによって調整される。
ーゲット１（即ち、光導波層２０を有する基板１０）は
チャンバー２の上部に設けた回転円盤３に取り付けら
れ、一定速度で回転させる。チャンバー２の下部にはＴ
ｉＯ2を収容したるつぼ５とＳｉＯ2を収容したるつぼ６
とが設置され、電子銃から放出された電子によってＴｉ
Ｏ2，ＳｉＯ2がチャンバー２内に放出され、ターゲット
１上に成膜する。成膜されたグレーティング材料膜３０
の屈折率、即ち、組成比はるつぼ５，６に印加するバイ
アス電圧等を制御することによって調整される。
【００１６】次に、前記グレーティング材料膜３０上に
レジストを塗布し、フォトリソグラフィ法、電子線描画
法、２光束干渉法等の方法でレジストを所望のグレーテ
ィング形状に加工する（図５（３）参照）。図５（３）
において、符号３１はグレーティング形状に加工されて
材料膜３０上に残されたレジストを示す。
レジストを塗布し、フォトリソグラフィ法、電子線描画
法、２光束干渉法等の方法でレジストを所望のグレーテ
ィング形状に加工する（図５（３）参照）。図５（３）
において、符号３１はグレーティング形状に加工されて
材料膜３０上に残されたレジストを示す。
【００１７】次に、リアクティブイオンエッチング法に
てグレーティング材料膜３０を０．２μｍの深さにエッ
チングする（図５（４）参照）。最後に、レジスト３１
をアッシングにて除去するとグレーティング２１，２２
が完成する。
てグレーティング材料膜３０を０．２μｍの深さにエッ
チングする（図５（４）参照）。最後に、レジスト３１
をアッシングにて除去するとグレーティング２１，２２
が完成する。
【００１８】以上のプロセスで作製されたグレーティン
グを備えた光導波路デバイスにつき、その出射ビーム径
を測定した。測定は以下の条件で行われた。
グを備えた光導波路デバイスにつき、その出射ビーム径
を測定した。測定は以下の条件で行われた。
【００１９】光源：Ｈｅ−Ｎｅレーザ 出力７ｍＷ、波長０．６３２８μｍ、ビーム径１．０ｍ
ｍ 外部媒質：屈折率１（空気） 光導波層（ＺｎＯ）：屈折率１．９９、膜厚０．８μｍ 光学バッファ層（ＳｉＯ2）：屈折率１．４６、膜厚
０．８μｍ グレーティング：周期１．９μｍ、デューティ比０．５ 回折次数：−３次 導波モード：ＴＥ０モード（実効屈折率１．９７） 入射角度：７６．１°
ｍ 外部媒質：屈折率１（空気） 光導波層（ＺｎＯ）：屈折率１．９９、膜厚０．８μｍ 光学バッファ層（ＳｉＯ2）：屈折率１．４６、膜厚
０．８μｍ グレーティング：周期１．９μｍ、デューティ比０．５ 回折次数：−３次 導波モード：ＴＥ０モード（実効屈折率１．９７） 入射角度：７６．１°
【００２０】以上の条件において、グレーティング２２
から出射された光ビームをＣＣＤカメラによって撮影
し、その１／ｅ2の値をビーム径とした。
から出射された光ビームをＣＣＤカメラによって撮影
し、その１／ｅ2の値をビーム径とした。
【００２１】グレーティング２１，２２の屈折率が１．
８の実験例１のデバイスでは、出射ビーム径は約１．５
ｍｍであった。即ち、ビーム径１．０ｍｍの入射光がビ
ーム径１．５ｍｍとして出射されたことになる（図７
（Ａ）参照）。グレーティング２１，２２の屈折率が
２．３の実験例２のデバイスでは、出射ビーム径は約
１．０ｍｍであった。この場合、ビーム径１．０ｍｍの
入射光が同じビーム径で出射されたことになる（図７
（Ｂ）参照）。
８の実験例１のデバイスでは、出射ビーム径は約１．５
ｍｍであった。即ち、ビーム径１．０ｍｍの入射光がビ
ーム径１．５ｍｍとして出射されたことになる（図７
（Ａ）参照）。グレーティング２１，２２の屈折率が
２．３の実験例２のデバイスでは、出射ビーム径は約
１．０ｍｍであった。この場合、ビーム径１．０ｍｍの
入射光が同じビーム径で出射されたことになる（図７
（Ｂ）参照）。
【００２２】前式（２）を用いた計算によって求まるビ
ーム径Ｄは、屈折率が１．８（放射損失係数が０．１４
６）の実験例１の場合は１．６４ｍｍである。また、屈
折率が２．３（放射損失係数が０．２４２）の実験例２
の場合はビーム径Ｄが０．９９ｍｍである。いずれの実
験例１，２であっても計算結果と実測結果は略一致して
いる。
ーム径Ｄは、屈折率が１．８（放射損失係数が０．１４
６）の実験例１の場合は１．６４ｍｍである。また、屈
折率が２．３（放射損失係数が０．２４２）の実験例２
の場合はビーム径Ｄが０．９９ｍｍである。いずれの実
験例１，２であっても計算結果と実測結果は略一致して
いる。
【００２３】次に、実験例３として、グレーティング材
料膜３０を成膜する際、マスクを用いることで、入射用
グレーティング２１を屈折率２．３、出射用グレーティ
ング２２を屈折率１．８としたグレーティングカプラを
作製し、光導波路デバイスとした。このデバイスにビー
ム径１．０ｍｍの光ビームを入射し、その出射ビーム径
を測定したところ１．５ｍｍであった（図７（Ｃ）参
照）。即ち、ビーム径が変換されたことが確認された。
このとき光結合効率は約１０％であった。
料膜３０を成膜する際、マスクを用いることで、入射用
グレーティング２１を屈折率２．３、出射用グレーティ
ング２２を屈折率１．８としたグレーティングカプラを
作製し、光導波路デバイスとした。このデバイスにビー
ム径１．０ｍｍの光ビームを入射し、その出射ビーム径
を測定したところ１．５ｍｍであった（図７（Ｃ）参
照）。即ち、ビーム径が変換されたことが確認された。
このとき光結合効率は約１０％であった。
【００２４】ちなみに、図７（Ａ）に示した実験例１
（グレーティング２１，２２の屈折率はともに１．８）
でもビーム径１．０ｍｍの入射光を出射ビーム径１．５
ｍｍに変換することができたが、光結合効率は約４％で
あった。実験例３のように、グレーティング２１，２２
の屈折率を異ならせると、光結合効率が向上することが
確認された。
（グレーティング２１，２２の屈折率はともに１．８）
でもビーム径１．０ｍｍの入射光を出射ビーム径１．５
ｍｍに変換することができたが、光結合効率は約４％で
あった。実験例３のように、グレーティング２１，２２
の屈折率を異ならせると、光結合効率が向上することが
確認された。
【００２５】この実施形態の説明では、光導波路デバイ
スを通過させることで、一定の入射ビーム径を種々の出
射ビーム径に変換させた例についてのみ述べたが、同様
の構成で種々の入射ビーム径に対して一定の出射ビーム
径に変換する光導波路デバイスも考えられる。その場合
は、入射ビーム径に対して最適の放射損失係数αになる
ように光入力用グレーティングの屈折率を制御すればよ
い。
スを通過させることで、一定の入射ビーム径を種々の出
射ビーム径に変換させた例についてのみ述べたが、同様
の構成で種々の入射ビーム径に対して一定の出射ビーム
径に変換する光導波路デバイスも考えられる。その場合
は、入射ビーム径に対して最適の放射損失係数αになる
ように光入力用グレーティングの屈折率を制御すればよ
い。
【００２６】なお、本発明に係る光導波路デバイス及び
その製造方法は前記実施形態に限定するものではなく、
その要旨の範囲内で種々に変更することができる。特
に、グレーティングを成膜する材料は、ＳｉＯ2、Ｔｉ
Ｏ2以外に、ＭｇＦ2（屈折率１．３９）、Ａｌ2Ｏ3（屈
折率１．６）、ＨｆＯ2（屈折率２．０）等を使用する
ことができる。また、グレーティングの屈折率を調整す
るには、前記多元蒸着法に限らず、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4
成膜時のガス圧を変更することにより、組成比を変化さ
せる方法等を採用できる。
その製造方法は前記実施形態に限定するものではなく、
その要旨の範囲内で種々に変更することができる。特
に、グレーティングを成膜する材料は、ＳｉＯ2、Ｔｉ
Ｏ2以外に、ＭｇＦ2（屈折率１．３９）、Ａｌ2Ｏ3（屈
折率１．６）、ＨｆＯ2（屈折率２．０）等を使用する
ことができる。また、グレーティングの屈折率を調整す
るには、前記多元蒸着法に限らず、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4
成膜時のガス圧を変更することにより、組成比を変化さ
せる方法等を採用できる。
【００２７】基板に関しては、シリコンのみならずガラ
スやサファイアでもよい。光導波層に関しては、半導
体、誘電体、圧電体等のうち種々の材料を使用できる。
圧電体としては、ＺｎＯのみならずＡｌＮ，ＬＮ，ＬＴ
等を使用可能である。
スやサファイアでもよい。光導波層に関しては、半導
体、誘電体、圧電体等のうち種々の材料を使用できる。
圧電体としては、ＺｎＯのみならずＡｌＮ，ＬＮ，ＬＴ
等を使用可能である。
【００２８】さらに、グレーティングの形状に関して
は、矩形に限らず、シリコン基板の表面を異方性エッチ
ング法にてブレーズド化された形状であってもよい。ま
た、グレーティングはリニアな形状ではなく、曲線形状
のフォーカシンググレーティングカプラとしてもよい。
は、矩形に限らず、シリコン基板の表面を異方性エッチ
ング法にてブレーズド化された形状であってもよい。ま
た、グレーティングはリニアな形状ではなく、曲線形状
のフォーカシンググレーティングカプラとしてもよい。
【図１】本発明に係る光導波路デバイスの一実施形態を
示す斜視図。
示す斜視図。
【図２】前記光導波路デバイスの光導波路を示し、
（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図。
（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図。
【図３】前記光導波路の出力用グレーティングカプラで
の光結合状態を示す説明図。
の光結合状態を示す説明図。
【図４】グレーティング上での出射光の強度分布を示す
グラフ。
グラフ。
【図５】グレーティングを作製するプロセスの説明図。
【図６】多元蒸着装置の概略構成図。
【図７】本発明に係る光導波路デバイスでのビーム径の
変換を示す説明図。（Ａ）は実験例１、（Ｂ）は実験例
２、（Ｃ）は実験例３を示す。
変換を示す説明図。（Ａ）は実験例１、（Ｂ）は実験例
２、（Ｃ）は実験例３を示す。
１０…基板 ２０…光導波層 ２１，２２…グレーティング
Claims (5)
- 【請求項１】 基板と、この基板上に積層された光導波
層と、この光導波層上に形成された光入力用及び光出力
用グレーティングとを備えた光導波路デバイスにおい
て、光入力用及び光出力用の少なくとも一つのグレーテ
ィングは２種類以上の材料が混合されたものであること
を特徴とする光導波路デバイス。 - 【請求項２】 グレーティングを多元蒸着法によって成
膜することを特徴とする請求項１記載の光導波路デバイ
スの製造方法。 - 【請求項３】 前記グレーティングは２種類以上の材料
が混合されることにより所望の屈折率に調整されている
ことを特徴とする請求項１記載の光導波路デバイス。 - 【請求項４】 所望の屈折率に調整するのに、グレーテ
ィングを多元蒸着法によって成膜することを特徴とする
請求項３記載の光導波路デバイスの製造方法。 - 【請求項５】 光入力用グレーティングと光出力用グレ
ーティングは互いに異なる屈折率を有することを特徴と
する請求項１記載の光導波路デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8633798A JPH11281829A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 光導波路デバイス及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8633798A JPH11281829A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 光導波路デバイス及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11281829A true JPH11281829A (ja) | 1999-10-15 |
Family
ID=13884046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8633798A Pending JPH11281829A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 光導波路デバイス及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11281829A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015111255A (ja) * | 2013-10-25 | 2015-06-18 | フォアルクス インコーポレイテッドＦｏｒｅｌｕｘ Ｉｎｃ． | 格子に基づく光結合器 |
| CN111226157A (zh) * | 2017-10-13 | 2020-06-02 | 康宁股份有限公司 | 用于增强现实系统的基于波导的光学系统和方法 |
-
1998
- 1998-03-31 JP JP8633798A patent/JPH11281829A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015111255A (ja) * | 2013-10-25 | 2015-06-18 | フォアルクス インコーポレイテッドＦｏｒｅｌｕｘ Ｉｎｃ． | 格子に基づく光結合器 |
| CN111226157A (zh) * | 2017-10-13 | 2020-06-02 | 康宁股份有限公司 | 用于增强现实系统的基于波导的光学系统和方法 |
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