JPH11274706A - 半田バンプ形成用のクリーム半田印刷装置および半田バンプ形成方法 - Google Patents
半田バンプ形成用のクリーム半田印刷装置および半田バンプ形成方法Info
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- JPH11274706A JPH11274706A JP10072133A JP7213398A JPH11274706A JP H11274706 A JPH11274706 A JP H11274706A JP 10072133 A JP10072133 A JP 10072133A JP 7213398 A JP7213398 A JP 7213398A JP H11274706 A JPH11274706 A JP H11274706A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半田バンプの異常を減少させ歩留りを向上さ
せることができる半田バンプ形成用のクリーム半田印刷
装置および半田バンプ形成方法を提供する。 【解決手段】 基板１に半田バンプ５’を形成した後、
基板１の電極２のうち半田バンプの異常がある電極２上
に半田バンプ５’を形成する半田バンプ形成方法におい
て、正規の半田バンプ５’の体積相当半田量を含むクリ
ーム半田５を収容できる内容積を有し、正規形状の半田
バンプ５’に略外接する錐形状のパターン孔８を備えた
マスクプレート７を装着し、クリーム半田５を印刷する
ことにより半田バンプ５’に異常がある電極２のみにク
リーム半田５を供給し、基板１を加熱して電極２上でク
リーム半田５を溶融固化させて半田バンプ５’を形成す
る。これにより、半田バンプ５’にサイズ過小や欠落な
どの異常がある電極２に、正規の半田バンプ５’を形成
することができる。
せることができる半田バンプ形成用のクリーム半田印刷
装置および半田バンプ形成方法を提供する。 【解決手段】 基板１に半田バンプ５’を形成した後、
基板１の電極２のうち半田バンプの異常がある電極２上
に半田バンプ５’を形成する半田バンプ形成方法におい
て、正規の半田バンプ５’の体積相当半田量を含むクリ
ーム半田５を収容できる内容積を有し、正規形状の半田
バンプ５’に略外接する錐形状のパターン孔８を備えた
マスクプレート７を装着し、クリーム半田５を印刷する
ことにより半田バンプ５’に異常がある電極２のみにク
リーム半田５を供給し、基板１を加熱して電極２上でク
リーム半田５を溶融固化させて半田バンプ５’を形成す
る。これにより、半田バンプ５’にサイズ過小や欠落な
どの異常がある電極２に、正規の半田バンプ５’を形成
することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板や電子部品の
電極に半田バンプを形成するためのクリーム半田を印刷
するクリーム半田印刷装置およびこれらの電極上に半田
バンプを形成する半田バンプ形成方法に関するものであ
る。
電極に半田バンプを形成するためのクリーム半田を印刷
するクリーム半田印刷装置およびこれらの電極上に半田
バンプを形成する半田バンプ形成方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】基板や電子部品を半田付けする方法とし
て、基板や電子部品の電極に予め半田バンプを形成して
おき、この半田バンプにより半田付けを行う方法が広く
用いられている。この半田バンプの形成に際して、電極
上にクリーム半田を印刷する方法や半田ボールを搭載す
る方法などによって半田を供給し、その後加熱して供給
された半田を電極上で溶融させることにより、電極上に
半田バンプが形成される。
て、基板や電子部品の電極に予め半田バンプを形成して
おき、この半田バンプにより半田付けを行う方法が広く
用いられている。この半田バンプの形成に際して、電極
上にクリーム半田を印刷する方法や半田ボールを搭載す
る方法などによって半田を供給し、その後加熱して供給
された半田を電極上で溶融させることにより、電極上に
半田バンプが形成される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半田付けは
電子回路を構成する電子部品を電気的に接続するもので
あるため、半田付け部は完全に導通しなければならず、
したがって半田バンプの部分的な欠落などの異常は許容
されない。
電子回路を構成する電子部品を電気的に接続するもので
あるため、半田付け部は完全に導通しなければならず、
したがって半田バンプの部分的な欠落などの異常は許容
されない。
【０００４】しかしながら、半田バンプを形成する工程
においては、半田バンプの部分的な欠落やサイズ過小な
どの異常を絶無にすることは困難であり、少ない頻度
（従来実績では０．１％程度）ではあるが、異常が発生
する。これは、クリーム半田を印刷する方法では、印刷
に用いられるマスクプレートのパターン孔にクリーム半
田が残留して電極上に完全に印刷されない場合があるこ
と、また半田ボールを搭載する方法では、半田ボールの
搭載時に吸着ツールに半田ボールが付着したまま残留し
て電極上に完全に搭載されない搭載ミスが発生しやすい
こと、そしてこれらの要因を完全に除去することが実際
上きわめ難しいことに依るものである。
においては、半田バンプの部分的な欠落やサイズ過小な
どの異常を絶無にすることは困難であり、少ない頻度
（従来実績では０．１％程度）ではあるが、異常が発生
する。これは、クリーム半田を印刷する方法では、印刷
に用いられるマスクプレートのパターン孔にクリーム半
田が残留して電極上に完全に印刷されない場合があるこ
と、また半田ボールを搭載する方法では、半田ボールの
搭載時に吸着ツールに半田ボールが付着したまま残留し
て電極上に完全に搭載されない搭載ミスが発生しやすい
こと、そしてこれらの要因を完全に除去することが実際
上きわめ難しいことに依るものである。
【０００５】したがって、従来の半田バンプ形成方法で
は、品質上の信頼性を保証するため半田バンプ形成後に
検査を行うこととしており、検査により半田バンプの異
常が発見されると、高価な製品であるにもかかわらず品
質保証の要請から大部分が不良品としての廃却処分を余
儀なくされていた。このように、従来の半田バンプの形
成方法では、半田バンプの異常に起因する不良品の発生
が不可避で、全体の歩留りの向上には限度があるという
問題点があった。
は、品質上の信頼性を保証するため半田バンプ形成後に
検査を行うこととしており、検査により半田バンプの異
常が発見されると、高価な製品であるにもかかわらず品
質保証の要請から大部分が不良品としての廃却処分を余
儀なくされていた。このように、従来の半田バンプの形
成方法では、半田バンプの異常に起因する不良品の発生
が不可避で、全体の歩留りの向上には限度があるという
問題点があった。
【０００６】そこで本発明は、半田バンプの異常の発生
を減少させ歩留りを向上させることができるクリーム半
田の印刷装置および半田バンプ形成方法を提供すること
を目的とする。
を減少させ歩留りを向上させることができるクリーム半
田の印刷装置および半田バンプ形成方法を提供すること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の半田バン
プ形成用のクリーム半田印刷装置は、基板または電子部
品を載置する載置部と、正規形状の半田バンプの体積に
相当する半田量を含むクリーム半田を収容できる内容積
を有し、正規形状の半田バンプに略外接する錐形状のパ
ターン孔を備えたマスクプレートと、このマスクプレー
トを前記載置部上の半田バンプが形成された基板または
電子部品に対して相対的に昇降させる昇降手段と、前記
基板または電子部品上に装着された前記マスクプレート
上にクリーム半田を塗布する塗布手段と、前記マスクプ
レート上を摺動しながら移動してクリーム半田を前記パ
ターン孔内に充填させるスキージとを備えた。
プ形成用のクリーム半田印刷装置は、基板または電子部
品を載置する載置部と、正規形状の半田バンプの体積に
相当する半田量を含むクリーム半田を収容できる内容積
を有し、正規形状の半田バンプに略外接する錐形状のパ
ターン孔を備えたマスクプレートと、このマスクプレー
トを前記載置部上の半田バンプが形成された基板または
電子部品に対して相対的に昇降させる昇降手段と、前記
基板または電子部品上に装着された前記マスクプレート
上にクリーム半田を塗布する塗布手段と、前記マスクプ
レート上を摺動しながら移動してクリーム半田を前記パ
ターン孔内に充填させるスキージとを備えた。
【０００８】請求項２記載の半田バンプ形成用のクリー
ム半田印刷装置は、基板または電子部品を載置する載置
部と、正規形状の半田バンプの体積に相当する半田量を
含むクリーム半田を収容できる内容積を有し、正規形状
の半田バンプ高さより低い略円筒形状のパターン孔を備
えたマスクプレートと、このマスクプレートを前記載置
部上の半田バンプが形成された基板または電子部品に対
して相対的に昇降させる昇降手段と、前記基板または電
子部品上に装着された前記マスクプレート上で前記パタ
ーン孔から突出した半田バンプを延展して前記パターン
孔の上部を塞ぐ延展手段と、前記マスクプレート上にク
リーム半田を塗布する塗布手段と、前記マスクプレート
上を摺動しながら移動してクリーム半田を前記パターン
孔内に充填させるスキージとを備えた。
ム半田印刷装置は、基板または電子部品を載置する載置
部と、正規形状の半田バンプの体積に相当する半田量を
含むクリーム半田を収容できる内容積を有し、正規形状
の半田バンプ高さより低い略円筒形状のパターン孔を備
えたマスクプレートと、このマスクプレートを前記載置
部上の半田バンプが形成された基板または電子部品に対
して相対的に昇降させる昇降手段と、前記基板または電
子部品上に装着された前記マスクプレート上で前記パタ
ーン孔から突出した半田バンプを延展して前記パターン
孔の上部を塞ぐ延展手段と、前記マスクプレート上にク
リーム半田を塗布する塗布手段と、前記マスクプレート
上を摺動しながら移動してクリーム半田を前記パターン
孔内に充填させるスキージとを備えた。
【０００９】請求項３記載の半田バンプ形成方法は、基
板又は電子部品に半田バンプを形成した後、前記基板ま
たは電子部品の電極のうち半田バンプの異常がある電極
上に半田バンプを形成する半田バンプ形成方法であっ
て、前記基板又は電子部品上に、正規形状の半田バンプ
の体積に相当する半田量を含むクリーム半田を収容でき
る内容積を有し正規形状の半田バンプに略外接する錐形
状のパターン孔を備えたマスクプレートを装着し、この
マスクプレート上でクリーム半田を印刷することにより
前記半田バンプの異常がある電極上にクリーム半田を供
給し、次いで前記基板又は電子部品を加熱することによ
り前記電極上でクリーム半田を溶融固化させて半田バン
プを形成するようにした。
板又は電子部品に半田バンプを形成した後、前記基板ま
たは電子部品の電極のうち半田バンプの異常がある電極
上に半田バンプを形成する半田バンプ形成方法であっ
て、前記基板又は電子部品上に、正規形状の半田バンプ
の体積に相当する半田量を含むクリーム半田を収容でき
る内容積を有し正規形状の半田バンプに略外接する錐形
状のパターン孔を備えたマスクプレートを装着し、この
マスクプレート上でクリーム半田を印刷することにより
前記半田バンプの異常がある電極上にクリーム半田を供
給し、次いで前記基板又は電子部品を加熱することによ
り前記電極上でクリーム半田を溶融固化させて半田バン
プを形成するようにした。
【００１０】請求項４記載の半田バンプ形成方法は、基
板又は電子部品に半田バンプを形成した後、前記基板ま
たは電子部品の電極のうち半田バンプの異常がある電極
上に半田バンプを形成する半田バンプ形成方法であっ
て、前記基板又は電子部品上に、正規形状の半田バンプ
の体積に相当する半田量を含むクリーム半田を収容でき
る内容積を有し正規形状の半田バンプ高さより低い略円
筒形状のパターン孔を備えたマスクプレートを装着し、
このパターン孔より突出した半田バンプを延展手段によ
り延展して前記パターン孔の上面を塞いだ後に、前記マ
スクプレート上でクリーム半田を印刷して前記半田バン
プの異常がある電極上にクリーム半田を供給し、次いで
前記電極又は基板を加熱することにより前記電極上でク
リーム半田を溶融固化させて半田バンプを形成するよう
にした。
板又は電子部品に半田バンプを形成した後、前記基板ま
たは電子部品の電極のうち半田バンプの異常がある電極
上に半田バンプを形成する半田バンプ形成方法であっ
て、前記基板又は電子部品上に、正規形状の半田バンプ
の体積に相当する半田量を含むクリーム半田を収容でき
る内容積を有し正規形状の半田バンプ高さより低い略円
筒形状のパターン孔を備えたマスクプレートを装着し、
このパターン孔より突出した半田バンプを延展手段によ
り延展して前記パターン孔の上面を塞いだ後に、前記マ
スクプレート上でクリーム半田を印刷して前記半田バン
プの異常がある電極上にクリーム半田を供給し、次いで
前記電極又は基板を加熱することにより前記電極上でク
リーム半田を溶融固化させて半田バンプを形成するよう
にした。
【００１１】各請求項記載の発明によれば、正規形状の
半田バンプが形成された電極にはクリーム半田が入り込
まない形状のパターン孔を有するマスクプレートを装着
し、このマスクプレート上でクリーム半田を印刷するこ
とにより、半田バンプにサイズ過小や欠落などの異常が
ある電極にのみクリーム半田を供給して正常な半田バン
プを形成することができる。
半田バンプが形成された電極にはクリーム半田が入り込
まない形状のパターン孔を有するマスクプレートを装着
し、このマスクプレート上でクリーム半田を印刷するこ
とにより、半田バンプにサイズ過小や欠落などの異常が
ある電極にのみクリーム半田を供給して正常な半田バン
プを形成することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）図１（ａ），
（ｂ），（ｃ），（ｄ）、は本発明の実施の形態１の半
田バンプ形成方法の工程説明図、図２は同クリーム半田
印刷装置の側面図、図３（ａ），（ｂ），（ｃ），
（ｄ）は同半田バンプ形成方法の工程説明図である。
（ｂ），（ｃ），（ｄ）、は本発明の実施の形態１の半
田バンプ形成方法の工程説明図、図２は同クリーム半田
印刷装置の側面図、図３（ａ），（ｂ），（ｃ），
（ｄ）は同半田バンプ形成方法の工程説明図である。
【００１３】まず図１（ａ）において、基板１の上面に
は半田バンプ形成用の電極２が設けられている。この基
板１を、電極２に対応したパターン孔４が設けられたマ
スクプレート３に対して位置合わせし、マスクプレート
を基板１に装着する。
は半田バンプ形成用の電極２が設けられている。この基
板１を、電極２に対応したパターン孔４が設けられたマ
スクプレート３に対して位置合わせし、マスクプレート
を基板１に装着する。
【００１４】次に図１（ｂ）に示すように、マスクプレ
ート３上にクリーム半田５を塗布した後、マスクプレー
ト３上でスキージ６を摺動させることにより、パターン
孔４内にクリーム半田５が印刷される。そして図１
（ｃ）に示すように、マスクプレート３と基板１を分離
することにより、パターン孔４内のクリーム半田５はパ
ターン孔４から抜け、電極２上に供給される。このと
き、パターン孔４からのクリーム半田５の版抜け不良に
よりクリーム半田５がパターン孔４内に残留し、電極２
上にクリーム半田が供給されない場合がある。
ート３上にクリーム半田５を塗布した後、マスクプレー
ト３上でスキージ６を摺動させることにより、パターン
孔４内にクリーム半田５が印刷される。そして図１
（ｃ）に示すように、マスクプレート３と基板１を分離
することにより、パターン孔４内のクリーム半田５はパ
ターン孔４から抜け、電極２上に供給される。このと
き、パターン孔４からのクリーム半田５の版抜け不良に
よりクリーム半田５がパターン孔４内に残留し、電極２
上にクリーム半田が供給されない場合がある。
【００１５】この後基板１はリフロー炉に送られ加熱さ
れる。これにより各電極２上のクリーム半田５が溶融
し、溶融半田が固化することにより図１（ｄ）に示すよ
うに半田バンプ５’が形成されるが、前述のクリーム半
田５が供給されなかった電極２では、半田バンプ５’が
欠落した状態となっている。この半田バンプ５’が欠落
した欠落電極に、補充的に半田バンプを追加して形成す
るため、以下に述べるクリーム半田印刷装置にて再度ク
リーム半田５の印刷が行われる。
れる。これにより各電極２上のクリーム半田５が溶融
し、溶融半田が固化することにより図１（ｄ）に示すよ
うに半田バンプ５’が形成されるが、前述のクリーム半
田５が供給されなかった電極２では、半田バンプ５’が
欠落した状態となっている。この半田バンプ５’が欠落
した欠落電極に、補充的に半田バンプを追加して形成す
るため、以下に述べるクリーム半田印刷装置にて再度ク
リーム半田５の印刷が行われる。
【００１６】ここでクリーム半田印刷装置について説明
する。図２に示すように、載置部１０上には半田バンプ
５’が形成された基板１が載置されている。基板１の上
方には、マスクプレート７が配設されている。載置部１
０は昇降手段であるシリンダ９により、マスクプレート
７に対して相対的に昇降可能となっている。マスクプレ
ート７には、円錐形状のパターン孔８が各電極２の位置
に対応して設けられている。シリンダ９を駆動してマス
クプレート７に対して基板１を上昇させることにより、
マスクプレート７は基板１に装着される。
する。図２に示すように、載置部１０上には半田バンプ
５’が形成された基板１が載置されている。基板１の上
方には、マスクプレート７が配設されている。載置部１
０は昇降手段であるシリンダ９により、マスクプレート
７に対して相対的に昇降可能となっている。マスクプレ
ート７には、円錐形状のパターン孔８が各電極２の位置
に対応して設けられている。シリンダ９を駆動してマス
クプレート７に対して基板１を上昇させることにより、
マスクプレート７は基板１に装着される。
【００１７】パターン孔８の形状寸法は、次の条件を満
たすように設定される。すなわちマスクプレート７が基
板１に装着された状態で、パターン孔８の内面が、既に
電極２上に形成された正規形状の半田バンプ５’の外周
と略外接し、かつパターン孔８の内面と半田バンプ５’
の外周との間に部分的に生じた隙間が、クリーム半田５
中に含まれる半田粒の大きさよりも小さくなるよう、パ
ターン孔８の形状寸法が設定される。また、パターン孔
８の内容積は、正規形状の半田バンプ５’の体積相当の
半田量を含むクリーム半田５を収容できるものとなって
いる。
たすように設定される。すなわちマスクプレート７が基
板１に装着された状態で、パターン孔８の内面が、既に
電極２上に形成された正規形状の半田バンプ５’の外周
と略外接し、かつパターン孔８の内面と半田バンプ５’
の外周との間に部分的に生じた隙間が、クリーム半田５
中に含まれる半田粒の大きさよりも小さくなるよう、パ
ターン孔８の形状寸法が設定される。また、パターン孔
８の内容積は、正規形状の半田バンプ５’の体積相当の
半田量を含むクリーム半田５を収容できるものとなって
いる。
【００１８】マスクプレート７の上方には、クリーム半
田５の塗布手段であるディスペンサ１１が配設されてい
る。ディスペンサ１１は基板１上に装着されたマスクプ
レート７上にクリーム半田５を塗布する。またマスクプ
レート７上にはスキージ１２が備えられている。マスク
プレート７上にクリーム半田５を塗布した状態でスキー
ジ１２を摺動させることにより、欠落電極２上に位置す
るパターン孔８内にはクリーム半田５が充填される。
田５の塗布手段であるディスペンサ１１が配設されてい
る。ディスペンサ１１は基板１上に装着されたマスクプ
レート７上にクリーム半田５を塗布する。またマスクプ
レート７上にはスキージ１２が備えられている。マスク
プレート７上にクリーム半田５を塗布した状態でスキー
ジ１２を摺動させることにより、欠落電極２上に位置す
るパターン孔８内にはクリーム半田５が充填される。
【００１９】この半田バンプ形成用のクリーム半田印刷
装置は上記のように構成され、以下バンプ形成用のクリ
ーム半田印刷について説明する。図３（ａ）に示すよう
に、載置部上に載置された半田バンプ５’が既に形成さ
れ、欠落電極２を含む基板１を、シリンダ９（図２）に
よりマスクプレート７に対して上昇させ、図３（ｂ）に
示すように基板１をマスクプレート７に位置あわせして
装着する。この後、ディスペンサ６によりマスクプレー
ト７上にクリーム半田５を塗布し、次いでスキージ１１
をマスクプレート７上で摺動させて、欠落電極２上に位
置するパターン孔８内にクリーム半田を印刷する。
装置は上記のように構成され、以下バンプ形成用のクリ
ーム半田印刷について説明する。図３（ａ）に示すよう
に、載置部上に載置された半田バンプ５’が既に形成さ
れ、欠落電極２を含む基板１を、シリンダ９（図２）に
よりマスクプレート７に対して上昇させ、図３（ｂ）に
示すように基板１をマスクプレート７に位置あわせして
装着する。この後、ディスペンサ６によりマスクプレー
ト７上にクリーム半田５を塗布し、次いでスキージ１１
をマスクプレート７上で摺動させて、欠落電極２上に位
置するパターン孔８内にクリーム半田を印刷する。
【００２０】このとき、既に正常に半田バンプ５’が形
成されているパターン孔８には、クリーム半田５中の半
田粒は侵入することができないため、正規形状の半田バ
ンプ５’に付着するクリーム半田５はわずかな量であ
る。そして基板１とマスクプレート７を分離することに
より、図３（ｃ）に示すように欠落電極２上には、正規
形状の半田バンプ５’の半田量に相当するクリーム半田
５が供給される。
成されているパターン孔８には、クリーム半田５中の半
田粒は侵入することができないため、正規形状の半田バ
ンプ５’に付着するクリーム半田５はわずかな量であ
る。そして基板１とマスクプレート７を分離することに
より、図３（ｃ）に示すように欠落電極２上には、正規
形状の半田バンプ５’の半田量に相当するクリーム半田
５が供給される。
【００２１】この後基板１はリフロー炉に送られ、そこ
で基板１は加熱される。これにより、欠落電極２上のク
リーム半田５が溶融し、その後冷却固化して図２（ｄ）
に示すように電極２上で正規形状の半田バンプ５’が形
成される。このとき既に正常に形成されていた半田バン
プ５’も同時に溶融し、冷却されて再び半田バンプ５’
を形成する。
で基板１は加熱される。これにより、欠落電極２上のク
リーム半田５が溶融し、その後冷却固化して図２（ｄ）
に示すように電極２上で正規形状の半田バンプ５’が形
成される。このとき既に正常に形成されていた半田バン
プ５’も同時に溶融し、冷却されて再び半田バンプ５’
を形成する。
【００２２】上述はある電極２上にクリーム半田５が全
く供給されず、半田バンプ５’が完全に欠落している半
田バンプの異常の場合を示しているが、電極２上にクリ
ーム半田５が少量しか供給されず、その結果サイズが過
小の半田バンプが形成された場合についても、上述と同
様の方法で正規形状の半田バンプを形成することができ
る。すなわち、サイズが過小の半田バンプが形成された
電極２に位置するパターン孔８では、半田バンプとパタ
ーン孔８の間には隙間が生じる。したがってクリーム半
田５の印刷により、この隙間にはクリーム半田５が進入
してサイズが過小の半田バンプに付着し半田量を補うこ
ととなる。そして再加熱によって半田バンプと半田バン
プに付着したクリーム半田が融合し、冷却固化した後に
は正常な半田量の正規形状の半田バンプ５’を形成する
ことができる。
く供給されず、半田バンプ５’が完全に欠落している半
田バンプの異常の場合を示しているが、電極２上にクリ
ーム半田５が少量しか供給されず、その結果サイズが過
小の半田バンプが形成された場合についても、上述と同
様の方法で正規形状の半田バンプを形成することができ
る。すなわち、サイズが過小の半田バンプが形成された
電極２に位置するパターン孔８では、半田バンプとパタ
ーン孔８の間には隙間が生じる。したがってクリーム半
田５の印刷により、この隙間にはクリーム半田５が進入
してサイズが過小の半田バンプに付着し半田量を補うこ
ととなる。そして再加熱によって半田バンプと半田バン
プに付着したクリーム半田が融合し、冷却固化した後に
は正常な半田量の正規形状の半田バンプ５’を形成する
ことができる。
【００２３】なお、本実施の形態１では、まずクリーム
半田５を印刷して半田を電極２に供給することにより半
田バンプ５’を形成する例を示しているが、最初に半田
バンプ５’を形成する方法はこれに限定されず、これ以
外の方法、たとえば半田ボールを電極２上に搭載して半
田を供給する方法であってもよい。
半田５を印刷して半田を電極２に供給することにより半
田バンプ５’を形成する例を示しているが、最初に半田
バンプ５’を形成する方法はこれに限定されず、これ以
外の方法、たとえば半田ボールを電極２上に搭載して半
田を供給する方法であってもよい。
【００２４】（実施の形態２）図４は本発明の実施の形
態２のクリーム半田印刷装置の側面図、図５（ａ），
（ｂ），（ｃ）、図６（ａ），（ｂ），（ｃ）は本発明
の実施の形態２の半田バンプ形成方法の工程説明図であ
る。
態２のクリーム半田印刷装置の側面図、図５（ａ），
（ｂ），（ｃ）、図６（ａ），（ｂ），（ｃ）は本発明
の実施の形態２の半田バンプ形成方法の工程説明図であ
る。
【００２５】まず、図４を参照して本発明の実施の形態
２のクリーム半田印刷装置について説明する。図４にお
いて、載置部１０上には半田バンプ５’が形成された基
板１が載置されている。基板１の上方にはマスクプレー
ト１３が配設されている。載置部１０は昇降手段である
シリンダ９によりマスクプレート１３に対して相対的に
昇降可能となっている。マスクプレート１３には、パタ
ーン孔１４が各電極２の位置に対応して設けられてい
る。
２のクリーム半田印刷装置について説明する。図４にお
いて、載置部１０上には半田バンプ５’が形成された基
板１が載置されている。基板１の上方にはマスクプレー
ト１３が配設されている。載置部１０は昇降手段である
シリンダ９によりマスクプレート１３に対して相対的に
昇降可能となっている。マスクプレート１３には、パタ
ーン孔１４が各電極２の位置に対応して設けられてい
る。
【００２６】パターン孔１４の形状寸法は、正規形状の
半田バンプ５’の高さｈよりも低い高さ寸法ｔを有する
略円筒形状であり、かつ半田バンプ５’の体積相当の半
田量を含むクリーム半田５を収容できるような内容積と
なっている。シリンダ９を駆動してマスクプレート１３
に対して基板１を上昇させることにより、マスクプレー
ト１３は基板１に装着される。
半田バンプ５’の高さｈよりも低い高さ寸法ｔを有する
略円筒形状であり、かつ半田バンプ５’の体積相当の半
田量を含むクリーム半田５を収容できるような内容積と
なっている。シリンダ９を駆動してマスクプレート１３
に対して基板１を上昇させることにより、マスクプレー
ト１３は基板１に装着される。
【００２７】マスクプレート１３の上方には、ローラ１
５が配設されている。マスクプレート１３を基板１に装
着した状態でローラ１５をマスクプレート１３上で転動
させることにより、パターン孔１４から突出した半田バ
ンプ５’の上端部をローラ１５で押圧して延展する。延
展された半田バンプ５’は、後述のように押しつぶされ
て変形し、パターン孔１４の上部を塞ぐ。
５が配設されている。マスクプレート１３を基板１に装
着した状態でローラ１５をマスクプレート１３上で転動
させることにより、パターン孔１４から突出した半田バ
ンプ５’の上端部をローラ１５で押圧して延展する。延
展された半田バンプ５’は、後述のように押しつぶされ
て変形し、パターン孔１４の上部を塞ぐ。
【００２８】また、マスクプレート１３の上方には、ク
リーム半田５の塗布手段であるディスペンサ１１が配設
されている。ディスペンサ１１は基板１に装着されたマ
スクプレート１３上にクリーム半田５を塗布する。また
マスクプレート１３上にはスキージ１２が備えられてい
る。マスクプレート１３上にクリーム半田５を塗布した
状態でスキージ１２を摺動させることにより、欠落電極
２上に位置するパターン孔１４内にはクリーム半田５が
充填される。
リーム半田５の塗布手段であるディスペンサ１１が配設
されている。ディスペンサ１１は基板１に装着されたマ
スクプレート１３上にクリーム半田５を塗布する。また
マスクプレート１３上にはスキージ１２が備えられてい
る。マスクプレート１３上にクリーム半田５を塗布した
状態でスキージ１２を摺動させることにより、欠落電極
２上に位置するパターン孔１４内にはクリーム半田５が
充填される。
【００２９】このクリーム半田印刷装置は上記のように
構成され、次に半田バンプ形成用のクリーム半田印刷に
ついて説明する。図５（ａ）に示すように、載置部１０
（図４）上に載置された半田バンプ５’が既に形成さ
れ、欠落電極２を有する基板１を、シリンダ９（図４）
によりマスクプレート１３に対して上昇させ、図５
（ｂ）に示すように基板１をマスクプレート１３に位置
あわせして装着する。
構成され、次に半田バンプ形成用のクリーム半田印刷に
ついて説明する。図５（ａ）に示すように、載置部１０
（図４）上に載置された半田バンプ５’が既に形成さ
れ、欠落電極２を有する基板１を、シリンダ９（図４）
によりマスクプレート１３に対して上昇させ、図５
（ｂ）に示すように基板１をマスクプレート１３に位置
あわせして装着する。
【００３０】そしてパターン孔１４内の半田バンプ５’
の上部がマスクプレート１３上に突出した状態で、図５
（ｃ）に示すように延展手段であるローラ１５をマスク
プレート１３に押圧しながら転動させる。これにより半
田バンプ５’の上部はローラ１５により押しつぶされて
延展され、パターン孔１４の上部を塞いだ状態となる。
すなわち、パターン孔１４の孔径及び高さ寸法ｔを適切
に設定することにより、前述のようにパターン孔１４の
内容積を正規形状の半田バンプ５’の半田量相当の半田
を含むクリーム半田５の体積とほぼ同等とし、かつ半田
バンプ５’がローラ１５で延展された状態でパターン孔
１４の上部を塞ぐようにすることができる。
の上部がマスクプレート１３上に突出した状態で、図５
（ｃ）に示すように延展手段であるローラ１５をマスク
プレート１３に押圧しながら転動させる。これにより半
田バンプ５’の上部はローラ１５により押しつぶされて
延展され、パターン孔１４の上部を塞いだ状態となる。
すなわち、パターン孔１４の孔径及び高さ寸法ｔを適切
に設定することにより、前述のようにパターン孔１４の
内容積を正規形状の半田バンプ５’の半田量相当の半田
を含むクリーム半田５の体積とほぼ同等とし、かつ半田
バンプ５’がローラ１５で延展された状態でパターン孔
１４の上部を塞ぐようにすることができる。
【００３１】次に、図６（ａ）に示すようにマスクプレ
ート１３上にクリーム半田５を塗布し、スキージ１２を
摺動させてクリーム半田５を印刷する。これにより、欠
落電極に位置するパターン孔１４内にはクリーム半田５
が充填され、この後マスクプレート１３と基板１を分離
することにより、図６（ｂ）に示すように欠落電極２上
にクリーム半田５が供給される。このとき、既に半田バ
ンプ５’が形成された電極２上のパターン孔１４の上部
は、延展された半田バンプ５’によって塞がれているた
め、欠落電極２上にのみクリーム半田５が供給される。
ート１３上にクリーム半田５を塗布し、スキージ１２を
摺動させてクリーム半田５を印刷する。これにより、欠
落電極に位置するパターン孔１４内にはクリーム半田５
が充填され、この後マスクプレート１３と基板１を分離
することにより、図６（ｂ）に示すように欠落電極２上
にクリーム半田５が供給される。このとき、既に半田バ
ンプ５’が形成された電極２上のパターン孔１４の上部
は、延展された半田バンプ５’によって塞がれているた
め、欠落電極２上にのみクリーム半田５が供給される。
【００３２】この後、基板１をリフロー炉にて加熱する
ことにより、半田バンプ５’およびクリーム半田５が溶
融し、溶融半田が冷却固化することにより、図６（ｃ）
に示すように全ての電極２上に正規形状の半田バンプ
５’が形成される。なお、サイズが過小の半田バンプに
対しても本実施の形態２によるバンプ形成方法が適用可
能であること、及び最初の半田バンプの形成方法がクリ
ーム半田５の印刷によって半田を供給する方法に限定さ
れるものではないことについては、実施の形態１と同様
である。
ことにより、半田バンプ５’およびクリーム半田５が溶
融し、溶融半田が冷却固化することにより、図６（ｃ）
に示すように全ての電極２上に正規形状の半田バンプ
５’が形成される。なお、サイズが過小の半田バンプに
対しても本実施の形態２によるバンプ形成方法が適用可
能であること、及び最初の半田バンプの形成方法がクリ
ーム半田５の印刷によって半田を供給する方法に限定さ
れるものではないことについては、実施の形態１と同様
である。
【００３３】上記各実施の形態に示すように、欠落やサ
イズの過小など、異常がある半田バンプの電極のみにク
リーム半田を供給できるようにマスクプレートのパター
ン孔の形状を設定し、このマスクプレートを半田バンプ
の異常があると判定された基板上に装着してクリーム半
田を印刷することにより、半田バンプの異常がある電極
を個別に特定することなく、必要な箇所に必要量のクリ
ーム半田を供給することができる。したがって、半田バ
ンプの異常があると判定された基板の補修を効率よく行
うことが可能となる結果として、従来は不良品として廃
却処分されていた基板や電子部品を良品化して有効に再
利用でき、製品歩留まりを向上させることができる。
イズの過小など、異常がある半田バンプの電極のみにク
リーム半田を供給できるようにマスクプレートのパター
ン孔の形状を設定し、このマスクプレートを半田バンプ
の異常があると判定された基板上に装着してクリーム半
田を印刷することにより、半田バンプの異常がある電極
を個別に特定することなく、必要な箇所に必要量のクリ
ーム半田を供給することができる。したがって、半田バ
ンプの異常があると判定された基板の補修を効率よく行
うことが可能となる結果として、従来は不良品として廃
却処分されていた基板や電子部品を良品化して有効に再
利用でき、製品歩留まりを向上させることができる。
【００３４】また、上述のように半田バンプの異常があ
る電極を特定する必要がないことは、換言すれば、半田
バンプの有無やサイズに関する異常の検出を目的とした
外観検査を省略できることを意味している。すなわち最
初に半田バンプを形成した後に、上記各実施の形態の半
田バンプの形成方法を適用することを前提とすれば、検
査・補修に纏わる一連の工程、すなわち半田バンプの異
常がある電極を特定し、この電極を有する基板を分別し
てリペア工程に送り、当該基板の当該電極を補修すると
いう煩雑な管理を必要とする工程を省略することが可能
となる。前述のように、半田バンプの形成工程における
異常の発生率は０．１％のオーダーであり、この工程を
２回繰り返すことにより、最終的な異常の発生率を実際
上絶無に近い水準まで低下させることができるからであ
る。
る電極を特定する必要がないことは、換言すれば、半田
バンプの有無やサイズに関する異常の検出を目的とした
外観検査を省略できることを意味している。すなわち最
初に半田バンプを形成した後に、上記各実施の形態の半
田バンプの形成方法を適用することを前提とすれば、検
査・補修に纏わる一連の工程、すなわち半田バンプの異
常がある電極を特定し、この電極を有する基板を分別し
てリペア工程に送り、当該基板の当該電極を補修すると
いう煩雑な管理を必要とする工程を省略することが可能
となる。前述のように、半田バンプの形成工程における
異常の発生率は０．１％のオーダーであり、この工程を
２回繰り返すことにより、最終的な異常の発生率を実際
上絶無に近い水準まで低下させることができるからであ
る。
【００３５】もちろん、半田バンプの異常を検査により
簡単に検出できる場合には、異常有りと判定されたもの
のみについて前述の半田バンプの形成方法を適用すれば
よい。この場合でも、補修箇所を特定することなく、単
にクリーム半田印刷およびリフローによる加熱という単
純な工程を追加するのみであることから、補修作業の効
率を向上させることができる。
簡単に検出できる場合には、異常有りと判定されたもの
のみについて前述の半田バンプの形成方法を適用すれば
よい。この場合でも、補修箇所を特定することなく、単
にクリーム半田印刷およびリフローによる加熱という単
純な工程を追加するのみであることから、補修作業の効
率を向上させることができる。
【００３６】
【発明の効果】本発明によれば、正規形状の半田バンプ
が形成された電極にはクリーム半田が入り込まない形状
のパターン孔を有するマスクプレートを装着し、このマ
スクプレート上でクリーム半田印刷を行うようにしたの
で、半田バンプにサイズ過小や欠落などの異常がある電
極にのみクリーム半田を印刷して供給することができ、
半田バンプの異常を効率よく補修することが可能とな
る。したがって、従来は不良品として廃却処分されてい
た基板や電子部品を良品化して有効に再利用でき、製品
歩留まりを向上させることができる。
が形成された電極にはクリーム半田が入り込まない形状
のパターン孔を有するマスクプレートを装着し、このマ
スクプレート上でクリーム半田印刷を行うようにしたの
で、半田バンプにサイズ過小や欠落などの異常がある電
極にのみクリーム半田を印刷して供給することができ、
半田バンプの異常を効率よく補修することが可能とな
る。したがって、従来は不良品として廃却処分されてい
た基板や電子部品を良品化して有効に再利用でき、製品
歩留まりを向上させることができる。
【図１】（ａ）本発明の実施の形態１の半田バンプ形成
方法の工程説明図 （ｂ）本発明の実施の形態１の半田バンプ形成方法の工
程説明図 （ｃ）本発明の実施の形態１の半田バンプ形成方法の工
程説明図 （ｄ）本発明の実施の形態１の半田バンプ形成方法の工
程説明図
方法の工程説明図 （ｂ）本発明の実施の形態１の半田バンプ形成方法の工
程説明図 （ｃ）本発明の実施の形態１の半田バンプ形成方法の工
程説明図 （ｄ）本発明の実施の形態１の半田バンプ形成方法の工
程説明図
【図２】本発明の実施の形態１のクリーム半田印刷装置
の側面図
の側面図
【図３】（ａ）本発明の実施の形態１の半田バンプ形成
方法の工程説明図 （ｂ）本発明の実施の形態１の半田バンプ形成方法の工
程説明図 （ｃ）本発明の実施の形態１の半田バンプ形成方法の工
程説明図 （ｄ）本発明の実施の形態１の半田バンプ形成方法の工
程説明図
方法の工程説明図 （ｂ）本発明の実施の形態１の半田バンプ形成方法の工
程説明図 （ｃ）本発明の実施の形態１の半田バンプ形成方法の工
程説明図 （ｄ）本発明の実施の形態１の半田バンプ形成方法の工
程説明図
【図４】本発明の実施の形態２のクリーム半田印刷装置
の側面図
の側面図
【図５】（ａ）本発明の実施の形態２の半田バンプ形成
方法の工程説明図 （ｂ）本発明の実施の形態２の半田バンプ形成方法の工
程説明図 （ｃ）本発明の実施の形態２の半田バンプ形成方法の工
程説明図
方法の工程説明図 （ｂ）本発明の実施の形態２の半田バンプ形成方法の工
程説明図 （ｃ）本発明の実施の形態２の半田バンプ形成方法の工
程説明図
【図６】（ａ）本発明の実施の形態２の半田バンプ形成
方法の工程説明図 （ｂ）本発明の実施の形態２の半田バンプ形成方法の工
程説明図 （ｃ）本発明の実施の形態２の半田バンプ形成方法の工
程説明図
方法の工程説明図 （ｂ）本発明の実施の形態２の半田バンプ形成方法の工
程説明図 （ｃ）本発明の実施の形態２の半田バンプ形成方法の工
程説明図
１ 基板 ２ 電極 ３、７、１３ マスクプレート ４、８、１４ パターン孔 ５ クリーム半田 ５’ 半田バンプ ６、１１ スキージ ９ シリンダ １０ 載置部 １２ ディスペンサ １５ ローラ
Claims (4)
- 【請求項１】基板または電子部品を載置する載置部と、
正規形状の半田バンプの体積に相当する半田量を含むク
リーム半田を収容できる内容積を有し、正規形状の半田
バンプに略外接する錐形状のパターン孔を備えたマスク
プレートと、このマスクプレートを前記載置部上の半田
バンプが形成された基板または電子部品に対して相対的
に昇降させる昇降手段と、前記基板または電子部品上に
装着された前記マスクプレート上にクリーム半田を塗布
する塗布手段と、前記マスクプレート上を摺動しながら
移動してクリーム半田を前記パターン孔内に充填させる
スキージとを備えたことを特徴とする半田バンプ形成用
のクリーム半田印刷装置。 - 【請求項２】基板または電子部品を載置する載置部と、
正規形状の半田バンプの体積に相当する半田量を含むク
リーム半田を収容できる内容積を有し、正規形状の半田
バンプ高さより低い略円筒形状のパターン孔を備えたマ
スクプレートと、このマスクプレートを前記載置部上の
半田バンプが形成された基板または電子部品に対して相
対的に昇降させる昇降手段と、前記基板または電子部品
上に装着された前記マスクプレート上で前記パターン孔
から突出した半田バンプを延展して前記パターン孔の上
部を塞ぐ延展手段と、前記マスクプレート上にクリーム
半田を塗布する塗布手段と、前記マスクプレート上を摺
動しながら移動してクリーム半田を前記パターン孔内に
充填させるスキージとを備えたことを特徴とする半田バ
ンプ形成用のクリーム半田印刷装置。 - 【請求項３】基板又は電子部品に半田バンプを形成した
後、前記基板または電子部品の電極のうち半田バンプの
異常がある電極上に半田バンプを形成する半田バンプ形
成方法であって、前記基板又は電子部品上に、正規形状
の半田バンプの体積に相当する半田量を含むクリーム半
田を収容できる内容積を有し正規形状の半田バンプに略
外接する錐形状のパターン孔を備えたマスクプレートを
装着し、このマスクプレート上でクリーム半田を印刷す
ることにより前記電極上にクリーム半田を供給し、次い
で前記基板又は電子部品を加熱することにより前記電極
上でクリーム半田を溶融固化させて半田バンプを形成す
ることを特徴とする半田バンプ形成方法。 - 【請求項４】基板又は電子部品に半田バンプを形成した
後、前記基板または電子部品の電極のうち半田バンプの
異常がある電極上に半田バンプを形成する半田バンプ形
成方法であって、前記基板又は電子部品上に、正規形状
の半田バンプの体積に相当する半田量を含むクリーム半
田を収容できる内容積を有し正規形状の半田バンプ高さ
より低い略円筒形状のパターン孔を備えたマスクプレー
トを装着し、このパターン孔より突出した半田バンプを
延展手段により延展して前記パターン孔の上面を塞いだ
後に、前記マスクプレート上でクリーム半田を印刷して
前記半田バンプの異常がある電極上にクリーム半田を供
給し、次いで前記基板又は電子部品を加熱することによ
り前記電極上でクリーム半田を溶融固化させて半田バン
プを形成することを特徴とする半田バンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07213398A JP3430910B2 (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | 半田バンプ形成用のクリーム半田印刷装置および半田バンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07213398A JP3430910B2 (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | 半田バンプ形成用のクリーム半田印刷装置および半田バンプ形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11274706A true JPH11274706A (ja) | 1999-10-08 |
| JP3430910B2 JP3430910B2 (ja) | 2003-07-28 |
Family
ID=13480501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07213398A Expired - Fee Related JP3430910B2 (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | 半田バンプ形成用のクリーム半田印刷装置および半田バンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3430910B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004082346A1 (ja) * | 2003-03-10 | 2004-09-23 | Hitachi Metals, Ltd. | 導電性ボールの搭載方法および搭載装置 |
| WO2008038482A1 (en) * | 2006-09-28 | 2008-04-03 | Ibiden Co., Ltd. | Production method and production equipment of printed wiring board |
| WO2017104746A1 (ja) * | 2015-12-15 | 2017-06-22 | 千住金属工業株式会社 | はんだバンプの修正方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI552824B (zh) * | 2011-10-18 | 2016-10-11 | 千住金屬工業股份有限公司 | 焊料凸塊形成方法及裝置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3042814U (ja) | 1997-04-24 | 1997-11-04 | レイテック株式会社 | 印刷版 |
-
1998
- 1998-03-20 JP JP07213398A patent/JP3430910B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004082346A1 (ja) * | 2003-03-10 | 2004-09-23 | Hitachi Metals, Ltd. | 導電性ボールの搭載方法および搭載装置 |
| WO2008038482A1 (en) * | 2006-09-28 | 2008-04-03 | Ibiden Co., Ltd. | Production method and production equipment of printed wiring board |
| KR100972766B1 (ko) | 2006-09-28 | 2010-07-28 | 이비덴 가부시키가이샤 | 프린트 배선판의 제조 방법 및 제조 장치 |
| US7823762B2 (en) | 2006-09-28 | 2010-11-02 | Ibiden Co., Ltd. | Manufacturing method and manufacturing apparatus of printed wiring board |
| JP5098648B2 (ja) * | 2006-09-28 | 2012-12-12 | イビデン株式会社 | プリント配線板の製造方法及び製造装置 |
| WO2017104746A1 (ja) * | 2015-12-15 | 2017-06-22 | 千住金属工業株式会社 | はんだバンプの修正方法 |
| CN108713246A (zh) * | 2015-12-15 | 2018-10-26 | 千住金属工业株式会社 | 焊锡凸块的修正方法 |
| EP3401951A4 (en) * | 2015-12-15 | 2019-10-30 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | METHOD FOR CORRECTING SOLDER BOSS |
| US10681822B2 (en) | 2015-12-15 | 2020-06-09 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Method for correcting solder bump |
| TWI698970B (zh) * | 2015-12-15 | 2020-07-11 | 日商千住金屬工業股份有限公司 | 焊料凸塊之修正方法 |
| CN108713246B (zh) * | 2015-12-15 | 2022-04-29 | 千住金属工业株式会社 | 焊锡凸块的修正方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3430910B2 (ja) | 2003-07-28 |
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