JP2002353263A - 半田バンプの形成方法 - Google Patents

半田バンプの形成方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 接合信頼性が高く大きなサイズの半田バンプ
を安定して形成することができる半田バンプの形成方法
を提供することを目的とする。 【解決手段】 絶縁基板1に設けられた貫通孔2を介し
て回路電極3に導通する半田バンプ6cを形成する半田
バンプの形成方法において、貫通孔2よりも小さいサイ
ズの第1のパターン孔5を有する第1のスクリーンマス
ク4を用いて回路電極3に半田を印刷して半田部6aを
形成しておき、この後に第1のパターン孔5よりも大き
いサイズの第2のパターン孔15を有する第2のスクリ
ーンマスク14を用いて半田を重ねて印刷し、この後絶
縁基板1を加熱することにより半田を溶融させて回路電
極3上に半田バンプ6cを形成する。これにより貫通孔
2内への半田の充填不良を防止して接合信頼性を確保す
ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品や基板の
回路電極上に半田バンプを形成する半田バンプの形成方
法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】電子部品の実装方法として半田バンプを
用いる方法が知られている。この方法は電子部品の回路
電極上に予め半田の突出電極である半田バンプを形成
し、この半田バンプを基板などの回路電極に半田接合す
るものである。半田バンプを形成する方法として、従来
より電極上への半田の供給を印刷によって行う方法が知
られている。この方法は基板上に電極位置に応じてパタ
ーン孔が形成されたスクリーンマスクを装着し、スキー
ジングによりパターン孔を介して回路電極上に半田を印
刷するものである。
【0003】このバンプ形成において、CSP(Chi
p Size Package)など、パッケージを構
成するテープ状の基板の片側の面に回路電極が形成さ
れ、この回路電極が形成された面の反対側にバンプが形
成される場合がある。この場合には、基板の回路電極位
置に設けられた貫通孔を介して半田が印刷され、この貫
通孔内において溶融半田と回路電極とを接合させて半田
バンプが形成される。
【0004】ところで、良好な実装構造を得るために
は、電子部品に形成される半田バンプはできるだけ大き
いサイズであることが望まれる。上述の半田印刷によっ
てバンプを形成する場合には、形成される半田バンプの
サイズはスクリーンマスクのパターン孔に充填される半
田量によって規定されることから、大きなサイズの半田
バンプを形成しようとするためには、パターン孔のサイ
ズを大きく設定する必要がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、電子部
品のファインピッチ化によって基板の回路電極の幅は狭
くなっていることから、前述のような回路電極が形成さ
れた面の反対側にバンプを形成する場合において、回路
電極位置に設けられる貫通孔の大きさは小さくなる傾向
にある。したがって、上述のような大きなパターン孔が
設けられたスクリーンマスクによって半田印刷を行う場
合には、以下のような不具合が生じる。
【0006】すなわち、パターン孔を基板の貫通孔に重
ねた状態では、スキージングによって半田が押し込まれ
るパターン孔の方が貫通孔よりもサイズ的に大きいこと
から、パターン孔内の半田を貫通孔内に押し込む際に、
貫通孔内がエアポケットとなって半田の回路電極上面へ
の接触が妨げられる場合がある。そしてこのような印刷
不良の状態でリフローが行われると、エアポケットを生
じた回路電極上では、半田は回路電極に接合されること
なく固化して脱落し、半田バンプが欠落する結果とな
る。このように、貫通孔を介して半田バンプを形成する
場合においては、従来は大きなサイズのバンプを形成し
ようとすると半田の未接合が発生して半田バンプの欠落
が生じやすいという問題点があった。
【0007】そこで本発明は、接合信頼性が高く大きな
サイズの半田バンプを安定して形成することができる半
田バンプの形成方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の半田バン
プの形成方法は、絶縁基板に設けられた貫通孔を介して
回路電極に導通する半田バンプを形成する半田バンプの
形成方法であって、前記貫通孔よりも小さいサイズの第
1のパターン孔を有する第1のスクリーンマスクを用い
て前記回路電極に半田を印刷する第1の印刷工程と、こ
の第1の印刷工程後に前記第1のパターン孔よりも大き
いサイズの第2のパターン孔を有する第2のスクリーン
マスクを用いて前記回路電極に半田を重ねて印刷する第
2の印刷工程と、第2の印刷工程後に前記絶縁基板を加
熱することにより半田を溶融させて回路電極上に半田バ
ンプを形成するリフロー工程とを含む。
【0009】請求項2記載の半田バンプの形成方法は、
請求項1記載の半田バンプの形成方法であって、前記第
1の印刷工程と第2の印刷工程において、それぞれ融点
の異なる半田を用いる。
【0010】本発明によれば、絶縁基板に設けられた貫
通孔よりも小さいサイズの第1のパターン孔を有する第
1のスクリーンマスクを用いて回路電極に半田を印刷し
た後に第1のパターン孔よりも大きいサイズの第2のパ
ターン孔を有する第2のスクリーンマスクを用いて回路
電極に半田を重ねて印刷することにより、貫通孔内への
半田の充填不良を防止して、接合信頼性を確保すること
ができる。
【0011】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を図面を
参照して説明する。図1、図2は本発明の一実施の形態
の半田バンプの形成方法の工程説明図である。図1
(a),(b),(c),(d)、図2(a),
(b),(c),(d)は、半田バンプの形成方法を工
程順に示すものである。
【0012】図1(a)において、絶縁基板1はポリイ
ミドテープやガラエポ樹脂などの絶縁材料から成り、絶
縁基板1には貫通孔2が形成されている。貫通孔2は絶
縁基板1の下面に形成された回路電極3の位置に対応し
て回路電極3のサイズよりも小さい開孔径d1で開孔さ
れている。貫通孔2は、絶縁基板1の回路電極3の反対
面(図1において上面)に回路電極3と導通する半田バ
ンプを形成するためのものである。
【0013】次に絶縁基板1の上面にクリーム半田が印
刷される(第1の印刷工程)。絶縁基板1はスクリーン
印刷装置に送られ、図1(b)に示すように、スクリー
ンマスク4(第1のスクリーンマスク)の下面に装着さ
れる。スクリーンマスク4にはパターン孔5が絶縁基板
1の回路電極3の位置に対応して形成されている。ここ
で、パターン孔5のサイズを示す開孔径d2は、絶縁基
板1に設けられた貫通孔2の開孔径d1よりも小さく設
定されている。
【0014】この後、図1(c)に示すように、スクリ
ーンマスク4上に第1の半田であるクリーム半田6が供
給される。そして、スクリーンマスク4上でスキージ7
を摺動させることにより、パターン孔5を介してクリー
ム半田6が押し込まれて貫通孔2内に充填され、クリー
ム半田6は回路電極3の上面まで到達する。このスキー
ジングにおいて、パターン孔5の開孔径d2は、貫通孔
2の開孔径d1よりも小さく設定されていることから、
クリーム半田6が貫通孔2内に充填される際に内部の空
気は絶縁基板1とスクリーンマスク4との間の隙間から
外部へ排出される。したがって、開孔径d1よりも大き
いパターン孔を有するスクリーンマスクを用いる場合に
発生する不具合、すなわち貫通孔2内の上部がクリーム
半田6によって完全に閉塞され、貫通孔2内に空気が残
留してエアポケットを形成することによるクリーム半田
6の充填不良が発生しない。
【0015】この後、絶縁基板1をスクリーンマスク4
の下面から離隔させることにより、クリーム半田6はパ
ターン孔5から版抜けし、図1(d)に示すように絶縁
基板1上に半田部6aが形成される。この半田部6a
は、貫通孔2内を満たし回路電極3の上面に接触すると
ともに絶縁基板1の上面にパターン孔5の径に相当する
大きさの柱状の突出部を有する形状となっている。ここ
で印刷されるクリーム半田6は、フラックス中に鉛と錫
の共晶半田の半田粒子を混合したものであり、液相線温
度は183℃となっている。
【0016】次に第1の印刷工程後の絶縁基板1に対
し、さらにクリーム半田6の印刷が行われる(第2の印
刷工程)。すなわち、絶縁基板1は図2(a)に示すよ
うに、スクリーンマスク14(第2のスクリーンマス
ク)の下面に装着される。スクリーンマスク14にはパ
ターン孔15が絶縁基板1の回路電極3の位置に対応し
て形成されている。ここで、パターン孔15のサイズを
示す開孔径d3は、スクリーンマスク4のパターン孔5
の開孔径d2よりも大きく設定されている。
【0017】この後、図2(b)に示すように、スクリ
ーンマスク14上に第2の半田であるクリーム半田6’
が供給される。そして、スクリーンマスク14上でスキ
ージ7を摺動させることにより、パターン孔15内にク
リーム半田6’が押し込まれる。そして押し込まれたク
リーム半田6’は、パターン孔15内で第1の印刷工程
において印刷された半田部6aの周囲に充填される。こ
の後、絶縁基板1をスクリーンマスク14の下面から離
隔させることにより、クリーム半田6’はパターン孔1
5から版抜けし、図2(c)に示すように、絶縁基板1
の表面上に突出し半田部6aの周囲を取り巻く半田部6
bが形成される。ここで印刷されるクリーム半田6’
は、銀と錫の共晶半田の半田粒子をフラックス中に混合
したものであり、その液相線温度は220℃である。す
なわち、第1の印刷工程、第2の印刷工程においては、
融点温度または液相線温度が異なる半田を用いるように
している。
【0018】この後、絶縁基板1はリフロー工程に送ら
れ加熱される。そして加熱温度がクリーム半田6の液相
線温度である183℃を超えると半田部6aが溶融し、
貫通孔2内において回路電極3の表面に濡れ拡がる。こ
の後更に温度が上昇してクリーム半田6’の液相線温度
220℃を超えると、半田部6bが溶融し、これにより
クリーム半田6とクリーム半田6’がそれぞれ溶融した
溶融半田は構造的に一体化して回路電極3に半田接合さ
れ、その後固化することにより、図2(d)に示すよう
に半田バンプ6cが形成される。
【0019】このとき、第1の印刷工程において、クリ
ーム半田6は確実に貫通孔2内に充填されることから、
リフロー工程において半田粒子が回路電極3の表面に接
触しない状態で溶融する事態が発生せず、したがって溶
融半田は確実に回路電極3の表面に濡れ広がり、固化し
た後の半田バンプ6cは確実に回路電極3に半田接合さ
れる。
【0020】またスクリーンマスク14(第2のスクリ
ーンマスク)として大きな開孔径d3のパターン孔15
を用いることができることから、回路電極3に印刷する
クリーム半田6の印刷量を十分に確保することができ、
大きなサイズの半田バンプ6cを安定して形成すること
が可能となっている。
【0021】なお上記実施の形態では、融点の低いクリ
ーム半田6によって半田部6aを、融点の高いクリーム
半田6’によって半田部6bを形成するようにしている
が、半田種類を入れ替えてクリーム半田6によって半田
部6bを、クリーム半田6’によって半田部6aを形成
するようにしてもよい。この場合には、回路電極3と直
接接触していない半田部6bが先に溶融するが、この溶
融半田は貫通孔2内に充填された半田部6a中の半田粒
子の間を回路電極3の表面に向かって移動し、確実に回
路電極3の表面に到達する。そして回路電極3の表面に
濡れ広がることにより、未接合部を生じることなく、回
路電極3に半田接合される。
【0022】また上記実施の形態では、第1の半田、第
2の半田としてそれぞれ鉛・錫の共晶半田、銀・錫の共
晶半田を用いる例を示しているが、本発明はこれらに限
定されるものではなく、要は融点の異なる種類の半田を
組み合わせて用いれば、上記以外の種類の半田を用いて
もよい。
【0023】
【発明の効果】本発明によれば、絶縁基板に設けられた
貫通孔よりも小さいサイズの第1のパターン孔を有する
第1のスクリーンマスクを用いて回路電極に半田を印刷
した後に第1のパターン孔よりも大きいサイズの第2の
パターン孔を有する第2のスクリーンマスクを用いて回
路電極に半田を重ねて印刷するようにしたので、貫通孔
内への半田の充填不良を防止して接合信頼性を確保する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態の半田バンプの形成方法
の工程説明図
【図2】本発明の一実施の形態の半田バンプの形成方法
の工程説明図
【符号の説明】
1 絶縁基板 2 貫通孔 3 回路電極 4,14 スクリーンマスク 5,15 パターン孔 6,6’ クリーム半田 6a,6b 半田部 6c 半田バンプ
フロントページの続き (72)発明者 鬼崎 光 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 5E319 AA03 AC11 BB02 CC33 CD29 GG15 GG20

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】絶縁基板に設けられた貫通孔を介して回路
    電極に導通する半田バンプを形成する半田バンプの形成
    方法であって、前記貫通孔よりも小さいサイズの第1の
    パターン孔を有する第1のスクリーンマスクを用いて前
    記回路電極に半田を印刷する第1の印刷工程と、この第
    1の印刷工程後に前記第1のパターン孔よりも大きいサ
    イズの第2のパターン孔を有する第2のスクリーンマス
    クを用いて前記回路電極に半田を重ねて印刷する第2の
    印刷工程と、第2の印刷工程後に前記絶縁基板を加熱す
    ることにより半田を溶融させて回路電極上に半田バンプ
    を形成するリフロー工程とを含むことを特徴とする半田
    バンプの形成方法。
  2. 【請求項2】前記第1の印刷工程と第2の印刷工程にお
    いて、それぞれ融点の異なる半田を用いることを特徴と
    する請求項1記載の半田バンプの形成方法。
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KR100871031B1 (ko) 2007-06-01 2008-11-27 삼성전기주식회사 인쇄회로기판의 범프 형성방법
KR100900681B1 (ko) 2007-11-28 2009-06-01 삼성전기주식회사 솔더 범프 형성방법
JP2011060964A (ja) * 2009-09-09 2011-03-24 Tamura Seisakusho Co Ltd バンプの形成方法
JP2019016794A (ja) * 2017-07-10 2019-01-31 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH 支持体に構成素子を実装する方法、支持体に構成素子を実装するための顔料および顔料の製造方法

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