JPH11274529A - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents

光起電力装置の製造方法

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JPH11274529A
JPH11274529A JP10092318A JP9231898A JPH11274529A JP H11274529 A JPH11274529 A JP H11274529A JP 10092318 A JP10092318 A JP 10092318A JP 9231898 A JP9231898 A JP 9231898A JP H11274529 A JPH11274529 A JP H11274529A
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Japan
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amorphous semiconductor
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electrodes
laser beam
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Soichi Sakai
総一 酒井
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 非晶質半導体及び第２電極の分断を防ぎ、光
起電力装置の特性の低下を防止する。 【解決手段】 基板１上に第１電極２，非晶質半導体
３，第２電極４の順で形成された光起電力素子が複数個
直列され、基板１上に形成された第１電極をレーザによ
り所定のパターンになるように除去した後、レーザビー
ム６を少なくとも除去部分の両端部を含む第１電極２
と、除去部分に照射する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に第１電
極，非晶質半導体，第２電極の順で形成された光起電力
素子が複数個直列接続された光起電力装置の製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】非晶質半導体を用いた光起電力装置は、
例えば図２に示すように、１枚のガラス基板等の透明な
基板１上に、所定間隔でＳｎＯ2 等の透明電極の第１電
極２が被着され、その第１電極２上に非晶質半導体３が
重畳して被着され、かつ隣の第１電極２に部分的に重畳
され、その非晶質半導体３上に裏面電極の第２電極４が
重畳して被着され、かつ、隣の非晶質半導体３に部分的
に重畳され、基板１上に第１電極２，非晶質半導体３，
第２電極４の順で形成された光起電力素子が複数個直列
接続されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来、基板１上に所定
間隔で第１電極２を形成する場合、図３Ａに示すよう
に、ＹＡＧレーザ等のレーザビーム５を第１電極２に照
射し、所定のパターンになるように第１電極２を部分的
に蒸発させて除去している。
【０００４】この時、使用されるＹＡＧレーザは、波長
１．０６μｍ、出力１．０×１０8Ｗ／cm2 、除去幅５
０μｍであり、レーザビームのエネルギ密度は図４に示
すようにガウス状に分布している。
【０００５】従って、レーザビームの中心から離れた照
射部分の第１電極２は蒸発されずに溶融だけが起り、蒸
発と溶融の境界部分，即ち除去部分の両端部の第１電極
２に、鋭い盛り上りＴが生じる。
【０００６】そのため、第１電極２上に非晶質半導体３
及び第２電極４を順に被着して重畳すると、鋭い盛り上
りＴの部分に、図３Ｂのａに示すように、非晶質半導体
３が第１電極２を覆いきれずに分断され、第１電極２と
第２電極４が接触し、また、同図ｂに示すように、第２
電極４が分断されるという現象が生じ、これらの現象は
光起電力装置の特性の著しい低下を招き、歩留りが悪化
するという問題点がある。
【０００７】本発明は、前記の点に留意し、非晶質半導
体及び第２電極の分断を防ぎ、光起電力装置の特性の低
下がなく、歩留りを向上するようにした光起電力装置の
製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の光起電力装置の製造方法は、基板上の第１
電極の除去部分の両端部を含む第１電極と除去部分にレ
ーザビームを照射することを特徴とし、さらに、除去部
分の両端部の第１電極が、レーザビームにより溶融され
るものである。
【０００９】従って、基板上の第１電極の除去部分の両
端部の鋭い盛り上り部分にレーザビームが照射されるた
め、鋭い盛り上り部分が溶融されて鋭い盛り上りがなく
なり、除去部分の両端部において、非晶質半導体及び第
２電極の分断がなく、光起電力装置の特性の低下が防止
される。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の実施の１形態を図１を参
照して説明する。ガラス基板等の透明な基板１上に、従
来と同様、ＳｎＯ2 等の透明電極の第１電極２を被着
し、ＹＡＧレーザ（波長１．０６μｍ、出力１．０×１
０8 Ｗ／cm2 、除去幅５０μｍ）のレーザビームを照射
し、図１Ａに示すように、所定のパターンになるように
第１電極２を部分的に蒸発させて除去する。
【００１１】この時、除去部分の両端部の第１電極２に
鋭い盛り上りＴを生じるが、その後、この両盛り上りＴ
を含む第１電極２と除去部分にレーザビーム６を照射す
る。
【００１２】このレーザビーム６は、第１電極２を溶融
させるだけのエネルギ密度を有し、例えば、波長１．０
６μｍ、出力５．０×１０7 Ｗ／cm2 、除去幅５０μｍ
よりも広い溶融幅８０μｍのシート状であり、このレー
ザビーム６の照射により、鋭い盛り上りＴの部分の第１
電極２が溶融し、鋭い盛り上りＴの部分が、図１Ｂに示
すように、表面張力により表面がわん曲した形状にな
る。
【００１３】従って、この第１電極２上に、図１Ｃに示
すように、非晶質半導体３を重畳して被着しても、非晶
質半導体３が分断されず、その非晶質半導体３上に第２
電極４を重畳して被着しても、第１電極２に第２電極４
が接触せず、また、第２電極４が分断されることがな
い。
【００１４】なお、前記形態において、基板１がガラス
等の透明な基板であり、光が基板１側から入射される場
合について説明したが、基板１がステンレス等の不透明
な基板或いはフイルム基板でもよく、その場合は、第１
電極２が裏面電極となり、その第１電極２に本発明が適
用され、光は第２電極４側から入射される。
【００１５】また、第１電極２の鋭い盛り上りＴの部分
に照射されるレーザのビーム形状は、前記シート状のほ
かスポット状でもよいが、シートビームを用いる方がス
ループットの向上がはかれる。
【００１６】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、以下に記載する効果を奏する。基板１上の
第１電極２をレーザにより所定のパターンになるように
除去した後、レーザビームを除去部分の両端部を含む第
１電極２と除去部分に照射するため、除去部分の両端部
の第１電極２の鋭い盛り上りＴの部分が溶融され、表面
がわん曲した形状になり、非晶質半導体３が分断され
ず、第１電極２と第２電極４が接触せず、かつ、第２電
極４が分断されず、光起電力装置の特性の低下を防ぎ歩
留りを向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】Ａ，Ｂ，Ｃは本発明の実施の形態を示す工程別
断面図である。
【図２】光起電力装置の断面図である。
【図３】Ａ，Ｂは従来例の工程別断面図である。
【図４】レーザビームのエネルギ密度特性図である。
【符号の説明】
１ 基板 ２ 第１電極 ３ 非晶質半導体 ４ 第２電極 ６ レーザビーム

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に第１電極，非晶質半導体，第２
    電極の順で形成された光起電力素子が複数個直列接続さ
    れた光起電力装置の製造方法において、 前記基板上に形成された前記第１電極をレーザにより所
    定のパターンになるように除去した後、レーザビームを
    少なくとも除去部分の両端部を含む前記第１電極と、前
    記除去部分に照射することを特徴とする光起電力装置の
    製造方法。
  2. 【請求項２】 請求項１において、除去部分の両端部の
    第１電極は、該第１電極の除去後に照射するレーザビー
    ムにより溶融されることを特徴とする光起電力装置の製
    造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101301003B1 (ko) * 2012-04-30 2013-08-28 에스엔유 프리시젼 주식회사 박막 태양전지 제조방법 및 이를 이용하는 박막 태양전지
JP2021521631A (ja) * 2018-04-06 2021-08-26 サンパワー コーポレイション レーザービームを使用した半導体基板の局所メタライゼーション

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