JPH1126914A - 半導体モジュール装置 - Google Patents

半導体モジュール装置

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Publication number
JPH1126914A
JPH1126914A JP17370497A JP17370497A JPH1126914A JP H1126914 A JPH1126914 A JP H1126914A JP 17370497 A JP17370497 A JP 17370497A JP 17370497 A JP17370497 A JP 17370497A JP H1126914 A JPH1126914 A JP H1126914A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
heat spreader
substrate support
heating element
module
Prior art date
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Application number
JP17370497A
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English (en)
Inventor
Yukitoshi Iida
行俊 飯田
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PFU Ltd
Original Assignee
PFU Ltd
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Publication date
Application filed by PFU Ltd filed Critical PFU Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】製造が簡単で、かつ、発熱素子とヒートスプレ
ッタとの接触状態を長期にわたって安定的に維持させる
ことにより放熱性能の向上を図った半導体モジュール装
置の提供を目的とする。 【解決手段】矩形枠形状の基板支持体1と、発熱素子2
が実装され、裏面周縁が基板支持体1に支承されて基板
支持体1上に保持されるモジュール基板3と、熱伝導性
の良好な材料により形成され、基板支持体1に固定され
てモジュール基板3の発熱素子実装面30を覆うヒート
スプレッタ4とを有し、前記基板支持体1とモジュール
基板3との間に弾性を有する緩衝体5が介装され、該緩
衝体5の弾性復元力により発熱素子2をヒートスプレッ
タ4の素子当接面40に圧接させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体モジュール装
置に関するものである。近年、情報処理装置の小型化に
伴って、基板のファインピッチ化が進んでいる。ところ
で、ファインピッチ化は主としてCPUの高集積化によ
るところが大きいために、勢いCPU回りのファインピ
ッチ化のみが進行するという現象が見られる。そこで近
時、CPU回りの回路をメイン基板とは別途にモジュー
ル化することによりメイン基板の製造効率の向上を図る
ことが行われている。
【0002】一方、かかる目的で形成された半導体モジ
ュール装置には、CPU等の発熱素子が実装されるため
に、発熱量が大きく、有効な放熱構造を備えていること
が求められる。
【0003】
【従来の技術】そして、従来、かかる目的に使用される
半導体モジュール装置としては、図4に示すように、枠
部材7に形成された支持段部70でモジュール基板3を
支持し、ビス等で熱伝導性の良好な材料により形成され
るヒートスプレッタ4を止着するものが提案されてい
る。
【0004】この従来例において、発熱素子2での発熱
は、ヒートスプレッタ4に伝熱され、ヒートスプレッタ
4に接触している図示しないヒートシンク、あるいは筐
体から放熱される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
例においては、発熱素子2とヒートスプレッタ4とを確
実に接触させるためには、支持段部70からヒートスプ
レッタ4の素子当接面40までの間隔を正確に寸法管理
する必要が生じる上に、ビス等の締め付けトルクも厳重
に管理する必要が生じ、製造が面倒な上に、長期にわた
って一定の接触状態を維持することも困難であり、信頼
性が低いという欠点を有する。
【0006】また、発熱素子2とヒートスプレッタ4の
素子当接面40とを伝熱性の接着剤で接着することも可
能であるが、この場合には、半導体モジュール装置の分
解ができなくなるために、例えばモジュール基板3上の
適宜の素子を交換することができず、不経済であるとい
う欠点を有する。
【0007】本発明は、以上の欠点を解消すべくなされ
たもので、製造が簡単で、かつ、発熱素子とヒートスプ
レッタとの接触状態を長期にわたって安定的に維持させ
ることにより放熱性能の向上を図った半導体モジュール
装置の提供を目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明によれば上記目的
は、矩形枠形状の基板支持体1と、発熱素子2が実装さ
れ、裏面周縁が基板支持体1に支承されて基板支持体1
上に保持されるモジュール基板3と、熱伝導性の良好な
材料により形成され、基板支持体1に固定されてモジュ
ール基板3の発熱素子実装面30を覆うヒートスプレッ
タ4とを有し、前記基板支持体1とモジュール基板3と
の間に弾性を有する緩衝体5が介装され、該緩衝体5の
弾性復元力により発熱素子2をヒートスプレッタ4の素
子当接面40に圧接させる半導体モジュール装置を提供
することにより達成される。
【0009】発熱素子2が実装されたモジュール基板3
は裏面周縁が矩形枠形状の基板支持体1に支承されて基
板支持体1上に保持され、モジュール基板3の発熱素子
実装面30は基板支持体1に固定されるヒートスプレッ
タ4により覆われる。
【0010】基板支持体1とモジュール基板3との間に
介装される緩衝体5は、ヒートスプレッタ4を基板支持
体1に固定した状態で僅かに弾性変形してモジュール基
板3は緩衝体5の弾性復元力により上方に押し付けられ
る。
【0011】この結果、ヒートスプレッタ4の固定高さ
に誤差が生じたとしても緩衝体5の弾性変形範囲内であ
れば誤差が吸収されて発熱素子2はヒートスプレッタ4
の素子当接面40に確実に当接するために、過度な製造
精度が要求されず、しかも、長期にわたって均等な接触
圧が確保される。また、ヒートスプレッタ4への伝熱を
保障するためにヒートスプレッタ4を発熱素子2に接合
する必要がないために、半導体モジュール装置の分解が
容易になり、モジュール基板3上の発熱素子2の交換、
あるいは周辺回路部品のメインテナンス等が可能にな
る。
【0012】なお、この場合、発熱素子2と素子当接面
40との間に伝熱性に優れたグリース、あるいはコンパ
ウンドを介在させることにより、より信頼性を向上させ
ることが可能である。
【0013】また、緩衝体5は矩形枠形状に形成するこ
とも可能であり、また、基板支持体1の基板支承面10
に沿って散点状に配置されたものであってもよい。請求
項2記載の発明において、上記請求項1記載の発明の目
的に加え、組立作業が容易になるという目的を達成する
ことのできる半導体モジュール装置が提供される。すな
わち、請求項2記載の発明において、基板支持体1に
は、脚部60の先端に係止フック61を備えた係止部6
が設けられるとともに、ヒートスプレッタ4の周縁には
係止フック61が係止するフック受け面41が設けら
れ、フック受け面41は、前記係止フック61が係止し
た際に係止フック61を収容する凹部42内に形成され
る。
【0014】本発明によれば、基板支持体1上にモジュ
ール基板3を載置した後、ヒートスプレッタ4を被せる
だけで、脚部60は一旦弾性変形した後、係止フック6
1がヒートスプレッタ4のフック受け面41に弾発的に
係止し、ヒートスプレッタ4が基板支持体1に固定され
る。また、ヒートスプレッタ4には係止フック61を収
容する凹部42が設けられているために、係止フック6
1の先端がヒートスプレッタ4の表面から突出すること
がなくなり、ヒートスプレッタ4とヒートシンク、ある
いは筐体との接触状態も良好にすることができる。
【0015】請求項3記載の発明において、上記請求項
1、2記載の発明の目的に加え、実装面積の小さくする
という目的を達成することのできる半導体もジュール装
置が提供される。すなわち、上述した従来例において、
モジュール基板3は基板支持体1の支持段部70上に載
置され、基板支持体1の外周縁部はヒートスプレッタ4
の止着部として使用されるために、半導体モジュール装
置のメイン基板への実装面積は、モジュール基板3の面
積より大きくなる。
【0016】本発明は、かかる欠点をも解消できるもの
で、係止部6は基板支持体1の基板支承面10上に立設
されるとともに、モジュール基板3の周縁には係止部6
の脚部60が挿通する切欠31が設けられる。
【0017】したがって本発明において、半導体モジュ
ール装置のメイン基板への実装面積はモジュール基板3
の面積とほぼ等しくなるために、従来例に比して実装面
積を小さくすることが可能になる。
【0018】
【発明の実施の形態】図1、図2に本発明の実施の形態
を示す。半導体モジュール装置は、CPU等の発熱素子
2が実装されたモジュール基板3と、該モジュール基板
3を支持する基板支持体1とを有する。発熱素子2とし
てはパッケージングされたものや、ベアチップが使用さ
れ、モジュール基板3の裏面には図示しないメイン基板
への接続用のコネクタ32が配置される。
【0019】基板支持体1は、合成樹脂材により上記モ
ジュール基板3の面積とほぼ等しい面積の矩形枠形状に
形成され、その表面にモジュール基板3の裏面周縁を支
持するための基板支承面10が形成される。また、基板
支承面10には後述する緩衝体5を嵌合するための凹溝
11が形成されるとともに、該凹溝11を外周方から取
り囲むように、基板支承面10上には複数の係止部6が
設けられる。係止部6は、基板支承面10から立設する
脚部60を備え、脚部60の先端には内方に向けて係止
フック61が突出する。
【0020】モジュール基板3は上記基板支持体1の基
板支承面10上に載置保持され、基板支持体1の係止部
6との干渉を防止するために、周縁には複数の切欠3
1、31・・が設けられる。
【0021】上記基板支持体1とモジュール基板3との
間には緩衝体5が介装される。緩衝体5は、柔軟な合成
樹脂材等、弾性を有する材料により矩形枠形状に形成さ
れ、基板支持体1の凹溝11に嵌合される。この緩衝体
5は、凹溝11への嵌合状態において僅かに基板支承面
10から飛び出す程度の太さに形成される。
【0022】4はヒートスプレッタであり、アルミニウ
ム等、熱伝導性の良好な材料で形成される。ヒートスプ
レッタ4の裏面にはモジュール基板3上の発熱素子2が
当接する素子当接面40が形成されるとともに、周縁に
は上記係止部6の脚部60との干渉を防止するための切
欠43が設けられ、切欠43の基端部に係止部6の係止
フック61が係止するフック受け面41が形成される。
フック受け面41はヒートスプレッタ4の表面より一段
低い高さに形成されており、フック受け面41に係止し
た係止フック61を収容する凹部42が形成される。
【0023】したがってこの実施の形態において、半導
体モジュール装置の組立ては、凹溝11内に緩衝体5を
嵌合させた基板支持体1の基板支承面10上に周縁裏面
を支承させてモジュール基板3を載置し、次いで、上方
からヒートスプレッタ4を被せて基板支持体1の係止部
6をヒートスプレッタ4に係止させて行われ、モジュー
ル基板3上の素子を変更する際には、係止部6の係止を
解除することによりモジュール基板3を容易に取り出す
ことができる。
【0024】なお、組立時に発熱素子2の表面、あるい
はヒートスプレッタ4の当接面に熱伝導性の良好なグリ
ース、あるいはコンパウンド等を塗布しておくのが望ま
しい。
【0025】また、図3に示すように、モジュール基板
3とヒートスプレッタ4との境界面に矩形枠形状のシー
ル体8を介装させることできる。シール体8を介装させ
ることによってモジュール基板3の発熱素子実装面30
を外気から遮断することができるために、発熱素子2に
ベアチップを使用する場合には特に有効であり、この場
合、シール体8の弾性係数を緩衝体5よりやや低くして
おくのが望ましい。
【0026】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、製造が簡単で、かつ、発熱素子とヒートスプ
レッタとの接触状態を長期にわたって安定的に維持させ
ることにより放熱性能の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を示す図で、(a)は平面図、(b)は
(a)の1B−1B線断面図である。
【図2】図1の分解斜視図である。
【図3】図1の変形例を示す図である。
【図4】従来例を示す図で、(a)は平面図、(b)は
(a)の4B−4B線断面図である。
【符号の説明】
1 基板支持体 10 基板支承面 2 発熱素子 3 モジュール基板 30 発熱素子実装面 31 切欠 4 ヒートスプレッタ 40 素子当接面 41 フック受け面 42 凹部 5 緩衝体 6 係止部 60 脚部 61 係止フック

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】矩形枠形状の基板支持体と、 発熱素子が実装され、裏面周縁が基板支持体に支承され
    て基板支持体上に保持されるモジュール基板と、 熱伝導性の良好な材料により形成され、基板支持体に固
    定されてモジュール基板の発熱素子実装面を覆うヒート
    スプレッタとを有し、 前記基板支持体とモジュール基板との間に弾性を有する
    緩衝体が介装され、該緩衝体の弾性復元力により発熱素
    子をヒートスプレッタの素子当接面に圧接させる半導体
    モジュール装置。
  2. 【請求項2】前記基板支持体には、脚部の先端に係止フ
    ックを備えた係止部が設けられるとともに、ヒートスプ
    レッタの周縁には係止フックが係止するフック受け面が
    設けられ、 かつ、フック受け面は、前記係止フックが係止した際に
    係止フックを収容する凹部内に形成される請求項1記載
    の半導体モジュール装置。
  3. 【請求項3】前記係止部は基板支持体の基板支承面上に
    立設されるとともに、モジュール基板の周縁には係止部
    の脚部が挿通する切欠が設けられる請求項2記載の半導
    体モジュール装置。
JP17370497A 1997-06-30 1997-06-30 半導体モジュール装置 Pending JPH1126914A (ja)

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JP17370497A JPH1126914A (ja) 1997-06-30 1997-06-30 半導体モジュール装置

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JPH1126914A true JPH1126914A (ja) 1999-01-29

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ID=15965588

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JP (1) JPH1126914A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6870738B2 (en) * 2002-03-27 2005-03-22 Semikron Elektronik Gmbh Power semiconductor module

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