JPH11266021A - 金属膜を有する基板及びその製造方法 - Google Patents
金属膜を有する基板及びその製造方法Info
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- JPH11266021A JPH11266021A JP8242198A JP8242198A JPH11266021A JP H11266021 A JPH11266021 A JP H11266021A JP 8242198 A JP8242198 A JP 8242198A JP 8242198 A JP8242198 A JP 8242198A JP H11266021 A JPH11266021 A JP H11266021A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ａｌからなるソース電極にＩＴＯからなる画
素電極を接続した液晶表示装置において、ソース電極と
画素電極との間のコンタクトを良好にするとともに、製
造工程数を少なくする。 【解決手段】 コンタクトホール３３が形成された層間
絶縁膜３２をマスクとしてＣｒイオンをドーピングし、
Ａｌからなる第２のソース電極３１のコンタクトホール
３３を介して露出された表面にＡｌ−Ｃｒ合金層３４を
形成する。次に、コンタクトホール３３の部分及び層間
絶縁膜３２の上面の所定の箇所にＩＴＯからなる画素電
極３５をＡｌ−Ｃｒ合金層３４に接続させて形成する。
すると、第２のソース電極３１と画素電極３５との間の
コンタクトをＡｌ−Ｃｒ合金層３４を介して良好とする
ことができる。しかも、この場合、Ｃｒイオンをドーピ
ングするだけでよいので、製造工程数を少なくすること
ができる。
素電極を接続した液晶表示装置において、ソース電極と
画素電極との間のコンタクトを良好にするとともに、製
造工程数を少なくする。 【解決手段】 コンタクトホール３３が形成された層間
絶縁膜３２をマスクとしてＣｒイオンをドーピングし、
Ａｌからなる第２のソース電極３１のコンタクトホール
３３を介して露出された表面にＡｌ−Ｃｒ合金層３４を
形成する。次に、コンタクトホール３３の部分及び層間
絶縁膜３２の上面の所定の箇所にＩＴＯからなる画素電
極３５をＡｌ−Ｃｒ合金層３４に接続させて形成する。
すると、第２のソース電極３１と画素電極３５との間の
コンタクトをＡｌ−Ｃｒ合金層３４を介して良好とする
ことができる。しかも、この場合、Ｃｒイオンをドーピ
ングするだけでよいので、製造工程数を少なくすること
ができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は金属膜を有する基
板及びその製造方法に関する。
板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】金属膜を有する基板には、例えば、アク
ティブマトリックス型の液晶表示装置において、画素電
極及びスイッチング素子としての薄膜トランジスタを備
えた薄膜トランジスタ基板がある。図２は従来のこのよ
うな薄膜トランジスタ基板の一例の一部を示したもので
ある。この薄膜トランジスタ基板はガラス基板１を備え
ている。ガラス基板１の上面の所定の箇所にはＣｒから
なるゲート電極２を含む走査信号ライン（図示せず）が
形成され、その上面全体にはゲート絶縁膜３が形成され
ている。ゲート絶縁膜３の上面の所定の箇所でゲート電
極２に対応する部分にはアモルファスシリコンからなる
半導体層４が形成されている。半導体層４の上面中央部
にはブロッキング層５が形成されている。ブロッキング
層５の上面両側及びその両側における半導体層４の上面
にはｎ+シリコン層６、７が形成されている。ｎ+シリコ
ン層６、７の上面にはＣｒからなる第１のドレイン電極
８及び第１のソース電極９が形成されている。第１のド
レイン電極８の上面及びゲート絶縁膜３の上面の所定の
箇所にはＡｌからなる第２のドレイン電極１０を含むデ
ータ信号ライン（図示せず）が形成されている。第１の
ソース電極９及びその近傍のゲート絶縁膜３の上面の所
定の箇所にはＩＴＯ（インジウム−錫酸化物）からなる
第２のソース電極１１が形成されている。第２のソース
電極１１の上面の所定の箇所にはＡｌからなる第３のソ
ース電極１２が形成されている。以上の各部の上面全体
には層間絶縁膜１３が形成されている。層間絶縁膜１３
の所定の箇所で第２のソース電極１１に対応する部分に
はコンタクトホール１４が形成されている。コンタクト
ホール１４の部分及び層間絶縁膜１３の上面の所定の箇
所にはＩＴＯからなる画素電極１５が第２のソース電極
１１に接続されて形成されている。
ティブマトリックス型の液晶表示装置において、画素電
極及びスイッチング素子としての薄膜トランジスタを備
えた薄膜トランジスタ基板がある。図２は従来のこのよ
うな薄膜トランジスタ基板の一例の一部を示したもので
ある。この薄膜トランジスタ基板はガラス基板１を備え
ている。ガラス基板１の上面の所定の箇所にはＣｒから
なるゲート電極２を含む走査信号ライン（図示せず）が
形成され、その上面全体にはゲート絶縁膜３が形成され
ている。ゲート絶縁膜３の上面の所定の箇所でゲート電
極２に対応する部分にはアモルファスシリコンからなる
半導体層４が形成されている。半導体層４の上面中央部
にはブロッキング層５が形成されている。ブロッキング
層５の上面両側及びその両側における半導体層４の上面
にはｎ+シリコン層６、７が形成されている。ｎ+シリコ
ン層６、７の上面にはＣｒからなる第１のドレイン電極
８及び第１のソース電極９が形成されている。第１のド
レイン電極８の上面及びゲート絶縁膜３の上面の所定の
箇所にはＡｌからなる第２のドレイン電極１０を含むデ
ータ信号ライン（図示せず）が形成されている。第１の
ソース電極９及びその近傍のゲート絶縁膜３の上面の所
定の箇所にはＩＴＯ（インジウム−錫酸化物）からなる
第２のソース電極１１が形成されている。第２のソース
電極１１の上面の所定の箇所にはＡｌからなる第３のソ
ース電極１２が形成されている。以上の各部の上面全体
には層間絶縁膜１３が形成されている。層間絶縁膜１３
の所定の箇所で第２のソース電極１１に対応する部分に
はコンタクトホール１４が形成されている。コンタクト
ホール１４の部分及び層間絶縁膜１３の上面の所定の箇
所にはＩＴＯからなる画素電極１５が第２のソース電極
１１に接続されて形成されている。
【０００３】このように、従来の薄膜トランジスタ基板
では、ＩＴＯからなる画素電極１５を同じくＩＴＯから
なる第２のソース電極１１に接続している。これは、画
素電極１５と第２のソース電極１１との間のコンタクト
を良好とするためである。比較のために、例えば図３に
示す仮想の薄膜トランジスタ基板について説明すると、
ＩＴＯからなる第２のソース電極１１を形成せずに、Ａ
ｌからなる第３のソース電極１２をゲート絶縁膜３の上
面の所定の箇所まで延ばし、これにコンタクトホール１
４を介してＩＴＯからなる画素電極１５を接続すること
も考えられる。しかしながら、この場合、第３のソース
電極１２の材料であるＡｌは酸化されやすい金属である
ので、その表面にすぐに自然酸化膜（図示せず）が形成
され、第３のソース電極１２と画素電極１５との間のコ
ンタクト抵抗が非常に高くなり、好ましくない。また、
図３に示す構造において、第２のドレイン電極１０を含
むデータ信号ライン及び第３のソース電極１２を例えば
Ｃｒによって形成することも考えられる。この場合、Ｃ
ｒは酸化されにくい金属であるので、第３のソース電極
１２の表面に自然酸化膜が形成されず、第３のソース電
極１２と画素電極１５との間のコンタクトを良好とする
ことができる。しかしながら、Ｃｒの抵抗値はＡｌの抵
抗値よりも大きいので、データ信号ラインの抵抗が大き
くなり、ひいては薄膜トランジスタの性能が低下し、こ
れも好ましくない。
では、ＩＴＯからなる画素電極１５を同じくＩＴＯから
なる第２のソース電極１１に接続している。これは、画
素電極１５と第２のソース電極１１との間のコンタクト
を良好とするためである。比較のために、例えば図３に
示す仮想の薄膜トランジスタ基板について説明すると、
ＩＴＯからなる第２のソース電極１１を形成せずに、Ａ
ｌからなる第３のソース電極１２をゲート絶縁膜３の上
面の所定の箇所まで延ばし、これにコンタクトホール１
４を介してＩＴＯからなる画素電極１５を接続すること
も考えられる。しかしながら、この場合、第３のソース
電極１２の材料であるＡｌは酸化されやすい金属である
ので、その表面にすぐに自然酸化膜（図示せず）が形成
され、第３のソース電極１２と画素電極１５との間のコ
ンタクト抵抗が非常に高くなり、好ましくない。また、
図３に示す構造において、第２のドレイン電極１０を含
むデータ信号ライン及び第３のソース電極１２を例えば
Ｃｒによって形成することも考えられる。この場合、Ｃ
ｒは酸化されにくい金属であるので、第３のソース電極
１２の表面に自然酸化膜が形成されず、第３のソース電
極１２と画素電極１５との間のコンタクトを良好とする
ことができる。しかしながら、Ｃｒの抵抗値はＡｌの抵
抗値よりも大きいので、データ信号ラインの抵抗が大き
くなり、ひいては薄膜トランジスタの性能が低下し、こ
れも好ましくない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで、従来の薄膜ト
ランジスタ基板では、上述のように、ＩＴＯからなる第
２のソース電極１１を形成し、これにＩＴＯからなる画
素電極１５を接続している。しかしながら、このような
薄膜トランジスタ基板では、ＩＴＯからなる第２のソー
ス電極１１を形成しなければならないので、すなわち、
ＩＴＯ膜を成膜し、その上面全体にフォトレジスト膜を
形成し、露光現像を行うことによりフォトレジスト膜を
パターニングし、このフォトレジストパターンをマスク
としてＩＴＯ膜をエッチングし、フォトレジストパター
ンを剥離する等の工程を経ることになるので、製造工程
数が大幅に増加するという問題があった。この発明の課
題は、所定の一の金属膜と所定の他の金属膜との間のコ
ンタクトを良好とすることができる上、製造工程数を少
なくすることである。
ランジスタ基板では、上述のように、ＩＴＯからなる第
２のソース電極１１を形成し、これにＩＴＯからなる画
素電極１５を接続している。しかしながら、このような
薄膜トランジスタ基板では、ＩＴＯからなる第２のソー
ス電極１１を形成しなければならないので、すなわち、
ＩＴＯ膜を成膜し、その上面全体にフォトレジスト膜を
形成し、露光現像を行うことによりフォトレジスト膜を
パターニングし、このフォトレジストパターンをマスク
としてＩＴＯ膜をエッチングし、フォトレジストパター
ンを剥離する等の工程を経ることになるので、製造工程
数が大幅に増加するという問題があった。この発明の課
題は、所定の一の金属膜と所定の他の金属膜との間のコ
ンタクトを良好とすることができる上、製造工程数を少
なくすることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明に係
る金属膜を有する基板は、基板と、この基板上に形成さ
れた酸化されやすい材料を主成分とする金属膜と、この
金属膜の表面に前記主成分よりも酸化還元電位が高い材
料が混在されて形成された前記金属膜との合金層と、こ
の合金層に接続されて形成された金属酸化膜とを具備し
たものである。請求項５記載の発明に係る金属膜を有す
る基板の製造方法は、酸化されやすい金属膜及びこの金
属膜の表面に形成された金属酸化膜を有する基板の製造
方法であって、前記金属膜の少なくとも表面に酸化され
にくい金属のイオンをドーピングし、この表面に前記金
属酸化膜を形成するようにしたものである。この発明に
よれば、例えばＡｌまたはＡｌ合金からなる酸化されや
すい金属膜の少なくとも表面に酸化されにくい金属例え
ばＣｒのイオンをドーピングすると、金属膜の表面に例
えばＡｌ−Ｃｒ合金層が形成され、この合金層の表面に
例えばＩＴＯからなる金属酸化膜を形成することになる
ので、金属膜と金属酸化膜との間のコンタクトを合金層
を介して良好とすることができる上、金属膜の表面に金
属イオンをドーピングするだけでよいので、製造工程数
を少なくすることができる。
る金属膜を有する基板は、基板と、この基板上に形成さ
れた酸化されやすい材料を主成分とする金属膜と、この
金属膜の表面に前記主成分よりも酸化還元電位が高い材
料が混在されて形成された前記金属膜との合金層と、こ
の合金層に接続されて形成された金属酸化膜とを具備し
たものである。請求項５記載の発明に係る金属膜を有す
る基板の製造方法は、酸化されやすい金属膜及びこの金
属膜の表面に形成された金属酸化膜を有する基板の製造
方法であって、前記金属膜の少なくとも表面に酸化され
にくい金属のイオンをドーピングし、この表面に前記金
属酸化膜を形成するようにしたものである。この発明に
よれば、例えばＡｌまたはＡｌ合金からなる酸化されや
すい金属膜の少なくとも表面に酸化されにくい金属例え
ばＣｒのイオンをドーピングすると、金属膜の表面に例
えばＡｌ−Ｃｒ合金層が形成され、この合金層の表面に
例えばＩＴＯからなる金属酸化膜を形成することになる
ので、金属膜と金属酸化膜との間のコンタクトを合金層
を介して良好とすることができる上、金属膜の表面に金
属イオンをドーピングするだけでよいので、製造工程数
を少なくすることができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】図１（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれこ
の発明の一実施形態における薄膜トランジスタ基板の各
製造工程を示したものである。そこで、これらの図を順
に参照して、この実施形態における薄膜トランジスタ基
板の製造方法について説明する。まず、図１（Ａ）に示
すように、ガラス基板２１の上面の所定の箇所にＣｒか
らなるゲート電極２２を含む走査信号ライン（図示せ
ず）を形成し、その上面全体に窒化シリコンからなるゲ
ート絶縁膜２３を形成する。次に、ゲート絶縁膜２３の
上面の所定の箇所でゲート電極２２に対応する部分にア
モルファスシリコンからなる半導体層２４を形成する。
次に、半導体層２４の上面中央部に窒化シリコンからな
るブロッキング層２５を形成する。次に、ブロッキング
層２５の上面両側及びその両側における半導体層２４の
上面にｎ+シリコン層２６、２７を形成する。次に、ｎ+
シリコン層２６、２７の上面にＣｒからなる第１のドレ
イン電極２８及び第１のソース電極２９を形成する。次
に、第１のドレイン電極２８の上面及びゲート絶縁膜２
３の上面の所定の箇所にＡｌまたはＡｌ合金からなる第
２のドレイン電極３０を含むデータ信号ライン（図示せ
ず）を形成する。また、第１のソース電極２９及びその
近傍のゲート絶縁膜２３の上面の所定の箇所にＡｌまた
はＡｌ合金からなる第２のソース電極３１を形成する。
次に、以上の各部の上面全体には窒化シリコンからなる
層間絶縁膜３２を形成する。次に、層間絶縁膜３２の所
定の箇所で第２のソース電極３１に対応する部分にコン
タクトホール３３を形成する。
の発明の一実施形態における薄膜トランジスタ基板の各
製造工程を示したものである。そこで、これらの図を順
に参照して、この実施形態における薄膜トランジスタ基
板の製造方法について説明する。まず、図１（Ａ）に示
すように、ガラス基板２１の上面の所定の箇所にＣｒか
らなるゲート電極２２を含む走査信号ライン（図示せ
ず）を形成し、その上面全体に窒化シリコンからなるゲ
ート絶縁膜２３を形成する。次に、ゲート絶縁膜２３の
上面の所定の箇所でゲート電極２２に対応する部分にア
モルファスシリコンからなる半導体層２４を形成する。
次に、半導体層２４の上面中央部に窒化シリコンからな
るブロッキング層２５を形成する。次に、ブロッキング
層２５の上面両側及びその両側における半導体層２４の
上面にｎ+シリコン層２６、２７を形成する。次に、ｎ+
シリコン層２６、２７の上面にＣｒからなる第１のドレ
イン電極２８及び第１のソース電極２９を形成する。次
に、第１のドレイン電極２８の上面及びゲート絶縁膜２
３の上面の所定の箇所にＡｌまたはＡｌ合金からなる第
２のドレイン電極３０を含むデータ信号ライン（図示せ
ず）を形成する。また、第１のソース電極２９及びその
近傍のゲート絶縁膜２３の上面の所定の箇所にＡｌまた
はＡｌ合金からなる第２のソース電極３１を形成する。
次に、以上の各部の上面全体には窒化シリコンからなる
層間絶縁膜３２を形成する。次に、層間絶縁膜３２の所
定の箇所で第２のソース電極３１に対応する部分にコン
タクトホール３３を形成する。
【０００７】次に、図１（Ｂ）に示すように、層間絶縁
膜３２をマスクとしてＣｒイオンを例えば加速電圧１０
ｋＶ、ドーズ量５×１０15個／ｃｍ2でドーピングし、
ＡｌまたはＡｌ合金からなる第２のソース電極３１のコ
ンタクトホール３３を介して露出された表面にＡｌ−Ｃ
ｒ合金層３４を形成する。この場合、ＡｌまたはＡｌ合
金からなる第２のソース電極３１の表面に自然酸化膜が
形成されていても、ドーピンクされたＣｒイオンが拡散
することにより、同表面にＡｌ−Ｃｒ合金層３４が形成
される。また、この場合使用するイオンドーピング装置
としては、一例として、図示していないが、スパッタ方
式のイオン源でＣｒイオンビーム及び反応ガスイオンビ
ームを発生させ、この発生されたＣｒイオンビーム及び
反応ガスイオンビームをイオン搬送ダクト内に導入し、
イオン搬送ダクトに介在されたマグネット方式のマスフ
ィルタでＣｒイオンビームと反応ガスイオンビームとを
分離し、Ｃｒイオンビームのみを真空とされた反応室内
に導入し、この導入されたＣｒイオンビームを反応室内
に配置された試料の表面に図１（Ｂ）に示すように照射
し、これにより試料の表面つまりＡｌまたはＡｌ合金か
らなる第２のソース電極３１のコンタクトホール３３を
介して露出された表面にＡｌ−Ｃｒ合金層３４を形成す
るものを用いてもよい。なお、イオン搬送ダクト内に残
留する反応ガスイオンは真空吸引手段によって吸引され
る。次に、図１（Ｃ）に示すように、コンタクトホール
３３の部分及び層間絶縁膜３２の上面の所定の箇所にＩ
ＴＯからなる画素電極３５をＡｌ−Ｃｒ合金層３４に接
続させて形成する。
膜３２をマスクとしてＣｒイオンを例えば加速電圧１０
ｋＶ、ドーズ量５×１０15個／ｃｍ2でドーピングし、
ＡｌまたはＡｌ合金からなる第２のソース電極３１のコ
ンタクトホール３３を介して露出された表面にＡｌ−Ｃ
ｒ合金層３４を形成する。この場合、ＡｌまたはＡｌ合
金からなる第２のソース電極３１の表面に自然酸化膜が
形成されていても、ドーピンクされたＣｒイオンが拡散
することにより、同表面にＡｌ−Ｃｒ合金層３４が形成
される。また、この場合使用するイオンドーピング装置
としては、一例として、図示していないが、スパッタ方
式のイオン源でＣｒイオンビーム及び反応ガスイオンビ
ームを発生させ、この発生されたＣｒイオンビーム及び
反応ガスイオンビームをイオン搬送ダクト内に導入し、
イオン搬送ダクトに介在されたマグネット方式のマスフ
ィルタでＣｒイオンビームと反応ガスイオンビームとを
分離し、Ｃｒイオンビームのみを真空とされた反応室内
に導入し、この導入されたＣｒイオンビームを反応室内
に配置された試料の表面に図１（Ｂ）に示すように照射
し、これにより試料の表面つまりＡｌまたはＡｌ合金か
らなる第２のソース電極３１のコンタクトホール３３を
介して露出された表面にＡｌ−Ｃｒ合金層３４を形成す
るものを用いてもよい。なお、イオン搬送ダクト内に残
留する反応ガスイオンは真空吸引手段によって吸引され
る。次に、図１（Ｃ）に示すように、コンタクトホール
３３の部分及び層間絶縁膜３２の上面の所定の箇所にＩ
ＴＯからなる画素電極３５をＡｌ−Ｃｒ合金層３４に接
続させて形成する。
【０００８】このように、この薄膜トランジスタ基板の
製造方法では、ＡｌまたはＡｌ合金からなる第２のソー
ス電極（金属膜）３１のコンタクトホール３３を介して
露出された表面に酸化されにくいＣｒのイオンをドーピ
ングすることにより、第２のソース電極３１の表面にＡ
ｌ−Ｃｒ合金層３４を形成し、このＡｌ−Ｃｒ合金層３
４の表面にＩＴＯ等の金属酸化物からなる画素電極３５
を形成しているので、ＡｌまたはＡｌ合金からなる第２
のソース電極３１とＩＴＯからなる画素電極３５との間
のコンタクトをＡｌ−Ｃｒ合金層３４を介して良好とす
ることができる。しかも、第２のソース電極３１の表面
にＣｒイオンをドーピングするだけでよいので、製造工
程数を少なくすることができる。
製造方法では、ＡｌまたはＡｌ合金からなる第２のソー
ス電極（金属膜）３１のコンタクトホール３３を介して
露出された表面に酸化されにくいＣｒのイオンをドーピ
ングすることにより、第２のソース電極３１の表面にＡ
ｌ−Ｃｒ合金層３４を形成し、このＡｌ−Ｃｒ合金層３
４の表面にＩＴＯ等の金属酸化物からなる画素電極３５
を形成しているので、ＡｌまたはＡｌ合金からなる第２
のソース電極３１とＩＴＯからなる画素電極３５との間
のコンタクトをＡｌ−Ｃｒ合金層３４を介して良好とす
ることができる。しかも、第２のソース電極３１の表面
にＣｒイオンをドーピングするだけでよいので、製造工
程数を少なくすることができる。
【０００９】なお、上記実施形態では、図１（Ｂ）に示
すように、層間絶縁膜３２をマスクとしてＣｒイオンを
ドーピングする場合について説明したが、これに限定さ
れるものではない。例えば、図示していないが、層間絶
縁膜３２にコンタクトホール３３を形成する際のフォト
レジストパターンをマスクとしてＣｒイオンをドーピン
グし、この後フォトレジストパターンを剥離するように
してもよい。また、上記実施形態では、Ｃｒイオンをド
ーピングし、ＡｌまたはＡｌ合金からなる第２のソース
電極３１の表面にＡｌ−Ｃｒ合金層３４を形成する場合
について説明したが、これに限定されるものではない。
例えば、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ等の金属イオンをドーピング
し、Ａｌ−Ｔａ、Ａｌ−Ｍｏ、Ａｌ−Ｗ等の合金層を形
成するようにしてもよい。また、第２のソース電極３１
をＡｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｎｄ等のＡｌ合金によって形成
し、これの表面にＣｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ等の金属イオン
をドーピングするようにしてもよい。すなわち、酸化さ
れやすい材料を主成分とする金属膜に、当該主成分より
も酸化還元電位が高い金属イオンをドーピングした上、
この表面に金属酸化物を形成するようにすればよい。
すように、層間絶縁膜３２をマスクとしてＣｒイオンを
ドーピングする場合について説明したが、これに限定さ
れるものではない。例えば、図示していないが、層間絶
縁膜３２にコンタクトホール３３を形成する際のフォト
レジストパターンをマスクとしてＣｒイオンをドーピン
グし、この後フォトレジストパターンを剥離するように
してもよい。また、上記実施形態では、Ｃｒイオンをド
ーピングし、ＡｌまたはＡｌ合金からなる第２のソース
電極３１の表面にＡｌ−Ｃｒ合金層３４を形成する場合
について説明したが、これに限定されるものではない。
例えば、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ等の金属イオンをドーピング
し、Ａｌ−Ｔａ、Ａｌ−Ｍｏ、Ａｌ−Ｗ等の合金層を形
成するようにしてもよい。また、第２のソース電極３１
をＡｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｎｄ等のＡｌ合金によって形成
し、これの表面にＣｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ等の金属イオン
をドーピングするようにしてもよい。すなわち、酸化さ
れやすい材料を主成分とする金属膜に、当該主成分より
も酸化還元電位が高い金属イオンをドーピングした上、
この表面に金属酸化物を形成するようにすればよい。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、例えばＡｌまたは
Ａｌ合金からなる酸化されやすい金属膜の少なくとも表
面に酸化されにくい金属例えばＣｒのイオンをドーピン
グして、金属膜の表面に例えばＡｌ−Ｃｒ合金層を形成
し、この合金層の表面に例えばＩＴＯからなる金属酸化
膜を形成しているので、金属膜と金属酸化膜との間のコ
ンタクトを合金層を介して良好とすることができる上、
金属膜の表面に金属イオンをドーピングするだけでよい
ので、製造工程数を少なくすることができる。
Ａｌ合金からなる酸化されやすい金属膜の少なくとも表
面に酸化されにくい金属例えばＣｒのイオンをドーピン
グして、金属膜の表面に例えばＡｌ−Ｃｒ合金層を形成
し、この合金層の表面に例えばＩＴＯからなる金属酸化
膜を形成しているので、金属膜と金属酸化膜との間のコ
ンタクトを合金層を介して良好とすることができる上、
金属膜の表面に金属イオンをドーピングするだけでよい
ので、製造工程数を少なくすることができる。
【図１】（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれこの発明の一実施形
態における薄膜トランジスタ基板の各製造工程を示す断
面図。
態における薄膜トランジスタ基板の各製造工程を示す断
面図。
【図２】従来の薄膜トランジスタ基板の一例の一部の断
面図。
面図。
【図３】仮想の薄膜トランジスタ基板の一部の断面図。
２１ ガラス基板 ２２ ゲート電極 ２３ ゲート絶縁膜 ２４ 半導体層 ２５ ブロッキング層 ２６、２７ ｎ+シリコン層 ２８ 第１のドレイン電極 ２９ 第１のソース電極 ３０ 第２のドレイン電極 ３１ 第２のソース電極 ３２ 層間絶縁膜 ３３ コンタクトホール ３４ Ａｌ−Ｃｒ合金層 ３５ 画素電極
Claims (9)
- 【請求項１】 基板と、この基板上に形成された酸化さ
れやすい材料を主成分とする金属膜と、この金属膜の表
面に前記主成分よりも酸化還元電位が高い材料が混在さ
れて形成された前記金属膜との合金層と、この合金層に
接続されて形成された金属酸化膜とを具備することを特
徴とする金属膜を有する基板。 - 【請求項２】 請求項１記載の発明において、前記金属
膜は半導体層に接続されていることを特徴とする金属膜
を有する基板。 - 【請求項３】 請求項１記載の発明において、前記金属
膜は薄膜トランジスタのソース電極であり、前記金属酸
化膜は画素電極であることを特徴とする金属膜を有する
基板。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載の発明に
おいて、前記金属膜はＡｌまたはＡｌ合金からなり、前
記合金層は前記金属膜とＣｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ等の金属
との合金からなり、前記金属酸化膜はＩＴＯからなるこ
とを特徴とする金属膜を有する基板。 - 【請求項５】 酸化されやすい金属膜及びこの金属膜の
表面に形成された金属酸化膜を有する基板の製造方法で
あって、前記金属膜の少なくとも表面に酸化されにくい
金属のイオンをドービングし、この表面に前記金属酸化
膜を形成することを特徴とする金属膜を有する基板の製
造方法。 - 【請求項６】 請求項５記載の発明において、前記金属
膜上に絶縁膜を形成し、この絶縁膜にコンタクトホール
を形成し、このコンタクトホールを介して前記金属イオ
ンをドービングし、前記コンタクトホールの部分及び前
記絶縁膜上に前記金属酸化膜を形成することを特徴とす
る金属膜を有する基板の製造方法。 - 【請求項７】 請求項５または６記載の発明において、
前記金属膜は半導体層に接続されるものであることを特
徴とする金属膜を有する基板の製造方法。 - 【請求項８】 請求項５または６記載の発明において、
前記金属膜は薄膜トランジスタのソース電極であり、前
記金属酸化膜は画素電極であることを特徴とする金属膜
を有する基板の製造方法。 - 【請求項９】 請求項５〜８のいずれかに記載の発明に
おいて、前記金属膜はＡｌまたはＡｌ合金からなり、前
記金属イオンはＣｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ等の金属イオンか
らなり、前記金属酸化膜はＩＴＯからなることを特徴と
する金属膜を有する基板の製造方法。
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| JP2002246607A (ja) * | 2001-02-05 | 2002-08-30 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
| WO2005086180A1 (ja) * | 2004-03-09 | 2005-09-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタ基板及びこれらの製造方法及びこれらを用いた液晶表示装置及び関連する装置及び方法、並びに、スパッタリングターゲット及びこれを用いて成膜した透明導電膜及び透明電極及び関連する装置及び方法 |
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1998
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